JP7645533B2 - レーザ処理装置、レーザ処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、ラインビームを被処理物に対して相対的に移動させる走査を行い被処理物上の帯状領域に照射するレーザ処理装置及び方法に関する。

被処理物の広範囲にレーザ光を照射する処理の具体例として、基板上に製膜されたデバイス膜を基板から剥離するＬＬＯ（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ）や、加熱により残留応力を取り除くアニーリング、付着している不純物を除去するクリーニング等が挙げられる。ＬＬＯは、近時普及しつつあるＯＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）またはＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の製造工程で用いられる。

このようなレーザ処理を実行するにあたっては、レーザ光を所定のＹ軸方向に拡張したラインビームを生成し、そのラインビームを被処理物に対しＸ軸方向に沿って相対移動させる走査を行うことが通例である（例えば、下記特許文献を参照）。

特開２０２１－０１２８８６号公報

ラインビームのＹ軸方向に沿った長さは有限である。そのライン長さが被処理物の全幅に比して小さい場合、一度の走査では被処理物上の限られた一部分、即ちＹ軸方向の幅寸がライン長さと同程度の帯状の一領域にしかレーザを照射できない。被処理物の広範囲に万遍なくレーザを照射するためには、ラインビームをＹ軸方向にずらしながら都度Ｘ軸方向に走査するという手順を反復する必要がある。

ラインビームのプロファイルは、Ｙ軸方向に沿った一端から他端まで光強度が均一となっていることが理想である。だが、現実には、図９に例示するように、光強度は完全に均一とはならず、しかも一端側Ｌの光強度と他端側Ｒの光強度とが非対称になることも少なくない。

被処理物の広範囲にレーザを照射する処理を実行する際には、被処理物上のある帯状領域をラインビームにより走査した後、これと隣接する他の帯状領域をラインビームにより走査することになる。このとき、前者の領域における後者の領域に接する境界部には、ラインビームの一端側が当たる。そして、後者の領域における前者の領域に接する境界部には、ラインビームの他端側が当たる。

その帰結として、前者の境界部の処理または加工の状態と、後者の境界部の処理または加工の状態との間に差が生じ、図１０に示すように、人の肉眼で視認できるような境界線、継目Ｊが現れることがある。それにより、処理または加工の精度、品質に何らの問題がないにもかかわらず、レーザ処理装置の性能に疑義を与える懸念があった。

以上の問題に初めて着目してなされた本発明は、被処理物上の複数の帯状領域をラインビームにより走査するレーザ処理を実行するにあたり、隣接する領域間にはっきりとした継目が現れることを回避しようとするものである。

上述した課題を解決するべく、本発明では、レーザ光をＹ軸方向に沿って拡張したラインビームを、被処理物に対して相対的にＹ軸と交差するＸ軸方向に沿って移動させる走査を行い、レーザ光を被処理物上の帯状領域に照射するレーザ処理装置であって、前記被処理物を支持するとともにこれをＸ軸方向に沿って移送するステージと、前記ステージに支持させる被処理物をＺ軸回りに回転させる回転機構とを具備し、前記ステージの前記Ｘ軸方向に沿った前記被処理物の移送によって、前記被処理物上のＹ軸方向に並ぶ第一の帯状領域、第二の帯状領域及び第三の帯状領域のうち、互いに隣接せず間に他の一つの第二の帯状領域を挟んでいる第一の帯状領域と第三の帯状領域とを先に前記ラインビームで走査し、前記回転機構によって前記被処理物の向きを前記ラインビームに対して相対的にＸ軸及びＹ軸と交差するＺ軸回りに１８０°に反転させ、その状態で、前記ステージの前記Ｘ軸方向に沿った前記被処理物の移送によって、前記第一の帯状領域と前記第三の帯状領域とに挟まれた前記第二の帯状領域を前記ラインビームで走査することで、前記第一の帯状領域と前記第二の帯状領域との領域の境界部にも、前記第二の帯状領域と前記第三の帯状領域の領域の境界部にも、前記ラインビームの同じ側の端部が当たるようにするレーザ処理装置を構成した。

本レーザ処理装置は、例えば、基板上に何らかの膜または層を設けた被処理物に前記ラインビームを照射することを通じてその膜または層を基板から剥離させる処理を実施するために用いられる。

前記被処理物に照射するラインビームを生成する光学系は、例えば、レーザ光源から供給されるレーザ光を拡張しＹ軸方向に沿ったライン長さを調整するためのレンズと、レーザ光のＸ軸方向に沿ったビーム幅を調整するためのレンズと、レーザ光のＹ軸方向に沿った光強度を均一化するためのレンズと、レーザ光のＸ軸方向に沿ったビーム幅を縮小するための集光レンズとを含む。

本発明に係るレーザ処理方法は、レーザ光をＹ軸方向に沿って拡張したラインビームを、被処理物に対して相対的にＹ軸と交差するＸ軸方向に沿って移動させる走査を行い、レーザ光を被処理物上の帯状領域に照射するレーザ処理方法であって、前記被処理物と前記ラインビームとを前記Ｘ軸方向に相対移動させ、前記被処理物上のＹ軸方向に並ぶ第一の帯状領域、第二の帯状領域及び第三の帯状領域のうち、互いに隣接せず間に他の一つの第二の帯状領域を挟んでいる第一の帯状領域と第三の帯状領域とを先に前記ラインビームで走査してレーザ処理し、前記被処理物の向きを前記ラインビームに対して相対的にＸ軸及びＹ軸と交差するＺ軸回りに１８０°に反転させた上、前記被処理物と前記ラインビームとをＸ軸方向に相対移動させ、前記第一の帯状領域と前記第三の帯状領域とに挟まれた未処理の前記第二の帯状領域を前記ラインビームで走査してレーザ処理を行うことにより、前記第一の帯状領域と前記第二の帯状領域との領域の境界部にも、前記第二の帯状領域と前記第三の帯状領域の領域の境界部にも、前記ラインビームの同じ側の端部が当たるようにすることを特徴とする。

本発明によれば、被処理物上の複数の帯状領域をラインビームにより走査するレーザ処理を実行するにあたり、隣接する領域間にはっきりとした継目が現れることを有効に回避できる。

本発明の一実施形態のレーザ処理装置の全体概要を示す斜視図。 同実施形態のレーザ処理装置のラインビームを生成する光学系の構成を模式的に示す図。 同実施形態のレーザ処理装置によるレーザ処理の対象となる被処理物を模式的に示す断面図。 同実施形態のレーザ処理装置によるレーザ処理の模様を説明する図。 同実施形態のレーザ処理装置によるレーザ処理の模様を説明する図。 同実施形態のレーザ処理装置によるレーザ処理の模様を説明する図。 同実施形態のレーザ処理装置によるレーザ処理の模様を説明する図。 同実施形態のレーザ処理装置によるレーザ処理の模様を説明する図。 同実施形態のレーザ処理装置が生成するラインビームのビームプロファイルを示す図。 従来のレーザ処理装置によるレーザ処理の模様を説明する図。

本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。本実施形態のレーザ処理装置は、レーザ光をＹ軸方向に拡張したラインビームＢを生成し、そのラインビームＢを被処理物Ｗに対しＹ軸と直交するＸ軸方向に沿って相対移動させる走査を行うことで、被処理物Ｗの広範囲にレーザ光Ｂを照射する処理を遂行するものである。図１に示すように、本実施形態のレーザ処理装置は、被処理物Ｗを支持する支持体１と、その支持体１を支持しながらこれを移送するステージ２と、支持体１とステージ２との間に介在する回転機構３と、支持体１に支持させた被処理物Ｗに向けてラインビームＢを照射する照射ユニット４とを具備する。

ステージ２は、例えば既知のＸＹＺステージである。ＸＹＺステージ２は、被処理物Ｗを支持する支持体１を、ラインビームＢの短軸であるＸ軸方向、ラインビームＢの長軸であるＹ軸方向、並びにＸ軸及びＹ軸と直交するＺ軸方向の三次元方向に移動させることができる。ラインビームＢの光軸Ａ、換言すれば照射ユニット４のノズル４７から出射して被処理物Ｗに向かうレーザ光が指向する方向は、Ｚ軸と平行であってもよく、Ｚ軸に対して傾斜していてもよいが、ＸＹ平面に対しては常に一定の角度で交わる。

回転機構３は、支持体１をステージ２に対して相対的にＺ軸と平行な回転軸回りに回転させることを可能とする。回転機構３は、例えばＮＣ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ｃｏｎｔｒｏｌ）円テーブル、ロータリアクチュエータ、ＤＤ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｄｒｉｖｅ）モータ等を用いて構成できる。尤も、支持体１をステージ２に対し手動で回転させ得るように軸支させた機構としても構わない。

図２に、照射ユニット４が包含する光学系の構成を示す。この光学系は、レーザ光源となる発振器４１から供給されるレーザ光をＹ軸方向に拡張するためのＹ軸ビームエキスパンダ４２と、Ｙ軸ビームエキスパンダ４２を通過したレーザ光をＸ軸方向に拡張するためのＸ軸ビームエキスパンダ４３と、Ｘ軸ビームエキスパンダ４３を通過したレーザ光のＹ軸方向に沿った光強度を均一化するためのアレイレンズ４４及び照明レンズ４５と、アレイレンズ４４及び照明レンズ４５を通過したレーザ光を集光するための集光レンズ４６とを有している。

Ｙ軸ビームエキスパンダ４２は、一枚または複数枚のシリンドリカルレンズを用いてなり、照射ユニット４のノズル４７から出射するラインビームＢのＹ軸方向に沿ったライン長さを調整する働きをする。Ｘ軸ビームエキスパンダ４３もまた、一枚または複数枚のシリンドリカルレンズを用いてなり、照射ユニット４のノズル４７から出射するラインビームＢのＸ軸方向に沿ったビーム幅を調整する働きをする。なお、ビームエキスパンダ４２、４３の要素として、シリンドリカルレンズに代えて、またはシリンドリカルレンズとともに、ロッドレンズ、ロッドインテグレータ、フライアイレンズ、パウエルレンズ等を用いることもできる。アレイレンズ４４は、多数の小形のシリンドリカルレンズを集積したものである。

集光レンズ４６は、一枚または複数枚のトロイダルレンズ（トーリックレンズ）を用いてなり、照射ユニット４のノズル４７から出射するラインビームＢのＸ軸方向に沿ったビーム幅を縮小する。図示例のものでは、そのうちのより照明レンズ４５に近い上流側に位置する集光第一レンズ４６１が、レーザ光の伝搬する光路に沿って変位可能となっており、これにより集光レンズ４６のＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を可変調整することができる。

本実施形態のレーザ処理装置は、基板Ｗ１上にデバイス膜Ｗ２が製膜された被処理物ＷにレーザＢを照射し、そのデバイス膜Ｗ２を基板Ｗ１から剥離するＬＬＯ処理を実行する用途に使用される。ＬＬＯは、近時普及しつつあるＯＥＬまたはＯＬＥＤディスプレイ等の製造工程で実施される。図３に、対象となる被処理物Ｗの構造を示す。基板Ｗ１は、例えばガラス基板やサファイア基板であり、その厚さは数ｍｍ程度である。デバイス膜Ｗ２は、例えば基板Ｗ１上のポリイミド膜Ｗ２１に重ねて薄膜トランジスタやＬＥＤ等の素子Ｗ２２を配したものである。ポリイミド膜Ｗ２１の厚さは、数十μｍないし数百μｍである。

被処理物Ｗの基板Ｗ１側からレーザ（特に、紫外線レーザ）Ｂを照射すると、基板Ｗ１を透過したレーザがポリイミド膜Ｗ２１の基板Ｗ１に密接する表面に吸収され、ポリイミド膜Ｗ２１中の分子または原子間の結合が切断される。そうして、ポリイミド膜Ｗ２１の表面が分解、気化または蒸散を経て除去される結果、デバイス膜Ｗ２を基板Ｗ１から綺麗に剥離させることができるようになる。このようなＬＬＯの手法は、デバイス膜Ｗ２に熱ダメージを与えない。

ＬＬＯ処理では、Ｙ軸方向に拡張したラインビームＢを、被処理物Ｗに対し相対的にＸ軸方向に移動させる走査を行う。本実施形態では、ステージ２を駆動して被処理物Ｗを支持する支持体１をＸ軸方向に移送しながら、照射ユニット４のノズル４７から被処理物Ｗに向けてラインビームＢを照射する。

ラインビームＢのＹ軸方向に沿った長さは有限である。そのライン長さが被処理物Ｗの全幅に比して小さい場合、一度の走査では被処理物Ｗ上の限られた一部分、即ちＹ軸方向の幅寸がライン長さと同程度でありＸ軸方向に延伸した帯状の一領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３にしかレーザＢを照射することができない。被処理物Ｗの広範囲に万遍なくレーザＢを照射するためには、ノズル４７の直下にある領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を走査した後、ステージ２を駆動して支持体１をＹ軸方向に変位させ、それにより被処理物Ｗ上のラインビームＢが照射される位置をＹ軸方向に沿ってずらし、しかる後別の領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３に対して再度の走査を行うという手順を繰り返す。

被処理物Ｗに照射するラインビームＢのプロファイルは、Ｙ軸方向に沿った一端から他端まで光強度が均一となっていることが理想である。だが、現実には、図９に示すように、光強度が完全に均一とはならず、ラインビームＢの一端側Ｌと他端側Ｒとで強度が不等であったり、ラインビームＢの一端側ＬにおけるＹ軸方向に沿った強度の変化量（傾き）と他端側Ｒにおけるそれとが非対称であったりする。

ラインビームＢの一端側Ｌと他端側Ｒとで光強度が相異するのは、レーザ発振器４１自体のモードや個体差もあるが、光学系を構成するレンズ４２、４３、４４、４５、４６に代表される光学部品の数が多く、それらの精度のばらつきや光軸調整のずれ等にも起因していると考えられる。

被処理物Ｗ上の複数の帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３に対して、単純にラインビームＢによる走査を行うと、各帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の一方の側縁には必ずラインビームＢの一端側Ｌが当たり、他方の側縁には必ずラインビームＢの他端側Ｒが当たることになる。その帰結として、ラインビームＢの一端側Ｌと他端側Ｒとの光強度の差から、隣り合う二つの帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の互いに接する境界部の処理または加工の状態に段差が生じ、図１０に示すように、隣り合う二つの帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の間に人の肉眼で視認できるような境界線、継目Ｊが現れることが起こり得る。

この事象を回避するべく、本実施形態のレーザ処理装置によるレーザ処理では、図４に示すように、被処理物Ｗ上のＹ軸方向に並ぶ複数の帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３のうち、互いに隣接せず間に他の一つの帯状領域Ｐ２を挟んでいる帯状領域Ｐ１、Ｐ３を、先にラインビームＢで走査する。いわば、Ｙ軸方向に並ぶ帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を一つ置きにレーザ処理する。これら帯状領域Ｐ１、Ｐ３をレーザ処理するときの被処理物Ｗの向きは一定とする、即ち被処理物ＷをＺ軸回りに１８０°反転させない。

それから、図５に示すように、回転機構３を介して支持体１を回転させることで、これに支持させた被処理物Ｗの向きをＺ軸回りに１８０°反転させる。その状態で、未だレーザ処理していない帯状領域Ｐ２、つまりは既にレーザ処理した帯状領域Ｐ１、Ｐ３に挟まれた帯状領域Ｐ２を、ラインビームＢで走査してレーザ処理する。

上記の手順によれば、隣り合う二つの帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の互いに接する境界部に、ラインビームＢの同じ側の端部が照射されることになる。図５に示す例に則して述べると、帯状領域Ｐ１、Ｐ３の図中右方の側縁、及びこれに隣接する帯状領域Ｐ２の図中左方の側縁には、ともにラインビームＢの一端側の端部Ｌが当たる。並びに、帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の図中左方の側縁、及びこれに隣接する帯状領域Ｐ２の図中右方の側縁には、ともにラインビームＢの他端側の端部Ｒが当たる。従って、隣り合う二つの帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の互いに接する境界部の処理または加工の状態に段差が生じず、隣り合う二つの帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の間に人の肉眼で視認できるような境界線、継目Ｊが現れない。

あるいは、図６に示すように、被処理物Ｗ上の一つの帯状領域Ｐ１をラインビームＢで走査する。次いで、図７に示すように、被処理物Ｗの向きをＺ軸回りに１８０°反転させ、その状態で直近に処理した帯状領域Ｐ１に隣接する帯状領域Ｐ２をラインビームＢで走査する。さらに、図８に示すように、被処理物Ｗの向きを元に戻すようにＺ軸回りに１８０°反転させ、その状態で直近に処理した帯状領域Ｐ２に隣接する帯状領域Ｐ３をラインビームＢで走査する、というように、帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を一つずつ、都度被処理物Ｗを１８０°回転させながら順次レーザ処理するようにしても、同様の処理結果を得ることができる。

複数の帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を順次ラインビームＢにより走査するときには、帯状領域Ｐ１、Ｐ３に対して照射するラインビームＢのＹ軸方向の位置決め（ノズル４７に対する被処理物ＷのＹ軸方向の位置決め）や、当該領域Ｐ１、Ｐ２に隣接する帯状領域Ｐ２に対して照射するラインビームＢのＹ軸方向の位置決めを行う。これは、隣り合う領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の境界部に照射するレーザビームＢのエネルギ強度を合わせる微細な調整を実現する意図である。

本実施形態では、レーザ光をＹ軸方向に沿って拡張したラインビームＢを、被処理物Ｗに対して相対的にＹ軸と交差するＸ軸方向に沿って移動させる走査を行い、レーザ光Ｂを被処理物Ｗ上の帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３に照射するレーザ処理装置であって、被処理物Ｗ上のある帯状領域Ｐ１、Ｐ３に照射後これに隣接する他の帯状領域Ｐ２に照射する際、被処理物ＷをラインビームＢに対して相対的にＸ軸及びＹ軸と交差するＺ軸回りに１８０°回転させた上、ラインビームＢにより他の帯状領域Ｐ２を走査することで、前者の領域Ｐ１、Ｐ３における後者の領域Ｐ２に接する境界部にも、後者の領域Ｐ２における前者の領域Ｐ１、Ｐ３に接する境界部にも、ラインビームＢの同じ側の端部が当たるようにするレーザ処理装置を構成した。本実施形態によれば、被処理物Ｗ上の複数の帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３をラインビームＢにより走査するレーザ処理を実行するにあたり、隣接する領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３間にはっきりとした継目Ｊが現れることを有効に回避できる。

なお、本発明は以上に詳述した実施形態に限られるものではない。例えば、上記実施形態では、ステージ２が支持体１及び被処理物Ｗを移動させることで、ノズル４７から出射するラインビームＢによる帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の走査を実現していた。が、ノズル４７自体を（特に、Ｘ軸方向に沿って）駆動可能とし、ノズル４７を移動させることでラインビームＢにより帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を走査する態様をとることもできる。

また、支持体１及び被処理物ＷをＺ軸回りに１８０°回転させることに代えて、ノズル４７自体をＺ軸回りに１８０°回転させて、複数の帯状領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を順次走査することも考えられる。

本発明に係るレーザ処理装置の用途は、ＬＬＯ処理に限定されない。本発明に係るレーザ処理装置を、アニーリングやクリーニング等の処理に使用することも当然に可能である。

その他、各部の具体的な構成や処理の手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能である。

本発明は、被処理物にレーザ光を照射して所望の処理を施すレーザ処理装置及び方法に適用できる。

２…ステージ
３…回転機構
４…光学系（照射ユニット）
４２…Ｙ軸方向に沿ったライン長さを調整するためのレンズ（Ｙ軸ビームエキスパンダ）
４３…Ｘ軸方向に沿ったビーム幅を調整するためのレンズ（Ｘ軸ビームエキスパンダ）
４４、４５…Ｙ軸方向に沿った光強度を均一化するためのレンズ（アレイレンズ、照明レンズ）
４６…Ｘ軸方向に沿ったビーム幅を縮小するための集光レンズ
Ｂ…ラインビーム
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３…被処理物上の帯状領域
Ｗ…被処理物
Ｗ１…基板
Ｗ２…デバイス膜

Claims (4)

1. レーザ光をＹ軸方向に沿って拡張したラインビームを、被処理物に対して相対的にＹ軸と交差するＸ軸方向に沿って移動させる走査を行い、レーザ光を被処理物上の帯状領域に照射するレーザ処理装置であって、
   前記被処理物を支持するとともにこれをＸ軸方向に沿って移送するステージと、前記ステージに支持させる被処理物をＺ軸回りに回転させる回転機構とを具備し、
   前記ステージの前記Ｘ軸方向に沿った前記被処理物の移送によって、前記被処理物上のＹ軸方向に並ぶ第一の帯状領域、第二の帯状領域及び第三の帯状領域のうち、互いに隣接せず間に他の一つの第二の帯状領域を挟んでいる第一の帯状領域と第三の帯状領域とを先に前記ラインビームで走査し、
   前記回転機構によって前記被処理物の向きを前記ラインビームに対して相対的にＸ軸及びＹ軸と交差するＺ軸回りに１８０°に反転させ、その状態で、前記ステージの前記Ｘ軸方向に沿った前記被処理物の移送によって、前記第一の帯状領域と前記第三の帯状領域とに挟まれた前記第二の帯状領域を前記ラインビームで走査することで、
   前記第一の帯状領域と前記第二の帯状領域との領域の境界部にも、前記第二の帯状領域と前記第三の帯状領域の領域の境界部にも、前記ラインビームの同じ側の端部が当たるようにするレーザ処理装置。
2. 前記被処理物は、基板上に何らかの膜または層を設けたものであり、
   その被処理物に前記ラインビームを照射することを通じて膜または層を基板から剥離させる処理を実施する請求項１記載のレーザ処理装置。
3. 前記被処理物に照射するラインビームを生成する光学系が、
   レーザ光源から供給されるレーザ光を拡張しＹ軸方向に沿ったライン長さを調整するためのレンズと、
   レーザ光のＸ軸方向に沿ったビーム幅を調整するためのレンズと、
   レーザ光のＹ軸方向に沿った光強度を均一化するためのレンズと、
   レーザ光のＸ軸方向に沿ったビーム幅を縮小するための集光レンズとを含んでいる請求項１または２記載のレーザ処理装置。
4. レーザ光をＹ軸方向に沿って拡張したラインビームを、被処理物に対して相対的にＹ軸と交差するＸ軸方向に沿って移動させる走査を行い、レーザ光を被処理物上の帯状領域に照射するレーザ処理方法であって、
   前記被処理物と前記ラインビームとを前記Ｘ軸方向に相対移動させ、前記被処理物上のＹ軸方向に並ぶ第一の帯状領域、第二の帯状領域及び第三の帯状領域のうち、互いに隣接せず間に他の一つの第二の帯状領域を挟んでいる第一の帯状領域と第三の帯状領域とを先に前記ラインビームで走査してレーザ処理し、
   前記被処理物の向きを前記ラインビームに対して相対的にＸ軸及びＹ軸と交差するＺ軸回りに１８０°に反転させた上、前記被処理物と前記ラインビームとをＸ軸方向に相対移動させ、前記第一の帯状領域と前記第三の帯状領域とに挟まれた未処理の前記第二の帯状領域を前記ラインビームで走査してレーザ処理を行うことにより、
   前記第一の帯状領域と前記第二の帯状領域との領域の境界部にも、前記第二の帯状領域と前記第三の帯状領域の領域の境界部にも、前記ラインビームの同じ側の端部が当たるようにするレーザ処理方法。