JP7667960B2 - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本開示の実施の形態は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

現在、スマートフォン、タブレット等の携帯端末機器の高機能、小型化、薄型化及び軽量化が進んでいる。これら携帯端末機器は、複数の通信帯域を使用するため、通信帯域に応じた複数のアンテナが必要とされる。例えば、携帯端末機器には、電話用アンテナ、ＷｉＦｉ（Wireless Fidelity）用アンテナ、３Ｇ（Generation）用アンテナ、４Ｇ（Generation）用アンテナ、ＬＴＥ（Long Term Evolution）用アンテナ、Bluetooth（登録商標）用アンテナ、ＮＦＣ（Near Field Communication）用アンテナ等の複数のアンテナが搭載されている。しかしながら、携帯端末機器の小型化に伴い、アンテナの搭載スペースは限られており、アンテナ設計の自由度は狭まっている。また、限られたスペース内にアンテナを内蔵していることから、電波感度が必ずしも満足できるものではない。

このため、携帯端末機器の表示領域に搭載することができるフィルムアンテナが開発されている。このフィルムアンテナは、透明基材上にアンテナパターンが形成された透明アンテナであり、アンテナパターンが、不透明な導電体層の形成部としての導体部と非形成部としての多数の開口部とによるメッシュ状の導電体メッシュ層によって形成されている。

特開２０１１－６６６１０号公報 特許第５６３６７３５号明細書 特許第５６９５９４７号明細書

従来のフィルムアンテナにおいては、透明基材上にメッシュ配線層（導電体メッシュ層）が搭載される。特に近年、フィルムアンテナにおいて、高周波の電磁波が使用されてきている。高周波の電磁波を用いた場合、メッシュ配線層を構成する金属の結晶粒界を電子が単位時間当たりに通過する回数が増加するため、電流が流れにくく、伝送損失が増加する恐れがある。

本実施の形態は、メッシュ配線層中に電流が流れにくくなることを抑制することが可能な、配線基板及び配線基板の製造方法を提供する。

本実施の形態による配線基板は、配線基板であって、基板と、前記基板上に配置され、複数の配線を含むメッシュ配線層と、を備え、前記基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光線の透過率が８５％以上であり、前記配線は、表面粗さＲａを含み、前記表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下である。

本実施の形態による配線基板において、前記配線は、金属結晶を含み、前記金属結晶のエリア平均粒径が３００ｎｍ以上であっても良い。

本実施の形態による配線基板において、前記配線の線幅は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下であっても良い。

本実施の形態による配線基板において、前記メッシュ配線層は、アンテナであっても良い。

本実施の形態による配線基板において、前記配線は、金、銀、銅、白金、錫、アルミニウム、鉄又はニッケルを含んでも良い。

本実施の形態による配線基板において、前記基板の誘電正接が０．００２以下であっても良い。

本実施の形態による配線基板において、前記基板の厚みが５μｍ以上２００μｍ以下であっても良い。

本実施の形態による配線基板において、前記基板は、シクロオレフィンポリマー又はポリノルボルネンポリマーを含んでも良い。

本実施の形態による配線基板において、前記メッシュ配線層は、前記基板の一部のみに存在しても良い。

本実施の形態による配線基板において、前記表面粗さＲａは９０ｎｍ以下であっても良い。

本実施の形態による配線基板の製造方法は、配線基板の製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上に、複数の配線を含むメッシュ配線層を形成する工程と、を備え、前記基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光線の透過率が８５％以上であり、前記配線は、表面粗さＲａを含み、前記表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下である。

本実施の形態による配線基板の製造方法において、前記配線は、金属結晶を含み、前記金属結晶のエリア平均粒径が３００ｎｍ以上であっても良い。

本実施の形態による配線基板の製造方法において、前記配線の線幅は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下であっても良い。

本実施の形態による配線基板の製造方法において、前記メッシュ配線層は、アンテナであっても良い。

本実施の形態による配線基板の製造方法において、前記配線は、金、銀、銅、白金、錫、アルミニウム、鉄又はニッケルを含んでも良い。

本実施の形態による配線基板の製造方法において、前記基板の誘電正接が０．００２以下であっても良い。

本実施の形態による配線基板の製造方法において、前記基板の厚みが５μｍ以上２００μｍ以下であっても良い。

本実施の形態による配線基板の製造方法において、前記基板は、シクロオレフィンポリマー又はポリノルボルネンポリマーを含んでも良い。

本実施の形態による配線基板の製造方法において、前記メッシュ配線層は、前記基板の一部のみに存在しても良い。

本実施の形態による配線基板の製造方法において、前記表面粗さＲａは９０ｎｍ以下であっても良い。

本開示の実施の形態によると、メッシュ配線層中に電流が流れにくくなることを抑制することができる。

図１は、一実施の形態による配線基板を示す平面図。 図２は、一実施の形態による配線基板を示す拡大平面図（図１のII部拡大図）。 図３は、一実施の形態による配線基板を示す拡大平面図（図２のIII部拡大図）。 図４は、一実施の形態による配線基板を示す断面図（図３のVI－VI線断面図）。 図５は、一実施の形態による配線基板を示す断面図（図３のＶ－Ｖ線断面図）。 図６は、第１方向配線及び第２方向配線を示す断面図。 図７は、第１方向配線及び第２方向配線の一部を拡大して示す断面図（図６のVII部拡大図）。 図８Ａ－図８Ｅは、一実施の形態による配線基板の製造方法を示す断面図。 図９Ａ－図９Ｅは、一実施の形態による配線基板の製造方法を示す断面図。 図１０は、一実施の形態による画像表示装置を示す平面図。 図１１は、実施例１－２及び比較例１による配線基板を示す平面図。

まず、図１乃至図１０により、一実施の形態について説明する。図１乃至図１０は本実施の形態を示す図である。

以下に示す各図は、模式的に示したものである。そのため、各部の大きさ、形状は理解を容易にするために、適宜誇張している。また、技術思想を逸脱しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。なお、以下に示す各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。また、本明細書中に記載する各部材の寸法等の数値及び材料名は、実施の形態としての一例であり、これに限定されるものではなく、適宜選択して使用することができる。本明細書において、形状や幾何学的条件を特定する用語、例えば平行や直交、垂直等の用語については、厳密に意味するところに加え、実質的に同じ状態も含むものとする。

また、以下の実施の形態において、「Ｘ方向」とは、基板の１つの辺に対して平行な方向である。「Ｙ方向」とは、Ｘ方向に垂直かつ基板の他の辺に対して平行な方向である。「Ｚ方向」とは、Ｘ方向及びＹ方向の両方に垂直かつ配線基板の厚み方向に平行な方向である。また、「表面」とは、Ｚ方向プラス側の面であって、基板に対して配線が設けられた面をいう。「裏面」とは、Ｚ方向マイナス側の面であって、基板に対して配線が設けられた面と反対側の面をいう。

［配線基板の構成］
図１乃至図７を参照して、本実施の形態による配線基板の構成について説明する。図１乃至図７は、本実施の形態による配線基板を示す図である。

図１に示すように、本実施の形態による配線基板１０は、例えば画像表示装置のディスプレイ上に配置されるものである。このような配線基板１０は、透明性を有する基板１１と、基板１１上に配置されたメッシュ配線層（配線パターン領域）２０と、を備えている。また、メッシュ配線層２０には、給電部４０が電気的に接続されている。

このうち基板１１は、平面視で略長方形状であり、その長手方向がＹ方向に平行であり、その短手方向がＸ方向に平行となっている。基板１１は、透明性を有するとともに略平板状であり、その厚みは全体として略均一となっている。基板１１の長手方向（Ｙ方向）の長さＬ_１は、例えば２ｍｍ以上３００ｍｍ以下の範囲で選択することができ、好ましくは１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下の範囲で選択することができる。基板１１の短手方向（Ｘ方向）の長さＬ_２は、２ｍｍ以上３００ｍｍ以下の範囲で選択することができ、好ましくは例えば５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下の範囲で選択することができる。なお基板１１は、その角部がそれぞれ丸みを帯びていても良い。

基板１１の材料は、可視光線領域での透明性及び電気絶縁性を有する材料であればよい。本実施の形態において基板１１の材料はポリエチレンテレフタレートであるが、これに限定されない。基板１１の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系樹脂、ポメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリイミド系樹脂、或いは、シクロオレフィン重合体などのポリオレフィン系樹脂、トリアセチルセルロースなどのセルロース系樹脂材料等の有機絶縁性材料を用いることが好ましい。あるいは、基板１１の材料としては、シクロオレフィンポリマー（例えば日本ゼオン社製 ＺＦ－１６）、ポリノルボルネンポリマー（住友ベークライト社製）等の有機絶縁性材料を用いても良い。また、基板１１の材料としては、用途に応じてガラス、セラミックス等を適宜選択することもできる。なお、基板１１は、単一の層によって構成された例を図示したが、これに限定されず、複数の基材又は層が積層された構造であってもよい。また、基板１１はフィルム状であっても、板状であってもよい。このため、基板１１の厚さは特に制限はなく、用途に応じて適宜選択できるが、一例として、基板１１の厚み（Ｚ方向）Ｔ_１（図４及び図５参照）は、例えば５μｍ以上２００μｍ以下の範囲とすることができる。

また、基板１１の誘電正接は、０．００２以下であっても良く、０．００１以下であることが好ましい。なお、基板１１の誘電正接の下限は特にないが、０超としても良い。基板１１の誘電正接が上記範囲であることにより、とりわけメッシュ配線層２０が送受信する電磁波（例えばミリ波）が高周波である場合に、電磁波の送受信に伴う利得（感度）の損失を小さくすることができる。なお、基板１１の誘電正接の下限は、特に限定されない。基板１１の誘電率は、特に制限はないが、２．０以上、１０．０以下であっても良い。

基板１１の誘電正接は、ＩＥＣ ６２５６２に準拠して測定することができる。具体的には、まず、メッシュ配線層２０が形成されていない部分の基板１１を切り出して試験片を準備する。または、メッシュ配線層２０が形成された基板１１を切り出し、エッチング等によりメッシュ配線層２０を除去しても良い。試験片の寸法は、幅１０ｍｍから２０ｍｍ、長さ５０ｍｍから１００ｍｍとする。次に、ＩＥＣ ６２５６２に準拠し、誘電正接を測定する。基板１１の誘電率と誘電正接は、ＡＳＴＭ Ｄ１５０に準拠して測定することもできる。

また、基板１１は、可視光線（波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光線）の透過率が８５％以上であっても良く、９０％以上であることが好ましい。なお、基板１１の可視光線の透過率の上限は特にないが、例えば１００％以下としても良い。基板１１の可視光線の透過率を上記範囲とすることにより、配線基板１０の透明性を高め、画像表示装置９０のディスプレイ９１（後述）を視認しやすくすることができる。なお、可視光線とは、波長が４００ｎｍ～７００ｎｍの光線のことをいう。また、可視光線の透過率が８５％以上であるとは、公知の分光光度計（例えば、日本分光株式会社製の分光器：Ｖ－６７０）を用いて基板１１に対して吸光度の測定を行った際、４００ｎｍ～７００ｎｍの全波長領域でその透過率が８５％以上となることをいう。

本実施の形態において、メッシュ配線層２０は、アンテナとしての機能をもつアンテナパターン領域からなっている。図１において、メッシュ配線層２０は、基板１１上に複数（３つ）形成されており、それぞれ異なる周波数帯に対応している。すなわち、複数のメッシュ配線層２０は、その長さ（Ｙ方向の長さ）Ｌ_ａが互いに異なっており、それぞれ特定の周波数帯に対応した長さを有している。なお、対応する周波数帯が低周波であるほどメッシュ配線層２０の長さＬ_ａが長くなっている。配線基板１０が例えば画像表示装置９０のディスプレイ９１（後述する図１０参照）上に配置される場合、各メッシュ配線層２０は、電話用アンテナ、ＷｉＦｉ用アンテナ、３Ｇ用アンテナ、４Ｇ用アンテナ、５Ｇ用アンテナ、ＬＴＥ用アンテナ、Bluetooth（登録商標）用アンテナ、ＮＦＣ用アンテナ等のいずれかに対応していても良い。またメッシュ配線層２０は、基板１１の全面に存在するのではなく、基板１１上の一部領域のみに存在していても良い。

各メッシュ配線層２０は、それぞれ平面視で略長方形状である。各メッシュ配線層２０は、その長手方向がＹ方向に平行であり、その短手方向がＸ方向に平行となっている。各メッシュ配線層２０の長手方向（Ｙ方向）の長さＬ_ａは、例えば３ｍｍ以上１００ｍｍ以下の範囲で選択することができ、各メッシュ配線層２０の短手方向（Ｘ方向）の幅Ｗ_ａは、例えば１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の範囲で選択することができる。とりわけメッシュ配線層２０は、ミリ波用アンテナであっても良い。メッシュ配線層２０がミリ波用アンテナである場合、メッシュ配線層２０の長さＬ_ａは、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下、より好ましくは１．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の範囲で選択することができる。

メッシュ配線層２０は、それぞれ金属線が格子形状又は網目形状に形成され、Ｘ方向及びＹ方向に繰り返しパターンを有している。すなわちメッシュ配線層２０は、Ｘ方向に延びる部分（第２方向配線２２）とＹ方向に延びる部分（第１方向配線２１）とから構成されるパターン形状を有している。

図２に示すように、各メッシュ配線層２０は、アンテナとしての機能をもつ複数の第１方向配線（アンテナ配線）２１と、複数の第１方向配線２１を連結する複数の第２方向配線（アンテナ連結配線）２２とを含んでいる。具体的には、複数の第１方向配線２１と複数の第２方向配線２２とは、全体として一体となって、格子形状又は網目形状を形成している。各第１方向配線２１は、アンテナの周波数帯に対応する方向（長手方向、Ｙ方向）に延びており、各第２方向配線２２は、第１方向配線２１に直交する方向（幅方向、Ｘ方向）に延びている。第１方向配線２１は、所定の周波数帯に対応する長さＬ_ａ（上述したメッシュ配線層２０の長さ、図１参照）を有することにより、主としてアンテナとしての機能を発揮する。一方、第２方向配線２２は、これらの第１方向配線２１同士を連結することにより、第１方向配線２１が断線したり、第１方向配線２１と給電部４０とが電気的に接続しなくなったりする不具合を抑える役割を果たす。

図３に示すように、各メッシュ配線層２０においては、互いに隣接する第１方向配線２１と、互いに隣接する第２方向配線２２とに取り囲まれることにより、複数の開口部２３が形成されている。また、第１方向配線２１と第２方向配線２２とは互いに等間隔に配置されている。すなわち複数の第１方向配線２１は、互いに等間隔に配置され、そのピッチＰ_１は、例えば０．０１ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲とすることができる。また、複数の第２方向配線２２は、互いに等間隔に配置され、そのピッチＰ_２は、例えば０．０１ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲とすることができる。このように、複数の第１方向配線２１と複数の第２方向配線２２とがそれぞれ等間隔に配置されていることにより、各メッシュ配線層２０内で開口部２３の大きさにばらつきがなくなり、メッシュ配線層２０を肉眼で視認しにくくすることができる。また、第１方向配線２１のピッチＰ_１は、第２方向配線２２のピッチＰ_２と等しい。このため、各開口部２３は、それぞれ平面視略正方形状となっており、各開口部２３からは、透明性を有する基板１１が露出している。このため、各開口部２３の面積を広くすることにより、配線基板１０全体としての透明性を高めることができる。なお、各開口部２３の一辺の長さＬ_３は、例えば０．０１ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲とすることができる。なお、各第１方向配線２１と各第２方向配線２２とは、互いに直交しているが、これに限らず、互いに鋭角又は鈍角に交差していてもよい。また、開口部２３の形状は、全面で同一形状同一サイズとするのが好ましいが、場所によって変えるなど全面で均一としなくても良い。

図４に示すように、各第１方向配線２１は、その長手方向に垂直な断面（Ｘ方向断面）が略長方形形状又は略正方形形状となっている。この場合、第１方向配線２１の断面形状は、第１方向配線２１の長手方向（Ｙ方向）に沿って略均一となっている。また、図５に示すように、各第２方向配線２２の長手方向に垂直な断面（Ｙ方向断面）の形状は、略長方形形状又は略正方形形状であり、上述した第１方向配線２１の断面（Ｘ方向断面）形状と略同一である。この場合、第２方向配線２２の断面形状は、第２方向配線２２の長手方向（Ｘ方向）に沿って略均一となっている。第１方向配線２１と第２方向配線２２の断面形状は、必ずしも略長方形形状又は略正方形形状でなくても良い。第１方向配線２１と第２方向配線２２の断面形状は、例えば表面側（Ｚ方向プラス側）が裏面側（Ｚ方向マイナス側）よりも狭い略台形形状、あるいは、長手方向両側に位置する側面が湾曲した形状であっても良い。

本実施の形態において、第１方向配線２１の線幅Ｗ_１（Ｘ方向の長さ、図４参照）及び第２方向配線２２の線幅Ｗ_２（Ｙ方向の長さ、図５参照）は、特に限定されず、用途に応じて適宜選択できる。例えば、第１方向配線２１の線幅Ｗ_１は０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲で選択することができ、０．２μｍ以上２．０μｍ以下とすることが好ましい。また、第２方向配線２２の線幅Ｗ_２は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲で選択することができ、０．２μｍ以上２．０μｍ以下とすることが好ましい。さらに、第１方向配線２１の高さＨ_１（Ｚ方向の長さ、図４参照）及び第２方向配線２２の高さＨ_２（Ｚ方向の長さ、図５参照）は特に限定されず、用途に応じて適宜選択することができ、例えば０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲で選択することができ、０．２μｍ以上２．０μｍ以下とすることが好ましい。

図６は、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の幅方向（Ｘ方向、Ｙ方向）の断面を示している。第１方向配線２１及び第２方向配線２２は、それぞれ表面２４ａと、裏面２４ｂと、２つの側面２４ｃ、２４ｄとを有している。このうち表面２４ａは、使用時に第１方向配線２１及び第２方向配線２２が観察者に視認される側（Ｚ方向プラス側）に位置している。裏面２４ｂは、表面２４ａの反対側であって基板１１側（Ｚ方向マイナス側）に位置している。また２つの側面２４ｃ、２４ｄは、表面２４ａと裏面２４ｂとの間に位置しており、それぞれ第１方向配線２１及び第２方向配線２２の幅方向（Ｘ方向、Ｙ方向）両側に位置している。この場合、表面２４ａと側面２４ｃ、２４ｄとはそれぞれ略直交し、裏面２４ｂと側面２４ｃ、２４ｄとはそれぞれ略直交しているが、これに限らず、鋭角又は鈍角で交わっていても良い。また表面２４ａ、裏面２４ｂ及び側面２４ｃ、２４ｄは、それぞれ直線状に延びているが、これに限らず表面２４ａ、裏面２４ｂ又は側面２４ｃ、２４ｄがそれぞれ湾曲していても良い。

図７は、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面２４ａの近傍を拡大して示す概略図である。図７に示すように、第１方向配線２１及び第２方向配線２２は、それぞれその幅方向（Ｘ方向、Ｙ方向）の断面に現れる結晶粒の大きさをＥＢＳＤ法で測定することができる。

ＥＢＳＤ法とは、走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭとも称する）などを用いて試料の表面に対して大きく傾斜した方向から試料に電子線を照射した場合に得られる電子線の回折パターン（以下、ＥＢＳＤパターンとも称する）に基づいて、結晶粒を解析する方法である。測定装置としては、例えば、ショットキー電界放出走査型電子顕微鏡と、ＥＢＳＤ検出器とを組み合わせたものを用いることができる。ＥＢＳＤ検出器としては、例えば、株式会社ＴＳＬソリューションズ製のＯＩＭ（Orientation Imaging Microscopy）検出器を用いることができる。

ＥＢＳＤ法を行う前の前処理として ＦＩＢ（集束イオンビーム）法を用いて試料の断面加工を行っても良い。またＦＩＢ法を行う前の前処理として、試料表面に保護膜としてカーボンを２００ｎｍ以上付与しても良い。この保護膜としては、Ｐｔ、ＰｔＰｄ、Ｏｓ等の成分でもよく、保護膜を付与する方法としては、スパッタ法、蒸着法のいずれを用いてもよい。保護膜は、ＦＩＢ法による加工時に加工部の表面に生じるダメージを防ぐものであり、保護膜の膜厚は加工条件により適宜調節することができる。ＦＩＢ法に用いられるＦＩＢ装置としては、マイクロサンプリングをはじめとする、任意の箇所からピックアップすることが可能なシステムを搭載している装置であればどのような装置を用いてもよく、例えば日立ハイテクノロジーズ製ＮＢ５０００を用いることができる。なお、観察部位の断面を薄膜加工した仕上げ膜厚は３００ｎｍ以上とし、厚い分には問題がない。観察部位の断面を薄膜加工した仕上げ幅は例えば３０μｍとしても良い。ＦＩＢ装置に搭載されているシステムにも依存するが、仕上げ幅が広い方が効率的である。

ＥＢＳＤ法に用いる走査型電子顕微鏡の条件の一例は、以下の通りである。
・観察倍率：３００００倍（ｘ１倍率の基準を１２０ｍｍ×９０ｍｍとする）
・加速電圧：１５ｋＶ
・ワーキングディスタンス：１５ｍｍ
・試料傾斜角度：７０度
ＥＢＳＤ法による結晶解析の条件の一例は、以下の通りである。
・ステップサイズ：２５ｎｍ
解析条件：
株式会社ＴＳＬソリューションズ製の結晶方位解析ソフトＯＩＭ（Ｖｅｒ７．３）を使用して、以下の解析を実施する。
解析の対象になる測定領域に現れる結晶粒の数が１００個未満である場合、測定対象領域をずらしながら試料の断面の複数の位置で画像を取得し、得られた複数の画像を連結することにより、１００個以上の結晶粒が現れる画像を生成してもよい。
株式会社ＴＳＬソリューションズ製の結晶方位解析ソフト ＯＩＭ（Ｖｅｒ７．３）にて定義される信頼性指数（Confidence Index：ＣＩ値）が所定値以下のデータは排除して、解析を実施する。例えば、ＣＩ値が０．２以下のデータを排除する。これにより、試料表裏に存在する基材や前処理に使用した保護膜、試料断面に存在している粒界や、アモルファスの影響を排除することができる。その他の手法としてImage Quality像より一定以上のコントラストを有する箇所を結晶とみなし、データ抽出を行う方法もよい。双晶粒界は存在しないものとして、通常の粒界のみカウントする。

第１方向配線２１及び第２方向配線２２に含まれる金属結晶２９のエリア平均粒径は、３００ｎｍ以上としても良く、４００ｎｍ以上であることが好ましい。なお、金属結晶２９のエリア平均粒径の上限は特にないが、例えば１０００ｎｍ以下としても良い。金属結晶２９のエリア平均粒径が３００ｎｍ以上であることにより、後述するように、金属結晶２９の密度が相対的に低くなるため、粒界の総面積が減少し、粒界での電子拡散が減少し、電流が流れにくくことを抑制でき、電磁波の伝送損失を低減できる。

なお、金属結晶２９の粒径ｄ_ｐとは、例えば図７のような断面視における当該金属結晶２９の大きさ、言い換えると、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の長手方向に平行な方向から第１方向配線２１及び第２方向配線２２を観察した場合に観察される当該金属結晶２９の大きさと同面積の円の直径としても良い。金属結晶２９のエリア平均粒径は、厳密には、第１方向配線２１及び第２方向配線２２に含まれるすべての金属結晶２９について粒径ｄ_ｐを調べて、その平均値を算出することになる。しかしながら、金属結晶２９の大きさ等を考慮して、第１方向配線２１及び第２方向配線２２内での金属結晶２９の粒径ｄ_ｐの全体的な傾向を表し得ると期待される数量の金属結晶２９の粒径ｄ_ｐを調べて、その平均値を金属結晶２９のエリア平均粒径としてもよい。例えば、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の長手方向の長さ３μｍから３０μｍあたり５個から５０個以上の金属結晶２９の粒径ｄ_ｐを調べて、その平均値を金属結晶２９のエリア平均粒径としてもよい。

金属結晶２９のエリア平均粒径を測定する箇所は、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の断面等の測定面において、測定に必要なサイズが測定面より狭い場合はその端部から離れた箇所とする。例えば、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の幅方向の位置を測定可能な場合、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の幅の１０％以上の長さ分だけ幅方向端部から離れた中央に近い箇所で測定する。第１方向配線２１及び第２方向配線２２の厚み方向の位置を測定可能な場合、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の厚みの１０％以上の長さ分だけ厚み方向端部から離れた中央に近い箇所で測定する。また、上述したように、数点を測定し、それらの平均値をエリア平均粒径としても良い。

また、図７に示すように、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面粗さＲａは１００ｎｍ以下であっても良く、９０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面粗さＲａの下限は特にないが、例えば５ｎｍ以上としても良い。第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面粗さＲａが１００ｎｍ以下であることにより、後述するように、特に高周波の電磁波において、表皮効果により主に第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面に電子が流れる。このため、当該表面が平滑なほど、つまり表面粗さＲａが小さいほど、電磁波の伝送損失を低減できる。表面粗さＲａは、非接触式粗さ計を用いて測定される算術平均粗さである。非接触式粗さ計としては、キーエンス社製レーザー顕微鏡ＶＫ－Ｘ２５０（制御部）を用いることができる。

ここで第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面粗さＲａとは、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の外面の表面粗さＲａであり、具体的には、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面２４ａの表面粗さＲａをいう。また、表面２４ａの全面が上記範囲を満たすことが好ましいが、これに限らず、表面２４ａの一部の表面粗さＲａが上記範囲を満たしても良い。第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面粗さＲａを測定する箇所は、表面２４ａにおいて、その幅方向端部から離れた箇所とする。例えば、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の幅の１０％以上の長さ分だけ幅方向端部から離れた中央に近い箇所で測定する。また、一点でも良いが、数点を測定し、それらの平均値としても良い。

なお、本実施の形態において、上述したように、（ｉ）第１方向配線２１及び第２方向配線２２に含まれる金属結晶２９のエリア平均粒径は、３００ｎｍ以上であり、かつ（ii）第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面粗さＲａが１００ｎｍ以下となっていることが好ましい。しかしながら、これに限らず、上記（ｉ）又は（ii）のいずれか一方の条件のみを満たしても良い。

第１方向配線２１及び第２方向配線２２の材料は、導電性を有する金属材料であればよい。本実施の形態において第１方向配線２１及び第２方向配線２２の材料は銅であるが、これに限定されない。第１方向配線２１及び第２方向配線２２の材料は、例えば、金、銀、銅、白金、錫、アルミニウム、鉄、ニッケルなどの金属材料（含む合金）を用いることができる。また第１方向配線２１及び第２方向配線２２は、電解めっき法によって形成されためっき層であっても良い。

また、図４及び図５に示すように、基板１１上には易接着層１５が形成されている。易接着層１５は、基板１１と第１方向配線２１及び第２方向配線２２との接着性を高めるものであり、基板１１の表面の略全域に形成されている。易接着層１５は、絶縁性の被膜からなっている。このような易接着層１５の材料としては、例えばポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート等のアクリル樹脂とそれらの変性樹脂と共重合体、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニル樹脂とそれらの共重合体、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアミド、塩素化ポリオレフィン等の無色透明な樹脂を用いることができる。また、易接着層１５の厚みは、１０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲で適宜設定することができる。なお、易接着層１５は、基板１１の表面のうち少なくともメッシュ配線層２０に形成されていれば良い。

易接着層１５上には、密着層１６が形成されている。この密着層１６は、第１方向配線２１及び第２方向配線２２と、易接着層１５との間に位置している。密着層１６は、基板１１と第１方向配線２１及び第２方向配線２２との密着性を高めるものであり、第１方向配線２１及び第２方向配線２２と同一の平面形状に形成されている。すなわち、密着層１６は、平面視で格子形状又は網目形状を有している。この密着層１６の材料としては、例えばチタン、チタン酸化物、ニッケル、ニッケル酸化物、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ：Indium-Zinc-Oxide）、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ：Indium-Tin-Oxide）等の金属酸化物を用いることができる。また、密着層１６の厚みは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲で選択することができる。なお、密着層１６は必ずしも設けられていなくても良い。

さらに、基板１１の表面上であって、第１方向配線２１、第２方向配線２２及び易接着層１５を覆うように保護層１７が形成されている。保護層１７は、第１方向配線２１及び第２方向配線２２を保護するものであり、基板１１の表面の略全域に形成されている。保護層１７の材料としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート等のアクリル樹脂とそれらの変性樹脂と共重合体、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニル樹脂とそれらの共重合体、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアミド、塩素化ポリオレフィン等の無色透明の絶縁性樹脂を用いることができる。また、保護層１７の厚みは、０．３μｍ以上１０μｍ以下の範囲で選択することができる。なお、保護層１７は、基板１１のうち少なくともメッシュ配線層２０を覆うように形成されていれば良い。

メッシュ配線層２０の全体の開口率Ａｔは、例えば８７％以上１００％未満の範囲とすることができる。配線基板１０の全体の開口率Ａｔをこの範囲とすることにより、配線基板１０の導電性と透明性を確保することができる。なお、開口率とは、所定の領域（例えばメッシュ配線層２０の全域）の単位面積に占める、開口領域（第１方向配線２１、第２方向配線２２等の金属部分が存在せず、基板１１が露出する領域）の面積の割合（％）をいう。

再度図１を参照すると、給電部４０は、メッシュ配線層２０に電気的に接続されている。この給電部４０は、略長方形状の導電性の薄板状部材からなる。給電部４０の長手方向はＸ方向に平行であり、給電部４０の短手方向はＹ方向に平行である。また、給電部４０は、基板１１の長手方向端部（Ｙ方向マイナス側端部）に配置されている。給電部４０の材料は、例えば、金、銀、銅、白金、錫、アルミニウム、鉄、ニッケルなどの金属材料（含む合金）を用いることができる。この給電部４０は、配線基板１０が画像表示装置９０（図１０参照）に組み込まれた際、画像表示装置９０の無線通信用回路９２と電気的に接続される。なお、給電部４０は、基板１１の表面に設けられているが、これに限らず、給電部４０の一部又は全部が基板１１の周縁よりも外側に位置していても良い。また、給電部４０を柔軟に形成することにより、給電部４０が画像表示装置９０の側面や裏面に回り込んで、側面や裏面側で電気的に接続できるようにしても良い。

［配線基板の製造方法］
次に、図８Ａ－図８Ｅ及び図９Ａ－図９Ｅを参照して、本実施の形態による配線基板の製造方法について説明する。図８Ａ－図８Ｅ及び図９Ａ－図９Ｅは、本実施の形態による配線基板の製造方法を示す断面図である。

まず、図８Ａに示すように、基板１１を準備し、この基板１１の表面の略全域に易接着層１５及び密着層１６を順次形成する。易接着層１５を形成する方法としては、ロールコート、グラビアコート、グラビアリバースコート、マイクログラビアコート、スロットダイコート、ダイコート、ナイフコート、インクジェットコート、ディスペンサーコート、キスコート、スプレーコートを用いても良い。また、密着層１６を形成する方法としては、蒸着法やスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法を用いても良い。

次に、図８Ｂに示すように、基板１１の表面の略全域であって、密着層１６上に導電層５１を形成する。本実施の形態において導電層５１の厚さは、２００ｎｍである。しかしながらこれに限定されず、導電層５１の厚さは１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲で適宜選択することができる。本実施の形態において導電層５１は、銅を用いてスパッタリング法によって形成する。導電層５１を形成する方法としては、プラズマＣＶＤ法を用いても良い。

次に、図８Ｃに示すように、基板１１の表面の略全域であって、密着層１６上に光硬化性絶縁レジスト５２を供給する。この光硬化性絶縁レジスト５２としては、例えばエポキシ系樹脂等の有機樹脂を挙げることができる。

続いて、凸部５３ａを有する透明なインプリント用のモールド５３を準備し（図８Ｄ）、このモールド５３と基板１１とを近接させて、モールド５３と基板１１との間に光硬化性絶縁レジスト５２を展開する。次いで、モールド５３側から光照射を行い、光硬化性絶縁レジスト５２を硬化させることにより、絶縁層５４を形成する。これにより、絶縁層５４の表面に、凸部５３ａが転写された形状をもつトレンチ５４ａが形成される。トレンチ５４ａは、第１方向配線２１及び第２方向配線２２に対応する平面形状パターンを有する。

その後、モールド５３を絶縁層５４から剥離することにより、図８Ｅに示す断面構造の絶縁層５４を得る。モールド５３を絶縁層５４から剥離する方向は、より長い第１方向配線２１が延長するＹ方向とすることが好ましい。

このように、絶縁層５４の表面に、インプリント法によってトレンチ５４ａを形成することにより、トレンチ５４ａの形状を微細なものとすることができる。なお、これに限らず、絶縁層５４をフォトリソグラフィ法により形成しても良い。この場合、フォトリソグラフィ法により、第１方向配線２１及び第２方向配線２２に対応する導電層５１を露出するようにレジストパターンを形成する。

このとき、絶縁層５４のトレンチ５４ａの底部には、絶縁材料の残渣が残ることがある。このため過マンガン酸塩溶液やＮ－メチル－２－ピロリドン等の有機溶媒を用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、絶縁材料の残渣を除去する。

このように、絶縁材料の残渣を除去することによって、図９Ａに示すように導電層５１を露出したトレンチ５４ａを形成することができる。

次に、図９Ｂに示すように、絶縁層５４のトレンチ５４ａを、導電体５５で充填する。本実施の形態において、導電層５１をシード層として、電解めっき法を用いて絶縁層５４のトレンチ５４ａを銅で充填する。なお導電体５５は、第１方向配線２１及び第２方向配線２２に対応する平面形状を有する。

このように電解めっき法を用いてトレンチ５４ａを導電体５５で充填する際、例えば電解めっきに用いられるめっき液を適宜調整することにより、（ｉ）導電体５５（第１方向配線２１及び第２方向配線２２）に含まれる金属結晶２９のエリア平均粒径を３００ｎｍ以上とし、及び／又は、（ii）導電体５５（第１方向配線２１及び第２方向配線２２）の表面粗さＲａを１００ｎｍ以下とすることができる。例えば導電体５５が銅から作製され、めっき液として硫酸銅を主成分とする硫酸銅浴が用いられる場合、めっき液に含まれる硫酸銅、硫酸、界面活性剤等を含む光沢剤等の各種成分を適宜調整することにより、結晶の成長速度を抑制し、結果として導電体５５に含まれる金属結晶２９のエリア平均粒径を増大させ、導電体５５の表面粗さＲａを抑制することができる。このように、めっき液として硫酸銅を主成分とするものを用いた場合、一般的なシアン化銅を主成分としためっき液を用いる場合と比較して、導電体５５に含まれる金属結晶２９のエリア平均粒径を大きくするとともに、導電体５５の外面が平滑になるようにすることができる。

続いて、図９Ｃに示すように、絶縁層５４を除去する。この場合、過マンガン酸塩溶液やＮ－メチル－２－ピロリドン等の有機溶媒を用いたウェット処理や、酸素プラズマを用いたドライ処理を行うことによって、基板１１上の絶縁層５４を除去する。

次いで、図９Ｄに示すように、基板１１の表面上の導電層５１及び密着層１６を除去する。この際、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液、ペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液、ペルオキソ二硫酸ナトリウム水溶液、硫酸、過酸化水素水等の銅エッチング液を用いたウェット処理を行うことによって、基板１１の表面が露出するように導電層５１及び密着層１６をエッチングする。更にその後、導電体５５（第１方向配線２１及び第２方向配線２２）の表面に黒化層を形成しても良い。

その後、図９Ｅに示すように、基板１１上の易接着層１５、導電体５５及び密着層１６を覆うように保護層１７を形成する。保護層１７を形成する方法としては、ロールコート、グラビアコート、グラビアリバースコート、マイクログラビアコート、スロットダイコート、ダイコート、ナイフコート、インクジェットコート、ディスペンサーコート、キスコート、スプレーコート、スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷を用いても良い。

このようにして、基板１１と、基板１１上に配置されたメッシュ配線層２０と、を有する配線基板１０が得られる（図９Ｅ）。この場合、メッシュ配線層２０は、第１方向配線２１及び第２方向配線２２を含む。このとき、導電体５５の一部によって、給電部４０が形成されても良い。あるいは、平板状の給電部４０を別途準備し、この給電部４０をメッシュ配線層２０に電気的に接続しても良い。

［本実施の形態の作用］
次に、このような構成からなる配線基板の作用について述べる。

図１０に示すように、配線基板１０は、ディスプレイ９１を有する画像表示装置９０に組み込まれる。配線基板１０は、ディスプレイ９１上に配置される。このような画像表示装置９０としては、例えばスマートフォン、タブレット等の携帯端末機器を挙げることができる。配線基板１０のメッシュ配線層２０は、給電部４０を介して画像表示装置９０の無線通信用回路９２に電気的に接続される。このようにして、メッシュ配線層２０を介して、所定の周波数の電波を送受信することができ、画像表示装置９０を用いて通信を行うことができる。

ところで、特に近年使用されてきている高周波の電磁波において、メッシュ配線層２０を構成する金属の結晶粒界を電子が単位時間当たりに通過する回数が増加するため、電流が流れにくく、伝送損失が増加する恐れがある。

これに対して本実施の形態によれば、（ｉ）第１方向配線２１及び第２方向配線２２に含まれる金属結晶２９のエリア平均粒径が３００ｎｍ以上であり、及び／又は、（ii）第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面粗さＲａが１００ｎｍ以下となっている。これにより、金属結晶２９の密度が相対的に低くなるため、粒界の総面積が減少し、粒界での電子拡散が減少し、電流が流れにくくことを抑制でき、電磁波の伝送損失を低減できる。また、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面が平滑であるため、電磁波の伝送損失を低減できる。

また近年、第５世代通信すなわち５Ｇ（Generation）用の携帯端末機器の開発が進められている。配線基板１０のメッシュ配線層２０が例えば５Ｇ用のアンテナ（特にミリ波用アンテナ）として用いられる場合、メッシュ配線層２０が送受信する電波（ミリ波）は、例えば４Ｇ用のアンテナが送受信する電波と比べて高周波である。一般に、交流電流を配線に流したとき、周波数が高くなるほど、配線の中心部分には電流が流れにくくなり、配線の表面を電流が流れるようになる。このように、配線に交流電流を流したときに表面にのみ電流が流れる現象のことを表皮効果という。また、表皮深さとは、最も電流が流れやすい配線の表面の電流に対して、１／ｅ（約０．３７）倍に減衰する、配線の表面からの深さのことをいう。この表皮深さδ（図６参照）は、一般に下記の式によって求めることができる。

なお、上記式中、ωは角周波数（＝２πｆ）、μは透磁率（真空中では４π×１０^－７［Ｈ／ｍ］）、σは配線を構成する導体の導電率（銅の場合は５．８×１０^７［Ｓ／ｍ］）を意味する。銅の配線の表皮深さδは、周波数が０．８ＧＨｚの場合、δ＝約２．３μｍであり、周波数が２．４ＧＨｚの場合、δ＝約１．３μｍであり、周波数が４．４ＧＨｚの場合、δ＝約１．０μｍであり、周波数が６ＧＨｚの場合、δ＝約０．８５μｍである。また、５Ｇ用のアンテナが送受信する電波（ミリ波）は、例えば４Ｇ用のアンテナが送受信する電波と比べて高周波（２８ＧＨｚ～３９ＧＨｚ）であり、例えば電流の周波数が２８ＧＨｚ～３９ＧＨｚである場合、δ＝約０．３μｍ～約０．４μｍとなる。

このため、メッシュ配線層２０の表面が平滑なほど、つまり表面粗さＲａが小さいほど、配線の表皮抵抗が増加することが抑えられ、電波の送受信時に生じる伝送損失を低減することができる。これに対して、比較例として配線の表面粗さＲａが大きい場合、配線の表皮抵抗が増加し、電波の送受信時に伝送損失が生じるおそれがある。とりわけ、メッシュ配線層２０が送受信する電波（ミリ波）が高周波である場合、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面粗さＲａを１００ｎｍ以下に抑えることにより、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表皮抵抗を小さくすることができる。このため、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表皮抵抗によって、メッシュ配線層２０中の電流の流れを阻害しないようにすることができる。

また、本実施の形態によれば、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の線幅が０．１μｍ以上５．０μｍ以下である。これにより、第１方向配線２１及び第２方向配線２２を肉眼で見づらくすることができ、ディスプレイ９１の視認性を低下しないようにすることができる。

また、本実施の形態においては、基板１１の誘電正接が０．００２以下であることにより、とりわけメッシュ配線層２０が送受信する電波（ミリ波）が高周波である場合に、電波の送受信時に生じる誘電損失を小さくできる。

また、本実施の形態によれば、第１方向配線２１及び第２方向配線２２はめっき層からなることにより、第１方向配線２１の高さＨ_１及び第２方向配線２２の高さＨ_２を高くすることができる。

また、本実施の形態によれば、基板１１上に、易接着層１５が形成されているので、基板１１と、第１方向配線２１及び第２方向配線２２との接着性を高めることができる。さらに、易接着層１５上に、密着層１６が形成されているので、基板１１と、第１方向配線２１及び第２方向配線２２との密着性をより高めることができる。

また、本実施の形態によれば、基板１１上に、第１方向配線２１及び第２方向配線２２を覆うように保護層１７が形成されているので、第１方向配線２１及び第２方向配線２２を外部の衝撃等から保護することができる。

また、本実施の形態によれば、メッシュ配線層２０は、アンテナとしての機能をもつ。このアンテナとしてのメッシュ配線層２０を画像表示装置９０の最表面側に配置することができる。このため、アンテナを画像表示装置９０に内蔵させる場合と比べて通信性能を向上させることができる。また、アンテナとしてのメッシュ配線層２０を画像表示装置９０の面内に複数配置することができるので、通信性能をより向上させることができる。

とりわけ、メッシュ配線層２０がアンテナとして用いられる場合に、アンテナとしての性能、具体的にはＳ１１等のアンテナ性能の低下を抑えることができる。ここでＳ１１とは、例えば、アンテナの入力端子から反射される電力を、アンテナの入力端子に入射する電力で割った値をいう。Ｓ１１は、例えば、ネットワークアナライザを用いて測定することができる。

なお本実施の形態において、メッシュ配線層２０がアンテナとしての機能をもつ場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。メッシュ配線層２０は、例えばホバリング（使用者がディスプレイに直接触れなくても操作可能となる機能）、指紋認証、ヒーター、ノイズカット（シールド）等の機能を果たしても良い。このような場合においても、メッシュ配線層２０中を電流が流れやすくすることができる。

また本実施の形態において、第１方向配線２１及び第２方向配線２２の両方が、（ｉ）第１方向配線２１及び第２方向配線２２に含まれる金属結晶２９のエリア平均粒径が３００ｎｍ以上であり、及び／又は、（ii）第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面粗さＲａが１００ｎｍ以下となっている場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。第１方向配線２１及び第２方向配線２２のいずれか一方のみが、（ｉ）第１方向配線２１及び第２方向配線２２に含まれる金属結晶２９のエリア平均粒径が３００ｎｍ以上であり、及び／又は、（ii）第１方向配線２１及び第２方向配線２２の表面粗さＲａが１００ｎｍ以下となっていても良い。

［実施例］
次に、本実施の形態における具体的実施例について説明する。

（メッシュパターンの作製）
実施例及び比較例の配線基板をそれぞれ以下の通り準備した。

（実施例１）
ＰＥＴフィルム製の基板上に銅のメッシュパターンを硫酸銅を主成分とするめっき液を用いて電解めっき法により作製した。これにより、基板１０１と、メッシュ配線層１０２とを備えた配線基板１００を得た（図１１参照）。なおメッシュ配線層１０２の大きさは、幅２ｍｍ×長さ７．５ｍｍとし、長さ７．５ｍｍの終端部に同じ幅２ｍｍで長さ１ｍｍの銅のベタ領域１０３を形成した。メッシュ配線層１０２と銅のベタ領域１０３は電気的に接続されている。更に銅のベタ領域１０３から１～２ｍｍ幅を開けて、幅６ｍｍ以上、長さ６ｍｍ以上の銅ベタ領域（グランド）１０４を形成した。メッシュ配線層１０２は格子状であり、ベタ領域１０３、１０４はベタ（ソリッド）である。各配線の幅は、メッシュ配線層１０２の幅方向及び長さ方向ともに１μｍとした。また各配線の高さは１μｍとし、各配線のピッチは１００μｍとした。ベタ領域１０３、１０４の高さは１μｍとした。

（実施例２）
メッシュ配線層１０２とベタ領域１０３、１０４を作製する際のめっき液の各種成分が異なること、以外は実施例１と同様にして、実施例２の配線基板を作製した。

（比較例１）
メッシュ配線層１０２とベタ領域１０３、１０４を作製する際のめっき液の各種成分が異なること、以外は実施例２と同様にして、比較例１の配線基板を作製した。

実施例及び比較例の配線基板１００について、銅結晶のエリア平均粒径と配線の表面粗さＲａとをそれぞれ測定した。銅結晶のエリア平均粒径は、ＳＥＭ－ＥＢＳＤ法により分析した。また、配線の表面粗さＲａは、レーザー顕微鏡（キーエンス社製ＶＫ－Ｘ２５０（制御部）、ＶＫ－Ｘ２６０（測定部）、レーザー波長４０８ｎｍ）を用いて測定した。

ベクトルネットワークアナライザ（アジレント社製８７２２ＥＳ）を使用し、同軸ケーブルのＧ信号を幅６ｍｍ以上、長さ６ｍｍ以上の銅ベタ領域１０４に接続し、Ｓ信号をメッシュパターン終端部のベタ領域１０３へ接続し、メッシュ配線層１０２の８～１２ＧＨｚのＳ１１を測定した。

この結果、－１０ｄＢ以下のピークを有するものを「◎」（excellent）と評価し、－８ｄＢ以下のピークを有するものを「○」（good）と評価し、－８ｄＢ以下のピークを示さないものを「×」（poor）と評価した。以上の評価結果を表１に示す。

上記実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

Claims (18)

1. 配線基板であって、
   基板と、
   前記基板上に配置され、複数の配線を含むメッシュ配線層と、を備え、
   前記基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光線の透過率が８５％以上であり、
   前記配線は、表面粗さＲａを含み、前記表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下であり、
   前記配線は、断面視において粒界を介して互いに隣接して配置された複数の金属結晶を含み、前記金属結晶のエリア平均粒径が３００ｎｍ以上である、配線基板。
2. 前記配線の線幅は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下である、請求項１に記載の配線基板。
3. 前記メッシュ配線層は、アンテナである、請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 前記配線は、金、銀、銅、白金、錫、アルミニウム、鉄又はニッケルを含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
5. 前記基板の誘電正接が０．００２以下である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板。
6. 前記基板の厚みが５μｍ以上２００μｍ以下である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線基板。
7. 前記基板は、シクロオレフィンポリマー又はポリノルボルネンポリマーを含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線基板。
8. 前記メッシュ配線層は、前記基板の一部のみに存在する、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線基板。
9. 前記表面粗さＲａは９０ｎｍ以下である、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の配線基板。
10. 配線基板の製造方法であって、
    基板を準備する工程と、
    前記基板上に、複数の配線を含むメッシュ配線層を形成する工程と、を備え、
    前記基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光線の透過率が８５％以上であり、
    前記配線は、表面粗さＲａを含み、前記表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下であり、
    前記配線は、断面視において粒界を介して互いに隣接して配置された複数の金属結晶を含み、前記金属結晶のエリア平均粒径が３００ｎｍ以上である、配線基板の製造方法。
11. 前記配線の線幅は、０．１μｍ以上５．０μｍ以下である、請求項１０に記載の配線基板の製造方法。
12. 前記メッシュ配線層は、アンテナである、請求項１０又は１１に記載の配線基板の製造方法。
13. 前記配線は、金、銀、銅、白金、錫、アルミニウム、鉄又はニッケルを含む、請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
14. 前記基板の誘電正接が０．００２以下である、請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
15. 前記基板の厚みが５μｍ以上２００μｍ以下である、請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
16. 前記基板は、シクロオレフィンポリマー又はポリノルボルネンポリマーを含む、請求項１０乃至１５のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
17. 前記メッシュ配線層は、前記基板の一部のみに存在する、請求項１０乃至１６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
18. 前記表面粗さＲａは９０ｎｍ以下である、請求項１０乃至１７のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。

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