JP7708609B2 - 基板の分割方法 - Google Patents

基板の分割方法

Info

Publication number
JP7708609B2
JP7708609B2 JP2021128897A JP2021128897A JP7708609B2 JP 7708609 B2 JP7708609 B2 JP 7708609B2 JP 2021128897 A JP2021128897 A JP 2021128897A JP 2021128897 A JP2021128897 A JP 2021128897A JP 7708609 B2 JP7708609 B2 JP 7708609B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
protective sheet
wafer
starting point
modified layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021128897A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023023391A (ja
Inventor
昌充 上里
ジェヨン イ
修三 三谷
孝之 北野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2021128897A priority Critical patent/JP7708609B2/ja
Priority to TW111127213A priority patent/TWI903094B/zh
Priority to KR1020220090091A priority patent/KR20230021586A/ko
Priority to US17/814,001 priority patent/US12295174B2/en
Priority to CN202210904459.9A priority patent/CN115910921A/zh
Publication of JP2023023391A publication Critical patent/JP2023023391A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7708609B2 publication Critical patent/JP7708609B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P58/00Singulating wafers or substrates into multiple chips, i.e. dicing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P54/00Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/18Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using absorbing layers on the workpiece, e.g. for marking or protecting purposes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/60Preliminary treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0442Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7402Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7402Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H10P72/7404Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes the wafer tape being a laminate of three or more layers, e.g. including additional layers beyond a base layer and an uppermost adhesive layer
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/78Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/01Manufacture or treatment
    • H10W20/031Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections
    • H10W20/067Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by modifying the pattern of conductive parts
    • H10W20/068Manufacture or treatment of conductive parts of the interconnections by modifying the pattern of conductive parts by using a laser, e.g. laser cutting or laser direct writing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • B23K2101/40Semiconductor devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic materials other than metals or composite materials
    • B23K2103/56Inorganic materials other than metals or composite materials being semiconducting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7416Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H10P72/742Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7438Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

本発明は、基板を複数のチップに分割する基板の分割方法に関する。
半導体ウェーハ、半導体パッケージ基板、などを含む各種の基板を分割して複数のチップに個片化する手法として、基板にレーザ光線を照射して分割起点としての改質層を形成し、その基板にエキスパンドテープを貼着した後、エキスパンドテープを拡張することにより、チップ間に間隔を形成する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。改質層の形成時は、改質層と連なるクラックが基板の厚さ方向に形成されることもあり、そのクラックも分割起点となる。
特開2002-334852号公報
しかし、エキスパンドテープを拡張しても、分割予定ラインに未分割領域が発生することがある。特に、個々のチップの大きさが小さい場合は、分割予定ラインの数が多いため、個々の分割予定ラインの拡張量が十分でなく、未分割領域が発生しやすい。
本発明は、このような問題にかんがみなされたもので、エキスパンドテープの拡張によって確実に基板を分割できるようにすることを目的とする。
本発明は、基板を分割予定ラインに沿って複数のチップに分割する基板の分割方法であって、該分割予定ラインに沿って分割起点が形成され一方の面に保護シートが貼着された基板を準備する基板準備ステップと、該保護シート側を保持テーブルに吸引保持した状態で、基板の他方の面にローラーを転動させてエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着ステップと、該エキスパンドテープ貼着ステップの実施後に、該保持テーブルによる吸引を解除し、該保持テーブルの保持面と該保護シートとの間にわずかな隙間を形成した状態で該ローラーを該エキスパンドテープに接触させて転動させ、該分割起点を起点に該保護シートを介して基板を該隙間に沈み込ませながら該分割起点から伸びるクラックを伸長させるクラック伸長ステップと、該クラック伸長ステップの実施後に、該エキスパンドテープを拡張して、該分割起点を起点に複数の該チップの間隔を広げるチップ間隔拡張ステップと、を備えることを特徴とする。
この基板の分割方法において、該基板準備ステップは、基板に対して透過性を有する波長のレーザ光線を、集光点を基板の内部に位置づけた状態で照射し、基板の内部に該分割起点となる改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップの実施後に、基板の表面に該保護シートを貼着し、基板の裏面側を研削する裏面研削ステップと、を有する場合がある。
本発明では、エキスパンドテープを拡張する前に、クラック伸長ステップにおいて、保持テーブルの保持面と保護シートとの間にわずかな隙間を形成した状態でローラーをエキスパンドテープに接触させて転動させ、分割起点を起点に保護シートを介して基板を隙間に沈み込ませながら分割起点から伸びるクラックを伸長させるクラック伸長ステップを実施するため、チップ間隔拡張ステップにおいて、確実にチップ間隔を拡げることができる。したがって、未分割領域の発生を抑止することができる。また、チップ間隔拡張ステップにおいて、エキスパンドテープを貼着するという従来必要であるステップを利用して、クラック伸長ステップを実施するため、別装置に搬送してクラック伸長ステップを実施する、クラックを伸長させるための新たなユニットを導入するなどの必要がなく、効率的に実施する事ができる。
基板の一例を示す斜視図である。 改質層形成ステップの例を示す側面図である。 裏面研削の例を示す側面図である。 エキスパンドテープ貼着ステップの例を示す側面図である。 クラック伸長ステップの例を示す側面図である。 チップ間隔拡張ステップの実施前の状態を示す側面図である。 チップ間隔拡張ステップの実施後の状態を示す側面図である。
1 基板準備ステップ
(1)改質層形成ステップ
例えば図1に示すウェーハ10は、本発明が適用される基板の一種であり、その表面11は、分割予定ライン13によって区画されて複数のデバイス14が形成されている。図2に示すように、レーザ加工装置2のチャックテーブル21においてウェーハ10の裏面12側を保持し、チャックテーブル21を水平方向(矢印210の方向)に移動させながら、ウェーハ10に対して透過性を有する波長のレーザ光線221を、図1に示した分割予定ライン13に沿って、その集光点をウェーハ10の内部に位置づけた状態でレーザヘッド22から照射する。そうすると、分割予定ライン13に沿って改質層15が形成される。他の分割予定ライン13についても同様に改質層15を形成し、すべての分割予定ライン13について縦横に改質層15が形成されると、改質層形成ステップを終了する。改質層15は、後にウェーハ10をデバイス14ごとに分割する際の分割起点となる。
(2)裏面研削ステップ
次に、図3に示すように、ウェーハ10の表面11に保護シート3を貼着し、研削装置4のチャックテーブル41において保護シート3側を保持する。チャックテーブル41は、鉛直方向の回転軸410を中心として回転可能となっている。また、この研削装置4は、基台421の下面に研削砥石422が円環状に固着され、鉛直方向の回転軸420を回転可能な研削ホイール42を備えている。
回転軸410を中心としてチャックテーブル41を回転させるとともに、回転軸420を中心として回転する研削ホイール42を下降させて、回転する研削砥石422をウェーハ10の裏面12に接触させる。そして、ウェーハ10が所定の厚さに形成されると、裏面研削ステップを終了する。
2 エキスパンドテープ貼着ステップ
基板準備ステップの後に、表面11に保護シート3が貼着されたウェーハ10を、図4に示すテープ貼着装置5に搬送し、保護シート3側をテープ貼着装置5の保持テーブル51において保持する。この保持テーブル51は、ポーラス部材511を備え、ポーラス部材511は、バルブ52を介して吸引源53に接続されている。ポーラス部材511は枠体512によって下方及び側方から支持されている。ポーラス部材511の上面は、ウェーハ10を保持する保持面513となっている。
本ステップでは、保護シート3側を下にしてウェーハ10を保持テーブル51の保持面513に載置する。また、枠体512の上にはリングフレーム61を載置する。そして、バルブ52を開放してポーラス部材511と吸引源53とを連通させ、ポーラス部材511の上面である保持面513において、保護シート3を介してウェーハ10を吸引保持する。エキスパンドテープ貼着ステップでは、ウェーハ10を固定した状態で実施しないと、エキスパンドテープに気泡やしわが入る恐れがあるので、吸引保持する必要がある。
次に、ウェーハ10の裏面12にDAF(ダイアタッチフィルム)62を貼着するとともに、エキスパンドテープ62をDAF62及びリングフレーム61の上に載置する。そして、ローラー54を下方に押圧しながら矢印540の方向に転動させながら、エキスパンドテープ63を、DAF62を介してウェーハ10の裏面12に貼着するとともに、リングフレーム61の上面にも貼着する。このようにして、ウェーハ10は、裏面12側にエキスパンドテープ63が貼着されリングフレーム61に支持された状態となる。
なお、図4に示したテープ貼着装置5の保持テーブル51は、ポーラス部材511に作用する吸引力によってウェーハ10を吸引保持することとしているが、ポーラス部材511に代えて、表面に吸引溝が形成されたテーブルを用い、その吸引溝に作用する吸引力によってウェーハ10を吸引保持することとしてもよい。
3 クラック伸長ステップ
エキスパンドテープ貼着ステップの実施後に、図5に示すように、バルブ52を閉めることにより、ポーラス部材511における吸引を解除する。そうすると、保持面513と保護シート3との間にわずかな隙間514が形成される。
このようにして隙間514が形成された状態で、ローラー54をエキスパンドテープ63に接触させて下方に押圧しながら、矢印541の方向に転動させる。そうすると、分割起点である改質層15を起点としてウェーハ10が保護シート3を介して隙間514に沈み込み、これによって分割起点である改質層15を起点するクラック16がウェーハ10に厚さ方向に形成され、このクラック16を表裏面に向けて伸長させることができる。なお、図5においてクラックが形成されていないが、クラック伸長ステップの前のいずれかの工程において、既にクラックが形成されており、クラック伸長ステップでさらに伸長させても良い。
保護シート3がなく、保持テーブル51の保持面513に直接押しつけるだけだと、保持面513は硬いため、貼着ローラー54で押圧されているウェーハ10が沈み込むことができず、クラックが伸展しない。しかし、樹脂を含む保護シート3が保持面513との間に介在していると、保持シート3は所定の厚みを有し、押圧されると変形するため、貼着ローラー54で押圧された際に、ウェーハ10が該保護シート3を押しつぶし、分割起点を起点に形成されるチップが保持面513に対して傾斜するように沈む込み、クラックを伸長させることができる。しかし保護シート3の厚みが十分でないか、保護シート3の素材が硬く変形量が少ないと、押圧しても押しつぶされない。そのような保護シート3の場合、保護シート3が保持面513に吸着されている状態では、十分にウェーハ10が沈み込む事ができない。そこで本発明では、さらにポーラス部材511における吸引を解除して保持面513と保護シート3との間にわずかな隙間514を形成し、貼着ローラー54の押圧によって、保護シート3を隙間514に沈み込ませることで、貼着ローラー54で押圧された際に、ウェーハ10が保持シート3を押しつぶして沈み込む量に加え、隙間514にも保持シート3を介して沈み込む事が可能となり、クラック16を効率的に伸長させる。クラック16がウェーハ10の厚さ方向に伸長することにより、ウェーハ10が分割予定ライン13に沿って分割される。なお、分割されない分割予定ライン13があったとしても、クラック16が伸長することで、後のチップ間隔拡張ステップにおいて円滑に分割することが可能となる。本実施形態は、従来から実施していたエキスパンドテープ貼着ステップを利用してクラック16を伸長させるため、別装置に搬送してのステップや、既存装置にクラック伸長用の新たな駆動ユニットを加える必要がなく実施でき、生産性が大幅に低下することを防止する。また、研削ステップで使用した保護シート3をクラック伸長ステップでそのまま使用するため、クラック伸長ステップのために新たに貼着する必要がなく、効率的である。
また、矢印541の方向を、エキスパンドテープ貼着ステップにおける矢印540の方向と反対の方向とすることにより、ローラー54を一往復させることで、エキスパンドテープ貼着ステップとクラック伸長ステップとを実施することができ、効率的である。
4 チップ間隔拡張ステップ
クラック伸長ステップの実施後、エキスパンドテープ63を介してリングフレーム61に支持されたウェーハ10を図6に示すテープ拡張装置7に搬送する。このテープ拡張装置7は、リングフレーム61が載置されるフレーム載置台71と、リングフレーム61を上方から押圧して固定する固定部72と、フレーム載置台71及び固定部72を昇降させる昇降機構73と、フレーム載置台71及び固定部72の内周側に配設され円筒状に形成されたドラム74と、ドラム74の上端に配設された複数のローラー75とを備えている。
リングフレーム61は、フレーム載置台71に載置される。このとき、フレーム載置台71は、ローラー75とほぼ同じ高さ位置に位置している。また、固定部72とフレーム載置台71との間にリングフレーム61が挟持される。エキスパンドテープ63は、フレーム載置台71の内周側であってウェーハ10の外周側の位置において、ローラー75によって下方から支持される。
この状態から、昇降機構73がフレーム載置台71及び固定部72を下降させる。そうすると、すべてのローラー75がドラム74の中心を通る径方向に回転しながら、エキスパンドテープ63が放射状に拡張される。そうすると、クラック伸長ステップにおいて分割されていない分割予定ライン13については、分割起点である改質層15及びクラック16を起点として分割され、図7に示す分割溝17が形成されて個々のデバイス14ごとの複数のチップに分割され、さらに、隣り合うチップ間の間隔(チップ間隔)が広がる。
一方、クラック伸長ステップにおいてすでにチップに分割されている分割予定ライン13については、さらにチップ間隔が広げられる。
以上のように、クラック伸長ステップにおいて、保持面513と保護シート3との間にわずかな隙間514が形成された状態で、ローラー54をエキスパンドテープ63に接触させて下方に押圧しながら転動させ、改質層15を起点として保護シート3を介してウェーハ10を隙間514に沈み込ませて分割起点である改質層15を起点するクラック16を形成しておくことにより、チップ間隔拡張ステップにおいて、確実にチップ間隔を拡げることができる。したがって、分割予定ライン13に未分割領域が発生する可能性を低減することができる。
なお、上記実施形態における基板準備ステップは、ウェーハ10の内部に改質層15を形成した後、ウェーハ10の表面11に保護シート3を貼着し、保護シート3側を研削装置4のチャックテーブル41において保持し、その状態でウェーハ10の裏面12を研削してウェーハ10を所定の厚さに形成することとしたが、以下のような手順にて実施してもよい。
(ア)ウェーハ10の表面11に保護シート3を貼着し、保護シート3側を研削装置4のチャックテーブル41において保持し、その状態でウェーハ10の裏面12を研削してウェーハ10を所定の厚さに形成した後、裏面12側からレーザ光線を入射して内部に改質層を形成する。この場合は、ウェーハ10の裏面12の研削時に表面11に貼着した保護シート3を、そのまま後のクラック伸長ステップにおいて基板が沈み込む保護シート3として使用することができ、保護シート3をクラック伸長ステップのために貼着する必要がなく、効率的である。
(イ)ウェーハ10の表面に保護シート3を貼着し、保護シート3側を研削装置4のチャックテーブル41において保持し、その状態でウェーハ10の裏面12を研削してウェーハ10を所定の厚さに形成した後、ウェーハ10の表面11側から保護シート3越しにレーザ光線を入射してウェーハ10の内部に改質層を形成する。この場合は、ウェーハ10の裏面12の研削時に表面11に貼着した保護シート3を、そのまま後のクラック伸長ステップにおいて基板が沈み込む保護シート3として使用することができ、保護シート3をクラック伸長ステップのために貼着する必要がなく、効率的である。
(ウ)レーザ加工装置のチャックテーブル41においてウェーハ10の裏面12側を保持した状態で表面11側からレーザ光線を入射してウェーハ10の内部に改質層を形成した後、表面11に保護シート3を貼着する。裏面12の研削が不要な場合である。
本実施形態の基板準備ステップでは、改質層形成ステップにおいて基板の内部に改質層を形成することとしたが、改質層形成ステップに代えて、基板の表面にレーザ光線を集光してアブレーション加工を行うアブレーション加工ステップを実施してもよい。この場合は、クラック伸長ステップにおいて、アブレーション加工により形成された加工溝が起点となってウェーハ10が保護シート3を介して隙間514に沈み込み、クラックを基板の裏面に向けて伸長させることができる。
10:ウェーハ
11:表面 12:裏面 13:分割予定ライン 14:デバイス 15:改質層
16:クラック 17:分割溝
2:レーザ加工装置
21:チャックテーブル 22:レーザヘッド 221:レーザ光線
3:保護シート
4:研削装置 41:チャックテーブル 410:回転軸
42:研削ホイール 420:回転軸 421:基台 422:研削砥石
5:テープ貼着装置
51:保持テーブル
511:ポーラス部材 512:枠体 513:保持面 514:隙間
52:バルブ 53:吸引源 54:ローラー
61:リングフレーム 62:エキスパンドテープ
7:テープ拡張装置
71:フレーム載置台 72:固定部 73:昇降機構 74:ドラム 75:ローラー

Claims (2)

  1. 基板を分割予定ラインに沿って複数のチップに分割する基板の分割方法であって、
    該分割予定ラインに沿って分割起点が形成され一方の面に保護シートが貼着された基板を準備する基板準備ステップと、
    該保護シート側を保持テーブルに吸引保持した状態で、基板の他方の面にローラーを転動させてエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着ステップと、
    該エキスパンドテープ貼着ステップの実施後に、該保持テーブルによる吸引を解除し、該保持テーブルの保持面と該保護シートとの間にわずかな隙間を形成した状態で該ローラーを該エキスパンドテープに接触させて転動させ、該分割起点を起点に該保護シートを介して基板を該隙間に沈み込ませながら該分割起点から伸びるクラックを伸長させるクラック伸長ステップと、
    該クラック伸長ステップの実施後に、該エキスパンドテープを拡張して、該分割起点を起点に複数の該チップの間隔を広げるチップ間隔拡張ステップと、を備えることを特徴とする
    基板の分割方法。
  2. 該基板準備ステップは、
    基板に対して透過性を有する波長のレーザ光線を、集光点を基板の内部に位置づけた状態で照射し、基板の内部に該分割起点となる改質層を形成する改質層形成ステップと、
    該改質層形成ステップの実施後に、基板の表面に該保護シートを貼着し、基板の裏面側を研削する裏面研削ステップと、を
    有することを特徴とする
    請求項1に記載の基板の分割方法。
JP2021128897A 2021-08-05 2021-08-05 基板の分割方法 Active JP7708609B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021128897A JP7708609B2 (ja) 2021-08-05 2021-08-05 基板の分割方法
TW111127213A TWI903094B (zh) 2021-08-05 2022-07-20 基板之分割方法
KR1020220090091A KR20230021586A (ko) 2021-08-05 2022-07-21 기판의 분할 방법
US17/814,001 US12295174B2 (en) 2021-08-05 2022-07-21 Substrate dividing method using an expansion tape and a roller
CN202210904459.9A CN115910921A (zh) 2021-08-05 2022-07-29 基板的分割方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021128897A JP7708609B2 (ja) 2021-08-05 2021-08-05 基板の分割方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023023391A JP2023023391A (ja) 2023-02-16
JP7708609B2 true JP7708609B2 (ja) 2025-07-15

Family

ID=85152481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021128897A Active JP7708609B2 (ja) 2021-08-05 2021-08-05 基板の分割方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US12295174B2 (ja)
JP (1) JP7708609B2 (ja)
KR (1) KR20230021586A (ja)
CN (1) CN115910921A (ja)
TW (1) TWI903094B (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012109358A (ja) 2010-11-16 2012-06-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置
JP2012119670A (ja) 2010-11-12 2012-06-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウェハの分割方法及び分割装置
JP2013004584A (ja) 2011-06-13 2013-01-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置
JP2017220557A (ja) 2016-06-07 2017-12-14 株式会社ディスコ 静電チャックシート及びウエーハの加工方法
JP2018506848A (ja) 2014-12-29 2018-03-08 プリーヴァッサー, カール ハインツPRIEWASSER, Karl Heinz 半導体サイズのウェーハの処理に使用するための保護シートおよび半導体サイズのウェーハの処理方法
JP2019197869A (ja) 2018-05-11 2019-11-14 株式会社ディスコ Daf貼着装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4647830B2 (ja) 2001-05-10 2011-03-09 株式会社ディスコ 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置
US9136173B2 (en) * 2012-11-07 2015-09-15 Semiconductor Components Industries, Llc Singulation method for semiconductor die having a layer of material along one major surface
DE102017106854B4 (de) * 2017-03-30 2025-05-28 Infineon Technologies Ag Trägeranordnung und Verfahren für die Bearbeitung eines Trägers
JP6821261B2 (ja) * 2017-04-21 2021-01-27 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP6938212B2 (ja) * 2017-05-11 2021-09-22 株式会社ディスコ 加工方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012119670A (ja) 2010-11-12 2012-06-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウェハの分割方法及び分割装置
JP2012109358A (ja) 2010-11-16 2012-06-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置
JP2013004584A (ja) 2011-06-13 2013-01-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体基板の切断方法及び半導体基板の切断装置
JP2018506848A (ja) 2014-12-29 2018-03-08 プリーヴァッサー, カール ハインツPRIEWASSER, Karl Heinz 半導体サイズのウェーハの処理に使用するための保護シートおよび半導体サイズのウェーハの処理方法
JP2017220557A (ja) 2016-06-07 2017-12-14 株式会社ディスコ 静電チャックシート及びウエーハの加工方法
JP2019197869A (ja) 2018-05-11 2019-11-14 株式会社ディスコ Daf貼着装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202307942A (zh) 2023-02-16
TWI903094B (zh) 2025-11-01
US12295174B2 (en) 2025-05-06
CN115910921A (zh) 2023-04-04
KR20230021586A (ko) 2023-02-14
US20230039486A1 (en) 2023-02-09
JP2023023391A (ja) 2023-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6671794B2 (ja) ウェーハの加工方法
US7579260B2 (en) Method of dividing an adhesive film bonded to a wafer
JP6640005B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6713212B2 (ja) 半導体デバイスチップの製造方法
US20150357224A1 (en) Wafer processing method
JP6013806B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6523882B2 (ja) ウエーハの加工方法
US10049934B2 (en) Wafer processing method
TW202032652A (zh) 晶圓之加工方法
JP5961047B2 (ja) ウエーハの加工方法
CN107039342A (zh) 晶片的加工方法
KR101966997B1 (ko) 가공 방법
JP5975763B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP7708609B2 (ja) 基板の分割方法
JP2020129642A (ja) エキスパンドシートの拡張方法
KR20150104041A (ko) 가공 방법
JP7712148B2 (ja) 基板の分割方法
JP6634300B2 (ja) ウエーハの加工方法
KR20240035706A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP6537414B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2022185370A (ja) ウェーハの加工方法
JP6751337B2 (ja) 接着フィルムの破断方法
JP7511981B2 (ja) 接着用フィルム付きチップの製造方法
JP2018014450A (ja) ウェーハの加工方法
JP2025179785A (ja) シートの処理方法、チップの製造方法及び基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240627

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20250610

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20250703

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7708609

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150