JP7650842B2 - 金属配線の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、金属配線の製造方法に関する。

回路基板は、基板上に導電性の配線を施した構造を有する。回路基板の製造方法は、一般的に、次の通りである。まず、金属箔を貼り合せた基板上にフォトレジストを塗布する。次に、フォトレジストを露光及び現像して所望の回路パターンのネガ状の形状を得る。次に、フォトレジストに被覆されていない部分の金属箔をケミカルエッチングにより除去してパターンを形成する。これにより、高性能の導電性基板を製造できる。

しかしながら、従来の方法は、工程数が多く、煩雑であると共に、フォトレジスト材料を要する等の欠点がある。

これに対し、金属粒子及び金属酸化物粒子からなる群から選択された粒子を分散させた分散体（以下、「ペースト材料」ともいう）で基板上に所望の配線パターンを直接印刷する直接配線印刷技術が注目されている。この技術は、工程数が少なく、フォトレジスト材料を用いる必要がない等、極めて生産性が高い。

直接印刷配線技術の一例としては、ペースト材料を基板の全面に塗布して塗膜を形成した後、当該塗膜にレーザ光をパターン状に照射して選択的に熱焼成することで、所望の配線パターンを得る方法が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。

特許文献２には、波長８３０ｎｍのＧａＡｌＡｓレーザ光を照射して描画を行ったとき、酸化銅薄膜上でのビーム径は５μｍであり、レーザ光被照射部は局部加熱されたことにより酸化銅が還元され、ほぼ５μｍ径の還元銅領域が形成されたことが記載されている。

国際公開第２０１０／０２４３８５号 特開平５－３７１２６号公報

上述のようにレーザ光照射により描画を行って配線を形成する場合、光が照射されなかった領域には塗膜が残存する。この残存した塗膜は、配線形成後のめっき操作において、目的の配線パターン外への金属の成長、マイグレーションによる短絡等の問題を招来する。そのため、レーザ光照射後には、現像操作により、残存した塗膜を十分に除去する必要がある。

現像時に現像液中で超音波を照射するなど、物理的な力を加えると、残存した塗膜を除去する効果は高まる。しかし一方で、このような物理的な力は、金属配線にダメージを与え、金属配線の断線又は抵抗値増大等の問題を招来する。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、現像工程において、金属配線間に残存している塗膜を十分除去しつつ現像前後での金属配線の抵抗値変化を小さくでき、これにより高品質の（より具体的には低抵抗でかつ抵抗値の部位間ばらつきが少ない）金属配線を製造することが可能な、金属配線の製造方法を提供することを目的とする。更に、本発明の特定の態様は、金属配線間に残存している塗膜を除去及び再利用することで資源を有効活用することを目的とする。

本開示は、以下の態様を包含する。
［１］ 基材の表面上に、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含む分散体を塗布して分散体層を形成する塗布工程と、
前記分散体層を乾燥させて前記基材と前記基材上に配置された乾燥塗膜とを有する乾燥塗膜付構造体を形成する乾燥工程と、
前記乾燥塗膜にレーザ光を照射して金属配線を形成するレーザ光照射工程と、
前記乾燥塗膜の前記金属配線以外の領域を現像液で現像除去する現像工程と、を備え、
前記現像工程が、
（１）第１の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第１の現像処理、及び
（２）第２の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第２の現像処理、
を含み、
前記第１の現像液及び前記第２の現像液のそれぞれが、水及び／又は有機溶媒を含む、金属配線の製造方法。
［２］ 前記第１の現像液が、水及び／又はアルコール系溶媒を含み、
前記第２の現像液が、有機溶媒を含む、上記項目１に記載の金属配線の製造方法。
［３］ 前記第１の現像液及び／又は前記第２の現像液がアルコール系溶媒を含む、上記項目１又は２に記載の金属配線の製造方法。
［４］ 前記第１の現像液及び／又は前記第２の現像液がアミン系溶媒を含む、上記項目１～３のいずれかに記載の金属配線の製造方法。
［５］ 前記アミン系溶媒が、ジエチレントリアミン及び／又は２－アミノエタノールを含む、上記項目４に記載の金属配線の製造方法。
［６］ 前記第１の現像液及び／又は前記第２の現像液が、０．１質量％以上２０質量％以下の分散剤（Ａ）を含む、上記項目１～５のいずれかに記載の金属配線の製造方法。
［７］ 前記分散剤（Ａ）がリン含有有機化合物である、上記項目６に記載の金属配線の製造方法。
［８］ 前記分散体が分散剤（Ｂ）を含み、前記分散剤（Ａ）と前記分散剤（Ｂ）との主成分が同種である、上記項目６又は７に記載の金属配線の製造方法。
［９］ 前記第１の現像液の表面自由エネルギーと前記分散体の表面自由エネルギーとの差が、０ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下である、上記項目１～８のいずれかに記載の金属配線の製造方法。
［１０］ 前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度が、前記第１の現像液に対する前記粒子成分の溶解度よりも高い、上記項目１～９のいずれかに記載の金属配線の製造方法。
［１１］ 前記粒子成分が、銅粒子及び／又は酸化銅粒子である、上記項目１～１０のいずれかに記載の金属配線の製造方法。
［１２］ 前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度の値が０．１ｍｇ／Ｌ以上１００００ｍｇ／Ｌ以下である、上記項目１１に記載の金属配線の製造方法。
［１３］ 前記現像工程の後に、使用済現像液を回収する工程を含む、上記項目１～１２のいずれかに記載の金属配線の製造方法。
［１４］ 前記分散体が、前記現像工程の後に回収した使用済現像液を含む液から調製される、上記項目１～１３のいずれかに記載の金属配線の製造方法。
［１５］ 乾燥塗膜付構造体と現像液とを含むキットであって、
前記乾燥塗膜付構造体が、基材と、前記基材の表面上に配置された、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含む乾燥塗膜とを有し、
前記現像液が、第１の現像液及び第２の現像液を含み、
前記第１の現像液及び前記第２の現像液のそれぞれが、水及び／又は有機溶媒を含む、キット。
［１６］ 前記有機溶媒が、アルコール系溶媒である、上記項目１５に記載のキット。
［１７］ 前記第１の現像液及び／又は前記第２の現像液が、０．１質量％以上２０質量％以下の分散剤（Ａ）を含む、上記項目１５又は１６に記載のキット。
［１８］ 前記乾燥塗膜が分散剤（Ｂ）を含み、前記分散剤（Ａ）と前記分散剤（Ｂ）との主成分が同種である、上記項目１７に記載のキット。
［１９］ 基材の表面上に、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含む分散体を塗布して分散体層を形成する塗布機構と、
前記分散体層を乾燥させて前記基材と前記基材上に配置された乾燥塗膜とを有する乾燥塗膜付構造体を形成する乾燥機構と、
前記乾燥塗膜にレーザ光を照射して金属配線を形成するレーザ光照射機構と、
前記乾燥塗膜の前記金属配線以外の領域を現像液で現像除去する現像機構と、
を備える金属配線製造システムであって、
前記現像機構が、
（１）第１の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第１の現像部、及び
（２）第２の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第２の現像部、
を有し、
前記第１の現像液及び前記第２の現像液のそれぞれが、水及び／又は有機溶媒を含む、金属配線製造システム。
［２０］ 前記有機溶媒が、アルコール系溶媒である、上記項目１９に記載の金属配線製造システム。
［２１］ 前記第１の現像液及び／又は前記第２の現像液が、０．１質量％以上２０質量％以下の分散剤（Ａ）を含む、上記項目１９又は２０に記載の金属配線製造システム。

本発明の一態様によれば、現像工程において、金属配線間に残存している塗膜を十分除去しつつ現像前後での金属配線の抵抗値変化を小さくでき、これにより高品質の（より具体的には低抵抗でかつ抵抗値の部位間ばらつきが少ない）金属配線を製造することが可能な、金属配線の製造方法を提供できる。更に、本発明の特定の態様によれば、金属配線間に残存している塗膜を除去及び再利用することで資源を有効活用できる。

本実施形態に係る金属配線の製造方法の一例を示す説明図である。 本実施形態に係る金属配線の製造方法におけるレーザ光の重複照射について説明する模式図である。 本実施形態に係る金属配線の製造方法の現像工程において導電部付構造体を保持する治具の一例を示す模式図である。 本実施形態に係る金属配線の製造方法の現像工程において導電部付構造体を保持する治具の一例を示す模式図である。 本実施形態に係る金属配線の製造方法の現像工程において導電部付構造体を保持する治具の一例を示す模式図である。 本実施形態に係る金属配線の製造方法において、使用済現像液を再利用する例を示す説明図である。 本実施形態に係る金属配線の製造方法において、使用済現像液を再利用する場合の工程フローの例を示す説明図である。 本実施形態に係る金属配線製造システムの一例を示す説明図である。

以下、本発明の一実施の形態（以下、「本実施形態」と略記する。）について、詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態に何ら限定されない。

＜金属配線の製造方法＞
本発明の一態様は、
基材の表面上に、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分（本開示で、単に粒子成分ということもある。）を含む分散体を塗布して分散体層を形成する塗布工程と、
分散体層を乾燥させて基材と当該基材上に配置された乾燥塗膜とを有する乾燥塗膜付構造体を形成する乾燥工程と、
乾燥塗膜にレーザ光を照射して金属配線を形成するレーザ光照射工程と、
乾燥塗膜の金属配線以外の領域を現像液で現像除去する現像工程と、を備える金属配線の製造方法を提供する。
一態様においては、現像工程が、
（１）第１の現像液によって乾燥塗膜を現像する第１の現像処理、及び
（２）第２の現像液によって乾燥塗膜を現像する第２の現像処理、
を含む。第１の現像液及び第２の現像液は、一態様において水及び／又は有機溶媒を含む。

本発明者らは、基材上に配置された乾燥塗膜のうちレーザ光が照射された領域（以下、露光部ということもある。）を金属配線として形成するとともに当該乾燥塗膜のレーザ光が照射されなかった領域（以下、未露光部ということもある。）を現像液で現像除去する際に、未露光部が現像液によって十分に除去されない場合があること、及び金属配線が現像によって損傷又は剥離する場合があることに着目した。本発明者らは、これら問題を回避する手段を種々検討した結果、特定組成の第１及び第２の現像液を併用することで、未露光部の良好な現像除去と、低抵抗でかつ抵抗値の部位間ばらつきが少ない金属配線の形成とを両立できることを見出した。

［現像液の組成］
本実施形態の方法では、現像液として、水及び／又は有機溶媒を含む第１の現像液及び水及び／又は有機溶媒を含む第２の現像液の２つを少なくとも用いる。現像性向上の観点から、現像液は好ましくは分散剤（本開示の分散剤（Ａ））を含む。分散剤は、基材に付着した金属粒子及び／又は金属酸化物粒子を効率よく現像液中に分散させる（すなわち効率よく除去する）ことができる。分散剤は、第１の現像液と第２の現像液との一方又は両方に含まれてよいが、先行する現像処理で用いる現像液（一態様において、第１の現像処理、第２の現像処理の順で現像を行う際の第１の現像液）のみに含まれる場合、１回で粒子の回収を効率よく実施できるため、リサイクル性の観点から有利である。

分散剤としては、本開示の分散体に含まれる分散剤と主成分が同種であるものを用いることが好ましい。本開示で、分散剤の主成分とは、分散体中又は現像液中に分散剤として存在する成分のうち最も多量に存在する成分である。分散体中の分散剤の主成分と現像液中の分散剤の主成分とが同種であることで、現像性が向上する。更にその現像液を回収し、分散体として再利用することもできる。本開示の分散体が含み得る分散剤として、［分散体及び乾燥塗膜の組成］の項で後述するものが好ましい。例えばリン含有有機化合物を用いると、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子（特に酸化銅粒子）が現像液中に良好に分散するため、現像が容易である。したがって一態様において、現像液中の分散剤の好適化合物例は、［分散体及び乾燥塗膜の組成］の項で後述する分散剤の好適化合物例と同様である。

現像液中の分散剤の含有率は、基材に付着した金属粒子及び／又は金属酸化物粒子を効率よく現像液中に分散させる（すなわち効率よく除去する）ことができる点で、好ましくは０．１質量％以上、又は０．５質量％以上、又は１．０質量％以上であり、分散剤による金属配線の溶解を抑制できる点、高粘度の分散剤を使用しても現像に適した低粘度の現像液を形成できる点、及び、基材及び金属配線への余分な分散剤の付着を防ぎ、現像後の水洗工程を簡易化できる点で、好ましくは、２０質量％以下、又は１５質量％以下、又は１０質量％以下である。

第１の現像液及び第２の現像液は、水及び／又は有機溶媒を含む。有機溶媒は、金属又は金属酸化物を溶解し除去することが可能であるため、配線間への金属残りを防ぐことができ、仕上げの現像に適している。有機溶媒としては、アミン系溶媒、アルコール系溶媒、炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒等が好適であり、これらを１種又は２種以上で用いてよい。

アミン系溶媒としては、アミン（１級アミン、２級アミン及び３級アミン）、アルカノールアミン、アミド等を例示でき、より具体的には、ジエチレントリアミン、２－アミノエタノール、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプラパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ－メチルエタノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等を例示できる。

アルコール系溶媒としては、１価又は多価のアルコール、並びに当該アルコールのエーテル及びエステル等を例示できる。上記アルコールは好ましくはグリコールである。アルコール系溶媒のより具体的な例としては：
メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ｉ－ブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔ－ブタノール、ｎ－ペンタノール、ｉ－ペンタノール、ｓｅｃ－ペンタノール、ｔ－ペンタノール、２－メチルブタノール、２－エチルブタノール、３－メトキシブタノール、ｎ－ヘキサノール、ｓｅｃ－ヘキサノール、２－メチルペンタノール、ｓｅｃ－ヘプタノール、３－ヘプタノール、ｎ－オクタノール、ｓｅｃ－オクタノール、２－エチルヘキサノール、ｎ－ノニルアルコール、２，６－ジメチル－４－ヘプタノール、ｎ－デカノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５－トリメチルシクロヘキサノール、フェノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等の１価アルコール；
エチレングリコール、１，２－プロピレングリコール、１，３－ブチレングリコール、２－ペンタンジオール、２－メチルペンタン－２，４－ジオール、２，５－ヘキサンジオール、２，４－ヘプタンジオール、２－エチルヘキサン－１，３－ジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、トリエチレングリコール、トリ１，２－プロピレングリコール等のグリコール、グリセリン等の３価アルコール、等の多価アルコール；
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールターシャリーブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル；
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエステル；
等が挙げられる。

炭化水素系溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、オクタン、ノナン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン等が挙げられる。

エステル系溶媒としては、３－メトキシ－３－メチル－ブチルアセテート、エトキシエチルプロピオネート、グリセロール酢酸エチル、酢酸ノルマルプロピル、酢酸イソプロピル等が挙げられる。

ケトン系溶媒としては、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジメチルカーボネート等が挙げられる。

有機溶媒は、好ましい一態様においてアルコール系溶媒を含み又はアルコール系溶媒である。水又はアルコール系溶媒は、分散剤が良好に分散できる溶媒であり、当該分散剤と組み合わせることで、基材上の粒子の再分散性がより良好となるため、基材に付着した金属粒子及び／又は金属酸化物粒子の現像液中への分散に適している。アルコール系溶媒としては、粒子の効率良い除去の観点から、炭素数１０以下のアルコールが好ましく、特に、エタノール、ｎ－ブタノール、ｎ－ヘプタノール、及びｎ－オクタノールが好ましい。

好ましい一態様においては、第１の現像液が、水及び／又はアルコール系溶媒を含み、第２の現像液が、有機溶媒を含む。また好ましい一態様においては、第１の現像液及び／又は第２の現像液がアルコール系溶媒を含む。

第１の現像液及び第２の現像液のそれぞれのアルコール系溶媒の含有率は、一態様において、１質量％以上、又は２質量％以上、又は３質量％以上、又は５質量％以上、又は１０質量％以上、又は２０質量％以上、又は３０質量％以上であってよく、一態様において、９９質量％以下、又は９８質量％以下、又は９７質量％以下、又は９５質量％以下であってよい。

第１の現像液及び第２の現像液のそれぞれの水及びアルコール系溶媒の合計含有率は、一態様において、２０質量％以上、又は４０質量％以上、又は５０質量％以上、又は６０質量％以上であってよい。当該合計含有率は、一態様において１００質量％であってよく、或いは、一態様において、９９質量％以下、又は９８質量％以下、又は９７質量％以下であってよい。

有機溶媒は、現像性の観点から、好ましい一態様においてアミン系溶媒を含み又はアミン系溶媒である。好ましい一態様では、第１の現像液及び／又は第２の現像液がアミン系溶媒を含む。特に好ましい一態様においては、第１の現像液による第１の現像処理の後に第２の現像液による第２の現像処理を行う場合において、第２の現像液がアミン系溶媒を含む。アミン系溶媒としては、具体的には、ジエチレントリアミン、２－アミノエタノール、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ－メチルエタノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等が好適である。現像性の観点で、アミン系溶媒は、ジエチレントリアミン及び２－アミノエタノールの少なくとも一方を含むことが特に好ましい。

第１の現像液及び第２の現像液のそれぞれの水の含有率は、一態様において、１質量％以上、又は２質量％以上、又は３質量％以上、又は５質量％以上、又は１０質量％以上、又は２０質量％以上、又は３０質量％以上であってよい。上記含有率は、一態様において１００質量％であってよく、或いは、一態様において、９９質量％以下、又は９８質量％以下、又は９７質量％以下、又は９５質量％以下であってよい。

第１の現像液及び第２の現像液のそれぞれの有機溶媒の含有率は、一態様において、１質量％以上、又は２質量％以上、又は３質量％以上、又は５質量％以上、又は１０質量％以上、又は２０質量％以上、又は３０質量％以上であってよい。上記含有率は、一態様において１００質量％であってよく、或いは、一態様において、９９質量％以下、又は９８質量％以下、又は９７質量％以下、又は９５質量％以下であってよい。この場合、残部として、水及び／又は分散剤を含んでよい。

（溶解度）
一態様において、第２の現像液に対する粒子成分（すなわち分散体に含まれる金属粒子及び／又は金属酸化物粒子）の溶解度は、第１の現像液に対する粒子成分の溶解度よりも高いことが好ましい。上記溶解度は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分析法で測定される金属基準での値である。分散体中に金属粒子及び金属酸化物粒子が金属粒子：金属酸化物粒子＝Ａ：Ｂ（質量比）で存在する場合の上記溶解度は、金属粒子と金属酸化物粒子とのＡ：Ｂ（質量比）混合物の金属基準での溶解度を意味する。溶解度の具体的な評価手順は以下のとおりである。４０ｍｌの現像液に、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分の粉末０．１０ｇを投入し、２５℃の室温で６時間静置する。その後、粉末を含む現像液を０．２μｍのフィルターでろ過し、０．１０ｍｏｌ／Ｌの硝酸で１００倍（質量基準）希釈を行う。得られた希釈液を、ＩＣＰ発光装置（例えばエスアイアイ・ナノテクノロジー社製）を用いて、金属濃度（単位：ｍｇ／Ｌ）を測定する。金属濃度から、粒子成分の金属基準での濃度（単位：ｍｇ／Ｌ）を算出し、粒子成分の溶解度とする。上記のような溶解度によれば、第１の現像液による現像の後、第２の現像液による現像を行うことで、基材に付着した金属粒子及び／又は金属酸化物粒子の良好な現像除去効率が得られる。

特に、第２の現像液に対する粒子成分の溶解度が、第１の現像液に対する粒子成分の溶解度よりも高く、第１の現像液が水及び／又はアルコール系溶媒、並びに分散剤（Ａ）を含み、分散剤（Ａ）が特にリン含有化合物であり、分散体が分散剤（Ｂ）を含み、分散剤（Ａ）と分散剤（Ｂ）との主成分（すなわち、添加剤中、質量基準で最も多量に含まれる成分）が同一であり、且つ、第１の現像液による現像、次いで第２の現像液による現像を行うことが好ましい。この場合、基材に付着した金属粒子及び／又は金属酸化物粒子の現像除去効率が特に良好である。

第１の現像液、第２の現像液及び任意の追加の現像液に対する粒子成分の溶解度の溶解度は、それぞれ、好ましくは、０．１ｍｇ／Ｌ以上、又は１．０ｍｇ／Ｌ以上、又は１０ｍｇ／Ｌ以上、又は１００ｍｇ／Ｌ以上であり、好ましくは、１００００ｍｇ／Ｌ以下、又は５０００ｍｇ／Ｌ以下、又は１０００ｍｇ／Ｌ以下、又は５００ｍｇ／Ｌ以下である。特に、粒子成分が酸化銅粒子である場合、第１の現像液に対する酸化銅の溶解度が０．１ｍｇ／Ｌ以上であることで、酸化銅粒子の溶解性が高いために現像効果が高く、当該溶解度が５０００ｍｇ／Ｌ以下であることで、金属配線へのダメージを特に良好に軽減できる。

一態様においては、第１の現像液に対する粒子成分の溶解度が０．１ｍｇ／Ｌ～１００ｍｇ／Ｌであり、且つ第２の現像液に対する粒子成分の溶解度が１．０ｍｇ／Ｌ～５００ｍｇ／Ｌである。

（表面自由エネルギー）
第１の現像液、第２の現像液及び任意の追加の現像液の各々の表面自由エネルギーは、好ましくは、１０ｍＮ／ｍ以上、又は１５ｍＮ／ｍ以上、又は２０ｍＮ／ｍ以上であり、好ましくは、７５ｍＮ／ｍ以下、又は６０ｍＮ／ｍ以下、又は５０ｍＮ／ｍ以下である。本開示で、表面自由エネルギーは、接触角計を用いたペンダントドロップ法で測定される値である。

第１の現像液、第２の現像液及び任意の追加の現像液の各々の表面自由エネルギーと分散体の表面自由エネルギーとの差は、現像液と乾燥塗膜との親和性を良好にして現像除去効果を高める観点から、好ましくは、５０ｍＮ／ｍ以下、又は２５ｍＮ／ｍ以下、又は１０ｍＮ／ｍ以下である。上記差は、最も好ましくは０ｍＮ／ｍであるが、現像液及び分散体の製造容易性の観点から、例えば、１ｍＮ／ｍ以上、又は５ｍＮ／ｍ以上であってもよい。

［分散体及び乾燥塗膜の組成］
本開示の、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含む乾燥塗膜は、一態様において、粒子成分と、分散媒と、任意に分散剤及び／又は還元剤とを含む分散体を基材上に塗布、次いで乾燥することによって形成される。したがって、一態様において、乾燥塗膜中の分散媒以外の成分の質量比率は、分散体中の分散媒以外の成分の質量比率と同一と見做してよい。又は、乾燥塗膜中の金属元素の含有量は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）及びＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分析）装置により確認できる。

分散体中及び乾燥塗膜中の分散剤の含有量は、ＴＧ－ＤＴＡ（熱重量示差熱分析）装置を用いて確認できる。

分散体中の還元剤の含有量は、ＧＣ／ＭＳ（ガスクロマトグラフ／質量分析）装置を用いたサロゲート法により確認できる。また、乾燥塗膜中の還元剤の含有量は、乾燥塗膜を分散媒に再分散させた後、ＧＣ／ＭＳ装置を用いたサロゲート法により確認できる。
以下に、還元剤としてヒドラジンを用いた場合の測定例を示す。

（ヒドラジン定量方法）
分散体５０μＬに、ヒドラジン３３μｇ、サロゲート物質（ヒドラジン¹⁵Ｎ₂Ｈ₄）３３μｇ、ベンズアルデヒド１％アセトニトリル溶液１ｍｌを加える。最後にリン酸２０μＬを加え、４時間後、ＧＣ／ＭＳ測定を行う。

同じく、分散体５０μＬに、ヒドラジン６６μｇ、サロゲート物質（ヒドラジン¹⁵Ｎ₂Ｈ₄）３３μｇ、ベンズアルデヒド１％アセトニトリル溶液１ｍｌを加える。最後にリン酸２０μＬを加え、４時間後、ＧＣ／ＭＳ測定を行う。

同じく、分散体５０μＬに、ヒドラジン１３３μｇ、サロゲート物質（ヒドラジン¹⁵Ｎ₂Ｈ₄）３３μｇ、ベンズアルデヒド１％アセトニトリル溶液１ｍｌを加える。最後にリン酸２０μＬを加え、４時間後、ＧＣ／ＭＳ測定を行う。

最後に、分散体５０μＬに、ヒドラジンを加えず、サロゲート物質（ヒドラジン¹⁵Ｎ₂Ｈ₄）３３μｇ、ベンズアルデヒド１％アセトニトリル溶液１ｍｌを加え、最後にリン酸２０μＬを加え、４時間後、ＧＣ／ＭＳ測定を行う。

上記４点のＧＣ／ＭＳ測定からｍ／ｚ＝２０７のクロマトグラムよりヒドラジンのピーク面積値を得る。次に、ｍ／ｚ＝２０９のマスクロマトグラムよりサロゲートのピーク面積値を得る。ｘ軸に、添加したヒドラジンの重量／添加したサロゲート物質の重量、ｙ軸に、ヒドラジンのピーク面積値／サロゲート物質のピーク面積値をとり、サロゲート法による検量線を得る。

検量線から得られたＹ切片の値を、添加したヒドラジンの重量／添加したサロゲート物質の重量で除しヒドラジンの重量を得る。

（（ｉ）金属粒子及び／又は金属酸化物粒子）
金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分に含まれる金属は、アルミニウム、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、インジウム、スズ、アンチモン、イリジウム、白金、金、タリウム、鉛、ビスマス等であり、これらの１種、又は２種以上を含む合金若しくは混合物であってよい。また金属酸化物としては、上記で例示した金属の酸化物が挙げられる。中でも、銀又は銅の金属酸化物粒子は、レーザ光で照射を行った時に還元されやすく、均一な金属配線を形成できるため、好ましい。特に、銅の金属酸化物粒子は、空気中での安定性が比較的高く、更に低コストで入手可能であり、事業上の観点から優位であり、好ましい。酸化銅は、例えば、酸化第一銅及び酸化第二銅を包含する。酸化第一銅は、レーザ光に対する吸光度が高く低温焼結が可能である点、及び低抵抗の焼結物を形成できる点で特に好ましい。酸化第一銅及び酸化第二銅は、これらを単独で用いてもよいし、これらを混合して用いてもよい。

金属酸化物粒子は、一態様において酸化銅粒子を含み又は酸化銅粒子である。酸化銅粒子は、コア／シェル構造を有してよく、コア及びシェルのいずれか一方が酸化第一銅及び／又は酸化第二銅を含んでよい。

金属粒子及び金属酸化物粒子の各々（一態様において酸化銅粒子）の平均二次粒子径は、特に制限されないが、好ましくは、５００ｎｍ以下、又は２００ｎｍ以下、又は１００ｎｍ以下、又は８０ｎｍ以下、又は５０ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下である。当該粒子の平均二次粒子径は、好ましくは、１ｎｍ以上、又は５ｎｍ以上、又は１０ｎｍ以上、又は１５ｎｍ以上である。

平均二次粒子径とは、一次粒子が複数個集まって形成される凝集体（二次粒子）の平均粒子径のことである。この平均二次粒子径が５００ｎｍ以下であると、支持体上に微細な金属配線を形成しやすい傾向があるので好ましい。平均二次粒子径が１ｎｍ以上、特に５ｎｍ以上であれば、分散体の長期保管安定性が向上するため好ましい。当該粒子の平均二次粒子径は、透過型電子顕微鏡又は走査型電子顕微鏡によって測定することができる。

二次粒子を構成する一次粒子の平均一次粒子径は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下、更に好ましくは２０ｎｍ以下である。平均一次粒子径は、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは２ｎｍ以上、更に好ましくは５ｎｍ以上である。

平均一次粒子径が１００ｎｍ以下の場合、後述する焼成温度を低くすることができる傾向にある。このような低温焼成が可能になる理由は、粒子の粒子径が小さいほど、その表面エネルギーが大きくなって、融点が低下するためと考えられる。

また、平均一次粒子径が１ｎｍ以上であれば、良好な分散性を得ることができるため好ましい。基材に配線パターンを形成する場合、下地との密着性や低抵抗化の観点で、好ましくは２ｎｍ以上、又は５ｎｍ以上であり、好ましくは１００ｎｍ以下、又は５０ｎｍ以下である。この傾向は下地が樹脂の時に顕著である。当該粒子の平均一次粒子径は、透過型電子顕微鏡又は走査型電子顕微鏡によって測定することができる。

分散体及び乾燥塗膜は、銅粒子を含んでもよい。すなわち、本開示の分散体及び乾燥塗膜が銅を含んでもよい。

分散体及び乾燥塗膜は、酸化銅粒子と銅粒子とを含んでもよい。この場合、酸化銅粒子に対する銅粒子の質量比率（以下、「銅粒子／酸化銅粒子」と記載する）は、導電性とクラック防止との観点から、好ましくは、１．０以上、又は１．５以上、又は２．０以上であり、好ましくは７．０以下、又は６．０以下、又は５．０以下である。

分散体中の、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分の含有率は、金属粒子及び金属酸化物粒子の合計含有率で、分散体１００質量％に対して、０．５０質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、１．０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、５．０質量％以上５０質量％以下であることが更に好ましい。上記合計含有率が６０質量％以下である場合、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子の凝集を抑制しやすくなる傾向がある。上記合計含有率が０．５０質量％以上である場合、乾燥塗膜をレーザ光照射によって焼成して得られる金属配線（すなわち導電膜）が薄くなりすぎず、導電性が良好である傾向がある。

乾燥塗膜中の、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分の含有率は、金属粒子及び金属酸化物粒子の合計含有率で、乾燥塗膜１００質量％に対して、４０質量％以上であることが好ましく、５５質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることが更に好ましい。また、当該含有率は、９８質量％以下であることが好ましく、９５質量％以下であることがより好ましく、９０質量％以下であることが更に好ましい。

また乾燥塗膜中の、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分の含有率は、金属粒子及び金属酸化物粒子の合計含有率で、乾燥塗膜１００体積％に対して、１０体積％以上であることが好ましく、１５体積％以上であることがより好ましく、２５体積％以上であることが更に好ましい。また、当該含有率は、９０体積％以下であることが好ましく、７６体積％以下であることがより好ましく、６０体積％以下であることが更に好ましい。

乾燥塗膜における粒子成分の含有率が、４０質量％以上又は１０体積％以上であれば、焼成によって粒子同士が融着して良好な導電性を発現するため好ましい。粒子成分が高濃度になるほど導電性の点では好ましいが、当該含有率が、９８質量％以下又は９０体積％以下である場合、乾燥塗膜が金属配線を安定形成できる程度に基材に対して良好に付着でき、特に９５質量％以下又は７６体積％以下である場合、付着がより強固であり、好ましい。また、当該含有率が、９０質量％以下又は６０体積％以下である場合には、乾燥塗膜の可撓性が高く、折り曲げ時にクラックが生じにくく、信頼性が高まる。

（（ｉｉ）分散剤）
分散体及び乾燥塗膜は、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を良好に分散させるための分散剤を含んでよい。

分散剤の数平均分子量は、特に制限はないが、３００～３００，０００であることが好ましく、３００～３０，０００であることがより好ましく、３００～１０，０００であることが更に好ましい。数平均分子量が３００以上であると、分散体の分散安定性が増す傾向があり、また、３００，０００以下であると、配線形成時に焼成がしやすく、３０，０００以下であれば、焼成後の分散剤残存量がより少なく、金属配線の抵抗を小さくできる。なお本開示で、数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィを用い、標準ポリスチレン換算で求められる値である。

分散剤としては、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子の分散性に優れる点で、リン含有有機化合物が好ましい。また分散剤は、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子に吸着し、立体障害効果によって粒子の凝集を抑制する観点から、これら粒子に対して親和性の基（例えば水酸基）を有することが好ましい。特に、金属酸化物粒子と水酸基含有分散剤との併用は好ましい。分散剤は、好ましくはリン含有有機化合物を含む。分散剤の特に好適な例は、リン酸基を有するリン含有有機化合物である。

リン含有有機化合物は、光及び／又は熱によって分解又は蒸発しやすいことが好ましい。光及び／又は熱によって分解又は蒸発しやすい有機物を用いることによって、焼成後に有機物の残渣が残りにくくなり、抵抗率の低い金属配線を得ることができる。

リン含有有機化合物の分解温度は、限定されないが、６００℃以下であることが好ましく、４００℃以下であることがより好ましく、２００℃以下であることが更に好ましい。分解温度は、リン含有有機化合物の安定性の観点から、好ましくは６０℃以上、又は９０℃以上、又は１２０℃以上であってよい。なお本開示で、分解温度は、熱重量示差熱分析法で求められる分解開始温度の値である。

リン含有有機化合物の沸点は、限定されないが、３００℃以下であることが好ましく、２００℃以下であることがより好ましく、１５０℃以下であることが更に好ましい。沸点は、リン含有有機化合物の安定性の観点から、好ましくは、６０℃以上、又は９０℃以上、又は１２０℃以上であってよい。

リン含有有機化合物の吸収特性は、限定されないが、焼成に用いるレーザ光を吸収できることが好ましい。なお本開示で、焼成に用いるレーザ光を吸収できるとは、紫外可視分光光度計で測定される波長５３２ｎｍでの吸光係数が０．１０ｃｍ^-1以上であることを意味する。より具体的には、焼成に用いるレーザ光の発光波長（中心波長）としての、例えば３５５ｎｍ、４０５ｎｍ、４４５ｎｍ、４５０ｎｍ、５３２ｎｍ、１０６４ｎｍなどの光を吸収するリン含有有機化合物が好ましい。特に、基材が樹脂基材である場合、中心波長が３５５ｎｍ、４０５ｎｍ、４４５ｎｍ、及び／又は４５０ｎｍの光を吸収するリン含有有機化合物が好ましい。

リン含有有機化合物がリン酸エステルであることは、分散体の大気下安定性向上の観点からも好ましい。例えば、下記一般式（１）：

（式中、Ｒは１価の有機基である。）
で表されるリン酸モノエステルは、金属酸化物粒子への吸着性に優れるとともに、基材に対する適度な密着性を示すことで金属配線の安定形成と未露光部の良好な現像との両立に寄与する点で好ましい。Ｒとしては、置換又は非置換の炭化水素基等を例示できる。

リン酸モノエステルの一例として、下記式（２）：

で表される構造を有する化合物を例示できる。

また、リン酸モノエステルの一例として、下記式（３）：

（式中、ｌ、ｍ及びｎは、それぞれ独立に、１～２０の整数である。）
で表される構造を有する化合物も例示できる。

上記式（３）中、ｌは１～２０の整数、好ましくは１～１５の整数、より好ましくは１～１０の整数であり、ｍは１～２０の整数、好ましくは１～１５の整数、より好ましくは１～１０の整数であり、ｎは１～２０の整数、好ましくは１～１５の整数、より好ましくは１～１０の整数である。

リン含有有機化合物が有する有機構造としては、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）、ポリイミド、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ））、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリアセタール、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリエーテルニトリル（ＰＥＮｔ）、ポリベンズイミダゾール（ＰＢＩ）、ポリカルボジイミド、ポリシロキサン、ポリメタクリルアミド、ニトリルゴム、アクリルゴム、ポリエチレンテトラフルオライド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリブテン、ポリペンテン、エチレン－プロピレン共重合体、エチレン－ブテン－ジエン共重合体、ポリブタジエン、ポリイソプレン、エチレン－プロピレン－ジエン共重合体、ブチルゴム、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、スチレン－ブタジエン共重合体、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、フェノールノボラック、ベンゾシクロブテン、ポリビニルフェノール、ポリクロロピレン、ポリオキシメチレン、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリスルフィド、シリコーン樹脂、アルドース、セルロース、アミロース、プルラン、デキストリン、グルカン、フルクタン、キチン等の化合物に由来する（具体的には、官能基の変性若しくは修飾、又は重合等を経た）構造を有してよい。ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリアセタール、ポリブテン、及びポリスルフィドから選択されるポリマー骨格を有するリン含有有機化合物は、分解しやすく、焼成後に得られる金属配線中に残渣を残し難いため、好ましい。

リン含有有機化合物の具体例としては、市販の材料を用いることができ、具体的には、ビックケミー社製のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ（登録商標）－１０２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１０３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１０６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１０９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１１０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１１１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１１８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１６８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１８０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１８２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１８７、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１９０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１９１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１９３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１９４Ｎ、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１９９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０００、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２００１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２００８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２００９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０１０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０１２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０１３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０１５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０２２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０２５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０５０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２１５２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０５５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０６０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０６１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２１６４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２０９６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－２２００、ＢＹＫ（登録商標）－４０５、ＢＹＫ－６０７、ＢＹＫ－９０７６、ＢＹＫ－９０７７、ＢＹＫ－Ｐ１０５、第一工業製薬社製のプライサーフ（登録商標）Ｍ２０８Ｆ、プライサーフＤＢＳ等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、複数を混合して用いてもよい。

分散体及び乾燥塗膜において、分散剤の含有量は、金属粒子及び金属酸化物粒子の合計体積を１００体積部としたときに、５体積部以上９００体積部以下であり得る。下限値は、好ましくは１０体積部以上、より好ましくは３０体積部以上、更に好ましくは６０体積部以上である。上限値は、好ましくは４８０体積部以下、より好ましくは２４０体積部以下である。

質量部に換算すると、金属粒子及び金属酸化物粒子の合計１００質量部に対する分散剤の含有量は、１質量部以上１５０質量部以下であることが好ましい。下限値は、好ましくは２質量部以上、より好ましくは５質量部以上、さら好ましくは１０質量部以上である。上限値は、好ましくは８０質量部以下、より好ましくは４０質量部以下である。分散剤の上記含有量が、５体積部以上又は１質量部以上であれば、厚みサブミクロンの薄膜を容易に形成できる。また、分散剤の上記含有量が、１０体積部以上又は５質量部以上であれば、例えば厚み数十μｍの厚膜を容易に形成できる。分散剤の上記含有量が、３０体積部以上又は１０質量部以上であれば、曲げてもクラックが入りにくい可撓性の高い乾燥塗膜を得ることができる。また、分散剤の上記含有量が、９００体積部以下又は１５０質量部以下であれば、焼成によって良好な金属配線を得ることができる。

分散体中の分散剤の含有率は、全分散体中、０．１０質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、０．２０質量％以上１５質量％以下であることがより好ましく、１．０質量％以上８．０質量％以下であることが更に好ましい。該含有率が２０質量％以下である場合、焼成により得られる導電膜において分散剤由来の残渣が多くならず導電性が良好である傾向がある。また、該含有率が０．１０質量％以上である場合、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子が凝集せず、良好な分散性を得ることができる。

（（ｉｉｉ）還元剤）
分散体及び乾燥塗膜は、還元剤を更に含んでよい。還元剤は、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分の合成時に用いられたことによって分散体中に残存し、したがって乾燥塗膜中に残存するものであってもよい。還元剤は、好ましくは、ヒドラジン及び／又はヒドラジン水和物を含み、より好ましくは、ヒドラジン及び／又はヒドラジン水和物である。分散体が金属酸化物粒子を含み、かつ乾燥塗膜が還元剤を含む場合、乾燥塗膜にレーザ光を照射した際に金属酸化物（例えば酸化銅）が金属（例えば銅）に還元されやすく、また還元後の金属（例えば銅）の低抵抗化が可能となる。乾燥塗膜のうち未露光部（すなわちレーザ光が照射されない領域）には、還元剤が残存する。

分散体中及び乾燥塗膜中の還元剤の含有率の、金属粒子及び金属酸化物粒子の合計含有率に対する質量比率は、還元効果を良好に得る観点から、好ましくは、０．０００１以上、又は０．００１０以上、又は０．００２０以上、又は０．００４０以上であり、過剰な還元剤の残存を回避して低抵抗の金属配線を得る観点から、好ましくは、０．１０以下、又は０．０５０以下、又は０．０３０以下である。

また、分散体中及び乾燥塗膜中、ヒドラジン及びヒドラジン水和物の合計含有量（ヒドラジン量基準）と、酸化銅の含有量とは、下記関係を満たすことが好ましい。
０．０００１≦（ヒドラジン質量／酸化銅質量）≦０．１０

（（ｉｖ）分散媒）
分散媒は、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を分散させるため、分散体中及び乾燥塗膜中に含まれるものである。

分散媒の具体例としては、アルコール（１価アルコール及び多価アルコール（例えば、グリコール））、アルコール（例えばグリコール）のエーテル、アルコール（例えばグリコール）のエステル等を使用できる。より具体例な例としては、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３メトキシ－３－メチル－ブチルアセテート、エトキシエチルプロピオネート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールターシャリーブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、
エチレングリコール、１，２－プロピレングリコール、１，３－ブチレングリコール、２－ペンタンジオール、２－メチルペンタン－２，４－ジオール、２，５－ヘキサンジオール、２，４－ヘプタンジオール、２－エチルヘキサン－１，３－ジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、トリエチレングリコール、トリ１，２－プロピレングリコール、グリセロール酢酸エチル、酢酸ノルマルプロピル、酢酸イソプロピル、
ペンタン、ヘキサン、オクタン、ノナン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジメチルカーボネート、
メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ｉ－ブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔ－ブタノール、ｎ－ペンタノール、ｉ－ペンタノール、ｓｅｃ－ペンタノール、ｔ－ペンタノール、２－メチルブタノール、３－メトキシブタノール、ｎ－ヘキサノール、ｓｅｃ－ヘキサノール、２－メチルペンタノール、２－エチルブタノール、ｓｅｃ－ヘプタノール、３－ヘプタノール、ｎ－オクタノール、ｓｅｃ－オクタノール、２－エチルヘキサノール、ｎ－ノニルアルコール、２，６－ジメチル－４－ヘプタノール、ｎ－デカノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５－トリメチルシクロヘキサノール、フェノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等が挙げられる。

中でも、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子の分散性の観点から、炭素数１０以下のモノアルコール又は多価アルコールがより好ましい。炭素数１０以下のモノアルコールの中でも、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ｉ－ブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔ－ブタノールが更に好ましい。これらのアルコールを単独で用いてもよいし、複数を混合して用いてもよい。

分散体の固形分率は、０．６質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、１．２質量％以上７５質量％以下であることがより好ましく、６．０質量％以上５８質量％以下であることが更に好ましい。分散体の固形分率は、分散体０．５～１．０ｇを測り取り、空気中６０℃で４．５時間加熱をしたときの、加熱後の重量を加熱前の重量で除した値として求めることができる。一態様において、分散体の固形分率は、分散体中の金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分の含有率に対応する。固形分率が０．６質量％以上８０質量％以下である場合、分散体が基材への塗布に適した粘度を有することができる。

分散体の粘度は、０．１ｍＰａ・ｓ以上１００，０００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、０．１ｍＰａ・ｓ以上１０，０００ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましく、１ｍＰａ・ｓ以上１，０００ｍＰａ・ｓ以下であることが更に好ましい。粘度が０．１ｍＰａ・ｓ以上１００，０００ｍＰａ・ｓ以下である場合、基材に対して分散体をより均一に塗布できる。本開示で、粘度は、Ｅ型粘度計で測定される値である。

分散体のｐＨは、分散体中の金属粒子及び／又は金属酸化物粒子の溶解を防止する観点から、好ましくは、４．０以上、又は５．０以上、又は６．０以上である。ｐＨは、基材へのダメージを低減するという観点から、例えば、１０．０以下、又は９．０以下、又は８．０以下であってよい。

分散体の表面自由エネルギーは、分散体を基材にムラなく均一に塗布できる点で、好ましくは、１０ｍＮ／ｍ以上、又は１２ｍＮ／ｍ以上、又は１５ｍＮ／ｍ以上であり、好ましくは５０ｍＮ／ｍ以下、又は３５ｍＮ／ｍ以下、又は２５ｍＮ／ｍ以下である。

乾燥塗膜の厚みは、低抵抗でかつ機械特性に優れる金属配線を容易に製造する観点から、好ましくは、０．１μｍ以上、又は０．５μｍ以上、又は１．０μｍ以上であり、微細サイズの金属配線を高精度で製造する観点から、好ましくは、５０μｍ以下、又は２５μｍ以下、又は１０μｍ以下であってよい。

［基材］
基材は、金属配線が配置される面を構成する。基材の材質は、レーザ光により形成された金属配線間での電気絶縁性を確保するため、絶縁材料であることが好ましい。ただし、基材の全体が絶縁材料であることは必ずしも必要がない。金属配線が配置される面を構成する部分だけが絶縁材料であれば足りる。

また、基材の材質は、レーザ光を照射したときに基材がレーザ光により焼けて煙が発生することを防ぐため、耐熱温度が６０℃以上の材質であることが好ましい。基材は単一の素材から構成される必要は無く、耐熱温度を高くするために、例えば樹脂にグラスファイバーなどを添加していてもよい。

基材の、乾燥塗膜が配置される面は、平面又は曲面であってよく、また段差等を含む面であってもよい。基材は、より具体的には、基板（例えば、板状体、フィルム又はシート）、又は立体物（例えば、筐体等）であってよい。板状体は、例えば、プリント基板等の回路基板に用いられる支持体である。フィルム又はシートは、例えば、フレキシブルプリント基板に用いられる、薄膜状の絶縁体であるベースフィルムである。

立体物の一例としては、携帯電話端末、スマートフォン、スマートグラス、テレビ、パーソナルコンピュータ等の電気機器の筐体が挙げられる。また、立体物の他の例としては、自動車分野では、ダッシュボード、インストルメントパネル、ハンドル、シャーシ等が挙げられる。

基材の具体例として、例えば、無機材料からなる基材（以下、「無機基材」）、又は樹脂からなる基材（以下、「樹脂基材」という）が挙げられる。

無機基材は、例えば、ガラス、シリコン、雲母、サファイア、水晶、粘土膜、及び、セラミックス材料等から構成される。セラミックス材料は、例えば、アルミナ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、イットリア及び窒化アルミニウム、並びに、これらのうち少なくとも２つの混合物から選ばれる。また、無機基材としては、特に光透過性が高い、ガラス、サファイア、水晶等から構成される基材を用いることができる。

樹脂基材としては、例えば、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリアミド（ＰＡ）（ＰＡ６、ＰＡ６６等）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、変性ポリフェニレンエーテル（ｍ－ＰＰＥ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリエーテルニトリル（ＰＥＮｔ）、ポリベンズイミダゾール（ＰＢＩ）、ポリカルボジイミド、ポリメタクリルアミド、ニトリルゴム、アクリルゴム、ポリエチレンテトラフルオライド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリブテン、ポリペンテン、エチレン－プロピレン共重合体、エチレン－ブテン－ジエン共重合体、ポリブタジエン、ポリイソプレン、エチレン－プロピレン－ジエン共重合体、ブチルゴム、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、スチレン－ブタジエン共重合体、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、フェノールノボラック、ベンゾシクロブテン、ポリビニルフェノール、ポリクロロピレン、ポリオキシメチレン、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリフェニルスルホン樹脂（ＰＰＳＵ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、アクリロ二トリル・ブタジエン・スチレン樹脂（ＡＢＳ）、アクリロニトリル・スチレン樹脂（ＡＳ）、ポリテトラフルオロエチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、及びシリコーン樹脂等から構成される支持体を用いることができる。

また、上記以外に、例えばセルロースナノファイバーを含有する樹脂シートを基材として用いることもできる。

特に、ＰＩ、ＰＥＴ及びＰＥＮからなる群から選択される少なくとも一種は、金属配線との密着性に優れ、且つ、市場流通性が良く低コストで入手可能であり、事業上の観点から有意であり、好ましい。

更に、ＰＰ、ＰＡ、ＡＢＳ、ＰＥ、ＰＣ、ＰＯＭ、ＰＢＴ、ｍ－ＰＰＥ及びＰＰＳからなる群から選択される少なくとも一種は、特に筐体である場合、金属配線との密着性に優れ、また、成型性や成型後の機械的強度に優れる。更に、これらは、金属配線を形成するときのレーザ光照射等にも十分耐えうる耐熱性も有しているため、好ましい。

また、立体物の材質としては、例えば、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂及びポリフェニレンサルファイド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。

樹脂基材の荷重たわみ温度は、４００℃以下であることが好ましく、２８０℃以下であることがより好ましく、２５０℃以下であることが更に好ましい。荷重たわみ温度が４００℃以下の基材は、低コストで入手可能であり、事業上の観点から優位であり、好ましい。荷重たわみ温度は、樹脂基材の取扱い性の観点から、好ましくは、７０℃以上、又は８０℃以上、又は９０℃以上、又は１００℃以上である。本開示の荷重たわみ温度は、ＪＩＳ Ｋ７１９１に準拠して得られる値である。

基材の厚さは、例えば板状体、フィルム又はシートである場合、好ましくは、１μｍ以上、又は２５μｍ以上であり、好ましくは１００ｍｍ以下、又は１０ｍｍ以下、又は２５０μｍ以下である。基材の厚さが２５０μｍ以下である場合、作製される電子デバイスを、軽量化、省スペース化及びフレキシブル化でき好ましい。

なお、基材が立体物である場合、その最大寸法（すなわち一辺の最大長さ）は、基材の機械的強度及び耐熱性が良好に発現される点で、好ましくは、１μｍ以上、又は２００μｍ以上であり、好ましくは１０００ｍｍ以下、又は１００ｍｍ以下、又は５ｍｍ以下である。

［金属配線の製造方法の各工程］
図１は、本実施形態に係る金属配線の製造方法の一例を説明する図である。以下、図１を参照しながら、各工程の例示の態様について説明する。

（分散体の調製）
一態様においては、塗布工程に先立って分散体を調製する。以下では、酸化第一銅粒子を含む分散体を調製する場合を例に説明する。
酸化第一銅粒子は、例えば下記の方法で合成できる。
（１）ポリオール溶剤中に、水及び銅アセチルアセトナト錯体を加え、一旦有機銅化合物を加熱溶解させ、反応に必要な量の水を更に添加し、有機銅の還元温度に加熱して還元する方法。
（２）有機銅化合物（銅－Ｎ－ニトロソフェニルヒドロキシルアミン錯体）を、ヘキサデシルアミン等の保護剤の存在下、不活性雰囲気中で、３００℃程度の高温で加熱する方法。
（３）水溶液に溶解した銅塩をヒドラジンで還元する方法（図１（ａ））。

上記（１）の方法は、例えば、アンゲバンテ・ケミ・インターナショナル・エディション、４０号、２巻、ｐ．３５９、２００１年に記載の条件で行うことができる。

上記（２）の方法は、例えば、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ・１９９９年、１２１巻、ｐ．１１５９５に記載の条件で行うことができる。

上記（３）の方法において、銅塩としては、二価の銅塩を好適に用いることができ、その例として、例えば、酢酸銅（ＩＩ）、硝酸銅（ＩＩ）、炭酸銅（ＩＩ）、塩化銅（ＩＩ）、硫酸銅（ＩＩ）等を挙げることができる。ヒドラジンの使用量は、銅塩１モルに対して、０．２モル～２モルとすることが好ましく、０．２５モル～１．５モルとすることがより好ましい。

銅塩を溶解した水溶液には、水溶性有機物を添加してもよい。該水溶液に水溶性有機物を添加することによって該水溶液の融点が下がるので、より低温における還元が可能となる。水溶性有機物としては、例えば、アルコール、水溶性高分子等を用いることができる。

アルコールとしては、例えば、
メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ｉ－ブタノール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔ－ブタノール、ｎ－ペンタノール、ｉ－ペンタノール、ｓｅｃ－ペンタノール、ｔ－ペンタノール、２－メチルブタノール、２－エチルブタノール、３－メトキシブタノール、ｎ－ヘキサノール、ｓｅｃ－ヘキサノール、２－メチルペンタノール、ｓｅｃ－ヘプタノール、３－ヘプタノール、ｎ－オクタノール、ｓｅｃ－オクタノール、２－エチルヘキサノール、ｎ－ノニルアルコール、２，６－ジメチル－４－ヘプタノール、ｎ－デカノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５－トリメチルシクロヘキサノール、フェノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等の１価アルコール；
エチレングリコール、１，２－プロピレングリコール、１，３－ブチレングリコール、２－ペンタンジオール、２－メチルペンタン－２，４－ジオール、２，５－ヘキサンジオール、２，４－ヘプタンジオール、２－エチルヘキサン－１，３－ジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、トリエチレングリコール、トリ１，２－プロピレングリコール等のグリコール、グリセリン等の３価アルコール、等の多価アルコール；
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールターシャリーブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル；
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエステル；
等が挙げられる。
水溶性高分子としては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール－ポリプロピレングリコール共重合体等を用いることができる。

上記（３）の方法における還元の際の温度は、例えば－２０℃～６０℃とすることができ、－１０℃～３０℃とすることが好ましい。この還元温度は、反応中一定でもよいし、途中で昇温又は降温してもよい。ヒドラジンの活性が高い反応初期は、１０℃以下で還元することが好ましく、０℃以下で還元することがより好ましい。還元時間は、３０分～３００分とすることが好ましく、９０分～２００分とすることがより好ましい。還元の際の雰囲気は、窒素、アルゴン等の不活性雰囲気であることが好ましい。

上記（１）～（３）の方法の中でも、（３）の方法は操作が簡便で、且つ、粒子径の小さい粒子が得られるので好ましい。

次いで、反応液を上澄みと沈殿物とに遠心分離し（図１（ｂ））、酸化銅粒子を沈殿物として回収する。

一方、酸化銅粒子として、市販品を用いてもよい。市販品としては、例えば、イーエムジャパン社より販売されている平均一次粒子径１８ｎｍの酸化第一銅粒子が挙げられる。

次いで、酸化銅粒子に、分散媒、及び一態様においては分散剤を加え、例えば、ホモジナイザのような公知の方法で撹拌して、酸化銅粒子を分散媒に分散させる（図１（ｃ））。

なお、分散媒によっては、酸化銅粒子が分散しにくく、分散が不充分な場合がある。このような場合は、例えば、酸化銅粒子が分散しやすいアルコール類、例えば、ブタノールなどを用い、酸化銅を分散させた後、所望の分散媒への溶媒置換と所望の濃度への濃縮を行うことが好ましい。一例として、限外濾過（ＵＦ）膜で濃縮する方法、並びに、所望の分散媒による希釈及び濃縮を繰り返す方法が挙げられる。
例えば以上のような手順で、目的の分散体を得ることができる（図１（ｄ））。
また、現像によって、回収した液を減圧蒸留や膜蒸留によって、溶媒を濃縮することで、所望の固形分の分散体をえることができる。また、上記で調製した分散体に現像で回収した液を混合し利用することもできる。

（研磨工程）
一態様において、基材（図１（ｅ））の分散体塗布面は、制御された算術平均表面粗さを有してよい。典型的な態様においては、基材表面の研磨によって当該表面の算術平均表面粗さを制御する。すなわち一態様において、基材は研磨面を有する（図１（ｆ））。本開示で、研磨とは、平滑化及び粗化の両方を包含する。研磨の方法としては、特に限定されるものではないが、例えば砥石（回転砥石等）、やすり、研磨紙、研磨剤等を用いた物理的な研磨方法、電解研磨、溶剤浸漬等による化学的な研磨方法が挙げられる。基材の被研磨面の材質及び表面形態、並びに所望の算術平均表面粗さ値等に応じて、適切な研磨方法を選択してよい。

基材の分散体塗布面の算術平均表面粗さＲａは、好ましくは、７０ｎｍ以上、又は１００ｎｍ以上、又は１５０ｎｍ以上であり、好ましくは１００００ｎｍ以下、又は５０００ｎｍ以下、又は１０００ｎｍ以下であってよい。本開示で、算術平均表面粗さＲａは、触針式表面形状測定器を用いて測定される値である。なお、既に塗膜が配置されている基材の表面粗さは、以下の方法で測定することができる。塗膜が配置されている基材を、基材全体が浸漬される量の０．６質量％の硝酸又は塩酸に浸漬し、６０ｒｐｍの速度で１２時間以上振とうを行い、塗膜を溶解する。塗膜が完全に溶解したら、超純水５０ｍｌ以上で基材を洗浄した後、触針式表面形状測定器で測定する。

算術平均表面粗さＲａの値が７０ｎｍ以上であると、分散体が基材表面の凹凸形状の凹部にアンカー効果で入り込むため、乾燥塗膜と基材とが良好に密着して、現像操作を行っても剥離し難い金属配線が形成される。これにより、現像操作における金属配線へのダメージが一層少なく、現像後に金属配線の抵抗が増大し難く好ましい。また、算術平均表面粗さＲａの値が１００００ｎｍ以下であると、基材の表面の凹凸形状が過度に大きくないため、当該表面上に塗膜を均一な厚みで形成できる。そのため、断線が生じ難く、また抵抗値の部位間でのばらつきが一層少ない金属配線を得ることができる。また算術平均表面粗さＲａの値が１００００ｎｍ以下であることは、未露光部の良好な現像除去性の点でも有利である。

（塗布工程）
本工程では、算術平均表面粗さが制御された基材表面上に分散体を塗布して分散体層を形成する（図１（ｇ））。分散体層の形成方法は、特に限定されないが、ダイコート、スピンコート、スリットコート、バーコート、ナイフコート、スプレーコート、ディップコート等の塗布法を用いることができる。これらの方法を用いて、基材上に均一な厚みで分散体を塗布することが望ましい。

（乾燥工程）
本工程では、基材と当該基材上に形成された分散体層とを乾燥させて乾燥塗膜を形成する（図１（ｈ））。乾燥条件は、乾燥塗膜の固形分率が所望の範囲（一態様において本開示に列挙する範囲）に制御されるように調整してよい。

乾燥温度は、乾燥の時間を短縮でき、工業的な生産性を高めることができる点で、好ましくは、４０℃以上、又は５０℃以上、又は６０℃以上であり、基材（特に樹脂基材）の変形を抑制できる点で、好ましくは、１２０℃以下、又は１１０℃以下、又は１００℃以下、又は９０℃以下である。乾燥時間は、分散体層中の分散媒の過度な揮発を防止して、乾燥塗膜の固形分率を所望以上に制御し、これにより現像時の乾燥塗膜の分散を容易にする（すなわち現像性を良好にする）観点から、好ましくは、８時間以下、又は４時間以下、又は２時間以下であり、乾燥塗膜に含まれる微量な分散媒が基材（特に樹脂基材）と反応し、当該基材が溶解して乾燥塗膜中に拡散し乾燥塗膜と基材との結合が強まり、現像性が悪化することを抑制できる点、及び、後述するレーザ光照射工程で形成された金属配線に含まれる有機成分の含有率を低減し、低抵抗の金属配線を製造できる点で、好ましくは、１０分以上、又は２０分以上、又は３０分以上である。乾燥圧力は、典型的には常圧であってよい。工業的な生産性を高めることができる点で、減圧を行ってもよく、好ましくは、ゲージ圧で、－０．０５ＭＰａ以下、又は－０．１ＭＰａ以下であってよい。上記のような乾燥工程によって、基材と当該基材上に配置された乾燥塗膜とを有する乾燥塗膜付構造体を形成できる。

乾燥塗膜の固形分率は、６０質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、６５質量％以上９５質量％以下であることがより好ましく、７０質量％以上９０質量％以下であることが更に好ましい。本開示で、乾燥塗膜の固形分率は、ＴＧ－ＤＴＡ（熱重量示差熱分析）装置を用いて測定できる。乾燥塗膜の固形分率が６０質量％以上であると、レーザ光を照射して金属配線を得る際の乾燥塗膜の体積収縮が少なく、金属配線中のボイド量が少なく焼結性が高くなるため、低抵抗でかつ抵抗値の部位間ばらつきが少ない配線を得ることができる。また、乾燥塗膜の固形分率が６０質量％以上であると、未露光部と基材との密着力又は結合力が小さく良好な現像除去性が得られる。例えば、基材が樹脂基材である場合、乾燥塗膜中の分散媒によって基材が僅かに溶解して乾燥塗膜中に基材成分が拡散することによって、未露光部と基材とが強固に結合してしまう場合があるが、上記固形分率が６０質量％以上であればこのような拡散を回避できる。一方、乾燥塗膜の固形分率が９９質量％以下であると、乾燥塗膜中の金属粒子及び／又は金属酸化物粒子が現像液中に良好に分散して、現像後の基材上の金属粒子及び／又は金属酸化物粒子の残存量を少なくできる（すなわち現像性が良好である）。

（保管工程）
一態様においては、上記乾燥塗膜付構造体を所定時間保管する保管工程を行ってもよい。保管工程は、保管温度は好ましくは０℃以上、又は５℃以上、又は１０℃以上であり、好ましくは４０℃以下、又は３０℃以下である。さらに、相対湿度は好ましくは２０％以上、又は３０％以上であり、好ましくは７０％以下、又は５０％以下である。乾燥塗膜付構造体を保管する際には、塗膜成分の変質、及びマイグレーションが生じる場合があり、マイグレーションは金属配線の短絡を招来する。保管温度及び相対湿度が上記範囲である場合、乾燥塗膜が安定的に保管されることで、塗膜成分の変質及びマイグレーションを抑制できる。保管時の圧力は、典型的には常圧であってよいが、減圧を行ってもよく、好ましくは、ゲージ圧で、－０．０５ＭＰａ以下、又は－０．１ＭＰａ以下であってよい。

乾燥塗膜付構造体の保管時間は、乾燥工程時の熱を放冷でき、かつ、空気中の水分を乾燥塗膜が吸湿することによる塗膜組成の変化を抑制して後述のレーザ光照射工程でのレーザ照射によって形成される金属配線の抵抗値のばらつきを抑制できる点で、好ましくは、１０分以上、又は２０分以上、又は３０分以上であり、乾燥塗膜中に含まれる微量な分散媒が基材（特に樹脂基材）と反応し、基材が溶解及び乾燥塗膜中に拡散して乾燥塗膜と基材との結合が強くなることによる、現像性の悪化を防止できる点で、好ましくは、６０日以下、又は３０日以下、又は７日以下である。

（レーザ光照射工程）
本工程では、乾燥塗膜に対してレーザ光を照射して（図１（ｉ））、基材と、当該基材上に配置された、導電部（露光部）及び非導電部（未露光部）を有する膜とを有する導電部付構造体を形成する（図１（ｊ））。当該導電部は金属配線として形成される。例えば、酸化銅粒子を含む分散体を用いる場合には、レーザ光照射工程において、乾燥塗膜中の酸化銅を還元して銅粒子を生成させると共に当該生成された銅粒子同士の融着による一体化が生じる条件下で加熱処理を施し、金属配線を形成する。

レーザ光照射には、レーザ光照射部を有する公知のレーザ光照射装置を用いてよい。レーザ光は、高強度の光を短時間露光し、基材上に形成した乾燥塗膜を短時間高温に上昇させ、焼成できる点で好ましい。レーザ光方式は、焼成時間を短時間にできるため基材へのダメージが少なく、耐熱性が低い基材（例えば樹脂フィルム基板）への適用も可能である点で有利である。また、レーザ光方式は、波長選択の自由度が大きく、乾燥塗膜の光吸収波長及び／又は基材の光吸収波長を考慮して波長を選択できる点でも有利である。

更に、レーザ光方式によれば、ビームスキャンによる露光が可能であるため、露光範囲の調整が容易であり、例えば、マスクを使用せず、乾燥塗膜の目的の領域のみへの選択的な光照射（描画）が可能である。

レーザ光源の種類としては、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、ＹＶＯ（イットリウムバナデイト）、Ｙｂ（イッテルビウム）、半導体レーザ（ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＧａＩｎＡｓ）、炭酸ガスなどを用いることができる。レーザとしては、基本波だけでなく必要に応じ、高調波を取り出して使用してもよい。

レーザ光の中心波長は、３５０ｎｍ以上、６００ｎｍ以下であることが好ましい。特に、金属酸化物として酸化第一銅を用いる場合、酸化第一銅は、上記範囲の中心波長を有するレーザ光を良好に吸収するため均一に還元され、低抵抗の金属配線を形成し得る。

レーザ光は、ガルバノスキャナーを通して乾燥塗膜に照射されることが好ましい。ガルバノスキャナーによってレーザ光を乾燥塗膜上に走査することで、任意の形状の金属配線を得ることができる。

レーザ光の照射出力は、所望の焼成（例えば酸化第一銅の還元）を効率よく行う観点から、好ましくは、１００ｍＷ以上、又は２００ｍＷ以上、又は３００ｍＷ以上であり、レーザ光の過度な出力に起因するアブレーションによる金属配線の破壊を抑制して低抵抗の金属配線を得る観点から、好ましくは、１５００ｍＷ以下、又は１２５０ｍＷ以下、又は１０００ｍＷ以下である。

一態様においては、レーザ光を乾燥塗膜上の所望の位置に繰り返し走査してよい。この場合、レーザ光の移動量は、隣接する走査線を互いに重複させるような移動量に設定することが好ましい。図２は、本実施形態に係る金属配線の製造方法におけるレーザ光の重複照射について説明する模式図である。図２を参照し、第１の走査線Ｒ１と、それに隣接する第２の走査線Ｒ２とが、互いに重複している。これにより、第１の走査線Ｒ１と第２の走査線Ｒ２とが重複するオーバーラップ領域において蓄熱量が大きくなるため、銅粒子の焼結度を高め、その結果、金属配線の抵抗値をより低くできる。

オーバーラップ率Ｓは、レーザ光の第１の走査線Ｒ１の幅Ｓ１と、第２の走査線Ｒ２が走査長方向と垂直な方向において第１の走査線Ｒ１と重なる幅Ｓ２とから、下記式で求めることができる。
Ｓ＝Ｓ２／Ｓ１×１００（％）

オーバーラップ率は、５％～９９．５％の範囲であることが好ましく、１０％～９９．５％の範囲であることがより好ましく、１５％～９９．５％の範囲であることが更に好ましい。オーバーラップ率が５％以上であることにより金属配線の焼結度を高めることができ、かつ煙の発生量を抑制できる。９９．５％以下であることにより工業的に実用性のある速度でレーザ光を走査長方向と垂直の方向に移動させながら乾燥塗膜を焼結できる。上記範囲のオーバーラップ率によれば、例えば上記範囲を下回るオーバーラップ率と比べて金属配線の焼結度を高くできるため、脆くなく堅い金属配線を製造できる。これにより、例えば、金属配線をフレキシブル基板上に形成して曲げた際にも、金属配線が割れることなくフレキシブル基板に追従できる。

（現像工程）
本工程では、乾燥塗膜のうち未露光部を現像液で現像除去する（図１（ｋ））。現像の形態は特に限定されるものではない。例えば、導電部付構造体を現像液に浸漬して振とうしても良いし、導電部付構造体を現像液に浸漬した後に超音波装置を用いて超音波を照射しても良いし、スプレー等で現像液を導電部付構造体に直接吹き付けても良い。

現像工程は、第１の現像液による第１の現像処理と、第２の現像液による第２の現像処理とを含む。一態様において、現像工程は、第１の現像液による１回又は２回以上の第１の現像処理と、第２の現像液による１回又は２回以上の第２の現像処理との組合せである。２回以上の第１の現像処理における現像液の種類は互いに同じでも異なってもよく、同様に、２回以上の第２の現像処理における現像液の種類は互いに同じでも異なってもよい。例えば、第１又は第２の現像液として、分散剤を含む現像液と分散剤を含まない現像液との組合せを採用してよい。この場合、分散剤を含む現像液による現像、次いで分散剤を含まない現像液による現像を行うと、導電部付構造体上の分散剤の残存を低減でき好ましい。

第１の現像処理と第２の現像処理との組合せによれば、塗膜が現像液中に分散する効果が高く、未露光部の除去性が良好である。現像工程においては、第１の現像液と第２の現像液とを入れ替えることでこれらを別個に用いる（すなわち混合しない）ことが好ましい。現像液を入れ替えることで、塗膜が現像液中に分散する効果を高め、現像性をより良好にできる。

現像工程は、第１及び第２の現像処理に加えて、本開示の追加の現像液を用いる追加の現像処理を更に含んでもよい。追加の現像処理のタイミングは限定されない。例えば、第１の現像処理の後に第２の現像処理を行う場合、第１の現像処理の前、第１の現像処理と第２の現像処理との間、及び／又は第２の現像処理の後であってよい。

第１の現像液、第２の現像液、及び追加の現像液の組成は、互いに異なってもよいし、これらのうち２つ以上が同じであってもよい。追加の現像液の好適態様は第１の現像液及び／又は第２の現像液について本開示で列挙するのと同様であってよい。

導電部付構造体を現像液に浸漬し、超音波装置を用いて超音波照射を行う場合、超音波の照射時間は、１分以上３０分以下であることが好ましい。１分以上照射を行うと、基材に付着した塗膜を分散させる効果が高く、３０分以下であると、金属配線へのダメージを抑制できる。

現像工程においては、導電部付構造体を保持する治具を用いることが好ましい。治具の形状は特に限定されるものではないが、現像操作を行う際に、現像液を収容する容器の底面、側壁面等と導電部付構造体とが接触したり、複数の導電部付構造体を同時に現像する場合に当該構造体同士が接触したりすることによる金属配線の損傷又は脱落を防止できる形状が望ましい。治具は、例えば、導電部付構造体を１つずつ保持する窪みを有する治具、構造体を保持するためのクリップ等であってよい。

図３～５は、本実施形態に係る金属配線の製造方法の現像工程において導電部付構造体を保持する治具の一例を示す模式図である。図３は、容器１１内に、ラック部１２ａを有する治具１２を配置し、ラック部１２ａ上に、基材１３ａと照射後塗膜１３ｂ（すなわち導電部と非導電部とを有する膜）とを有する導電部付構造体１３を載置する例を示している。図４は、容器２１内に、窪み部２２ａを形成する治具２２を配置し、窪み部２２ａ内に、立体形状の基材２３ａと、照射後塗膜２３ｂとを有する導電部付構造体２３を挿入する例を示している。図５は、容器３１が、窪み部３２ａを形成する治具３２部位を有することで治具としても機能し、窪み部３２ａ内に、立体形状の基材３３ａと、照射後塗膜３３ｂとを有する導電部付構造体３３を挿入する例を示している。図４及び５に示す窪み部２２ａ，３２ａは、立体形状の基材を用いる場合に特に有用である。

特に、現像に際して導電部付構造体に超音波を照射する場合、図３に示すラック部１２ａ、並びに図４及び５に示す窪み部２２ａ，３２ａは、導電部付構造体同士の接触を良好に防止する。

治具は、導電部付構造体を良好に保持しつつ現像液と導電部付構造体との接触は妨げない構造、例えばメッシュ状構造であることがより好ましい。

更に、治具は、導電部付構造体が現像液中で浮き上がるのを防止するための蓋等、所望に応じた任意の部材又は形状を有してよい。

（現像液の回収及び再利用）
本開示において、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含む分散体は、現像工程における現像に用いた後の現像液（使用済現像液）を現像工程後に回収し、この使用済現像液を含む液から調製された分散体（再生分散体）であってもよい。使用済現像液の回収方法、調整方法は後述のとおりである。

使用済現像液の回収方法に特に限定は無いが、現像処理槽に入った使用済現像液をポンプで抜き出す方法、槽の下部から使用済現像液の液抜きを行う方法、現像処理槽から回収槽に使用済現像液を直接投入する方法等が挙げられる。また、現像液中の成分を均一に効率よく回収するため、攪拌をしながら液の移送を行ってもよい。回収槽には特に限定は無いが、ＳＵＳ製、ポリエチレン製、ポリプロピレン製など、現像液の成分に対して耐性のある容器が好ましい。

上記のように回収された使用済現像液を用いて再生分散体を調製してよい。使用済現像液を回収して分散体の調製に再利用することは、資源の有効活用、及び廃棄物の低減によるコストダウンの観点から好ましい。分散体中の分散剤の主成分と現像液中の分散剤の主成分とが同種である場合、現像液の再利用効率が一層良好である。

特に、現像液が水を含み且つ使用後の当該現像液を再生して再生分散体を得る場合には、資源の再利用という利点に加え、水を用いることで、より安価且つクリーンな環境での再生という利点も得られる。

また一態様において、使用済現像液は、必要に応じた濃度調整のみで分散体の原料としてそのまま再利用することも可能である。この場合、例えば分散剤の新たな調製等を必要としないことから、一層高効率での資源回収が可能である。

図６及び７を参照し、再生分散体は、使用済現像液を回収し、再生処理に供することで調製できる。使用済現像液は、一部又は全部を再利用してよい。本開示の分散体として、未使用分散体（すなわち新たに調製された分散体）若しくは再生分散体又はこれらの組合せを塗布工程に供することができ、図６及び７では、未使用分散体と再生分散体との組合せを塗布工程に供する例を示している。図６及び７を参照し、未使用分散体と再生分散体とを基材に塗布し、乾燥して乾燥塗膜を形成し、レーザ光照射（すなわち焼成）後、現像液で現像して配線を完成させる。上記再生分散体は、使用済現像液の一部又は全部を回収し、再生処理に供して形成されたものである。

再生処理としては、濃度調整（例えば濃縮又は希釈）、成分調整（例えば所定成分の添加又は除去）、精製（例えば残渣等の不純物の除去）、分散状態調整（例えば分散処理）等が挙げられる。また、再生処理に先立って、使用済現像液の成分分析を行ってよい。この場合、得られた成分分析結果に基づいて再生処理条件を決定してよい。使用済現像液が分散剤を含む場合、再生処理は当該分散剤の変質又は逸失を回避するような条件で行うことが好ましい。

再生処理のより具体的な例は、（１）濃縮、（２）金属粒子及び／又は金属酸化物粒子、分散剤、還元剤、並びに分散媒のうち１つ以上の添加、並びに（３）使用済現像液中の成分の分散処理、のうち１つ以上である。これらの処理を全て行う場合、順序は特に限定されるものではないが、（１）、（２）、（３）の順が好ましい。

（１）濃縮
使用済現像液の濃縮方法としては、特に限定されるものではないが、エバポレーター等で加熱、減圧を行い蒸発濃縮する方法、分離膜を用いて濃縮する方法、また、凍結乾燥などで一度乾燥させたのち、得られた粉体を再度分散媒に分散させる方法などが挙げられる。濃縮により、固形分率を好ましくは５質量％以上、又は１０質量％以上に調整してよく、また好ましくは６０質量％以下、又は５０質量％以下に調整してよい。

（２）添加
使用済現像液に対して、粘度調整及び／又は固形分率調整のために、分散体の含有成分として前述で例示した成分のうち１つ以上、より具体的には、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子、分散剤、還元剤、並びに分散媒のうち１つ以上を添加することが好ましい。一態様においては、分散体の所望の含有成分のうち、使用済現像液に含まれないか、使用済現像液に含まれるが所望量を下回る成分を添加してよい。

（３）分散処理
高品質の再生分散体を得る観点から、使用済現像液中の含有成分の分散処理を行うことが好ましい。分散方法としては特に限定されるものではないが、例えば使用済現像液を容器に入れて振とう器での振とうを続け、液流れによって分散を促しても良いし、ホモジナイザ等を用いて機械的な分散処理を行っても良い。使用済現像液の安定性の観点から、分散時間は、好ましくは１分以上である。分散時間は長い方がよいが、生産効率の観点から例えば１時間以下であってよい。上記（２）の添加も行う場合、分散処理は、上記（２）の添加の後に実施することが好ましい。

上記で例示した処理を介して再生分散体を調製できる。再生分散体の含有成分種、各成分の含有率、及び各種特性（固形分率、粘度、ｐＨ、表面自由エネルギー等）は、分散体について前述したのと同様であってよい。

＜乾燥塗膜付構造体又は導電部付構造体と現像液とを含むキット＞
本発明の一態様はまた、前述した本開示の乾燥塗膜付構造体と、前述した本開示の現像液とを含むキットを提供する。乾燥塗膜付構造体は、基材と、当該基材の表面上に配置された本開示の乾燥塗膜とを有する。すなわち当該乾燥塗膜は、一態様において、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含み、一態様において分散剤及び／又は還元剤を更に含む。
本発明の一態様はまた、前述した本開示の導電部付構造体と、前述した本開示の現像液とを含むキットを提供する。導電部付構造体は、基材と、当該基材の表面上に配置された、（１）導電部領域及び（２）非導電部領域を有する膜とを有する。一態様において、（１）導電部領域は本開示の露光部に対応し、（２）非導電部領域は本開示の未露光部に対応する。（１）導電部領域は、一態様において銅を含む金属配線である。（２）非導電部領域は、一態様において酸化第一銅を含み、一態様において分散剤及び／又は還元剤を更に含む。

上記キットの各々において、現像液は、本開示の第１の現像液及び本開示の第２の現像液を含む。第１の現像液及び／又は第２の現像液は、一態様において水及び／又は有機溶媒（一態様においてアルコール系溶媒）を含み、一態様において分散剤（Ａ）を更に含み、一態様において当該分散剤（Ａ）を０．１質量％以上２０質量％以下の量で含む。また一態様においては、乾燥塗膜が分散剤（Ｂ）を含み、分散剤（Ａ）と分散剤（Ｂ）との主成分が同種である。

上記のような乾燥塗膜付構造体と現像液とを組み合わせて用いることにより、乾燥塗膜へのレーザ光照射によって低抵抗の金属配線を形成するとともに、当該金属配線にダメージを与えることなく未露光部を良好に現像除去して、基材と当該基材の表面上に配置された金属配線とを有する高品質の金属配線付構造体を製造できる。また上記のような導電部付構造体と現像液とを組み合わせて用いることにより、金属配線である導電部にダメージを与えることなく非導電部を良好に現像除去して、高品質の金属配線付構造体を製造できる。

＜金属配線製造システム＞
本発明の一態様はまた、金属配線製造システムを提供する。図８を参照し、一態様において、金属配線製造システム１００は、
基材の表面上に、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含む分散体を塗布して分散体層を形成する塗布機構１０１と、
分散体層を乾燥させて基材と当該基材上に配置された乾燥塗膜とを有する乾燥塗膜付構造体を形成する乾燥機構１０２と、
乾燥塗膜にレーザ光を照射して金属配線を形成するレーザ光照射機構１０３と、
乾燥塗膜の金属配線以外の領域を現像液で現像除去する現像機構１０４と、
を備える。
本開示の金属配線製造システムは、本開示の金属配線の製造方法に好適に適用できる。したがって、金属配線製造システムの各要素としては、金属配線の製造方法において前述で例示したような構成又は機能を有するものを採用してよい。

塗布機構１０１は、例えば、ダイコータ、スピンコタ、スリットコータ、バーコータ、ナイフコータ、スプレーコータ、ディップコータ等から選ばれる１種以上であってよい。

乾燥機構１０２は、オーブン、真空乾燥機、窒素導入乾燥機、ＩＲ炉、ホットプレート等から選ばれる１種以上であってよい。

レーザ光照射機構１０３は、例えば、レーザ光発振器（図示せず）と、発振されたレーザ光を塗膜に照射するガルバノスキャナー（図示せず）とを有してよい。

現像機構１０４は、一態様において、
（１）本開示の第１の現像液によって乾燥塗膜を現像する第１の現像部１０４ａ、及び
（２）本開示の第２の現像液によって乾燥塗膜を現像する第２の現像部１０４ｂ、
を有する。第１の現像液及び／又は第２の現像液は、一態様において、水及び／又は有機溶媒（一態様においてアルコール系溶媒）を含み、一態様において分散剤を更に含み、一態様において当該分散剤を０．１質量％以上２０質量％以下の量で含む。第１の現像部１０４ａと第２の現像部１０４ｂとの位置関係は限定されないが、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子の除去効率の観点から、図８に示すように、導電部付構造体が第１の現像部１０４ａ、次いで第２の現像部１０４ｂに供されるように配置されていることが好ましい。

第１の現像部１０４ａ及び第２の現像部１０４ｂの各々は、一態様において、現像液と、当該現像液及び導電部付構造体を収容する容器とを有してよい。第１の現像部１０４ａ及び第２の現像部１０４ｂの各々は、好ましくは、現像促進のための機構、例えば、導電部付構造体を振とうする振とう器、導電部付構造体に超音波を照射する超音波照射器等のうち１つ以上を有する。第１の現像部１０４ａ及び第２の現像部１０４ｂの各々は、一態様において、現像液と、当該現像液を導電部付構造体に噴霧する噴霧器とで構成されてもよい。

金属配線製造システム１００は、一態様において、現像機構１０４から回収された現像液を再生して再生分散体を生成する現像液再生機構１０５を更に備えてよい。現像液再生機構１０５は、例えば、濃縮装置、希釈装置、混合装置、不純物除去装置、分散装置等であってよい。

金属配線製造システムは、上記した要素に加えて、基材搬送機構、基材洗浄機構等の追加要素を所望に応じて備えてよい。

＜適用例＞
以上説明したように、本実施形態に係る金属配線の製造方法、並びに、乾燥塗膜付構造体又は導電部付構造体と現像液との組み合わせによれば、現像による金属配線の抵抗値の変化を抑えつつ良好な現像性で、金属配線付構造体を製造できる。本実施形態に係る金属配線付構造体は、例えば、電子回路基板等の金属配線材（プリント基板、ＲＦＩＤ、自動車におけるワイヤハーネスの代替など）、携帯情報機器（スマートフォン等）の筐体に形成されたアンテナ、メッシュ電極（静電容量式タッチパネル用電極フィルム）、電磁波シールド材、及び、放熱材料等に好適に適用できる。

以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例及び比較例に限定されるものではない。

＜評価方法＞
［基材の算術平均表面粗さＲａ］
基材の分散体が塗布される面の算術平均表面粗さＲａは以下の方法で測定した。触針式表面形状測定器（Ｂｒｕｋｅｒ社製 ＤｅｋｔａｋＸＴ）と、解析ソフト（Ｖｉｓｉｏｎ６４）を用いて、基材の表面粗さを測定した。測定条件は以下のとおりである。
スキャンタイプ：スタンダードスキャン
レンジ：６５．５μｍ
プロファイル：Ｈｉｌｌｓ＆Ｖａｌｌｅｙｓ
触針タイプ：半径１２．５μｍ
触針力：１ｍｇ
長さ：１０００μｍ
保持時間：５秒
解像度：０．６６６μｍ／ｐｔ
基材表面の形状を測定した後、表面粗さの解析を行った。粗さの解析条件は以下のとおりである。
フィルタータイプ：ガウス回帰
ロングカットオフ：ロングカットオフ適用・スタンダードカットオフ使用（０．２５ｍｍ）
粗さプロファイル：Ｒａ
パラメータ計算：ＩＳＯ４２８７
計算でも用いたサンプル長：自動選択
上記条件で得られた表面粗さの値と、上記測定の方向と直交する方向にて測定した表面粗さの値との平均値を、基材の算術平均表面粗さＲａの値とした。

［金属配線の抵抗値及び現像前後での抵抗値変化］
レーザ光照射によって３つの金属配線が形成された導電部付構造体の各金属配線について、長手方向両端から０．５ｍｍの位置にテスタを当てて抵抗値を測定し、３つの金属配線の数平均値Ｒ_Aを算出した。また、導電部付構造体を現像した後の金属配線についても同様に抵抗値を測定し、３つの金属配線の数平均値Ｒ_Bを算出した。Ｒ_B／Ｒ_Aの値が、１０以下であれば良好、５以下であればより良好、２以下であれば更に良好であると判断した。良好は△、より良好は○、更に良好は◎と表記する。一方、Ｒ_B／Ｒ_Aの値が１０より大きい場合、又は断線により抵抗値が測定できない場合、評価は×と表記する。

［溶解度］
４０ｍｌの現像液に、酸化第一銅粒子（金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分として）の粉末０．１０ｇを投入し、２５℃の室温で６時間静置した。その後、粉末を含む現像液を０．２μｍのフィルターでろ過し、０．１０ｍｏｌ／Ｌの硝酸で１００倍（質量基準）希釈を行った。得られた希釈液を、ＩＣＰ発光装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製）を用いて、金属濃度（単位：ｍｇ／Ｌ）を測定し、溶解度とした。

［表面自由エネルギー］
接触角計（協和界面科学株式会社製、型番ＤＭ７００）を用い、ペンダントドロップ法により測定した。２２Ｇの注射針を装着したシリンジに測定液を充填し、注射針から５μＬの液滴を吐出し、針先の液滴の形状から、Ｙｏｕｎｇ－Ｌａｐｌａｃｅ法を用いて表面自由エネルギーを求めた。

［導電部付構造体の現像性］
現像性は以下の方法で評価した。レーザ光照射工程で作製した導電部付構造体（すなわち銅配線とレーザ光が照射されていない乾燥塗膜とを含む構造体）を、当該構造体全体が浸漬される量の現像液（２３℃）に浸漬し、超音波装置を用いて１分以上３０分以内の時間で超音波を照射し、現像を行った。

現像後の基材のうち、金属配線が存在しない部分を１０ｍｍ角に切り取り、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）用試料台にカーボンテープで貼り付け、コーター（真空デバイス社製 ＭＳＰ－１Ｓ）を用いて白金－パラジウムをコートした。この時、コート条件は、プロセスタイム：１．５分に設定した。コート後の試料について、ＳＥＭ（日立ハイテク社製 ＦｌｅｘＳＥＭ１０００）と、ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分析）装置（オックスフォード・インストゥルメンツ社製 ＡｚｔｅｃＯｎｅ）を用いて、基材表面の塗布金属残存濃度を測定した。この時、電子線の条件は加速電圧：５ｋＶ、スポット強度：８０、フォーカス位置：１０ｍｍとし、試料表面にフォーカスを合わせた後、倍率：２００倍にして、視野全体のマッピング分析を行った。マッピング取得の条件は、解像度：２５６、収集時間：５０フレーム、プロセスタイム：高感度、ピクセルデュエルタイム：１５０μｓ、フレームライブタイム：０：００：０８とした。また、測定元素を、炭素、酸素、窒素、及び塗布された（すなわち分散体が含む）金属元素とし、コーティングに用いた白金及びパラジウムは測定元素に含めないよう指定した。上記の条件で測定を行い、得られた金属元素濃度（質量％）を、現像できずに基材に残った金属の濃度とした。

（現像性評価基準）
上記導電部付構造体の現像性評価において、基材に残った金属の濃度が１４質量％以下であれば良好、２．０質量％以下であれば更に良好であると判断した。良好は○、更に良好は◎と表記する。一方、基材に残った金属の濃度が１４質量％より大きい場合、又は現像操作において明らかに現像液に塗膜が分散せず基材に塗膜が残存している場合は、×と表記する。

＜実施例１＞
［分散体の製造］
水３０２４０ｇ及び１，２－プロピレングリコール（旭硝子製）１３９７６ｇからなる混合溶媒中に、酢酸銅（ＩＩ）一水和物（日本化学産業製）３２２４ｇを溶解し、ヒドラジン水和物（日本ファインケム製）９４０ｇを加えて攪拌した後、遠心分離を用いて上澄みと沈殿物とに分離した。

得られた沈殿物８５８ｇに、リン含有有機化合物としてＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５（商品名、ビックケミー社製）（ＢＹＫ－１４５）１１３ｇ及び分散媒としてｎ－ブタノール（三共化学製）９１６ｇを加え、窒素雰囲気下でホモジナイザを用いて分散し、酸化第一銅（酸化銅（Ｉ））を含む酸化第一銅粒子を含有する分散体を得た。この時、分散体を常圧、６０℃で４．５時間加熱した時の固形分残渣（酸化第一銅粒子）は、３４．７質量％であった。分散体の表面自由エネルギーを測定すると、２６ｍＮ／ｍであった。

［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板（基材として）の表面を、＃１０００の研磨紙を用いて研磨した。研磨後、算術平均表面粗さＲａを測定すると、１８１ｎｍであった。

［分散体の塗布及び乾燥］
研磨後の基材に、超純水中で５分間超音波を照射し、次いでエタノール中で５分間超音波を照射して洗浄を行った。次いで、基材の表面にＵＶオゾン処理を施した後、当該表面に分散体１ｍｌを滴下し、スピンコート（３００ｒｐｍ、３００秒）をした後、６０℃で１時間加熱乾燥を行った。乾燥後、常圧、室温２３℃、相対湿度４０％の室内で１０分間保管し、基材上に乾燥塗膜が形成された試料を得た。

［レーザ光照射］
上記試料を、上面が石英ガラスで構成された、長さ２００ｍｍ×幅１５０ｍｍ×高さ４１ｍｍのボックスに、乾燥塗膜を上側にして配置し、圧縮した空気を分離膜で窒素と酸素に分離し、分離された窒素ガスをボックス内に吹き込み、ボックス内の酸素濃度を０．５質量％以下とした。次いで、ガルバノスキャナーを用いて最大速度２５ｍｍ／秒で焦点位置を基材表面上で動かしながら、レーザ光（中心波長３５５ｎｍ、周波数３００ｋＨｚ、パルス、出力７９ｍＷ）を、走査しながら乾燥塗膜に繰り返し照射し、所望とする長さ５ｍｍ×幅１ｍｍの寸法の銅金属配線を得た。このとき、レーザ光は、走査線幅方向にオーバーラップ率９３．２％となるように移動させながら繰り返し照射した。同様の条件で、更に２つの銅配線を作製し、計３つの銅配線を得た。

［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ１０Ω、１１Ω、９．９Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは１０Ωであった。

［構造体の現像性］
レーザ光照射後の導電部付構造体を、２質量％のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５水溶液（第１の現像液）５０ｍｌ（２３℃）に浸漬し、超音波洗浄器（アズワン社製 ＵＳＤ－４Ｒ）で５分間超音波照射した後、構造体をピンセットで引き上げ、５０ｍｌの超純水で流水洗浄を行った。その後、新たに５質量％のジエチレントリアミン水溶液（第２の現像液）５０ｍｌ（２３℃）に浸漬し、超音波を１分間照射した後、構造体をピンセットで引き上げ、５０ｍｌの超純水で流水洗浄を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、０．２質量％であり、評価は◎であった。

［現像後の配線抵抗］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ１１Ω、１３Ω、１２Ωであり、現像後の抵抗平均値Ｒ_Bは１２Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．１であり、評価は◎であった。

＜実施例２＞
［分散体の製造］
実施例１と同様の方法で分散体を得た。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面を、＃２０００の研磨紙を用いて研磨した。研磨後、算術平均表面粗さＲａを測定すると、２４５ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１に記載の方法で塗布及び乾燥を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ６．５Ω、７．３Ω、７．２Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは７．０Ωであった。
［構造体の現像性］
レーザ光照射後の導電部付構造体を、２質量％のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５水溶液（第１の現像液）５０ｍｌ（２３℃）に浸漬し、超音波洗浄器（アズワン社製 ＵＳＤ－４Ｒ）で５分間超音波照射した後、構造体をピンセットで引き上げ、５０ｍｌの超純水で流水洗浄を行った。その後、新たにエタノール（第２の現像液）５０ｍｌ（２３℃）に浸漬し、超音波を５分間照射した後、構造体をピンセットで引き上げ、５０ｍｌの超純水で流水洗浄を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、８．６質量％であり、評価は〇であった。
［現像後の配線抵抗］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ８．９Ω、７．３Ω、７．３Ωであり、現像後の抵抗平均値Ｒ_Bは７．８Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．１であり、評価は◎であった。

＜実施例３＞
［分散体の製造］
実施例１と同様の方法で分散体を得た。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面を、＃２０００の研磨紙を用いて研磨した。研磨後、算術平均表面粗さＲａを測定すると、２６７ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１に記載の方法で塗布及び乾燥を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ４．８Ω、６．２Ω、５．７Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは５．６Ωであった。
［構造体の現像性］
第１の現像液を０．１質量％のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５水溶液としたこと、及び第１の現像液での超音波照射時間を１分間としたこと以外は、実施例１に記載の方法で現像操作を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、２．３質量％であり、評価は〇であった。
［現像後の配線抵抗］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ６．８Ω、５．５Ω、７．４Ωであり、現像後の抵抗平均値Ｒ_Bは６．６Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．２であり、評価は◎であった。

＜実施例４＞
［分散体の製造］
実施例１と同様の方法で分散体を得た。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面を、＃２０００の研磨紙を用いて研磨した。研磨後、算術平均表面粗さＲａを測定すると、１８５ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１に記載の方法で塗布及び乾燥を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ９．０Ω、１２Ω、８．３Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは９．９Ωであった。
［構造体の現像性］
第１の現像液を２０質量％のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５水溶液としたこと、及び第１の現像液での超音波照射時間を１分間としたこと以外は、実施例１に記載の方法で現像操作を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、４．２質量％であり、評価は〇であった。
［現像後の配線抵抗］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ１１Ω、２７Ω、８．５Ωであり、現像後の抵抗平均値Ｒ_Bは１６Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．６であり、評価は◎であった。

＜実施例５＞
［分散体の製造］
実施例１と同様の方法で分散体を得た。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面を、＃２０００の研磨紙を用いて研磨した。研磨後、算術平均表面粗さＲａを測定すると、２３５ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１に記載の方法で塗布及び乾燥を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ１９Ω、２１Ω、２６Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは２２Ωであった。
［構造体の現像性］
レーザ光照射後の導電部付構造体を、２０質量％のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５水溶液（第１の現像液）５０ｍｌ（２３℃）に浸漬し、超音波洗浄器（アズワン社製 ＵＳＤ－４Ｒ）で１分間超音波照射した後、構造体をピンセットで引き上げ、５０ｍｌの超純水で流水洗浄を行った。その後、新たに５質量％のジエチレントリアミン水溶液（第２の現像液）５０ｍｌ（２３℃）に構造体を浸漬し、超音波を１分間照射した後、構造体をピンセットで引き上げ、５０ｍｌの超純水で流水洗浄を行った。さらに、新たに５質量％のジエチレントリアミン水溶液（第３の現像液）５０ｍｌ（２３℃）に構造体を浸漬し、超音波を１分間照射した後、構造体をピンセットで引き上げ、５０ｍｌの超純水で流水洗浄を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、０．４質量％であり、評価は◎であった。
［現像後の配線抵抗］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ２５Ω、３４Ω、３１Ωであり、現像後の抵抗平均値Ｒ_Bは３０Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．４であり、評価は◎であった。

＜実施例６＞
［分散体の製造］
水３０２４０ｇ及び１，２－プロピレングリコール（旭硝子製）１３９８０ｇからなる混合溶媒中に、酢酸銅（ＩＩ）一水和物（日本化学産業製）３２３０ｇを溶解し、ヒドラジン水和物（日本ファインケム製）９４０ｇを加えて窒素雰囲気下で攪拌した後、遠心分離を用いて上澄みと沈殿物とに分離した。
得られた沈殿物３８ｇに混合用液８７ｇを加え、窒素雰囲気下でホモジナイザを用いて分散し、酸化第一銅（酸化銅（Ｉ））を含む酸化第一銅粒子を含有する分散体を得た。なお上記の混合用液は、リン含有有機化合物としてＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１１８（商品名、ビックケミー社製）（ＢＹＫ－１１８）１３１ｇに、分散媒としてミックスエタール（三共化学製）８ｇを加えて調製した。分散体を常圧、６０℃で４．５時間加熱した時の固形分残渣（酸化第一銅粒子）は、２６．２質量％であった。

［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面を、＃２０００の研磨紙を用いて研磨した。研磨後、算術平均表面粗さＲａを測定すると、２０５ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１に記載の方法で塗布及び乾燥を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ１３Ω、２１Ω、３１Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは２２Ωであった。
［構造体の現像性］
第１の現像液を２質量％のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１１８水溶液としたこと、及び第１の現像液での超音波照射時間を１分間としたこと以外は、実施例１に記載の方法で現像操作を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、４．６質量％であり、評価は〇であった。
［現像後の配線抵抗］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ１７Ω、２７Ω、３７Ωであり、現像後の抵抗平均値Ｒ_Bは２７Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．２であり、評価は◎であった。

＜実施例７＞
［分散体の製造］
実施例１と同様の方法で分散体を得た。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面を、＃２０００の研磨紙を用いて研磨した。研磨後、算術平均表面粗さＲａを測定すると、２０８ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１に記載の方法で塗布及び乾燥を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ１０Ω、４．０Ω、５．８Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは６．６Ωであった。
［構造体の現像性］
第１の現像液を、２質量％のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５エタノール溶液（第１の現像液）としたこと、及び第１の現像液での超音波照射時間を１分間としたこと以外は、実施例１に記載の方法で現像操作を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、５．１質量％であり、評価は〇であった。
［現像後の配線抵抗］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ１８Ω、１３Ω、６．２Ωであり、現像後の抵抗平均値Ｒ_Bは１２Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．９であり、評価は◎であった。

＜実施例８＞
［分散体の製造］
実施例１と同様の方法で分散体を得た。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面を、＃２０００の研磨紙を用いて研磨した。研磨後、算術平均表面粗さＲａを測定すると、２８５ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１に記載の方法で塗布及び乾燥を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ１０Ω、７．５Ω、６．５Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは８．０Ωであった。
［構造体の現像性］
第１の現像液での超音波照射時間を１分間としたこと、及び第２の現像液を５質量％の２－アミノエタノール水溶液にしたこと以外は、実施例１に記載の方法で現像操作を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、２．８質量％であり、評価は〇であった。
［現像後の配線抵抗］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ２３Ω、７．４Ω、１１Ωであり、現像後の抵抗平均値Ｒ_Bは１４Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．７であり、評価は◎であった。

＜実施例９＞
［分散体の製造］
実施例１と同様の方法で分散体を得た。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面を、＃２０００の研磨紙を用いて研磨した。研磨後、算術平均表面粗さＲａを測定すると、１７５ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１に記載の方法で塗布及び乾燥を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ６．５Ω、７．１Ω、６．５Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは６．７Ωであった。
［構造体の現像性］
第１の現像液を、２質量％のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１１８水溶液としたこと、及び第１の現像液での超音波照射時間を１分間としたこと以外は、実施例１に記載の方法で現像操作を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、６．３質量％であり、評価は〇であった。
［現像後の配線抵抗］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ８．５Ω、７．８Ω、８．２Ωであり、現像後の抵抗平均値Ｒ_Bは８．２Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．２であり、評価は◎であった。

＜実施例１０＞
［分散体の製造］
実施例１と同様の方法で分散体を得た。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面を、＃２０００の研磨紙を用いて研磨した。研磨後、算術平均表面粗さＲａを測定すると、２２７ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１に記載の方法で塗布及び乾燥を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ１０Ω、９．８Ω、２３Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは１４Ωであった。
［構造体の現像性］
第１の現像液での超音波照射時間を１分間としたこと、及び第２の現像液を５質量％のＮ－メチルジエタノールアミン水溶液としたこと以外は、実施例１に記載の方法で現像操作を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、９．４質量％であり、評価は〇であった。
［現像後の配線抵抗］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ１３Ω、１２Ω、２３Ωであり、現像後の抵抗平均値Ｒ_Bは１６Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．１であり、評価は◎であった。

＜実施例１１＞
［分散体の製造］
実施例１と同様の方法で分散体を得た。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面を、＃２０００の研磨紙を用いて研磨した。研磨後、算術平均表面粗さＲａを測定すると、１３９ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１に記載の方法で塗布及び乾燥を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ３．３Ω、２．４Ω、５．７Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは３．８Ωであった。
［構造体の現像性］
第２の現像液を２質量％のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５水溶液としたこと、及び第２の現像液での超音波照射時間を１５分間としたこと以外は、実施例１に記載の方法で現像操作を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、２．０質量％であり、評価は◎であった。
［現像後の配線抵抗］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ２１Ω、１３Ω、１６Ωであり、現像後の抵抗平均値Ｒ_Bは１７Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは４．５であり、評価は○であった。

＜実施例１２＞
［分散体の製造］
実施例１と同様の方法で分散体を得た。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面を、＃２０００の研磨紙を用いて研磨した。研磨後、算術平均表面粗さＲａを測定すると、２１２ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１に記載の方法で塗布及び乾燥を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ１１Ω、１８Ω、１８Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは１６Ωであった。
［構造体の現像性］
第１の現像液を超純水としたこと、第１の現像液での超音波照射時間を１分間としたこと、及び第２の現像液を２質量％のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５水溶液としたこと以外は、実施例１に記載の方法で現像操作を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、８．９質量％であり、評価は〇であった。
［現像後の配線抵抗］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ２６Ω、２７Ω、１６Ωであり、現像後の抵抗平均値Ｒ_Bは２２Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．４であり、評価は◎であった。

［再生分散体の調製］
現像操作後の第１の現像液を回収した後、８０℃で８ｍｌまで加熱濃縮し、再生分散体を得た。
［再生分散体の塗布及び乾燥］
上記再生分散体１ｍｌを、Ｒａが６ｎｍのＡＢＳ基板に滴下し、８０℃で６０分加熱乾燥を行った。乾燥後、常圧、室温２３℃、相対湿度４０％の室内で１０分間保管し、基材上に乾燥塗膜が形成された試料を得た。
［レーザ光照射］
出力を１３５ｍＷとし、銅配線を１つだけ作製したこと以外は、実施例１と同様の方法でレーザ光を照射した。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、１．０Ωであり、再生分散体を用いて導通する金属配線が得られた。

＜実施例１３＞
［分散体の製造］
水３０２４０ｇ及び１，２－プロピレングリコール（旭硝子製）１３９７６ｇからなる混合溶媒中に、酢酸銅（ＩＩ）一水和物（日本化学産業製）３２２４ｇを溶解し、ヒドラジン水和物（日本ファインケム製）９４０ｇを加えて攪拌した後、遠心分離を用いて上澄みと沈殿物とに分離した。
得られた沈殿物３８８ｇに、リン含有有機化合物としてＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５（商品名、ビックケミー社製）（ＢＹＫ－１４５）５１ｇ及び分散媒としてｎ－ブタノール（三共化学製）４１５ｇを加え、窒素雰囲気下でホモジナイザを用いて分散し、酸化第一銅（酸化銅（Ｉ））を含む酸化第一銅粒子を含有する分散体を得た。さらに、得られた分散体７８８ｇに、ＢＹＫ－１４５を７．３ｇ、ｎ－ブタノールを１１５ｇ加え、窒素雰囲気下でホモジナイザを用いて分散し、狙いの分散体を得た。この時、分散体を常圧、６０℃で４．５時間加熱した時の固形分残渣（酸化第一銅粒子）は、３５．９質量％であった。分散体の表面自由エネルギーを測定すると、２３ｍＮｍであった。

［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのポリカーボネート（ＰＣ）基板を、研磨せずに用いた。算術平均表面粗さＲａを測定すると、４ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
研磨後の基材に、超純水中で５分間超音波を照射し、次いでエタノール中で５分間超音波を照射して洗浄を行った。次いで、基材の表面にＵＶオゾン処理を施した後、当該表面に分散体１ｍｌを滴下し、６０℃で２時間加熱乾燥を行った。乾燥後、常圧、室温２３℃、相対湿度４０％の室内で１０分間保管し、基材上に乾燥塗膜が形成された試料を得た。
［レーザ光照射］
出力を３９５ｍＷとしたこと以外は、実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ０．１７Ω、０．１７Ω、０．１８Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは０．１７Ωであった。
［構造体の現像性］
第１の現像液を濃度０．１質量％のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５水溶液３０ｍｌとしたこと、第２の現像液量を３０ｍｌとしたこと、第２の現像液での超音波照射時間を５分間としたこと以外は、実施例１に記載の方法で現像操作を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、０．２質量％であり、評価は◎であった。
［現像後の配線抵抗］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ０．１６Ω、０．１５Ω、０．１５Ωであり、現像後の抵抗平均値Ｒ_Bは０．１５Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは０．９であり、評価は◎であった。
［再生分散体の調製］
現像操作後の第１の現像液を回収した後、６０℃で１０ｍｌまで加熱濃縮し、再生分散体を得た。
［再生分散体の塗布及び乾燥］
上記再生分散体１ｍｌを、Ｒａが３ｎｍのＰＣ基板に滴下し、６０℃で３０分加熱乾燥を行った。乾燥後、常圧、室温２３℃、相対湿度４０％の室内で１０分間保管し、基材上に乾燥塗膜が形成された試料を得た。
［レーザ光照射］
出力を１３５ｍＷとし、銅配線を１つだけ作製したこと以外は、実施例１と同様の方法でレーザ光を照射した。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、１．１Ωであり、再生分散体を用いて導通する金属配線を得た。

＜実施例１４＞
［分散体の製造］
実施例１と同様の方法で分散体を製造した。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面の研磨を行わなかった。算術平均表面粗さＲａを測定すると、２５６ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１と同様の方法で塗布を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗測定］
前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ６．３Ω、６．５Ω、８．４Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは７．１Ωであった。
［構造体の現像性］
レーザ光照射後の導電部付構造体を、超純水５０ｍｌ（２３℃）に浸漬し、超音波洗浄器（アズワン社製 ＵＳＤ－４Ｒ）で５分間超音波照射した後、構造体をピンセットで引き上げ、５０ｍｌの超純水で流水洗浄を行った。その後、新たに超純水５０ｍｌ（２３℃）に浸漬し、超音波を５分間照射した後、構造体をピンセットで引き上げ、５０ｍｌの超純水で流水洗浄を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、１３．３質量％であり、評価は○であった。
［現像後の配線抵抗測定］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ６．６Ω、７．５Ω、８．９Ωであり、平均値は７．７Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．１であり、評価は◎であった。

＜実施例１５＞
［分散体の製造］
実施例１と同様の方法で分散体を製造した。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面の研磨を行わなかった。算術平均表面粗さＲａを測定すると、２３６ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１と同様の方法で塗布を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗測定］
前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ３６Ω、３５Ω、２８Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは３３Ωであった。
［構造体の現像性］
第１の現像での超音波照射時間を１分間としたこと、及び第２の現像液を超純水としたこと以外は、実施例１に記載の方法で現像操作を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、１０．４質量％であり、評価は〇であった。
［現像後の配線抵抗測定］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ４１Ω、３１Ω、３３Ωであり、平均値は３７Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．１であり、評価は◎であった。

＜実施例１６＞
［分散体の製造］
実施例１３と同様の方法で分散体を製造した。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面を＃２０００の研磨紙を用いて研磨した。研磨後、算術平均表面粗さＲａを測定すると、１８６ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１３と同様の方法で塗布を行った。
［レーザ光照射］
実施例１３と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗測定］
前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ０．１８Ω、０．１７Ω、０．１７Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは０．１７Ωであった。
［構造体の現像性］
実施例１３と同様の方法で現像操作を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、０．１質量％であり、評価は◎であった。
［現像後の配線抵抗測定］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ０．１９Ω、０．１５Ω、０．１５Ωであり、現像後の抵抗平均値Ｒ_Bは０．１６Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは０．９であり、評価は◎であった。
［再生分散体の調製］
現像操作後の第１の現像液を回収した後、６０℃で１０ｍｌまで加熱濃縮し、再生分散体を得た。
［再生分散体の塗布及び乾燥］
上記再生分散体１ｍｌを、Ｒａが６ｎｍのＡＢＳ基板に滴下し、８０℃で６０分加熱乾燥を行った。乾燥後、常圧、室温２３℃、相対湿度４０％の室内で１０分間保管し、基材上に乾燥塗膜が形成された試料を得た。
［レーザ光照射］
出力を１３５ｍＷとし、銅配線を１つだけ作製したこと以外は、実施例１と同様の方法でレーザ光を照射した。
［レーザ光照射後の配線抵抗］
得られた金属配線の抵抗を前述の方法で測定したところ、１．０Ωであり、再生分散体を用いて導通する金属配線が得られた。

＜比較例１＞
［分散体の製造］
実施例１と同様の方法で分散体を製造した。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面の研磨を行わなかった。算術平均表面粗さＲａを測定すると、２３０ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１と同様の方法で塗布を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗測定］
前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ５．５Ω、４．６Ω、５．０Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは５．０Ωであった。
［構造体の現像性］
レーザ光照射後の導電部付構造体を、超純水５０ｍｌ（２３℃）に浸漬し、超音波洗浄器（アズワン社製 ＵＳＤ－４Ｒ）で５分間超音波照射した後、構造体をピンセットで引き上げ、５０ｍｌの超純水で流水洗浄を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、１４．３質量％であり、評価は×であった。
［現像後の配線抵抗測定］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ６．５Ω、６．８Ω、５．９Ωであり、平均値は６．４Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．３であり、評価は◎であった。

＜比較例２＞
［分散体の製造］
実施例１と同様の方法で分散体を製造した。
［基材の研磨］
幅×奥行き×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのＡＢＳ基板の表面の研磨を行わなかった。算術平均表面粗さＲａを測定すると、３２７ｎｍであった。
［分散体の塗布及び乾燥］
実施例１と同様の方法で塗布を行った。
［レーザ光照射］
実施例１と同様の方法でレーザ光照射を行った。
［レーザ光照射後の配線抵抗測定］
前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ２１Ω、１５Ω、２７Ωであり、現像前の抵抗平均値Ｒ_Aは２１Ωであった。
［構造体の現像性］
第１の現像液を２５質量％のＤＩＳＰＥＲＢＹＫ－１４５水溶液としたこと、第１の現像での超音波照射時間を１分間としたこと、及び第２の現像を行わなかったこと以外は、実施例１に記載の方法で現像操作を行った。
上記現像操作の後、前述の方法で基材上の金属配線が存在しない部分の銅濃度測定を行った結果、１８．０質量％であり、評価は×であった。
［現像後の配線抵抗測定］
現像操作後に前述の方法で抵抗を測定したところ、３つの銅配線について、それぞれ１４Ω、１６Ω、３４Ωであり、平均値は２１Ωであった。これより、Ｒ_B／Ｒ_Aは１．０であり、評価は◎であった。

以上の結果をまとめると表１及び２のようになり、現像性のレベルは実施例１、５、１１、１３、１６が最も良好であり、次に実施例２～４、６～１０、１２、１４、１５であった。比較例１及び２は現像後の基材に残存する銅の濃度が高く、現像が十分でなかった。

本発明によれば、現像工程において未露光部の金属粒子及び／又は金属酸化物粒子を効率的に除去できるとともに、現像前後での抵抗値の変化が少ないため、例えば、後続のメッキ工程におけるパターン外析出、マイグレーションによる短絡等の問題を回避できる低抵抗の金属配線付構造体を提供できる。また、本発明の特定の態様によれば、現像液を再利用することにより廃棄物を減らすことができる。

このような金属配線付構造体は、電子回路基板等の金属配線材、メッシュ電極、電磁波シールド材、及び、放熱材料等に好適に利用できる。

Ｒ１ 第１の走査線
Ｒ２ 第２の走査線
Ｓ１ 幅
Ｓ２ 幅
１１，２１，３１ 容器
１２，２２，３２ 治具
１２ａ ラック部
２２ａ，３２ａ 窪み部
１３，２３，３３ 導電部付構造体
１３ａ，２３ａ，３３ａ 基材
１３ｂ，２３ｂ，３３ｂ 照射後塗膜
１００ 金属配線製造システム
１０１ 塗布機構
１０２ 乾燥機構
１０３ レーザ光照射機構
１０４ 現像機構
１０４ａ 第１の現像部
１０４ｂ 第２の現像部
１０５ 現像液再生機構

Claims (34)

1. 基材の表面上に、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含む分散体を塗布して分散体層を形成する塗布工程と、
   前記分散体層を乾燥させて前記基材と前記基材上に配置された乾燥塗膜とを有する乾燥塗膜付構造体を形成する乾燥工程と、
   前記乾燥塗膜にレーザ光を照射して金属配線を形成するレーザ光照射工程と、
   前記乾燥塗膜の前記金属配線以外の領域を現像液で現像除去する現像工程と、を備え、
   前記現像工程が、
   （１）第１の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第１の現像処理、及び
   （２）第２の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第２の現像処理、
   を含み、
   前記第１の現像液及び前記第２の現像液のそれぞれが、水及び／又は有機溶媒を含み、
   前記第１の現像液の表面自由エネルギーと前記分散体の表面自由エネルギーとの差が、０ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下である、金属配線の製造方法。
2. 前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度が、前記第１の現像液に対する前記粒子成分の溶解度よりも高い、請求項１に記載の金属配線の製造方法。
3. 前記粒子成分が、銅粒子及び／又は酸化銅粒子である、請求項１又は２に記載の金属配線の製造方法。
4. 前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度の値が０．１ｍｇ／Ｌ以上１００００ｍｇ／Ｌ以下である、請求項３に記載の金属配線の製造方法。
5. 基材の表面上に、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含む分散体を塗布して分散体層を形成する塗布工程と、
   前記分散体層を乾燥させて前記基材と前記基材上に配置された乾燥塗膜とを有する乾燥塗膜付構造体を形成する乾燥工程と、
   前記乾燥塗膜にレーザ光を照射して金属配線を形成するレーザ光照射工程と、
   前記乾燥塗膜の前記金属配線以外の領域を現像液で現像除去する現像工程と、を備え、
   前記現像工程が、
   （１）第１の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第１の現像処理、及び
   （２）第２の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第２の現像処理、
   を含み、
   前記第１の現像液及び前記第２の現像液のそれぞれが、水及び／又は有機溶媒を含み、
   前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度が、前記第１の現像液に対する前記粒子成分の溶解度よりも高い、金属配線の製造方法。
6. 前記粒子成分が、銅粒子及び／又は酸化銅粒子である、請求項５に記載の金属配線の製造方法。
7. 前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度の値が０．１ｍｇ／Ｌ以上１００００ｍｇ／Ｌ以下である、請求項６に記載の金属配線の製造方法。
8. 基材の表面上に、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含む分散体を塗布して分散体層を形成する塗布工程と、
   前記分散体層を乾燥させて前記基材と前記基材上に配置された乾燥塗膜とを有する乾燥塗膜付構造体を形成する乾燥工程と、
   前記乾燥塗膜にレーザ光を照射して金属配線を形成するレーザ光照射工程と、
   前記乾燥塗膜の前記金属配線以外の領域を現像液で現像除去する現像工程と、を備え、
   前記現像工程が、
   （１）第１の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第１の現像処理、及び
   （２）第２の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第２の現像処理、
   を含み、
   前記第１の現像液及び前記第２の現像液のそれぞれが、水及び／又は有機溶媒を含み、
   前記粒子成分が、銅粒子及び／又は酸化銅粒子であり、
   前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度の値が０．１ｍｇ／Ｌ以上１００００ｍｇ／Ｌ以下である、金属配線の製造方法。
9. 前記第１の現像液が、水及び／又はアルコール系溶媒を含み、
   前記第２の現像液が、有機溶媒を含む、請求項１～８のいずれか一項に記載の金属配線の製造方法。
10. 前記第１の現像液及び／又は前記第２の現像液がアルコール系溶媒を含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の金属配線の製造方法。
11. 前記第１の現像液及び／又は前記第２の現像液がアミン系溶媒を含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載の金属配線の製造方法。
12. 前記アミン系溶媒が、ジエチレントリアミン及び／又は２－アミノエタノールを含む、請求項１１に記載の金属配線の製造方法。
13. 前記第１の現像液及び／又は前記第２の現像液が、０．１質量％以上２０質量％以下の分散剤（Ａ）を含む、請求項１～１２のいずれか一項に記載の金属配線の製造方法。
14. 前記分散剤（Ａ）がリン含有有機化合物である、請求項１３に記載の金属配線の製造方法。
15. 前記分散体が分散剤（Ｂ）を含み、前記分散剤（Ａ）と前記分散剤（Ｂ）との主成分が同種である、請求項１３又は１４に記載の金属配線の製造方法。
16. 前記現像工程の後に、使用済現像液を回収する工程を含む、請求項１～１５のいずれか一項に記載の金属配線の製造方法。
17. 前記分散体が、前記現像工程の後に回収した使用済現像液を含む液から調製される、請求項１～１６のいずれか一項に記載の金属配線の製造方法。
18. 乾燥塗膜付構造体と現像液とを含むキットであって、
    前記乾燥塗膜付構造体が、基材と、前記基材の表面上に配置された、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含む乾燥塗膜とを有し、
    前記現像液が、第１の現像液及び第２の現像液を含み、
    前記第１の現像液及び前記第２の現像液のそれぞれが、水及び／又は有機溶媒を含み、
    前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度が、前記第１の現像液に対する前記粒子成分の溶解度よりも高い、キット。
19. 前記粒子成分が、銅粒子及び／又は酸化銅粒子である、請求項１８に記載のキット。
20. 前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度の値が０．１ｍｇ／Ｌ以上１００００ｍｇ／Ｌ以下である、請求項１９に記載のキット。
21. 乾燥塗膜付構造体と現像液とを含むキットであって、
    前記乾燥塗膜付構造体が、基材と、前記基材の表面上に配置された、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含む乾燥塗膜とを有し、
    前記現像液が、第１の現像液及び第２の現像液を含み、
    前記第１の現像液及び前記第２の現像液のそれぞれが、水及び／又は有機溶媒を含み、
    前記粒子成分が、銅粒子及び／又は酸化銅粒子であり、
    前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度の値が０．１ｍｇ／Ｌ以上１００００ｍｇ／Ｌ以下である、キット。
22. 前記有機溶媒が、アルコール系溶媒である、請求項１８～２１のいずれか一項に記載のキット。
23. 前記第１の現像液及び／又は前記第２の現像液が、０．１質量％以上２０質量％以下の分散剤（Ａ）を含む、請求項１８～２２のいずれか一項に記載のキット。
24. 前記乾燥塗膜が分散剤（Ｂ）を含み、前記分散剤（Ａ）と前記分散剤（Ｂ）との主成分が同種である、請求項２３に記載のキット。
25. 基材の表面上に、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含む分散体を塗布して分散体層を形成する塗布機構と、
    前記分散体層を乾燥させて前記基材と前記基材上に配置された乾燥塗膜とを有する乾燥塗膜付構造体を形成する乾燥機構と、
    前記乾燥塗膜にレーザ光を照射して金属配線を形成するレーザ光照射機構と、
    前記乾燥塗膜の前記金属配線以外の領域を現像液で現像除去する現像機構と、
    を備える金属配線製造システムであって、
    前記現像機構が、
    （１）第１の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第１の現像部、及び
    （２）第２の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第２の現像部、
    を有し、
    前記第１の現像液及び前記第２の現像液のそれぞれが、水及び／又は有機溶媒を含み、
    前記第１の現像液の表面自由エネルギーと前記分散体の表面自由エネルギーとの差が、０ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下である、金属配線製造システム。
26. 前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度が、前記第１の現像液に対する前記粒子成分の溶解度よりも高い、請求項２５に記載の金属配線製造システム。
27. 前記粒子成分が、銅粒子及び／又は酸化銅粒子である、請求項２５又は２６に記載の金属配線製造システム。
28. 前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度の値が０．１ｍｇ／Ｌ以上１００００ｍｇ／Ｌ以下である、請求項２７に記載の金属配線製造システム。
29. 基材の表面上に、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含む分散体を塗布して分散体層を形成する塗布機構と、
    前記分散体層を乾燥させて前記基材と前記基材上に配置された乾燥塗膜とを有する乾燥塗膜付構造体を形成する乾燥機構と、
    前記乾燥塗膜にレーザ光を照射して金属配線を形成するレーザ光照射機構と、
    前記乾燥塗膜の前記金属配線以外の領域を現像液で現像除去する現像機構と、
    を備える金属配線製造システムであって、
    前記現像機構が、
    （１）第１の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第１の現像部、及び
    （２）第２の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第２の現像部、
    を有し、
    前記第１の現像液及び前記第２の現像液のそれぞれが、水及び／又は有機溶媒を含み、
    前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度が、前記第１の現像液に対する前記粒子成分の溶解度よりも高い、金属配線製造システム。
30. 前記粒子成分が、銅粒子及び／又は酸化銅粒子である、請求項２９に記載の金属配線製造システム。
31. 前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度の値が０．１ｍｇ／Ｌ以上１００００ｍｇ／Ｌ以下である、請求項３０に記載の金属配線製造システム。
32. 基材の表面上に、金属粒子及び／又は金属酸化物粒子である粒子成分を含む分散体を塗布して分散体層を形成する塗布機構と、
    前記分散体層を乾燥させて前記基材と前記基材上に配置された乾燥塗膜とを有する乾燥塗膜付構造体を形成する乾燥機構と、
    前記乾燥塗膜にレーザ光を照射して金属配線を形成するレーザ光照射機構と、
    前記乾燥塗膜の前記金属配線以外の領域を現像液で現像除去する現像機構と、
    を備える金属配線製造システムであって、
    前記現像機構が、
    （１）第１の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第１の現像部、及び
    （２）第２の現像液によって前記乾燥塗膜を現像する第２の現像部、
    を有し、
    前記第１の現像液及び前記第２の現像液のそれぞれが、水及び／又は有機溶媒を含み、
    前記粒子成分が、銅粒子及び／又は酸化銅粒子であり、
    前記第２の現像液に対する前記粒子成分の溶解度の値が０．１ｍｇ／Ｌ以上１００００ｍｇ／Ｌ以下である、金属配線製造システム。
33. 前記有機溶媒が、アルコール系溶媒である、請求項２５～３２のいずれか一項に記載の金属配線製造システム。
34. 前記第１の現像液及び／又は前記第２の現像液が、０．１質量％以上２０質量％以下の分散剤（Ａ）を含む、請求項２５～３３のいずれか一項に記載の金属配線製造システム。

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