JP7724153B2 - 順方向パラメータ補正および増強されたリバースエンジニアリングを使用するコーティング制御 - Google Patents

Description

（背景）
コーティングシステムを使用して、基板を特定の材料でコーティングし得る。例えば、スパッタリングシステムは、薄膜層、厚膜層等の堆積のために使用され得る。層のセットを堆積することに基づいて、光学要素を形成し得る。例えば、薄膜を使用して、光学干渉フィルタ等のフィルタを形成し得る。

（要旨）
いくつかの実装形態によれば、デバイスは、１以上のメモリ、および前記１以上のメモリと通信可能にカップリングされ、設計情報を受信することであって、前記設計情報が、１以上のランの最中に生成される光学要素の層のセットのための所望の値を特定する、受信すること；前記１以上のランのためのパラメータと、前記１以上のランまたは前記光学要素に関連する観測値との間の関係を特定する履歴情報を受信または取得すること；前記履歴情報に基づいて前記１以上のランのための層情報を決定することであって、前記層情報が、層の前記セットが前記所望の値を達成するためのランパラメーターズを特定する、決定すること；および前記１以上のランを前記層情報に基づいて実施させること、を行う、１以上のプロセッサ、を含み得る。

いくつかの実装形態によれば、方法は、コーティング制御デバイスによって、設計情報を受信することであって、前記設計情報が、１以上のランの最中に生成される光学要素の層のセットのための所望の値を特定する、受信すること；前記コーティング制御デバイスによって、前記１以上のランのためのパラメータと、前記１以上のランまたは前記光学要素に関連する観測値との間の関係を特定する履歴情報を受信または取得すること；前記コーティング制御デバイスによって、前記履歴情報に基づいて前記１以上のランのための層情報を決定することであって、前記層情報が、層の前記セットが前記所望の値を達成するためのランパラメーターズを特定する、決定すること；前記コーティング制御デバイスによって、前記１以上のランを前記層情報に基づいて実施させること；前記コーティング制御デバイスによって、前記１以上のランの結果を特定する情報を決定することであって、前記結果を特定する前記情報が、前記１以上のランのための前記観測値の値を特定する、決定すること；および前記コーティング制御デバイスによって、前記ランパラメーターズの、ランパラメータを、前記結果を特定する情報に基づいて、改変すること、を含み得る。

いくつかの実装形態によれば、非一時的コンピュータ可読媒体は、１以上のプロセッサによって実行されるときに、１以上のプロセッサに、設計情報を受信することであって、前記設計情報が、１以上のランの最中に生成される光学要素の層のセットのための所望の値を特定する、受信すること；前記１以上のランのためのパラメータと、前記１以上のランまたは前記光学要素に関連する観測値との間の関係を特定する履歴情報を受信または取得すること；前記履歴情報に基づいて前記１以上のランのための層情報を決定することであって、前記層情報が、層の前記セットが前記所望の値を達成するためのランパラメーターズを特定する、決定すること；および前記１以上のランを前記層情報に基づいて実施させること、を行わせる、１以上の命令を格納し得る。

図１は、予想される決定論的プロセスパラメータドリフトに基づく順方向パラメータ補正および増強されたリバースエンジニアリングを使用したコーティング制御の例示的な実装形態の概略図である。 図２Ａは、例示的なコーティングシステムの概略図である。 図２Ｂは、本明細書で説明されるシステムおよび／または方法が実装され得る例示的な環境の概略図である。 図３は、図２Ａおよび２Ｂの１以上のデバイスの例示的なコンポーネントの概略図である。 図４Ａは、予想される決定論的プロセスパラメータドリフトに基づいて、順方向パラメータ補正および増強されたリバースエンジニアリングを行わないコーティングプロセスの例示的な結果のチャートである。 図４Ｂは、予想される決定論的プロセスパラメータドリフトに基づいて、順方向パラメータ補正と増強されたリバースエンジニアリングを使用したコーティングプロセスの例示的な結果のチャートである。 図５は、予想される決定論的プロセスパラメータドリフトに基づいて、順方向パラメータ補正および増強されたリバースエンジニアリングを使用したコーティング制御のプロセス例のフローチャートである。

（詳細な説明）
以下の例示的な実装形態の詳細な説明は、添付の図面を参照する。異なる図面の同じ参照番号は、同じまたは類似の要素を特定し得る。

コーティングシステムは、標的から基板上に材料を堆積させて、光学要素（例、干渉フィルタ、バンドパスフィルタ等）等の要素を形成し得る。例えば、コーティングシステムは、材料の層が基板上に堆積されるコーティングラン（本明細書で「ラン」と呼ばれる）にわたって標的のスパッタリングを実施し得る。要素のセットを作成するための一連のランは、本明細書でキャンペーンと呼ばれ得る。いくつかの場合では、複数の標的が使用される。キャンペーンは、標的（単数形）または標的（複数形）の寿命までの間延長し得る。

コーティングシステムは、ガス流速、電源セットポイント、ランの時間長さ等のような種々のランパラメーターズに基づいてランを実施し得る。いくつかのパラメーターズは静的パラメーターズであり、ランからランまで静的であり得る。いくつかのパラメーターズは動的であり得、ランからランまで構成可能であり得る。これらのランパラメーターズは、各ランのために複数の層の所望のコーティング厚さを達成することを目的として構成可能であり得る。したがって、コーティング速度は、ランの時間の長さおよびラン中に堆積されたコーティングの厚さに基づいて観測され得る。いくつかの場合では、コーティングシステムは、コーティングの厚さを使用して直接観測されないランの結果を決定し得る。例えば、特定のスペクトル測定は、ランの結果に関する情報を提供し得る。

多くのランは２以上の材料の複数の層を使用するので、本明細書で説明される実装形態は、本明細書の他の場所でより詳細に説明されるように、複数のコーティング速度および多くのコーティング厚さを使用し得ることに留意されたい。いくつかの場合では、簡潔さまたは明確さのために、単一のコーティング速度が本明細書に記載されている。単一のコーティング速度が記載されている場合、複数のコーティング速度も企図されることが理解されるべきである。

コーティングシステムは、ランパラメーターズを調整して、各ランのために所望の値（例、コーティングの厚さまたは別の値）を達成し得る。例えば、制御装置は、ランがスペクトル性能、屈折率、帯域幅、層の厚さ等に関する目標を満たすように、ランからランまでパラメーターズを調整し得る。理想的には、コーティングシステムは完全に安定したコーティング速度と安定したコーティングチャンバを持ち、正確に予測可能なコーティング厚さをもたらす。例えば、特定のランパラメーターズが適用されるとき、理想的なコーティングシステムでは、各ランのために予測可能で安定したコーティング厚が得られ、安定したコーティング速度が達成されることを意味する。しかしながら、実践では、コーティング率が完全に安定ではない。例えば、環境条件（例、コーティングチャンバ内の含水量、温度）、時間の経過に伴う標的の変化（例、キャンペーンの開始時と比較したキャンペーンの終了時の標的の形状）、漂遊コーティングコーティングシステムのシールド等に蓄積すると、コーティング速度（単数形）またはコーティング速度（複数形）が時間の経過とともに期待値からドリフトさせ得る。

ドリフトコーティング率を処理するための１つのアプローチは、ランが実施された後に要素のための測定を実施し、測定に基づいてランの結果を決定し、およびその結果を使用して次のランのためのランパラメーターズを導出することである。いくつかの場合では、これは「リバースエンジニアリング」と呼ばれ得る。例えば、結果は、光学要素の厚さを示すスペクトル応答を含み得、コーティングシステムは、観測された厚さと望ましい値との間の差に応じて、次のランのためのランパラメータ（単数形）（例、時間長等）を調整し得る。

いくつかの場合では、リバースエンジニアリングが２回の連続ランに対して実施され得る。これにより、ランパラメーターズの精度（したがって、対応するコーティング率）が向上し得るが、かなりの時間がかかり、コーティングシステムの使用率が低下し得る。いくつかの場合では、リバースエンジニアリングは互い違いの（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ）様式で実施され得、そこでは、第３番目のランのためのランパラメーターズが、第２番目のランが実施されている間に第１番目のランのためのパラメータ（単数形）および観測値に基づいて決定され、第４番目のランのためのランパラメーターズが、第３番目のランが実施されている間に第２番目のランのためのパラメータ（単数形）および観測値に基づいて決定され、等する。この技法は、「リープフロッギング」と呼ばれ得る。リープフロッギングは、コーティングシステムの利用を改善し、それによってスループットを増大させ得る。

しかしながら、リバースエンジニアリングとリープフロッギングは、キャンペーンの期間全体にわたって課題を提示し得る。例えば、コーティング速度は、標的の形状の変化、コーティングチャンバ内の条件の変化、および／または他の要因のために、標的の寿命にわたって固定され得ない。さらに、リープフロッギングは、結果が決定されるランと、結果に基づいてランパラメーターズが決定されるランとの間の時間を増大させ得、これは、特に上記のコーティング率でのドリフトを考慮して、後のランが所望の値に関して不正確である可能性を高める。いくつかの場合では、コーティングシステムは、キャンペーンを停止し、キャリブレーションコーティングを実施して、観測されたコーティングの厚さまたはコーティング速度を決定する必要があり得、これにより、スループットと使用率をさらに低減させる。リバースエンジニアリングおよびリープフロッギングを考慮してのコーティング率の精度の詳細については、以下の図４Ａを参照のこと。

本明細書に記載のいくつかの実装形態は、予想される決定論的プロセスパラメータドリフトに基づく順方向パラメータ補正および増強された逆方向エンジニアリングを使用して、コーティングの厚さおよび／または速度制御を提供し得る。例えば、コーティング率等のパラメータ（単数形）の変化は、コーティングの標的寿命等の観測値と関係があり得る。本明細書で使用される場合、コーティング標的寿命（コーティング標的の寿命、コーティング標的の寿命、標的の寿命、標的の寿命等と時折呼ばれる）は、標的の総使用量の尺度を指し得る。いくつかの場合では、コーティング標的の寿命はパワーと時間の関数として表され得る（例、１５ｋＷのパワーが６００秒間標的に適用されると、標的のコーティング標的の寿命は２．５ｋＷｈ増加し得る（１５ｋＷ＊６００ｓ／３６００ｓ／ｈ））、しかしながら、コーティングの標的寿命の他の表現が可能であり、本明細書で検討されている。いくつかの実装形態では、コーティング標的の寿命は、制御装置等によって追跡され得る。

この例では、コーティング標的の寿命が経過すると、コーティング速度がドリフトしたり、特定の（例えば予測可能な）方法で変化したりし得る。本明細書で説明されるいくつかの実装形態は、パラメータ（単数形）と観測値との間の関係を使用して、コーティングシステムのランのためのランパラメーターズを決定し得る。例えば、これは、コーティング速度等の変化するパラメータ（単数形）を考慮して、所望の値に関してランを正確に保つためにランが実施されるときに、本明細書に記載の実装形態がランパラメーターズを調整することを可能にし得る。

本明細書で説明されるいくつかの実装形態はまた、特にリンクされたリバースエンジニアリングのために、増強されたリバースエンジニアリングを提供する。リンクされたリバースエンジニアリングは、２以上のプロセスが実施される場合に使用され得る（例、２以上の材料が１つ以上の標的からスパッタされる）。このような場合、スペクトル応答が両方のプロセスに関する有用なフィードバックを提供しないとき、２つのプロセス間のリンクされた関係が想定されるため、１つのプロセスに関するフィードバックを使用して両方のプロセスのパラメータ（単数形）調整が決定される。これは、２以上のプロセス間の１：１リンクを想定したいくつかのレガシー実装形態で実施され得、これは、実践では正確であってもなくてもよく、２以上のプロセスが１以上のパラメーターズに関する異なるドリフト率に関連付けられている場合は時間の経過とともに精度が低下し得る。

本明細書に記載のいくつかの実装形態は、２以上のプロセスのそれぞれの関係（例、目標寿命と比較したコーティング速度の変化率、または本明細書に記載の他の構成）に基づいて、２以上のプロセス間のリンクを決定する。例えば、あるプロセスが標的の寿命中に別のプロセスの２倍の速さで変化する場合、これらのプロセス間の１：２の関係を使用して、リバースエンジニアリングが実施され得る。したがって、このようなプロセスのリバースエンジニアリングの精度は、プロセス間の１：１リンクを想定する場合と比較して向上する。

このようにして、予想される決定論的プロセスパラメータドリフトに基づいてコーティング速度の精度が向上し得る。これにより、リープフロッギングのより頻繁で一貫した使用が可能になり、許容できないプロセス出力の速度が低下し、キャリブレーションランへの依存が減少する。

本明細書で説明されるいくつかの実装形態は、ランパラメーターズを決定するための観測値として、コーティング標的寿命および／またはコーティング標的寿命のポイントを使用する。しかしながら、コーティング標的寿命以外の他の観測値が使用され得、本明細書で企図される。例えば、コーティングシステムが予測可能または計画的な方法でランを実施する場合、コーティングの目標寿命の代わりに時間または経過時間を使用し得る。同様に、同じまたは類似の製品に対してコーティングが繰り返し実施される場合、コーティングの目標寿命の代わりに、連続したバッチ番号またはラン番号をし得る。言い換えれば、コーティングの目標寿命は、時間／目標寿命／バッチシーケンスにわたるコーティング速度のドリフトを定量化するために使用し得る多くの可能な値の１つである。「コーティング目標寿命」は、この段落に記載されている値のいずれかを指し得ることを理解されたい。さらに、いくつかの観測値は時間パラメータ（単数形）に基づいていない。例えば、スペクトル測定、屈折率、または吸収指数を観測値として使用し得る。

図１は、予想される決定論的プロセスパラメータドリフトに基づく順方向パラメータ補正および増強されたリバースエンジニアリングを使用するコーティング制御のための例示的な実装形態１００の概略図である。より具体的には、図１は、光学素子に関するスペクトル観測に基づく調整可能なパラメータ（単数形）としてラン時間を使用する、増強されたリバースエンジニアリングに基づく順方向パラメータ補正に基づくコーティング厚さ制御のための制御ループを示す。

図１は、制御デバイスへのさまざまな情報の入力を示す。これらは、参照番号１０５、１１０、１１５、１２０、および１２５で示される。さらに、図１は、制御デバイスによるコーティングプロセスのランパラメーターズの決定を示す（例、順方向パラメータ補正に基づく参照番号１３０）。ランパラメーターズは、参照番号１３５で示される。コーティングシステム（または制御デバイス）は、ランパラメーターズ（参照番号１４０で示される）に基づいてランを実施し得、分光計は、ランによって生成された要素のスキャンを結果（参照番号１４５で示される）を決定するために実施し得る。参照番号１５０によって示されるように、制御デバイスは、スキャンに基づいて情報（例、結果を特定する情報）を受信し得る。制御デバイスは、結果に基づいてリバースエンジニアリングを実施し、リバースエンジニアリングに基づいて後で実施するためにランパラメーターズを変更し得る（図１の循環矢印で示される）。上記の各入力と操作の詳細については、以下で説明する。

参照番号１０５によって示されるように、制御装置は、コーティングプロセスの静的プロセスパラメーターズに関する情報を受信または決定し得る。静的プロセスパラメータ（単数形）は、静的または半静的に構成され、ランまたはキャンペーン等の過程で変更される可能性が低いパラメータ（単数形）を含み得る。静的プロセスパラメータ（単数形）の例には、アルゴンガス流速値、電源動作モード等が含まれる。特定のパラメータ（単数形）がいくつかの場合では静的で他の場合では動的であり得ることに注意すべきである。例えば、ガス流速は、いくつかの場合（例、ラン時間がラン間で変化して目的の厚さになる場合）では一定に保たれ得、他の場合（例、リバースエンジニアリングのための観測値がガス流速に関連する屈折率または吸収率である場合）では変動し得る。

参照番号１１０によって示されるように、制御装置は、コーティング速度とコーティング標的寿命との間の関係を特定する履歴情報を受信または決定し得る。より一般的には、制御装置は、パラメータ（単数形）と観測値との間の関係を特定する履歴情報を受信し得る。履歴情報は、所定のパラメーターズについて、コーティング標的の寿命の特定の時点で予想されるコーティング率を特定し得る（または制御デバイスが特定することを可能にし得る）。例えば、観測されたコーティング速度は、コーティング標的の寿命の過程で変化またはドリフトすし得る。

本明細書で説明されるいくつかの実装形態では、制御デバイスは、非線形関係を使用して、パラメータ（単数形）と観測値との間の関係を定義し得る。例えば、制御装置は、２次以上の関数または多項式を使用して、パラメータ（単数形）と観測値との間の関係を定義し得る。いくつかの態様では、制御装置は、コーティング速度とコーティング目標寿命との間の関係の値を特定する情報を受信または格納し得る。例えば、制御装置は、異なるコーティング目標寿命値に対応するコーティング速度を特定するルックアップテーブルまたは同様のデータ構造を格納し得る。いくつかの態様では、制御装置は、パラメータ（単数形）と観測値との間の線形関係を使用し得る。

パラメータ（単数形）と観測値との関係は、所定の値であり得るため、静的パラメータ（単数形）として表示され得る。例えば、この場合、関係は、過去のキャンペーンに関する観測に基づいて決定され得る。いくつかの実装形態では、リバースエンジニアリングに基づいて関係を調整し得る。例えば、ランの結果がリバースエンジニアリングを使用して関係に関連付けられた期待値からずれていると制御デバイスが判断した場合、制御デバイスは関係を調整して将来のランの精度を向上させ得る。

いくつかの実装形態では、２以上の材料が同じ標的によって生成され得る。例えば、いくつかの場合では、ＳｉＯ２、Ｓｉ、Ｓｉ３Ｎ４、およびＳｉＯｘがすべて１つの標的から生成され得る。このような場合、１つの標的に複数のプロセスを含め得る。単一の標的の標的ライフカウンターは、すべてのプロセス間で共有し得る。例えば、コーティングシステムがＳｉＯ２をコーティングする場合、標的が部分的に使い果たされ、標的の寿命カウンタが増加し得る。次いで、同じ標的からの後続のＳｉ層は、このより高い（例、より高度な、より枯渇した、増加した）標的寿命のレート仮定で開始される。したがって、リバースエンジニアリングを実施するときに、マルチプロセス標的の枯渇を考慮に入れ得る。

いくつかの実装形態では、関係を特定する情報は、基板が複数の異なる標的からの材料でコーティングされる場合等、複数の異なる標的に関連し得る。例えば、各標的は、各標的のコーティング速度と各標的のそれぞれのコーティング標的の寿命との間の関係を定義するそれぞれの関数に関連付けられ得る。制御装置は、それぞれの関数に基づいてコーティング速度のパラメーターズを決定し得る。これは、複数の標的のコーティング速度がリンクされているという仮定に基づいて（例、一定の関係等に基づいて）複数の標的のパラメーターズを決定することと比較して、コーティングの精度を改善し得る。

参照番号１１５によって示されるように、制御装置は、１以上の動的プロセスパラメーターズを受信または決定し得る。動的プロセスパラメータ（単数形）には、あるランから別のランに変更し得る値（例、ランパラメータ（単数形））が含まれ得る（例、リバースエンジニアリングおよび／またはパラメータと観測値の関係等の静的プロセスパラメータに基づく）。いくつかの実装形態では、制御デバイスは、特定のランについて観測されたコーティングの厚さまたは速度を決定し得（例、分光測定およびリバースエンジニアリング技術を使用して）、観測されたコーティングの厚さまたは速度、および観測されたコーティングの厚さまたは速度、および保存された情報を使用して、後のランのためのパラメータを決定し得る。例えば、制御装置は、観測されたコーティングの厚さまたは速度が予想されるコーティング速度と一致するかどうかに基づいて（例、機械学習技術等に基づいて）ランパラメータ（単数形）を調整し得る。このようにして、制御装置は、観測されたコーティングの厚さまたは速度に基づいてコーティング速度パラメーターズを繰り返し調整し、これにより、コーティング速度決定の精度がさらに向上する。

制御装置は、観測されたコーティングの厚さまたは速度を決定するものとして本明細書に記載されている。しかしながら、いくつかの場合では、制御装置は、コーティングの厚さまたは速度に関連する別のパラメータ（単数形）を決定し得る。例えば、制御装置は、光学要素のスペクトル応答が、所望のコーティング厚さに関連するスペクトル応答と一致するかどうかを決定し得る。したがって、コーティングの厚さを直接測定する必要はなく、高価で複雑な測定技術への依存を減らし、それによってスループットを向上させ得る。

参照番号１２０によって示されるように、制御デバイスは、層シーケンスを特定する設計情報を受信し得る。例えば、ランは、基板上への１以上の層の堆積を含み得る。各層は、所望の材料の厚さを有し得る。制御装置は、層（例、各層が形成される材料、層の順序または順序等）および各層について達成される厚さを特定する設計情報を受信し得る。以下でより詳細に説明するように、制御デバイスは、この情報を使用して、基板上に層を堆積するためのランのためのランパラメーターズを決定し得る。

参照番号１２５によって示されるように、制御装置は、次のランのための開始目標寿命値を特定する情報を受信または決定し得る。例えば、連続したランが実施されると、標的が使い果たされ得る。標的は、最初のランが実施される前に、特定の標的寿命値（例、キロワット時（ｋＷｈ）、時間値等で表され得る）で開始し得る。実施するたびに、標的から材料が枯渇し得る。制御装置は、実施される各ランについて、各標的の開始標的寿命を決定し得る。制御デバイスは、開始目標寿命を使用して、各ランのランパラメーターズを決定し得る（例、以下でより詳細に説明するように、パラメータ（単数形）と観測値との間の関係を特定する情報に基づいて）。

参照番号１３０によって示されるように、制御装置は、ランのためのランパラメータ（単数形）を決定し得る。例えば、制御装置は、ランに関連するすべての層の最後の既知のコーティング速度を使用して（例、参照番号１１０によって示される関係および以下に説明するリバースエンジニアリングの結果を使用して）パラメーターズを決定し得る。いくつかの実装形態では、ランパラメータ（単数形）にラン時間が含まれ得る。例えば、ランパラメータ（単数形）は、特定の標的または層に関して堆積またはスパッタリングが実施される時間の長さを特定し得る。

いくつかの実装形態では、制御デバイスは、層の開始目標寿命（参照番号１２５で示される）、層の厚さ（参照番号１２０で示される）、リバースエンジニアリングされた結果に基づいて、層のランパラメータを決定し得る。層または別の動的プロセスパラメータ（参照番号１１５で示される）、およびリバースエンジニアリングされたコーティング率が決定されたランの目標寿命（参照番号１１５でも示される）。例えば、制御装置は、リバースエンジニアリングされたコーティング速度が決定されたランの目標寿命との層についての開始目標寿命との間の差に基づいて調整された、リバースエンジニアリングされたコーティング速度を使用して層のラン時間を決定し得る。制御装置は、コーティング速度と目標寿命との間の関係に基づいて、リバースエンジニアリングされたコーティング速度を調整し得る（参照番号１１０によって示されるように）。

制御装置は、調整されたコーティング速度および材料の厚さを使用して、層のランパラメーターズを決定し得る（参照番号１３５で示される）。ここで、パラメーターズは、ｐａｒ１およびｐａｒ２として示され、各層のためのラン時間は、時間１および時間２として示される。例えば、調整されたコーティング速度が、前のランが所望の値よりも薄かったことを示す場合、制御装置は、時間１および／または時間２を長くし得る。別の例として、調整されたコーティング速度が、前のランが所望の値よりも厚いことを示す場合、制御装置は、時間１および／または時間２を短縮し得る。
このようにして、制御デバイスは、コーティング率および標的寿命の関係に基づいて調整されるリバースエンジニアリングされたコーティング率を使用して、および層のための開始標的寿命を使用して、層の実行パラメータ（単数形）を決定し、このことは、パラメータの精度を改善し、標的のジオメトリーの変更の影響等を低減する。いくつかの実装形態では、制御デバイスは、各層および各標的に固有の情報を使用して、ラン中の各層に対して（例、ラン中に堆積される各標的に関して）上記の操作を実施し得る。

いくつかの実装形態では、制御デバイスは、ラン時間以外の、またはラン時間に加えて、ランパラメータを決定し得る。一例として、制御装置は、観測値（例、コーティングの厚さ、コーティング速度、または目標寿命）に基づいて電源セットポイントを決定し得る。電源セットポイントは、制御装置がコーティング速度を増加または減少させることを可能にし得、このことは、制御デバイスは、サンプルの寿命にわたってコーティング速度を一定に保つことを可能にし得る。第２の例として、制御デバイスは、観測値に基づいてバイアスを決定し得る。バイアスは、層の厚さに影響を与え得るランにおける開始または終了の遅延の尺度となり得る。例えば、層の時間は、以下の関係：（標的の厚さ＋バイアス）／コーティング率に基づき得る。

第３の例として、制御装置は、回転駆動高さを決定し得る。回転駆動の高さは、制御装置が基板を横切るランオフを調整することを許容し得る。例えば、標的と基板との距離が大きい場合、ロータリードライブの中心でのコーティング速度は、ロータリードライブの端でのコーティング速度よりも高くなり得る。この場合、制御装置は、光学素子上の異なる位置での複数のスペクトル測定に基づいてリバースエンジニアリングを実施し得る。これにより、複数の異なるレートを使用して、増強されたリバースエンジニアリングを実施することを可能にし得る。例えば、制御装置は、複数のスペクトル測定におけるそれぞれの変化を追跡し得、それぞれの変化間の関係を使用して、将来のランのための回転駆動高さを決定し得る。

いくつかの実装形態では、制御デバイスは、標的またはソースと基板との間の幾何学的関係を決定し得る。例えば、回転駆動高さは、そのような幾何学的関係の１つであり得る。幾何学的関係は、コーティング速度、ランオフ等に影響を与え得る。幾何学的関係を構成する他の例には、標的を上げるまたは下げる、コンポーネントを空間方向に移動または平行移動する、マスクの幾何学的または位置を変更する等が含まれる。

いくつかの実装形態では、制御装置は、ガス流速（例、酸素流量等）を決定し得る。例えば、ガス流速は、コーティング速度および／または所望の材料特性（例、屈折率、吸収等）に影響を与え得る。いくつかの実装形態では、制御デバイスは、以下の参照番号１５０に関連して説明されるように、１以上の層またはランに関して実施された測定に基づいて上記のパラメーターズを決定し得る。

いくつかの実装形態では、制御デバイスは、コーティング速度について本明細書に記載されているものと同様の制御ループを使用して、上記のランパラメータの１つの値を繰り返し決定し得る。例えば、制御デバイスは、測定値からのスペクトルスキャンを分析することによってパラメータ値を決定し得る（例、コーティング基板全体の１以上の場所で）。制御装置は、所与のランにおける期待値からのパラメータの偏差を決定し得、偏差に基づいて、および／または観測値に基づいて（例、次のランと所定特定のランについての目標寿命に基づいて、およびパラメータと目標寿命との関係に従って）次のランのためにランパラメータを調整し得る。

いくつかの実装形態では、制御デバイスは、履歴情報（例、過去のランに関する情報、標的の標的寿命値を特定する情報等）を使用して、上記のパラメーターズの１以上の値を決定し得る。一例として、標的が標的寿命を経て進行するにつれて、制御装置は、ランオフを減らすために回転駆動装置を下げることを決定し得る。このような場合、制御装置は、目標寿命に基づいて回転駆動高さを決定し得る。別の例として、制御装置が目標寿命を通してコーティング速度を一定に保つことであると仮定すると、制御装置は、目標寿命に基づいて電源セットポイントを増加させ得る。したがって、上記のパラメーターズの決定は、履歴情報を考慮に入れ得、それによって、上記のパラメーターズの決定の精度を改善し、コーティングの精度を改善する。

参照番号１４０によって示されるように、コーティングシステムは、上記の参照番号１３０に関連して決定されたランパラメーターズを使用してランを実施し得る。いくつかの実装形態では、制御装置は、コーティングシステムにランを実施させ得る。例えば、制御装置は、ランパラメーターズを使用してランを実施するようにコーティングシステムを構成し得る。いくつかの実装形態では、制御デバイスがランを実施し得る。

参照番号１４５によって示されるように、分光計は、結果を決定するためにコーティングされた要素のスキャンを実施し得る。例えば、
分光計は、パラメータ（例、コーティング速度、電源セットポイント、バイアス、回転駆動高さ、ガス流、スペクトル応答等））が期待値（例、パラメータと目標寿命等の観測値との関係に基づく）と一致するかどうかを判断するために、１以上の測定を実施し得る。いくつかの実装形態では、そして示されるように、分光計は、１以上の測定に関連する情報を制御装置に提供し得る。いくつかの実装形態では、分光計はコーティングシステムの一部であり得る。いくつかの実装形態では、分光計はコーティングシステムから分離され得る。

参照番号１５０によって示されるように、制御デバイスは、リバースエンジニアリングを実施して、１以上の標的に関連する標的寿命のコーティング速度の変化を決定し得る。より一般的には、制御装置は、パラメータがパラメータと観測値との間の関係に適合するかどうかを決定するために、または観測値に関連するパラメータのドリフトを決定するためにリバースエンジニアリングを実施し得る。例えば、制御装置は、層について観測されたコーティング速度を決定し得る。観測されたコーティング速度を使用して、制御デバイスは、複数のランにわたるコーティング速度の変化を決定し得、これは、コーティング速度勾配と呼ばれる得る（例、開始目標寿命と終了目標寿命との間の差を使用する）。コーティング速度の変化は、制御装置が次のランの性能をより正確に予測することを許容し得、それによってコーティング成功率を改善する。

いくつかの実装形態では、制御デバイスは、履歴情報を使用して増強されたリバースエンジニアリングを実施し得る。例えば、多くのランでは、コーティングを実施するために複数の異なる材料を使用し得る。いくつかの場合では、光学素子のスペクトル分析により、すべての材料のリバースエンジニアリングに役立つ情報が提供される。例えば、各材料は、光学素子のスペクトル応答にそれぞれの影響を引き起こし得る。このような場合、制御装置は、各材料に対してリバースエンジニアリングを実施し得、その結果に対応する観測値（例、目標寿命等）とともにリバースエンジニアリングの結果を保存し得る。制御デバイスは、本明細書の他の箇所でより詳細に説明されているように、結果および観測値を使用して、将来のランのためにランパラメータを変更し得る。これは、ある材料のリバースエンジニアリングの結果が別の材料のリバースエンジニアリングの結果に依存しないため、非リンクリバースエンジニアリングと呼ばれ得る。

いくつかの態様では、制御装置は、リンクされたリバースエンジニアリングを実施し得る。光学素子の測定がすべての材料のリバースエンジニアリングに役立たない場合は、リンクされたリバースエンジニアリングを使用し得る。例えば、１以上の材料は、スペクトル応答に影響を生じ得ないため、スペクトル応答の測定は、光学要素の他の材料に関する情報のみを提供し得る。このような場合、第１の材料の第１のリバースエンジニアリング結果と第２の材料の第２のリバースエンジニアリング結果との間のリンクが想定され得る。いくつかの場合では、このリンクは１：１であると想定され、第１の材料のＸのパラメータドリフトが第２の材料のＸのパラメータドリフトに対応することを意味する。しかしながら、いくつかの場合では、異なる材料が異なるパラメータドリフトに関連付けられ得る。例えば、第１の材料は、標的寿命とコーティング厚さの間の第１の関係に関連付けられ得、第２の材料は、標的寿命とコーティング厚さの間の異なる第２の関係に関連付けられ得る。この場合、最初の材料と２番目の材料のリバースエンジニアリングの結果が１：１にリンクすると、標的の寿命全体にわたって不正確さが増すことを見ることができる。

制御装置は、第１のサンプルおよび第２のサンプルに関連する履歴情報に基づいて、増強されたリバースエンジニアリングを実施し得る。例えば、第１の材料がＸで定義されたコーティング速度と目標寿命の関係に関連付けられ、第２の材料がＹで定義されたコーティング速度と目標寿命の関係に関連付けられていると仮定する。さらに、スペクトル測定が第２の資料ではなく、第１の資料に関する有用な情報を提供すると仮定する。その場合、制御装置は、例えば、Ｘ：Ｙのリンクを使用して、リンクされたリバースエンジニアリングを実施し得る。したがって、第１の材料および第２の材料のリバースエンジニアリングの精度は、履歴情報に基づいて（例、順方向パラメータ補正に基づいて）改善され、このことは、歩留まりを改善し、較正ランの必要性を低減または排除する。上記の手順が任意の数の資料、リンク、および／または標的に対して一般化することができることを見ることができる。

このように、コーティング手順の精度は、所望の値の維持を可能にすることによって改善され、そのことは、層の厚さの目標に一致するように層のより正確な堆積を可能にする。さらに、本明細書に記載のいくつかの実装形態は、パラメータと観測値との関係が、リバースエンジニアリングが実施されるランの直後に続かないランのランパラメーターズを正確に決定するために使用することができるため、より一貫したリープフロッギングを可能にし得る。さらに、本明細書に記載のいくつかの実装形態は、コーティング速度の異なる変化を伴う複数のプロセスを使用するフィルタの複数のランにわたって見ることができるスペクトル形状の劣化を改善し得る。例えば、速度補正は各プロセスまたは標的に固有であるため、本明細書で説明されるいくつかの実装形態は、リンクされたコーティング速度決定技術よりも、複数のプロセスまたは標的の実際のコーティング速度をより正確に表し得る。なおさらに、本明細書に記載のいくつかの実装形態は、キャンペーン全体にわたるコーティング手順の一貫性を改善し得る。例えば、標的が枯渇するにつれてのコーティング速度の低下は、標的の寿命に基づく堆積時間の増加によって相殺され得、それにより、キャンペーン全体にわたるコーティングの厚さの一貫性が改善される。

上に示したように、図１は単なる例として提供される。他の例も可能であり、図１に関して説明したものとは異なり得る。

図２Ａは、例示的なコーティングシステム２１０の概略図である。示されるように、コーティングシステム２１０は、プロセスチャンバ２１１、基板２１２、標的２１３、磁石２１４、回転運動システム２１５、均一性マスク２１６、プロセスガス吸気２１７、およびプロセスチャンバ排気装置２１８を含む。

コーティングプロセスは、プロセスチャンバ２１１内で発生し得る。例えば、材料は、標的２１３から基板２１２上にスパッタリングされ得る。これを達成するために、電圧が標的２１３に（例、特定の電源セットポイントまたはパワーセットポイントで）印加され、これは、標的２１３の表面でプラズマベースの効果を引き起こし得る。プラズマベースの効果は、標的２１３の材料を基板２１２に向かってスパッタさせ得る。標的が使い果たされると、材料が磁石２１４の反対側の標的２１３の表面から喪失し得る。これにより、標的２１３の表面と基板２１２との間の距離が増加し、通常、コーティング速度が低下する。それはまた、標的２１３の表面での磁場強度を変化させ、プラズマ形成プロセスに影響を与える。したがって、コーティング速度は、標的２１３の標的寿命が経過するにつれて変化し得る（例、減少または増加、減少してから増加、増加してから減少、変動する等）。回転運動システム２１５は、回転駆動高さに関連付けられ得、これは、基板２１２を標的２１３に近づけたり遠ざけたりし得、それにより、コーティング速度に影響を与える。ガスは、プロセスガス吸気口２１７でプロセスチャンバ２１１に入り得、プロセスチャンバ排気器２１８でプロセスチャンバ２１１を出得る。いくつかの実施形態では、コーティングシステム２１０は、分光計および／または同様のもの（図示せず）を含み得る。観測されたコーティング率または他のパラメーターズを決定するための測定を実施する。

上に示したように、図２Ａは例として提供される。他の例も可能であり、図２Ａに関して説明したものとは異なり得る。

図２Ｂは、本明細書で説明されるシステムおよび／または方法が実装され得る例示的な環境２００の概略図である。図２Ｂに示されるように、環境２００は、コーティングシステム２１０、制御デバイス２２０、およびネットワーク２３０を含み得る。環境２００のデバイスは、有線接続、無線接続、または有線接続と無線接続の組み合わせを介して相互接続し得る。

コーティングシステム２１０は、上記の図２Ａに関連してより詳細に説明される。

制御デバイス２２０は、コーティングシステム２１０の制御または構成に関連する情報を受信、格納、生成、処理、および／または提供することが可能な１以上のデバイスを含む。例えば、制御デバイス２２０は、サーバ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、クラウドコンピューティングデバイス等を含み得る。いくつかの実装形態では、制御デバイス２２０は、コーティングシステム２１０等の環境２００の他の１以上のデバイスから情報を受信し、および／または情報を提供し得る。

ネットワーク２３０は、１以上の有線および／または無線ネットワークを含む。例えば、ネットワーク２３０は、セルラーネットワーク（例、長期進化（ＬＴＥ）ネットワーク、コード分割マルチアクセス（ＣＤＭＡ）ネットワーク、３Ｇネットワーク、４Ｇネットワーク、５Ｇネットワーク、別のタイプの次世代ネットワーク等）、公有地移動ネットワーク（ＰＬＭＮ）、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、ワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）、メトロポリタンエリアネットワーク（ＭＡＮ）、電話ネットワーク（例：パブリックスイッチドテレフォンネットワーク（ＰＳＴＮ））、プライベートネットワーク、アドホックネットワーク、イントラネット、インターネット、光ファイバーベースのネットワーク、クラウドコンピューティングネットワーク等、および／またはこれらまたは他のタイプのネットワークの組合せを含み得る。

図２Ｂに示されるデバイスとネットワークの数と配置は、例として提供される。実践では、図２Ｂに示されるものよりも、追加のデバイスおよび／またはネットワーク、より少ないデバイスおよび／またはネットワーク、異なるデバイスおよび／またはネットワーク、または異なる配置のデバイスおよび／またはネットワークが存在し得る。さらに、図２Ｂに示される２以上のデバイスは、単一のデバイス内に実装され得るか、または図２Ｂに示される単一のデバイスは、複数の分散デバイスとして実装され得る。さらに、または代替的に、環境２００のデバイスのセット（例、１以上のデバイス）は、環境２００の別のデバイスのセットによって実施されると説明される１以上の関数を実施し得る。

図３は、デバイス３００の例示的なコンポーネントの概略図である。デバイス３００は、コーティングシステム２１０および／または制御デバイス２２０に対応し得る。いくつかの実装形態では、コーティングシステム２１０および／または制御デバイス２２０は、１以上のデバイス３００および／またはデバイス３００の１以上の構成要素を含み得る。図３に示されるように、デバイス３００は、バス３１０、プロセッサ３２０、メモリ３３０、ストレージコンポーネント３４０、入力コンポーネント３５０、出力コンポーネント３６０、および通信インターフェース３７０を含み得る。

バス３１０は、デバイス３００のコンポーネント間の通信を可能にするコンポーネントを含む。プロセッサ３２０は、ハードウェア、ファームウェア、またはハードウェアとソフトウェアの組合せで実装される。プロセッサ３２０は、中央処理装置（ＣＰＵ）、グラフィックス処理装置（ＧＰＵ）、加速処理装置（ＡＰＵ）、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、または別のタイプの処理コンポーネントである。いくつかの実装形態では、プロセッサ３２０は、関数を実施するようにプログラム可能な１以上のプロセッサを含む。メモリ３３０は、プロセッサ３２０によって使用するための情報および／または命令を格納する、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、および／または別のタイプの動的または静的ストレージデバイス（例、フラッシュメモリ、磁気メモリ、および／または光メモリ）等の１以上のメモリを含む。

ストレージコンポーネント３４０は、デバイス３００の動作および使用に関連する情報および／またはソフトウェアを格納する。例えば、ストレージコンポーネント３４０は、ハードディスク（例、磁気ディスク、光ディスク、磁気光学ディスク、および／またはソリッドステートディスク）、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、フロッピーディスク、カートリッジ、磁気テープ、および／または別のタイプの非一時的コンピュータ可読媒体、並びに対応するドライブを含み得る。

入力コンポーネント３５０は、デバイス３００が、例えば、ユーザ入力（例、タッチスクリーンディスプレイ、キーボード、キーパッド、マウス、ボタン、スイッチ、および／またはマイクロフォン）を介して情報を受信することを可能にするコンポーネントを含む。追加的または代替的に、入力コンポーネント３５０は、情報を感知するためのセンサ（例、全地球測位システム（ＧＰＳ）コンポーネント、加速度計、ジャイロスコープ、および／またはアクチュエータ）を含み得る。出力コンポーネント３６０は、デバイス３００からの出力情報を提供するコンポーネント（例、ディスプレイ、スピーカー、および／または１以上の発光ダイオード（ＬＥＤ））を含む。

通信インターフェース３７０は、デバイス３００が、有線接続、無線接続、または有線と無線接続の組合せ等を介して他のデバイスと通信することを可能にするトランシーバーのようなコンポーネント（例、トランシーバーおよび／または別個の受信機および送信機）を含む。通信インターフェース３７０は、デバイス３００が別のデバイスから情報を受信し、および／または別のデバイスに情報を提供することを可能にし得る。例えば、通信インターフェース３７０は、イーサネットインターフェース、光インターフェース、同軸インターフェース、赤外線インターフェース、ラジオ周波数（ＲＦ）インターフェース、ユニバーサルシリアルバス（６００）インターフェース、Ｗｉ－Ｆｉインターフェース、セルラーネットワークインターフェース等を含み得る。

デバイス３００は、本明細書に記載の１以上のプロセスを実施し得る。デバイス３００は、メモリ３３０および／またはストレージコンポーネント３４０等の非一時的コンピュータ可読媒体によって記憶されたソフトウェア命令を実施するプロセッサ３２０に基づいてこれらのプロセスを実施し得る。コンピュータ可読媒体は、本明細書で非一時的メモリデバイスとして定義される。メモリデバイスは、単一の物理ストレージデバイス内のメモリスペース、または複数の物理ストレージデバイスにまたがるメモリスペースを含む。

ソフトウェア命令は、別のコンピュータ可読媒体から、または通信インターフェース３７０を介して別のデバイスからメモリ３３０および／またはストレージコンポーネント３４０に読みとり得る。実行されると、メモリ３３０および／またはストレージコンポーネント３４０に格納されたソフトウェア命令は、プロセッサ３２０に本明細書に記載の１以上のプロセスを実施させ得る。追加で、または代わりに、ハードワイヤード回路を、ソフトウェア命令の代わりに、またはソフトウェア命令と組み合わせて使用して、本明細書に記載の１以上のプロセスを実施し得る。したがって、本明細書で説明される実装形態は、ハードウェア回路とソフトウェアの特定の組合せに限定されない。

図３に示すコンポーネントの数と配置は、例として示される。実践では、デバイス３００は、図３に示されるものよりも追加のコンポーネント、より少ないコンポーネント、異なるコンポーネント、または異なる配置のコンポーネントを含み得る。追加で、または代わりに、デバイス３００のコンポーネントのセット（例、１つ以上のコンポーネント）は、デバイス３００の別のコンポーネントのセットによって実施されると説明される、１以上の関数を実施し得る。

図４Ａは、予想される決定論的プロセスパラメータドリフトに基づく順方向パラメータ補正および増強されたリバースエンジニアリングを使用し得ないコーティングキャンペーンの例示的な結果４０５のチャートである。図４Ａでは、キャリブレーションランは、参照番号４１０および４１５で示されるような、より大きな黒い点で示される。縦軸は、各コーティングランのスペクトルオフセット（例、設計オフセット）を示す。横軸は目標寿命をｋＷｈで表したものである。例えば、０ｋＷｈの場合、標的は新しいものであり、２０００ｋＷｈの場合、標的は交換される。標的の寿命を通して一定であるスペクトルオフセットを持つことが望ましい。理想的には、オフセットは一貫してゼロである。

見てわかるように、スペクトルオフセットには負の傾向がある。これは、上記の図１に関連して説明したコーティング速度の経時変化の結果であり得る。さらに、いくつかのランでは特に逸脱した結果が得られる。これらのランの例は、参照番号４２０および４２５で示される。スペクトルオフセットが最も負のランは、リープフロッギングランと一致することに注意されたい（グラフ下部のひし形で示される）。これは、従来のアプローチを使用する場合、非連続ランに対してリバースエンジニアリング測定を実施すると、標的寿命全体にわたるコーティング率の不正確さが悪化するためである。したがって、従来のアプローチを使用する場合、リープフロッギングは不可能または有益ではなくあり得る。さらに、多くのキャリブレーションランが実施され（大きな黒い点で示されるように）、これはリソースを大量に消費し、キャンペーンを中断する。

図４Ｂは、予想される決定論的プロセスパラメータドリフトに基づく（例、本明細書に記載の技術を使用する）順方向パラメータ補正および増強されたリバースエンジニアリングを使用するコーティングプロセスの例示的な結果４３０のチャートである。示されるように、スペクトルオフセットはキャンペーン中に大幅に上下にドリフトすることはなく、－０．２から約＋０．２の間に留まる。これは、必要な値の仕様に違反するフィルタが少なくなるため、歩留まりが向上することを意味する。さらに、ここで説明する手法を使用した場合、リープフロッギングはコーティング速度の精度の大幅な低下とは相関しないため、リープフロッギングは図４Ａのキャンペーンよりも頻繁に実施し得、それによってスループットが向上する。一層さらに、単一のキャリブレーションラン（例、最初のラン）のみが実施され、それによってスループットがさらに向上する。

上に示したように、図４Ａおよび４Ｂは単なる例として提供される。他の例も可能であり、図４Ａおよび４Ｂに関して説明したものとは異なり得る。

図５は、予想される決定論的プロセスパラメータドリフトに基づく順方向パラメータ補正および増強されたリバースエンジニアリングを使用するコーティング制御のための例示的なプロセス５００のフローチャートである。いくつかの実装形態では、図５の１以上のプロセスブロックは、制御デバイス（例、制御デバイス２２０）によってランされ得る。いくつかの実装形態では、図５の１以上のプロセスブロックは、コーティングシステム（例、コーティングシステム２１０）等の制御デバイスとは別の、またはそれを含む別のデバイスまたはデバイスのグループによって実施され得る。

図５に示されるように、プロセス５００は、設計情報を受信することを含み得、設計情報は、１以上のラン中に生成される光学要素の層のセットの所望の値を特定する（ブロック５１０）。例えば、制御装置（例、プロセッサ３２０、通信インターフェース３７０等を使用する）は、設計情報を受信し得る（例、図１の参照番号１２０によって示されるように）。設計情報は、光学要素の層のセットの１以上の所望の値を特定し得る。例えば、光学要素は、フィルタおよび／または別の光学要素を含み得る。光学要素は、１以上のランの最中に生成され得る。

図５にさらに示されるように、プロセス５００は、１以上のランのパラメータと、１以上のランまたは光学要素（ブロック５２０）に関連する観測値との間の関係を特定する履歴情報を受信または取得することを含み得る。例えば、制御デバイス（例、プロセッサ３２０、通信インターフェース３７０等を使用する）は、履歴情報を受信または取得（例、決定）し得る（例、図１の参照番号１１０によって示されるように）。履歴情報は、パラメータと１以上のランの観測値との関係を特定する。本明細書に記載の種々の例では、パラメータは、コーティング速度、回転駆動高さ、供給パワーセットポイント、ガス流速等を含み得る。本明細書に記載の種々の例において、観測値は、目標寿命、スペクトル応答、屈折率、コーティング速度、吸収指数等を含み得る。いくつかの実装形態では、履歴情報は以前のキャンペーンに基づき得る。いくつかの実装形態では、履歴情報は、現在のキャンペーンの以前のランに基づき得る。例えば、履歴情報は、現在のキャンペーンのリバースエンジニアリングの結果に基づき得る。いくつかの実装形態では、履歴情報は、リバースエンジニアリングの精度を改善するために使用され得る複数の関係（例、複数の異なるプロセス、光学要素の異なる部分での複数の測定等）を特定し得る。

ここで説明する実装形態では、目的の値、パラメーターズ、観測値、およびランパラメーターズを使用する。ランパラメータ（図１の参照番号１３５で示される）には、ランを実施するために使用される値を含み得る。この値は、履歴値やリバースエンジニアリングの結果に基づいて調整し得る。所望の値は、設計情報（図１の参照番号１２０によって示される）によって特定され得、および、目標厚さ（例、ランに関連する目標厚さ）、コーティング速度、スペクトル応答等を特定し得る。パラメータには、記載することができる観測値と関係のある値を含み得る（例、線形または非線形の多項式を使用）。パラメータと観測値の関係を使用して、さまざまな条件（例、観測値の寿命のさまざまなポイント、さまざまなスペクトル測定等）でのパラメータの値を予測することができる。

図５にさらに示されるように、プロセス５００は、履歴情報に基づいて１以上のランの層情報を決定することを含み得、層情報は、所望の値を達成するために、層のセットのランパラメーターズを特定する（ブロック５３０）。例えば、制御デバイス（例、プロセッサ３２０、通信インターフェース３７０等を使用する）は、図１の参照番号１３５によって示される層情報を決定し得る。層情報は、制御デバイスが設計情報、履歴情報、および／またはリバースエンジニアリングの結果に基づいて決定したランパラメーターズを特定し得る。例えば、ランパラメーターズは、ガス流速、電源セットポイント、ラン時間、回転駆動高さ等を含み得る。いくつかの実装形態では、層情報が次のランのランパラメーターズを特定し得る。いくつかの実装形態では、層情報により、次のＮ回のラン（Ｎ＞１）のランパラメーターズを特定し得る。そのような場合、制御デバイスは、本明細書の他の場所でより詳細に説明されるように、過去または現在のランのリバースエンジニアリングのランに基づいて、将来のランの１以上のランパラメーターズを改変し得る。

図５にさらに示されるように、プロセス５００は、層情報に基づいて１以上のランを実施させることを含み得る（ブロック５４０）。例えば、制御デバイス（例、プロセッサ３２０、通信インターフェース３７０等を使用する）は、図の参照番号１４０によって示されるように、層情報（例、ランパラメーターズ）を使用して１以上のランを実施させることができる。いくつかの実装形態では、制御デバイスは、１以上のランを実施し得る。いくつかの実装形態では、制御装置は、コーティングシステムに１以上のランを実施させ得る。

図５にさらに示されるように、プロセス５００は、１以上のランの結果を特定する情報を決定することを含み得、結果を特定する情報は、１以上のランの観測値の値を特定する（ブロック５５０）。例えば、制御装置（例、プロセッサ３２０、通信インターフェース３７０等を使用する）は、参照番号１４５および１５０によって示されるように、１以上のランの結果を特定する情報を決定し得る。別のデバイス（例、分光計等）は、光学要素の測定またはスペクトル応答を決定し得る。測定またはスペクトル応答は、１以上のランの結果を示し得る（例、層の厚さ、スペクトル特性、フィルタ周波数、ランオフレベル等）。制御装置は、結果が所望の値および／または履歴情報を使用して予測された値から逸脱するかどうかを決定し得る（例、参照番号１５０によって示されるように）。さらに、結果は、以下でより詳細に説明するように、制御デバイスがランパラメータを変更するために使用し得る観測値（例、目標寿命、屈折率、吸収等）の値を示し得る。このプロセスブロックは、いくつかの場合では、拡張リバースエンジニアリングと呼ばれ得る。

図５にさらに示されるように、プロセス５００は、結果を特定する情報に基づいて、ランパラメーターズのうちのランパラメータを変更することを含み得る（ブロック５６０）。例えば、制御装置（例、プロセッサ３２０、通信インターフェース３７０等を使用する）は、結果を特定する情報に基づいて、ランパラメータ（参照番号１３０によって示される）を変更し得る。いくつかの実装形態では、制御デバイスは、結果を特定する情報に基づいて、将来のランのためのランパラメータを決定し得る。いくつかの実装形態では、制御デバイスは、履歴情報、設計情報、および／または結果を特定する情報に基づいてランパラメータを変更し得る。このようにして、制御デバイスは、増強されたリバースエンジニアリングと順方向パラメータ補正の組み合わせに基づいてランパラメータを動的に適応させ得、このことは、キャンペーンの精度を向上させ、コストのかかるキャリブレーションランへの依存を低減する。

プロセス５００は、以下に記載される任意の単一の実装形態または任意の組合せの実装形態等の追加の実装形態を含み得、および／または本明細書の他の場所に記載される１以上の他のプロセスに関連する。

いくつかの実装形態では、制御デバイスは、１以上のランの結果を特定する情報を決定することができ、結果を特定する情報は、１以上のランの観測値の値を特定する。結果を特定する情報に基づいて、ランパラメーターズのランパラメータを変更する。いくつかの実装形態では、履歴情報は、結果を特定する情報の少なくとも一部を含む。いくつかの実装形態では、結果を特定する情報は、光学要素のスペクトル測定に基づく。いくつかの実装形態では、結果を特定する情報は、光学要素の複数のスペクトル測定に基づく。いくつかの実装形態では、１以上のランが複数の材料を使用し、履歴情報が複数の材料のそれぞれの関係を特定する。いくつかの実装形態では、複数の材料が単一の標的に関連付けられる。いくつかの実装形態では、制御デバイスは、複数の関係のうちの少なくとも２つの関係に基づいて結果を特定する情報を決定し得る。

いくつかの実装形態では、関係は、観測値と比較したパラメータの変化率を特定する。いくつかの実装形態では、パラメータはコーティング率であり、観測値は目標寿命である。いくつかの実装形態では、ランパラメータは、ガス流速、供給パワー構成、供給パワーセットポイント、または回転駆動高さの少なくとも１つを含む。

いくつかの実装形態では、パラメータは回転ドライブの高さであり、観測値は目標寿命またはランオフ値である。いくつかの実装形態では、パラメータは供給パワーのセットポイントであり、観測値は目標寿命である。いくつかの実装形態では、パラメータはガス流速であり、観測値は屈折率または吸収率である。いくつかの実装形態では、履歴情報は第１のランに関するものであり、層情報は第２のランに関するものであり、第１のランおよび第２のランは少なくとも１つのランによって分離されている。いくつかの実装形態では、所望の値は、層のセットの層の厚さ、光学要素の屈折率、または吸収指数のうちの少なくとも１つを含む。いくつかの実装形態では、１以上のランは、スパッタリング技術を使用して光学素子を生成するためのコーティングキャンペーンの一部である。

図５は、プロセス５００の例示的なブロックを示すが、いくつかの実装形態では、プロセス５００は、図５に図示されるものよりも追加のブロック、より少ないブロック、異なるブロック、または異なる配置のブロックを含み得る。プロセス５００は、並行して実施し得る。

このようにして、制御装置２２０は、所望の値および／または安定したコーティングチャンバの維持を可能にすることによって、堆積プロセスの精度を改善する。さらに、制御装置２２０は、パラメーターズと観測値との間の関係を使用して、リバースエンジニアリングが実施されるランの直後に続かないランのランパラメータを正確に決定し得るので、より一貫したリープフロッギングを可能にし得る。さらに、制御装置２２０は、異なるコーティング速度勾配を有する複数のプロセスまたは標的を使用するフィルタの複数のランにわたって見ることができるスペクトル形状の劣化を改善し得る。例えば、レート補正は、増強されたリバースエンジニアリングを使用するときに各プロセスまたは標的に固有であり得るので、制御デバイス２２０は、一定または１：１の関係を仮定するリンクされたコーティングレート決定技術よりも、複数のプロセスまたは標的の実際のコーティングレートをより正確に決定し得る。さらに、制御装置２２０は、キャンペーン全体にわたるコーティングチャンバの一貫性を改善し得る。例えば、標的が使い果たされたときのコーティング率の低下は、標的の寿命に基づいたラン時間の増加によって相殺される可能性があり、それによってキャンペーン全体のコーティング率の一貫性が向上する。

前述の開示は、例示および説明を提供するが、網羅的であること、または実装形態を開示された正確な形式に限定することを意図するものではない。上記の開示に照らして改変および変形が可能であるか、または実装形態の実践から獲得され得る。

本明細書で使用される場合、コンポーネントという用語は、ハードウェア、ファームウェア、またはハードウェアとソフトウェアの組合せとして広く解釈されることが意図される。

いくつかの実装形態は、閾値に関連して本明細書で説明される。本明細書で使用される場合、閾値を満たすことは、閾値より大きい（ｇｒｅａｔｅｒ）、閾値より多い（ｍｏｒｅ）、閾値より高い（ｈｉｇｈｅｒ）、閾値以上（ｇｒｅａｔｅｒ ｔｈａｎ ｏｒ ｅｑｕａｌ ｔｏ）、閾値より小さい（ｌｅｓｓ）、閾値より少ない（ｆｅｗｅｒ）、閾値より低い（ｌｏｗｅｒ）、閾値以下（ｌｅｓｓ ｔｈａｎ ｏｒ ｅｑｕａｌ ｔｏ）、閾値と等しい（ｅｑｕａｌ）等を指し得る。

本明細書で説明されるシステムおよび／または方法は、異なる形態のハードウェア、ファームウェア、またはハードウェアとソフトウェアの組み合わせで実装され得ることは明らかであろう。これらのシステムおよび／またはメソッドを実装するために使用される実際の特殊な制御ハードウェアまたはソフトウェアコードは、実装形態を制限するものではない。したがって、システムおよび／または方法の動作および動作は、特定のソフトウェアコードを参照せずに本明細書で説明された－ソフトウェアおよびハードウェアは、本明細書の説明に基づいてシステムおよび／または方法を実装するように設計し得ることが理解される。

特徴の特定の組合せが特許請求の範囲に記載されている、および／または明細書に開示されるとしても、これらの組合せは、可能な実施の開示を制限することを意図するものではない。実際、これらの特徴の多くは、特許請求の範囲に具体的に記載されていない、および／または明細書に開示されていない方法で組み合わせ得る。以下にリストされた各従属請求項は、１つの請求項のみに直接依存し得るが、可能な実装形態の開示には、請求項セット中のあらゆる他の請求項と組み合わせた各従属請求項を含む。

本明細書で使用されている要素、行為、または命令は、明示的に説明されていない限り、重要または必須であると解釈されるべきではない。また、本明細書で使用される場合、冠詞「ａ」および「ａｎ」は、１以上の項目を含むことを意図しており、「１以上」と交換可能に使用し得る。さらに、本明細書で使用される場合、「セット」という用語は、１以上のアイテム（例、関連アイテム、非関連アイテム、関連アイテムと非関連アイテムの組合せ等）を含むことを意図し、「１以上」と交換可能に使用され得る。１つの項目のみが意図される場合、「１つ」という用語または同様の言語が使用される。また、本明細書で使用される場合、「有する（ｈａｓ）」、「有する（ｈａｖｅ）」、「有している（ｈａｖｉｎｇ）」等の用語は、オープンエンドの用語が意図される。さらに、「～に基づく」という句は、特に明記しない限り、「～に、少なくとも部分的に、基づく」を意味することが意図される。

Claims (18)

1. 以下：
   １以上のメモリ；および
   前記１以上のメモリと通信可能にカップリングされ、以下を行う、１以上のプロセッサ：
   設計情報を受信すること、ここで、前記設計情報は、１以上のランの最中に生成される光学素子の層のセットのための所望の値を特定するものであり；
   単一標的についての標的寿命にわたるコーティング速度のドリフトを示す履歴情報を受信または取得すること；
   前記履歴情報に基づいて前記１以上のランのための層情報を決定すること、ここで、前記層情報は、層の前記セットが前記所望の値を達成するためのランパラメーターズを特定するものであり；および
   前記１以上のランを前記層情報に基づいて実施させること
   を含む、デバイスであって、
   前記１以上のランが、複数の材料を使用し、
   前記複数の材料が、単一の標的に関連付けられる、
   デバイス。
2. 前記１以上のプロセッサが、以下：
   前記１以上のランの結果を特定する情報を決定すること、ここで、前記結果を特定する前記情報が、前記１以上のランのための観測値を特定するものであり；および
   前記ランパラメーターズの、ランパラメータを、前記結果を特定する前記情報に基づいて、改変すること
   をさらに行う、請求項１に記載のデバイス。
3. 前記結果を特定する前記情報が、前記光学素子のスペクトル測定に基づく、請求項２に記載のデバイス。
4. 前記結果を特定する前記情報が、前記光学素子の複数のスペクトル測定に基づく、請求項２に記載のデバイス。
5. 前記履歴情報が、前記複数の材料のためのそれぞれの関係を特定する、請求項２に記載のデバイス。
6. 前記１以上のプロセッサが、前記１以上のランの前記結果を特定する前記情報を決定するとき、以下：
   前記複数の関係の少なくとも２つの関係に基づいて前記結果を特定する前記情報を決定すること
   をさらに行う、請求項５に記載のデバイス。
7. 前記履歴情報が、さらに、前記１以上のランのための観測値と比較して前記１以上のランのためのパラメータの変化率を特定する、請求項１に記載のデバイス。
8. 前記ランパラメーターズが、以下：
   層の前記セットのための１以上のラン時間、
   ガス流速度、
   供給パワー構成、または
   幾何学的構成
   の少なくとも１つを含む、請求項１に記載のデバイス。
9. 以下：
   コーティング制御デバイスによって、設計情報を受信すること、ここで、前記設計情報は、１以上のランの最中に生成される光学素子の層のセットのための所望の値を特定するものであり；
   前記コーティング制御デバイスによって、単一標的についての標的寿命にわたるコーティング速度のドリフトを示す履歴情報を受信または取得すること；
   前記コーティング制御デバイスによって、前記履歴情報に基づいて前記１以上のランのための層情報を決定すること、ここで、前記層情報は、層の前記セットが前記所望の値を達成するためのランパラメーターズを特定するものであり；
   前記コーティング制御デバイスによって、前記１以上のランを前記層情報に基づいて実施させること；
   前記コーティング制御デバイスによって、前記１以上のランの結果を特定する情報を決定すること、ここで、前記結果を特定する前記情報が、前記１以上のランのための観測値を特定するものであり；および
   前記コーティング制御デバイスによって、前記ランパラメーターズの、ランパラメータを、前記結果を特定する情報に基づいて、改変すること
   を含む、方法であって、
   前記１以上のランが、複数の材料を使用し、
   前記複数の材料が、単一の標的に関連付けられる、
   方法。
10. 前記履歴情報が、前記複数の材料のためのそれぞれの関係を特定する、請求項９に記載の方法。
11. 前記ランパラメータが、幾何学的構成に関連し、かつ前記観測値が、前記標的寿命である、請求項９に記載の方法。
12. 前記観測値が、前記標的寿命である、請求項９に記載の方法。
13. 前記ランパラメータが、ガス流速度であり、かつ前記観測値が、屈折率または吸収率である、請求項９に記載の方法。
14. 前記ランパラメータが、ガス流速度であり、かつ前記観測値が、標的寿命である、請求項９に記載の方法。
15. 命令を格納する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記命令が、１以上のプロセッサによって実行されるときに、前記１以上のプロセッサに行わせる、前記命令が以下：
    設計情報を受信すること、ここで、前記設計情報は、１以上のランの最中に生成される光学素子の層のセットのための所望の値を特定するものであり；
    単一標的についての標的寿命にわたるコーティング速度のドリフトを示す履歴情報を受信または取得すること；
    前記履歴情報に基づいて前記１以上のランのための層情報を決定すること、ここで、前記層情報は、層の前記セットが前記所望の値を達成するためのランパラメーターズを特定するものであり；および
    前記１以上のランを前記層情報に基づいて実施させること
    を含み、
    前記１以上のランが、複数の材料を使用し、
    前記複数の材料が、単一の標的に関連付けられる、
    非一時的コンピュータ可読媒体。
16. 前記履歴情報が、第１のランのためのものであり、前記層情報が、第２のランのためのものであり、かつ前記第１のランおよび前記第２のランが、少なくとも１つのランによって分離される、請求項１５に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
17. 前記所望の値が、以下：
    層（複数形）の前記セットの層（単数形）の厚さ、
    前記光学素子の屈折率、または
    吸収指数
    の少なくとも１つを含む、請求項１５に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
18. 前記１以上のランが、スパッタリング技術を使用して前記光学素子を生成するためのコーティングキャンペーンの一部である、請求項１５に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。