JP7729487B2 - コンデンサアレイ - Google Patents

Description

本発明は、コンデンサアレイに関する。

近年、電子部品を実装するための基板として、複数のコンデンサ素子が平面配置されたコンデンサアレイを用いることが検討されている。

コンデンサアレイの製造方法として、特許文献１には、アルミ化成箔シート上に固体電解コンデンサを形成する前に、予めアルミ化成箔の片面をレーザー装置や金型等の乾式機械加工にて分離分割用溝を形成し、更に同一面に保護用絶縁材料をシートの補強材を兼ねて形成した後に、固体電解コンデンサを形成し、次に裏面表面からアルミ化成箔を溝の底部が露出するまで削り、固体電解コンデンサと配線パターンを電気的に分離独立させてアルミ化成箔シート上に形成する、部品内蔵基板の製造方法が開示されている。

特開２０１０－１７１３０４号公報

特許文献１に記載の方法では、アルミ化成箔の片面から分離分割用溝及び保護用絶縁材料が形成されている。その結果、得られる部品内蔵基板においては、表裏の構造が非対称になるため、反りが発生しやすい。また、互いに交差するように分離分割用溝が形成される場合には、上記反りによって溝の交点に応力が集中しやすいため、材料間の剥離（デラミネーション）が発生しやすい。

そこで、本発明者らは、表裏で対称な構造を有するコンデンサアレイを製造することを考えた。

しかしながら、例えば、１枚のコンデンサシートから複数のコンデンサ素子に分割するために、互いに交差するように第１貫通溝及び第２貫通溝を形成する場合、コンデンサシートの分断によって生じる金属屑（例えばアルミ屑）が第１貫通溝と第２貫通溝との交差領域を跨ぐように付着すると、隣り合うコンデンサ素子間でショートが発生するおそれがある。

本発明は、互いに交差する貫通溝で複数のコンデンサ素子が区分されているコンデンサアレイにおいて、隣り合うコンデンサ素子間で発生するショート不良を低減させることが可能なコンデンサアレイを提供することを目的とする。

本発明のコンデンサアレイは、複数の貫通溝で区分されることにより、厚さ方向に直交する面方向に平面配置された複数のコンデンサ素子を含む、コンデンサ層を備える。上記コンデンサ素子は、各々、第１電極層と第２電極層と誘電体層とを含み、上記第１電極層及び上記第２電極層が上記誘電体層を介して上記厚さ方向に対向している。上記貫通溝は、第１方向に沿う第１貫通溝と、上記第１方向と交差する第２方向に沿う第２貫通溝と、を含む。上記第１貫通溝と上記第２貫通溝との交差領域を上記厚さ方向から見たとき、上記第１貫通溝を上記交差領域まで延長した第１仮想溝と、上記第２貫通溝を上記交差領域まで延長した第２仮想溝との交点は、上記交差領域の内側に位置する。

本発明によれば、互いに交差する貫通溝で複数のコンデンサ素子が区分されているコンデンサアレイにおいて、隣り合うコンデンサ素子間で発生するショート不良を低減させることが可能なコンデンサアレイを提供することができる。

図１は、本発明のコンデンサアレイの一例を示す斜視模式図である。 図２は、図１中の線分ａ１－ａ２に沿う断面を含むコンデンサアレイの断面の一例を示す断面模式図である。 図３は、図１中の線分ｂ１－ｂ２に沿う断面を含むコンデンサアレイの断面の一例を示す断面模式図である。 図４は、陽極板３１を準備する工程の一例を示す断面模式図である。 図５は、誘電体層を形成する工程の一例を示す断面模式図である。 図６は、絶縁層を形成する工程の一例を示す断面模式図である。 図７は、固体電解質層を形成する工程の一例を示す断面模式図である。 図８は、導電体層を形成する工程の一例を示す断面模式図である。 図９は、コンデンサシートの一例を示す平面模式図である。 図１０は、第１貫通溝を形成する工程の一例を、図９中の線分ａ１－ａ２に沿う断面に対して行う様子を示す断面模式図である。 図１１は、第１封止層を形成する工程の一例を、図１０に示す断面に対して行う様子を示す断面模式図である。 図１２は、第２貫通溝を形成する工程の一例を、図９中の線分ｂ１－ｂ２に沿う断面に対して行う様子を示す断面模式図である。 図１３は、第２封止層を形成する工程の一例を、図１２に示す断面に対して行う様子を示す断面模式図である。 図１４Ａ、図１４Ｂ及び図１４Ｃは、本発明の範囲外の比較例に係るコンデンサシートの切断工程の一例を示す平面模式図である。 図１５は、比較例に係るコンデンサアレイの一例を示す平面模式図である。 図１６Ａ、図１６Ｂ及び図１６Ｃは、本発明の範囲内の実施例１に係るコンデンサシートの切断工程の一例を示す平面模式図である。 図１７は、実施例１に係るコンデンサアレイの一例を示す平面模式図である。 図１８Ａ、図１８Ｂ、図１８Ｃ及び図１８Ｄは、本発明の範囲内の実施例２に係るコンデンサシートの切断工程の一例を示す平面模式図である。 図１９は、実施例２に係るコンデンサアレイの一例を示す平面模式図である。 図２０は、実施例１に係るコンデンサアレイにおける交差領域の一例を示す平面模式図である。 図２１は、図２０に示すコンデンサアレイから第１封止層及び第２封止層を除いた平面模式図である。 図２２は、実施例１に係るコンデンサアレイにおける交差領域の第１変形例を示す平面模式図である。 図２３は、図２２に示すコンデンサアレイから第１封止層及び第２封止層を除いた平面模式図である。 図２４は、実施例１に係るコンデンサアレイにおける交差領域の第２変形例を示す平面模式図である。 図２５は、実施例１に係るコンデンサアレイにおける交差領域の第３変形例を示す平面模式図である。 図２６は、実施例２に係るコンデンサアレイにおける交差領域の一例を示す平面模式図である。 図２７は、実施例２に係るコンデンサアレイにおける交差領域の第１変形例を示す平面模式図である。 図２８は、実施例２に係るコンデンサアレイにおける交差領域の第２変形例を示す平面模式図である。 図２９は、実施例２に係るコンデンサアレイにおける交差領域の第３変形例を示す平面模式図である。 図３０は、実施例２に係るコンデンサアレイにおける交差領域の第４変形例を示す平面模式図である。 図３１は、図１中の線分Ａ１－Ａ２に沿う断面を含むコンデンサアレイの断面の一例を示す断面模式図である。 図３２は、図１中の線分Ｂ１－Ｂ２に沿う断面を含むコンデンサアレイの断面の一例を示す断面模式図である。

以下、本発明のコンデンサアレイについて説明する。なお、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更されてもよい。また、以下において記載する個々の好ましい構成を複数組み合わせたものもまた本発明である。

本明細書において、要素間の関係性を示す用語（例えば「垂直」、「平行」、「直交」等）及び要素の形状を示す用語は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する表現である。

以下に示す図面は模式図であり、その寸法、縦横比の縮尺等は実際の製品と異なる場合がある。

図１は、本発明のコンデンサアレイの一例を示す斜視模式図である。

図１に示すコンデンサアレイ１は、コンデンサ層１０を備える。図１に示すように、コンデンサアレイ１は、コンデンサ層１０を封止する封止層２５をさらに備えてもよい。

コンデンサ層１０は、複数のコンデンサ素子３０を含む。

コンデンサ層１０において、複数のコンデンサ素子３０は、複数の貫通溝１５で区分されることにより、厚さ方向Ｚに直交する面方向に平面配置されている。

コンデンサ層１０に含まれるコンデンサ素子３０の数は、２つ以上であれば特に限定されない。

コンデンサ層１０において、複数のコンデンサ素子３０は、直線状に、すなわち一方向（例えば第１方向Ｘ又は第２方向Ｙ）に沿って配置されていてもよいし、あるいは、平面状に、すなわち複数方向（例えば第１方向Ｘ及び第２方向Ｙ）に沿って配置されていてもよい。また、複数のコンデンサ素子３０は、規則的に配置されていてもよいし、不規則に配置されていてもよい。複数のコンデンサ素子３０の大きさ及び平面形状等は、全部が同じであってもよいし、一部又は全部が異なっていてもよい。

コンデンサ層１０には、面積が異なる２種以上のコンデンサ素子３０が含まれていてもよい。

コンデンサ層１０には、平面形状が矩形ではないコンデンサ素子３０が含まれていてもよい。本明細書中、矩形は、正方形又は長方形を意味する。したがって、コンデンサ層１０には、平面形状が、例えば、矩形以外の四角形、三角形、五角形、六角形等の多角形、曲線部を含む形状、円形、楕円形等のコンデンサ素子３０が含まれていてもよい。この場合、コンデンサ層１０には、平面形状が異なる２種以上のコンデンサ素子３０が含まれていてもよい。また、コンデンサ層１０には、平面形状が矩形ではないコンデンサ素子３０に加えて、平面形状が矩形であるコンデンサ素子３０が含まれていてもよいし、含まれていなくてもよい。

コンデンサ層１０において、隣り合うコンデンサ素子３０同士は貫通溝１５によって分断されている。隣り合うコンデンサ素子３０同士は、物理的に分断されていればよい。したがって、隣り合うコンデンサ素子３０同士は、電気的に分断されていてもよく、電気的に接続されていてもよい。例えば、電気的に分断されているコンデンサ素子３０の組と、電気的に接続されているコンデンサ素子３０の組とが混在してもよい。

コンデンサアレイ１が封止層２５を備える場合、貫通溝１５には、封止層２５等の絶縁性材料が充填されていることが好ましい。

コンデンサ素子３０は、各々、第１電極層と第２電極層と誘電体層とを含み、第１電極層及び第２電極層が誘電体層を介して厚さ方向Ｚに対向している。

図２は、図１中の線分ａ１－ａ２に沿う断面を含むコンデンサアレイの断面の一例を示す断面模式図である。なお、図２中の線分ａ１－ａ２は、図１中の線分ａ１－ａ２に対応している。

図３は、図１中の線分ｂ１－ｂ２に沿う断面を含むコンデンサアレイの断面の一例を示す断面模式図である。なお、図３中の線分ｂ１－ｂ２は、図１中の線分ｂ１－ｂ２に対応している。

図２及び図３に示す例では、コンデンサ素子３０は、陽極板３１と陰極層３６と誘電体層３５とを含み、陽極板３１及び陰極層３６が誘電体層３５を介して厚さ方向Ｚに対向している。すなわち、第１電極層が陽極板３１であり、第２電極層が陰極層３６である。これにより、コンデンサ素子３０は、電解コンデンサを構成する。

陽極板３１は、例えば、金属からなる芯部３２と、芯部３２の少なくとも一方の主面に設けられた多孔質部３４と、を有する。多孔質部３４の表面には誘電体層３５が設けられており、誘電体層３５の表面には陰極層３６が設けられている。

陰極層３６は、例えば、誘電体層３５の表面に設けられた固体電解質層３６Ａを含む。陰極層３６は、さらに、固体電解質層３６Ａの表面に設けられた導電体層３６Ｂを含むことが好ましい。陰極層３６が固体電解質層３６Ａを含む場合、コンデンサ素子３０は、固体電解コンデンサを構成する。

芯部３２は、いわゆる弁作用を示す弁作用金属からなることが好ましい。

弁作用金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム等の金属単体、これらの金属の少なくとも１種を含有する合金等が挙げられる。中でも、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。

多孔質部３４は、芯部３２の少なくとも一方の主面に設けられている。つまり、多孔質部３４は、芯部３２の一方の主面のみに設けられていてもよいし、図２及び図３に示すように芯部３２の両方の主面に設けられていてもよい。このように、陽極板３１は、芯部３２の少なくとも一方の主面に多孔質部３４を有している。

多孔質部３４は、芯部３２の表面に形成された多孔質層であることが好ましく、エッチング層であることがより好ましい。

陽極板３１の形状は、平板状であることが好ましく、箔状であることがより好ましい。このように、本明細書中では、「板状」に「箔状」も含まれる。

エッチング処理前の陽極板３１の厚さは、６０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましい。エッチング処理後にエッチングされていない芯部３２の厚さは、１５μｍ以上、７０μｍ以下であることが好ましい。多孔質部３４の厚さは要求される耐電圧、静電容量に合わせて設計されるが、芯部３２の両側の多孔質部３４を合わせて１０μｍ以上、１８０μｍ以下であることが好ましい。

多孔質部３４の孔径は、１０ｎｍ以上、６００ｎｍ以下であることが好ましい。なお、多孔質部３４の孔径とは、水銀ポロシメータにより測定されるメジアン径Ｄ５０を意味する。多孔質部３４の孔径は、例えばエッチングにおける各種条件を調整することにより制御することができる。

誘電体層３５は、多孔質部３４の表面に設けられている。誘電体層３５は、多孔質部３４の表面状態を反映して多孔質になっており、微細な凹凸状の表面形状を有している。

誘電体層３５は、上述した弁作用金属の酸化皮膜からなることが好ましい。例えば、陽極板３１がアルミニウム箔である場合、陽極板３１に対して、アジピン酸アンモニウム等を含む水溶液中で陽極酸化処理（化成処理とも呼ばれる）を行うことにより、誘電体層３５となる酸化皮膜が形成される。誘電体層３５は多孔質部３４の表面に沿って形成されるため、誘電体層３５には、細孔（凹部）が設けられることになる。

誘電体層３５の厚さは要求される耐電圧、静電容量に合わせて設計されるが、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることが好ましい。

陰極層３６は、誘電体層３５の表面に設けられている。

陰極層３６が固体電解質層３６Ａを含む場合、固体電解質層３６Ａの構成材料としては、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類等の導電性高分子等が挙げられる。中でも、ポリチオフェン類が好ましく、ＰＥＤＯＴと呼ばれるポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。また、導電性高分子は、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等のドーパントを含んでいてもよい。

固体電解質層３６Ａは、誘電体層３５の細孔（凹部）に充填される内層と、誘電体層３５の表面を覆う外層と、を含むことが好ましい。

多孔質部３４の表面からの固体電解質層３６Ａの厚さは、２μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。

固体電解質層３６Ａは、例えば、３，４－エチレンジオキシチオフェン等のモノマーを含む処理液を用いて、誘電体層３５の表面にポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）等の重合膜を形成する方法や、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）等のポリマーの分散液を誘電体層３５の表面に塗布して乾燥させる方法等によって形成される。

固体電解質層３６Ａは、上記の処理液又は分散液を、スポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によって誘電体層３５の表面に塗工することにより、所定の領域に形成される。

陰極層３６が導電体層３６Ｂを含む場合、導電体層３６Ｂは、導電性樹脂層及び金属層の少なくとも一方を含むことが好ましい。つまり、導電体層３６Ｂは、導電性樹脂層のみを含んでいてもよいし、金属層のみを含んでいてもよいし、導電性樹脂層及び金属層の両方を含んでいてもよい。

導電性樹脂層としては、例えば、銀フィラー、銅フィラー、ニッケルフィラー、及び、カーボンフィラーからなる群より選択される少なくとも１種の導電性フィラーを含む導電性接着剤層等が挙げられる。

金属層としては、例えば、金属めっき膜、金属箔等が挙げられる。金属層は、ニッケル、銅、銀、及び、これらの金属の少なくとも１種を主成分とする合金からなる群より選択される少なくとも一種の金属からなることが好ましい。

本明細書中、主成分は、重量割合が最も大きい元素成分を意味する。

導電体層３６Ｂは、例えば、固体電解質層３６Ａの表面に設けられたカーボン層と、カーボン層の表面に設けられた銅層と、を含む。

カーボン層は、固体電解質層３６Ａと銅層とを電気的に及び機械的に接続させるために設けられる。

カーボン層は、例えば、カーボンペーストを、スポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によって固体電解質層３６Ａの表面に塗工することにより、所定の領域に形成される。なお、カーボン層は、乾燥前の粘性のある状態で、次工程の銅層を積層することが好ましい。カーボン層の厚さは、２μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。

銅層は、例えば、銅ペーストを、スポンジ転写、スクリーン印刷、スプレー塗布、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によってカーボン層の表面に塗工することにより、所定の領域に形成される。銅層の厚さは、２μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。

図２及び図３に示すコンデンサ素子３０は、厚さ方向Ｚに相対する第１主面３０ａ及び第２主面３０ｂを有する。

図１に示すように、複数の貫通溝１５は、第１方向Ｘに沿う第１貫通溝１５Ａと、第２方向Ｙに沿う第２貫通溝１５Ｂと、を含む。

第１方向Ｘは、厚さ方向Ｚに直交している。

第２方向Ｙは、厚さ方向Ｚに直交しつつ、第１方向Ｘと交差している。

第１方向Ｘと第２方向Ｙとは、図１等に示すように直交していてもよいし、９０°以外の角度をなすように交差していてもよい。

図２に示す例では、厚さ方向Ｚに沿う断面を見たとき、より具体的には、厚さ方向Ｚ及び第２方向Ｙに沿う断面を見たとき、第１貫通溝１５Ａの幅Ｗ１（ここでは、第２方向Ｙにおける寸法）は、厚さ方向Ｚに一定である。

図２には示されていないが、厚さ方向Ｚに沿う断面を見たとき、より具体的には、厚さ方向Ｚ及び第２方向Ｙに沿う断面を見たとき、第１貫通溝１５Ａは、コンデンサ素子３０の第１主面３０ａ及び第２主面３０ｂの一方から他方に向かって幅Ｗ１が小さくなるテーパーを有していてもよい。

例えば、コンデンサ素子３０の第１主面３０ａから第２主面３０ｂに向かって第１貫通溝１５Ａの幅Ｗ１が小さくなっていてもよいし、コンデンサ素子３０の第２主面３０ｂから第１主面３０ａに向かって第１貫通溝１５Ａの幅Ｗ１が小さくなっていてもよい。

第１貫通溝１５Ａがテーパーを有する場合、厚さ方向Ｚに沿う第１貫通溝１５Ａの断面形状は、対称形状であってもよいし、非対称形状であってもよい。

図３に示す例では、厚さ方向Ｚに沿う断面を見たとき、より具体的には、厚さ方向Ｚ及び第１方向Ｘに沿う断面を見たとき、第２貫通溝１５Ｂの幅Ｗ２（ここでは、第１方向Ｘにおける寸法）は、厚さ方向Ｚに一定である。

図３には示されていないが、厚さ方向Ｚに沿う断面を見たとき、より具体的には、厚さ方向Ｚ及び第１方向Ｘに沿う断面を見たとき、第２貫通溝１５Ｂは、コンデンサ素子３０の第１主面３０ａ及び第２主面３０ｂの一方から他方に向かって幅Ｗ２が小さくなるテーパーを有していてもよい。

例えば、コンデンサ素子３０の第１主面３０ａから第２主面３０ｂに向かって第２貫通溝１５Ｂの幅Ｗ２が小さくなっていてもよいし、コンデンサ素子３０の第２主面３０ｂから第１主面３０ａに向かって第２貫通溝１５Ｂの幅Ｗ２が小さくなっていてもよい。

第２貫通溝１５Ｂがテーパーを有する場合、厚さ方向Ｚに沿う第２貫通溝１５Ｂの断面形状は、対称形状であってもよいし、非対称形状であってもよい。

第１貫通溝１５Ａ及び第２貫通溝１５Ｂの両方がテーパーを有する場合、コンデンサ素子３０の第１主面３０ａから第２主面３０ｂに向かって第１貫通溝１５Ａの幅Ｗ１が小さくなり、かつ、コンデンサ素子３０の第１主面３０ａから第２主面３０ｂに向かって第２貫通溝１５Ｂの幅Ｗ２が小さくなることが好ましい。

第１貫通溝１５Ａ及び第２貫通溝１５Ｂの両方がテーパーを有する場合、第１貫通溝１５Ａのテーパー角度と、第２貫通溝１５Ｂのテーパー角度とは、互いに異なることが好ましい。

本明細書中、貫通溝のテーパー角度は、厚さ方向に沿う断面を見たときに、貫通溝の輪郭を構成して相対する２辺のなす角度を指す。

コンデンサ素子３０の第１主面３０ａから第２主面３０ｂに向かって第１貫通溝１５Ａの幅Ｗ１が小さくなり、かつ、コンデンサ素子３０の第１主面３０ａから第２主面３０ｂに向かって第２貫通溝１５Ｂの幅Ｗ２が小さくなる場合、第２貫通溝１５Ｂのテーパー角度は、第１貫通溝１５Ａのテーパー角度よりも小さいことが好ましい。この場合、厚さ方向Ｚに対するコンデンサ素子３０の第２貫通溝１５Ｂ側の端面の傾斜角度が小さくなるため、コンデンサ素子３０の有効領域を、第２貫通溝１５Ｂ側で大きくできる。

第１貫通溝１５Ａ及び第２貫通溝１５Ｂが、いずれも、コンデンサ素子３０の第１主面３０ａから第２主面３０ｂに向かって幅が小さくなっている場合、コンデンサ素子３０の第１主面３０ａと同一平面において、第２貫通溝１５Ｂの幅Ｗ２の最大値は、第１貫通溝１５Ａの幅Ｗ１の最大値よりも小さいことが好ましい。この場合、コンデンサ層１０において、コンデンサ素子３０が存在しない領域、すなわち、第１貫通溝１５Ａ及び第２貫通溝１５Ｂが存在する領域のうち、少なくとも第２貫通溝１５Ｂが存在する領域を小さくできるため、コンデンサ層１０において、コンデンサ素子３０が存在する領域を大きく確保できる。

第１貫通溝及び第２貫通溝のテーパー形状、テーパー角度、及び、幅については、図２及び図３に示すような厚さ方向に沿う断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することにより確認される。

図２及び図３に示すように、コンデンサ層１０は、コンデンサ素子３０の第１主面３０ａ及び第２主面３０ｂの少なくとも一方主面側で、陰極層３６が設けられていない誘電体層３５の表面に設けられた絶縁層２４をさらに含むことが好ましい。この場合、陽極板３１と陰極層３６との間の絶縁性が確保され、両者間の短絡が防止される。

絶縁層２４は、コンデンサ素子３０の第１主面３０ａ側の誘電体層３５の表面に設けられていてもよいし、コンデンサ素子３０の第２主面３０ｂ側の誘電体層３５の表面に設けられていてもよいし、図２及び図３に示すようにコンデンサ素子３０の第１主面３０ａ及び第２主面３０ｂの両主面側の誘電体層３５の表面に設けられていてもよい。

絶縁層２４は、絶縁性材料から構成される。この場合、絶縁層２４は、絶縁性樹脂から構成されることが好ましい。

絶縁層２４を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、ポリフェニルスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、シアン酸エステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等）、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂、及び、それらの誘導体又は前駆体等が挙げられる。

絶縁層２４は、封止層２５と同じ樹脂で構成されていてもよい。封止層２５と異なり、絶縁層２４に無機フィラーが含有されるとコンデンサ素子３０の容量有効部に悪影響を及ぼすおそれがあるため、絶縁層２４は樹脂単独の系からなることが好ましい。

絶縁層２４は、例えば、絶縁性樹脂を含む組成物等のマスク材を、スポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法によって多孔質部３４の表面に塗工することにより、所定の領域に形成される。

絶縁層２４は、多孔質部３４に対して、誘電体層３５よりも前のタイミングで形成されてもよいし、誘電体層３５よりも後のタイミングで形成されてもよい。

図２及び図３に示すように、封止層２５は、コンデンサ素子３０の厚さ方向Ｚに相対する両方の主面、すなわち、コンデンサ素子３０の第１主面３０ａ及び第２主面３０ｂに設けられている。

図２及び図３に示すように、封止層２５は、コンデンサ素子３０の厚さ方向Ｚに相対する両方の主面、すなわち、コンデンサ素子３０の第１主面３０ａ及び第２主面３０ｂに設けられた第１封止層２５Ａを含むことが好ましい。

図２に示すように、第１封止層２５Ａは、第１貫通溝１５Ａ内に延在していることが好ましい。

図３に示すように、第１封止層２５Ａは、第２貫通溝１５Ｂ内に延在していないことが好ましい。

図２及び図３に示すように、封止層２５は、第１封止層２５Ａの表面に設けられた第２封止層２５Ｂをさらに含むことが好ましい。

図２に示すように、第２封止層２５Ｂは、第１貫通溝１５Ａ内に延在していないことが好ましい。

図３に示すように、第２封止層２５Ｂは、第２貫通溝１５Ｂ内に延在していることが好ましい。

以上のことから、図２に示すように、第１貫通溝１５Ａ内には、第１封止層２５Ａが延在しており、かつ、第２封止層２５Ｂが延在していないことが好ましい。

さらに、図３に示すように、第２貫通溝１５Ｂ内には、第１封止層２５Ａが延在しておらず、かつ、第２封止層２５Ｂが延在していることが好ましい。つまり、図３に示すように、第１封止層２５Ａは、第２貫通溝１５Ｂと厚さ方向Ｚに重なる位置で第２封止層２５Ｂにより分離されていることが好ましい。

第１封止層２５Ａ、第２封止層２５Ｂ等の封止層２５は、絶縁性材料から構成される。この場合、封止層２５は、絶縁性樹脂から構成されることが好ましい。

封止層２５を構成する絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。

封止層２５は、フィラーをさらに含むことが好ましい。

封止層２５に含まれるフィラーとしては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子等の無機フィラーが挙げられる。

第１封止層２５Ａの構成材料と第２封止層２５Ｂの構成材料とは、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。

第１封止層２５Ａ、第２封止層２５Ｂ等の封止層２５は、例えば、絶縁性樹脂シートを熱圧着する方法、絶縁性樹脂ペーストを塗工した後で熱硬化させる方法等により、コンデンサ層１０を封止するように形成される。

コンデンサ層１０と封止層２５との間には、例えば、応力緩和層、防湿膜等の層が設けられていてもよい。

図２及び図３に示す断面を有するコンデンサアレイ１は、例えば、以下の方法により製造される。

図４は、陽極板３１を準備する工程の一例を示す断面模式図である。

図４に示すように、芯部３２の少なくとも一方の主面に多孔質部３４を有する陽極板３１を準備する。

図５は、誘電体層を形成する工程の一例を示す断面模式図である。

例えば、陽極板３１に対して陽極酸化処理を行うことにより、図５に示すように、多孔質部３４の表面に誘電体層３５を形成する。

あるいは、多孔質部３４の表面に誘電体層３５が設けられた陽極板３１として、化成箔を準備してもよい。

図６は、絶縁層を形成する工程の一例を示す断面模式図である。

コンデンサ素子３０（図１等参照）の有効領域を区分するために、例えば、絶縁性樹脂を、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布等の方法で誘電体層３５の表面に塗工することにより、図６に示すように、絶縁層２４を所定の領域に形成する。

図７は、固体電解質層を形成する工程の一例を示す断面模式図である。

図７に示すように、固体電解質層３６Ａを、誘電体層３５の表面のうち絶縁層２４が設けられていない領域に形成する。例えば、３，４－エチレンジオキシチオフェン等のモノマーを含む処理液を用いて誘電体層３５の表面にポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）等の重合膜を形成する方法、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）等のポリマーの分散液を誘電体層３５の表面に塗工した後で乾燥させる方法等により、固体電解質層３６Ａを形成する。なお、固体電解質層３６Ａとして、誘電体層３５の細孔（凹部）に充填される内層を形成した後、誘電体層３５の表面を覆う外層を形成することが好ましい。

図８は、導電体層を形成する工程の一例を示す断面模式図である。

図８に示すように、導電体層３６Ｂを、固体電解質層３６Ａの表面に形成する。例えば、導電体層３６Ｂとして、カーボン層及び銅層を、固体電解質層３６Ａ側から順に形成する。この場合、例えば、カーボンペーストを、スポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法で固体電解質層３６Ａの表面に塗工することにより、カーボン層を所定の領域に形成する。その後、銅ペーストを、スポンジ転写、スクリーン印刷、スプレー塗布、ディスペンサ塗布、インクジェット印刷等の方法でカーボン層の表面に塗工することにより、銅層を所定の領域に形成する。

このようにして、固体電解質層３６Ａ及び導電体層３６Ｂを含む陰極層３６を、誘電体層３５の表面に形成する。

図９は、コンデンサシートの一例を示す平面模式図である。

以上により、図８及び図９に示すような、陽極板３１と、陽極板３１の多孔質部３４の表面に設けられた誘電体層３５と、誘電体層３５の表面に設けられた絶縁層２４及び陰極層３６と、を含むコンデンサシート１３０を作製する。

図８及び図９に示すように、コンデンサシート１３０は、厚さ方向Ｚに相対する第１主面１３０ａ及び第２主面１３０ｂを有する。

図１０は、第１貫通溝を形成する工程の一例を、図９中の線分ａ１－ａ２に沿う断面に対して行う様子を示す断面模式図である。

コンデンサシート１３０における、図９中の線分ａ１－ａ２に沿う断面が形成される部分に対して、例えば、第１主面１３０ａ側からレーザー加工を行う。これにより、図１０に示すように、コンデンサシート１３０を厚さ方向Ｚに貫通する第１貫通溝１５Ａを、陰極層３６と厚さ方向Ｚに重ならない位置で第１方向Ｘに沿って形成する。

なお、コンデンサシート１３０における、図９中の線分ａ１－ａ２に沿う断面が形成される部分に対して、第２主面１３０ｂ側からレーザー加工を行うことにより、第１貫通溝１５Ａを形成してもよい。

第１貫通溝１５Ａを形成する加工方法は、レーザー加工に限定されず、例えば、ダイシング加工、ルーター加工等の方法であってもよい。

上述したように、コンデンサシート１３０に対して、第１方向Ｘに沿う第１貫通溝１５Ａを形成することにより、コンデンサシート１３０は、第１方向Ｘに沿って切断される。この際、コンデンサシート１３０が第１方向Ｘに沿って一端から他端まで連続的に切断されないように、第１貫通溝１５Ａを第１方向Ｘに沿って形成することが好ましい。これにより、コンデンサシート１３０が完全に分離して複数部分の独立状態になることを防止できるため、後工程におけるハンドリング性が向上する。

なお、コンデンサシート１３０における、図９中の線分ｂ１－ｂ２に沿う断面が形成される部分に対しては、第１貫通溝１５Ａを形成する工程を行わない。

図１１は、第１封止層を形成する工程の一例を、図１０に示す断面に対して行う様子を示す断面模式図である。

図１０に示す断面を有するコンデンサシート１３０に対して、例えば、絶縁性樹脂シートを熱圧着する。これにより、図１１に示すように、第１封止層２５Ａが、コンデンサシート１３０の第１主面１３０ａ及び第２主面１３０ｂに形成されつつ、第１貫通溝１５Ａ内に充填される。以上により、コンデンサシート１３０が、第１貫通溝１５Ａで部分的に分離された状態で、第１封止層２５Ａにより固定される。

このようにして形成された第１封止層２５Ａは、図１１に示すようにコンデンサシート１３０の第１主面１３０ａ及び第２主面１３０ｂに設けられているとともに、第１貫通溝１５Ａ内に延在している。

第１封止層２５Ａを形成する際、上述したように、コンデンサシート１３０が、第１貫通溝１５Ａが設けられているものの、完全に分離しておらず複数部分の独立状態になっていない場合には、コンデンサシート１３０において、第１貫通溝１５Ａで分離された部分同士が、第１封止層２５Ａの構成材料（例えば、樹脂材料）の流れの影響で位置が移動して接触する、という不具合を防止できる。よって、後に得られるコンデンサアレイにおいて、コンデンサ素子間でのショートが生じることを防止できる。

さらに、絶縁性樹脂シートを熱圧着するプレス加工により第１封止層２５Ａを形成する場合には、プレス加工を高圧で行っても、上述した不具合を防止できる。よって、第１封止層２５Ａを形成する際の加工マージンを大きく確保できるため、加工性が向上する。第１封止層２５Ａを高圧のプレス加工により形成できると、第１封止層２５Ａとコンデンサシート１３０との間の密着性を向上させたり、第１封止層２５Ａ内のボイドを低減させたりすることができるため、後に得られるコンデンサアレイの信頼性向上につながる。

図１２は、第２貫通溝を形成する工程の一例を、図９中の線分ｂ１－ｂ２に沿う断面に対して行う様子を示す断面模式図である。

第１封止層２５Ａが設けられたコンデンサシート１３０における、図９中の線分ｂ１－ｂ２に沿う断面が形成される部分に対して、例えば、第１主面１３０ａ側からレーザー加工を行う。これにより、図１２に示すように、コンデンサシート１３０及び第１封止層２５Ａを厚さ方向Ｚに貫通する第２貫通溝１５Ｂを、陰極層３６と厚さ方向Ｚに重ならない位置で第２方向Ｙに沿って形成する。

なお、第１封止層２５Ａが設けられたコンデンサシート１３０における、図９中の線分ｂ１－ｂ２に沿う断面が形成される部分に対して、第２主面１３０ｂ側からレーザー加工を行うことにより、第２貫通溝１５Ｂを形成してもよい。

第２貫通溝１５Ｂを形成する加工方法は、レーザー加工に限定されず、例えば、ダイシング加工、ルーター加工等の方法であってもよい。第２貫通溝１５Ｂを形成する加工方法は、第１貫通溝１５Ａを形成する加工方法と同じであってもよいし、異なっていてもよい。

上述したように、第１封止層２５Ａが設けられたコンデンサシート１３０に対して、第２方向Ｙに沿う第２貫通溝１５Ｂを形成することにより、コンデンサシート１３０及び第１封止層２５Ａは、第２方向Ｙに沿って一括して切断される。この際、第１封止層２５Ａが設けられたコンデンサシート１３０が第２方向Ｙに沿って一端から他端まで連続的に切断されないように、第２貫通溝１５Ｂを第２方向Ｙに沿って形成することが好ましい。これにより、第１封止層２５Ａが設けられたコンデンサシート１３０が完全に分離して複数部分の独立状態になることを防止できるため、後工程におけるハンドリング性が向上する。

なお、コンデンサシート１３０に対して、図９中の線分ａ１－ａ２に沿う断面が形成される部分に対しては、第２貫通溝１５Ｂを形成する工程を行わない。

図１３は、第２封止層を形成する工程の一例を、図１２に示す断面に対して行う様子を示す断面模式図である。

図１２に示す断面を有するコンデンサシート１３０に対して、例えば、絶縁性樹脂シートを熱圧着することにより、図１３に示すように、第２封止層２５Ｂが、第１封止層２５Ａの表面に形成されつつ、第２貫通溝１５Ｂ内に充填される。

このようにして形成された第２封止層２５Ｂは、図１３に示すように第１封止層２５Ａの表面に設けられているとともに、第２貫通溝１５Ｂ内に延在している。

以上により、第１貫通溝１５Ａ及び第２貫通溝１５Ｂで複数のコンデンサ素子３０に区分されることにより平面配置された状態のコンデンサ層１０が作製され、複数のコンデンサ素子３０が第１封止層２５Ａ及び第２封止層２５Ｂにより一体化される。その結果、図２及び図３に示す断面を有するコンデンサアレイ１が製造される。

上述したコンデンサアレイ１の製造方法では、コンデンサシート１３０を複数のコンデンサ素子３０に区分するための切断工程を、第１貫通溝１５Ａを形成する工程と、第２貫通溝１５Ｂを形成する工程とに分けており、さらに、これらの工程の間で第１封止層２５Ａを形成する工程を行っている。これにより、製造途中で、コンデンサシート１３０が完全に分離して複数部分の独立状態になることを防止できるため、ハンドリング性が向上する。さらに、第１封止層２５Ａを形成する工程において、プレス加工を高圧で行えるため、加工性が向上するとともに、コンデンサアレイ１の信頼性向上にもつながる。

図１４Ａ、図１４Ｂ及び図１４Ｃは、本発明の範囲外の比較例に係るコンデンサシートの切断工程の一例を示す平面模式図である。図１５は、比較例に係るコンデンサアレイの一例を示す平面模式図である。

上述のとおり、図１４Ａに示すように、コンデンサシート１３０に第１貫通溝１５Ａを形成した後、図１４Ｂに示すように、第１封止層２５Ａを第１貫通溝１５Ａ内に充填する。図１４Ｃに示すように、第１貫通溝１５Ａと交差するように第２貫通溝１５Ｂを形成する際、コンデンサシート１３０の切断によって生じる金属屑（例えばアルミ屑）が第１貫通溝１５Ａと第２貫通溝１５Ｂとの交差領域を跨ぐように付着すると、完成品において隣り合うコンデンサ素子３０（図１５参照）間でショートが発生するおそれがある。図１４Ｃ中、ショートが発生する箇所を破線で囲んで示している。

また、図１５に示すように、第１貫通溝１５Ａと第２貫通溝１５Ｂとの交差領域における角部に応力が集中すると、クラック又は剥離（デラミネーション）の起点になるおそれがある。

図１６Ａ、図１６Ｂ及び図１６Ｃは、本発明の範囲内の実施例１に係るコンデンサシートの切断工程の一例を示す平面模式図である。図１７は、実施例１に係るコンデンサアレイの一例を示す平面模式図である。

図１６Ａに示すように、第１貫通溝１５Ａを形成する際に、第２貫通溝１５Ｂと交差する部分の面積が大きくなるように形成する。この際の平面形状は円形に限定されない。これにより、図１６Ｂに示すように、第１封止層２５Ａを第１貫通溝１５Ａ内に充填した後、図１６Ｃに示すように、第２貫通溝１５Ｂを形成する際に金属屑（例えばアルミ屑）が生じても、第１貫通溝１５Ａと第２貫通溝１５Ｂとの交差領域では第１貫通溝１５Ａの幅が広いため、完成品において隣り合うコンデンサ素子３０（図１７参照）間でショート不良が発生するリスクを低減させることができる。

さらに、第１貫通溝１５Ａと第２貫通溝１５Ｂとの交差領域において第１貫通溝１５Ａの幅を広くすることで、第１貫通溝１５Ａ全体の幅を広くする場合に比べて、コンデンサ素子３０の有効領域を大きく確保することができる。

また、図１７に示すように、第１貫通溝１５Ａと第２貫通溝１５Ｂとの交差領域の面積を大きくすることで、表裏の封止層をつなぐ支柱として機能する部分の面積が大きくなるため、表裏の密着強度が高くなる。その結果、デラミネーションを抑制することができる。

なお、図１７中の線分ａ１－ａ２に沿う断面を含むコンデンサアレイの断面は図２に対応し、図１７中の線分ｂ１－ｂ２に沿う断面を含むコンデンサアレイの断面は図３に対応する。

図１８Ａ、図１８Ｂ、図１８Ｃ及び図１８Ｄは、本発明の範囲内の実施例２に係るコンデンサシートの切断工程の一例を示す平面模式図である。図１９は、実施例２に係るコンデンサアレイの一例を示す平面模式図である。

図１８Ａに示すように、第１貫通溝１５Ａを形成する際に、第２貫通溝１５Ｂと交差する部分の面積が大きくなるように形成した場合であっても、図１８Ｂに示すように、第１封止層２５Ａを第１貫通溝１５Ａ内に充填した後、図１８Ｃに示すように、第２貫通溝１５Ｂを形成する際に、完成品において隣り合うコンデンサ素子３０（図１９参照）間でショートが発生するおそれがある。図１８Ｃ中、ショートが発生する箇所を破線で囲んで示している。

そこで、図１８Ｄに示すように、レーザー加工等の方法を用いて、第１貫通溝１５Ａと第２貫通溝１５Ｂとの交差領域内のショート箇所を再度切断してもよい。切断の際の平面形状は線形に限定されない。また、切断の方向は第１方向Ｘに限定されない。図１８Ｄに示す切断により、完成品において隣り合うコンデンサ素子３０（図１９参照）間でショート不良が発生するリスクをさらに低減させることができる。図１８Ｄに示すように、少なくともショート箇所を切断する限り、その他の箇所を切断してもよい。

ショート箇所を再度切断する際には、第１貫通溝１５Ａと第２貫通溝１５Ｂとの交差領域の面積が大きいため、切断箇所が少しずれてもコンデンサ素子３０を切断することを防止することができる。なお、新たにショートが発生することを防ぐために、ショート箇所を再度切断する加工面積は、第１貫通溝１５Ａと第２貫通溝１５Ｂとの交差領域における第１貫通溝１５Ａの面積よりも小さいことが好ましい。

図２０は、実施例１に係るコンデンサアレイにおける交差領域の一例を示す平面模式図である。図２１は、図２０に示すコンデンサアレイから第１封止層及び第２封止層を除いた平面模式図である。

図２０に示す例では、第１貫通溝１５Ａと第２貫通溝１５Ｂとは直交している。

図２１に示すように、第１貫通溝１５Ａと第２貫通溝１５Ｂとの交差領域Ｉを厚さ方向Ｚから見たとき、第１貫通溝１５Ａを交差領域Ｉまで延長した第１仮想溝１１５Ａと、第２貫通溝１５Ｂを交差領域Ｉまで延長した第２仮想溝１１５Ｂとの交点（図２１中の４つの点）は、交差領域Ｉ（図２１では円）の内側に位置する。

言い換えると、交差領域Ｉを厚さ方向Ｚから見たとき、交差領域Ｉ（図２１では円）の面積は、第１仮想溝１１５Ａと第２仮想溝１１５Ｂとが重なる部分（図２１中の４つの点で囲まれる四角形）の面積よりも大きい。

実施例１では、上述のとおり、交差領域Ｉにおける第１貫通溝１５Ａの幅が広いため、隣り合うコンデンサ素子３０間でショート不良が発生するリスクを低減させることができる。

また、交差領域Ｉの面積が大きいことで、表裏の封止層をつなぐ支柱として機能する部分の面積が大きくなるため、表裏の密着強度が高くなる。その結果、デラミネーションを抑制することができる。

図２０に示すように、第１封止層２５Ａ及び第２封止層２５Ｂが交差領域Ｉ内にも延在している場合、交差領域Ｉを厚さ方向Ｚから見たとき、交差領域Ｉ内では第１封止層２５Ａよりも第２封止層２５Ｂが内側に位置し、かつ、交差領域Ｉ内の第２封止層２５Ｂの面積が交差領域Ｉ内の第２仮想溝１１５Ｂ（図２１参照）の面積と同じである。

図２０において破線で示すように、第１貫通溝１５Ａと交差領域Ｉとの角部の少なくとも１つが湾曲面（いわゆるＲ面）又は鈍角面を有することが好ましい。この場合、交差領域Ｉにおける角部に集中する応力が緩和されるため、クラック及びデラミネーションを抑制することができる。

クラック及びデラミネーションを抑制する観点からは、第１貫通溝１５Ａと交差領域Ｉとの角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有することがより好ましい。２つ以上の角部が湾曲面又は鈍角面を有する場合、湾曲面を有する角部のみが存在してもよいし、鈍角面を有する角部のみが存在してもよいし、湾曲面を有する角部と鈍角面を有する角部とが混在してもよい。

同様に、第２貫通溝１５Ｂと交差領域Ｉとの角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有することが好ましく、第２貫通溝１５Ｂと交差領域Ｉとの角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有することがより好ましい。２つ以上の角部が湾曲面又は鈍角面を有する場合、湾曲面を有する角部のみが存在してもよいし、鈍角面を有する角部のみが存在してもよいし、湾曲面を有する角部と鈍角面を有する角部とが混在してもよい。

特に、第１貫通溝１５Ａと交差領域Ｉとの角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有し、かつ、第２貫通溝１５Ｂと交差領域Ｉとの角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有することが好ましく、第１貫通溝１５Ａと交差領域Ｉとの角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有し、かつ、第２貫通溝１５Ｂと交差領域Ｉとの角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有することがより好ましい。

図２２は、実施例１に係るコンデンサアレイにおける交差領域の第１変形例を示す平面模式図である。図２３は、図２２に示すコンデンサアレイから第１封止層及び第２封止層を除いた平面模式図である。

図２２に示す例のように、第１貫通溝１５Ａと第２貫通溝１５Ｂとは直交せず、９０°以外の角度をなすように交差していてもよい。

図２３に示すように、第１貫通溝１５Ａと第２貫通溝１５Ｂとの交差領域Ｉを厚さ方向Ｚから見たとき、第１貫通溝１５Ａを交差領域Ｉまで延長した第１仮想溝１１５Ａと、第２貫通溝１５Ｂを交差領域Ｉまで延長した第２仮想溝１１５Ｂとの交点（図２３中の４つの点）は、交差領域Ｉ（図２３では円）の内側に位置する。

図２４は、実施例１に係るコンデンサアレイにおける交差領域の第２変形例を示す平面模式図である。

図２４に示す例のように、厚さ方向Ｚから見たときの交差領域Ｉの平面形状は、四角形等の多角形であってもよい。

厚さ方向Ｚから見たときの交差領域Ｉの平面形状は特に限定されず、例えば、矩形（正方形又は長方形）、矩形以外の四角形、三角形、五角形、六角形等の多角形、円形、楕円形、これらを組み合わせた形状等が挙げられる。

図２５は、実施例１に係るコンデンサアレイにおける交差領域の第３変形例を示す平面模式図である。

図２５に示す例のように、第１貫通溝１５Ａと交差領域Ｉとの角部は、湾曲面又は鈍角面を有しなくてもよい。同様に、第２貫通溝１５Ｂと交差領域Ｉとの角部は、湾曲面又は鈍角面を有しなくてもよい。

図２６は、実施例２に係るコンデンサアレイにおける交差領域の一例を示す平面模式図である。

図２６に示すように、第１封止層２５Ａ及び第２封止層２５Ｂが交差領域Ｉ内にも延在している場合、交差領域Ｉを厚さ方向Ｚから見たとき、交差領域Ｉ内では第１封止層２５Ａよりも第２封止層２５Ｂが内側に位置し、かつ、交差領域Ｉ内の第２封止層２５Ｂの面積が交差領域Ｉ内の第２仮想溝１１５Ｂ（図２１参照）の面積よりも大きい。その他の構成は実施例１と同様である。

図２６に示す例では、第２封止層２５Ｂは、交差領域Ｉ内に、第１貫通溝１５Ａに沿った線形部を有する。第２封止層２５Ｂの線形部は、第１方向Ｘの正方向及び負方向の両方に存在してもよく、いずれか一方のみに存在してもよい。

実施例２では、上述のとおり、隣り合うコンデンサ素子３０間でショート不良が発生するリスクをさらに低減させることができる。

また、実施例１に比べて第１封止層２５Ａと第２封止層２５Ｂとの接触面積が大きくなるため、第１封止層２５Ａと第２封止層２５Ｂとの間のデラミネーションを抑制することができる。

図２６において破線で示すように、第１貫通溝１５Ａと交差領域Ｉとの角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有することが好ましく、第１貫通溝１５Ａと交差領域Ｉとの角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有することがより好ましい。２つ以上の角部が湾曲面又は鈍角面を有する場合、湾曲面を有する角部のみが存在してもよいし、鈍角面を有する角部のみが存在してもよいし、湾曲面を有する角部と鈍角面を有する角部とが混在してもよい。

同様に、第２貫通溝１５Ｂと交差領域Ｉとの角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有することが好ましく、第２貫通溝１５Ｂと交差領域Ｉとの角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有することがより好ましい。２つ以上の角部が湾曲面又は鈍角面を有する場合、湾曲面を有する角部のみが存在してもよいし、鈍角面を有する角部のみが存在してもよいし、湾曲面を有する角部と鈍角面を有する角部とが混在してもよい。

特に、第１貫通溝１５Ａと交差領域Ｉとの角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有し、かつ、第２貫通溝１５Ｂと交差領域Ｉとの角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有することが好ましく、第１貫通溝１５Ａと交差領域Ｉとの角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有し、かつ、第２貫通溝１５Ｂと交差領域Ｉとの角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有することがより好ましい。

図２６に示す例では、第１貫通溝１５Ａと第２貫通溝１５Ｂとは直交しているが、第１貫通溝１５Ａと第２貫通溝１５Ｂとは直交せず、９０°以外の角度をなすように交差していてもよい。

図２７は、実施例２に係るコンデンサアレイにおける交差領域の第１変形例を示す平面模式図である。

図２７に示す例のように、第２封止層２５Ｂは、交差領域Ｉ内に、円形部又は楕円形部を有してもよい。

図２８は、実施例２に係るコンデンサアレイにおける交差領域の第２変形例を示す平面模式図である。

図２８に示す例のように、厚さ方向Ｚから見たときの交差領域Ｉの平面形状は、四角形等の多角形であってもよい。

図２８に示す例では、第２封止層２５Ｂは、交差領域Ｉ内に、四角形等の多角形部を有しているが、線形部を有してもよく、円形部又は楕円形部を有してもよい。

図２９は、実施例２に係るコンデンサアレイにおける交差領域の第３変形例を示す平面模式図である。

図２９に示す例のように、第１貫通溝１５Ａと交差領域Ｉとの角部は、湾曲面又は鈍角面を有しなくてもよい。同様に、第２貫通溝１５Ｂと交差領域Ｉとの角部は、湾曲面又は鈍角面を有しなくてもよい。

図２９に示す例では、第２封止層２５Ｂは、交差領域Ｉ内に、線形部を有しているが、四角形等の多角形部を有してもよく、円形部又は楕円形部を有してもよい。

図３０は、実施例２に係るコンデンサアレイにおける交差領域の第４変形例を示す平面模式図である。

図３０に示す例のように、第２封止層２５Ｂが有する線形部の幅は、第１貫通溝１５Ａの幅よりも広くてもよい。

以下では、本発明のコンデンサアレイにおける、コンデンサ素子の第１電極層及び第２電極層の各導出構造の一例について説明する。

図１に示すコンデンサアレイ１は、スルーホール導体６０をさらに備えることが好ましい。

スルーホール導体６０は、コンデンサ素子３０の第１電極層（例えば陽極板３１）に電気的に接続される第１スルーホール導体６２、及び、コンデンサ素子３０の第２電極層（例えば陰極層３６）に電気的に接続される第２スルーホール導体６４のうち、少なくとも一方を含むことが好ましい。

スルーホール導体６０、より具体的には、第１スルーホール導体６２及び第２スルーホール導体６４は、各々、コンデンサ層１０の厚さ方向Ｚにコンデンサ素子３０を貫通するように設けられていることが好ましい。

コンデンサ素子３０の陽極板３１及び陰極層３６は、各々、第１スルーホール導体６２及び第２スルーホール導体６４を利用して導出される。

まず、コンデンサ素子３０の陽極板３１の導出構造の一例について、以下に説明する。

図３１は、図１中の線分Ａ１－Ａ２に沿う断面を含むコンデンサアレイの断面の一例を示す断面模式図である。なお、図３１中の線分Ａ１－Ａ２は、図１中の線分Ａ１－Ａ２に対応している。

図３１に示すように、第１スルーホール導体６２は、コンデンサ層１０の厚さ方向Ｚにコンデンサ素子３０を貫通するように設けられていることが好ましい。より具体的には、第１スルーホール導体６２は、コンデンサ素子３０を厚さ方向Ｚに貫通する第１貫通孔６３の少なくとも内壁面に設けられていることが好ましい。

第１スルーホール導体６２は、厚さ方向Ｚに直交する面方向において第１貫通孔６３の内壁面に対向する陽極板３１の端面に電気的に接続されていることが好ましい。

面方向は、厚さ方向Ｚに直交する第１方向Ｘ及び第２方向Ｙを包含する方向である。

第１スルーホール導体６２に電気的に接続する陽極板３１の端面には、芯部３２及び多孔質部３４が露出していることが好ましい。この場合、芯部３２に加えて多孔質部３４でも、第１スルーホール導体６２との電気的な接続がなされる。

第１スルーホール導体６２は、例えば、以下のようにして形成される。まず、第１スルーホール導体６２を形成しようとする部分に対して、ドリル加工、レーザー加工等を行うことにより、第１貫通孔６３を形成する。そして、第１貫通孔６３の内壁面を、銅、金、銀等の低抵抗の金属でメタライズすることにより、第１スルーホール導体６２を形成する。第１スルーホール導体６２を形成する際、例えば、第１貫通孔６３の内壁面を、無電解銅めっき処理、電解銅めっき処理等でメタライズすることにより、加工が容易になる。なお、第１スルーホール導体６２を形成する方法については、第１貫通孔６３の内壁面をメタライズする方法以外に、金属、金属と樹脂との複合材料等を第１貫通孔６３に充填する方法であってもよい。

図３１に示すように、コンデンサアレイ１は、第１スルーホール導体６２と陽極板３１の端面との間に設けられた陽極接続層６８をさらに備えることが好ましい。図３１に示す例では、陽極接続層６８が、第１スルーホール導体６２と陽極板３１の端面との両方に接している。

陽極接続層６８が第１スルーホール導体６２と陽極板３１の端面との間に設けられていることにより、陽極接続層６８が、陽極板３１に対するバリア層、より具体的には、芯部３２及び多孔質部３４に対するバリア層として機能する。このような陽極接続層６８を利用することにより、後述する導電部２０等を形成するための薬液処理時に生じる陽極板３１の溶解が抑制され、ひいては、コンデンサ素子３０への薬液の浸入が抑制されるため、コンデンサアレイ１の信頼性が向上しやすくなる。

図３１に示すように、第１スルーホール導体６２と陽極板３１の端面とは、陽極接続層６８を介して電気的に接続されていることが好ましい。

図３１に示すように、陽極接続層６８は、陽極板３１の端面側から順に、第１陽極接続層６８Ａと、第２陽極接続層６８Ｂと、を含んでいてもよい。

陽極接続層６８において、例えば、第１陽極接続層６８Ａは亜鉛を主成分とする層であってもよく、第２陽極接続層６８Ｂはニッケル又は銅を主成分とする層であってもよい。この場合、第１陽極接続層６８Ａは、例えば、ジンケート処理で亜鉛を置換析出させることにより陽極板３１の端面に形成され、その後、第２陽極接続層６８Ｂは、例えば、無電解ニッケルめっき処理又は無電解銅めっき処理により第１陽極接続層６８Ａの表面に形成される。なお、第２陽極接続層６８Ｂの形成時に第１陽極接続層６８Ａが消失する場合があり、この場合は、陽極接続層６８が第２陽極接続層６８Ｂのみからなってもよい。

陽極接続層６８は、ニッケルを主成分とする層を含むことが好ましい。この場合、陽極板３１を構成する金属（例えば、アルミニウム）等へのダメージが低減されるため、陽極板３１に対する陽極接続層６８のバリア性が向上しやすくなる。

図３１に示すように、厚さ方向Ｚにおいて、陽極接続層６８の寸法は、陽極板３１の寸法よりも大きいことが好ましい。この場合、陽極板３１の端面全体が陽極接続層６８で覆われるため、陽極板３１に対する陽極接続層６８のバリア性が向上しやすくなる。

厚さ方向Ｚにおいて、陽極接続層６８の寸法は、好ましくは陽極板３１の寸法の１００％よりも大きく、２００％以下である。

厚さ方向Ｚにおいて、陽極接続層６８の寸法は、陽極板３１の寸法と同じであってもよいし、陽極板３１の寸法よりも小さくてもよい。

なお、第１スルーホール導体６２と陽極板３１の端面との間に陽極接続層６８が設けられていなくてもよい。この場合、第１スルーホール導体６２は、陽極板３１の端面に直に接続されていてもよい。

図１及び図３１に示すように、厚さ方向Ｚから見たとき、第１スルーホール導体６２は、第１貫通孔６３の全周にわたって陽極板３１の端面に電気的に接続されていることが好ましい。図３１に示すように、第１スルーホール導体６２と陽極板３１の端面との間に陽極接続層６８が設けられている場合、厚さ方向Ｚから見たとき、第１スルーホール導体６２は、第１貫通孔６３の全周にわたって陽極接続層６８に接続されていることが好ましい。この場合、第１スルーホール導体６２と陽極接続層６８との接触面積が大きくなるため、第１スルーホール導体６２と陽極接続層６８との接続抵抗が低減しやすくなる。その結果、第１スルーホール導体６２と陽極板３１との接続抵抗が低減しやすくなるため、コンデンサ素子３０の等価直列抵抗（ＥＳＲ）が低減しやすくなる。さらに、第１スルーホール導体６２と陽極接続層６８との間の密着性が向上しやすくなるため、熱応力による第１スルーホール導体６２と陽極接続層６８との間の剥離等の不具合が生じにくくなる。

図３１に示すように、コンデンサアレイ１は、第１スルーホール導体６２に電気的に接続された導電部２０をさらに備えることが好ましい。図３１に示す例では、導電部２０が、第１スルーホール導体６２の表面に設けられている。導電部２０は、コンデンサアレイ１（コンデンサ素子３０）の接続端子として機能できる。

導電部２０の構成材料としては、例えば、銀、金、銅等の低抵抗の金属が挙げられる。この場合、導電部２０は、例えば、第１スルーホール導体６２の表面にめっき処理を行うことにより形成される。

導電部２０と他の部材との間の密着性、ここでは、導電部２０と第１スルーホール導体６２との間の密着性を向上させるために、導電部２０の構成材料として、銀フィラー、銅フィラー、ニッケルフィラー、及び、カーボンフィラーからなる群より選択される少なくとも１種の導電性フィラーと樹脂との混合材料が用いられてもよい。

図１及び図３１に示すように、コンデンサアレイ１は、第１貫通孔６３に樹脂材料が充填されてなる第１樹脂充填部２９Ａをさらに備えることが好ましい。図１及び図３１に示す例では、第１樹脂充填部２９Ａが、第１貫通孔６３の内壁面上の第１スルーホール導体６２で囲まれた空間に設けられている。第１樹脂充填部２９Ａが設けられることで第１貫通孔６３内の空間が解消されると、第１スルーホール導体６２のデラミネーションの発生が抑制される。

第１樹脂充填部２９Ａの熱膨張率は、第１スルーホール導体６２の熱膨張率よりも大きいことが好ましい。より具体的には、第１貫通孔６３に充填された樹脂材料の熱膨張率は、第１スルーホール導体６２の構成材料（例えば、銅）の熱膨張率よりも大きいことが好ましい。この場合、第１樹脂充填部２９Ａ、より具体的には、第１貫通孔６３に充填された樹脂材料が高温環境下で膨張することにより、第１スルーホール導体６２が第１貫通孔６３の内側から外側に向かって第１貫通孔６３の内壁面に押さえつけられるため、第１スルーホール導体６２のデラミネーションの発生が充分に抑制される。

第１樹脂充填部２９Ａの熱膨張率は、第１スルーホール導体６２の熱膨張率と同じであってもよいし、第１スルーホール導体６２の熱膨張率よりも小さくてもよい。より具体的には、第１貫通孔６３に充填された樹脂材料の熱膨張率は、第１スルーホール導体６２の構成材料の熱膨張率と同じであってもよいし、第１スルーホール導体６２の構成材料の熱膨張率よりも小さくてもよい。

コンデンサアレイ１は、第１樹脂充填部２９Ａを備えていなくてもよい。この場合、第１スルーホール導体６２は、第１貫通孔６３の内壁面上だけではなく、第１貫通孔６３の内部全体に設けられていることが好ましい。

次に、コンデンサ素子３０の陰極層３６の導出構造の一例について、以下に説明する。

図３２は、図１中の線分Ｂ１－Ｂ２に沿う断面を含むコンデンサアレイの断面の一例を示す断面模式図である。なお、図３２中の線分Ｂ１－Ｂ２は、図１中の線分Ｂ１－Ｂ２に対応している。

図３２に示すように、第２スルーホール導体６４は、コンデンサ層１０の厚さ方向Ｚにコンデンサ素子３０を貫通するように設けられていることが好ましい。より具体的には、第２スルーホール導体６４は、図３１等に示す第１スルーホール導体６２が設けられたコンデンサ素子３０を厚さ方向Ｚに貫通する第２貫通孔６５の少なくとも内壁面に設けられていることが好ましい。

図３２に示すように、第２スルーホール導体６４は、陰極層３６に電気的に接続されていることが好ましい。ここで、図３２に示す例では、導電部４０が、第２スルーホール導体６４の表面に設けられており、コンデンサアレイ１（コンデンサ素子３０）の接続端子として機能できる。また、図３２に示す例では、ビア導体４２が、封止層２５を厚さ方向Ｚに貫通して導電部４０と陰極層３６とに接続されるように設けられている。よって、図３２に示す例では、第２スルーホール導体６４が、導電部４０及びビア導体４２を介して陰極層３６に電気的に接続されている。この場合、コンデンサアレイ１の小型化が可能となる。

第２スルーホール導体６４は、例えば、以下のようにして形成される。まず、第２スルーホール導体６４を形成しようとする部分に対して、ドリル加工、レーザー加工等を行うことにより、貫通孔を形成する。次に、形成された貫通孔に、第２封止層２５Ｂの構成材料（例えば、樹脂材料）を充填することにより、絶縁層を形成する。そして、形成された絶縁層に対して、ドリル加工、レーザー加工等を行うことにより、第２貫通孔６５を形成する。この際、第２貫通孔６５の直径を絶縁層の直径よりも小さくすることにより、先に形成された貫通孔と第２貫通孔６５との間に、第２封止層２５Ｂの構成材料が存在する状態にする。その後、第２貫通孔６５の内壁面を、銅、金、銀等の低抵抗の金属でメタライズすることにより、第２スルーホール導体６４を形成する。第２スルーホール導体６４を形成する際、例えば、第２貫通孔６５の内壁面を、無電解銅めっき処理、電解銅めっき処理等でメタライズすることにより、加工が容易になる。なお、第２スルーホール導体６４を形成する方法については、第２貫通孔６５の内壁面をメタライズする方法以外に、金属、金属と樹脂との複合材料等を第２貫通孔６５に充填する方法であってもよい。

導電部４０の構成材料としては、例えば、銀、金、銅等の低抵抗の金属が挙げられる。この場合、導電部４０は、例えば、第２スルーホール導体６４の表面にめっき処理を行うことにより形成される。

導電部４０と他の部材との間の密着性、ここでは、導電部４０と第２スルーホール導体６４との間の密着性を向上させるために、導電部４０の構成材料として、銀フィラー、銅フィラー、ニッケルフィラー、及び、カーボンフィラーからなる群より選択される少なくとも１種の導電性フィラーと樹脂との混合材料が用いられてもよい。

ビア導体４２の構成材料としては、例えば、導電部４０の構成材料と同様のものが挙げられる。

ビア導体４２は、例えば、封止層２５を厚さ方向Ｚに貫通するように設けられた貫通孔に対して、内壁面にめっき処理を行ったり、導電性ペーストを充填した後に熱処理を行ったりすることにより形成される。

コンデンサアレイ１は、図１及び図３２に示すように、第２貫通孔６５に樹脂材料が充填されてなる第２樹脂充填部２９Ｂをさらに備えることが好ましい。図１及び図３２に示す例では、第２樹脂充填部２９Ｂが、第２貫通孔６５の内壁面上の第２スルーホール導体６４で囲まれた空間に設けられている。第２樹脂充填部２９Ｂが設けられることで第２貫通孔６５内の空間が解消されると、第２スルーホール導体６４のデラミネーションの発生が抑制される。

第２樹脂充填部２９Ｂの熱膨張率は、第２スルーホール導体６４の熱膨張率よりも大きいことが好ましい。より具体的には、第２貫通孔６５に充填された樹脂材料の熱膨張率は、第２スルーホール導体６４の構成材料（例えば、銅）の熱膨張率よりも大きいことが好ましい。この場合、第２樹脂充填部２９Ｂ、より具体的には、第２貫通孔６５に充填された樹脂材料が高温環境下で膨張することにより、第２スルーホール導体６４が第２貫通孔６５の内側から外側に向かって第２貫通孔６５の内壁面に押さえつけられるため、第２スルーホール導体６４のデラミネーションの発生が充分に抑制される。

第２樹脂充填部２９Ｂの熱膨張率は、第２スルーホール導体６４の熱膨張率と同じであってもよいし、第２スルーホール導体６４の熱膨張率よりも小さくてもよい。より具体的には、第２貫通孔６５に充填された樹脂材料の熱膨張率は、第２スルーホール導体６４の構成材料の熱膨張率と同じであってもよいし、第２スルーホール導体６４の構成材料の熱膨張率よりも小さくてもよい。

コンデンサアレイ１は、第２樹脂充填部２９Ｂを備えていなくてもよい。この場合、第２スルーホール導体６４は、第２貫通孔６５の内壁面上だけではなく、第２貫通孔６５の内部全体に設けられていることが好ましい。

図３２に示すように、第２封止層２５Ｂは、陽極板３１と第２スルーホール導体６４との間に延在していることが好ましい。図３２に示す例では、第２封止層２５Ｂが、陽極板３１と第２スルーホール導体６４との両方に接している。第２封止層２５Ｂが陽極板３１と第２スルーホール導体６４との間に延在していることにより、陽極板３１と第２スルーホール導体６４との間の絶縁性、ひいては、陽極板３１と陰極層３６との間の絶縁性が確保され、両者間の短絡が防止される。

第２封止層２５Ｂが陽極板３１と第２スルーホール導体６４との間に延在している場合、図３２に示すように、第２封止層２５Ｂに接する陽極板３１の端面には、芯部３２及び多孔質部３４が露出していることが好ましい。この場合、第２封止層２５Ｂと多孔質部３４との接触面積が大きくなることで両者間の密着性が向上するため、第２封止層２５Ｂと多孔質部３４との間の剥離等の不具合が生じにくくなる。

第２封止層２５Ｂに接する陽極板３１の端面に、芯部３２及び多孔質部３４が露出している場合、絶縁層２４の構成材料が多孔質部３４の空孔に入り込むことで多孔質部３４の内部に広がった絶縁層２４が、第２スルーホール導体６４の周囲に設けられていることが好ましい。この場合、陽極板３１と第２スルーホール導体６４との間の絶縁性、ひいては、陽極板３１と陰極層３６との間の絶縁性が充分に確保され、両者間の短絡が充分に防止される。

第２封止層２５Ｂに接する陽極板３１の端面に、芯部３２及び多孔質部３４が露出している場合、第２封止層２５Ｂの構成材料は、多孔質部３４の空孔に入り込んでいることが好ましい。この場合、多孔質部３４の機械的強度が向上しつつ、多孔質部３４の空孔に起因するデラミネーションの発生が抑制される。

第２封止層２５Ｂの熱膨張率は、第２スルーホール導体６４の熱膨張率よりも大きいことが好ましい。より具体的には、第２封止層２５Ｂの構成材料の熱膨張率は、第２スルーホール導体６４の構成材料（例えば、銅）の熱膨張率よりも大きいことが好ましい。この場合、第２封止層２５Ｂ、より具体的には、第２封止層２５Ｂの構成材料が高温環境下で膨張することにより、多孔質部３４及び第２スルーホール導体６４が押さえつけられるため、デラミネーションの発生が充分に抑制される。

第２封止層２５Ｂの熱膨張率は、第２スルーホール導体６４の熱膨張率と同じであってもよいし、第２スルーホール導体６４の熱膨張率よりも小さくてもよい。より具体的には、第２封止層２５Ｂの構成材料の熱膨張率は、第２スルーホール導体６４の構成材料の熱膨張率と同じであってもよいし、第２スルーホール導体６４の構成材料の熱膨張率よりも小さくてもよい。

図１等には示されていないが、スルーホール導体６０は、コンデンサ素子３０の第１電極層（例えば陽極板３１）及び第２電極層（例えば陰極層３６）に電気的に接続されない第３スルーホール導体を含んでもよい。

本発明のコンデンサアレイは、第１貫通溝と第２貫通溝との交差領域を厚さ方向から見たとき、第１貫通溝を交差領域まで延長した第１仮想溝と、第２貫通溝を交差領域まで延長した第２仮想溝との交点が交差領域の内側に位置する限り、上記実施形態に限定されるものではない。したがって、コンデンサアレイの構成、製造条件等に関し、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。

本発明のコンデンサアレイにおいて、コンデンサ素子は、固体電解コンデンサ等の電解コンデンサに限定されない。本発明のコンデンサアレイにおいて、コンデンサ素子は、例えば、チタン酸バリウムを用いたセラミックコンデンサ、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、フッ化水素（ＨＦ）等を用いた薄膜コンデンサ、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）構造を有するトレンチ型コンデンサ等を構成してもよい。

本発明のコンデンサアレイにおいて、コンデンサ層の薄型化及び大面積化、並びに、コンデンサ層の剛性、柔軟性等の機械特性向上の観点から、コンデンサ素子は、アルミニウム等の金属を基材とするコンデンサを構成することが好ましく、アルミニウム等の金属を基材とする電解コンデンサを構成することがより好ましい。

本発明のコンデンサアレイは、例えば、複合電子部品に用いられる。このような複合電子部品は、例えば、本発明のコンデンサアレイと、本発明のコンデンサアレイの外部電極層に電気的に接続された電子部品と、を有する。

複合電子部品において、外部電極層に電気的に接続される電子部品は、受動素子であってもよいし、能動素子であってもよいし、受動素子及び能動素子の両方であってもよいし、受動素子及び能動素子の複合体であってもよい。

受動素子としては、例えば、インダクタ等が挙げられる。

能動素子としては、メモリ、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＰＭＩＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ＩＣ）等が挙げられる。

本発明のコンデンサアレイが複合電子部品に用いられる場合、本発明のコンデンサアレイは、例えば、電子部品を実装するための基板として扱われる。そのため、本発明のコンデンサアレイを全体としてシート状にし、さらに、本発明のコンデンサアレイに実装される電子部品をシート状にすることにより、電子部品を厚さ方向に貫通するスルーホール導体を介して、本発明のコンデンサアレイと電子部品とを厚さ方向に電気的に接続することが可能となる。その結果、電子部品としての受動素子及び能動素子を一括のモジュールのように構成することが可能となる。

例えば、半導体アクティブ素子を含むボルテージレギュレータと、変換された直流電圧が供給される負荷との間に本発明のコンデンサアレイを電気的に接続することにより、スイッチングレギュレータを形成することができる。

複合電子部品においては、本発明のコンデンサアレイが複数個レイアウトされたコンデンサマトリクスシートの一方主面上に回路層を形成した上で、その回路層を、電子部品としての受動素子又は能動素子に電気的に接続してもよい。

また、基板に予め設けられたキャビティ部に本発明のコンデンサアレイを配置し、樹脂で埋め込んだ後、その樹脂上に回路層を形成してもよい。同基板の別のキャビティ部には、別の電子部品としての受動素子又は能動素子が搭載されていてもよい。

あるいは、本発明のコンデンサアレイをウエハ、ガラス等の平滑なキャリアに実装し、樹脂による外層部を形成した後、回路層を形成した上で、その回路層を、電子部品としての受動素子又は能動素子に電気的に接続してもよい。

本明細書には、以下の内容が開示されている。

＜１＞
複数の貫通溝で区分されることにより、厚さ方向に直交する面方向に平面配置された複数のコンデンサ素子を含む、コンデンサ層を備え、
上記コンデンサ素子は、各々、第１電極層と第２電極層と誘電体層とを含み、上記第１電極層及び上記第２電極層が上記誘電体層を介して上記厚さ方向に対向しており、
上記貫通溝は、第１方向に沿う第１貫通溝と、上記第１方向と交差する第２方向に沿う第２貫通溝と、を含み、
上記第１貫通溝と上記第２貫通溝との交差領域を上記厚さ方向から見たとき、上記第１貫通溝を上記交差領域まで延長した第１仮想溝と、上記第２貫通溝を上記交差領域まで延長した第２仮想溝との交点は、上記交差領域の内側に位置する、コンデンサアレイ。

＜２＞
上記コンデンサ層を封止する封止層をさらに備える、＜１＞に記載のコンデンサアレイ。

＜３＞
上記封止層は、上記コンデンサ層の上記厚さ方向に相対する両方の主面に設けられた第１封止層を含み、
上記第１封止層は、上記第１貫通溝内に延在しており、かつ、上記第２貫通溝内に延在していない、＜２＞に記載のコンデンサアレイ。

＜４＞
上記封止層は、上記第１封止層の表面に設けられた第２封止層をさらに含み、
上記第２封止層は、上記第１貫通溝内に延在しておらず、かつ、上記第２貫通溝内に延在している、＜３＞に記載のコンデンサアレイ。

＜５＞
上記第１封止層及び上記第２封止層は、上記交差領域内にも延在し、
上記交差領域を上記厚さ方向から見たとき、上記交差領域内では上記第１封止層よりも上記第２封止層が内側に位置し、かつ、上記交差領域内の上記第２封止層の面積が上記交差領域内の上記第２仮想溝の面積よりも大きい、＜４＞に記載のコンデンサアレイ。

＜６＞
上記第１貫通溝と上記交差領域との角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有する、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載のコンデンサアレイ。

＜７＞
上記第１貫通溝と上記交差領域との角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有する、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載のコンデンサアレイ。

＜８＞
上記第２貫通溝と上記交差領域との角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有する、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載のコンデンサアレイ。

＜９＞
上記第２貫通溝と上記交差領域との角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有する、請求項＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載のコンデンサアレイ。

＜１０＞
上記第１貫通溝と上記交差領域との角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有し、かつ、上記第２貫通溝と上記交差領域との角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有する、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載のコンデンサアレイ。

＜１１＞
上記第１貫通溝と上記交差領域との角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有し、かつ、上記第２貫通溝と上記交差領域との角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有する、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載のコンデンサアレイ。

＜１２＞
上記第１電極層は、金属からなる芯部と、上記芯部の少なくとも一方の主面に設けられた多孔質部と、を有する陽極板であり、
上記誘電体層は、上記多孔質部の表面に設けられ、
上記第２電極層は、上記誘電体層の表面に設けられた陰極層である、＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載のコンデンサアレイ。

＜１３＞
上記陰極層は、上記誘電体層の表面に設けられた固体電解質層を含む、＜１２＞に記載のコンデンサアレイ。

１ コンデンサアレイ
１０ コンデンサ層
１５ 貫通溝
１５Ａ 第１貫通溝
１５Ｂ 第２貫通溝
２０ 導電部
２４ 絶縁層
２５ 封止層
２５Ａ 第１封止層
２５Ｂ 第２封止層
２９Ａ 第１樹脂充填部
２９Ｂ 第２樹脂充填部
３０ コンデンサ素子
３０ａ コンデンサ素子の第１主面
３０ｂ コンデンサ素子の第２主面
３１ 陽極板
３２ 芯部
３４ 多孔質部
３５ 誘電体層
３６ 陰極層
３６Ａ 固体電解質層
３６Ｂ 導電体層
４０ 導電部
４２ ビア導体
６０ スルーホール導体
６２ 第１スルーホール導体
６３ 第１貫通孔
６４ 第２スルーホール導体
６５ 第２貫通孔
６８ 陽極接続層
６８Ａ 第１陽極接続層
６８Ｂ 第２陽極接続層
１１５Ａ 第１仮想溝
１１５Ｂ 第２仮想溝
１３０ コンデンサシート
１３０ａ コンデンサシートの第１主面
１３０ｂ コンデンサシートの第２主面
Ｉ 第１貫通溝と第２貫通溝との交差領域
Ｗ１ 第１貫通溝の幅
Ｗ２ 第２貫通溝の幅
Ｘ 第１方向
Ｙ 第２方向
Ｚ 厚さ方向

Claims (13)

1. 複数の貫通溝で区分されることにより、厚さ方向に直交する面方向に平面配置された複数のコンデンサ素子を含む、コンデンサ層と、
   前記コンデンサ層を封止する封止層と、を備え、
   前記コンデンサ素子は、各々、第１電極層と第２電極層と誘電体層とを含み、前記第１電極層及び前記第２電極層が前記誘電体層を介して前記厚さ方向に対向しており、
   前記貫通溝は、第１方向に沿う第１貫通溝と、前記第１方向と交差する第２方向に沿う第２貫通溝と、を含み、
   前記封止層に覆われている前記コンデンサ層において、前記第１貫通溝と前記第２貫通溝との交差領域を前記厚さ方向から見たとき、前記第１貫通溝を前記交差領域まで延長した第１仮想溝と、前記第２貫通溝を前記交差領域まで延長した第２仮想溝との交点は、前記交差領域の内側に位置する、コンデンサアレイ。
2. 前記封止層に覆われている前記コンデンサ層において、前記第１貫通溝と前記第２貫通溝との交差領域を前記厚さ方向から見たとき、前記第１貫通溝を前記交差領域まで延長した第１仮想溝と、前記第２貫通溝を前記交差領域まで延長した第２仮想溝との交点は、前記厚さ方向の全体にわたって前記交差領域の内側に位置する、請求項１に記載のコンデンサアレイ。
3. 前記封止層は、前記コンデンサ層の前記厚さ方向に相対する両方の主面に設けられた第１封止層を含み、
   前記第１封止層は、前記第１貫通溝内に延在しており、かつ、前記第２貫通溝内に延在していない、請求項１又は２に記載のコンデンサアレイ。
4. 前記封止層は、前記第１封止層の表面に設けられた第２封止層をさらに含み、
   前記第２封止層は、前記第１貫通溝内に延在しておらず、かつ、前記第２貫通溝内に延在している、請求項３に記載のコンデンサアレイ。
5. 前記第１封止層及び前記第２封止層は、前記交差領域内にも延在し、
   前記交差領域を前記厚さ方向から見たとき、前記交差領域内では前記第１封止層よりも前記第２封止層が内側に位置し、かつ、前記交差領域内の前記第２封止層の面積が前記交差領域内の前記第２仮想溝の面積よりも大きい、請求項４に記載のコンデンサアレイ。
6. 前記第１貫通溝と前記交差領域との角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有する、請求項１又は２に記載のコンデンサアレイ。
7. 前記第１貫通溝と前記交差領域との角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有する、請求項１又は２に記載のコンデンサアレイ。
8. 前記第２貫通溝と前記交差領域との角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有する、請求項１又は２に記載のコンデンサアレイ。
9. 前記第２貫通溝と前記交差領域との角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有する、請求項１又は２に記載のコンデンサアレイ。
10. 前記第１貫通溝と前記交差領域との角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有し、かつ、前記第２貫通溝と前記交差領域との角部の少なくとも１つが湾曲面又は鈍角面を有する、請求項１又は２に記載のコンデンサアレイ。
11. 前記第１貫通溝と前記交差領域との角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有し、かつ、前記第２貫通溝と前記交差領域との角部の全てが湾曲面又は鈍角面を有する、請求項１又は２に記載のコンデンサアレイ。
12. 前記第１電極層は、金属からなる芯部と、前記芯部の少なくとも一方の主面に設けられた多孔質部と、を有する陽極板であり、
    前記誘電体層は、前記多孔質部の表面に設けられ、
    前記第２電極層は、前記誘電体層の表面に設けられた陰極層である、請求項１又は２に記載のコンデンサアレイ。
13. 前記陰極層は、前記誘電体層の表面に設けられた固体電解質層を含む、請求項１２に記載のコンデンサアレイ。