JP7674543B2 - ガラス組成物、ガラス繊維及び電子製品 - Google Patents
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Description
含有量が45wt%~61wt%の範囲内にあるSiO2と、
含有量が15wt%~22wt%の範囲内にあるAl2O3と、
含有量が0.1wt%~6wt%の範囲内にあるCaOと、
含有量が0wt%を超え且つ2wt%未満の範囲内にあるMgOと、
含有量が0wt%を超え且つ8wt%未満の範囲内にあるZnOと、
含有量が0wt%を超え且つ7wt%未満の範囲内にあるCuOと、
含有量が6wt%を超え且つ18wt%未満の範囲内にあるB2O3と、を含み、
CaOの含有量、MgOの含有量、Al2O3の含有量及びB2O3の含有量は、以下の式1を満足する関係になり、
式1:x=(C+M)/A+(C+M)/B、
式中、xの値は、0.3~1.5の範囲内にあり、
Cは、CaOの含有量を表し、
Mは、MgOの含有量を表し、
Aは、Al2O3の含有量を表し、
Bは、B2O3の含有量を表す、ことを特徴とするガラス組成物を提供する。
本発明のガラス組成物は、総量を100wt%として、含有量が45wt%~61wt%の範囲内にあるSiO2(二酸化ケイ素)と、含有量が15wt%~22wt%の範囲内にあるAl2O3(酸化アルミニウム)と、含有量が0.1wt%~6wt%の範囲内にあるCaO(酸化カルシウム)と、含有量が0wt%を超え且つ2wt%未満の範囲内にあるMgO(酸化マグネシウム)と、含有量が0wt%を超え且つ8wt%未満の範囲内にあるZnO(酸化亜鉛)と、含有量が0wt%を超え且つ7wt%未満の範囲内にあるCuO(酸化銅)と、含有量が6wt%を超え且つ18wt%未満の範囲内にあるB2O3(酸化ホウ素)とを含む。
式中、xの値は、0.3~1.5の範囲内にあり、
Cは、CaOの含有量を表し、
Mは、MgOの含有量を表し、
Aは、Al2O3の含有量を表し、
Bは、B2O3の含有量を表す。
式中、yの値は、0.3~1.5の範囲内にあり
Cは、CaOの含有量を表し、
Mは、MgOの含有量を表し、
Aは、Al2O3の含有量を表し、
Bは、B2O3の含有量を表し、
Fは、F2の含有量を表す。
本発明のガラス繊維は、上記のガラス組成物を含む。
本発明の電子製品は、上記のガラス繊維を含む。
SiO2、Al2O3、CaO、MgO、ZnO、CuO、B2O3及びF2を混合してガラス組成物を得た。
<実施例2~実施例7及び比較例1~比較例3>
実施例2~実施例7及び比較例1~比較例3の製造方法は、各成分の含有量以外実施例1の製造方法と同じである。実施例2~実施例7及び比較例1~比較例3の各成分の含有量は表1及び表2に示される。
実施例1~実施例7及び比較例1~比較例3のガラス組成物に対して、以下の評価を行った。簡単に説明するために、以下の評価項目の評価方法は実施例1のガラス組成物を代表として説明し、他の実施例及び比較例は同じ評価方法で行った。評価結果は表1及び表2に示される。
実施例1のガラス組成物を高温炉中に配置して1500℃~1600℃の温度で1時間~4時間加熱し、完全に溶融した液体ガラスを得た。そして、該液体ガラスを直径40mmの黒鉛るつぼ(graphite crucible)に注入し、該黒鉛るつぼを800℃まで予熱した焼鈍炉(annealing furnace)に配置し、該液状ガラスを室温(25℃)にまで冷却することでガラスブロックを形成した。
実施例1のガラス組成物を高温炉中に配置して1500℃~1600℃の温度で1時間~4時間加熱し、完全に溶融した液体ガラスを得た。そして、該液体ガラスを直径40mmの黒鉛るつぼに注入し、該黒鉛るつぼを800℃まで予熱した焼鈍炉に配置し、該液状ガラスを室温(25℃)にまで冷却することでガラスブロックを形成した。
実施例1のガラス組成物を高温炉中に配置して1500℃~1600℃の温度で1時間~4時間加熱し、完全に溶融した液体ガラスを得た。そして、該液体ガラスを直径40mmの黒鉛るつぼに注入し、該黒鉛るつぼを800℃まで予熱した焼鈍炉に配置し、該液状ガラスを室温(25℃)にまで冷却することでガラスブロックを形成した。
Claims (7)
- ガラス組成物を含むガラス繊維であって、
前記ガラス組成物は、前記ガラス組成物の総量を100wt%として、
含有量が45wt%~61wt%の範囲内にあるSiO2と、
含有量が15wt%~22wt%の範囲内にあるAl2O3と、
含有量が0.1wt%~6wt%の範囲内にあるCaOと、
含有量が0wt%を超え且つ2wt%未満の範囲内にあるMgOと、
含有量が0wt%を超え且つ8wt%未満の範囲内にあるZnOと、
含有量が0wt%を超え且つ7wt%未満の範囲内にあるCuOと、
含有量が6wt%を超え且つ18wt%未満の範囲内にあるB2O3と、を含み、
前記ガラス組成物における、CaOの含有量、MgOの含有量、Al2O3の含有量及びB2O3の含有量は、以下の式1を満足する関係になり、
式1:x=(C+M)/A+(C+M)/B、
式中、xの値は、0.3~1.5の範囲内にあり、
Cは、前記ガラス組成物における、CaOの含有量を表し、
Mは、前記ガラス組成物における、MgOの含有量を表し、
Aは、前記ガラス組成物における、Al2O3の含有量を表し、
Bは、前記ガラス組成物における、B2O3の含有量を表す、ことを特徴とするガラス繊維。 - 前記ガラス組成物は、前記ガラス組成物の総量を100wt%として、含有量が0wt%を超え且つ1wt%以下の範囲内にあるF2を更に含む、ことを特徴とする請求項1に記載のガラス繊維。
- 前記ガラス組成物における、CaOの含有量、MgOの含有量、Al2O3の含有量、B2O3の含有量及びF2の含有量は、以下の式2を満足する関係になり、
式2:y=(C+M)/A+(C+M)/(B+F)、
式中、yの値は、0.3~1.5の範囲内にあり、
Cは、前記ガラス組成物における、CaOの含有量を表し、
Mは、前記ガラス組成物における、MgOの含有量を表し、
Aは、前記ガラス組成物における、Al2O3の含有量を表し、
Bは、前記ガラス組成物における、B2O3の含有量を表し、
Fは、前記ガラス組成物における、F2の含有量を表す、ことを特徴とする請求項2に記載のガラス繊維。 - 請求項1~3のいずれか一項に記載のガラス繊維を含む、ことを特徴とする電子製品。
- プリント基板である、ことを特徴とする請求項4に記載の電子製品。
- 集積回路基板である、ことを特徴とする請求項4に記載の電子製品。
- レーダードームである、ことを特徴とする請求項4に記載の電子製品。
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