JP7724362B2 - Ｅｕｖ透過膜の製造方法及びペリクル - Google Patents
Ｅｕｖ透過膜の製造方法及びペリクルInfo
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Description
本発明は、ＥＵＶ透過膜の製造方法及びペリクルに関するものである。
半導体製造プロセスにおける微細化が年々進行しており、各工程で様々な改良がなされている。特に、フォトリソグラフィ工程においては、従来のＡｒＦ露光の波長１９３ｎｍに代えて、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（極端紫外線）光が使用され始めた。その結果、波長が一気に１／１０以下になり、その光学的特性は全く異なるものとなった。しかし、ＥＵＶ光に対して高透過率を有する物質が無いため、例えばフォトマスク（レチクル（ｒｅｔｉｃｌｅ））のパーティクル付着防止膜であるペリクル（ｐｅｌｌｉｃｌｅ）にはまだ実用的な物が存在しない。このため、デバイスメーカーはペリクルを使うことができずに半導体デバイスの製造を行っているのが現状である。
そこで、ポリＳｉベースのペリクル膜が提案されている。例えば、特許文献１（特許第６８５８８１７号公報）には、コア層が（ポリ）Ｓｉ等のＥＵＶ放射に実質的に透明な材料を含むコア層と、ＩＲ放射を吸収する材料を含むキャップ層とを備えたペリクル膜が開示されている。しかしながら、ポリＳｉベースのペリクル膜は、膜強度を保持するための厚さとした場合、ＥＵＶ透過率は目標の９０％に到達できず、いまだ実用的ではない。
また、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）ベースのペリクル膜も開発されており（例えば特許文献２（特開２０１８－１９４８４０号公報））、より高いＥＵＶ透過率が期待される。ＣＮＴベースのペリクル膜ではペリクル使用環境（低圧水素雰囲気）に対する耐久性が無く、耐久性を持たせるためにペリクル膜に金属を被覆すると、ＥＵＶ透過率が低下してしまい実用レベルの透過率を達成できなくなるのが実情である。
ペリクル膜を製造するための様々な方法が提案されている。例えば、非特許文献１（Dario L. Goldfarb, "Fabrication of a full size EUV pellicle based on silicon nitride", Volume 31, Issue 12, PHOTOMASK, SPIE, 2015）には、ペリクル膜としてＳｉＮｘ自立膜を製造する方法が開示されている。その基本的な方法は以下のとおりである。まず、Ｓｉ基板の両面にペリクル膜となるＳｉＮｘ膜を成膜する（工程Ａ）。次いで、成膜したＳｉＮｘをエッチングするための反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）マスクを片面にのみ形成する（工程Ｂ）。ＲＩＥによりＳｉＮｘの一部を除去してＳｉ基板を露出させる（工程Ｃ）。Ｓｉ基板の両面をアモルファスＳｉでコーティングした後、Ｓｉ基板の外形をダイシングする（工程Ｄ）。最後に、ＳｉＮｘ膜をマスクとして、Ｓｉ基板をウェットエッチングしてＳｉＮｘ自立膜とする（工程Ｅ）。
Dario L. Goldfarb, "Fabrication of a full size EUV pellicle based on silicon nitride", Volume 31, Issue 12, PHOTOMASK, SPIE, 2015
非特許文献１に開示されるような従来の製造方法を参考にペリクル膜としてＥＵＶ透過膜を作製しようと試みる場合、基板にＥＵＶ透過膜を形成した後、基板の不要部分をエッチングで除去して自立膜化することが考えられる。図４Ａ及び４Ｂにそのような従来の製造プロセスの一例が示される。この従来プロセスにおいては、まず、Ｓｉウェハ等の基板１１０を用意する（図４Ａ（ａ））。この基板１１０の両面にＳｉＯ２層等のマスク層１１２を形成する。基板１１０の片面又は両面にレジストを塗布し、片面に所定サイズのレジストの穴ができるように、露光及び現像を行いエッチング用のレジストマスク（図示せず）を形成する。この基板１１０の一方の面をエッチングすることにより、マスク層１１２の露出部分をエッチング除去して、キャビティ領域Ｃに対応する開口部を形成する（図４Ａ（ｃ））。レジストマスクを除去した後、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）液等のエッチング液で基板１１０をエッチングして、基板１１０のキャビティ領域Ｃを所望の厚さに薄くすることでキャビティ１１４を形成する（図４Ａ（ｄ））。キャビティ１１４と反対側の面に存在するマスク層１１２をエッチング除去して、キャビティ基板１１５を得る（図４Ｂ（ｅ））。キャビティ基板１１５のキャビティ１１４と反対側の面にＥＵＶ透過膜１１６を形成する（図４Ｂ（ｆ））。最後に、自立膜化させる部分に対応する基板１１０をエッチング除去して、ＥＵＶ透過膜１１６を自立膜化させる（図４Ｂ（ｇ））。こうして、枠状に残された基板１１０及びマスク層１１２を含むフレーム１１７と、ＥＵＶ透過膜１１６とを有するペリクル１１８を得る。
しかしながら、こうして作製されたペリクル１１８には、図４Ｂ（ｇ）及び図４Ｃに示されるように、枠状のマスク層１１２の内縁部１１２ａがキャビティ１１４に向かって延在した庇状に残留する。これは、キャビティ１１４形成のためのＳｉウェハ等の基板１１０が下面からエッチングされる際に、エッチングが図中上方向に進行するにつれて、横方向にもサイドエッチングされるためである。このようにキャビティ１１４に向かって庇状に延在した状態でマスク層１１２を残したままにすると、強度的に弱い庇状の内縁部１１２ａが破損してパーティクル（粉塵）が発生し、パーティクルがＥＵＶ透過膜１１６上に付着しやすい。ＥＵＶ透過膜１１６にパーティクルが付着していると、露光時にパーティクル部分でＥＵＶ光が遮蔽されてしまい、マスクパターンが正確に転写されないという露光不良が生じる。一方、マスク層１１２を基板１１０のエッチング後に除去することも考えられるが、そのための工数や費用が発生してしまうと共に、既にＥＵＶ透過膜１１６の自立膜化が完了しているため、自立膜の破損リスクが高いプロセスの追加となる。そこで、マスク層１１２がキャビティ１１４から延在した庇状に残留するのを回避する製造方法が望まれる。
本発明者らは、今般、基板のキャビティ側の面にＥＵＶ透過膜を形成し、キャビティと反対側の面から基板をエッチング除去してＥＵＶ透過膜を自立膜化することにより、マスク層がキャビティに向かって延在した庇状に残留するのを回避して、パーティクルが発生しにくい効率的な手法で高品質なＥＵＶ透過膜又はペリクルを製造できるとの知見を得た。
したがって、本発明の目的は、マスク層がキャビティに向かって延在した庇状に残留するのを回避して、パーティクルが発生しにくい効率的な手法で高品質なＥＵＶ透過膜又はペリクルを製造することにある。
本発明の一態様によれば、
第一面及び第二面を有する基板を用意する工程と、
前記第一面の全領域と、前記第二面の中央に位置するキャビティ領域以外の周辺領域とをマスク層で覆う工程と、
前記キャビティ領域に露出する前記基板を部分的にエッチング除去して、キャビティを形成する工程と、
前記第一面を覆う前記マスク層をエッチング除去する工程と、
前記基板の前記キャビティ側の表面及び前記第二面を覆う前記マスク層の表面にＥＵＶ透過膜を形成する工程と、
前記第一面から前記基板を、前記ＥＵＶ透過膜が前記キャビティと反対側に露出するまでエッチング除去して、前記キャビティ領域における前記ＥＵＶ透過膜を自立膜化する工程と、
を含む、ＥＵＶ透過膜の製造方法が提供される。
第一面及び第二面を有する基板を用意する工程と、
前記第一面の全領域と、前記第二面の中央に位置するキャビティ領域以外の周辺領域とをマスク層で覆う工程と、
前記キャビティ領域に露出する前記基板を部分的にエッチング除去して、キャビティを形成する工程と、
前記第一面を覆う前記マスク層をエッチング除去する工程と、
前記基板の前記キャビティ側の表面及び前記第二面を覆う前記マスク層の表面にＥＵＶ透過膜を形成する工程と、
前記第一面から前記基板を、前記ＥＵＶ透過膜が前記キャビティと反対側に露出するまでエッチング除去して、前記キャビティ領域における前記ＥＵＶ透過膜を自立膜化する工程と、
を含む、ＥＵＶ透過膜の製造方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
第一面及び第二面を有する基板を用意する工程と、
前記第一面の全領域と、前記第二面の中央に位置するキャビティ領域以外の周辺領域とをマスク層で覆う工程と、
前記キャビティ領域に露出する前記基板を部分的にエッチング除去して、キャビティを形成する工程と、
前記第一面を覆う前記マスク層、及び前記第二面の前記周辺領域を覆う前記マスク層をエッチング除去する工程と、
前記基板の前記キャビティ側の表面にＥＵＶ透過膜を形成する工程と、
前記第一面から前記基板を、前記ＥＵＶ透過膜が前記キャビティと反対側に露出するまでエッチング除去して、前記キャビティ領域における前記ＥＵＶ透過膜を自立膜化する工程と、
を含む、ＥＵＶ透過膜の製造方法が提供される。
第一面及び第二面を有する基板を用意する工程と、
前記第一面の全領域と、前記第二面の中央に位置するキャビティ領域以外の周辺領域とをマスク層で覆う工程と、
前記キャビティ領域に露出する前記基板を部分的にエッチング除去して、キャビティを形成する工程と、
前記第一面を覆う前記マスク層、及び前記第二面の前記周辺領域を覆う前記マスク層をエッチング除去する工程と、
前記基板の前記キャビティ側の表面にＥＵＶ透過膜を形成する工程と、
前記第一面から前記基板を、前記ＥＵＶ透過膜が前記キャビティと反対側に露出するまでエッチング除去して、前記キャビティ領域における前記ＥＵＶ透過膜を自立膜化する工程と、
を含む、ＥＵＶ透過膜の製造方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
第一面及び第二面を有し、かつ、中央にキャビティを有する基板と、
前記基板の第二面を覆うマスク層と、
前記マスク層の表面及び前記基板の前記キャビティの内表面を連続的に覆い、かつ、前記第一面と同じ高さで前記キャビティの底面を構成する自立膜として露出する、ＥＵＶ透過膜と、
を備えた、ペリクルが提供される。
第一面及び第二面を有し、かつ、中央にキャビティを有する基板と、
前記基板の第二面を覆うマスク層と、
前記マスク層の表面及び前記基板の前記キャビティの内表面を連続的に覆い、かつ、前記第一面と同じ高さで前記キャビティの底面を構成する自立膜として露出する、ＥＵＶ透過膜と、
を備えた、ペリクルが提供される。
本発明の他の一態様によれば、
第一面及び第二面を有し、かつ、中央にキャビティを有する基板と、
前記基板の第二面及び前記キャビティの内表面を連続的に覆い、かつ、前記第一面と同じ高さで前記キャビティの底面を構成する自立膜として露出する、ＥＵＶ透過膜と、
を備えた、ペリクルが提供される。
第一面及び第二面を有し、かつ、中央にキャビティを有する基板と、
前記基板の第二面及び前記キャビティの内表面を連続的に覆い、かつ、前記第一面と同じ高さで前記キャビティの底面を構成する自立膜として露出する、ＥＵＶ透過膜と、
を備えた、ペリクルが提供される。
ＥＵＶ透過膜の製造方法
本発明によるＥＵＶ透過膜の製造方法は、（１）基板の用意、（２）マスク層の形成、（３）キャビティの形成、（４）マスク層の除去、（５）ＥＵＶ透過膜の形成、及び（６）ＥＵＶ透過膜の自立膜化の各工程を含む。本発明においては、基板のキャビティ側の面にＥＵＶ透過膜を形成し、キャビティと反対側の面から基板をエッチング除去してＥＵＶ透過膜を自立膜化する。こうすることで、マスク層がキャビティに向かって延在した庇状に残留するのを回避して、パーティクルが発生しにくい効率的な手法で高品質なＥＵＶ透過膜又はペリクルを製造できることができる。その詳細については以下の説明で明らかにする。
本発明によるＥＵＶ透過膜の製造方法は、（１）基板の用意、（２）マスク層の形成、（３）キャビティの形成、（４）マスク層の除去、（５）ＥＵＶ透過膜の形成、及び（６）ＥＵＶ透過膜の自立膜化の各工程を含む。本発明においては、基板のキャビティ側の面にＥＵＶ透過膜を形成し、キャビティと反対側の面から基板をエッチング除去してＥＵＶ透過膜を自立膜化する。こうすることで、マスク層がキャビティに向かって延在した庇状に残留するのを回避して、パーティクルが発生しにくい効率的な手法で高品質なＥＵＶ透過膜又はペリクルを製造できることができる。その詳細については以下の説明で明らかにする。
図１Ａ～４Ｂに本発明の幾つかの態様によるＥＵＶ透過膜の製造方法を示す。これらの図面を参照しながら、以下に各工程を説明する。
（１）基板の用意
図１Ａ（ａ）及び図２Ａ（ａ）に示されるように、基板１０を用意する。基板１０は、第一面１０ａ及び第二面１０ｂを有する。第二面１０ｂは後の工程でキャビティが形成される側であり、第一面１０ａは後の工程でキャビティが形成されない側である。基板１０は、その上にＥＵＶ透過膜１６が形成されるための支持体であるが、最終的に、ＥＵＶ透過膜１６を自立膜化するためにキャビティ領域Ｃがエッチング除去され、それ以外の周辺領域Ｐがフレームとして残されることになるものである。したがって、基板１０は、ＥＵＶ透過膜１６を形成するための望ましい下地を与えるとともに、エッチング除去可能な材料であることが望まれる。そのような基板１０は特に限定されないが、好ましくはＳｉ基板（例えばＳｉウェハー）である。
図１Ａ（ａ）及び図２Ａ（ａ）に示されるように、基板１０を用意する。基板１０は、第一面１０ａ及び第二面１０ｂを有する。第二面１０ｂは後の工程でキャビティが形成される側であり、第一面１０ａは後の工程でキャビティが形成されない側である。基板１０は、その上にＥＵＶ透過膜１６が形成されるための支持体であるが、最終的に、ＥＵＶ透過膜１６を自立膜化するためにキャビティ領域Ｃがエッチング除去され、それ以外の周辺領域Ｐがフレームとして残されることになるものである。したがって、基板１０は、ＥＵＶ透過膜１６を形成するための望ましい下地を与えるとともに、エッチング除去可能な材料であることが望まれる。そのような基板１０は特に限定されないが、好ましくはＳｉ基板（例えばＳｉウェハー）である。
基板１０は、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板であってもよい。図３Ａ（ａ）に示されるように、ＳＯＩ基板１０’は、Ｓｉ基板１０ｃ、ＳｉＯ２層１０ｄ、及びＳｉ層１０ｅから構成され、ＳｉＯ２層１０ｄがＳｉ基板１０ｃ及びＳｉ層１０ｅの間に介在する。この場合、第一面１０ａがＳｉ層１０ｅの表面であり、かつ、第二面１０ｂがＳｉ基板１０ｃの表面である。ＳＯＩ基板１０’を用いることで、Ｓｉ基板１０ｃのエッチング（Ｓｉエッチング）の際にＳｉＯ２層１０ｄでエッチングを正確に停止することができる。このため、Ｓｉエッチングのし過ぎによる不具合（例えば基板１０が薄くなりすぎることに起因する自立膜の弛み）を回避しやすいという利点がある。
（２）マスク層の形成
図１Ａ（ｂ）及び（ｃ）並びに図２Ａ（ｂ）及び（ｃ）に示されるように、基板１０における、第一面１０ａの全領域と、第二面１０ｂの中央に位置するキャビティ領域Ｃ以外の周辺領域Ｐとをマスク層１２で覆う。マスク層１２は、基板１０のエッチングに用いるウェットエッチング液（例えばＳｉエッチングに用いるＴＭＡＨ）に対して耐食性を有する材質であれば特に限定されない。好ましいマスク層１２はＳｉＯ２膜である。マスク層１２はいかなる方法で形成されてもよい。例えば、ＳｉＯ２膜の形成は、化学気相成長（ＣＶＤ）又は熱酸化により行われるのが好ましい。また、ＳｉＯ２膜の厚さは１００～１０００ｎｍが好ましい。
図１Ａ（ｂ）及び（ｃ）並びに図２Ａ（ｂ）及び（ｃ）に示されるように、基板１０における、第一面１０ａの全領域と、第二面１０ｂの中央に位置するキャビティ領域Ｃ以外の周辺領域Ｐとをマスク層１２で覆う。マスク層１２は、基板１０のエッチングに用いるウェットエッチング液（例えばＳｉエッチングに用いるＴＭＡＨ）に対して耐食性を有する材質であれば特に限定されない。好ましいマスク層１２はＳｉＯ２膜である。マスク層１２はいかなる方法で形成されてもよい。例えば、ＳｉＯ２膜の形成は、化学気相成長（ＣＶＤ）又は熱酸化により行われるのが好ましい。また、ＳｉＯ２膜の厚さは１００～１０００ｎｍが好ましい。
マスク層１２の形成は、以下のように行うことができる。まず、基板１０の第一面１０ａ及び第二面１０ｂにマスク層１２を形成する（図１Ａ（ｂ）及び図２Ａ（ｂ））。次に、第一面１０ａ及び第二面１０ｂにレジストを塗布し、第二面１０ｂ側にキャビティ領域Ｃに対応するレジストの開口部ができるように露光及び現像を行い、レジストマスク（図示せず）を形成する。キャビティ領域Ｃのサイズは、作製しようとするＥＵＶ透過膜１６のサイズに対応する。フッ酸等のエッチング液でウェットエッチングすることにより、レジストマスクの開口部におけるマスク層１２の露出部分をエッチング除去した後、レジストマスクを除去する。こうして、キャビティ領域Ｃに開口部を有するマスク層１２を得る（図１Ａ（ｃ）及び図２Ａ（ｃ））。
（３）キャビティの形成
図１Ａ（ｄ）及び図２Ａ（ｄ）に示されるように、キャビティ領域Ｃに露出する基板１０を部分的にエッチング除去して、キャビティ１４を形成する。すなわち、基板１０のキャビティ領域Ｃは、その上にＥＵＶ透過膜１６を形成した後、エッチングにより除去されることになる。したがって、エッチングを効率良く短時間で行うため、予め自立膜を形成すべき領域（すなわちキャビティ領域Ｃ）の基板１０の厚さを薄くしておくことが望まれる。そのため、マスク層１２の開口部から基板１０をエッチングしてキャビティ１４を形成することで、基板１０のキャビティ領域Ｃを薄くする。基板１０のエッチングは、ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれであってもよく、特に限定されない。エッチャントは、基板１０をエッチング可能なものであれば特に限定されない。例えば、ドライプロセスであるＤｅｅｐＲＩＥ方法でエッチングを行う場合、図１Ａ（ｄ）のように、Ｓｉ基板はマスク層１２に対して垂直にエッチングされるため、マスク層１２が庇状に残留しにくくなる点で好ましい。Ｓｉ基板のウェットエッチングを行う場合、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）溶液が好ましい。ＴＭＡＨ溶液を適切な条件で使用すれば、Ｓｉに対する異方性エッチングで非常に良好なエッチングができる。特に、異方性エッチングは、キャビティ１４を形成する際、基板１０の厚さ方向に直進性を伴って（マスク層１２の直下に回り込みにくく）エッチングを行えるため、マスク層１２が庇状に残留しにくくなる点で、等方性エッチングよりも有利であるといえる。それにもかかわらず、ウェットエッチングを行う場合、図２Ａ（ｄ）のように、Ｓｉ基板は垂直方向のみならず液の回り込みによって横方向にもエッチングされるためマスク層１２が一時的に庇状に残留することがあるが、図２Ａ及び２Ｂに示される態様ではその後の工程で図２Ｂ（ｅ）のようにマスク層１２が除去されるため、マスク層１２が庇状に残留するのを回避することができる。
図１Ａ（ｄ）及び図２Ａ（ｄ）に示されるように、キャビティ領域Ｃに露出する基板１０を部分的にエッチング除去して、キャビティ１４を形成する。すなわち、基板１０のキャビティ領域Ｃは、その上にＥＵＶ透過膜１６を形成した後、エッチングにより除去されることになる。したがって、エッチングを効率良く短時間で行うため、予め自立膜を形成すべき領域（すなわちキャビティ領域Ｃ）の基板１０の厚さを薄くしておくことが望まれる。そのため、マスク層１２の開口部から基板１０をエッチングしてキャビティ１４を形成することで、基板１０のキャビティ領域Ｃを薄くする。基板１０のエッチングは、ウェットエッチング及びドライエッチングのいずれであってもよく、特に限定されない。エッチャントは、基板１０をエッチング可能なものであれば特に限定されない。例えば、ドライプロセスであるＤｅｅｐＲＩＥ方法でエッチングを行う場合、図１Ａ（ｄ）のように、Ｓｉ基板はマスク層１２に対して垂直にエッチングされるため、マスク層１２が庇状に残留しにくくなる点で好ましい。Ｓｉ基板のウェットエッチングを行う場合、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）溶液が好ましい。ＴＭＡＨ溶液を適切な条件で使用すれば、Ｓｉに対する異方性エッチングで非常に良好なエッチングができる。特に、異方性エッチングは、キャビティ１４を形成する際、基板１０の厚さ方向に直進性を伴って（マスク層１２の直下に回り込みにくく）エッチングを行えるため、マスク層１２が庇状に残留しにくくなる点で、等方性エッチングよりも有利であるといえる。それにもかかわらず、ウェットエッチングを行う場合、図２Ａ（ｄ）のように、Ｓｉ基板は垂直方向のみならず液の回り込みによって横方向にもエッチングされるためマスク層１２が一時的に庇状に残留することがあるが、図２Ａ及び２Ｂに示される態様ではその後の工程で図２Ｂ（ｅ）のようにマスク層１２が除去されるため、マスク層１２が庇状に残留するのを回避することができる。
ＳＯＩ基板１０’を用いる場合、キャビティ１４の形成は、図３Ａ（ｄ）及び図３Ｂ（ｅ）に示されるように、キャビティ１４がＳｉＯ２層１０ｄに達するまでＳｉ基板１０ｃをエッチング除去した後（図３Ａ（ｄ））、ＳｉＯ２層１０ｄをキャビティ１４から別途エッチング除去すること（図３Ｂ（ｅ））により行われるのが好ましい。Ｓｉ基板１０ｃのエッチングは、上述したとおりドライエッチング及びウェットエッチングのいずれで行ってもよい。この態様においては、ＳｉＯ２層１０ｄでエッチングを正確に停止することができるので、Ｓｉエッチングのし過ぎによる不具合（例えば基板１０が薄くなりすぎることに起因する自立膜の弛み）を回避することができる。その後行われるキャビティ１４内に露出したＳｉＯ２層１０ｄのエッチング除去はフッ酸を用いて行うのが好ましい。こうしてキャビティ１４内にはＳｉ層１０ｅが自立膜として露出することになる。
（４）マスク層の除去
図１Ｂ（ｅ）に示されるように、第一面１０ａを覆うマスク層１２をエッチング除去する。こうしてキャビティ１４を有する基板１０（すなわちキャビティ基板１５）を得る。マスク層１２のエッチング除去は、上述のとおり、フッ酸等のエッチング液でウェットエッチングすることにより行うことができる。こうして、キャビティ１４を有するキャビティ基板１５を得る。第二面１０ｂの周辺領域Ｐを覆うマスク層１２は残したままにすることができる。すなわち、後続の成膜工程においては、第二面１０ｂの周辺領域Ｐを覆うマスク層１２の上からでＥＵＶ透過膜１６を成膜することができる。これによりマスク除去プロセスを省くことが可能となる。
図１Ｂ（ｅ）に示されるように、第一面１０ａを覆うマスク層１２をエッチング除去する。こうしてキャビティ１４を有する基板１０（すなわちキャビティ基板１５）を得る。マスク層１２のエッチング除去は、上述のとおり、フッ酸等のエッチング液でウェットエッチングすることにより行うことができる。こうして、キャビティ１４を有するキャビティ基板１５を得る。第二面１０ｂの周辺領域Ｐを覆うマスク層１２は残したままにすることができる。すなわち、後続の成膜工程においては、第二面１０ｂの周辺領域Ｐを覆うマスク層１２の上からでＥＵＶ透過膜１６を成膜することができる。これによりマスク除去プロセスを省くことが可能となる。
もっとも、変形態様として、第二面１０ｂの周辺領域Ｐを覆うマスク層１２もエッチング除去してもよい。すなわち、図１Ｃ（ｅ’）及び図２Ｂ（ｅ）に示されるように、第一面１０ａを覆うマスク層１２、及び第二面１０ｂの周辺領域Ｐを覆うマスク層１２の両方をエッチング除去してもよい。第二面１０ｂの周辺領域Ｐを覆うマスク層１２もエッチング除去することで、マスク層１２が一切存在しなくなるため、マスク層１２が庇状に残留するのを回避することができる。
ＳＯＩ基板１０’を用いる場合であっても、図３Ｂ（ｆ）に示されるように、第一面１０ａを覆うマスク層１２を上記同様にエッチング除去すればよい。
（５）ＥＵＶ透過膜の形成
図１Ｂ（ｆ）に示されるように、基板１０のキャビティ１４側の表面及び第二面１０ｂを覆うマスク層１２の表面にＥＵＶ透過膜１６を形成する。あるいは、図１Ｃ（ｆ’）及び図２Ｂ（ｆ）に示されるような変形態様においては、基板１０のキャビティ１４側の表面にＥＵＶ透過膜１６を形成する。すなわち、従来の方法ではキャビティ１４を形成した面と反対側の平坦な面にＥＵＶ透過膜１６の成膜が行われてきたが、本発明では敢えて基板１０のキャビティ１４を形成した側の非平坦面から（そこにマスク層１２がある場合にはその上から）成膜を行う。これに伴う利点については次の工程において後述するものとする。
図１Ｂ（ｆ）に示されるように、基板１０のキャビティ１４側の表面及び第二面１０ｂを覆うマスク層１２の表面にＥＵＶ透過膜１６を形成する。あるいは、図１Ｃ（ｆ’）及び図２Ｂ（ｆ）に示されるような変形態様においては、基板１０のキャビティ１４側の表面にＥＵＶ透過膜１６を形成する。すなわち、従来の方法ではキャビティ１４を形成した面と反対側の平坦な面にＥＵＶ透過膜１６の成膜が行われてきたが、本発明では敢えて基板１０のキャビティ１４を形成した側の非平坦面から（そこにマスク層１２がある場合にはその上から）成膜を行う。これに伴う利点については次の工程において後述するものとする。
ＥＵＶ透過膜１６は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｒ及びＧａからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される主層を有するのが好ましい。これらの金属は、Ｓｉ基板等の基板１０をＸｅＦ２ガスでエッチング除去してＥＵＶ透過膜１６を自立膜化する際に、ＸｅＦ２ガスによって浸食されにくいという利点がある。これは、ＸｅＦ２の沸点である１１４℃と比較して、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｒ及びＧａの各々のフッ化物の沸点が、１７５０℃（ＮｉＦ２）、１２６０℃（ＡｌＦ３）、１１６９℃（ＢｅＦ２）、１１００℃（ＣｒＦ２）、９５０℃（ＧａＦ３）と極めて高いという事実によって裏付けられるものである。沸点が高いということは蒸気圧が低く、それだけＸｅＦ２ガスでエッチングされにくいといえるためである。ＥＵＶ透過膜としての観点から、特に好ましい主層はＢｅ（金属ベリリウム）で構成される。ＢｅはＳｉやＣよりも高いＥＵＶ透過率を有しているため、実用レベルの高いＥＵＶ透過率（例えば９３％以上）を呈する。また、ＥＵＶ透過膜１６は、主層の少なくとも片面（好ましくは両面）を覆う保護層をさらに備えるのが主層を保護する観点から好ましい。主層がＢｅで構成される場合、保護層を構成する材料の好ましい例としては、窒化ベリリウム、酸化ベリリウム、及びフッ化ベリリウムが挙げられる。
ＥＵＶ透過膜１６の形成は、いかなる成膜手法により行われてもよい。好ましい成膜手法の例としては、スパッタリング法やＣＶＤ（化学蒸着）が挙げられる。上述のとおり、本発明では、基板１０のキャビティ１４を形成した側の非平坦面から成膜を行うが、スパッタリングのような回り込み性に劣る成膜方法であっても、Ｓｉ基板等の基板１０は厚さが通常１ｍｍ以下のため、キャビティ１４内面であっても、平坦面に成膜する場合と膜厚に大きな違いは生じない。
例えば、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造を作製する場合、主層としてのベリリウム膜は、純Ｂｅターゲットを用いたスパッタリングにより作製し、保護層としての窒化ベリリウム膜は、反応性スパッタリングにより行うのが好ましい。この反応性スパッタリングは、例えば、純Ｂｅターゲットを用いたスパッタリング中に、チャンバー内に窒素ガスを入れることで、ベリリウムと窒素が反応して窒化ベリリウムを生成することにより行うことができる。後述するように、窒化ベリリウム膜はベリリウム膜に向かって窒素濃度が減少する傾斜組成層（後述する窒素濃度傾斜領域で構成される層）を有していてもよい。この場合の好ましい手順の一例は以下のとおりである。まず、雰囲気ガスとして通常使用するＡｒに加えて、窒素ガスを導入しながらＢｅスパッタリングを行うことで窒化ベリリウムを成膜する。所定厚さの窒化ベリリウム膜を形成した後、窒素ガス量を減らしながらＢｅスパッタリングを行うことで、傾斜組成層を形成する。傾斜組成層を形成したところで、その後の窒素ガスの導入を止め、ベリリウム層を所定の厚さに形成する。その後、窒素ガス導入量を増やしながら傾斜組成層を再度形成し、最外層ととして窒化ベリリウム膜を反応性スパッタリングで再度形成する。
また、別の手法として、窒化ベリリウムの作製は、ベリリウム膜を形成した後、窒素プラズマを照射することでベリリウムを窒化反応させて窒化ベリリウムを生成させることにより行うこともできる。いずれにしても、窒化ベリリウムの合成手法はこれらに限定されるものではない。なお、窒化ベリリウム膜形成用のベリリウムターゲットと、ベリリウム膜形成用のベリリウムターゲットは、別々のものを用いるのが好ましいが、窒化ベリリウム膜形成とベリリウム膜形成で同一のターゲットを用いることも可能である。なお、窒化ベリリウム膜とベリリウム膜は後述する実施例のように１つのチャンバーのスパッタリング装置で形成してもよいし、２チャンバーのスパッタリング装置を用いて窒化ベリリウム膜とベリリウム膜を別々のチャンバー内で形成してもよい。
ＳＯＩ基板１０’を用いる場合であっても、図３Ｂ（ｇ）に示されるように、ＳＯＩ基板１０’のキャビティ１４側の表面及び第二面１０ｂを覆うマスク層１２の表面にＥＵＶ透過膜１６を上記同様にして形成すればよい。
（６）ＥＵＶ透過膜の自立膜化
図１Ｂ（ｇ）、図１Ｃ（ｇ’）及び図２Ｂ（ｇ）、に示されるように、第一面１０ａから基板１０を、ＥＵＶ透過膜１６がキャビティ１４と反対側に露出するまでエッチング除去して、キャビティ領域ＣにおけるＥＵＶ透過膜１６を自立膜化する。このように、ＥＵＶ透過膜１６を自立膜化するための基板１０（例えばＳｉ基板）のエッチングは、キャビティ１４内面から基板１０のエッチングが行われていた従来プロセスとは異なり、基板１０のキャビティ１４と反対側の平坦な面から行われる。このことは以下の幾つかの利点をもたらす。
図１Ｂ（ｇ）、図１Ｃ（ｇ’）及び図２Ｂ（ｇ）、に示されるように、第一面１０ａから基板１０を、ＥＵＶ透過膜１６がキャビティ１４と反対側に露出するまでエッチング除去して、キャビティ領域ＣにおけるＥＵＶ透過膜１６を自立膜化する。このように、ＥＵＶ透過膜１６を自立膜化するための基板１０（例えばＳｉ基板）のエッチングは、キャビティ１４内面から基板１０のエッチングが行われていた従来プロセスとは異なり、基板１０のキャビティ１４と反対側の平坦な面から行われる。このことは以下の幾つかの利点をもたらす。
第一に、ＥＵＶ透過膜１６がエッチャントに対する耐性を有する（あるいはエッチャントに対する耐性を有する保護膜を有している）ため、Ｓｉ基板等の基板１０のキャビティ１４表面における保護膜として機能し、キャビティ１４内面の基板１０がサイドエッチングされることを防ぐ。こうしてマスク層１２が庇状に残留することを防ぐことができる。すなわち、前述のとおり、従来プロセスではキャビティ１４の側面でサイドエッチングが発生し、その結果、図４Ｂ（ｇ）及び図４Ｃに示されるようにマスク層１１２がキャビティ１１４に向かって延在した庇状に残留するという問題があった。この状態のままであると、強度的に弱い庇状の内縁部１１２ａが破損してパーティクル（粉塵）が発生し、パーティクルがＥＵＶ透過膜１１６上に付着しやすくなる。ＥＵＶ透過膜１１６にパーティクルが付着していると、露光時にパーティクル部分でＥＵＶ光が遮蔽されてしまい、マスクパターンが正確に転写されないという露光不良が生じる。これに対し、本発明の方法はＥＵＶ透過膜１６でキャビティ１４やマスク層１２が被覆してあるため、サイドエッチングが起こらず、その結果、マスク層１２が庇状に残留することを防ぐことができる。なお、マスク層１２を基板１０のエッチング後に除去することも考えられるが、そのための工数や費用が発生してしまうと共に、既にＥＵＶ透過膜１６の自立膜化が完了しているため、自立膜の破損リスクが高いプロセスの追加となる。本発明の方法はそのようなプロセスの追加は不要である。
第二に、基板１０のエッチングがキャビティ１４の無い平坦な面で進行するため、基板１０のキャビティ１４側の面からのエッチングと比べて、平坦部と非平坦部（角部等）の形状の違いに起因するエッチングムラが生じにくく、均一なエッチングが可能となる。すなわち、従来プロセスにおけるキャビティ１４内面からのエッチングでは、エッチャントの拡散ムラなどにより、場所によるエッチングムラが発生していたが、本発明の方法では平坦面のエッチングでＥＵＶ透過膜１６を自立膜化できるため、エッチングムラが発生しにくい。したがって、本発明の方法によれば高品質なＥＵＶ透過膜１６又はペリクル１８を製造できる。
このように本発明の方法によれば、マスク層１２がキャビティ１４に向かって延在した庇状に残留するのを回避して、パーティクルが発生しにくい効率的な手法で高品質なＥＵＶ透過膜又はペリクルを製造することができる。
ＥＵＶ透過膜１６を自立膜化するための基板１０のエッチングは、ＥＵＶ透過膜１６を浸食しないエッチングにより行われるのが好ましい。例えば、Ｓｉ基板のエッチングを行う場合、ＸｅＦ２ガスでエッチングを行うのが好ましい。
ＳＯＩ基板１０’を用いる場合であっても、図３Ｂ（ｈ）に示されるように、ＥＵＶ透過膜１６の自立膜化は、第一面１０ａからＳＯＩ基板１０’（具体的にはＳｉ層１０ｅ）を、ＥＵＶ透過膜１６がキャビティ１４と反対側に露出するまで上記同様にしてエッチング除去すればよい。こうしてキャビティ領域ＣにおけるＥＵＶ透過膜１６を自立膜化した結果、ＥＵＶ透過膜１６の自立膜部分とＳｉＯ２層１０ｄがキャビティ１４と反対側の同一平面上に露出することになる。本態様ではＳｉ層１０ｅの下にはＳｉＯ２層１０ｄが存在するため、Ｓｉ層１０ｅを除去するためのＸｅＦ２エッチングにおけるエッチング時間管理を厳密に行わなくても、エッチングをＳｉＯ２層１０ｄで停止することができる。
こうして基板１０又はＳＯＩ基板１０’をエッチング除去した結果、キャビティ領域ＣにおけるＥＵＶ透過膜１６が自立膜となる。一方、キャビティ領域以外の周辺領域Ｐには、基板１０、マスク層１２及びＥＵＶ透過膜１６の３層（図１Ｂ（ｇ））、基板１０及びＥＵＶ透過膜１６の２層（図１Ｃ（ｇ’）及び図２Ｂ（ｇ））、又はＳｉＯ２層１０ｄ、Ｓｉ基板１０ｃ、マスク層１２及びＥＵＶ透過膜１６の４層（図３Ｂ（ｈ））が残され、自立膜を支持するためのフレーム１７を成す。こうして、ＥＵＶ透過膜１６（ペリクル膜）及びフレーム１７を有するペリクル１８が得られる。
ペリクル
上述のとおり、本発明の製造方法により、ＥＵＶ透過膜及びそれを備えたペリクルが製造される。
上述のとおり、本発明の製造方法により、ＥＵＶ透過膜及びそれを備えたペリクルが製造される。
図１Ｂ（ｇ）に示されるように、本発明の一態様によるペリクル１８は、基板１０と、マスク層１２と、ＥＵＶ透過膜１６とを備える。基板１０は、第一面１０ａ及び第二面１０ｂを有し、かつ、中央にキャビティ１４を有する。マスク層１２は、基板１０の第二面１０ｂを覆う。ＥＵＶ透過膜１６は、マスク層１２の表面及び基板１０のキャビティ１４の内表面を連続的に覆い、かつ、第一面１０ａと同じ高さでキャビティ１４の底面を構成する自立膜として露出する。
図１Ｃ（ｇ’）及び図２Ｂ（ｇ）に示されるように、本発明の他の態様によるペリクル１８’は、基板１０と、ＥＵＶ透過膜１６とを備える。基板１０は、第一面１０ａ及び第二面１０ｂを有し、かつ、中央にキャビティ１４を有する。ＥＵＶ透過膜１６は、基板１０の第二面１０ｂ及びキャビティ１４の内表面を連続的に覆い、かつ、第一面１０ａと同じ高さでキャビティ１４の底面を構成する自立膜として露出する。
いずれの態様においても、図３Ｂ（ｈ）に示されるペリクル１８’’のように、基板１０は、Ｓｉ基板１０ｃ及びＳｉＯ２層１０ｄの２層で構成されていてもよい。これはＳＯＩ基板１０’を用いて製造されたペリクル１８’’における典型的な層構成である。
上述のとおり、ペリクル１８、１８’又は１８’’は、ＥＵＶ透過膜１６（ペリクル膜）及びフレーム１７を有する。フレーム１７は、基板１０、マスク層１２及びＥＵＶ透過膜１６の３層（図１Ｂ（ｇ））、基板１０及びＥＵＶ透過膜１６の２層（図１Ｃ（ｇ’）及び図２Ｂ（ｇ）））、又はＳｉＯ２層１０ｄ、Ｓｉ基板１０ｃ、マスク層１２（省略可）及びＥＵＶ透過膜１６の３又は４層（図３Ｂ（ｈ））で構成される。
ＥＵＶ透過膜の好ましい態様
上述したように、好ましい態様によるＥＵＶ透過膜は、主層と、主層の少なくとも片面（好ましくは両面）を覆う保護層とを備える。本態様において、主層は好ましくは金属ベリリウムで構成される一方、保護層は好ましくは窒化ベリリウムで構成される。このように、金属ベリリウムで構成される主層と、窒化ベリリウムで構成される保護層とを組み合わせることで、実用レベルの高いＥＵＶ透過率（例えば９３％以上）と、低圧水素雰囲気環境における耐久性とを兼ね備えた、ＥＵＶ透過膜を提供することができる。
上述したように、好ましい態様によるＥＵＶ透過膜は、主層と、主層の少なくとも片面（好ましくは両面）を覆う保護層とを備える。本態様において、主層は好ましくは金属ベリリウムで構成される一方、保護層は好ましくは窒化ベリリウムで構成される。このように、金属ベリリウムで構成される主層と、窒化ベリリウムで構成される保護層とを組み合わせることで、実用レベルの高いＥＵＶ透過率（例えば９３％以上）と、低圧水素雰囲気環境における耐久性とを兼ね備えた、ＥＵＶ透過膜を提供することができる。
本態様による主層は、金属ベリリウムで構成されるのが好ましい。もっとも、主層が完全に金属ベリリウムで構成される必要はなく、主層の好ましくは９９重量％以上、より好ましくは９９．５重量％以上、さらに好ましくは９９．８重量％以上が金属ベリリウムで構成されていればよい。ペリクル膜としての基本的機能（パーティクル付着防止機能等）を確保しながら、実用レベルの高いＥＵＶ透過率の実現に寄与する。かかる観点から、主層の厚さは、１０～７０ｎｍであるのが好ましく、より好ましくは１５～５０ｎｍ、さらに好ましくは２０～３５ｎｍである。
本態様による保護層は、金属ベリリウム層である主層を保護するための層である。したがって、保護層は、主層の少なくとも片面を覆っていればよいが、主層の両面を保護層で覆うのが好ましい。保護層は、窒化ベリリウムで構成されるのが好ましい。もっとも、主層が完全に窒化ベリリウムで構成される必要はなく、主層の９９重量％以上、好ましくは９９．５重量％以上、さらに好ましくは９９．８重量％以上が窒化ベリリウムで構成されていればよい。窒化ベリリウムはＥＵＶ透過率が高いため、同じ厚さで比較するとＲｕ層を形成したベリリウム膜よりもＥＵＶ透過率は高くなる。理論計算によると、厚さ３０ｎｍのベリリウム膜の両面に、厚さ３ｎｍのＲｕ膜を形成した場合の透過率は８５．８％であるが、厚さ３０ｎｍのベリリウム膜の両面に、厚さ３ｎｍの窒化ベリリウムを形成した場合の透過率は９１．１％となる。厚さ３０ｎｍのベリリウム膜の両面に、厚さ２ｎｍの窒化ベリリウムと厚さ１ｎｍの傾斜組成層（後述する窒素濃度傾斜領域で構成される層）を形成した場合の透過率は９１．１％を越える。ベリリウム層の両面に緻密な窒化ベリリウム層を形成することにより、後述するＳｉ基板のエッチングに用いられるＸｅＦ２ガスとの反応を抑制できる。また、ベリリウムは非常に反応性の高い材料のため、容易に酸化して酸化ベリリウムを形成するが、窒化ベリリウムの形成で酸化を抑制可能である。上記のとおり窒化ベリリウム層を保護層として用いることのメリットは、ＥＵＶ透過率の増大、エッチングプロセスにおけるベリリウム膜（主層）の保護、及び酸化防止である。
本態様による保護層の厚さは５ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは３ｎｍ以下である。主層の両面に厚さ３ｎｍの保護層を成膜することを考えると、厚さ３ｎｍの窒化ベリリウム膜ではＥＵＶ透過率が９５％と、Ｒｕ膜の９０％よりも格段に高い。保護層の厚さの下限値は特に限定されないが、薄すぎる場合には主層全面を被覆することが困難になったり、窒化ベリリウムの結晶性が悪く、窒化ベリリウムとしての物性が得られにくくなることがあるため、典型的には１ｎｍ以上である。なお、本明細書において「窒化ベリリウム」なる用語は、Ｂｅ３Ｎ２のような化学量論組成のみならず、Ｂｅ３Ｎ２－ｘ（式中０＜ｘ＜２である）のような非化学量論組成も許容する包括的な組成を意味するものとする。
保護層は、主層に近づくにつれて窒素濃度が減少する窒素濃度傾斜領域を有するのが好ましい。すなわち、上述のとおり保護層を構成する窒化ベリリウムの組成にはＢｅ３Ｎ２のような化学量論組成からＢｅ３Ｎ２－ｘ（式中０＜ｘ＜２である）のような非化学量論組成まで包含しうるところ、保護層を構成する窒化ベリリウムが、主層に近づくにつれてベリリウムリッチの組成に近づく傾斜組成とするのが好ましい。こうすることで、保護層（すなわち窒化ベリリウム層）と主層（すなわち金属ベリリウム層）との密着性を向上できるとともに、両層間の熱膨張差に起因する応力の発生を緩和することができる。すなわち、両層間の密着性を向上させて剥離を抑制したり、ＥＵＶ光を吸収して高温になった場合の両層間の熱膨張緩和層として剥離しにくくしたりすることができる。窒素濃度傾斜領域の厚さは、保護層の厚さよりも小さいのが好ましい。すなわち、保護層の厚さの全域が窒素濃度傾斜領域である必要はない。例えば、保護層の厚さの一部のみ、例えば、保護層の厚さのうち好ましくは１０～７０％の領域、より好ましくは１５～５０％の領域が窒素濃度傾斜領域であるのが好ましい。
本態様によるＥＵＶ透過膜１６は、実用レベルの高いＥＵＶ透過率を有することができ、好ましくは９１％以上、より好ましくは９２％以上、さらに好ましくは９３％以上のＥＵＶ透過率を有する。ＥＵＶ透過率は高ければ高いほど望ましいため、上限値は特に限定されないが、本態様によるＥＵＶ透過膜１６のＥＵＶ透過率は、典型的には９９％以下、より典型的には９８％以下、さらに典型的には９５％以下でありうる。
本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。
例１
図１Ａ及び１Ｂに示される手順に従い、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合自立膜（ＥＵＶ透過膜）を以下のようにして作製した。
図１Ａ及び１Ｂに示される手順に従い、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合自立膜（ＥＵＶ透過膜）を以下のようにして作製した。
（１）キャビティ基板の準備
基板１０として直径８インチ（２０．３２ｃｍ）のＳｉウェハを用意した（図１Ａ（ａ））。このＳｉウェハの両面に、マスク層１２として、熱酸化により厚さ１μｍのＳｉＯ２層を形成した（図１Ａ（ｂ））。ＳｉＯ２層が形成されたＳｉウェハの両面にレジストを塗布し、片面にキャビティ領域Ｃとして１１０ｍｍ×１４０ｍｍのレジストの穴ができるように、露光及び現像を行いＳｉＯ２エッチング用のレジストマスク（図示せず）を形成した。この基板の一方の面をフッ酸でウェットエッチングすることにより、キャビティ領域ＣにおけるＳｉＯ２膜の露出部分をエッチング除去してＳｉウェハを露出させた後、レジストマスクをアッシング装置で除去した（図１Ａ（ｃ））。その後、キャビティ領域Ｃの露出部分からＳｉウェハを反応性イオンエッチングで厚さ方向にドライエッチング（異方性エッチング）してキャビティ１４を形成した（図１Ａ（ｄ））。このとき、キャビティ１４の底部として残されるＳｉウェハの厚さが１０μｍ程度となるように、予めエッチングレートからエッチング時間を求めておき、そのエッチング時間分だけエッチングを行った。キャビティ１４と反対側の面のＳｉＯ２層をフッ酸により除去及び洗浄して、ＥＵＶ透過膜形成用のキャビティ基板１５を準備した（図１Ｂ（ｅ））。
基板１０として直径８インチ（２０．３２ｃｍ）のＳｉウェハを用意した（図１Ａ（ａ））。このＳｉウェハの両面に、マスク層１２として、熱酸化により厚さ１μｍのＳｉＯ２層を形成した（図１Ａ（ｂ））。ＳｉＯ２層が形成されたＳｉウェハの両面にレジストを塗布し、片面にキャビティ領域Ｃとして１１０ｍｍ×１４０ｍｍのレジストの穴ができるように、露光及び現像を行いＳｉＯ２エッチング用のレジストマスク（図示せず）を形成した。この基板の一方の面をフッ酸でウェットエッチングすることにより、キャビティ領域ＣにおけるＳｉＯ２膜の露出部分をエッチング除去してＳｉウェハを露出させた後、レジストマスクをアッシング装置で除去した（図１Ａ（ｃ））。その後、キャビティ領域Ｃの露出部分からＳｉウェハを反応性イオンエッチングで厚さ方向にドライエッチング（異方性エッチング）してキャビティ１４を形成した（図１Ａ（ｄ））。このとき、キャビティ１４の底部として残されるＳｉウェハの厚さが１０μｍ程度となるように、予めエッチングレートからエッチング時間を求めておき、そのエッチング時間分だけエッチングを行った。キャビティ１４と反対側の面のＳｉＯ２層をフッ酸により除去及び洗浄して、ＥＵＶ透過膜形成用のキャビティ基板１５を準備した（図１Ｂ（ｅ））。
（２）複合膜の形成
上記（１）で得られたキャビティ基板１５のキャビティ１４形成面に、キャビティ領域Ｃ（キャビティ１４の内面）のみならず周辺領域Ｐ（ＳｉＯ２層）を含む全域にわたって、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合膜を以下のようにして形成した（図１Ｂ（ｆ））。まず、スパッタリング装置にキャビティ基板１５をセットし、純Ｂｅターゲットを取り付けた。チャンバー内を真空引きし、内圧０．５Ｐａで、アルゴンガスと窒素ガス流量比が１：１となるよう調整し反応性スパッタリングを行い、窒化ベリリウムが２ｎｍ積層する時間を見計らって反応性スパッタリングを終了した。次いで、窒素ガスを導入しないで、アルゴンガスのみでスパッタリングを行い、ベリリウムが２５ｎｍ積層する時間を見計らってスパッタリングを終了した。その後、最初と同様に再度窒素ガスを導入しつつ、反応性スパッタリングを行い、窒化ベリリウムが２ｎｍ積層する時間を見計らって反応性スパッタリングを終了した。このようにして、窒化ベリリウム２ｎｍ／ベリリウム２５ｎｍ／窒化ベリリウム２ｎｍの複合膜をＥＵＶ透過膜１６として形成した。
上記（１）で得られたキャビティ基板１５のキャビティ１４形成面に、キャビティ領域Ｃ（キャビティ１４の内面）のみならず周辺領域Ｐ（ＳｉＯ２層）を含む全域にわたって、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合膜を以下のようにして形成した（図１Ｂ（ｆ））。まず、スパッタリング装置にキャビティ基板１５をセットし、純Ｂｅターゲットを取り付けた。チャンバー内を真空引きし、内圧０．５Ｐａで、アルゴンガスと窒素ガス流量比が１：１となるよう調整し反応性スパッタリングを行い、窒化ベリリウムが２ｎｍ積層する時間を見計らって反応性スパッタリングを終了した。次いで、窒素ガスを導入しないで、アルゴンガスのみでスパッタリングを行い、ベリリウムが２５ｎｍ積層する時間を見計らってスパッタリングを終了した。その後、最初と同様に再度窒素ガスを導入しつつ、反応性スパッタリングを行い、窒化ベリリウムが２ｎｍ積層する時間を見計らって反応性スパッタリングを終了した。このようにして、窒化ベリリウム２ｎｍ／ベリリウム２５ｎｍ／窒化ベリリウム２ｎｍの複合膜をＥＵＶ透過膜１６として形成した。
（３）自立膜化
上記（２）で得られたＥＵＶ透過膜１６付きのキャビティ基板１５を、ＸｅＦ２エッチャーのチャンバー内に、キャビティ１４と反対側の面（すなわちＳｉ基板１０の露出面）がＸｅＦ２エッチングされるようにセットし、チャンバー内を十分真空引きした。このとき、チャンバー内に水分が残留していると、ＸｅＦ２ガスと反応してフッ酸を生じ、エッチャーの腐食や想定外のエッチングが起きてしまうため、十分な真空引きを行った。必要に応じて、チャンバー内を、真空引きと窒素ガス導入を繰り返し、残留水分を減らした。十分に真空引きが出来たところで、ＸｅＦ２原料ボンベと予備室の間のバルブを開いた。その結果、ＸｅＦ２が昇華して予備室内にもＸｅＦ２ガスが蓄積された。十分に予備室内にＸｅＦ２ガスが蓄積されたところで、予備室とチャンバーの間のバルブを開き、ＸｅＦ２ガスをチャンバー内に導入した。ＸｅＦ２ガスはＳｉと反応してＳｉＦ４とＸｅを生成した。ＳｉＦ４の沸点は－９５℃であるため、生成したＳｉＦ４は速やかに蒸発し、新たに露出したＳｉ基板とＦの反応が引き起こされた。Ｓｉエッチングが進行し、チャンバー内のＸｅＦ２が減少したところで、チャンバー内を真空引きし、再度ＸｅＦ２ガスをチャンバー内に導入しエッチングを行った。このようにして、真空引き、ＸｅＦ２ガス導入、及びエッチングを繰り返して、自立膜化させる部分に対応するＳｉ基板１０が消失するまでエッチングを続けた。不要部分のＳｉ基板が無くなったところでエッチングを終了した。こうして、ＥＵＶ透過膜１６の複合自立膜と、複合自立膜を支持するフレーム１７と備えたペリクル１８を得た（図１Ｂ（ｇ））。得られた窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合自立膜のＥＵＶ透過率を測定したところ、９２．８％であった。
上記（２）で得られたＥＵＶ透過膜１６付きのキャビティ基板１５を、ＸｅＦ２エッチャーのチャンバー内に、キャビティ１４と反対側の面（すなわちＳｉ基板１０の露出面）がＸｅＦ２エッチングされるようにセットし、チャンバー内を十分真空引きした。このとき、チャンバー内に水分が残留していると、ＸｅＦ２ガスと反応してフッ酸を生じ、エッチャーの腐食や想定外のエッチングが起きてしまうため、十分な真空引きを行った。必要に応じて、チャンバー内を、真空引きと窒素ガス導入を繰り返し、残留水分を減らした。十分に真空引きが出来たところで、ＸｅＦ２原料ボンベと予備室の間のバルブを開いた。その結果、ＸｅＦ２が昇華して予備室内にもＸｅＦ２ガスが蓄積された。十分に予備室内にＸｅＦ２ガスが蓄積されたところで、予備室とチャンバーの間のバルブを開き、ＸｅＦ２ガスをチャンバー内に導入した。ＸｅＦ２ガスはＳｉと反応してＳｉＦ４とＸｅを生成した。ＳｉＦ４の沸点は－９５℃であるため、生成したＳｉＦ４は速やかに蒸発し、新たに露出したＳｉ基板とＦの反応が引き起こされた。Ｓｉエッチングが進行し、チャンバー内のＸｅＦ２が減少したところで、チャンバー内を真空引きし、再度ＸｅＦ２ガスをチャンバー内に導入しエッチングを行った。このようにして、真空引き、ＸｅＦ２ガス導入、及びエッチングを繰り返して、自立膜化させる部分に対応するＳｉ基板１０が消失するまでエッチングを続けた。不要部分のＳｉ基板が無くなったところでエッチングを終了した。こうして、ＥＵＶ透過膜１６の複合自立膜と、複合自立膜を支持するフレーム１７と備えたペリクル１８を得た（図１Ｂ（ｇ））。得られた窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合自立膜のＥＵＶ透過率を測定したところ、９２．８％であった。
例２
図２Ａ及び図２Ｂに示される手順に従い、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合自立膜（ＥＵＶ透過膜）を以下のように作製した。
図２Ａ及び図２Ｂに示される手順に従い、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合自立膜（ＥＵＶ透過膜）を以下のように作製した。
（１）キャビティ基板の準備
基板１０として直径８インチ（２０．３２ｃｍ）のＳｉウェハを用意した（図２Ａ（ａ））。このＳｉウェハの両面に、マスク層１２として、熱酸化により厚さ１μｍのＳｉＯ２層を形成した（図２Ａ（ｂ））。ＳｉＯ２層が形成されたＳｉウェハの両面にレジストを塗布し、片面にキャビティ領域Ｃとして１１０ｍｍ×１４０ｍｍのレジストの穴ができるように、露光及び現像を行いＳｉＯ２エッチング用のレジストマスク（図示せず）を形成した。この基板の一方の面をフッ酸でウェットエッチングすることにより、キャビティ領域ＣにおけるＳｉＯ２膜の露出部分をエッチング除去してＳｉウェハを露出させた後、レジストマスクをアッシング装置で除去した（図２Ａ（ｃ））。その後、キャビティ領域Ｃの露出部分からＳｉウェハをＴＭＡＨ液で厚さ方向にウェットエッチング（異方性エッチング）してキャビティ１４を形成した（図２Ａ（ｄ））。このとき、キャビティ１４の底部として残されるＳｉウェハの厚さが１０μｍ程度となるように、予めエッチングレートからエッチング時間を求めておき、そのエッチング時間分だけエッチングを行った。このとき、ＴＭＡＨ液によるエッチングは異方性エッチングで、主に図中上方向へ進行するが、横方向へのエッチングも進行する。そのため、図２Ａ（ｄ）のようにマスク層１２が庇構造を形成する。そこで、基板両面のマスク層１２をフッ酸により除去及び洗浄して、ＥＵＶ透過膜形成用のキャビティ基板１５’を準備した（図２Ｂ（ｅ））。
基板１０として直径８インチ（２０．３２ｃｍ）のＳｉウェハを用意した（図２Ａ（ａ））。このＳｉウェハの両面に、マスク層１２として、熱酸化により厚さ１μｍのＳｉＯ２層を形成した（図２Ａ（ｂ））。ＳｉＯ２層が形成されたＳｉウェハの両面にレジストを塗布し、片面にキャビティ領域Ｃとして１１０ｍｍ×１４０ｍｍのレジストの穴ができるように、露光及び現像を行いＳｉＯ２エッチング用のレジストマスク（図示せず）を形成した。この基板の一方の面をフッ酸でウェットエッチングすることにより、キャビティ領域ＣにおけるＳｉＯ２膜の露出部分をエッチング除去してＳｉウェハを露出させた後、レジストマスクをアッシング装置で除去した（図２Ａ（ｃ））。その後、キャビティ領域Ｃの露出部分からＳｉウェハをＴＭＡＨ液で厚さ方向にウェットエッチング（異方性エッチング）してキャビティ１４を形成した（図２Ａ（ｄ））。このとき、キャビティ１４の底部として残されるＳｉウェハの厚さが１０μｍ程度となるように、予めエッチングレートからエッチング時間を求めておき、そのエッチング時間分だけエッチングを行った。このとき、ＴＭＡＨ液によるエッチングは異方性エッチングで、主に図中上方向へ進行するが、横方向へのエッチングも進行する。そのため、図２Ａ（ｄ）のようにマスク層１２が庇構造を形成する。そこで、基板両面のマスク層１２をフッ酸により除去及び洗浄して、ＥＵＶ透過膜形成用のキャビティ基板１５’を準備した（図２Ｂ（ｅ））。
（２）複合膜の形成
上記（１）で得られたキャビティ基板１５’のキャビティ１４形成面に、キャビティ領域Ｃ（キャビティ１４の内面）のみならず周辺領域Ｐを含む全域にわたって、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合膜をＥＵＶ透過膜１６として例１と同様にして形成した（図２Ｂ（ｆ））。
上記（１）で得られたキャビティ基板１５’のキャビティ１４形成面に、キャビティ領域Ｃ（キャビティ１４の内面）のみならず周辺領域Ｐを含む全域にわたって、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合膜をＥＵＶ透過膜１６として例１と同様にして形成した（図２Ｂ（ｆ））。
（３）自立膜化
上記（２）で得られたＥＵＶ透過膜１６付きのキャビティ基板１５’を、ＸｅＦ２エッチャーのチャンバー内に、キャビティ１４と反対側の面（すなわちＳｉ基板１０の露出面）がＸｅＦ２エッチングされるようにセットし、例１と同様にしてＸｅＦ２エッチングを行った。こうして、キャビティ１４底部のＳｉ基板１０をエッチング除去することで、ＥＵＶ透過膜１６の複合自立膜と、複合自立膜を支持するフレーム１７と備えたペリクル１８’を得た（図２Ｂ（ｇ））。このとき、例１と異なり、例２ではマスク層１２を除去してあるため、マスク層１２による庇構造が出来なくなるため、マスク層１２が破損してパーティクルを発生することが無くなる。得られた窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合自立膜のＥＵＶ透過率を測定したところ、９３．１％であった。
上記（２）で得られたＥＵＶ透過膜１６付きのキャビティ基板１５’を、ＸｅＦ２エッチャーのチャンバー内に、キャビティ１４と反対側の面（すなわちＳｉ基板１０の露出面）がＸｅＦ２エッチングされるようにセットし、例１と同様にしてＸｅＦ２エッチングを行った。こうして、キャビティ１４底部のＳｉ基板１０をエッチング除去することで、ＥＵＶ透過膜１６の複合自立膜と、複合自立膜を支持するフレーム１７と備えたペリクル１８’を得た（図２Ｂ（ｇ））。このとき、例１と異なり、例２ではマスク層１２を除去してあるため、マスク層１２による庇構造が出来なくなるため、マスク層１２が破損してパーティクルを発生することが無くなる。得られた窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合自立膜のＥＵＶ透過率を測定したところ、９３．１％であった。
例３
図３Ａ及び３Ｂに示される手順に従い、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合自立膜（ＥＵＶ透過膜）を以下のようにして作製した。
図３Ａ及び３Ｂに示される手順に従い、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合自立膜（ＥＵＶ透過膜）を以下のようにして作製した。
（１）キャビティ基板の準備
基板１０’として、Ｓｉ基板１０ｃ上に、厚さ１μｍのＳｉＯ２層１０ｄ（Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ層）及び厚さ１０μｍのＳｉ層１０ｅ（ＳＯＩ層）が順に形成されたＳＯＩ基板を用意した（図３Ａ（ａ））。このＳＯＩ基板１０’の両面に、マスク層１２として、熱酸化により厚さ１μｍのＳｉＯ２層を形成した（図３Ａ（ｂ））。ＳｉＯ２層が形成されたＳＯＩ基板１０’の両面にレジストを塗布し、片面にキャビティ領域Ｃとして１１０ｍｍ×１４０ｍｍのレジストの穴ができるように、露光及び現像を行いＳｉＯ２エッチング用のレジストマスク（図示せず）を形成した。この基板の一方の面をフッ酸でウェットエッチングすることにより、キャビティ領域ＣにおけるＳｉＯ２膜の露出部分をエッチング除去してＳＯＩ基板１０’を露出させた後、レジストマスクをアッシング装置で除去した（図３Ａ（ｃ））。その後、キャビティ領域Ｃの露出部分からＳｉ基板１０ｃを反応性イオンエッチングで厚さ方向にＳｉＯ２層１０ｄが露出するまでドライエッチング（異方性エッチング）を行って、キャビティ１４を形成した（図３Ａ（ｄ））。露出したＳｉＯ２層１０ｄをフッ酸でエッチング除去してＳｉ層１０ｅを露出させた（図３Ｂ（ｅ））。その後、キャビティ１４と反対側の面のマスク層１２（ＳｉＯ２層）をフッ酸でエッチング除去して、ＥＵＶ透過膜形成用のキャビティ基板１５’’を準備した（図３Ｂ（ｆ））。
基板１０’として、Ｓｉ基板１０ｃ上に、厚さ１μｍのＳｉＯ２層１０ｄ（Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ層）及び厚さ１０μｍのＳｉ層１０ｅ（ＳＯＩ層）が順に形成されたＳＯＩ基板を用意した（図３Ａ（ａ））。このＳＯＩ基板１０’の両面に、マスク層１２として、熱酸化により厚さ１μｍのＳｉＯ２層を形成した（図３Ａ（ｂ））。ＳｉＯ２層が形成されたＳＯＩ基板１０’の両面にレジストを塗布し、片面にキャビティ領域Ｃとして１１０ｍｍ×１４０ｍｍのレジストの穴ができるように、露光及び現像を行いＳｉＯ２エッチング用のレジストマスク（図示せず）を形成した。この基板の一方の面をフッ酸でウェットエッチングすることにより、キャビティ領域ＣにおけるＳｉＯ２膜の露出部分をエッチング除去してＳＯＩ基板１０’を露出させた後、レジストマスクをアッシング装置で除去した（図３Ａ（ｃ））。その後、キャビティ領域Ｃの露出部分からＳｉ基板１０ｃを反応性イオンエッチングで厚さ方向にＳｉＯ２層１０ｄが露出するまでドライエッチング（異方性エッチング）を行って、キャビティ１４を形成した（図３Ａ（ｄ））。露出したＳｉＯ２層１０ｄをフッ酸でエッチング除去してＳｉ層１０ｅを露出させた（図３Ｂ（ｅ））。その後、キャビティ１４と反対側の面のマスク層１２（ＳｉＯ２層）をフッ酸でエッチング除去して、ＥＵＶ透過膜形成用のキャビティ基板１５’’を準備した（図３Ｂ（ｆ））。
（２）複合膜の形成
上記（１）で得られたキャビティ基板１５’’のキャビティ１４形成面に、キャビティ領域Ｃ（キャビティ１４の内面）のみならず周辺領域Ｐ（ＳｉＯ２層）を含む全域にわたって、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合膜をＥＵＶ透過膜１６として例１と同様にして形成した（図３Ｂ（ｇ））。
上記（１）で得られたキャビティ基板１５’’のキャビティ１４形成面に、キャビティ領域Ｃ（キャビティ１４の内面）のみならず周辺領域Ｐ（ＳｉＯ２層）を含む全域にわたって、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合膜をＥＵＶ透過膜１６として例１と同様にして形成した（図３Ｂ（ｇ））。
（３）自立膜化
上記（２）で得られたＥＵＶ透過膜１６付きのキャビティ基板１５’’を、ＸｅＦ２エッチャーのチャンバー内に、キャビティ１４と反対側の面（すなわちＳｉ層１０ｅの露出面）がＸｅＦ２エッチングされるようにセットし、例１と同様にしてＸｅＦ２エッチングを行った。こうして、キャビティ１４底部のＳｉ層１０ｅをエッチング除去することで、ＥＵＶ透過膜１６の複合自立膜と、複合自立膜を支持するフレーム１７と備えたペリクル１８’’を得た（図３Ｂ（ｈ））。このとき、例１と異なり、例２ではＳｉ層１０ｅの下にはＳｉＯ２層１０ｄが存在するため、Ｓｉ層１０ｅを除去するためのＸｅＦ２エッチングにおけるエッチング時間管理を厳密に行わなくても、エッチングをＳｉＯ２層１０ｄで停止することができる。これは、過度なエッチングを防止できる点で有利である。得られた窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合自立膜のＥＵＶ透過率を測定したところ、９３．３％であった。
上記（２）で得られたＥＵＶ透過膜１６付きのキャビティ基板１５’’を、ＸｅＦ２エッチャーのチャンバー内に、キャビティ１４と反対側の面（すなわちＳｉ層１０ｅの露出面）がＸｅＦ２エッチングされるようにセットし、例１と同様にしてＸｅＦ２エッチングを行った。こうして、キャビティ１４底部のＳｉ層１０ｅをエッチング除去することで、ＥＵＶ透過膜１６の複合自立膜と、複合自立膜を支持するフレーム１７と備えたペリクル１８’’を得た（図３Ｂ（ｈ））。このとき、例１と異なり、例２ではＳｉ層１０ｅの下にはＳｉＯ２層１０ｄが存在するため、Ｓｉ層１０ｅを除去するためのＸｅＦ２エッチングにおけるエッチング時間管理を厳密に行わなくても、エッチングをＳｉＯ２層１０ｄで停止することができる。これは、過度なエッチングを防止できる点で有利である。得られた窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合自立膜のＥＵＶ透過率を測定したところ、９３．３％であった。
結果及び考察
例１～３においては、基板にキャビティを形成するためのマスク層（例１～３ではＳｉＯ２層）もキャビティ内面も、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの複合膜で被覆するため、ＸｅＦ２エッチングでキャビティ内面がエッチングされることは無い。すなわち、サイドエッチングも発生しない。例１～３ではキャビティ底部のＳｉ厚さは１０μｍであるから、従来方法であればサイドエッチングも１０μｍ程度は発生してマスク層がキャビティに向かって延在した庇構造になってしまう。マスク層が庇構造になってしまうと、マスク層は厚さが１μｍしかないＳｉＯ２で構成されるため、強度が低く容易に破損してしまう。そして、破損するとパーティクル（粉塵）が発生して自立膜上に付着してしまう。自立膜をペリクル膜として使用する場合、自立膜上にパーティクルが付着すると、露光時にパーティクル部分でＥＵＶ光が遮蔽されてしまい、マスクパターンが正確に転写されず露光不良となってしまう。この点、本発明で作製される自立膜には庇構造が形成されないため、庇構造が破損して自立膜に付着する問題が生じない。
例１～３においては、基板にキャビティを形成するためのマスク層（例１～３ではＳｉＯ２層）もキャビティ内面も、窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの複合膜で被覆するため、ＸｅＦ２エッチングでキャビティ内面がエッチングされることは無い。すなわち、サイドエッチングも発生しない。例１～３ではキャビティ底部のＳｉ厚さは１０μｍであるから、従来方法であればサイドエッチングも１０μｍ程度は発生してマスク層がキャビティに向かって延在した庇構造になってしまう。マスク層が庇構造になってしまうと、マスク層は厚さが１μｍしかないＳｉＯ２で構成されるため、強度が低く容易に破損してしまう。そして、破損するとパーティクル（粉塵）が発生して自立膜上に付着してしまう。自立膜をペリクル膜として使用する場合、自立膜上にパーティクルが付着すると、露光時にパーティクル部分でＥＵＶ光が遮蔽されてしまい、マスクパターンが正確に転写されず露光不良となってしまう。この点、本発明で作製される自立膜には庇構造が形成されないため、庇構造が破損して自立膜に付着する問題が生じない。
Claims (9)
- 第一面及び第二面を有する基板を用意する工程と、
前記第一面の全領域と、前記第二面の中央に位置するキャビティ領域以外の周辺領域とをマスク層で覆う工程と、
前記キャビティ領域に露出する前記基板を部分的にエッチング除去して、キャビティを形成する工程と、
前記第一面を覆う前記マスク層をエッチング除去する工程と、
前記基板の前記キャビティ側の表面及び前記第二面を覆う前記マスク層の表面にＥＵＶ透過膜を形成する工程と、
前記第一面から前記基板を、前記ＥＵＶ透過膜が前記キャビティと反対側に露出するまでエッチング除去して、前記キャビティ領域における前記ＥＵＶ透過膜を自立膜化する工程と、
を含む、ＥＵＶ透過膜の製造方法。 - 第一面及び第二面を有する基板を用意する工程と、
前記第一面の全領域と、前記第二面の中央に位置するキャビティ領域以外の周辺領域とをマスク層で覆う工程と、
前記キャビティ領域に露出する前記基板を部分的にエッチング除去して、キャビティを形成する工程と、
前記第一面を覆う前記マスク層、及び前記第二面の前記周辺領域を覆う前記マスク層をエッチング除去する工程と、
前記基板の前記キャビティ側の表面にＥＵＶ透過膜を形成する工程と、
前記第一面から前記基板を、前記ＥＵＶ透過膜が前記キャビティと反対側に露出するまでエッチング除去して、前記キャビティ領域における前記ＥＵＶ透過膜を自立膜化する工程と、
を含む、ＥＵＶ透過膜の製造方法。 - 前記ＥＵＶ透過膜が、金属ベリリウムで構成される主層を含む、請求項１又は２に記載のＥＵＶ透過膜の製造方法。
- 前記ＥＵＶ透過膜が、前記主層の少なくとも片面を覆う保護層を備える、請求項３に記載のＥＵＶ透過膜の製造方法。
- 前記基板がＳｉ基板である、請求項１～４のいずれか一項に記載のＥＵＶ透過膜の製造方法。
- 前記基板がＳＯＩ基板であり、前記ＳＯＩ基板が、Ｓｉ基板と、Ｓｉ層と、前記Ｓｉ基板及び前記Ｓｉ層の間に介在するＳｉＯ２層とから構成されるものであり、前記第一面が前記Ｓｉ層の表面であり、かつ、前記第二面が前記Ｓｉ基板の表面である、請求項１～４のいずれか一項に記載のＥＵＶ透過膜の製造方法。
- 前記キャビティの形成が、前記キャビティが前記ＳｉＯ２層に達するまで前記Ｓｉ基板をエッチング除去した後、前記ＳｉＯ２層を前記キャビティから別途エッチング除去することにより行われ、その結果、前記ＥＵＶ透過膜の自立膜部分と前記ＳｉＯ２層が前記キャビティと反対側の同一平面上に露出する、請求項６に記載のＥＵＶ透過膜の製造方法。
- 第一面及び第二面を有し、かつ、中央にキャビティを有する基板と、
前記基板の第二面を覆うマスク層と、
前記マスク層の表面及び前記基板の前記キャビティの内表面を連続的に覆い、かつ、前記第一面と同じ高さで前記キャビティの底面を構成する自立膜として露出する、ＥＵＶ透過膜と、
を備えた、ペリクル。 - 第一面及び第二面を有し、かつ、中央にキャビティを有する基板と、
前記基板の第二面及び前記キャビティの内表面を連続的に覆い、かつ、前記第一面と同じ高さで前記キャビティの底面を構成する自立膜として露出する、ＥＵＶ透過膜と、
を備えた、ペリクル。
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