JP7684581B2 - 発光モジュールの製造方法 - Google Patents
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Description
[発光モジュールの構成]
実施形態に係る発光モジュールの構成について、図1乃至図7を参照して説明する。
図1は、実施形態に係る発光モジュール全体を模式的に示す斜視図である。図2は、実施形態に係る発光モジュール全体を模式的に示す平面図である。図3は、図2のIII-III線における断面図である。図4は、図2のIV-IV線における断面図である。図5は、図2のV-V線における断面図である。図6は、図2のVI-VI線における断面図である。図7は、実施形態に係る発光モジュールにおいて第1凸部及び第2凸部と、ワイヤを模式的に示す平面図である。
以下、各構成について説明する。
第1基板10は、平板状の支持部材と、支持部材の上面に配置された配線とを含む。第1基板10は上面に複数の発光素子を載置する素子載置領域13を有し、素子載置領域13には、所定の電気回路が構成されるように配線が配置されている。第1基板は、素子載置領域よりも外側の上面に配置される配線として複数の第1端子110を有し、第1端子110は、素子載置領域に配置された配線と電気的に接続される。第1基板10は、例えばシリコン等の半導体基板であり、上面の配線が配置されていない領域は絶縁膜で覆われている。配線は、支持部材の内部や下面にも配置されていてもよい。例えば、第1基板10は、複数の発光素子を駆動制御するための回路が集積された集積回路(IC)基板を用いることができる。
素子載置領域13には、複数の発光素子1が行列状に載置されている。平面視における素子載置領域13は、一例として、矩形の領域とすることができる。この素子載置領域13は、ここでは長方形であり、第1端子110は、素子載置領域13を挟むように、長方形の対向する長辺に沿って列状に配置されている。
また、複数の発光素子1は、第1基板10上に行列状に載置され、第1端子(つまり第1外部接続端子11及び第2外部接続端子12)のいずれかと電気的に接続されている。複数の発光素子1は、所定個数ずつのグループとして、第1端子と直列接続又は並列接続されていてもよい。
配線は、例えば、Cu,Ag,Au,Al,Pt,Ti,W,Pd,Fe,Niなどの金属又はその合金などを用いて形成することができる。このような配線は、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成することができる。
第2基板20は、平板状の基材と、基材の少なくとも上面に配置された配線とを含む。第2基板20は上面に第1基板10を載置する基板載置領域23を有し、さらに基板載置領域23よりも外側の上面に第2端子120を備える。
基板載置領域23は、第1基板10が接合部材を介して載置される領域である。この基板載置領域23は第1基板10の平面視形状と同等の面積を備える領域として設定されている。第1基板10が平面視で長方形であれば、基板載置領域23も長方形とすることができる。ここで、第2端子120は、第1外部接続端子11とワイヤを介して接続される第1ワイヤ接続端子21と、第2外部接続端子12とワイヤを介して接続される第2ワイヤ接続端子22とを含み、第1ワイヤ接続端子21と第2ワイヤ接続端子22は基板載置領域23を挟んで第2基板20上に配置されている。
第2ワイヤ接続端子22は、基板載置領域23の外側において、長方形の基板載置領域23の他方の長辺(つまり、前述した一方の長辺と基板載置領域23を挟んで反対側に位置する辺)に沿って列状に複数配置されている。第2ワイヤ接続端子22は、第2外部接続端子12に一端が接続される第2ワイヤ32の他端が接続される端子である。第1ワイヤ接続端子21及び第2ワイヤ接続端子22は、ここでは一例として一つ一つが略矩形状で、それぞれが互いに離隔して、基板載置領域23に沿ってそれぞれ一列に整列して配置されている。
第2端子は、例えば、既に説明した第1基板10の配線と同等の材料及び形成方法により形成することができる。
第2基板20は、ここでは、一例として、上面に、発光素子1の点灯又は消灯の駆動用信号を扱う駆動用の第2駆動端子16を複数備える。第2駆動端子16は、例えば、第1ワイヤ接続端子よりも内側(つまり基板載置領域側)の上面に配置されている。この第2駆動端子16には、後記する第3ワイヤ33が接続される。
第2基板20は、基板載置領域23の表面に、第1基板10を載置するための配線を備えていてもよい。第1基板10と第2基板20とは、Ag焼結体、半田、接着用樹脂などの接合材を介して接合することができる。
ワイヤ130としては、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及び/又は少なくともそれらの金属を含有する合金を用いた導電性ワイヤが挙げられる。特に、熱抵抗等に優れた金を用いるのが好ましい。ワイヤの径は、例えば、15μm以上50μm以下が挙げられる。なお、ワイヤ130は、第1端子と第2端子とに接続される第1ワイヤ及び第2ワイヤと、発光素子1の点灯又は消灯の駆動用信号を扱う第3ワイヤを含む。第3ワイヤ33は、第1基板10に配置される第1駆動端子15と、第2基板20に配置される第2駆動端子16間とに接続されている。第1ワイヤ、第2ワイヤ、第3ワイヤ33は、長さが異なるのみで、それぞれ同等な部材で形成することができる。
また、列状に配置される複数の第1ワイヤ31のうち、列の中央に位置する第1ワイヤ31は、上記に記載した通り平面視で第1基板10の長辺と略直交するように配置し、端側に位置する第1ワイヤ31は、平面視で第1基板10の長辺に対して斜めに配置することもできる。第2ワイヤ32についても同様である。
複数の第1ワイヤ31が整列する間隔は、同じでもよいし、異なっても良い。第1ワイヤ31が整列する間隔は、20μm以上100μm以下とすることができる。第2ワイヤ32が整列する間隔は、同じでもよいし、異なっても良い。第2ワイヤ32が整列する間隔は、20μm以上100μm以下とすることができる。
発光素子1は、例えば、平面視形状が略矩形であり、半導体積層体と、半導体積層体の表面に配置される正負の電極と、を備える。発光素子1は同一面側に正負の電極を備えており、電極を備える面を下面として第1基板10上にフリップチップ実装されている。この場合、電極が配置された面と対向する上面が、発光素子1の主な光取り出し面となる。なお、発光モジュール100では、発光素子1は、第1基板10上において、行列方向に所定間隔を開けて整列して載置される。用いる発光素子1の大きさや個数は、得ようとする発光モジュールの形態によって適宜選択することができる。なかでも、より小さい発光素子1をより多く高密度に載置することが好ましい。これにより、照射範囲をより多い分割数で制御できるようになり、高解像度の照明システムの光源として用いることができる。例えば、1辺が40~100μmの平面視矩形状の発光素子1が1000~20000個、全体として長方形を成すように行列状に載置されたものが挙げられる。
なお、発光素子1は、図6に示すように、第1基板10の素子載置領域13に配置された配線上に、導電性の接合部材により接合されている。発光素子1を第1基板10にフリップチップ実装する場合、接合部材として、Au,Ag,Cu,Alなどの金属材料からなるバンプを用いることができる。また、接合部材として、AuSn系合金、Sn系の鉛フリー半田などの半田を用いるようにしてもよい。この場合は、リフロー法によって、発光素子1を第1基板10に接合することができる。また、接合部材として、樹脂に導電性粒子を含有させた導電性接着材を用いることもできる。発光素子1と第1基板10との接合は、めっき法を用いて形成してもよい。材料としては、例えば、銅が挙げられる。
また、発光素子1と第1基板10との接合は、接合部材を介さずに、発光素子1の電極と第1基板10の配線とが直接接合により接合されていてもよい。
反射性部材7は、図6に示すように、第1基板10の上面及び発光素子1の側面を被覆する部材である。発光素子1の上面は反射性部材7から露出する。反射性部材7は、発光素子1の下面と第1基板10との間を被覆してもよい。反射性部材7は、発光素子1の側面から出射する光を反射して、発光モジュール100の発光面である波長変換部材5の上面から出射させることができる。このため、発光モジュール100の光取り出し効率を高めることができる。また、発光素子1を個別点灯した際に、発光エリアと非発光エリアとの境界を明確にすることができる。これにより、発光エリアと非発光エリアとのコントラスト比が向上する。また、反射性部材7は、被覆部材40(第1凸部41)から離隔して配置されていてもよく、被覆部材40に接して配置されていてもよい。
波長変換部材5は、複数の発光素子1の上面を被覆する。波長変換部材5は、複数の発光素子1の上面及び反射性部材の上面を一括して被覆する。波長変換部材5の上面は発光モジュール100の発光面を構成する。波長変換部材5は、発光素子1から出射される光の少なくとも一部を波長変換して外部に取り出すことができる。
波長変換部材5は、平面視で略長方形であり、複数の発光素子1を内包するように配置されている。
波長変換部材は、蛍光体の焼結体や、樹脂、ガラス、他の無機物などの母材に蛍光体の粉末を含有させたものを挙げることができる。母材としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、これらを混合した樹脂、または、ガラスなどの透光性材料を用いることができる。波長変換部材5の厚みは、例えば、20μm以上100μm以下程度とすることができる。なお、波長変換部材5は、複数の発光素子1の上面全てを被覆する大きさに形成されている。また、波長変換部材5は、ここでは、後記する第1凸部41に当接する位置まで延在して設けられている。
被覆部材40は、素子載置領域13よりも外側においてワイヤ130(具体的には第1ワイヤ31及び第2ワイヤ32)を覆う遮光性の樹脂である。なお、被覆部材40は、一例として、第1ワイヤ31及び第2ワイヤ32を覆うと共に素子載置領域13を囲うように平面視で枠状に配置されている。被覆部材40は、後述する第1凸部に接するように配置されている。なお、被覆部材40は、第3ワイヤ33も併せて被覆している。被覆部材40は、波長変換部材5から離隔して配置される。
また、枠状に配置される被覆部材40は、平面視略長方形の第1基板の長方形の長辺側では、短辺側の領域よりもより広い幅を有する。さらに、被覆部材40の高さ(つまり第2基板20の上面から被覆部材40の上面までの距離)は、ワイヤ130の頂部(ここではワイヤのループトップ)の直上において最も高くなるように配置されている。言い換えると、被覆部材40は、被覆部材40の頂部40aが、ワイヤ130の頂部とオーバーラップするように配置されている。なお、被覆部材40の頂部40aの位置は、後記する第1凸部41の頂部41aよりも上方に位置するように配置されている。
発光モジュールは、素子載置領域13と第1端子110との間の第1基板10上において、素子載置領域13に沿って配置され、被覆部材40に接する透光性の第1凸部を有する。さらに、発光モジュールは、第2基板20の上面において、第2端子120より外側に配置され、被覆部材40に接する第2凸部を有する。つまり、被覆部材40は、第1基板10の上面から第2基板20の上面に亘って、第1凸部と第2凸部との間に配置される。
被覆部材40は、第1基板10上において素子載置領域13を囲うように配置された第1凸部41と、第2基板20上において基板載置領域23を囲うように配置された第2凸部42との間に配置される。このような被覆部材40の配置は、第1凸部41と第2凸部42とで囲まれた枠内に被覆部材40を構成する未硬化の樹脂を供給することで形成することができる。言い換えると、第1凸部41及び第2凸部42は、被覆部材40が供給される際の、未硬化の樹脂の流動を堰き止めるためのダムとして用いることができる。
第1凸部41の第1基板の上面からの高さは、第2凸部の第2基板の上面からの高さと同じであってもよいし、異なっていてもよい。異なる場合は、第2凸部を、第1凸部よりも高くすることが好ましい。この場合、第2基板上面から第1凸部の頂部までの高さと、第2基板上面から第2凸部の頂部までの高さの差を、第1基板10の厚み(つまり第1基板10の上面から下面までの距離)よりも小さくすることができる。これにより、被覆部材40を第1凸部41と第2凸部42との間に配置する際に、未硬化の被覆部材40が第2凸部の外側にあふれ出ることを抑制することができる。
第1凸部及び第2凸部としては、上述した被覆部材の母材として例示した樹脂を用いることができる。なお、第1凸部及び第2凸部を構成する樹脂は、被覆部材40を構成する樹脂よりも高い粘度のものを用いることが好ましい。樹脂の粘度は、例えば、樹脂に含有させる粘度調整用フィラーの量により調整することができる。
第1凸部41は、素子載置領域13の外周に沿って第1基板10上に平面視で長方形の枠状に配置されている。第1凸部41は、素子載置領域13の長手方向に沿う位置では、素子載置領域13の長手方向の辺と、複数の第1端子110との間に、素子載置領域13の短手方向に沿う位置では、第1基板10上で、素子載置領域13と第1基板の外縁との間に配置されている。
発光モジュール100は、第1凸部41が透光性であるため、波長変換部材5から出射される光は第1凸部41を透過することができる。そして、発光モジュール100は、第1凸部41を透過した光を被覆部材40との界面で第1基板10側に反射させることができるので散乱光を抑制することができる。
次に、発光モジュールの製造方法について、図8、図9A~図9Hを参照して説明する。
図8は、実施形態に係る発光モジュールの製造方法を説明するフローチャートである。図9A~図9Hは、実施形態に係る発光モジュールの製造方法を模式的に示す平面図である。なお、発光素子1は所定の間隔を開けて載置されているが、図9Cの拡大平面図以外では、間隔を省略して示している。
発光素子1は、第1基板10上の素子載置領域13に、例えばめっき法によって電気的に接合させることができる。発光素子1は、素子載置領域において、所定の間隔を開けて行列方向に整列して載置される。発光素子1は、半導体成長等の工程を経るなど、製造工程の一部または全部を経ることで準備することができる。或いは購入等により準備してもよい。
ワイヤは、最初に第1基板10上に設けられる第1外部接続端子11と接続した後、第2基板上に設けられる第1ワイヤ接続端子21と接続させるのが良い。このような順番でワイヤを接続させることで、ワイヤの頂部を第1外部接続端子11のより近くに配置させることができる。つまり、第1基板10と第2基板20との段差に沿ってワイヤを形成することができるため、後述する被覆部材配置工程において、ワイヤの下方に配置される樹脂量が抑えられ、被覆部材の熱膨張に起因したワイヤの断線を抑制することができる。
なお、第1凸部配置工程S16及び第2凸部配置工程S17では、先に、第2凸部配置工程S17により第2凸部42を配置し、その後、第1凸部配置工程S16により第1凸部41を配置するようにしてもよい。さらに、第1凸部配置工程S16は、第2凸部配置工程S17と同時に行い、第1凸部41及び第2凸部42を略同時に配置するようにしてもよい。
図10Aに示すように、発光モジュール100Aでは、被覆部材40は、第1凸部41に接し、ワイヤ130を覆う第1被覆部材141と、第1被覆部材141を覆う第2被覆部材142とを備える構成としてもよい。
第1被覆部材141は、第1ワイヤ31、第2ワイヤ32、第3ワイヤ33を覆うように第1基板10及び第2基板20に亘って配置されている。そして、第1被覆部材141は、その第1基板10側となる一端側が第1凸部41に接するように配置されている。また、第1被覆部材141は、その第2基板20側の他端が第2凸部42と離隔して配置されている。
第2被覆部材配置工程S18Bでは、第2被覆部材142が第1被覆部材141を覆うように配置される。第2被覆部材142の一端側は、第1凸部に接するように配置される。第2被覆部材142は、頂部が第1凸部41の頂部41aよりも高くなるように第1被覆部材141上に配置される。
図10B及び図10Cに示すように、発光モジュール100B及び100Cでは、第1凸部241が波長変換部材5の外周を被覆するように配置される構成としてもよい。
図10B及び図10Cに示すように、第1凸部241は、波長変換部材5を覆う第1部位241aと、第1凸部241の頂部を構成する第2部位241bと、第1凸部241に入射した光を吸収または反射させる第3部位241cとを備えている。
第2部位241bは、第1凸部241の頂部を構成し、上方に凸の湾曲面を有する。第2部位241bは、第1凸部241の頂部をワイヤの頂部よりも高い位置に配置することで被覆部材40を配置するときにダムとしての役割を果たしている。
第3部位241cは、第1凸部241と被覆部材40との界面において被覆部材40側に凸の湾曲形状を有するように形成されている。この第3部位241cは、頂部から外側面に向かって湾曲面を形成し、第1凸部241内に侵入してくる光を第1基板10側に反射するように形成されている。この第3部位241cを備えることで、第1凸部241に入射する光を第1基板10側に反射して外部に出しにくくしている。
また、発光モジュール100Cでは、第1凸部241は、図10Bに示す変形例2の発光モジュール100Bと同じ構成であり、被覆部材40は、図10Aに示す変形例1の発光モジュール100Aと同じ構成である。そのため、発光モジュール100Cでは、第1被覆部材141の一端側、及び、第2被覆部材142の一端側が第1凸部241の外側面に接するように配置される。
また、発光モジュール100Cの製造方法においては、被覆部材配置工程S18は、既に説明した発光モジュール100Aと同じように、第1被覆部材配置工程S18A及び第2被覆部材配置工程S18Bの工程を行うことができる。
すなわち、各発光モジュールにおいて、図13に示すように、第1凸部41Nは、素子載置領域13挟んで対向するように第1基板10上に配置される。すなわち、第1凸部41Nは、素子載置領域13の長手方向に沿って直線状に対向して配置されている。そして、透光性の第1凸部41Nは、素子載置領域13と第1端子110である第1外部接続端子11及び第2外部接続端子12の間において、波長変換部材5に接するように素子載置領域13に沿って配置されている。
なお、各発光モジュールにおいて、第2凸部42Nは、図14に示すように、配置しないこととしても構わない。
以下のような構成の発光モジュールを作成し、一つの発光素子あたり2.5mA(Duty:10%)のパルス電流を流し、発光モジュール100Sの正面光の平均輝度(cd/m2)を測定する。図17A及び図17Bは、発光領域の平均輝度に対する相対値(Relative Luminance(a.u.)を縦軸とし、発光領域の略中心からの距離を横軸として、その関係を示すグラフである。なお、発光領域は、発光モジュール100Sにおける発光素子の直上の領域と規定する。
発光モジュール100Sの基本的な構成は、図15及び図16に示すように、以下のような構成である。第1凸部241の形状は、第2変形例として既に説明した構成とし、第1凸部241を構成する部材と、被覆部材40を構成する部材を、以下の条件1~条件5とする。なお、図15及び図16で示す構成の符号は、既に説明した構成の符号と同じものであり、適宜説明を省略する。
(1)第1基板10は、IC内蔵のシリコン基板である。第1基板10の基板サイズは、平面視形状が14.5mm×5.39mm矩形状であり、厚みが0.615mmである。
(2)発光素子1は、逆錐体形状であり、上面が45μm×45μmの矩形状、厚みが8.5μmである。発光素子1は、第1基板10上に、素子接合部材として厚みが3μmのCuメッキを介して配置される。そして、第1基板10上の発光素子間には、反射性部材が配置される。反射性部材は、酸化チタンを含有するジメチルシリコーン樹脂で構成される。発光素子1は、発光素子間の距離が50μmとなるように配置される。第1基板10上に配置される発光素子1は、64行×64列×4セグメントとして、合計16384個である。
(4)第2基板20と第1基板10とは、シリコーン樹脂を含むAgペーストにより接合される。
(5)第1基板10に配置された第1端子と第2基板20に配置された第2端子とは、ワイヤ130により電気的な接続がなされる。ワイヤ130は、Auで直径φが45μmである。
(7)ワイヤ130を覆い第1基板10及び第2基板20に亘って配置される被覆部材40は、共通する構成として、母材となるジメチルシリコーン樹脂に遮光性を有するフィラーを含有している。
(8)第1凸部241は、発光領域から200μm離隔して配置される。第1凸部241は、波長変換部材5の周縁を覆い第1基板10上に配置される。第1凸部241は、第1凸部241の幅(つまり第1凸部241における発光素子1側の端部から第1基板10の外縁側の端部までの最短距離)が400μmであり、第1凸部241の頂部の、第1基板10からの高さは260μmである。第1凸部241は、断面形状において上面が2つの円弧が連なるように形成され、発光素子1側に位置する円形頂部より、被覆部材40側に位置する円弧頂部の方が高くなるように形成される。第1凸部241において、第1凸部241の頂部(つまり被覆部材40側に位置する円弧の頂部)から被覆部材側の端部までの距離は、115μmである。
なお、条件1~条件5の発光モジュール100Sは、上記数値を設計値として作成されるが、作成された発光モジュール100Sは±50μm程度の部材公差や実装公差による誤差を含むことがある。
条件1~条件5における第1凸部241及び被覆部材40の構成は以下の通りである。
[条件1]
第1凸部241及び被覆部材40は、黒色樹脂を用いる。黒色樹脂は、市販のカーボンフィラーが含有されたジメチルシリコーン樹脂を使用する。
第1凸部241は、透光性樹脂を用いる。この透光性樹脂は、ジメチルシリコーン樹脂を用いる。また、被覆部材40は、反射性フィラーである酸化アルミニウムがジメチルシリコーン樹脂に含有された白色樹脂を使用する。この白色樹脂における酸化アルミニウム濃度は約13質量%である。
[条件3]
第1凸部241は、透光性樹脂を用いる。この透光性樹脂は、条件2と粘度の異なるジメチルシリコーン樹脂を用いる。被覆部材40は、条件2と同じ条件の白色樹脂を使用する。
第1凸部241は、白色樹脂を用いる。この白色樹脂は、反射性フィラーとして中空シリカフィラーがジメチルシリコーン樹脂に含有された白色樹脂を使用する。この白色樹脂における中空シリカフィラーの濃度は約33質量%である。被覆部材40は、条件2と同じ条件の白色樹脂を使用する。
[条件5]
第1凸部241は、白色樹脂を用いる。この白色樹脂は、反射性フィラーとして酸化アルミニウムが含有されたジメチルシリコーン樹脂を使用する。この白色樹脂における酸化アルミニウムの濃度は約13質量%である。被覆部材40は、条件2と同じ条件の白色樹脂を使用する。
なお、条件1~条件5において、第1凸部241及び被覆部材40は、所望の形状とするために、上述した部材に適宜微量のシリカ系ナノフィラーを添加して、樹脂の粘度やチクソ性を調整している。
図17A及び図17Bに示すように、発光領域から第1凸部を超えて被覆部材に至るまでの位置において、発光モジュール100Sの正面光の平均輝度(cd/mm2)を測定し、迷光(発光領域以外で発生する不必要な光の反射や散乱)の発生状態を確認する。図17Aおよび図17Bにおいては、発光領域は0μm以上1600μm以下の領域、第1凸部は1800μm以上2200μm以下の領域、第1凸部と被覆部材とが接する領域は2080μm以上2200μm以下の領域として考察する。
実験データにおいて、発光領域の外縁を境に相対輝度の値が急激に小さくなり、発光領域から遠ざかるにしたがって、相対輝度が小さい状態が維持されるものが、最も優れている構成である。また、発光領域から離れた領域で、相対輝度地のピークが確認されたとしても、ピークの最大値がより小さいものが優れている構成といえる。例えば、発光領域から離れた位置において確認される相対輝度値のピークが約2.2%以下であれば、発光モジュールを光源とした光学系ユニットにおける迷光の影響は小さいと考えられる。
発光モジュール100Sにおいて、搭載された発光素子全てを点灯させた状態で、迷光の発生状態を調べる。図17A及び図17Bにおいて、太い実線は条件1、二点鎖線は条件2、点線は条件3、一点鎖線は条件4、細い実線は条件5を示している。
これに対して、条件4の構成では、第1凸部の位置で4%を超える相対輝度値のピークが確認された。また、条件1の構成では、第1凸部よりもやや発光面に近い位置において、約2.2%の相対輝度値のピークが確認された。
条件2の構成では、第1凸部の位置よりも外側(被覆部材側)となる位置において、2.2%を下回る相対輝度値の弱いピークが確認された。
条件3の構成では、第1凸部241よりも外側(被覆部材側)となる位置において、約2.2%の相対輝度値の弱いピークが確認された。
なお、前記した実験データを踏まえて、第1実施形態に係る第1凸部41及び被覆部材40との構成においても、同様のことが推測され、第1凸部41を透光性とすることでの構、発光モジュールにおける迷光(意図せぬ散乱光)を抑制できると考えられる。
5 波長変換部材
7 反射性部材
10 第1基板
110 第1端子
11 第1外部接続端子
12 第2外部接続端子
13 素子載置領域
15 第1駆動端子
16 第2駆動端子
20,20A 第2基板
120 第2端子
21 第1ワイヤ接続端子
22 第2ワイヤ接続端子
23 基板載置領域
24 凹部
130 ワイヤ
31 第1ワイヤ
31a 第1ワイヤの頂部
32 第2ワイヤ
32a 第2ワイヤの頂部
33 第3ワイヤ
40 被覆部材
41 第1凸部
42 第2凸部
100,100A 発光モジュール
S11 素子載置工程
S12 反射性部材配置工程
S13 基板載置工程
S14 ワイヤ接続工程
S15 波長変換部材配置工程
S16 第1凸部配置工程
S17 第2凸部配置工程
S18 被覆部材配置工程
Claims (9)
- 上面に素子載置領域を有し、前記素子載置領域より外側の前記上面に配置される第1端子を有する第1基板を準備する第1基板準備工程と、
上面に前記第1基板を載置する基板載置領域を有し、前記基板載置領域より外側の上面に配置される第2端子を有する第2基板を準備する第2基板準備工程と、
前記第1基板の素子載置領域に発光素子を載置する素子載置工程と、
前記第2基板の基板載置領域に前記第1基板を載置する基板載置工程と、
前記第1端子と前記第2端子とをワイヤで接続するワイヤ接続工程と、
前記素子載置領域と前記第1端子との間において、前記素子載置領域に沿って第1凸部を配置する第1凸部配置工程と、
第1凸部より外側において、前記第1凸部に接し、前記ワイヤと前記第1端子と前記第2端子とを被覆する被覆部材を配置する被覆部材配置工程と、を含み、
前記第2基板は上面に前記基板載置領域を含む凹部を有し、
前記基板載置工程において、前記第1基板は前記凹部内に配置される、発光モジュールの製造方法。 - 前記被覆部材配置工程の前に、
前記第2基板上において、前記第2端子より外側に配置される第2凸部を配置する第2凸部配置工程をさらに備え、
前記被覆部材配置工程は、前記第2凸部に接するように前記被覆部材を配置する、請求項1に記載の発光モジュールの製造方法。 - 前記被覆部材配置工程は、前記第1凸部に接し、複数の前記ワイヤを覆う第1被覆部材を配置する工程と、前記第1被覆部材を覆う第2被覆部材を配置する工程と、を含む請求項1又は請求項2のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記第1凸部配置工程より前に、前記発光素子を覆う波長変換部材を配置する工程を有する、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記第1凸部配置工程において、前記第1凸部は前記波長変換部材を覆うように配置される請求項4に記載の発光モジュールの製造方法。
- 前記発光素子は、半導体積層体と、前記半導体積層体の表面に配置される正負の電極を備え、
前記素子載置工程において、前記発光素子は、前記正負の電極を備える面を下面として、前記第1基板上にフリップチップ実装される、請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。 - 前記素子載置工程は、
複数の前記発光素子を全体として長方形を成すように行列状に配置する、請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の発光モジュールの製造方法。 - 前記第1凸部配置工程において、前記第1凸部は、透光性である、請求項1乃至請求項7に記載の発光モジュールの製造方法。
- 上面に素子載置領域を有し、前記素子載置領域より外側の前記上面に配置される第1端子を有する第1基板を準備する第1基板準備工程と、
上面に前記第1基板を載置する基板載置領域を有し、前記基板載置領域より外側の上面に配置される第2端子を有する第2基板を準備する第2基板準備工程と、
前記第1基板の素子載置領域に発光素子を載置する素子載置工程と、
前記第2基板の基板載置領域に前記第1基板を載置する基板載置工程と、
前記第1端子と前記第2端子とをワイヤで接続するワイヤ接続工程と、
前記素子載置領域と前記第1端子との間において、前記素子載置領域に沿って第1凸部を配置する第1凸部配置工程と、
第1凸部より外側において、前記第1凸部に接し、前記ワイヤと前記第1端子と前記第2端子とを被覆する被覆部材を配置する被覆部材配置工程と、を含み、
前記第1凸部配置工程より前に、前記発光素子を覆う波長変換部材を配置する工程を有し、
前記第1凸部配置工程において、前記第1凸部は前記波長変換部材を覆うように配置される、発光モジュールの製造方法。
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