JP7724283B2 - 対称的な高周波帰還経路を提供するための動的インタフェース - Google Patents

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関連出願の相互参照

本出願は、２０２０年１０月１６日に出願された「ＤＹＮＡＭＩＣ ＩＮＴＥＲＦＡＣＥ ＦＯＲ ＰＲＯＶＩＤＩＮＧ Ａ ＳＹＭＭＥＴＲＩＣ ＲＡＤＩＯ ＦＲＥＱＵＥＮＣＹ ＲＥＴＵＲＮ ＰＡＴＨ」と題する米国非仮出願第１７／０７２，７５０号の利益及び優先権を主張し、その内容は、あらゆる目的のために全体が参照によりここに組み入まれる。

本技術は、半導体プロセス及び機器に関する。さらに具体的には、本技術は、基板処理システム及び構成要素に関する。

半導体処理システムでは、幾つかの処理チャンバを統合するためにクラスタツールを利用することが多い。本構成により、制御された処理環境から基板を取り外すことなく、複数の連続した処理工程の実施を容易にすることができ、又は、変化するチャンバ内で複数の基板に対して一度に同様の処理を行うことができる。上記チャンバは、例えば、脱気チャンバ、前処理チャンバ、移送チャンバ、化学気相堆積チャンバ、物理的堆積チャンバ、エッチングチャンバ、計測チャンバ、及び他のチャンバを含みうる。クラスタツール内のチャンバの組み合わせ、並びに、これらのチャンバが稼働する動作条件及びパラメータが、特定のプロセスレシピ及び処理フローを使用して特定の構造を作製するために選択される。

クラスタツールでは、基板を一連のチャンバ及び処理工程に連続的に通すことによって、幾つかの基板を処理することが多い。プロセスレシピ及びシーケンスは、典型的に、クラスタツールを介した各基板の処理を指示、制御、及び監視するマイクロプロセッサ・コントローラにプログラム化される。ウエハのカセット全体がクラスタツールを介して成功裏に処理されると、カセットは、さらなる処理のために、さらに別のクラスタツール又は、化学機械研磨機といったスタンドアロンツールに渡されうる。

ロボットが典型的に、様々な処理チャンバ及び保持チャンバを介してウエハを移送するために使用される。各工程及びハンドリング動作に要する時間量が、単位時間当たりの基板のスループットに直接的に影響を与える。クラスタツール内での基板スループットは、移送チャンバ内に配置された基板ハンドリングロボットの速度に直接的に関係しうる。処理チャンバの構成がさらに進化するにつれて、従来のウエハ移送システムでは不十分な虞がある。加えて、クラスタツールの規模が大きくなると、構成要素の構成では、処理工程又は保守工程がもはや十分にはサポートされない可能性がある。

従って、クラスタツール環境内で基板を効率良く管理するために使用することが可能な改良されたシステム及び方法が必要とされている。上記の必要性及び他の必要性が、本技術によって対処される。

例示的な基板処理システムが、処理領域を画定するチャンバ本体を含みうる。本システムは、チャンバ本体の上に配置されたライナを含みうる。ライナの底面が、第１の複数のクイックディスコネクト部材を含みうる。本システムは、ライナの上に配置された面板を含みうる。本システムは、チャンバ本体内に配置された支持体を含みうる。基板支持体は、ヒータを含む支持板を含みうる。支持板の底面が、第２の複数のクイックディスコネクト部材を含みうる。基板支持体が、支持板の底部と結合されたシャフトを含みうる。基板支持体が、シャフトの周りに配置されており支持板より下方に或る距離の間隔が置かれた動的プレートを含みうる。基板支持体が、支持板の底部を動的プレートと結合する複数の金属ストラップを含みうる。動的プレートの上面が、内側の複数のクイックディスコネクト部材と、外側の複数のクイックディスコネクト部材と、を含みうる。内側の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれは、基板支持体が移送位置にあるときには、第２の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれ１つと係合可能でありうる。外側の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれは、基板支持体が処理位置にあるときには、第１の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれ１つと係合可能でありうる。

幾つかの実施形態において、外側の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれは、基板支持体が移送位置にあるときには、第１の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれ１つから分離されうる。内側の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれは、基板支持体が処理位置にあるときには、第２の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれ１つから分離されうる。基板支持体は、処理位置にあるときには、面板に接近しうる。基板支持体は、移送位置にあるときには、チャンバ本体のベースに接近しうる。動的プレートの外周縁部が、支持板の外周縁部を越えて径方向に延在しうる。外側の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれが、ガイドピンを含みうる。第１の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれが、ガイドピンのそれぞれ１つを収容し固定するサイズの、バネ付きキャッチを含むレセプタクルを画定しうる。ガイドピンのそれぞれの上面が、ヒータの上面より低い高さにありうる。支持板はまた、ヒータと結合されたアイソレータと、アイソレータの底部と結合された接地板と、を含みうる。第２の複数のクイックディスコネクト部材が、接地板上に配置されうる。複数の金属ストラップのそれぞれが、前駆体耐性材料でコーティングされうる。本システムは、基板支持体と結合された高周波源を含みうる。処理位置において、高周波源と、基板支持体と、複数の金属ストラップと、ライナと、面板と、の間の閉じた高周波回路が形成されうる。

本技術の幾つかの実施形態は、基板処理システムも包含しうる。本システムは、処理領域を画定するチャンバ本体を含みうる。本システムは、チャンバ本体の上に配置されたライナを含みうる。本システムは、ライナの上に配置された面板を含みうる。本システムは、チャンバ本体内に配置された基板支持体を含みうる。基板支持体は、ヒータを含む支持板を含みうる。基板支持体が、支持板の底部と結合されたシャフトを含みうる。基板支持体が、シャフトの周りに配置されており支持板より下方に或る距離の間隔が置かれた動的プレートを含みうる。基板支持体が、支持板の底部を動的プレートと結合する複数の金属ストラップを含みうる。本システムは、複数のクイックディスコネクト部材であって、基板支持体が処理位置にあるときには、ライナを動的プレートと結合し、基板支持体が移送位置にあるときには、支持板を動的プレートと結合する複数のクイックディスコネクト部材を含みうる。

幾つかの実施形態において、複数のクイックディスコネクト部材が、ライナ上の第１の複数のクイックディスコネクト部材と係合する、動的プレート上の外側の複数のクイックディスコネクト部材と、支持板上の第２の複数のクイックディスコネクト部材と係合する、動的プレート上の内側の複数のクイックディスコネクト部材と、を含みうる。外側の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれは、基板支持体が移送位置にあるときには、第１の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれ１つから分離されうる。内側の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれは、基板支持体が処理位置にあるときには、第２の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれ１つから分離されうる。複数のクイックディスコネクト部材は、第１のサブセットのクイックディスコネクト部材と、第２のサブセットのクイックディスコネクト部材と、を含みうる。第１のサブセットのクイックディスコネクト部材のそれぞれが、ガイドピンを含みうる。第２のサブセットのクイックディスコネクト部材のそれぞれが、ガイドピンのそれぞれ１つを収容し固定するサイズの、バネ付きキャッチを含むレセプタクルを画定しうる。ガイドピンのそれぞれの上面が、ヒータの上面より低い高さにありうる。支持板は、ヒータと結合されたアイソレータと、アイソレータの底部と結合された接地板と、を含みうる。複数のクイックディスコネクト部材の少なくとも幾つかが、地板上に配置されうる。本システムは、基板支持体と接続された高周波源を含みうる。処理位置において、高周波源と、基板支持体と、複数の金属ストラップと、ライナと、面板と、の間の閉じた高周波回路が形成されうる。基板支持体が、移送位置と処理位置との間で垂直方向に移動可能でありうる。

本開示の幾つかの実施形態は、基板を処理する方法も包含しうる。本方法は、半導体処理チャンバ内で移送位置から処理位置へと基板支持体を上方に移動させて、第１の複数のクイックディスコネクト部材を分離し、かつ第２の複数のクイックディスコネクト部材を係合させることを含む。係合されたときには、第１の複数のディスコネクト部材が、基板支持体の支持板を基板支持体の動的プレートと結合しうる。係合されたときには、第２の複数のディスコネクト部材が、半導体処理チャンバのライナを動的プレートと結合しうる。支持板がヒータを含みうる。本方法は、１つ以上の前駆体を半導体処理チャンバに伝達することを含みうる。本方法は、高周波源を介してヒータに高周波電流を供給することを含みうる。

幾つかの実施形態において、基板支持体が、支持板の底部を動的プレートと結合する複数の金属ストラップを含みうる。処理位置において、高周波源と、基板支持体と、複数の金属ストラップと、ライナと、面板と、の間の閉じた高周波回路が形成されうる。

このような技術は、従来のシステム及び技術に対して数多くの利点を提供しうる。例えば、処理システムは、従来の設計をはるかに超える規模となりうるマルチ基板処理能力を提供することができる。加えて、各チャンバシステムは、ヒータが処理位置にあるときには閉じ、ヒータが移送位置にあるときには開く動的な高周波回路を含みうる。これらの実施形態及び他の実施形態が、その多くの利点や特徴と共に、後述の記載及び添付の図面により詳細に説明されている。

開示された技術の性質及び利点は、本明細書の残りの部分と図面を参照することによって更に理解が深められることになろう。

本技術の幾つかの実施形態に係る例示的な処理システムの概略的な上面図を示す。 本技術の幾つかの実施形態に係る例示的なチャンバシステムの移送領域の概略的な等角図を示す。 本技術の幾つかの実施形態に係る例示的なチャンバシステムの移送領域の概略的な等角図を示す。 本技術の幾つかの実施形態に係る、例示的なチャンバシステムの移送領域の概略的な等角図を示す。 本技術の幾つかの実施形態に係る例示的なチャンバシステムの概略的な部分等角図を示す。 本技術の幾つかの実施形態に係る例示的なチャンバシステムの概略的な部分断面図を示す。 本技術の幾つかの実施形態に係る例示的なチャンバシステムの概略的な部分断面図を示す。 本技術の幾つかの実施形態に係る例示的なチャンバシステムの概略的な部分断面図を示す。 本技術の幾つかの実施形態に係る例示的なクイックディスコネクト部材の概略的な部分断面図を示す。 本技術の幾つかの実施形態に係る例示的なチャンバシステムの概略的な部分断面図を示す。 本技術の幾つかの実施形態に係る例示的なチャンバシステムの概略的な部分断面図を示す。 本技術の幾つかの実施形態に係る、基板を処理するための例示的な方法の工程を示す。

図のいくつかは、概略図として含まれる。図面は例示を目的としており、縮尺又は比率どおりであると明記されていない限り、縮尺又は比率どおりとは見做されないと理解されたい。さらに、概略図として、図面は、理解を助けるために提供されており、写実的な描写に比べてすべての態様又は情報を含まない場合があり、例示を目的として強調された素材を含むことがある。

添付の図では、同様の構成要素及び／又は特徴が、同じ参照符号を有しうる。さらに、同種の様々な構成要素は、同様の構成要素を区別する文字を参照符号の後に付すことによって区別されうる。本明細書において第１の参照符号のみが使用されている場合、その記載は、その文字が何であれ、同じ第１の参照符号を有する同様の構成要素のいずれにも適用されうる。

基板処理は、ウエハ上又は半導体基板上の材料を追加、除去、又は別様に変更するための時間が掛かる工程が含みうる。基板の移動を効率的に行うことで、待ち時間を短縮して、基板のスループットを向上させることができる。クラスタツール内で処理される基板の数を改善するために、追加のチャンバをメインフレーム上に組み込むことができる。ツールを延長することで、移送ロボット及び処理チャンバを連続的に追加することができるが、これにより、クラスタツールの設置面積が大きくなるにつれて、空間的に非効率になりうる。これに対応して、本技術では、定められた設置面積の範囲内で処理チャンバの数を増したクラスタツールを含むことができる。移送ロボットの周りの限られた設置面積に配慮するため、本技術では、ロボットから横方向外方に処理チャンバの数を増やすことができる。例えば、幾つかの従来のクラスタツールでは、中央に位置する移送ロボットのセクションの周りに１つ又は２つの処理チャンバを配置して、ロボットの周りに径方向に処理チャンバの数を最大にすることができる。本技術は、追加のチャンバを他の列又は群のチャンバとして横方向外方に組み込むことで、この概念を発展させることができる。例えば、本技術は、１つ以上のロボットアクセス位置のそれぞれにおいてアクセス可能な、３つ、４つ、５つ、６つ、又はそれより多い処理チャンバを含むクラスタツールに適用することができる。

しかしながら、追加の処理位置が加えられるにつれて、中央のロボットから上記アクセス位置にアクセスすることは、各位置に追加の移送機能が設けられなければ、もはや実行可能でなくなりうる。幾つかの従来技術は、移行中に基板が着座したままのウエハキャリアを含みうる。しかしながら、ウエハキャリアは、基板上の熱的不均一性及び粒子汚染に寄与しうる。本技術では、処理チャンバ領域と垂直方向に位置合わせされた移送部と、追加のウエハ位置にアクセスするために中央のロボットと協調して動作しうるカルーセル又は移送装置と、を組み込むことで、これらの問題を克服する。本技術は、幾つかの実施形態において、従来のウエハキャリアを使用しなくてよく、移送領域内で１の基板支持体から別の基板支持体へと特定のウエハを移送することができる。

ウエハ上のノードの縮小に伴い、ウエハ上の性能に寄与する変数が増加する。ウエハ上の径方向の均一性に寄与する変数は、ペデスタルヒータのための高周波電流の制御を含むことができ、変数のうちの幾つかは、高周波電流のため供給／帰還経路の設計である。複数のチャンバを備えチャンバごとに専用ヒータが設けられた処理システム内で高周波の供給と帰還とを分けることは、例えば、個別チャンバの高周波供給／帰還電流を制御することでプラズマインピーダンスを個別に調整することによって、チャンバ間のクロストークを防ぎ各チャンバのウエハ上性能を改善するために極めて重要である。加えて、対称的な高周波帰還経路を提供することで、高周波がウエハ上の径方向の均一性に与える影響を無くし及び／又は最小に抑えることができる。

従来の処理システムでは、高周波帰還電流が面板から高周波源へと均一かつ対称的に帰還しうるように、高周波帰還経路内の構成要素を同心円状の円筒部として配置することによって、対称的な高周波帰還経路を実現することができる。高周波経路を動的にすることで、移送装置との間のウエハの移送が可能になりうる。例えば、動的経路は、ヒータの位置に基づいて高周波回路を開閉させることができる。ヒータが処理位置にあるときには、高周波回路を閉じることができ、これにより、高周波帰還電流が高周波源に戻ることができる。ヒータが移送位置にあるときは、高周波回路を開いたままにすることができ、高周波電流が流れない。

幾つかの従来の処理システムは、ライナと可撓性のバッフルとの間の接触を利用して、高周波回路を開閉する。バッフルは、ヒータと結合することができ、これにより、ヒータが処理位置にあるときにはバッフルが上方位置に移動してチャンバのライナと接触する。ライナとバッフルとの間の接触は、ライナとヒータを接続することで高周波回路を閉じる。ヒータが移設位置まで下げられたときには、バッフルが下げられてライナとの接触が解け、高周波回路が開く。このようなバッフルによる解決策は、動的な高周波経路を発生させるが、バッフルの使用によって幾つかの問題が生じる。例えば、バッフルとライナとの間の動的界面の表面積が比較的大きいため、ライナとバッフルが互いに接触したときに、以前の堆積工程からのライナプレート上に残った残留粒子が放たれうる。上記の粒子はヒータの下流に存在うるが、当該粒子は依然としてウエハ上に堆積する可能性があり、ウエハの性能低下につながる可能性がある。例えば、多くの堆積工程では、パージガスがチャンバの下方からチャンバへと供給されることが含まれうる。パージガスの流れが粒子を一緒に運び、ウエハの表面へと粒子を運ぶ虞がある。

従来のベローズの設計によって、さらなる問題が発生する可能性がある。例えば、従来のベローズは、三フッ化窒素といった様々な前駆体と反応して追加の粒子を形成しうるステンレス鋼材料から形成されうる。加えて、典型的なベローズはかなり重くて、重量が約８ｋｇであることが多く、設置のためにあらかじめ組み立てられたキットは、最大１８ｋｇにもなる。このことにより、設置及び保守が困難であり、複数の技術者が必要になることが多い。

これらの懸念及び他の懸念に対処するために、本技術の実施形態では、バッフルが、幾つかの比較的小さなクイックディスコネクト部材と置換され、当該クイックディスコネクト部材が、動的プレートをライナと係合させて、ヒータをライナと接続する。上記の接続によって、粒子の発生に寄与しうる動的な接触面積を縮小しつつ、バッフルによるものと同様の動的な高周波回路を提供する。加えて、クイックディスコネクト部材は、ベローズよりかなり軽量にすることができ、一人の技術者で設置及び保守を行えるようになる。

残りの開示では、本構造及び本方法を利用しうる４ポジション（ｆｏｕｒ－ｐｏｓｉｔｉｏｎ）チャンバシステムといった特定の構造が、通常のように特定されるが、本システム及び本方法が、説明される構造的能力から利益を享受しうる任意の数の構造及び装置に等しく適用可能であることが容易に分かるであろう。これに対応して、本技術は、任意の特定の構造での使用に限定されると見做すべきではない。さらに、本技術の基礎を提供するため例示的なツールシステムついて記載されるが、本技術は、記載される工程及びシステムの幾つか又は全てから利益を享受しうる任意の数の半導体処理チャンバ及びツールに組み込まれうると理解されたい。

図１は、本技術の幾つかの実施形態に係る、堆積、エッチング、ベーキング、及び硬化の各チャンバによる基板処理ツール又は処理システム１００の一実施形態の上面図を示している。図では、前開き統一ポッド１０２のセットが、様々なサイズの基板を供給し、基板は、ファクトリインタフェース１０３内でロボットアーム１０４ａ及び１０４ｂによって受け取られて、ロードロック又は低圧保持領域１０６の中に配置され、その後、チャンバシステム又はクワッドセクション１０９ａ～ｃ内に配置された基板処理領域１０８のうちの１つに伝達され、チャンバシステム又はクワッドセクション１０９ａ～ｃはそれぞれ、複数の処理領域１０８と流体的に結合された移送領域を有する基板処理システムでありうる。クワッドシステムが例示されているが、スタンドアローンのチャンバ、ツインチャンバ、及び他の複数のチャンバシステムを組み込んだプラットフォームも同様に本技術に包含されると理解されたい。移送チャンバ１１２内に収容された第２のロボットアーム１１０を利用して、基板ウエハを保持エリア１０６からクワッドセクション１０９に移送し、かつクワッドセクション１０９から保持エリア１０６に基板を戻すことができ、第２のロボットアーム１１０は、クワッドセクション又は処理システムのそれぞれを接続できる移送チャンバ内に収容されうる。各基板処理領域１０８は、周期的層堆積、原子層堆積、化学気相堆積、物理的気相堆積、並びに、エッチング、予洗浄、アニール、プラズマ処理、脱気、配向、及び他の基板処理を含む任意の数の堆積プロセスを含む幾つかの基板処理工程を実施するよう装備されうる。

各クアッドセクション１０９は、第２のロボットアーム１１０から基板を受け取ること及び第２のロボットアーム１１０へと基板を伝達することができる移送領域を含みうる。チャンバシステムの移送領域は、第２のロボットアーム１１０を有する移送チャンバと位置合わせされうる。幾つかの実施形態において、移送領域は、ロボットへと横方向にアクセス可能でありうる。後続の工程において、移送部の構成要素は、上にある処理領域１０８内へと基板を垂直方向に移動させることができる。同様に、移送領域はまた、各移送領域内の位置間で基板を回転させるよう動作可能でありうる。基板処理領域１０８は、基板又はウエハ上に材料膜を堆積、アニーリング、硬化及び／又はエッチングするための任意の数のシステム構成要素を含みうる。１の構成において、クワッドセクション１０９ａ及び１０９ｂ内の処理領域といった２セットの処理領域を、基板上に材料を堆積させるために使用することができ、クワッドセクション１０９ｃ内の処理チャンバ又は処理領域といった第３のセットの処理チャンバを、堆積した膜を硬化、アニール、又は処理するために使用することができる。他の構成において、図示された１２個のチャンバといった、３セットのチャンバの全てが、基板上に膜を堆積させること及び／又基板上の膜を硬化させることの両方を行うよう構成されうる。

図に示されるように、第２のロボットアーム１１０は、複数の基板を同時に伝達する及び／又は取り出すための２つのアームを含みうる。例えば、各クアッドセクション１０９は、移送領域のハウジングの表面に沿って２つのアクセス部１０７を含むことができ、上記アクセス部１０７は、第２のロボットアームと横方向に位置合わせされうる。アクセス部は、移送チャンバ１１２に隣接する表面に沿って画定されうる。図示のような幾つかの実施形態において、第１のアクセス部が、クワッドセクションの複数の基板支持体のうちの第１の基板支持体と位置合わせされうる。加えて、第２のアクセス部が、クワッドセクションの複数の基板支持体のうちの第２の基板支持体と位置合わせされうる。第１の基板支持体は、第２の基板支持体に隣接していてよく、幾つかの実施形態において、２つの基板支持体が、基板支持体の第１の列を画定しうる。図示の構成が示すように、基板支持体の第２の列は、移送チャンバ１１２から横方向外方に、基板支持体の第１列の後方に配置されうる。第２のロボットアーム１１０の２つのアームは、当該２つのアームが同時にクワッドセクション又はチャンバシステムに進入して移送領域内の基板支持体に１つ又は２つの基板を伝達できる又は当該基板を取り出せるように、間隔が置かれうる。

記載された移送領域の任意の１つ以上には、様々な実施形態で示される製造システムから分離した追加のチャンバを組み込むことができる。システム１００によって、誘電体膜のための堆積チャンバ、エッチングチャンバ、アニールチャンバ、及び硬化チャンバの付加的な構成が想定されることが理解されよう。加えて、任意の数の他の処理システムを本技術とともに利用することができ、当該他の処理システムは、基板の移動といった特定の工程のいずれかを実行するための移送システムを組み込むことができる。幾つかの実施形態において、前述の保持領域及び移送領域といった様々なセクションにおいて真空環境を維持しつつ、複数の処理チャンバ領域へのアクセスを提供しうる処理システムによって、別個のプロセス間の特定の真空環境を維持しながら、複数のチャンバ内で工程を実行することが可能となりうる。

前述のように、処理システム１００、より具体的には処理システム１００又は他の処理システムに組み込まれたクワッドセクション又はチャンバシステムは、図示された処理チャンバ領域の下方に配置された移送部を含みうる。図２は、本技術の幾つかの実施形態に係る例示的なチャンバシステム２００の移送部の概略的な等角図を示している。図２は、先に記載した移送領域の態様の追加的な態様又は態様の変形例を示すことができ、記載される構成要素又は特性のいずれかを含みうる。図示されたシステムは、以下でさらに述べるチャンバ本体でありうる移送領域ハウジング２０５を含むことができ、上記移送領域ハウジング２０５は、幾つかの構成要素を含みうる移送領域を画定する。移送領域はさらに、図１のクワッドセクション１０９内に示された処理チャンバ領域１０８といった、移送領域と流体的に結合された処理チャンバ又は処理領域によって、上方から少なくとも部分的に画定されうる。移送領域ハウジングの側壁は、１つ以上のアクセス位置２０７を画定することができ、当該アクセス位置２０７を介して、例えば上述の第２のロボットアーム１１０によって、基板を伝達すること及び取り出すことができる。アクセス位置２０７は、スリットバルブ又は他のシール可能なアクセス位置とすることができ、幾つかの実施形態において、移送領域ハウジング２０５内に密閉環境を提供するためのドア又は他のシーリング機構を含む。このような２つのアクセス位置２０７が示されているが、幾つかの実施形態において、単一のアクセス位置２０７のみが含まれてよく、同様に、移送領域ハウジングの複数の側面上のアクセス位置が含まれてよいと理解されたい。さらに、図示される移送部が、任意の数の外形又は形状を特徴とする基板を含む、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍを含む任意の基板サイズ又はより大きく若しくはより小さな基板に対応するよう寸法設定されうると理解されたい。

移送領域ハウジング２０５内には、移送領域空間の周りに配置された複数の基板支持体２１０が存在しうる。４つの基板支持体が示されているが、任意の数の基板支持体が本技術の実施形態に同様に包含されると理解されたい。例えば、３つ、４つ、５つ、６つ、８つ、又はそれよりも多い基板支持体２１０が、本技術の実施形態に係る移送領域内に収容されうる。第２ロボットアーム１１０は、アクセス部２０７を介して、基板支持部２１０ａ又は２１０ｂの一方又は両方に基板を伝達することができる。同様に、第２のロボットアーム１１０は、これらの位置から基板を取り出すことができる。リフトピン２１２が、基板支持体２１０から突出することができ、ロボットが基板の下にアクセスすることを可能にしうる。リフトピンは、基板支持体上に固定することができ、若しくは、基板支持体が下方に引っ込みうる位置に固定することができ、又は、幾つかの実施形態において、リフトピンは追加的に基板支持体を介して昇降させることができる。基板支持体２１０は、垂直方向に移動可能であることができ、幾つかの実施形態において、移送領域ハウジング２０５の上に配置された処理チャンバ領域１０８といった、基板処理システムの処理チャンバ領域まで上方に延びうる。

移送領域ハウジング２０５は、アライナを含みうるアライメントシステムのためのアクセス部２１５を提供することができ、アライナは、示される移送領域ハウジングの開口を貫通することができ、隣接する開口を通って突出又は透過するレーザ、カメラ、又は他の監視装置と連動して動作することができ、さらに、移動している基板が適切に位置合わせされているか判定することができる。移送領域ハウジング２０５はまた、基板を配置するため及び様々な基板支持体の間で基板を移動させるために幾つかのやり方で動作しうる移送装置２２０も含みうる。一例において、移送装置２２０は、基板支持体２１０ａ及び２１０ｂ上の基板を、基板支持体２１０ｃ及び２１０ｄに移動させることができ、これにより、追加の基板を移送チャンバ内に伝達することが可能となる。追加の移送工程は、上にある処理領域内での追加処理のために、基板支持体の間で基板を回転させることを含みうる。

移送装置２２０は中央ハブ２２５を含むことができ、中央ハブ２２５は、移送チャンバ内へと延在する１つ以上のシャフトを含みうる。シャフトには、エンドエフェクタ２３５が結合されうる。エンドエフェクタ２３５は、中央ハブから径方向又は横方向外方に延びる複数のアーム２３７を含みうる。中央本体から延びたアームが示されているが、様々な実施形態において、エンドエフェクタは追加的に、シャフト又は中央ハブとそれぞれが結合された別個のアームを含みうる。本技術の実施形態では、任意の数のアームが含まれうる。幾つかの実施形態において、アーム２３７の数は、チャンバ内に含まれた基板支持体２１０の数と同様であってよく又は当該数と等しくてよい。従って図示されるように、基板支持体が４つある場合は、移送装置２２０では、エンドエフェクタから４つのアームが延びうる。アームは、直線状のプロファイル又は円弧状のプロファイルといった、任意の数の形状及びプロファイルを特徴とすることができ、当該形状及びプロファイルは、基板を支持するための及び／又は例えば位置合わせ又は係合のために基板へのアクセスを提供するための、フック、リング、フォーク、又は他のデザインを含む任意の数の末端プロファイルを含む。

エンドエフェクタ２３５、又はエンドエフェクタの構成要素若しくは部分は、移送中又は移動中に基板と接触するために使用されうる。これらの構成要素及びエンドエフェクタは、導電材料及び／又は絶縁材料を含む幾つかの材料から作製することができ、又は当該材料含むことができる。上記材料には、幾つかの実施形態において、上にある処理チャンバから移送チャンバ内へと通過しうる前駆体又は他の化学物質との接触に耐えるために、コーティング又はメッキが施されうる。

加えて、材料は、温度といった他の環境特性に耐えるよう提供又は選択されうる。幾つかの実施形態において、基板支持体が、当該支持体に載置された基板を加熱するよう動作可能でありうる。基板支持体は、表面又は基板の温度を、約１００℃以上、約２００℃以上、約３００℃以上、約４００℃以上、約５００℃以上、約６００℃以上、約７００℃以上、約８００℃以上の温度まで、又はそれを越える温度まで上げるよう構成されうる。稼働中に上記温度のいずれかに維持することができ、従って、移送装置２２０の構成要素は、上記の記載又は包含された温度のいずれかに曝されうる。従って、幾つかの実施形態において、上記材料はいずれも、これらの温度状態に対応するよう選択することができ、セラミック及び金属といった、比較的低い熱膨張率又は他の有益な特性により特徴付けられる材料を含みうる。

構成要素の結合はまた、高温及び／又は腐食環境での動作のために適合させることができる。例えば、エンドエフェクタと端部がそれぞれセラミックである場合に、上記結合は、プレスばめ、スナップフィット、又は、ボルトといった、温度によって伸縮する虞がありかつセラミックに亀裂を生じさせうる追加材料を含まない他の接合を含みうる。幾つかの実施形態において、端部は、エンドエフェクタと一続きになっていてよく、エンドエフェクタと一体に形成されうる。工程を容易にし又は工程中の耐性を促進しうる任意の数の他の材料を利用することができ、当該材料も同様に本技術に包含される。移送装置２２０は、複数方向におけるエンドエフェクタの移動を容易にしうる幾つかの構成要素及び構成を含むことができ、当該構成要素及び構成は、回転運動、及び、垂直方向の運動又は横方向の運動を、エンドエフェクタが結合しうる駆動システム構成要素を用いて１つ以上のやり方で促進しうる。

図３は、本技術の幾つかの実施形態に係る例示的なチャンバシステムのチャンバシステム３００の移送領域の概略的な等角図を示している。チャンバシステム３００は、上述したチャンバシステム２００の移送領域と同様であってよく、上述した構成要素、特性、又は構成のいずれかを含む同様の構成要素を含みうる。図３は、以下の図とともに、本技術により包含される特定の構成要素結合も示しうる。

チャンバシステム３００は、移送領域を画定するチャンバ本体３０５又はハウジングを含みうる。画定された空間内には、先に記載したように、チャンバ本体の周囲に分散した複数の基板支持体３１０が存在しうる。以下でさらに記載するように、各基板支持体３１０は、図示される第１の位置と、基板処理が実行されうる第２の位置と、の間で、基板支持体の中心軸に沿って垂直方向に移動可能でありうる。チャンバ本体３０５はまた、チャンバ本体を貫通する１つ以上のアクセス部３０７を画定しうる。移送装置３３５を移送領域内に配置することができ、移送装置３３５は、先に記載したように、移送領域内で基板に係合しかつ基板支持体３１０の間で基板を回転させるよう構成されうる。例えば、移送装置３３５は、基板を再配置するために、当該移送装置の中心軸周りに回転可能でありうる。移送装置３３５はまた、幾つかの実施形態において、各基板支持体での基板の再配置さらに容易にするために、横方向に移動可能でありうる。

チャンバ本体３０５は上面３０６を含むことができ、この上面３０６は、上記システムの、上にある構成要素のための支持を提供することができる。上面３０６は、ガスケット溝３０８を画定することができ、ガスケット溝溝３０８は、ガスケットのための座部を提供して、真空処理のための、上にある構成要素の気密シールを提供することができる。幾つかの従来のシステムとは異なって、本技術の幾つかの実施形態に係るチャンバシステム３００及び他のチャンバシステムは、処理チャンバ内に開放移送領域を含むことができ、処理領域は、この移送領域の上に形成されうる。移送装置３３５が、基板をさっと運ぶ領域（ａｒｅａ ｏｆ ｓｗｅｅｐ）を生成するため、処理領域を分離するための支持体又は構造が利用可能でなくてよい。従って、本技術では上にあるリッド構造を利用して、以下に記載するように、開放移送領域の上に、隔離された処理領域を形成することができる。従って、幾つかの実施形態において、チャンバ本体とその上の構成要素との間のシーリングを、移送領域を画定するチャンバ本体の外壁の周りでのみ発生させることができ、幾つかの実施形態において、内部での結合が存在しなくてよい。チャンバ本体３０５はまた、開口３１５も画定することができ、この開口３１５は、上にある構造の処理領域からの排気流を促すことができる。チャンバ本体３０５の上面３０６はまた、上にある構成要素とのシーリングのために、開口３１５の周囲の１つ以上のガスケット溝を画定しうる。加えて、上記開口は、幾つかの実施形態において、構成要素を積み重ねることを容易にしうる位置決めフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅ）を提供しうる。

図４は、本技術の幾つかの実施形態に係る、チャンバシステム３００の上にある構造の概略的な等角図を示している。例えば、幾つかの実施形態において、第１のリッド板４０５がチャンバ本体３０５に着座することができる。第１のリッド板４０５は、第１の表面４０７、及び、第１の表面４０７とは反対側の第２の表面４０９を特徴としうる。第１のリッド板４０５の第１の表面４０７は、チャンバ本体３０５と接触しており、上述した溝３０８と協働してコンパニオン溝を画定して、構成要素間にガスケットチャネルを生成することができる。第１のリッド板４０５は開口４１０も画定することができ、このことで、移送チャンバの上にある領域の分離を提供し、基板処理のための処理領域を形成することができる。

開口４１０は、第１のリッド板４０５を貫通して画定されてよく、移送領域内の基板支持体と少なくとも部分的に位置合わせされうる。幾つかの実施形態において、開口４１０の数は、移送領域内の基板支持体の数と等しくてよく、各開口４１０が、複数の基板支持体のうちの基板支持体と軸方向に位置合わせされうる。以下にさらに記載するように、処理領域は、チャンバシステム内の第２の位置まで垂直方向に上昇したときの基板支持体によって、少なくとも部分的に画定されうる。基板支持体は、第１のリッド板４０５の開口４１０を貫通しうる。これに対応して、幾つかの実施形態において、第１のリッド板４０５の開口４１０は、関連付けられた基板支持体の直径よりも大きな直径を特徴とすることができる。空隙の規模に従って、直径は、基板支持体の直径よりも約２５％未満又は約２５％大きくてよく、幾つかの実施形態では、基板支持体の直径よりも約２０％未満又は約２０％大きくてよく、約１５％未満又は約１５％大きくてよく、約１０％未満又は約１０％大きくてよく、約９％未満又は約９％大きくてよく、約８％未満又は約８％大きくてよく、約７％未満又は約７％大きくてよく、約６％未満又は約６％大きくてよく、約５％未満又は約５％大きくてよく、約４％未満又は約４％大きくてよく、約３％未満又は約３％大きくてよく、約２％未満又は約２％大きくてよく、約１％又は約１％大きくてよく、又は、さらにより小さい比率で大きくてよく、基板支持体と開口４１０の間の最小間隙距離を提供することができる。

第１のリッド板４０５はまた、第１の表面４０７とは反対側の第２の表面４０９を含みうる。第２の表面４０９は、段差レッジ４１５を画定することができ、段差レッジ４１５によって、第１のリッド板４０５の第２の表面４０９を通る環状の埋め込まれた棚が生成されうる。段差レッジ４１５は、幾つかの実施形態において、複数の開口４１０の各開口の周囲で画定されうる。凹状棚は、以下でさらに記載するように、リッドスタック構成要素のための支持を提供することができる。加えて、第１のリッド板４０５は、第２の開口４２０を画定することができ、この開口４２０は、以下で記載される上にある構成要素からのポンピングチャネルを少なくとも部分的に画定しうる。第２の開口４２０は、先に記載したチャンバ本体３０５の開口３１５と軸方向に位置合わせされうる。

図５は、本技術の幾つかの実施形態に係るチャンバシステム３００の概略的な部分等角図を示している。図は、チャンバシステムの２つの処理領域、及び移送領域の一部分を切った部分的な断面を示しうる。例えば、チャンバシステム３００は、先に記載した処理システム１００のクワッドセクションであってよく、先に記載した構成要素又はシステムのいずれかの、任意の構成要素を含むことができる。

チャンバシステム３００は、図を介して展開されるように、基板支持体３１０を含む移送領域５０２を画定するチャンバ本体３０５を含むことができ、基板支持体３１０は、先に記載したように、チャンバ本体３０５内へと延びることができ、垂直方向に移動可能でありうる。第１のリッド板４０５が、チャンバ本体３０５の上に着座することができ、追加のチャンバシステム構成要素により形成される処理領域５０４のためのアクセスを発生する開口４１０を画定することができる。リッドスタック５０５が、各開口の周りに又は各開口内に少なくとも部分的に着座することができ、チャンバシステム３００は、複数のリッドスタック５０５を含むことができ、ここで、複数の開口のうちの幾つかの開口４１０と等しい数のリッドスタックが含まれる。各リッドスタック５０５は、第１のリッド板４０５上に着座することができ、第１のリッド板の第２の表面を通る段差レッジによって生成された棚の上に着座しうる。リッドスタック５０５は、チャンバシステム３００の処理領域５０４を少なくとも部分的に画定しうる。

図示されるように、処理領域５０４は、移送領域５０２から垂直方向にずれて存在しうるが、移送領域と流体的に結合されうる。加えて、処理領域は、他の処理領域から分離されうる。処理領域は、下方から移送領域を介して他の処理領域と流体的に結合されうるが、処理領域は、上方からは、他の各処理領域から流体的に分離されうる。各リッドスタック５０５はまた、幾つかの実施形態において、基板支持体と位置合わせされうる。例えば、図示されるように、リッドスタック５０５ａが基板支持体３１０ａの上で位置合わせすることができ、リッドスタック５０５ｂが基板支持体３１０ｂの上に位置合わせすることができる。第２の位置といった動作位置まで上げられたときには、基板支持体は、別個の処理領域内で個別の処理を行うために基板を伝達することができる。この動作位置にあるときは、以下でさらに記載するように、各処理領域５０４は、第２の位置にある関連付けられた基板支持体によって、下から少なくとも部分的に画定されうる。

図５はまた、第２のリッド板５１０がチャンバシステムのために含まれうる実施形態も示している。第２のリッド板５１０は、幾つかの実施形態において第１のリッド板４０５と第２のリッド板５１０の間に配置されうるリッドスタックのそれぞれと結合されうる。以下に記載するように、第２のリッド板５１０は、リッドスタック５０５の構成要素にアクセスすることを容易にすることができる。第２のリッド板５１０は、当該第２のリッド板を通る複数の開口５１２を画定しうる。複数の開口のうちの各開口が、特定のリッドスタック５０５又は処理領域５０４への流体アクセスを提供するよう画定されうる。幾つかの実施形態において、遠隔プラズマユニット５１５が任意選択的にチャンバシステム３００に含まれ得、第２のリッド板５１０上で支持されうる。幾つかの実施形態において、遠隔プラズマユニット５１５は、第２のリッド板５１０を介して複数の開口のうちの各開口５１２と流体的に結合されうる。各個別の処理領域５０４への流体制御を提供するために、遮断弁５２０を各流体ラインに沿って含むことができる。例えば、図示されるように、開口５１２ａが、リッドスタック５０５ａへの流体アクセスを提供しうる。開口５１２ａはまた、リッドスタック構成要素のいずれかと、及び、幾つかの実施形態では基板支持体３１０ａと、軸方向に位置合わせすることができ、これにより、例えば、基板支持体、又は特定の処理領域５０４と関連付けられた構成要素のいずれかを通る中央軸に沿って、個別の処理領域と関連付けられた構成要素ごとに軸方向の位置合わせを起こすことができる。同様に、開口５１２ｂが、リッドスタック５０５ｂへの流体アクセスを提供することができ、幾つかの実施形態では、リッドスタックの構成要素及び基板支持体３１０ｂと位置合わせされうる（軸方向に位置合わせされることが含まれる）。

図６は、本技術の幾つかの実施形態に係るチャンバシステム３００の一実施形態の概略的な断面図を示している。図６は、図５で先に示した断面図を例示することができ、システムの構成要素をさらに示しうる。本図は、図示され先に記載されたシステムのいずれかの構成要素を含むことができ、さらに、先に記載されたシステムのいずれかのさらなる態様も示しうる。本図はまた、先に記載の任意のクワッドセクション１０９内の任意の２つの隣接する処理領域１０８を介して見られるような、例示的な構成要素も示しうると理解されたい。立面図は、１つ以上の処理領域５０４と移送領域５０２との構成、又は１つ以上の処理領域５０４と移送領域５０２との間の流体結合を示しうる。例えば、連続的な移送領域５０２が、チャンバ本体３０５によって画定されうる。ハウジングが、幾つかの基板支持体３１０が配置されうる開放内部空間を画定しうる。例えば、図１で示したように、例示的な処理システムは、移送領域の周りのチャンバ本体内で分散された複数の基板支持体３１０を含む、４つ以上の基板支持体３１０を含むことができる。基板支持体は、図示のぺデルタルとすることができるが、他の幾つかの構成も使用されうる。幾つかの実施形態において、ペデスタルが、移送領域５０２と、当該移送領域の上の処理領域５０４と、の間で垂直方向に移動可能でありうる。基板支持体は、チャンバシステム内の第１の位置と第２の位置との間の経路に沿って、基板支持体の中心軸に沿って垂直方向に移動可能でありうる。これに対応して、幾つかの実施形態において、各基板支持体３１０が、１つ以上のチャンバ構成要素により画定された上にある処理領域５０４と、軸方向に位置合わせされうる。

開放移送領域は、カルーセルといった移送装置６３５が、基板に係合して、様々な基板支持体の間で、例えば回転的に当該基板を移動させる能力を提供することができる。移送装置６３５は、中心軸周りを回転可能でありうる。これにより、処理システム内の処理領域５０４のいずれにおいても、基板を処理のために配置することが可能となりうる。移送装置６３５は、１つ以上のエンドエフェクタを含むことができ、この１つ以上のエンドエフェクタは、上方からも下方からも基板に係合することができ、又は、基板支持体の周りで移動させるために基板の外端に係合することができる。移送装置は、先に記載したロボット１１０といった移送チャンバロボットから基板を受け取ることができる。その後、移送装置は、追加の基板の伝達を容易にするために、代替の基板支持体へと基板を回転させることができる。

一旦位置決めされて処理を待つ間、移送装置は、基板支持体の間にエンドエフェクタ又はアームを配置することができ、このことにより、基板支持体が移送装置６３５を越えて上昇して、移送領域５０２から垂直方向にずれうる処理領域５０４内へと基板を伝達することができる。例えば、図示のように、基板支持体３１０ａが、処理領域５０４ａ内に基板を伝達することができ、基板支持体３１０ｂが、処理領域５０４ｂ内に基板を伝達することができる。このことは、他の２つの基板支持体及び処理領域でも、並びに、追加の処理領域が含まれる実施形態では、追加の基板支持体及び処理領域をでも行うことができる。本構成では、基板支持体は、例えば第２の位置において、基板を処理するために動作的に係合したときには、下から処理領域５０４を少なくとも部分的に画定することができ、処理領域は、関連付けられた基板支持体と軸方向に位置合わせされうる。処理領域は、リッドスタック５０５の構成要素によって上方から画定することができ、処理領域はそれぞれ、１つ以上の図示された構成要素を含みうる。幾つかの実施形態において、各処理領域は個別のリッドスタック構成要素を有しうるが、幾つかの実施形態において、構成要素が複数の処理領域５０４を収容しうる。本構成に基づいて、幾つかの実施形態において、各処理領域５０４は、移送領域と流体的に結合することができるが、チャンバシステム内又はクワッドセクション内の他の各処理領域からは上から流体的に分離されている。

リッドスタック５０５は、幾つかの構成要素を含むことができ、この幾つかの構成要素は、チャンバシステムを通る前駆体の流れを促進することができ、第１のリッド板４０５と第２のリッド板５１０との間に少なくとも部分的に含まれうる。ライナ６０５が、第１のリッド板４０５における各段差レッジによって形成された棚に直接的に着座しうる。例えば、ライナ６０５は、リップ又はフランジを画定することができ、これにより、ライナ６０５は第１のリッド板４０５の棚から延在しうる。ライナ６０５は、幾つかの実施形態において、第１のリッド板４０５の第１の表面より下方に垂直方向に延在することができ、少なくとも部分的に開放移送領域５０２内へと延在することができる。ライナ６０５は、チャンバ本体の材料と同様の材料又は異なる材料で作製されてよく、ライナ６０５の表面への材料の堆積又は保持を制限する材料であってよく又は当該材料を含んでよい。ライナ６０５は、基板支持体３１０のアクセス直径を画定することができ、含まれるときの基板支持体３１０とライナ６０５との間のクリアランスについて上述した間隙量のいずれかにより特徴付けられうる。

ライナ６０５上には、ポンピングライナ６１０が着座することができ、このポンピングライナ６１０は、第１のリッド板４０５の第２の表面において画定された段差部（ｒｅｃｅｓｓ）内を又は段差レッジに沿って、少なくとも部分的に延在しうる。幾つかの実施形態において、ポンピングライナ６１０が、段差レッジによって形成された棚上のライナ６０５の上に着座しうる。ポンピングライナ６１０は環状の構成要素とすることができ、空間の形状に従って径方向又は横方向に、少なくとも部分的に処理領域５０４を画定しうる。ポンピングライナは、ライナ内で排気プレナムを画定することができ、ポンピングライナの環状の内面上の、排気プレナムへのアクセスを提供する複数の開口を画定しうる。排気プレナムは、少なくとも部分的に、第１のリッド板４０５の高さよりも上に垂直方向に延在してよく、これにより、先に記載したように、第１のリッド板及びチャンバ本体を介して形成された排気チャネルを介した排気物質の伝達を促進することができる。ポンピングライナの一部分が、少なくとも部分的に第１のリッド板４０５の第２の表面にわたって延在して、ポンピングライナの排気プレナムと、チャンバ本体及び第１のリッド板を通って形成されるチャネルと、の間の排気チャネルを完成させることができる。

面板６１５が、ポンピングライナ６１０上に着座してよく、処理領域５０４内に前駆体を伝達するための面板６１５を貫通する複数の開口を画定することができる。面板６１５は、関連付けられた処理領域５０４を上方から少なくとも部分的に画定することができ、面板６１５は、ポンピングライナ、及び上昇位置にある基板支持体と少なくとも部分的に協働して、処理領域を概ね画定することができる。面板６１５は、処理領域５０４内で局所プラズマを生成するためのシステムの電極として機能することができ、従って幾つかの実施形態では、面板６１５が電気源と接続され又は接地されうる。幾つかの実施形態において、基板支持体３１０は、面板と基板支持体との間に容量結合プラズマを生成するためのコンパニオン電極として動作しうる。

ブロッカプレート６２０が面板６１５上に着座することができ、このブロッカプレート６２０は、処理液又は前駆体をさらに分配して、基板へのより均一な流れの分散を発生させることができる。ブロッカプレート６２０はまた、当該プレートを貫通する幾つかの開口を画定しうる。幾つかの実施形態において、ブロッカプレート６２０は、図示のように、面板の直径より小さい直径を特徴とすることができ、これにより、ブロッカプレート６２０から径方向外方の面板の表面上の、環状のアクセス部を提供することができる。幾つかの実施形態において、面板ヒータ６２５が、環状アクセス部上に着座することができ、面板６１５に接触して処理中又は他の工程中に構成要素を加熱することができる。幾つかの実施形態において、ブロッカプレート６２０及び面板ヒータ６２５が、面板６１５の径方向外径と等しく又は実質的に等しい径方向外径を有するものとして、一緒に特徴付けられうる。同様に、面板ヒータ６２５が、幾つかの実施形態において、面板６１５の径方向外径と等しく又は実質的に等しい径方向外径を有するものとして、特徴付けられうる。面板ヒータ６２５は、ブロッカプレート６２０の周りに延在することができ、ブロッカプレート６２０の径方向外縁でブロッカプレート６２０に直接的に接触してよく又は接触しなくてよい。

ガスボックス６３０を、ブロッカプレート６２０の上に配置することができ、各リッドスタック５０５のガスボックス６３０は、第２のリッド板５１０を少なくとも部分的に支持しうる。ガスボックス６３０は、第２のリッド板５１０を貫通して画定された複数の開口のうちの関連付けられた開口５１２と位置合わせされた中央開口を画定しうる。第２のリッド板５１０は、幾つかの実施形態において、遠隔プラズマユニット５１５を支持することができ、遠隔プラズマユニット５１５は、各開口５１２への配管、及び各処理領域５０４内への配管を含みうる。アダプタが、遠隔プラズマユニットの配管をガスボックス６３０に結合するために、開口５１２を通して配置されうる。加えて、遮断弁５２０が、幾つかの実施形態において、各個別処理領域５０４への流れを測るために配管内に配置されうる。

Ｏリング又はガスケットが、リッドスタック５０５の各構成要素の間に着座することができ、このことで、幾つかの実施形態において、チャンバシステム３００内の真空処理が容易になりうる。第１のリッド板４０５と第２のリッド板５１０との間の特定の部品結合は、システム部品へのアクセスを容易にしうる任意の数のやり方で行うことができる。例えば、第１のリッド板４０５と第２のリッド板５１０との間に、第１のセットの結合を組み込むことができ、これにより、両リッド板及び各リッドスタック５０５の取り外しを容易にすることができ、このことは、チャンバシステムの移送領域内の基板支持体又は移送装置へのアクセスを提供しうる。上記の結合は、２つのリッド板の間に延びる任意の数の物理的で取り外し可能な結合を含むことができ、当該結合を、全体としてチャンバ本体４０５から分離することが可能となりうる。例えば、チャンバシステム３００を含むメインフレーム上の駆動モータが、第２のリッド板５１０と取り外し可能に結合されうるが、構成要素をチャンバ本体３０５から離して持ち上げることができる。

第１のリッド板４０５と第２のリッド板５１０との間の結合が解除されると、第２のリッド板５１０が取り外されるが、第１のリッド板４０５はチャンバ本体３０５上に残ることができ、これにより、リッドスタック５０５の１つ以上の構成要素へのアクセスが容易になりうる。リッドスタック５０５内での切断は、先に記載した任意の２つの構成要素の間で発生させることができ、そのうちのいくつかが第１のリッド板４０５と結合され得、そのうちのいくつかが第２のリッド板５１０と結合されうる。例えば、幾つかの実施形態において、ガスボックス６３０のそれぞれが、第２のリッド板５１０と結合されうる。従って、第２のリッド板がチャンバシステムから持ち上げられたときには、ガスボックスが取り外され得、ブロッカプレート及び面板へのアクセスが提供されうる。本例を続けると、ブロッカプレート６２０及び面板６１５が、第１のリッド板４０５と結合していてよく又は結合していなくてよい。例えば、機械的結合が含まれうるが、例えば、構成要素の適切な位置合わせを維持する位置決めフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅ）などを用いて、構成要素を分離して第１のリッド板４０５の上に浮かせて座らせることもできる。本例は非限定的であり、第２のリッド板５１０が第１のリッド板４０５から分離されたときの、リッドスタックの任意の２つの構成要素間の任意の数の切断構成を例示することが意図されていると理解されたい。従って、第１のリッド板と第２のリッド板の間の結合に従って、リッドスタック全体及び両リッド板を取り外して移送領域へのアクセスを提供することができ、又は第２のリッド板を取り外して、リッドスタック構成要素へのアクセスを提供することができる。

図７Ａ及び図７Ｂは、本技術の幾つかの実施形態に係る例示的な処理チャンバシステム７００の概略的な断面立面図を示している。図７Ａ及び図７Ｂは、システム１００、２００、及び３００内の構成要素に関するさらなる詳細を例示しうる。システム７００は、幾つかの実施形態において先に述べたシステム１００、２００、及び／又は３００の任意の特徴又は態様を含むものと理解されたい。システム７００は、堆積、除去、及び洗浄の工程といった半導体処理工程を実施するために使用されうる。システム７００は、議論されている、半導体処理システムに組み込まれうるチャンバ構成要素の部分図を示しうる。システム７００のいずれの態様も、当業者には容易に分かるように、他の処理チャンバ又はシステムに組み込まれうる。

システム７００は、移送領域及び処理領域を画定しうるチャンバ本体７０５を含みうる。リッド板７１０が、チャンバ本体７０５の上に着座することができ、ライナ７１５を支持しうる。例えば、ライナ７１５の端部が、リッド板７１０の段差レッジによって形成された棚に直接的に着座しうる。例えば、ライナ７１５は、リップ又はフランジを画定することができ、これにより、ライナ７１５がリッド板７１０の棚から延在しうる。ライナ７１５は、幾つかの実施形態において、第１のリッド板７１０より下方に垂直方向に延在することができ、少なくとも部分的にチャンバ本体７０５の内部へと延在することができる。面板７２０が、ライナ７１５の上に配置されうる。幾つかの実施形態において、ポンプライナといった１つ以上の介在部品が、面板７２０とライナ７１５との間に配置されうる。

基板支持体７２５が、チャンバ本体７０５の内部に配置されうる。基板支持体７２５は、移送領域と処理領域との間で、チャンバ本体７０５の内部を垂直方向に移動可能でありうる。基板支持体７２５は支持板７３０を含むことができ、支持板７３０は、ヒータ７３５、アイソレータ７４０、及び接地板７４５を含みうる。基板支持体７２５はシャフト７５０も含むことができ、シャフト７５０は、チャンバ本体７０５の底部を貫通して延在して高周波源７５５と接続されうる。基板支持体は動的プレート７６０も含むことができ、動的プレート７６０は、シャフト７５０の周りに配置されており、支持板７３０の底部から垂直方向に間隔を置いて配置されている。幾つかの実施形態において、シャフト７５０と動的プレート７６０の内側端面との間の間隙を維持することができ、これにより、パージガスが、チャンバ本体７０５の下方に配置されたパージガス源から処理領域へと供給されうる。動的プレート７６０は環状の形状とすることができ、支持板７３０より大きな半径を有することができ、これにより、動的プレート７６０の外周縁部が、支持板７３０の外周縁部から径方向外側に延在する。幾つかの実施形態において、動的プレート７６０及び／又はヒータ７３５が、三フッ化窒素といった前駆体に対して耐性を有する材料で形成されうる。例えば、動的プレート７６０及び／又はヒータ７３５は、窒化アルミニウムといったアルミニウム材料から形成されうる。幾つかのストラップ７６５が、動的プレート７６０の上面と支持板７３０の底面との間に延在して、動的プレート７６０の上面と支持板７３０の底面とを結合することができる。例えば、ストラップ７６５が、接地板７４５の底面と結合されうる。ストラップ７６５は、支持板７２５と動的プレート７６０との間の高周波の導通を提供することができる。各ストラップ７６５は、当該ストラップ７６５が圧縮した状態又は折り畳まれた状態と伸長した状態との間で繰り返し屈曲することを可能にする金属又は他の導電材料の薄く柔軟なシートから形成することができる。例えば、各ストラップ７６５は、ステンレス鋼、アルミニウム、及び／又は他の金属材料から形成されうる。幾つかの実施形態において、ストラップ７６５が、前駆体耐性材料でコーティングされうる。例えば、ストラップ７６５は、窒化アルミニウムといったアルミニウム材料コーティングされうる。

上述したように、基板支持体７２５は、チャンバ本体７０５の内部を、下側の送領域と上側の処理領域との間で移動可能である。処理工程中には、基板支持体７２５は、処理領域内の処理位置へと移動させられる。高周波電流をヒータに流して、基板を所望の温度に保つのを助けて、基板上に均一な膜を生成する際に支援することができる。堆積及び／又は他の処理工程が一旦完了すると、基板支持体７２５は、移送領域内の移送位置まで下降させることができる。処理された基板は、基板支持体７２５から取り外され、新しい基板が基板支持体７２５の上に配置されうる。移送プロセスの間は、ヒータ７３５に高周波電流が供給されない。

チャンバシステム７００の特徴によって、基板支持体７２５が処理位置にあるときには、高周波源７５５からヒータ７３５へと高周波電流が流れること及びヒータ７３５から高周波源７５５へと戻ることを可能にし、基板支持体７２５が移送位置にあるときには、回路を開けて高周波電流が流れることを防止する閉じた高周波回路が生成されうる。例えば、幾つかのクイックディスコネクト部材７７０は、基板支持体７２５が処理位置にあるときにのみ、ライナ７１５を動的プレート７６０と結合ために使用することができ、さらに、幾つかのクイックディスコネクト部材７７０は、基板支持体７２５が移送位置にあるときにのみ、支持板７２５を動的プレート７６０と結合するために使用することができる。動的プレート７６０は、２セットのクイックディスコネクト部材７７０を含みうる。例えば、幾つかの内側クイックディスコネクト部材７７０ａは、支持板７３０の一部分の直下の動的プレート７６０の上面上に配置され得、幾つかの外側クイックディスコネクト部材７７０ｂは、支持板７２５の周面から径方向外側の動的プレート７６０上に、ライナ７１５の少なくとも一部分と垂直方向に位置合わせされた状態で配置されうる。

幾つかのクイックディスコネクト部材７７０ｃが、支持板７２５の底面上に設けられうる。例えば、クイックディスコネクト部材７７０ｃが、接地板７４５内に形成されてよく及び／又は接地板７４５と結合されてよい。クイックディスコネクト部材７７０ｃのそれぞれは、内側クイックディスコネクト部材７７０ａのそれぞれ１つと垂直方向に位置合わせされうる。これにより、基板支持部７２５が移送位置にあるときには、クイックディスコネクト部材７７０ｃが内側クイックディスコネクト部材７７０ａと係合することが可能となる。幾つかのクイックディスコネクト部材７７０ｄを、ライナ７１５の底面上に設けることができ、ここで、クイックディスコネクト部材７７０ｄのそれぞれは、外側クイックディスコネクト部材７７０ｂのうちのそれぞれ１つと垂直方向に位置合わせされている。これにより、基板支持部７２５が処理位置にあるときには、クイックディスコネクト部材７７０ｄが、外側クイックディスコネクト部材７７０ｂと係合することが可能となる。

クイックディスコネクト部材７７０は、対称的なパターン及び非対称なパターンを含む任意の形態で、様々なチャンバ構成要素の周りに配置されうる。例えば、クイックディスコネクト部材７７０は、ライナ７１５、支持板７２５、及び／又は動的プレート７６０のそれぞれの周囲に対称的な環状の構成において配置されうる。任意の数のクイックディスコネクト部材７７０を設けることができる。例えば、クイックディスコネクト部材７７０ａ、７７０ｂ、７７０ｃ、及び／又は７７０ｄのそれぞれは、おおよそ２個以上のクイックディスコネクト部材、おおよそ３個以上のクイックディスコネクト部材、おおよそ４個以上のクイックディスコネクト部材、おおよそ５個以上のクイックディスコネクト部材、おおよそ６個以上のクイックディスコネクト部材、７個以上のクイックディスコネクト部材、おおよそ８個本以上のクイックディスコネクト部材、おおよそ９個本以上のクイックディスコネクト部材、おおよそ１０個以上のクイックディスコネクト部材、おおよそ１２個以上のクイックディスコネクト部材、おおよそ１４個以上のクイックディスコネクト部材、おおよそ１６個以上のクイックディスコネクト部材、おおよそ１８個以上のクイックディスコネクト部材、おおよそ２０個以上のクイックディスコネクト部材、又はそれより多いクイックディスコネクト部材を含みうる。幾つかの実施形態において、クイックディスコネクト部材７７０ａ、７７０ｂ、７７０ｃ、及び７７０ｄの各群が、同じ数のクイックディスコネクト部材を有することができ、他の実施形態では、クイックディスコネクト部材７７０ａ、７７０ｂ、７７０ｃ、及び７７０ｄの少なくとも１つの群が、少なくとも１つの他の群と異なる数のクイックディスコネクト部材を有することが分かるであろう。

幾つかの実施形態において、各クイックディスコネクト部材７７０は、他のクイックディスコネクト部材７７０の対応する部分と係合する雄部分及び／又は雌部分を含みうる。例えば、内側クイックディスコネクト部材７７０ａ及び／又は外側クイックディスコネクト部材７７０ｂは、ガイドピンといった雄部分を有することができ、クイックディスコネクト部材７７０ｃ及び７７０ｄは、レセプタクルといた、対応する内側クイックディスコネクト部材７７０ａ及び／又は外側クイックディスコネクト部材７７０ｂの雄部分を収容して固定する雌部分を含むことができる。幾つかの実施形態において、レセプタクルが、追加的な結合の仕組みを含みうる。例えば、各レセプタクルが、ガイドピンのうちの１つのノッチと係合してガイドピンをレセプタクル内に固定するバネ付きボールキャッチを含みうる。様々な実施形態において、雄部分と雌部分の位置が逆であってよく、内側クイックディスコネクト部材７７０ａ及び／又は外側クイックディスコネクト部材７７０ｂが雌部分を有し、クイックディスコネクト部材７７０ｃ及び７７０ｄが雄部分を有することが分かるであろう。幾つかの実施形態において、クイックディスコネクト部材７７０ａ、７７０ｂ、７７０ｃ、及び／又は７７０ｄの特定の群が、雄部分と雌部分の両方を含みうる。外側クイックディスコネクト部材７７０ｂが雄型ガイドピンを含む実施形態では、各ガイドピンの上面は、もはや支持板７２５の上面より高くなくてよい。これにより、基板の移送中に上記ピンが支持板７２５上での基板の除去及び配置を妨げないことが保証される。

図７Ａは、基板支持体７２５が移送位置にあり、支持板７３０がチャンバ本体７０５の底部に接近している状態を示している。移送位置では、内側クイックディスコネクト部材７７０ａと、支持板７２５に設けられたクイックディスコネクト部材７７０ｃとが互いに係合し、ストラップ７６５は圧縮状態にある。外側クイックディスコネクト部材７７０ｂは、ライナ７１５上のクイックディスコネクト部材７７０ｄから離間しており、これにより、高周波回路が開いて、移送位置にあるときにヒータ７３５に高周波電流が流れることが防止される。

基板支持体７２５は、処理位置にあるときには、図７Ｂに示すように、処理領域内へと上方に持ち上げることができ、ここで、支持板７３０は、面板７２０に接近した状態にある。基板支持体７２５が上昇するにつれて、内側クイックディスコネクト部材７７０ａとクイックディスコネクト部材７７０ｃとの係合により、基板支持体７２５とともに動的プレート７６０が上方に引き上げられ、最終的に、外側クイックディスコネクト部材７７０ｂが、ライナ７１５のクイックディスコネクト部材７７０ｄと接触して係合する。外側クイックディスコネクト部材７７０ｂとクイックディスコネクト部材７７０ｄとの係合は、ライナ７１５と動的プレート７６０との間の高周波の導通をもたらし、さらに、動的プレート７６０がさらに上方に移動するのを防止するハードストップとして機能する。基板支持体７２５が、処理位置までさらに上方に移動すると、内側クイックディスコネクト部材７７０ａとクイックディスコネクト部材７７０ｃとは互いの係合から引き抜かれるが、ストラップ７６５が、動的プレート７６０と支持板７２５との間の高周波の導通を維持する。この処理位置において、矢印７７５で示すように高周波電流が高周波源７５５からヒータ７３５へと流れることを可能とし、かつ矢印７８０で示すように帰還電流が高周波源７５５へと戻って流れることを可能にする閉じた高周波回路が設けられる。例えば、閉じた高周波回路は、高周波源７５５、基板支持体７２５（動的プレート７６０、支持板７３０、シャフト７５０、ストラップ７６５を含む）、ライナ７１５、及び面板７２０によって形成されうる。高周波回路がまた、他の構成要素、例えば、ライナ７１５と面板との間の構成要素（ポンプライナ及び／又はリッド板７１０など）と、ヒータ７３５と面板７２０の間で形成されるプラズマと、を含みうると理解されうる。

本明細書に記載の動的高周波インタフェースを作製するために、クイックディスコネクト部材７７０及びストラップ７６５を使用することで、基板支持体が処理位置にあるときには、閉じた高周波回路が生成され、移送位置にあるときには上記回路が開かれる。さらに、クイックディスコネクト部材７７０の小さなサイズを前提として、従来の設計よりも動的に互いに接触し合う構成要素間の表面積が小さく、このことにより、以前の処理工程からの粒子の発生が低減され、より品質の高い基板が得られる。加えて、バッフルに合わせた設計ではなく、クイックディスコネクト部材７７０を使用することで、チャンバの重量が大幅に削減され、一人の技術者が高周波回路の部品をより簡単に整備することが可能となる。

図８Ａ及び図８Ｂは、本技術の幾つかの実施形態に係る例示的なクイックディスコネクト部材８００の断面立面図を示している。クイックディスコネクト部材８００は、本明細書に記載のクイックディスコネクト部材７７０と同様とすることができ、システム１００、２００、３００、及び／又は７００を含む本明細書に記載のシステムのいずれにおいても使用することができる。各クイックディスコネクト部材８００は、雄部分又は雌部分を含みうる。例えば、雌型クイックディスコネクト部材８００ａがレセプタクル８０５を含むことができ、レセプタクル８０５は、基板（ライナ、支持板、及び／又は動的プレートなど）において形成され及び／又は当該基板と結合されうる。各レセプタクルは、１つ以上の保持部材を含みうる。例えば、各レセプタクル８０５の内部には、１つ以上のデテント（戻り止め）８１０が含まれうる。各デテント８１０は、バネ８１５の一端と結合と結合することができ、バネの他端は、ボール８２０又は他の物体と結合される。このような構成によって、各レセプタクル８０５内に、対応する雄型クイックディスコネクト部材８００ｂを収容して固定するバネ付きボールキャッチが設けられる。例えば、各雄型クイックディスコネクト部材８００ｂは、ガイドピン８２５の形状をしている。ガイドピン８２５は、遠位端８３０、中間部分８３５、及び近位端８４０を有する細長い本体を含みうる。近位端８４０は、基板（ライナ、支持板、及び／又は動的プレートなど）と結合することができ、基板の一部として形成されうる。中間部分８３５は、ボール８２０の一部分を収容する大きさのノッチ８４５を画定しうる。クイックディスコネクト部材８００同士を係合させるために、ガイドピン８２５の遠位端８３０が、レセプタクル８０５に挿入されうる。遠位端８３０は、図８Ｂに示すようにノッチ８４５がボール８２０と位置合わせされるまで、バネ付きボール８２０をデテント８１０に押し込むことができる。バネの力でボール８２０をデテント８１０に押し込んで、ガイドピン８２５をレセプタクル８０５内に固定することができる。ガイドピン８２５をレセプタクル８０５から取り外すためには、このプロセスを逆に行うことができ、ここで、遠位端８３０をバネ付きボール８２０を越えて引くためには所定の力が必要となる。

図９は、本技術の幾つかの実施形態に係る例示的な処理チャンバシステム９００の概略的な断面立面図を示している。図９は、システム１００、２００、３００、及び７００内の構成要素に関するさらなる詳細を例示しうる。システム９００は、幾つかの実施形態において先に述べたシステム１００、２００、３００、及び／又は７００の任意の特徴又は態様を含むものと理解されたい。システム９００は、堆積、除去、及び洗浄の工程といった半導体処理工程を実施するために使用されうる。システム９００は、議論されている、半導体処理システムに組み込まれうるチャンバ構成要素の部分図を示しうる。システム９００のいずれの態様も、当業者には容易に分かるように、他の処理チャンバ又はシステムに組み込まれうる。

システム９００は、移送領域及び処理領域を画定しうるチャンバ本体９０５を含みうる。リッド板９１０が、チャンバ本体９０５の上に着座することができ、ライナ９１５を支持しうる。面板９２０が、ライナ９１５の上に配置されうる。幾つかの実施形態において、ポンプライナといった１つ以上の介在部品が、面板９２０とライナ９１５との間に配置されうる。基板支持体９２５が、チャンバ本体９０５の内部に配置され得、基板支持板９３０を含みうる。基板支持体９２５は、移送領域と処理領域との間で、チャンバ本体９０５の内部を垂直方向に移動可能であることができ、チャンバ本体９０５の底部を貫通して延在し高周波源９５５と結合しうるシャフト９５０を含みうる。基板支持体は動的プレート９６０も含むことができ、動的プレート９６０は、シャフト９５０の周りに配置されており、支持板９３０の底部から垂直方向に間隔を置いて配置されている。動的プレート９６０は環状の形状とすることができ、支持板９３０より大きな半径を有することができ、これにより、動的プレート９６０の外周縁部が、支持板９３０の外周縁部から径方向外側に延在する。幾つかの実施形態において、ＲＦガスケット９７７が、動的プレート９６０の外周縁部の上面の上に配置されうる。ＲＦガスケット９７７は、動的プレート９６０が上昇してＲＦガスケット９７７をライナ９１５と接触させたときに、動的プレート９６０とライナ９１５との間の適切な接触を保証することによって、ＲＦ帰還経路のより一貫した再現性を提供するのに役立ちうる。幾つかのストラップ９６５が、動的プレート９６０の上面と支持板９３０の底面との間に延在して、動的プレート９６０の上面と支持板９３０の底面とを結合することができる。幾つかの実施形態において、ストラップ９６５に加えて又はストラップ９６５の代わりに、可撓性のベローズを支持板９２５と動的プレート９６０との間に配置して、支持板９２５と動的プレート９６０との間の高周波の導通を維持することができる。例えば、ベローズは、基板支持体９２５が移送位置にあるときには圧縮させることができ、基板支持体９２５が処理位置にあるときには伸長することができる。図７Ａ～７Ｃに関して記載したのと同様の方法で、移送位置では支持板９３０を動的プレート９６０と結合させ及び／又は処理位置ではライナ９１５を動的プレート９６０と結合させる幾つかのクイックディスコネクト部材９７０が提供されうる。

システム９００は、動的プレート９６０の底面とチャンバ本体９０５の底部の上面との間に配置されうる１つ以上のバネ９８０を含みうる。例えば、各バネ９８０は、動的プレート９６０の底面とチャンバ本体９０５の底部の上面との間に延在する１つ以上のガイドピン９８５上に配置されうる。幾つかの実施形態において、各バネ９８０の上端を、アイソレータ９９０内又はアイソレータ９９０の下に配置することができ、アイソレータ９９０によって、バネ９８０をＲＦ電流から隔離することができ、さらに、ＲＦ回路がバネ９８０を通って下に行くのではなく、基板支持体９２５を通って戻ることを保証することができる。各バネ９８０は、動的プレート９６０の底面に対して上方に押し上げるバネ力を提供することができる。基板支持体９２５が下げられており及び／又は移送位置にあるときには、クイックディスコネクト部材９７０の少なくとも幾つかが、動的プレート９６０に対してバネ力よりも大きな下向きの力を与えることができ、これにより、動的プレート９６０が下降してバネ９８０が更に圧縮される。基板支持体９２５が上方に移動するにつれて、バネ９８０が伸長し始めて動的プレート９６０を上方に押し上げることができ、ここで、クイックディスコネクト部材９７０の少なくとも幾つかは、動的プレート９６０が支持板９３０と接触することを防止する。バネ９８０は、動的プレート９６０及び／又はＲＦガスケット９７７がライナ９１５の底面と接触して先に記載したＲＦ回路を完成させる高さまで、動的プレート９６０を上昇させるのに十分な力を提供することができる。

図１０は、本技術の幾つかの実施形態に係る例示的な処理チャンバシステム１０００の概略的な断面立面図を示している。図１０は、システム１００、２００、３００、７００、及び９００内の構成要素に関するさらなる詳細を例示しうる。システム１０００は、幾つかの実施形態において先に述べたシステム１００、２００、３００、７００、及び／又は９００の任意の特徴又は態様を含むものと理解されたい。システム１０００は、堆積、除去、及び洗浄の工程といった半導体処理工程を実施するために使用されうる。システム１０００は、議論されている、半導体処理システムに組み込まれうるチャンバ構成要素の部分図を示しうる。システム１０００のいずれの態様も、当業者には容易に分かるように、他の処理チャンバ又はシステムに組み込まれうる。

システム１０００は、移送領域及び処理領域を画定しうるチャンバ本体１００５を含みうる。リッド板１０１０が、チャンバ本体１００５の上に着座することができ、ライナ１０１５を支持しうる。面板１０２０が、ライナ１０１５の上に配置されうる。幾つかの実施形態において、ポンプライナといった１つ以上の介在部品が、面板１０２０とライナ１０１５との間に配置されうる。基板支持体１０２５が、チャンバ本体１００５の内部に配置され得、基板支持板１０３０を含みうる。基板支持体１０２５は、移送領域と処理領域との間で、チャンバ本体１００５の内部を垂直方向に移動可能であることができ、チャンバ本体１００５の底部を貫通して延在し高周波源１０５５と結合しうるシャフト１０５０を含みうる。基板支持体は動的プレート１０６０も含むことができ、動的プレート１０６０は、シャフト１０５０の周りに配置されており、支持板１０３０の底部から垂直方向に間隔を置いて配置されている。動的プレート１０６０は環状の形状とすることができ、支持板１０３０より大きな半径を有することができ、これにより、動的プレート１０６０の外周縁部が、支持板１０３０の外周縁部から径方向外側に延在する。幾つかの実施形態において、ＲＦガスケット１０７７が、動的プレート１０６０の外周縁部１０６５の上面の上に配置されうる。ＲＦガスケット１０７７は、動的プレート１０６０が上昇してＲＦガスケット１０７７をライナ１０１５と接触させたときに、動的プレート１０６０とライナ１０１５との間の適切な接触を保証することによって、ＲＦ帰還経路のより一貫した再現性を提供するのに役立ちうる。幾つかのストラップ１０６５が、動的プレート１０６０の上面と支持板１０３０の底面との間に延在して、動的プレート１０６０の上面と支持板１０３０の底面とを結合することができる。幾つかの実施形態において、ストラップ１０７０に加えて又はストラップ１０７０の代わりに、可撓性のベローズを支持板１０２５と動的プレート１０６０との間に配置して、支持板１０２５と動的プレート１０６０との間の高周波の導通を維持することができる。例えば、ベローズは、基板支持体１０２５が移送位置にあるときには圧縮させることができ、基板支持体１０２５が処理位置にあるときには伸長することができる。図７Ａ～７Ｃに関して記載したのと同様の方法で、処理位置においてライナ１０１５を動的プレート１０６０と結合させる幾つかのクイックディスコネクト部材１０７０が提供されうる。

システム１０００は、空気圧及び／又は電気機械リフトといった線形アクチュエータ１０８０を含むことができ、線形アクチュエータ１０８０は、処理位置と移送位置との間で動的プレート１０６０を昇降させるために使用することができる。例えば、線形アクチュエータ１０８０は、動的プレート１０６０の底面とチャンバ本体１００５の底部の上面との間に配置されうる。支持板１０３０が昇降する間、線形アクチュエータ１０８０は、動的プレート１０６０の対応する移動を引き起こすことができ、これにより、動的プレート１０６０及び／又はＲＦガスケット１０７７は、支持板１０３０が処理位置にあるときにはライナ１０１５と接触し、支持板１０３０が移送位置にあるときにはライナ１０１５に接触しないようにすることが可能である。処理位置では、クイックディスコネクト部材１０７０同士が互いに係合し合ってライナ１０１５を動的プレート１０６０と結合し、ＲＦ回路を閉じることができ、当該ＲＦ回路によって、高周波電流が高周波源１０５５から支持板１０３０へと流れることが可能となり、帰還電流が高周波源１０５５へと戻って流れることが可能となる。

図１１は、本技術の幾つかの実施形態に係る、基板処理のための例示的な方法１１００の工程を示している。本方法は、本技術の実施形態に係る動的高周波回路を含みうる上述の処理システム１００、２００、３００、７００、９００、及び１０００を備えた様々な処理チャンバ内で実行されうる。方法１１００は、幾つかの任意選択的な工程を含むことができ、当該任意選択的な工程は、本技術に係る方法の幾つかの実施形態と特に関連することもあり又は関連しないこともある。

方法１１００は、方法１１００の開始前に任意選択の工程を含むことができ、又は本方法は、追加の工程を含むことができる。例えば、方法１１００は、図示されたものとは異なる順序で実行される工程を含みうる。幾つかの実施形態において、方法１１００は、工程１１０５において、半導体処理チャンバ内で移送位置から処理位置へと上方に、ヒータを有する基板支持体を移動させ、第１の幾つかのクイックディスコネクト部材を分離し、かつ第２の幾つかのクイックディスコネクト部材を係合させて、高周波回路を閉じることを含みうる。例えば、第１の幾つかのクイックディスコネクト部材が、基板支持体の支持板を基板支持体の動的プレートと結合しうる。基板支持体が上昇している間、第１の幾つかのクイックディスコネクト部材間の係合によって、動的プレートは、第２のセットのクイックディスコネクト部材同士が互いに接触して係合し合うまで、基板支持体とともに上方に引き上げられる。例えば、第２の幾つかのクイックディスコネクト部材が、半導体処理チャンバのライナを動的プレートと結合しうる。第２の幾つかのクイックディスコネクト部材同士の係合は、ライナと動的プレートの間の高周波の導通を提供し、処理チャンバの高周波回路を閉じるとともに、動的プレートがさらに上方に移動するのを防止するハードストップとして機能する。基板支持体が、処理位置までさらに上方に移動すると、第１の幾つかのクイックディスコネクト部材が互いの係合から引き抜かれ、幾つかのストラップが、動的プレートと支持板との間の高周波の導通を維持する。

工程１１１０において、ケイ素含有前駆体（但し、これに限定されない）といった１つ以上の前駆体が、半導体処理チャンバに伝達されうる。工程１１１５において、高周波電流が、高周波源を介して面板、ヒータ、又は他の何らかの構成要素に供給されうる。例えば、高周波は、面板とヒータとの間に容量結合プラズマを発生させて、チャンバの処理領域内で堆積工程を実行するために使用することができる。ライナと係合したクイックディスコネクト部材は、ペデスタルを介した高周波帰還経路として機能する対称的な接地経路を生成することができる。チャンバ内の構成要素を結合する幾つかのクイックディスコネクトを利用することで、動的プレート及び可撓性ストラップを介して対称的な接地経路を生成しかつシステム内でのペデスタルの移動中に動的プレートからの支持板と分離に対応しつつ、プラズマの均一性を維持することができる。

先の記載では、説明を目的として、本技術の様々な実施形態の理解を促すべく、数多くの詳細事項を記載した。しかしながら、これらの詳細のいくつかを含まずに又は更なる詳細と共に、特定の実施形態を実施してもよいことが、当業者には明らかだろう。

幾つかの実施形態を開示してきたが、当業者は、上記実施形態の思想から逸脱することなく、様々な変形例、代替構造、及び均等物が使用されうることが分かるであろう。加えて、本技術を不必要に不明瞭にすることを避けるために、幾つかの周知のプロセス及び要素については記載していない。従って、先の明細書の記載が本技術の範囲を限定するものと解釈すべきでない。

値の範囲が与えられている場合に、文脈上そうでないと明示されていない限り、その範囲の上限値と下限値との間に介在する各値が、下限値の最も小さい単位まで具体的に開示されていると理解される。明記された範囲内の任意の明記された値又は明記されていない介在する値と、その明記された範囲内の他の明記された値又は他の介在する値と、の間の任意のより狭い範囲が包含される。これらのより狭い範囲の上限値及び下限値は、個別にその範囲内に含まれることも除外されることもあり、より狭い範囲内に限界値の一方又は両方が含まれる場合、又はどちらも含まれない場合の各範囲も、明記された範囲内の任意の特に除外された限界値に従って、本技術の範囲内に包含される。明記された範囲が、限界値の一方又は両方を含む場合、この含められた限界値の一方又は両方を除いた範囲も含まれる。

本明細書及び添付の特許請求の範囲では、単数形「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、及び「その（ｔｈｅ）」は、文脈上別途明示しない限り複数の指示物を含む。したがって、例えば、「或るヒータ（ａ ｈｅａｔｅｒ）」への言及は、複数のこのようなヒータを含み、「その開口（ｔｈｅ ａｐｅｒｔｕｒｅ）」への言及は、当業者に知られた１つ以上の開口及びその均等物への言及を含み、その他の形にも同様のことが当てはまる。

また、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ（ｓ））」、「備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含有する（ｃｏｎｔａｉｎ（ｓ））」、「含有している（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ（ｓ））」、及び「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という単語は、本明細書及び特許請求の範囲で使用されている場合、記載された特徴、整数、構成要素、又は工程の存在を特定することを意図しているが、１つ以上の他の特徴、整数、構成要素、工程、作動、又グループの存在又は追加を排除するものではない。

Claims (20)

1. 基板処理システムであって、
   処理領域を画定するチャンバ本体と、
   前記チャンバ本体の上に配置されたライナであって、前記ライナの底面が第１の複数のクイックディスコネクト部材を含む、ライナと、
   前記ライナの上に配置された面板と、
   前記チャンバ本体内に配置された基板支持体と、
   を備え、前記基板支持体が、
   ヒータを含む支持板であって、前記支持板の底面が第２の複数のクイックディスコネクト部材を含む、支持板と、
   前記支持板の底部と結合されたシャフトと、
   前記シャフトの周りに配置されており、前記支持板より下方に或る距離の間隔が置かれた動的プレートと、
   前記支持板の前記底部を前記動的プレートと結合する複数の金属ストラップと、を含み、
   前記動的プレートの上面が、内側の複数のクイックディスコネクト部材と、外側の複数のクイックディスコネクト部材と、を含み、
   前記内側の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれは、前記基板支持体が移送位置にあるときには、前記第２の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれ１つと係合可能であり、
   前記外側の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれは、前記基板支持体が処理位置にあるときには、前記第１の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれ１つと係合可能である、基板処理システム。
2. 前記外側の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれは、前記基板支持体が前記移送位置にあるときには、前記第１の複数のクイックディスコネクト部材の前記それぞれ１つから分離され、
   前記内側の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれは、前記基板支持体が前記処理位置にあるときには、前記第２の複数のクイックディスコネクト部材の前記それぞれ１つから分離される、請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記基板支持体は、前記処理位置にあるときには、前記面板に接近し、前記基板支持体は、前記移送位置にあるときには、前記チャンバ本体のベースに接近する、請求項１に記載の基板処理システム。
4. 動的プレートの外周縁部が、前記支持板の外周縁部を越えて径方向に延在する、請求項１に記載の基板処理システム。
5. 前記外側の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれが、ガイドピンを含み、前記第１の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれが、前記ガイドピンのそれぞれ１つを収容し固定するサイズの、バネ付きキャッチを含むレセプタクルを画定する、請求項１に記載の基板処理システム。
6. 前記ガイドピンのそれぞれの上面が、前記ヒータの上面より低い高さにある、請求項５に記載の基板処理システム。
7. 前記支持板が、前記ヒータと結合されたアイソレータと、前記アイソレータの底部と結合された接地板と、をさらに含み、
   前記第２の複数のクイックディスコネクト部材が、前記接地板上に配置される、請求項１に記載の基板処理システム。
8. 前記複数の金属ストラップのそれぞれが、前駆体耐性材料でコーティングされている、請求項１に記載の基板処理システム。
9. 前記基板支持体と接続された高周波源をさらに含み、前記処理位置において、前記高周波源と、前記基板支持体と、前記複数の金属ストラップと、前記ライナと、前記面板と、の間の閉じた高周波回路が形成される、請求項１に記載の基板処理システム。
10. 基板処理システムであって、
    処理領域を画定するチャンバ本体と、
    前記チャンバ本体の上に配置されたライナと、
    前記ライナの上に配置された面板と、
    前記チャンバ本体内に配置された基板支持体であって、
    ヒータを含む支持板、
    前記支持板の底部と結合されたシャフト、
    前記シャフトの周りに配置されており、前記支持板より下方に或る距離の間隔が置かれた動的プレート、及び
    前記支持板の前記底部を前記動的プレートと結合する複数の金属ストラップを含む基板支持体と、
    複数のクイックディスコネクト部材であって、基板支持体が処理位置にあるときには前記ライナを前記動的プレートと結合し、前記基板支持体が移送位置にあるときには前記支持板を前記動的プレートと結合する複数のクイックディスコネクト部材と、
    を備えた、基板処理システム。
11. 前記複数のクイックディスコネクト部材が、
    前記ライナ上の第１の複数のクイックディスコネクト部材と係合する、前記動的プレート上の外側の複数のクイックディスコネクト部材と、
    前記支持板上の第２の複数のクイックディスコネクト部材と係合する、前記動的プレート上の内側の複数のクイックディスコネクト部材と、
    を含む、請求項１０に記載の基板処理システム。
12. 前記外側の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれは、前記基板支持体が前記移送位置にあるときには、前記第１の複数のクイックディスコネクト部材の前記それぞれ１つから分離され、
    前記内側の複数のクイックディスコネクト部材のそれぞれは、前記基板支持体が前記処理位置にあるときには、前記第２の複数のクイックディスコネクト部材の前記それぞれ１つから分離される、請求項１１に記載の基板処理システム。
13. 前記複数のクイックディスコネクト部材が、第１のサブセットのクイックディスコネクト部材と、第２のサブセットのクイックディスコネクト部材と、を含み、
    前記第１のサブセットのクイックディスコネクト部材のそれぞれが、ガイドピンを含み、
    前記第２のサブセットのクイックディスコネクト部材のそれぞれが、前記ガイドピンのそれぞれ１つを収容し固定するサイズの、バネ付きキャッチを含むレセプタクルを画定する、請求項１０に記載の基板処理システム。
14. 前記ガイドピンのそれぞれの上面が、前記ヒータの上面より低い高さにある、請求項１３に記載の基板処理システム。
15. 前記支持板が、前記ヒータと結合されたアイソレータと、前記アイソレータの底部と結合された接地板と、をさらに含み、
    前記複数のクイックディスコネクト部材のうち少なくとも幾つかが、前記接地板上に配置される、請求項１０に記載の基板処理システム。
16. 前記基板支持体と接続された高周波源をさらに含み、前記処理位置において、前記高周波源と、前記基板支持体と、前記複数の金属ストラップと、前記ライナと、前記面板と、の間の閉じた高周波回路が形成される、請求項１０に記載の基板処理システム。
17. 前記基板支持体が、前記移送位置と前記処理位置との間で垂直方向に移動可能である、請求項１０に記載の基板処理システム。
18. 処理方法であって、
    半導体処理チャンバ内で移送位置から処理位置へと上方に基板支持体を移動させて、第１の複数のクイックディスコネクト部材を分離し、かつ第２の複数のクイックディスコネクト部材を係合させることを含み、
    係合されたときには、前記第１の複数のクイックディスコネクト部材が、前記基板支持体の支持板を前記基板支持体の動的プレートと結合し、
    係合されたときには、前記第２の複数のクイックディスコネクト部材が、前記半導体処理チャンバのライナを前記動的プレートと結合し、
    前記支持板がヒータを含み、前記処理方法はさらに、
    １つ以上の前駆体を前記半導体処理チャンバへと伝達することと、
    高周波源を介して前記ヒータに高周波電流を供給することと、
    を含む、処理方法。
19. 前記基板支持体が、前記支持板の底部を前記動的プレートと結合する複数の金属ストラップをさらに含む、請求項１８に記載の処理方法。
20. 前記処理位置において、前記高周波源と、前記基板支持体と、前記複数の金属ストラップと、前記ライナと、面板と、の間の閉じた高周波回路が形成される、請求項１９に記載の処理方法。