JP7666332B2 - ポリイミド樹脂、感光性樹脂組成物、樹脂膜及び電子装置 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明は以下のポリイミド樹脂、感光性樹脂組成物、樹脂膜及び電子装置を提供するものである。
{一般式(I)中、Eは、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、及びオルガノシロキサン基からなる群から選択される少なくとも1種の基を有し、炭素数2~39の2価の基である。Qは以下一般式(II)で示される構造を60モル%以上含み、一般式(II)で示される構造以外にも、環状構造、非環状構造、又は環状構造と非環状構造とを有する炭素数4以上10以下の4価の基を含んでいてもよい。nは繰り返し単位数を示す。一般式(I)の末端は、下記式(III)若しくは式(IV)で示される基、又は水素原子のいずれかであって、末端の少なくとも一方は式(III)若しくは式(IV)で示される基である:
[一般式(II)中、Xは単結合、及び炭素数6~30の二価の芳香族炭化水素基からなる群から選択される1種を示す。Xで表される二価の芳香族炭化水素基は置換基によって置換されていてもよく、上記炭素数は芳香環を形成する炭素数を示す。Xが単結合の場合、複数のR1はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、水酸基若しくはニトロ基を示すか、又は同一の炭素原子に結合する2つのR1基によりメチリデン基(=CH2)を示す。Xが二価の芳香族炭化水素基の場合には、複数のR1はそれぞれ独立に、水素原子及び炭素数1~10のアルキル基よりなる群から選択される少なくとも1種を示す。複数のR2はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基を示す。mは0~4の整数を示す。*は結合手を示す。]
[一般式(III)及び(IV)中、X11及びX22はそれぞれ独立に、炭素数2~15の基であり、エステル結合及び二重結合からなる群から選択される少なくとも1つの基を有してもよい。Y1及びY2はそれぞれ独立に、水素原子またはメチル基である。]}
[2]前記変性ポリイミド樹脂の重量平均分子量が70,000以下である、上記[1]に記載の変性ポリイミド樹脂。
[3]前記変性ポリイミド樹脂の重量平均分子量が5,000以上である、上記[1]又は[2]に記載の変性ポリイミド樹脂。
[4]前記変性ポリイミド樹脂の波長200~400nmのいずれかにおける光線透過率が50%以上である、上記[1]~[3]のいずれか1つに記載の変性ポリイミド樹脂。
[一般式(1)中、Xは単結合、及び炭素数6~30の二価の芳香族炭化水素基からなる群から選択される1種を示す。Xで表される二価の芳香族炭化水素基は置換基によって置換されていてもよく、上記炭素数は芳香環を形成する炭素数を示す。Xが単結合の場合、複数のR1はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、水酸基若しくはニトロ基を示すか、又は同一の炭素原子に結合する2つのR1基によりメチリデン基(=CH2)を示す。Xが二価の芳香族炭化水素基の場合には、複数のR1はそれぞれ独立に、水素原子及び炭素数1~10のアルキル基よりなる群から選択される少なくとも1種を示す。複数のR2はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基を示す。mは0~4の整数を示す。]
[6]前記構成単位Bが、以下の式で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種の化合物に由来する構成単位B1を含む、上記[5]に記載のポリイミド樹脂。
[7]前記構成単位Bが、以下の式で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種の化合物に由来する構成単位B2を含む、上記[5]又は[6]に記載のポリイミド樹脂。
[8]前記構成単位B2が式(2)で表される化合物に由来する構成単位を含む、上記[7]に記載のポリイミド樹脂。
[9]前記構成単位Bとして、前記構成単位B1又は前記構成単位B2を60モル%以上含む、上記[6]~[8]のいずれか1つに記載のポリイミド樹脂。
[10]重量平均分子量が70,000以下である、上記[5]~[9]のいずれか1つに記載のポリイミド樹脂。
[12]上記[11]に記載のポリイミドワニスを成形加工して得られる、成形体。
[13]膜状、フィルム状又はシート状である、上記[12]に記載の成形体。
[14]上記[1]~[4]のいずれか1つに記載の変性ポリイミド樹脂(A)及び上記[5]~[10]のいずれか1つに記載のポリイミド樹脂から選択される少なくとも一種のポリイミド樹脂と、光重合開始剤、溶剤、及び光重合性化合物からなる群から選択される少なくとも1種(B)とを含む、感光性樹脂組成物。
[15]前記光重合性化合物が多官能ラジカル重合性モノマーを含む、上記[14]に記載の感光性樹脂組成物。
[16]増感剤をさらに含む、上記[14]又は[15]に記載の感光性樹脂組成物。
[17]波長365nm未満の波長をカットした高圧水銀灯の光を露光量1,500~2,500mJ/cm2の条件下で露光した後の未露光部の残膜率が40%以下である、上記[14]~[16]のいずれか1つに記載の感光性樹脂組成物。
[18]絶縁膜形成用である、上記[14]~[17]のいずれか1つに記載の感光性樹脂組成物。
[19]上記[14]~[18]のいずれか1つに記載の感光性樹脂組成物又は前記感光性樹脂組成物の硬化物からなる、樹脂膜。
[20]膜厚が10~85μmである、上記[19]に記載の樹脂膜。
[21]上記[20]に記載の樹脂膜を備える電子装置。
<構成単位A>
本実施形態のポリイミド樹脂は、テトラカルボン酸二無水物に由来する構成単位Aと、ジアミン化合物に由来する構成単位Bとを含むポリイミド樹脂であって、上記構成単位Aが、下記式(1)で表される化合物に由来する構成単位を60モル%以上の比率で含むことを特徴とする。
[一般式(1)中、Xは単結合、及び炭素数6~30の二価の芳香族炭化水素基からなる群から選択される1種を示し、好ましくは炭素数6~30の二価の芳香族炭化水素基である。Xで表される二価の芳香族炭化水素基は置換基によって置換されていてもよく、上記炭素数は芳香環を形成する炭素数を示す。Xが単結合の場合、複数のR1はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、水酸基若しくはニトロ基を示すか、又は同一の炭素原子に結合する2つのR1基によりメチリデン基(=CH2)を示す。Xが二価の芳香族炭化水素基の場合には、複数のR1はそれぞれ独立に、水素原子及び炭素数1~10のアルキル基よりなる群から選択される少なくとも1種を示す。複数のR2はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基を示す。mは0~4の整数を示す。]
上記式(1)で表される化合物としては、Xが前記二価の芳香族炭化水素基であり、かつ、上記式(1)中の複数のR1及びR2がいずれも水素原子である化合物が好ましく、Xがベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、トリフェニレン、ピレン、クリセン、ビフェニル、ターフェニル、クオターフェニル、及びキンクフェニルからなる群から選択される芳香族系化合物から2つの水素原子が脱離した芳香族炭化水素基であり、かつ、上記式(1)中の複数のR1及びR2がいずれも水素原子である化合物がより好ましく、Xがベンゼンから2つの水素原子が脱離した芳香族炭化水素基であり、かつ、上記式(1)中の複数のR1及びR2がいずれも水素原子である化合物がさらに好ましく、Xがベンゼンのパラ位から2つの水素原子が脱離した芳香族炭化水素基(すなわち1,4-フェニレン基)であり、かつ、上記式(1)中の複数のR1及びR2がいずれも水素原子である化合物が特に好ましい。
構成単位Aにおける、式(1)で表される化合物に由来する構成単位の比率は、より好ましくは70モル%以上、さらに好ましくは80モル%以上、よりさらに好ましくは95モル%以上、特に好ましくは100モル%である。
これらの中でも、1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸、1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸メチルエステルは、ポリイミド樹脂を製造する際に高分子量化が容易で、フレキシブルなフィルムが得られ易い面で有利であるため、特に好ましい。
構成単位Bにおける、上記構成単位B1又は構成単位B2の比率は、より好ましくは70モル%以上、さらに好ましくは80モル%以上、よりさらに好ましくは95モル%以上、特に好ましくは100モル%である。中でも、構成単位Bとして構成単位B2を含み、該構成単位B2が式(2)で表されるジアミンに由来する構成単位を上記比率で含むことが好ましい。
本実施形態のポリイミド樹脂は、テトラカルボン酸二無水物に由来する構成単位Aと、ジアミン化合物に由来する構成単位Bとを含み、原料であるテトラカルボン酸二無水物及びジアミン化合物は上記した通りである。本実施形態のポリイミド樹脂は、上記テトラカルボン酸とジアミン成分とを反応させることにより得ることができる。本実施形態のポリイミド樹脂は、末端にアミノ基を有することができる。
A/Bが1.0に近づくほど高分子量のポリイミド樹脂が得られるため、A/Bを適宜調整することで、目的の分子量のポリイミド樹脂を得ることができる。
本実施形態の一態様において、上記ポリイミド樹脂及び後述する変性ポリイミド樹脂から選択される少なくとも一種のポリイミド樹脂と、有機溶媒とを含む、ポリイミドワニスを提供する。ポリイミド樹脂は上記した通りである。変性ポリイミド樹脂については後述する。有機溶媒はポリイミド樹脂又は変性ポリイミド樹脂が溶解するものであればよく、特に限定されない。ポリイミド樹脂の製造に用いられる反応溶剤として上述した化合物を、単独又は2種以上を混合して用いることが好ましい。
本実施形態のポリイミドワニスは、重合法により得られるポリイミド樹脂又は変性ポリイミド樹脂が反応溶剤に溶解したポリイミド溶液そのものであってもよいし、又は当該ポリイミド溶液に対してさらに溶剤を追加して希釈したものであってもよい。
ポリイミドワニスの製造方法は特に限定されず、公知の方法を適用することができる。
本実施形態の一態様によれば、上記ポリイミドワニスを成形加工して得られる成形体を提供する。当該成形体としては、具体的には、膜状、フィルム状又はシート状である成形体を提供することができる。
上記成形体は、光学的等方性、柔軟性及び耐薬品性に優れる。
上記成形体の製造方法には特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。例えば、本実施形態のポリイミドワニスを、ガラス板、金属板、プラスチック等の平滑な支持体上に塗布し、膜状、フィルム状、又はシート状に成形した後、該ワニス中に含まれる反応溶剤や希釈溶剤等の有機溶媒を加熱により除去する方法等が挙げられる。
支持体上に製膜された、例えばポリイミドフィルムを支持体から剥離する方法は特に限定されないが、レーザーリフトオフ法や、剥離用犠牲層を使用する方法(支持体の表面に予め離形剤を塗布しておく方法)、剥離剤を添加する方法が挙げられる。
上記成形体の厚みは、ポリイミドワニスの固形分濃度や粘度を調整することにより、容易に制御することができる。
本実施形態は、下記一般式(I)で示される構造を含む変性ポリイミド樹脂、並びに該変性ポリイミド樹脂(A)及び前述した本実施形態のポリイミド樹脂から選択される少なくとも一種のポリイミド樹脂と、光重合開始剤、溶剤、及び光重合性化合物からなる群から選択される少なくとも1種(B)とを含む感光性樹脂組成物を提供する。
{一般式(I)中、Eは、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、及びオルガノシロキサン基からなる群から選択される少なくとも1種の基を有し、炭素数2~39の2価の基である。Qは以下一般式(II)で示される構造を60モル%含み、一般式(II)で示される構造以外にも、環状構造、非環状構造、又は環状構造と非環状構造とを有する炭素数4以上10以下の4価の基を含んでいてもよい。nは繰り返し単位数を示す。一般式(I)の末端は、下記式(III)若しくは式(IV)で示される基、又は水素原子のいずれかであって、末端の少なくとも一方は式(III)若しくは式(IV)で示される基である:
[一般式(II)中、Xは単結合、及び、炭素数6~30の二価の芳香族炭化水素基からなる群から選択される1種を示す。Xで表される二価の芳香族炭化水素基は置換基によって置換されていてもよく、上記炭素数は芳香環を形成する炭素数を示す。Xが単結合の場合、複数のR1はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、水酸基若しくはニトロ基を示すか、又は同一の炭素原子に結合する2つのR1基によりメチリデン基(=CH2)を示す。Xが二価の芳香族炭化水素基の場合には、複数のR1はそれぞれ独立に、水素原子及び炭素数1~10のアルキル基よりなる群から選択される少なくとも1種を示す。複数のR2はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基を示す。mは0~4の整数を示す。*は結合手を示す。]
[一般式(III)及び(IV)中、X11及びX22はそれぞれ独立に、炭素数2~15の基であり、エステル結合及び二重結合からなる群から選択される少なくとも1つの基を有してもよい。Y1及びY2はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。]}
上記一般式(II)で表される構成単位の比率は、より好ましくは70モル%以上、さらに好ましくは80モル%以上、よりさらに好ましくは95モル%以上、特に好ましくは100モル%である。
[式中、*は結合手を示す。]
一般式(I)におけるEにおける上記(I-a)、(I-b)及び(I-c)から選択される少なくとも1つの構成単位の比率が、より好ましくは70モル%以上、さらに好ましくは80モル%以上、よりさらに好ましくは95モル%以上、特に好ましくは100モル%である。中でも、式(I-c)で表されるジアミンに由来する構成単位を上記比率で含むことが好ましい。
一般式(III)又は一般式(IV)中のX11又はX22で表される基は、炭素数2~15の基であり、エステル結合及び二重結合からなる群から選択される少なくとも1つの基を有してもよい。Y1又はY2で示される基は、水素原子又はメチル基である。
本実施形態の感光性樹脂組成物に含まれる変性ポリイミド樹脂(A)は、以下の工程(1)及び(2)を含む製造方法により得ることができる:
工程(1):テトラカルボン酸成分とジアミン成分を反応させ、末端にアミノ基を有するポリイミド樹脂を得る。
工程(2):上記工程(1)で得られた末端にアミノ基を有するポリイミド樹脂と、上記官能基含有化合物(イソシアネート基又はエポキシ基と、(メタ)アクリル基とを有する化合物)とを反応させる。
上記工程(1)は、上述したポリイミド樹脂の製造方法と同一である。原料として用いるもの、好ましいもの、反応条件も同様である。
工程(2)は、上記工程(1)で得られたポリイミド樹脂の末端を変性する工程である。具体的には、上述した通り、ポリイミドと、上記官能基含有化合物(イソシアネート基又はエポキシ基と、(メタ)アクリル基とを有する化合物)とを反応させて、末端に(メタ)アクリル基を有する変性ポリイミド樹脂を得る。
ポリイミド樹脂の末端を変性する、官能基含有化合物は、イソシアネート基又はエポキシ基と、(メタ)アクリル基とを有する化合物であり、具体的には、2-イソシアナトエチルメタクリレート、2-イソシアナトエチルアクリレート、1,1-ビス(アクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネート、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート及びアリルグリシジルエーテル等が挙げられる。これらの官能基含有化合物は、単独で用いても、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。官能基含有化合物は、末端にアミノ基を有するポリイミド樹脂に対して、0.1~30モル倍の割合で使用することが好ましい。工程(2)における反応温度は、30~100℃の範囲が好ましく、反応時間は1~5時間であることが好ましい。
本実施形態に係る感光性樹脂組成物中のポリイミド樹脂の含有量は、感光性樹脂組成物の全固形分を100質量%としたとき、好ましくは30質量%以上、より好ましくは40質量%以上、更に好ましくは50質量%以上、更に好ましくは60質量%以上、更に好ましくは70質量%以上であり、そして好ましくは90質量%以下、より好ましくは80質量%以下である。
ここで、本実施形態において、感光性樹脂組成物の全固形分とは、当該感光性樹脂組成物を硬化した際に固形分として残る成分であり、例えば、溶剤等の加熱により揮発する成分は除かれる。一方で、液状成分でも、加熱硬化した際に樹脂膜に取り込まれる成分は全固形分に含まれる。
また、本実施形態に係る感光性樹脂組成物中の変性ポリイミド樹脂(A)の含有量は、感光性樹脂組成物に含まれるポリイミド樹脂の含有量を100質量部としたとき、好ましくは50質量部以上、より好ましくは70質量部以上、更に好ましくは80質量部以上、更に好ましくは90質量部以上、更に好ましくは100質量部であり、そして好ましくは100質量部以下である。
本実施形態の感光性樹脂組成物に含まれる変性ポリイミド樹脂(A)は、上記波長で高い光線透過率を有すると共に、優れた溶剤溶解性を有する。そのため、該組成物に含まれ得る光重合開始剤が効果的に作用するため、硬化膜を効率よく得ることができる。加えて、特定構造と特定末端構造を有し、特定の分子量を有する変性ポリイミド樹脂(A)を用いることにより、後述する組成物から硬化膜を形成した際に、未露光部の残膜率が低く、優れた現像性を有すると共に、クラック等の発生を効果的に抑制することができる。
適切な溶剤を用いることで、本実施形態の感光性樹脂組成物を溶液(ワニス)状態で使用することができ、成膜する際に便利である。
(メタ)アクリルモノマーとしては、例えば、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリス-(2-アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等が挙げられる。これら光重合性化合物は単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
混合する光重合性化合物の構造により、感光性樹脂組成物の柔軟性等を制御することができる。これらの光重合性化合物は、末端に(メタ)アクリル基を有する変性ポリイミド樹脂を含む溶液中の固形分に対して、5~500質量部の割合で混合するのが好ましい。また、本実施形態に係る感光性樹脂組成物中の光重合性化合物の含有量は、感光性樹脂組成物に含まれるポリイミド樹脂の量を100質量部としたとき、好ましくは5質量部以上500質量部以下である。
光重合開始剤は、末端に(メタ)アクリル基を有する変性ポリイミド樹脂(A)を含む溶液中の固形分に対して、0.1~10質量部の割合で混合するのが好ましい。また、本実施形態に係る感光性樹脂組成物中の光重合開始剤の含有量は、感光性樹脂組成物に含まれるポリイミド樹脂の量を100質量部としたとき、好ましくは0.1質量部以上10質量部以下である。
増感剤は、末端に(メタ)アクリル基を有する変性ポリイミド樹脂(A)を含む溶液中の固形分に対して、0.001~10質量部の割合で混合するのが好ましい。また、本実施形態に係る感光性樹脂組成物中の増感剤の含有量は、感光性樹脂組成物に含まれるポリイミド樹脂の量を100質量部としたとき、好ましくは0.001質量部以上10質量部以下である。
一般式(I)で示される構造を有し、一般式(III)又は(IV)で示される末端構造を有するポリイミド樹脂(A)及び前述した本実施形態のポリイミド樹脂から選択される少なくとも一種のポリイミド樹脂に、溶剤、光重合開始剤及び光重合性化合物からなる群から選択される少なくとも1種(B)を混合して感光性樹脂組成物を得る。必要に応じて、上記した通り、増感剤を混合してもよい。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、特に絶縁膜形成に用いることが好適である。
本実施形態に係る感光性樹脂組成物は、例えば、電子装置を製造する際に用いるフォトレジストや電子装置を構成する永久膜(硬化膜)等の樹脂膜を形成するために用いることができる。すなわち、本実施形態に係る樹脂膜は、感光性樹脂組成物又は感光性樹脂組成物の硬化物からなる。
上記フォトレジストは、例えば、本実施形態に係る感光性樹脂組成物を基材上に塗布し、必要に応じて溶剤を除去することにより得られた樹脂膜で構成される。
上記永久膜は、上記樹脂膜に対して露光及び現像を行い、所望の形状にパターニングした後、熱処理等によって硬化させることにより得られた硬化膜で構成される。
永久膜は、例えば、表面保護膜、層間絶縁膜等の絶縁膜として好適に用いることができる。
本実施形態における樹脂膜を得る場合には、上記感光性樹脂組成物を含む溶液を基材上に塗布する。
基材上に塗布する方法は特に限定されず、具体的には、インクジェット法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビア法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、ダイコート法等を挙げることができる。
上記基材上に塗布された本実施形態の感光性樹脂組成物に、所定のパターンのフォトマスクを介して、光(通常は紫外線を用いる)を照射する。照射後、現像液により未露光部を溶解除去して、所望のレリーフパターンを得ることができる。
紫外線照射量は、積算照射量が500~8,000mJ/cm2であることが好ましい。
上述する処理によって得られたレリーフパターンを、80~250℃の範囲から選ばれる温度で加熱処理し、溶剤を乾燥し、本実施形態の感光性樹脂組成物を硬化してなる硬化膜を得ることができる。本実施形態によれば、優れた現像性、すなわち露光部は十分に硬化すると共に、感光性樹脂組成物に含まれる変性ポリイミド樹脂の高い溶剤溶解性に起因して未露光部は十分に除去される樹脂組成物を用いるため、得られるレリーフパターンを高解像度で得ることができる。
未露光部残膜率(%)=[未露光部の現像後の質量/未露光部の現像前の質量]×100
本実施形態に係る感光性樹脂組成物を硬化してなる硬化膜は、露光部残膜率が好ましくは70%以上、より好ましくは80%以上、さらに好ましくは85%以上である。
露光部残膜率(%)=[露光部の現像後の質量/露光部の現像前の質量]×100
従って、本実施形態の硬化膜は、例えば、高い電圧の印加が想定される絶縁性膜用途において好適に用いることができる。特定構造及び特定末端構造を有し、かつ特定の分子量を有する変性ポリイミド樹脂(A)を含む、本実施形態の感光性樹脂組成物から得られる硬化膜は、クラック等の発生を効果的に抑制することができ、物性に優れる。
本実施形態の感光性樹脂組成物及び硬化膜は、種々の用途に使用することができる。例えば、電子機器の半導体素子の表面保護膜及び層間絶縁膜、並びに回路基板の配線保護絶縁膜、特に高密度化、高集積化された上記用途に好適に用いることができる。
表面保護膜は、電子部品や電子装置の表面あるいは配線基板の配線の表面に形成され、当該表面を保護するための絶縁膜を指し、その種類は特に限定されない。このような表面保護膜としては、例えば、半導体素子上に設けられるパッシベーション膜もしくはバッファーコート層、又はフレキシブル基板上に設けられるカバーコートが挙げられる。
層間絶縁膜は、多層構造中に設けられる絶縁膜を指し、その種類は特に限定されない。層間膜としては、例えば、半導体素子の多層配線構造を構成する層間絶縁膜、配線基板を構成するビルドアップ層もしくはコア層等の半導体装置用途において用いられるものが挙げられる。また、層間膜としては、例えば、表示装置における薄膜トランジスタを覆う平坦化膜、液晶配向膜、液晶表示装置のカラーフィルタ基板上に設けられる突起、もしくは有機EL素子の陰極を形成するための隔壁等の表示装置用途において用いられるものも挙げられる。
本実施形態に係る電子装置は、本実施形態に係る樹脂膜を備える。
本実施形態に係る電子装置は、本実施形態に係る感光性樹脂組成物により形成される樹脂膜を備えるものであれば特に限定されないが、例えば、本実施形態に係る樹脂膜を平坦化膜やマイクロレンズとして有する表示装置;本実施形態に係る樹脂膜を層間絶縁膜として用いた多層配線構造を備える半導体装置;本実施形態に係る樹脂膜を半導体素子や配線基板の表面保護膜として用いた半導体装置;本実施形態に係る樹脂膜を配線基板を構成するビルドアップ層もしくはコア層として用いた半導体装置等が挙げられる。これらの中でも、本実施形態に係る電子装置としては半導体装置が好ましい。
本実施形態に係る電子装置は、本実施形態に係る樹脂膜を使用する以外は、公知の情報に基づいて製造することができる。
本実施形態に係る電子装置は、現像性に優れた樹脂膜を備えるため、良好なパターニング形状を備え、絶縁破壊等が起こり難く、信頼性に優れている。
本実施例及び比較例で採用した評価方法は以下の通りである。
GPC分析により、重量平均分子量(Mw)を求めた。分析に用いた装置および分析条件は下記の通りである。
装置:Viscotek TDAmax(Malvern Panalytical Ltd.社製)
カラム:T6000M×2(Malvern Panalytical Ltd.社製)
溶離液:20mM臭化リチウム添加ジメチルホルムアミド
流速:1.0ml/min
カラム温度:40℃
検出器:RI(屈折率検出器)、RALS(光散乱検出器)、LALS(光散乱検出器)
スピンコーターでシリコンウェハー上に、後述する合成例1~3でそれぞれ得られたワニスを塗布した後、100℃で60分間加熱し、溶媒を除去した。この時点(上記条件で溶媒を除去した時点)のワニスの質量を、浸漬前質量とした。現像液のγ-ブチロラクトンに2分間浸漬させた後、リンス液としてメタノールを用いて洗浄し、空気流通下にて、質量変化がなくなるまで溶媒を除去した。該溶媒除去後にシリコンウェハー上に残った膜の質量を浸漬後質量とし、下記の式により膜減率を求めた。この数値が高いほど、溶解性に優れる。
膜減率(%)=[(浸漬前質量-浸漬後質量)/浸漬前質量]×100
以下に記載する実施例及び比較例にて、ポリイミド樹脂を含む感光性樹脂組成物を含むワニスを調製する。スピンコーターでシリコンウェハー上に、各実施例及び比較例でそれぞれ得られたワニスを塗布した後、100℃で60分間加熱し、溶媒を除去した。この時点(上記条件で溶媒を除去した時点)のワニスの質量を、未露光部の現像前質量とした。現像液のγ-ブチロラクトンに5分間浸漬させた後、リンス液としてメタノールを用いて洗浄し、空気流通下にて、質量変化がなくなるまで溶媒を除去した。該溶媒除去後にシリコンウェハー上に残った膜の質量を未露光部の現像後質量とし、下記の式により未露光部残膜率を求めた。
未露光部残膜率(%)=[未露光部の現像後の質量/未露光部の現像前の質量]×100
以下に記載する実施例及び比較例にて、ポリイミド樹脂を含む感光性樹脂組成物を含むワニスを調製する。スピンコーターでシリコンウェハー上に、各実施例及び比較例でそれぞれ得られたワニスを塗布した後、100℃で60分間加熱し溶媒を除去した。この時点(上記条件で溶媒を除去した時点)のワニスの質量を露光部の現像前質量とした。UV照射を行い、現像液のγ-ブチロラクトンに5分間浸漬させた後、リンス液としてメタノールを用いて洗浄し、空気流通下にて質量変化がなくなるまで溶媒を除去した。該溶媒除去後にシリコンウェハー上に残った膜の質量を露光部の現像後質量とし、下記の式により残膜率を求めた。
露光部残膜率(%)=[露光部の現像後の質量/露光部の現像前の質量]×100
紫外線照射装置:ECS-1511U(アイグラフィックス株式会社製)
照度:670~700mW/cm2
積算照射量:2,400mJ/cm2
現像液:γ-ブチロラクトン
現像時間:5分間
リンス液:メタノール
シリコンウェハー:4インチシリコンウェハー(株式会社アドバンテック製)
合成例で得られた変性ポリイミド樹脂をγ-ブチロラクトンに溶解し、固形分濃度3質量%のポリイミド樹脂溶液を得た。次いで、このポリイミド樹脂溶液の波長365nmにおける光線透過率を株式会社日立製作所製の分光光度計「製品名:U3900H」及び光路長10mmのセルを用いて測定した。
窒素導入管、撹拌装置、温度計、冷却器を備えた500mlの5つ口フラスコに、窒素導入下、4,4’-オキシビス[3-(トリフルオロメチル)ベンゼンアミン](以下、6FODA)を38.7103g(0.115mоl)、下記式で表される5,5’-(1,4-フェニレン)ビス(ヘキサヒドロ-4,7-メタノイソベンゾフラン-1,3-ジオン)(以下、BzDA)を44.6270g(0.109mоl)、γ-ブチロラクトン(以下、GBL)102.15gを投入し、撹拌しながら90℃まで加熱した。ここに、トリエチルアミン(以下、TEA)を1.106g(0.011mоl)を加え、190℃で5時間反応させた後、GBL82.87gで希釈し、固形分濃度30質量%のポリイミドワニス249.6gを得た。GPCでの測定の結果、本合成例で得られたポリイミドの重量平均分子量は20,113、GBL2分間浸漬後の膜減率は83%であった。結果を表1に示す。
窒素導入管、撹拌装置、温度計、冷却器を備えた500mlの5つ口フラスコに、窒素導入下、6FОDAを117.7875g(0.350mol)、1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物(以下、HPMDA)を74.5592g(0.333mol)、GBL235.11gを投入し、撹拌しながら90℃まで加熱した。ここに、TEAを1.690g(0.017mol)加え、190℃で5時間反応させた後、GBL184.99gで希釈し、固形分濃度30質量%のポリイミドワニス585.1gを得た。GPCでの測定の結果、本合成例で得られたポリイミドの重量平均分子量は23,077、GBL2分間浸漬後の膜減率は40%であった。結果を表1に示す。
窒素導入管、撹拌装置、温度計、冷却器を備えた500mlの5つ口フラスコに、窒素導入下、1,4-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼン(以下、BiS-AP)を90.401g(0.26mol)、1-(4-アミノフェニル)-2,3-ジヒドロ-1,3,3-トリメチル-1H-インデン-5-アミン(以下、TMDA)を29.959g(0.11mol)、HPMDAを82.943g(0.37mol)、GBL249.0gを投入し、撹拌しながら90℃まで加熱した。ここに、TEAを18.72g(0.19mol)、トリエチレンジアミン(以下、TEDA)を0.083g(0.74mmol)加え、190℃で5時間反応させた後、DMAc512.3gで希釈し、固形分濃度20質量%のポリイミドワニス952gを得た。GPCでの測定の結果、本合成例で得られたポリイミドの重量平均分子量は75,600であった。GBL2分間浸漬後の膜状態はほぼ変わらず、溶解性に劣ることを確認した。結果を表1に示す。
Bis-AP量を76.4579g(0.221mol)、HPMDA量を94.1895g(0.420mol)、TEA量を2.129g(0.022mol)、TEDA量を0.000g(0.00mmol)、DMAc量を666.09gに変えたこと、TMDAに代えて2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(以下、BAPP)90.8831g(0.221mol)用いたこと以外は、比較例2と同様の方法にて、固形分濃度20質量%のポリイミドワニス1207gを得た。GPCでの測定の結果、本比較例で得られたポリイミドの重量平均分子量は25,082であった。GBL2分間浸漬後の膜減率は15%であった。結果を表1に示す。
6FODA量を41.0665g(0.122mоl)、酸二無水物としてCpODAを45.8347g(0.116mоl)を用いたこと、TEA量を0.586g(0.006mоl)、GBL量を106.24g、希釈用GBL量を86.55gに変えたこと以外は、実施例1と同様の方法にて、固形分濃度30質量%のポリイミドワニス261gを得た。GPCでの測定の結果、本合成例で得られたポリイミドの重量平均分子量は28,408、GBL2分間浸漬後の膜減率は9%であった。結果を表1に示す。
撹拌装置、温度計、冷却器を備えた500mLの4つ口フラスコに、実施例1で得られたポリイミドワニス100.13g、2-イソシアナトエチルアクリレート(昭和電工株式会社製,カレンズAOI)3.00gを入れ、50℃で5時間反応させた。その後、反応液を水中に滴下してポリイミドを析出させ、70℃で一晩乾燥させ、変性ポリイミド樹脂を得た。また、得られた変性ポリイミド樹脂の波長365nmにおける光線透過率は93.1%であった。この変性ポリイミド樹脂4.6gをGBL7.0gに溶解させ、ビスコート802(大阪有機化学工業株式会社製、tri-PE-A)1.16g、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(BASF社製、IRGACURE(Omnirad)184)0.069g、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルホスフィンオキサイド(BASF社製、IRGACURE(Omnirad)819)0.162gを加え、溶解するまで撹拌し、感光性樹脂組成物(感光性樹脂ワニス)を得た。この感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上に塗布し、100℃で60分間乾燥させた。続いてGBLに5分間浸漬させ、メタノールでリンスし、空気流通下で質量変化がなくなるまで溶媒を除去し、未露光部残膜率を算出した。このときの未露光部残膜率は0%であった。感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上に塗布し、100℃で60分間乾燥させた後、アイグラフィックス株式会社製 アイミニグランテージ(ECS-1511U)を使用し、光源には高圧水銀灯(波長365nm未満の波長をカットした高圧水銀灯の光)を用い、露光波長365nmにおける露光量(積算照射量)(365nmの照度から算出)1,500~2,500mJ/cm2の条件下で露光して硬化膜を形成させ、続いてGBLに5分間浸漬させ、メタノールでリンスし、空気流通下で質量変化がなくなるまで溶媒を除去し、露光部残膜率を算出した。このときの露光部残膜率は100%であった。結果を表2に示す。
下記表に示す配合としたこと以外は、上記実施例2と同様に感光性樹脂組成物を調製し、その特性を評価した。結果を表2に併せて示す。
本実施形態に係る感光性樹脂組成物は、優れた溶剤溶解性を有するポリイミド樹脂を含むため、短時間でパターニング処理をすることができる等の利点を有する。
Claims (22)
- 下記一般式(I)で示される構造を含む、変性ポリイミド樹脂。
{一般式(I)中、Eは、以下の式(I-c)で表される基を含む。Qは以下一般式(II)で示される構造を60モル%以上含み、一般式(II)で示される構造以外にも、環状構造、非環状構造、又は環状構造と非環状構造とを有する炭素数4以上10以下の4価の基を含んでいてもよい。nは繰り返し単位数を示す。一般式(I)の末端は、下記式(III)若しくは式(IV)で示される基、又は水素原子のいずれかであって、末端の少なくとも一方は式(III)若しくは式(IV)で示される基である:
[式中、*は結合手を示す。]
[一般式(II)中、Xは炭素数6~30の二価の芳香族炭化水素基からなる群から選択される1種を示す。Xで表される二価の芳香族炭化水素基は置換基によって置換されていてもよく、上記炭素数は芳香環を形成する炭素数を示す。複数のR1はそれぞれ独立に、水素原子及び炭素数1~10のアルキル基よりなる群から選択される少なくとも1種を示す。複数のR2はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基を示す。mは0~4の整数を示す。*は結合手を示す。]
[一般式(III)及び(IV)中、X11及びX22はそれぞれ独立に、炭素数2~15の基であり、エステル結合及び二重結合からなる群から選択される少なくとも1つの基を有してもよい。Y1及びY2はそれぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。]} - 前記変性ポリイミド樹脂の重量平均分子量が70,000以下である、請求項1に記載の変性ポリイミド樹脂。
- 前記変性ポリイミド樹脂の重量平均分子量が5,000以上である、請求項1又は2に記載の変性ポリイミド樹脂。
- 前記変性ポリイミド樹脂の波長200~400nmのいずれかにおける光線透過率が50%以上である、請求項1~3のいずれか一項に記載の変性ポリイミド樹脂。
- テトラカルボン酸二無水物に由来する構成単位Aと、ジアミン化合物に由来する構成単位Bとを含むポリイミド樹脂であって、前記構成単位Aが、下記式(1)で表される化合物に由来する構成単位を60モル%以上の比率で含み、前記構成単位Bが下記式(2)で表される化合物に由来する構成単位を含む、感光性樹脂組成物用のポリイミド樹脂。
[一般式(1)中、Xは炭素数6~30の二価の芳香族炭化水素基からなる群から選択される1種を示す。Xで表される二価の芳香族炭化水素基は置換基によって置換されていてもよく、上記炭素数は芳香環を形成する炭素数を示す。複数のR1はそれぞれ独立に、水素原子及び炭素数1~10のアルキル基よりなる群から選択される少なくとも1種を示す。複数のR2はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基を示す。mは0~4の整数を示す。]
- 前記構成単位Bが、さらに、以下の式で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種の化合物に由来する構成単位B1を含む、請求項5に記載のポリイミド樹脂。
- 前記構成単位Bが、さらに、以下の式で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種の化合物に由来する構成単位B2を含む、請求項5又は6に記載のポリイミド樹脂。
- 前記構成単位Bとして、前記式(2)で表される化合物に由来する構成単位を60モル%以上含む、請求項5に記載のポリイミド樹脂。
- 前記構成単位Bとして、前記式(2)で表される化合物に由来する構成単位及び前記構成単位B1の合計単位を60モル%以上含む、請求項6に記載のポリイミド樹脂。
- 前記構成単位Bとして、前記式(2)で表される化合物に由来する構成単位及び前記構成単位B2の合計単位を60モル%以上含む、請求項7に記載のポリイミド樹脂。
- 重量平均分子量が70,000以下である、請求項5~10のいずれか一項に記載のポリイミド樹脂。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の変性ポリイミド樹脂及び請求項5~11のいずれか一項に記載のポリイミド樹脂から選択される少なくとも一種のポリイミド樹脂と、有機溶剤とを含む、ポリイミドワニス。
- 請求項12に記載のポリイミドワニスを成形加工して得られる、成形体。
- 膜状、フィルム状又はシート状である、請求項13に記載の成形体。
- 請求項1~4のいずれか一項に記載の変性ポリイミド樹脂(A)及び請求項5~11のいずれか一項に記載のポリイミド樹脂から選択される少なくとも一種のポリイミド樹脂と、光重合開始剤、溶剤、及び光重合性化合物からなる群から選択される少なくとも1種(B)とを含む、感光性樹脂組成物。
- 前記光重合性化合物が多官能ラジカル重合性モノマーを含む、請求項15に記載の感光性樹脂組成物。
- 増感剤をさらに含む、請求項15又は16に記載の感光性樹脂組成物。
- 波長365nm未満の波長をカットした高圧水銀灯の光を露光量1,500~2,500mJ/cm2の条件下で露光した後の未露光部の残膜率が40%以下である、請求項15~17のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 絶縁膜形成用である、請求項15~18のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
- 請求項15~19のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物又は前記感光性樹脂組成物の硬化物からなる、樹脂膜。
- 膜厚が10~85μmである、請求項20に記載の樹脂膜。
- 請求項21に記載の樹脂膜を備える電子装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020001511 | 2020-01-08 | ||
| JP2020001511 | 2020-01-08 | ||
| PCT/JP2020/046718 WO2021140845A1 (ja) | 2020-01-08 | 2020-12-15 | ポリイミド樹脂、感光性樹脂組成物、樹脂膜及び電子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021140845A1 JPWO2021140845A1 (ja) | 2021-07-15 |
| JP7666332B2 true JP7666332B2 (ja) | 2025-04-22 |
Family
ID=76787919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021569793A Active JP7666332B2 (ja) | 2020-01-08 | 2020-12-15 | ポリイミド樹脂、感光性樹脂組成物、樹脂膜及び電子装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12441842B2 (ja) |
| EP (1) | EP4089135A4 (ja) |
| JP (1) | JP7666332B2 (ja) |
| KR (1) | KR102942503B1 (ja) |
| CN (1) | CN114945621B (ja) |
| TW (1) | TWI872175B (ja) |
| WO (1) | WO2021140845A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI881509B (zh) | 2022-10-27 | 2025-04-21 | 日商旭化成股份有限公司 | 負型感光性樹脂組合物、以及使用其之聚醯亞胺硬化膜之製造方法及聚醯亞胺硬化膜 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000147768A (ja) | 1998-11-07 | 2000-05-26 | Pi Gijutsu Kenkyusho:Kk | ネガ型感光性ポリイミド組成物及び絶縁膜 |
| JP2007108761A (ja) | 2001-05-30 | 2007-04-26 | Kaneka Corp | 感光性樹脂組成物及びそれを用いた感光性ドライフィルムレジスト、感光性カバーレイフィルム |
| CN102807675A (zh) | 2012-08-19 | 2012-12-05 | 南京依麦德光电材料科技有限公司 | 一种柔性透明聚酰亚胺薄膜材料及其制备方法 |
| JP2014024894A (ja) | 2012-07-24 | 2014-02-06 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂硬化物およびポリイミドフィルム |
| WO2015163314A1 (ja) | 2014-04-23 | 2015-10-29 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | テトラカルボン酸二無水物、ポリアミド酸、ポリイミド、及び、それらの製造方法、並びに、ポリアミド酸溶液 |
| WO2017030019A1 (ja) | 2015-08-14 | 2017-02-23 | Jxエネルギー株式会社 | テトラカルボン酸二無水物、カルボニル化合物、ポリアミド酸、ポリイミド及びそれらの製造方法、ポリアミド酸を用いた溶液、並びに、ポリイミドを用いたフィルム |
| JP2017066354A (ja) | 2015-10-02 | 2017-04-06 | Jxエネルギー株式会社 | ポリアミド酸、ポリアミド酸溶液、ポリイミド、ポリイミド溶液、ポリイミドを用いたフィルム |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1152572A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-02-26 | Fujitsu Ltd | 感光性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP2003168800A (ja) | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 薄膜トランジスタ基板 |
| JP4375533B2 (ja) | 2003-06-26 | 2009-12-02 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 溶媒可溶性ポリイミドの製造方法 |
| JP2004024894A (ja) * | 2003-08-28 | 2004-01-29 | Fuji Shoji:Kk | 遊技機 |
| US7524617B2 (en) | 2004-11-23 | 2009-04-28 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Low-temperature curable photosensitive compositions |
| JP2015134842A (ja) | 2012-03-30 | 2015-07-27 | 新日本理化株式会社 | 溶剤可溶性ポリイミド樹脂 |
| JP7574796B2 (ja) * | 2019-06-03 | 2024-10-29 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 感光性樹脂組成物及びその硬化膜 |
| KR102807675B1 (ko) | 2019-07-18 | 2025-05-14 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 전류 차단 기능이 구비된 전지 모듈 및 이를 포함하는 디바이스 |
-
2020
- 2020-12-15 CN CN202080091971.5A patent/CN114945621B/zh active Active
- 2020-12-15 KR KR1020227022917A patent/KR102942503B1/ko active Active
- 2020-12-15 EP EP20913030.1A patent/EP4089135A4/en active Pending
- 2020-12-15 US US17/790,194 patent/US12441842B2/en active Active
- 2020-12-15 JP JP2021569793A patent/JP7666332B2/ja active Active
- 2020-12-15 WO PCT/JP2020/046718 patent/WO2021140845A1/ja not_active Ceased
- 2020-12-16 TW TW109144359A patent/TWI872175B/zh active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000147768A (ja) | 1998-11-07 | 2000-05-26 | Pi Gijutsu Kenkyusho:Kk | ネガ型感光性ポリイミド組成物及び絶縁膜 |
| JP2007108761A (ja) | 2001-05-30 | 2007-04-26 | Kaneka Corp | 感光性樹脂組成物及びそれを用いた感光性ドライフィルムレジスト、感光性カバーレイフィルム |
| JP2014024894A (ja) | 2012-07-24 | 2014-02-06 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂硬化物およびポリイミドフィルム |
| CN102807675A (zh) | 2012-08-19 | 2012-12-05 | 南京依麦德光电材料科技有限公司 | 一种柔性透明聚酰亚胺薄膜材料及其制备方法 |
| WO2015163314A1 (ja) | 2014-04-23 | 2015-10-29 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | テトラカルボン酸二無水物、ポリアミド酸、ポリイミド、及び、それらの製造方法、並びに、ポリアミド酸溶液 |
| WO2017030019A1 (ja) | 2015-08-14 | 2017-02-23 | Jxエネルギー株式会社 | テトラカルボン酸二無水物、カルボニル化合物、ポリアミド酸、ポリイミド及びそれらの製造方法、ポリアミド酸を用いた溶液、並びに、ポリイミドを用いたフィルム |
| JP2017066354A (ja) | 2015-10-02 | 2017-04-06 | Jxエネルギー株式会社 | ポリアミド酸、ポリアミド酸溶液、ポリイミド、ポリイミド溶液、ポリイミドを用いたフィルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102942503B1 (ko) | 2026-03-23 |
| TWI872175B (zh) | 2025-02-11 |
| CN114945621B (zh) | 2024-07-02 |
| EP4089135A4 (en) | 2023-06-21 |
| US20230094840A1 (en) | 2023-03-30 |
| TW202136372A (zh) | 2021-10-01 |
| EP4089135A1 (en) | 2022-11-16 |
| KR20220125243A (ko) | 2022-09-14 |
| CN114945621A (zh) | 2022-08-26 |
| JPWO2021140845A1 (ja) | 2021-07-15 |
| WO2021140845A1 (ja) | 2021-07-15 |
| US12441842B2 (en) | 2025-10-14 |
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| Date | Code | Title | Description |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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