JP7736073B2 - 発光デバイスおよび電子機器 - Google Patents

発光デバイスおよび電子機器

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Description

本開示は、発光デバイスおよびそれを備える電子機器に関する。
近年、複数の半導体発光素子が備えられた発光デバイスは広く知られている。このような発光デバイスとしては、複数色の半導体発光素子が積層された構成のものが提案されている（例えば特許文献１参照）。
国際公開第２０１８／１５６８７６号公報
しかしながら、複数色の半導体発光素子が積層された発光デバイスでは、下層の半導体発光素子の光が上層の半導体発光素子に妨げられるため、輝度が低下することがある。
本開示の目的は、輝度の低下を抑制することができる発光デバイスおよびそれを備える電子機器を提供することにある。
上記の課題を解決するために、第１の開示は、
基板と、第１の層と、第２の層とを順次備え、
第１の層は、複数の第１の半導体発光素子を含み、
第２の層は、複数の第２の半導体発光素子を含み、
複数の第１の半導体発光素子は、基板の面内方向に配置され、第１のピーク波長を有する第１の光を発光することができ、
第１の半導体発光素子は、第１の領域と、第２の領域とを有し、第１の領域は、第１の半導体発光素子の周縁部分に設けられ、第１の光を発光することができないか、もしくは第２の領域に比べて発光強度が低い第１の光しか発光するこができず、第２の領域は、第１の領域の内側に設けられ、第１の光を発光することができ、
第２の半導体発光素子は、基板の面内方向に配置され、第１のピーク波長とは異なる第２のピーク波長を有する第２の光を発光することができ、
第１の半導体発光素子および第２の半導体発光素子は、基板の面内方向にずれて配置されている
発光デバイスである。
第２の開示は、
基板と、第１の層と、第２の層とを順次備え、
第１の層は、複数の第１の半導体発光素子を含み、
第２の層は、複数の第２の半導体発光素子を含み、
複数の第１の半導体発光素子は、第１の発光層を含み、基板の面内方向に配置され、第１のピーク波長を有する第１の光を発光することができ、
複数の第２の半導体発光素子は、第２の発光層を含み、基板の面内方向に配置され、第１のピーク波長とは異なる第２のピーク波長を有する第２の光を発光することができ、
第１の発光層のキャリア拡散長は、第２の発光層のキャリア拡散長より長い
第１の半導体発光素子および第２の半導体発光素子は、基板の面内方向にずれて配置されている
発光デバイスである。
第３の開示は、第１の開示または第２の開示の発光デバイスを備える電子機器である。
第１の半導体発光素子の発光光が複数のピークを有する場合、第１の光の第１のピーク波長とは、複数のピークのうちの最大強度のピークの波長を意味するものとする。
第２の半導体発光素子の発光光が複数のピークを有する場合、第２の光の第２のピーク波長とは、複数のピークのうちの最大強度のピークの波長を意味するものとする。
第３の半導体発光素子の発光光が複数のピークを有する場合、第３の光の第３のピーク波長とは、複数のピークのうちの最大強度のピークの波長を意味するものとする。
第４の半導体発光素子の発光光が複数のピークを有する場合、第４の光の第４のピーク波長とは、複数のピークのうちの最大強度のピークの波長を意味するものとする。
第１の光と第２の光とが異なる色の光であってもよい。
第１の光と第２の光と第３の光とがすべて異なる色の光であってもよい。
第１の光と第４の光とが同一色の光であってもよい。
第１の光および第４の光はそれぞれ独立して、赤色光または赤外光であってもよい。当該赤外線は、近赤外光であってもよい。
第２の光および第３の光はそれぞれ独立して、青色光、緑色光、黄色光または紫外光であってもよい。当該紫外光は、短波長紫外線（ＵＶ－Ｃ）、中波長紫外線（ＵＶ－Ｂ）または長波長紫外線（ＵＶ－Ａ）であってもよい。
紫外光は、ピークの半値幅（半値全幅）またはピーク波長が１００ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の範囲にある分光特性を有する光である。
短波長紫外線（ＵＶ－Ｃ）は、ピークの半値幅（半値全幅）またはピーク波長が１００ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲にある分光特性を有する光である。
中波長紫外線（ＵＶ－Ｂ）は、ピークの半値幅（半値全幅）またはピーク波長が２８０ｎｍを超え３１５ｎｍ以下の範囲にある分光特性を有する光である。
長波長紫外線（ＵＶ－Ａ）は、ピークの半値幅（半値全幅）またはピーク波長が３１５ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の範囲にある分光特性を有する光である。
青色光は、ピークの半値幅（半値全幅）またはピーク波長が３８０ｎｍを超え４９０ｎｍ以下の範囲にある分光特性を有する光である。
緑色光は、ピークの半値幅（半値全幅）またはピーク波長が４９０ｎｍを超え５５０ｎｍ以下の範囲にある分光特性を有する光である。
黄色光は、５５０ｎｍを超え５９０ｎｍ以下の範囲にある分光特性を有する光である。
赤色光は、ピークの半値幅（半値全幅）またはピーク波長が５９０ｎｍを超え７８０ｎｍ以下の範囲にある分光特性を有する光である。
赤外光は、ピークの半値幅（半値全幅）またはピーク波長が７８０ｎｍを超え１ｍｍ以下の範囲にある分光特性を有する光である。
近赤外光は、ピークの半値幅（半値全幅）またはピーク波長が７８０ｎｍを超え２．５μｍ以下の範囲にある分光特性を有する光である。
複数の第１の半導体発光素子が、赤色光を出射することができる複数の半導体発光素子と、赤外光を出射することができる複数の半導体発光素子とを含んでもよい。
複数の第４の半導体発光素子が、赤色光を出射することができる複数の半導体発光素子と、赤外光を出射することができる複数の半導体発光素子とを含んでもよい。
複数の第２の半導体発光素子が、緑色光を出射することができる複数の半導体発光素子と、紫外光を出射することができる複数の半導体発光素子とを含んでもよい。
複数の第３の半導体発光素子が、青色光を出射することができる複数の半導体発光素子と、紫外光を出射することができる複数の半導体発光素子とを含んでもよい。
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す平面図である。 図２Ａは、画素の構成の一例を示す平面図である。図２Ｂは、図２Ａ中の矢印１０２Ａの方向から画素を見た場合の透視図である。 図３は、第１の層の構成の一例を示す平面図である。 図４は、第２の層の構成の一例を示す平面図である。 図５Ａは、第１の化合物半導体発光素子の構成の一例を示す断面図である。図５Ｂは、第２の化合物半導体発光素子の構成の一例を示す断面図である。図５Ｃは、第３の化合物半導体発光素子の構成の一例を示す断面図である。 図６は、第１の化合物半導体発光素子の構成の一例を示す断面図である。 図７は、第１の化合物半導体発光素子の面積ＳＲと第２の化合物半導体発光素子の面積ＳＧと第３の化合物半導体発光素子の面積ＳＢの総和ＳＲＧＢ、および１つの画素の面積ＳＰＩＸの一例について説明するための図である。 図８は、第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す平面図である。 図９Ａは、画素の構成の一例を示す平面図である。図９Ｂは、図９Ａ中の矢印２０２Ａの方向から画素を見た場合の透視図である。 図１０は、第４の化合物半導体発光素子の構成の一例を示す断面図である。 図１１Ａ、図１１Ｂはそれぞれ、第１の化合物半導体発光素子の変形例を示す断面図である。 図１２は、第１の化合物半導体発光素子の変形例を示す平面図である。 図１３は、第１の化合物半導体発光素子の変形例を示す平面図である。 図１４は、第１の化合物半導体発光素子、第２の化合物半導体発光素子および第３の化合物半導体発光素子の変形例を示す平面図である。 図１５は、第１の化合物半導体発光素子、第２の化合物半導体発光素子および第３の化合物半導体発光素子の変形例を示す平面図である。 図１６Ａ、図１６Ｂはそれぞれ、第２の化合物半導体発光素子の変形例を説明するための平面図である。 図１７Ａは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図である。図１７Ｂは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す背面図である。 図１８は、ヘッドマウントディスプレイの外観の一例を斜視図である。 図１９は、テレビジョン装置の外観の一例を示す斜視図である。
本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 第１の実施形態（表示装置の一例）
２ 第２の実施形態（表示装置の一例）
３ 変形例（表示装置の変形例）
４ 応用例（電子機器の例）
＜１ 第１の実施形態＞
［表示装置の構成］
図１は、第１の実施形態に係る表示装置１００の構成の一例を示す平面図である。表示装置１００は、駆動基板１０１と、複数の画素１０２とを備える。複数の画素１０２は、マトリクス状等の規定の配置パターンで駆動基板１０１の第１の面に２次元配置されている。表示装置１００は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode（発光ダイオード））ディスプレイである。表示装置１００は、発光デバイスの一例である。
以下の説明において、表示装置１０を構成する各層および各部材において、表示装置１０の表示面側となる面を第１の面といい、上記表示面とは反対側となる面を第２の面という。駆動基板１０１の第１の面内において直行する第１方向（水平方向）、第２方向（垂直方向）をそれぞれ、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向といい、駆動基板１０１の第１の面に対して垂直な方向をＺ軸方向という。
（駆動基板１０１）
駆動基板１０１は、いわゆるバックプレーンである。駆動基板１０１は、複数の画素１０２を駆動する。駆動基板１０１の第１の面には、図２Ｂに示すように、複数のパッド５１、複数のパッド５２および複数のパッド５３が設けられている。図示を省略するが、駆動基板１０１の第１の面には、複数の駆動回路および映像表示用のドライバ等も設けられている。
駆動基板１０１の基板本体は、例えば、トランジスタ等の形成が容易な半導体で構成されていてもよいし、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよい。具体的には、基板本体は、半導体基板、ガラス基板または樹脂基板等であってもよい。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（画素１０２）
図２Ａは、画素１０２の構成の一例を示す平面図である。図２Ｂは、図２Ａ中の矢印１０２Ａの方向から画素１０２を見た場合の透視図である。画素１０２は、平面視において長方形状を有する。本明細書において、長方形状には、正方形状も含まれる。本明細書において、平面視とは、Ｚ軸方向（駆動基板１０１の第１の面に対して垂直な方向）から対象物を見ることを意味する。なお、画素１０２の形状は、正方形状以外の四角形状（例えば菱形状、平行四辺形）であってもよい。
（第１の層Ｌ１、第２の層Ｌ２）
表示装置１００は、駆動基板１０１と、第１の層Ｌ１と、第２の層Ｌ２とを順次備える。図３は、第１の層Ｌ１の構成の一例を示す平面図である。図４は、第２の層Ｌ２の構成の一例を示す平面図である。第１の層Ｌ１は、図２Ａ、図２Ｂおよび図３に示すように、複数の第１の化合物半導体発光素子（以下単に「第１の発光素子」という。）１０Ｒと、複数の配線１３と、絶縁材料１４とを含む。第２の層Ｌ２は、図２Ａ、図２Ｂおよび図４に示すように、複数の第２の化合物半導体発光素子（以下単に「第２の発光素子」という。）２０Ｇと、複数の第３の化合物半導体発光素子（以下単に「第３の発光素子」という。）３０Ｂと、複数の配線２３、複数の配線３３と、絶縁材料２４とを含む。表示装置１００は、第１の層Ｌ１から第２の層Ｌ２に亘って設けられた複数の接続部材５２Ａおよび複数の接続部材５３Ａをさらに備える。
第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂは、面内方向にずれて配置されている。これにより、第１の発光素子１０Ｒから発光された赤色光が、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂにより妨げされることを抑制することができる。第２の発光素子２０Ｇと第３の発光素子３０Ｂとは、平面視において離隔されている。第１の発光素子１０Ｒは、平面視において第２の発光素子２０Ｇと第３の発光素子３０Ｂとの間に設けられている。本明細書において、面内方向とは、駆動基板１０１の第１の面に平行の方向を意味する。１つの画素１０２は、１つの第１の発光素子１０Ｒと、１つの第２の発光素子２０Ｇと、１つの第３の発光素子３０Ｂとにより構成されている。
（第１の発光素子１０Ｒ）
第１の発光素子１０Ｒは、第１のサブ画素を構成している。第１の発光素子１０Ｒは、赤色光を出射することができる。赤色光は、第１のピーク波長を有する第１の光の一例である。第１の発光素子１０Ｒは、平面視において六角形状を有する。上記六角形状は、対向する略直角の１組の角を有する。上記１組の角を結ぶ対角線が長方形状の画素１０２の第１の対角線と重なるように、第１の発光素子１０Ｒは画素１０２内に配置されている。複数の第１の発光素子１０Ｒは、絶縁材料１４内に設けられている。複数の第１の発光素子１０Ｒは、マトリクス状等の規定の配置パターンで面内方向に２次元配置されている。
第１の発光素子１０Ｒは、非発光／低発光領域（第１の領域）１０Ａ１と、発光領域（第２の領域）１０Ａ２とを第１の面に有している。非発光／低発光領域１０Ａ１は、第１の発光素子１０Ｒの周縁部分に設けられ、赤色光を発光することができないか、もしくは発光領域１０Ａ２に比べて発光強度が低い赤色光しか発光することができない領域である。非発光／低発光領域１０Ａ１は、第１の発光素子１０Ｒの第１の面の周縁から内側に規定幅の領域である。非発光／低発光領域１０Ａ１は、閉ルーブ状を有している。
発光領域１０Ａ２は、非発光／低発光領域１０Ａ１の内側に設けられ、赤色光を発光することができる領域である。発光領域１０Ａ２は、例えば、平面視において第１の発光素子１０Ｒと相似の形状を有する。
図５Ａは、第１の発光素子１０Ｒの構成の一例を示す断面図である。第１の発光素子１０Ｒは、例えば、赤色ＬＥＤ素子である。第１の発光素子１０Ｒは、化合物半導体積層体１１Ｒと、電極１２とを備える。化合物半導体積層体１１Ｒは、第１の面と第２の面とを有する。化合物半導体積層体１１Ｒは、電極１２の第１の面上に、第１の化合物半導体層１１１と、発光層（第１の発光層）１１２と、第２の化合物半導体層１１３とを順次備える。
化合物半導体積層体１１Ｒおよび電極１２は、図６に示すように、隣接する第１の発光素子１０Ｒの間で分断されている。これにより、隣接する第１の発光素子１０Ｒの間における電子および正孔のリークを抑制することができる。
発光層１１２は、赤色光を発光することができる。第１の化合物半導体層１１１、発光層１１２および第２の化合物半導体層１１３は、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体またはＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体を含む。ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体またはＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体を含む発光層１１２では、第１の発光素子１０Ｒの第１の面に非発光／低発光領域１０Ａ１と発光領域１０Ａ２とが発生する。但し、このような領域が第１の発光素子１０Ｒの第１の面に発生する化合物半導体は、上記材料に限定されるものではない。第１の化合物半導体層１１１は第１導電型を有し、第２の化合物半導体層１１３は、第１導電型と反対の導電型である第２導電型を有する。第１の導電型がｎ型であり、第２の導電型がｐ型であってもよいし、第１の導電型がｐ型であり、第２の導電型がｎ型であってもよい。すなわち、第１の発光素子１０Ｒはアノードコモンで接続されていてもよし、カソードコモンで接続されていてもよい。
発光層１１２がＡｌＧａＩｎＰ系材料またはＡｌＧａＩｎＡｓ系材料を含む場合、非発光／低発光領域１０Ａ１における赤色光の非発光の現象、もしくは赤色光の低発光の現象が顕著に表れる。したがって、発光層１１２がＡｌＧａＩｎＰ系材料またはＡｌＧａＩｎＡｓ系材料を含む場合に、第１の発光素子１０Ｒの面積ＳＲが、第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＢおよび第３の発光素子３０Ｂの面積ＳＢに比べて大きく設定されることが特に有効である。
電極１２は、化合物半導体積層体１１Ｒの第２の面に設けられている。電極１２は、接続部材としてのバンプ５１Ａを介して駆動基板１０１のパッド５１に接続されている。化合物半導体積層体１１Ｒが、ウエハーボンディング等により駆動基板１０１の第１の面に直接接合されていてもよい。この場合、電極１２、バンプ５１Ａおよびパッド５１が設けられていなくてもよい。
電極１２は、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、Ｚｎ（亜鉛）、錫（Ｓｎ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属を含む。電極１２は、上記少なくとも１種の金属を合金の構成元素として含んでもよい。
電極１２は、例えば、単層構成または多層構成を有する。多層構成としては、Ｔｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｌ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｎｉ／Ｐｔ、Ｐｄ／ＰｔまたはＡｇ／Ｐｄ等を例示することができる。電極１２が多層構成である場合、多層構成における「／」の前の層ほど、より活性層側に位置する。
（第２の発光素子２０Ｇ）
第２の発光素子２０Ｇは、第２のサブ画素を構成している。第２の発光素子２０Ｇは、緑色光を発光することができる。緑色光は、第１のピーク波長とは異なる第２のピーク波長を有する第２の光の一例である。第２の発光素子２０Ｇは、平面視において正方形状等の四角形状を有する。
複数の第２の発光素子２０Ｇは、絶縁材料２４内に設けられている。複数の第２の発光素子２０Ｇは、マトリクス状等の規定の配置パターンで面内方向に２次元配置されている。第２の発光素子２０Ｇは、面内方向に第１の発光素子１０Ｒからずれて配置されている。第２の発光素子２０Ｇは、長方形状の画素１０２の第２の対角線上に配置されている。
第２の発光素子２０Ｇは、平面視において第１の発光素子１０Ｒの一部と重なっている。これにより、画素１０２を微細化することができるので、表示装置１００を高精細化することができる。また、第１の発光素子１０Ｒの光取り出しに対する第２の発光素子２０Ｇの影響を抑制することができる。第１の発光素子１０Ｒの光取り出しに対する第２の発光素子２０Ｇの影響を抑制する観点からすると、第２の発光素子２０Ｇは、平面視において第１の発光素子１０Ｒの発光領域１０Ａ２の外側に位置していることが好ましい。
第２の発光素子２０Ｇは、平面視において第１の発光素子１０Ｒの発光領域１０Ａ２の外側に位置し、かつ、第１の発光素子１０Ｒの非発光／低発光領域１０Ａ１の一部と重なっていることが好ましい。具体的には、第２の発光素子２０Ｇの第１の部分が、平面視において第１の発光素子１０Ｒの非発光／低発光領域１０Ａ１と重なり、第２の発光素子２０Ｇの第２の部分が、平面視において第１の発光素子１０Ｒの外側の領域に重なっていることが好ましい。これにより、画素１０２を微細化しつつ、第１の発光素子１０Ｒの光取り出しに対する第２の発光素子２０Ｇの影響を抑制することができる。
第２の発光素子２０Ｇは、第１の面の略全体（第１の面の全体を含む。）に発光領域を有している。第１の実施形態では、第２の発光素子２０Ｇが、第２の発光素子２０Ｇの第１の面の略全体に発光領域を有している例について説明するが、第２の発光素子２０Ｇが、第１の発光素子１０Ｒの非発光／低発光領域１０Ａ１よりも狭い非発光／低発光領域を第２の発光素子２０Ｇの第１の面に有していてもよい。第２の発光素子２０Ｇは、例えば、マストランスファー工程により第１の層Ｌ１上に実装される。
図５Ｂは、第２の発光素子２０Ｇの構成の一例を示す断面図である。第２の発光素子２０Ｇは、例えば、緑色ＬＥＤ素子である。第２の発光素子２０Ｇは、化合物半導体積層体２１Ｇと、電極２２とを備える。化合物半導体積層体２１Ｇは、第１の面と第２の面とを有する。化合物半導体積層体２１Ｇは、電極２２の第１の面上に、第１の化合物半導体層１２１と、発光層（第２の発光層）１２２と、第２の化合物半導体層１２３とを順次備える。
発光層１２２は、緑色光を発光することができる。第１の化合物半導体層１２１、発光層１２２および第２の化合物半導体層１２３は、例えば、ＡｌＧａＩｎＮ系化合物半導体を含む。ＡｌＧａＩｎＮ系化合物半導体を含む発光層１２２では、第２の発光素子２０Ｇの第１の面の略全体が発光領域になる。但し、このように第２の発光素子２０Ｇの第１の面の略全体が発光領域になる化合物半導体は、上記材料に限定されるものではない。第１の化合物半導体層１２１は第１導電型を有し、第２の化合物半導体層１２３は、第１導電型と反対の導電型である第２導電型を有する。第１の導電型がｎ型であり、第２の導電型がｐ型であってもよいし、第１の導電型がｐ型であり、第２の導電型がｎ型であってもよい。すなわち、第２の発光素子２０Ｇはアノードコモンで接続されていてもよし、カソードコモンで接続されていてもよい。
電極２２は、化合物半導体積層体２１Ｇの第２の面に設けられている。電極２２は、接続部材５２Ａにより駆動基板１０１のパッド５２に接続されている。接続部材５２Ａは、平面視において第１の発光素子１０Ｒの外側に位置していることが好ましい。これにより、第１の発光素子１０Ｒの発光領域１０Ａ２の減少を抑制することができる。接続部材５２Ａは、例えばビア等である。電極２２は、単層構成または多層構成を有する。電極２２は、電極１２と同様の材料を含んでもよい。
（第３の発光素子３０Ｂ）
第３の発光素子３０Ｂは、第３のサブ画素を構成している。第３の発光素子３０Ｂは、青色光を発光することができる。青色光は、第１のピーク波長および前記第２のピーク波長とは異なる第３のピーク波長を有する第３の光の一例である。第３の発光素子３０Ｂは、平面視において正方形状等の四角形状を有する。
複数の第３の発光素子３０Ｂは、絶縁材料２４内に設けられている。複数の第３の発光素子３０Ｂは、マトリクス状等の規定の配置パターンで面内方向に２次元配置されている。第３の発光素子３０Ｂは、面内方向に第１の発光素子１０Ｒからずれて配置されている。
第３の発光素子３０Ｂは、長方形状の画素１０２の第２の対角線上に配置されている。第１の発光素子１０Ｒに対する第３の発光素子３０Ｂのずれの方向は、第１の発光素子１０Ｒに対する第２の発光素子２０Ｇのずれの方向とは反対方向である。
第３の発光素子３０Ｂは、平面視において第１の発光素子１０Ｒの一部と重なっている。これにより、画素１０２を微細化することができるので、表示装置１００を高精細化することができる。また、第１の発光素子１０Ｒの光取り出しに対する第３の発光素子３０Ｂの影響を抑制することができる。第１の発光素子１０Ｒの光取り出しに対する第３の発光素子３０Ｂの影響を抑制する観点からすると、第３の発光素子３０Ｂは、平面視において第１の発光素子１０Ｒの発光領域１０Ａ２の外側に位置していることが好ましい。
第３の発光素子３０Ｂは、平面視において第１の発光素子１０Ｒの発光領域１０Ａ２の外側に位置し、かつ、第１の発光素子１０Ｒの非発光／低発光領域１０Ａ１の一部と重なっていることが好ましい。具体的には、第３の発光素子３０Ｂの第１の部分が、平面視において第１の発光素子１０Ｒの非発光／低発光領域１０Ａ１と重なり、第３の発光素子３０Ｂの第２の部分が、平面視において第１の発光素子１０Ｒの外側の領域に重なっていることが好ましい。これにより、画素１０２を微細化しつつ、第１の発光素子１０Ｒの光取り出しに対する第３の発光素子３０Ｂの影響を抑制することができる。
第３の発光素子３０Ｂは、第１の面の略全体（第１の面の全体を含む。）に発光領域を有している。第１の実施形態では、第３の発光素子３０Ｂが、第３の発光素子３０Ｂの第１の面の略全体に発光領域を有している例について説明するが、第３の発光素子３０Ｂが、第１の発光素子１０Ｒの非発光／低発光領域１０Ａ１よりも狭い非発光／低発光領域を第３の発光素子３０Ｂの第１の面に有していてもよい。第３の発光素子３０Ｂは、例えば、マストランスファー工程により第１の層Ｌ１上に実装される。
図５Ｃは、第３の発光素子３０Ｂの構成の一例を示す断面図である。第３の発光素子３０Ｂは、例えば、青色ＬＥＤ素子である。第３の発光素子３０Ｂは、化合物半導体積層体３１Ｂと、電極３２とを備える。化合物半導体積層体３１Ｂは、第１の面と第２の面とを有する。化合物半導体積層体３１Ｂは、電極３２の第２の面上に、第１の化合物半導体層１３１と、発光層（第３の発光層）１３２と、第２の化合物半導体層１３３とを順次備える。
発光層１３２は、青色光を発光することができる。第１の化合物半導体層１３１、発光層１３２および第２の化合物半導体層１３３は、例えば、ＡｌＧａＩｎＮ系化合物半導体を含む。ＡｌＧａＩｎＮ系化合物半導体を含む発光層１３２では、第３の発光素子３０Ｂの第１の面の略全体が発光領域になる。但し、このように第３の発光素子３０Ｂの第１の面の略全体が発光領域になる化合物半導体は、上記材料に限定されるものではない。第１の化合物半導体層１３１は第１導電型を有し、第２の化合物半導体層１３３は、第１導電型と反対の導電型である第２導電型を有する。第１の導電型がｎ型であり、第２の導電型がｐ型であってもよいし、第１の導電型がｐ型であり、第２の導電型がｎ型であってもよい。すなわち、第３の発光素子３０Ｂはアノードコモンで接続されていてもよし、カソードコモンで接続されていてもよい。
電極３２は、化合物半導体積層体３１Ｂの第２の面に設けられている。電極３２は、接続部材５３Ａにより駆動基板１０１のパッド５３に接続されている。接続部材５３Ａは、平面視において第１の発光素子１０Ｒの外側に位置していることが好ましい。これにより、第１の発光素子１０Ｒの発光領域１０Ａ２の減少を抑制することができる。接続部材５３Ａは、例えばビア等である。電極３２は、単層構成または多層構成を有する。電極３２は、電極１２と同様の材料を含んでもよい。
（第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂのサイズ）
赤色光を発光することができる第１の発光素子（例えば赤色ＬＥＤ素子）１０Ｒでは、上記のような非発光／低発光領域１０Ａ１が発生する。一方、緑色光を発光することができる第２の発光素子（例えば緑色ＬＥＤ素子）２０Ｇおよび青色光を発光することができる第３の発光素子（例えば青色ＬＥＤ素子）３０Ｂでは、第１の発光素子１０Ｒで見られる非発光／低発光領域は発生することはないか、もしくは仮に非発光／低発光領域が発生するとしても、その非発光／低発光領域の面積は第１の発光素子１０Ｒの非発光／低発光領域１０Ａ１に比べて極めて小さい。
したがって、第１の発光素子１０Ｒを微細化すると、発光領域１０Ａ２の面積に対する非発光／低発光領域１０Ａ１の面積の割合が増加し、第１の発光素子１０Ｒの発光効率が低下する虞がある。一方、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂを微細化しても、第１の発光素子１０Ｒのように発光効率が低下する虞は小さい。
第１の実施形態においては、第１の発光素子１０Ｒの発光効率の低下を抑制するために、第１の発光素子１０Ｒの面積ＳＲが、第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＢに比べて大きく、かつ、第１の発光素子１０Ｒの面積ＳＲが、第３の発光素子３０Ｂの面積ＳＢに比べて大きい。本明細書において、第１の発光素子１０Ｒの面積ＳＲ、第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＢおよび第３の発光素子３０Ｂの面積ＳＢはいずれも、平面視における面積（すなわち、第１の面の面積）を意味する。
第１の発光素子１０Ｒの面積は、１つの画素１０２の面積の１／３より大きいことが好ましい。これにより、第１の発光素子１０Ｒが非発光／低発光領域１０Ａ１を有していても、第１の発光素子１０Ｒの輝度の低下を抑制することができる。
第１の発光素子１０Ｒの面積ＳＲと第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＧと第３の発光素子３０Ｂの面積ＳＢの総和ＳＲＧＢ（＝ＳＲ＋ＳＧ＋ＳＢ）は、１つの画素１０２の面積ＳＰの１倍よりも大きく、１つの画素１０２の面積ＳＰＩＸの３倍よりも小さいことが好ましい。すなわち、面積ＳＲ、ＳＧ、ＳＢの総和ＳＲＧＢと、１つの画素１０２の面積ＳＰＩＸとが、ＳＲＧＢ＞ＳＰＩＸ、ＳＲＧＢ＜ＳＰＩＸ×３の関係を満たすことが好ましい。
図７を参照して、第１の発光素子１０Ｒの面積ＳＲと第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＧと第３の発光素子３０Ｂの面積ＳＢの総和ＳＲＧＢ、および１つの画素１０２の面積ＳＰＩＸの一例について説明する。図７に示される例では、第１の発光素子１０Ｒの面積ＳＲ、第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＧ、第３の発光素子３０Ｂの面積ＳＢ、面積ＳＲ、ＳＧ、ＳＢの総和ＳＲＧＢ、および１つの画素１０２の面積ＳＰＩＸは、以下のとおりである。
第１の発光素子１０Ｒの面積ＳＲ：４．０μｍ×４．０μｍ＝１６．０μｍ２
第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＧ：２．３μｍ×２．３μｍ＝５．３μｍ２
第３の発光素子３０Ｂの面積ＳＢ：２．３μｍ×２．３μｍ＝５．３μｍ２
面積ＳＲ、面積ＳＧおよび面積ＳＢの総和ＳＲＧＢ（＝ＳＲ＋ＳＧ＋ＳＢ）：２６．６μｍ２
１つの画素１０２の面積ＳＰＩＸ：５．０μｍ×５．０μｍ＝２５．０μｍ２
上記のように、ＳＲＧＢ＝２６．６μｍ２、ＳＰＩＸ＝２５．０μｍ２であるから、ＳＲＧＢ＞ＳＰＩＸの関係を満たす。また、１つの画素１０２の面積ＳＰＩＸの３倍（ＳＰＩＸ×３）が２５．０μｍ２×３＝７５．０μｍ２であるから、ＳＲＧＢ＜ＳＰＩＸ×３の関係を満たす。
第１の発光素子１０Ｒの面積ＳＲと第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＧと第３の発光素子３０Ｂの面積ＳＢの総和ＳＲＧＢ（＝ＳＲ＋ＳＧ＋ＳＢ）が、１つの画素１０２の面積ＳＰＩＸの１倍よりも大きいと、第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂが同一面内に稠密に配置されている画素に比べて、画素１０２のサイズを微細化することができる。
第１の発光素子１０Ｒの面積ＳＲと第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＧと第３の発光素子３０Ｂの面積ＳＢの総和ＳＲＧＢ（＝ＳＲ＋ＳＧ＋ＳＢ）が、１つの画素１０２の面積ＳＰＩＸの３倍よりも小さいと、第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂが過度に重なることを抑制することができる。例えば、第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂが同一形状で、かつ、同一サイズである場合には、第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂが完全に重なることを抑制することができる。
（キャリア拡散波長）
第１の発光素子１０Ｒの発光層１１２のキャリア拡散長は、第２の発光素子２０Ｇの発光層１２２のキャリア拡散長よりも長い。発光層１１２および発光層１２２がこのようなキャリア拡散長の関係を有する場合、発光層１１２および発光層１２２は、以下の（１）または（２）に示す発光特性を有している。
（１）第１の発光素子１０Ｒが、第１の発光素子１０Ｒの第１の面に非発光／低発光領域１０Ａ１を有するのに対して、第２の発光素子２０Ｇが、第２の発光素子２０Ｇの第１の面に非発光／低発光領域１０Ａ１を実質的に有していない。
（２）第１の発光素子１０Ｒおよび第２の発光素子２０Ｇの両方が、第１の面に非発光／低発光領域１０Ａ１を有しているが、第２の発光素子２０Ｇの非発光／低発光領域１０Ａ１の幅が、第１の発光素子１０Ｒの非発光／低発光領域１０Ａ１の幅に比べて狭い。
第１の発光素子１０Ｒの発光層１１２のキャリア拡散長は、第３の発光素子３０Ｂの発光層１３２のキャリア拡散長よりも長い。発光層１１２および発光層１３２がこのようなキャリア拡散長の関係を有する場合、発光層１１２および発光層１２２は、以下の（３）または（４）に示す発光特性を有している。
（３）第１の発光素子１０Ｒが、第１の発光素子１０Ｒの第１の面に非発光／低発光領域１０Ａ１を有するのに対して、第３の発光素子３０Ｂが、第３の発光素子３０Ｂの第１の面に非発光／低発光領域１０Ａ１を実質的に有していない。
（４）第１の発光素子１０Ｒおよび第３の発光素子３０Ｂの両方が、第１の面に非発光／低発光領域１０Ａ１を有しているが、第３の発光素子３０Ｂの非発光／低発光領域１０Ａ１の幅が、第１の発光素子１０Ｒの非発光／低発光領域１０Ａ１の幅に比べて狭い。
（配線１３、配線２３、配線３３）
配線１３は、Ｘ軸方向に１列に並んだ複数の第１の発光素子１０Ｒを電気的に接続している。配線１３は、絶縁材料１４上に設けられている。複数の配線１３はそれぞれ、Ｘ軸方向に延設されている。Ｙ軸方向に隣接する配線１３の間は、規定の間隔離されている。配線１３は、Ｘ軸方向に１列に並んだ複数の第１の発光素子１０Ｒそれぞれの化合物半導体積層体１１Ｒの第１の面に接続されている。配線１３は、透明配線１３Ａと複数の金属配線１３Ｂとを備える。複数の金属配線１３Ｂはそれぞれ、透明配線１３Ａの第１の面上に規定の間隔で設けられている。金属配線１３Ｂは、配線１３を低抵抗化するための補助部材である。
透明配線１３Ａは、可視光に対して透明性を有している。透明配線１３Ａは、例えば、透明導電性材料を含む。透明導電材料は、透明導電性酸化物を含むことが好ましい。透明導電性酸化物は、例えば、酸化インジウム、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide、ＳｎドープのＩｎ２Ｏ３、結晶性ＩＴＯおよびアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ：Indium Zinc Oxide）、インジウム－ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・ドープのガリウム－亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ、Ｉｎ－ＧａＺｎＯ４）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ２Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ２）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ２）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ、ＡｌドープのＺｎＯやＢドープのＺｎＯ、ＧａドープのＺｎＯを含む）、酸化アンチモン、スピネル型酸化物またはＹｂＦｅ２Ｏ４構造を有する酸化物である。透明配線１３Ａは、ガリウム酸化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物またはニッケル酸化物等を母層とする透明導電層であってもよい。
金属配線１３Ｂは、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）および銀（Ａｇ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。金属配線１３Ｂは、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでもよい。
配線２３は、Ｙ軸方向に１列に並んだ複数の第２の発光素子２０Ｇを電気的に接続している。配線３３は、Ｙ軸方向に１列に並んだ複数の第３の発光素子３０Ｂを電気的に接続している。配線２３および配線３３は、絶縁材料２４上に設けられている。複数の配線２３はそれぞれ、Ｙ軸方向に延設されている。同様に複数の配線３３もそれぞれ、Ｙ軸方向に延設されている。配線２３と配線３３とは、Ｘ軸方向に交互に設けられている。Ｘ軸方向に隣接する配線２３と配線３３の間は、規定の間隔離されている。配線２３は、Ｙ軸方向に１列に並んだ複数の第２の発光素子２０Ｇそれぞれの化合物半導体積層体２１Ｇの第１の面に接続されている。配線３３は、Ｙ軸方向に１列に並んだ複数の第３の発光素子３０Ｂそれぞれの化合物半導体積層体３１Ｂの第１の面に接続されている。
配線２３は、透明配線２３Ａと複数の金属配線２３Ｂとを備える。複数の金属配線２３Ｂはそれぞれ、透明配線２３Ａの第１の面上に配線２３の長手方向に規定の間隔で設けられている。金属配線２３Ｂは、配線２３を低抵抗化するための補助部材である。配線３３は、透明配線３３Ａと複数の金属配線３３Ｂとを備える。複数の金属配線３３Ｂはそれぞれ、透明配線３３Ａの第１の面上に配線２３の長手方向に規定の間隔で設けられている。金属配線３３Ｂは、配線３３を低抵抗化するための補助部材である。透明配線２３Ａおよび透明配線３３Ａは、透明配線１３Ａと同様の材料を含んでもよい。金属配線２３Ｂおよび金属配線３３Ｂは、金属配線１３Ｂと同様の材料を含んでもよい。
配線２３は、平面視において、Ｙ軸方向に１列に並んだ複数の第１の発光素子１０Ｒの各発光領域１０Ａ２の外側に位置していることが好ましい。これにより、第１の発光素子１０Ｒの光取り出しに対する配線２３の影響を抑制することができる。配線３３は、平面視において、Ｙ軸方向に１列に並んだ複数の第１の発光素子１０Ｒの各発光領域１０Ａ２の外側に位置していることが好ましい。これにより、第１の発光素子１０Ｒの光取り出しに対する配線３３の影響を抑制することができる。
配線２３が、平面視において、Ｙ軸方向に１列に並んだ複数の第１の発光素子１０Ｒの各発光領域１０Ａ２の外側に位置し、かつ、Ｙ軸方向に１列に並んだ複数の第１の発光素子１０Ｒの各非発光／低発光領域１０Ａ１の一部と重なっていることが好ましい。この場合、第１の発光素子１０Ｒの光取り出しに対する配線２３の影響を抑制すると共に、Ｘ軸方向に隣接する配線２３と配線３３との間隔をより狭くすることができる。
配線３３が、平面視において、Ｙ軸方向に１列に並んだ複数の第１の発光素子１０Ｒの各発光領域１０Ａ２の外側に位置し、かつ、Ｙ軸方向に１列に並んだ複数の第１の発光素子１０Ｒの各非発光／低発光領域１０Ａ１の一部と重なっていることが好ましい。この場合、第１の発光素子１０Ｒの光取り出しに対する配線３３の影響を抑制すると共に、Ｘ軸方向に隣接する配線２３と配線３３との間隔をより狭くすることができる。
（絶縁材料１４、２４）
絶縁材料１４および絶縁材料２４は、有機絶縁材料であってもよいし、無機絶縁材料であってもよいし、これらの積層体であってもよい。有機絶縁材料は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂およびノボラック系樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。無機絶縁材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
［作用効果］
従来の表示装置は、３色（赤色、緑色、青色）の発光素子（化合物半導体発光素子）を駆動基板の第１の面上の単一層に含む。このため、画素のサイズが微細化されると、それに伴って各色の発光素子のサイズが小さくなる。３色の発光素子のうち赤色の発光素子（例えば赤色ＬＥＤ素子）は、周縁部に非発光／低発光領域を有しているため、赤色の発光素子のサイズが小さくなると、発光素子の発光領域に対する、非発光／低発光領域の面積の割合が大きくなる。したがって、赤色の化合物半導体発光素子の発光効率が低下する。
一方、第１の実施形態に係る表示装置１００は、駆動基板１０１の第１の面上に、第１の層Ｌ１と第２の層Ｌ２とを順次備える。第２の層Ｌ２は、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂの２色の化合物半導体発光素子を含むのに対して、第１の層Ｌ１は、第１の発光素子１０Ｒの１色の化合物半導体発光素子を含む。これにより、第１の発光素子１０Ｒのサイズを第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂとは独立して設定することができる。このため、画素１０２のサイズが微細化された場合にも、それに伴って第１の発光素子１０Ｒのサイズが小さくなることを抑制することができる。したがって、第１の発光素子１０Ｒの発光領域１０Ａ２に対する、非発光／低発光領域１０Ａ１の面積の割合の増大を抑制することができ、第１の発光素子１０Ｒの発光効率の低下を抑制することができる。
第１の実施形態に係る表示装置１００では、第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂは、面内方向にずれて配置されている。これにより、３色（赤色、緑色、青色）の発光素子（化合物半導体発光素子）が積層されている従来の表示装置（特許文献１参照）に比べて輝度の低下を抑制することができる。
第１の実施形態に係る表示装置１００では、第１の層Ｌ１に含まれる第１の発光素子１０Ｒと、第２の層Ｌ２に含まれる第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂとはずれて配置されている。これにより、第１の発光素子１０Ｒから出射された赤色光が、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂに妨げられることを抑制することができる。したがって、赤色光の輝度の低下を抑制することができる。
第１の実施形態に係る表示装置１００では、第１の層Ｌ１が、１色の発光素子（第１の発光素子１０Ｒ）を含み、第２の層Ｌ２が、２色の発光素子（第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂ）を含む。一方、上記の従来の表示装置では、単一層が３色の発光素子を含む。したがって、第１の実施形態に係る表示装置１００では第２の発光素子２０Ｇと第３の発光素子３０Ｂとの間の間隔を、上記の従来の表示装置における３色の発光素子の間隔に比べて広くすることができる。よって、第１の実施形態に係る表示装置１００における第２の発光素子２０Ｇと第３の発光素子３０Ｂの実装精度を、従来の表示装置では、３色の発光素子の実装精度に比べて緩和することができる。
また、第１の実施形態に係る表示装置１００では、第１の発光素子１０Ｒの実装精度を、従来の表示装置における３色の発光素子の実装精度に比べて緩和することもできる。
第１の実施形態に係る表示装置１００では、第２の発光素子２０Ｇは、平面視において第１の発光素子１０Ｒの発光領域１０Ａ２の外側に位置し、かつ、第１の発光素子１０Ｒの非発光／低発光領域１０Ａ１の一部と重なっている。また、第３の発光素子３０Ｂは、平面視において第１の発光素子１０Ｒの発光領域１０Ａ２の外側に位置し、かつ、第１の発光素子１０Ｒの非発光／低発光領域１０Ａ１の一部と重なっている。これにより、画素１０２を微細化しつつ、第１の発光素子１０Ｒの光取り出しに対する、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂの影響を抑制することができる。
配線２３が、平面視において第１の発光素子１０Ｒの発光領域１０Ａ２の外側の領域に設けられている。また、配線３３が、平面視において第１の発光素子１０Ｒの発光領域１０Ａ２の外側の領域に設けられている。これにより、第１の発光素子１０Ｒの光取り出しに対する配線２３および配線３３の影響を抑制することができる。
＜２ 第２の実施形態＞
［表示装置の構成］
図８は、第２の実施形態に係る表示装置２００の構成の一例を示す平面図である。図９Ａは、画素２０２の構成の一例を示す平面図である。図９Ｂは、図９Ａ中の矢印２０２Ａの方向から画素２０２を見た場合の透視図である。表示装置２００は、第３の層Ｌ３をさらに備え、かつ、駆動基板１０１に代えて駆動基板２０１を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１００とは異なっている。
（駆動基板２０１）
駆動基板２０１は、複数の画素２０２を駆動する。駆動基板２０１の第１の面には、複数のパッド５１、複数のパッド５２、複数のパッド５３および複数のパッド５４が設けられている。
（第３の層Ｌ３）
第３の層Ｌ３は、駆動基板２０１と第１の層Ｌ１との間に設けられている。第３の層Ｌ３は、複数の第４の化合物半導体発光素子（以下単に「第４の発光素子」という。）４０Ｒと、複数の配線４３と、絶縁材料４４とを含む。１つの画素４０２は、１つの第１の発光素子１０Ｒと、１つの第２の発光素子２０Ｇと、１つの第３の発光素子３０Ｂと、１／４の第４の発光素子４０Ｒとにより構成されている。
（第４の発光素子４０Ｒ）
第４の発光素子４０Ｒは、第４のサブ画素を構成している。第４の発光素子４０Ｒは、第１の発光素子１０Ｒと同色の光、すなわち赤色光を発光することができる。赤色光は、第４のピーク波長を有する第４の光の一例である。第４の発光素子４０Ｒは、平面視において六角形状を有する。第４の発光素子４０Ｒは、第４の発光素子４０Ｒの中心が平面視において長方形状の画素４０２の角に位置するように配置されている。複数の第４の発光素子４０Ｒは、絶縁材料４４内に設けられている。複数の第４の発光素子４０Ｒは、マトリクス状等の規定の配置パターンで面内方向に２次元配置されている。第１の発光素子１０Ｒと第４の発光素子４０Ｒとは、平面視において離隔されている。第４の発光素子４０Ｒは、平面視において第２の発光素子２０Ｇと第３の発光素子３０Ｂとの間に設けられている。
第４の発光素子４０Ｒは、非発光／低発光領域（第３の領域）４０Ａ１と、発光領域（第４の領域）４０Ａ２とを第１の面に有している。非発光／低発光領域４０Ａ１、発光領域４０Ａ２は、第１の発光素子１０Ｒの非発光／低発光領域１０Ａ１、発光領域１０Ａ２と同様である。
図１０は、第４の発光素子４０Ｒの構成の一例を示す断面図である。第４の発光素子４０Ｒは、例えば、赤色ＬＥＤ素子である。第４の発光素子４０Ｒは、化合物半導体積層体４１Ｒと、電極４２とを備える。化合物半導体積層体４１Ｒは、第１の面と第２の面とを有する。化合物半導体積層体４１Ｒは、電極４２の第１の面上、第１の化合物半導体層１４１と、発光層（第４の発光層）１４２と、第２の化合物半導体層１４３とを順次備える。第１の化合物半導体層１４１、発光層１４２、第２の化合物半導体層１４３はそれぞれ、第１の発光素子１０Ｒの第１の化合物半導体層１１１、発光層１１２、第２の化合物半導体層１１３と同様であってもよい。
化合物半導体積層体４１Ｒおよび電極４２は、隣接する第４の発光素子４０Ｒの間で分断されている。これにより、第４の発光素子４０Ｒの間における電子および正孔のリークを抑制することができる。
電極４２は、化合物半導体積層体４１Ｒの第２の面に設けられている。電極４２は、接続部材としてのバンプ５４Ａを介して駆動基板２０１のパッド５４に接続されている。化合物半導体積層体４１Ｒが、ウエハーボンディング等により駆動基板２０１の第１の面に直接接合されていてもよい。この場合、電極４２、バンプ５４Ａおよびパッド５４が設けられていなくてもよい。電極４２は、単層構成または多層構成を有する。電極４２は、電極１２と同様の材料を含んでもよい。
（第１の発光素子１０Ｒ）
第２の実施形態では、第３の層Ｌ３が、駆動基板２０１と第１の層Ｌ１との間に設けられている。このため、第１の発光素子１０Ｒの電極１２は、バンプ５１Ａに代えて、ビア等の接続部材５１Ｂを介して駆動基板２０１のパッド５１に接続されている。
（第２の発光素子２０Ｇ）
第２の発光素子２０Ｇは、平面視において第４の発光素子４０Ｒの一部と重なっている。これにより、画素２０２を微細化することができるので、表示装置２００を高精細化することができる。また、第４の発光素子４０Ｒの光取り出しに対する第２の発光素子２０Ｇの影響を抑制することができる。第４の発光素子４０Ｒの光取り出しに対する第２の発光素子２０Ｇの影響を抑制する観点からすると、第２の発光素子２０Ｇは、平面視において第４の発光素子４０Ｒの発光領域４０Ａ２の外側に位置していることが好ましい。
第２の発光素子２０Ｇは、平面視において第４の発光素子４０Ｒの発光領域４０Ａ２の外側に位置し、かつ、第４の発光素子４０Ｒの非発光／低発光領域４０Ａ１の一部と重なっていることが好ましい。具体的には、第２の発光素子２０Ｇの第１の部分が、平面視において第４の発光素子４０Ｒの非発光／低発光領域４０Ａ１と重なり、第２の発光素子２０Ｇの第２の部分が、平面視において第４の発光素子４０Ｒの外側の領域に重なっていることが好ましい。これにより、画素２０２を微細化しつつ、第４の発光素子４０Ｒの光取り出しに対する第２の発光素子２０Ｇの影響を抑制することができる。
（第３の発光素子３０Ｂ）
第３の発光素子３０Ｂは、平面視において第４の発光素子４０Ｒの一部と重なっている。これにより、画素２０２を微細化することができるので、表示装置２００を高精細化することができる。また、第４の発光素子４０Ｒの光取り出しに対する第３の発光素子３０Ｂの影響を抑制することができる。第４の発光素子４０Ｒの光取り出しに対する第３の発光素子３０Ｂの影響を抑制する観点からすると、第３の発光素子３０Ｂは、平面視において第４の発光素子４０Ｒの発光領域４０Ａ２の外側に位置していることが好ましい。
第３の発光素子３０Ｂは、平面視において第４の発光素子４０Ｒの発光領域４０Ａ２の外側に位置し、かつ、第４の発光素子４０Ｒの非発光／低発光領域４０Ａ１の一部と重なっていることが好ましい。具体的には、第３の発光素子３０Ｂの第１の部分が、平面視において第４の発光素子４０Ｒの非発光／低発光領域４０Ａ１と重なり、第３の発光素子３０Ｂの第２の部分が、平面視において第４の発光素子４０Ｒの外側の領域に重なっていることが好ましい。これにより、画素２０２を微細化しつつ、第４の発光素子４０Ｒの光取り出しに対する第３の発光素子３０Ｂの影響を抑制することができる。
（配線４３）
配線４３は、Ｘ軸方向に１列に並んだ複数の第４の発光素子４０Ｒを電気的に接続している。配線４３は、絶縁材料４４上に設けられている。複数の配線４３はそれぞれ、Ｘ軸方向に延設されている。Ｙ軸方向に隣接する配線４３の間は、規定の間隔離されている。配線４３は、Ｘ軸方向に１列に並んだ複数の第４の発光素子４０Ｒそれぞれの化合物半導体積層体４１Ｒの第１の面に接続されている。配線４３は、配線１３と同様の構成を有していてもよい。
（絶縁材料４４）
絶縁材料４４は、絶縁材料１４および絶縁材料２４と同様の材料を含んでもよい。
［作用効果］
第２の実施形態に係る表示装置２００は、赤色光を発光することができる複数の第４の発光素子４０Ｒを駆動基板１１と第１の層Ｌ１との間にさらに備えている。したがって、１つの画素２０２当たりの赤色の発光素子の数を、第１の実施形態に係る表示装置１００に比べて増加させることができる。したがって、第１の発光素子１０Ｒの微細化により、第１の発光素子１０Ｒの発光領域１０Ａ２に対する、非発光／低発光領域１０Ａ１の面積の割合が増大した場合にも、赤色光の輝度の低下を抑制することができる。
＜３ 変形例＞
（変形例１）
第１の実施形態では、第１の光、第２の光、第３の光がそれぞれ、赤色光、緑色光、青色光である例について説明したが、第１の光、第２の光、第３の光はこれらの色の光に限定されるものではない。第１の光、第２の光および第３の光からなる群より選ばれた少なくとも１種の光が、赤色光、緑色光、青色光以外の色の光であってもよい。第１の光、第２の光および第３の光からなる群より選ばれた少なくとも１種の光が、可視光以外の光であってもよい。例えば、第１の光が、赤外光であってもよい。第２の光および第３の光からなる群より選ばれた少なくとも１種の光が、紫外光であってもよい。
赤外光を発光することができる第１の発光素子１０Ｒの化合物半導体積層体１１Ｒは、赤色光を発光することができる第１の発光素子１０Ｒの化合物半導体積層体１１Ｒと同様の材料系により構成可能である。したがって、赤外光を発光することができる第１の発光素子１０Ｒは、非発光／低発光領域（第１の領域）１０Ｒ１と、発光領域（第２の領域）１０Ｒ２とを有している。よって、表示装置１００が、赤外光を発光することができる第１の発光素子１０Ｒを備える場合にも、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
紫外光を発光することができる第２の発光素子２０Ｇの化合物半導体積層体２１Ｇは、緑色光を発光することができる第２の発光素子２０Ｇの化合物半導体積層体２１Ｇと同様の材料系により構成可能である。紫外光を発光することができる第３の発光素子３０Ｂの化合物半導体積層体３１Ｂは、青外光を発光することができる第３の発光素子３０Ｂの化合物半導体積層体３１Ｂと同様の材料系により構成可能である。したがって、紫外光を発光することができる第２の発光素子２０Ｇおよび紫外光を発光することができる第３の発光素子３０Ｂでは、非発光／低発光領域が発生しないか、仮に発生してもその面積は極めて小さい。よって、表示装置１００が、紫外光を発光することができる第２の発光素子２０Ｇおよび紫外光を発光することができる第３の発光素子３０Ｂからなる群より選ばれた少なくとも１種を備える場合にも、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
第２の実施形態では、第１の光、第２の光、第３の光、第４の光がそれぞれ、赤色光、緑色光、青色光、赤色光である例について説明したが、第１の光、第２の光、第３の光、第４の光はこれらの色の光に限定されるものではない。第１の光、第２の光、第３の光および第４の光からなる群より選ばれた少なくとも１種の光が、赤色光、緑色光、青色光以外の色の光であってもよい。第１の光、第２の光、第３の光および第４の光からなる群より選ばれた少なくとも１種の光が、可視光以外の光であってもよい。例えば、第１の発光素子１０Ｒおよび第４の発光素子４０Ｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の光が、赤外光であってもよい。第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の光が、紫外光であってもよい。
（変形例２）
第１、第２の実施形態では、第２の層Ｌ２が、緑色光を発光することができる第２の発光素子２０Ｇと青色光を発光することができる第３の発光素子３０Ｂとの２種の発光素子を含む例について説明したが、第２の層Ｌ２の構成はこれに限定されるものではない。例えば、第２の層Ｌ２が、緑色光を発光することができる第２の発光素子２０Ｇと青色光を発光することができる第３の発光素子３０Ｂのうちのいずれか１種の発光素子を含むようにしてもよい。
第２の層Ｌ２が、第２の発光素子２０Ｇの１種のみを含む場合、第１、第２の実施形態において、第３の発光素子３０Ｂの配置位置に、第３の発光素子３０Ｂに代えて第２の発光素子２０Ｇを備えるようにしてもよい。第２の層Ｌ２が、第３の発光素子３０Ｂの１種のみを含む場合、第１、第２の実施形態において、第２の発光素子２０Ｇの配置位置に、第２の発光素子２０Ｇに代えて第３の発光素子３０Ｂを備えるようにしてもよい。
（変形例３）
第１の実施形態では、化合物半導体積層体１１Ｒおよび電極１２が、図６に示すように、隣接する第１の発光素子１０Ｒの間で分断されている例について説明したが、第１の層Ｌ１の構成はこれに限定されるものではない。
例えば、図１１Ａに示すように、第２の化合物半導体層１１３が、隣接する第１の発光素子１０Ｒの間で繋がり、複数の第１の発光素子１０Ｒの間で共有されるのに対して、発光層１１２、第１の化合物半導体層１１１および電極１２が、隣接する第１の発光素子１０Ｒの間で分断されていてもよい。
例えば、図１１Ｂに示すように、化合物半導体積層体１１Ｒが、隣接する第１の発光素子１０Ｒの間で繋がり、複数の第１の発光素子１０Ｒの間で共有されるのに対して、電極１２が、隣接する第１の発光素子１０Ｒの間で分断されていてもよい。
化合物半導体積層体１１Ｒが、隣接する第１の発光素子１０Ｒの間、すなわち隣接する画素１０２の間で分離されず繋がっている場合、図１２に示すように、第１の発光素子１０Ｒは複数の孔部５２Ｂおよび複数の孔部５３Ｂを有していてもよい。１つの画素１０２毎に１つの孔部５２Ｂおよび１つの孔部５３Ｂが設けられている。孔部５２Ｂおよび孔部５３Ｂは、化合物半導体積層体１１Ｒの第１の面と第２の面との間を貫通している。孔部５２Ｂは、接続部材５２Ａを通すためのものである。孔部５３Ｂは、接続部材５３Ａを通すためのものである。
化合物半導体積層体１１Ｒは、図１３に示すように、複数の画素１０２からなるブロックごとに分割されていてもよい。すなわち、複数の画素１０２からなるブロックが、１つの化合物半導体積層体１１Ｒを共有していてもよい。図１３では、化合物半導体積層体１１Ｒが、４つの画素１０２からなるブロックごとに分割されている例が示されている。化合物半導体積層体１１Ｒが、表示領域のすべての画素１０２の間で分離されず繋がっていてもよい。すなわち、表示領域のすべての画素１０２が、１つの化合物半導体積層体１１Ｒを共有していてもよい。
第２の実施形態においては、第４の発光素子４０Ｒ（化合物半導体積層体４１Ｒおよび電極４２）が、上記の第１の発光素子１０Ｒ（化合物半導体積層体１１Ｒおよび電極１２）と同様の構成を有していてもよい。
（変形例４）
第１の実施形態では、第１の発光素子１０Ｒが六角形状を有し、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂが、四角形状を有している例について説明したが、第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂの形状は特に限定されるものではなく、任意の形状とすることが可能である。例えば、第１の発光素子１０Ｒが六角形状以外の多角形状を有していてもよいし、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂが、四角形状以外の多角形状を有していてもよい。第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂが同一の形状を有していてもよい。
具体的には例えば、図１４に示すように、第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂが、六角形状を有していてもよい。第１の発光素子１０Ｒと第２の発光素子２０Ｇが、平面視において殆ど重ならないか、もしくは平面視において重ならないようにしてもよい。第１の発光素子１０Ｒと第３の発光素子３０Ｂが、平面視において殆ど重ならないか、もしくは平面視において重ならないようにしてもよい。
第２の実施形態においても同様に、第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇ、第３の発光素子３０Ｂおよび第４の発光素子４０Ｒの形状は特に限定されるものではなく、任意の形状とすることが可能である。例えば、第４の発光素子４０Ｒが六角形状以外の多角形状を有していてもよい。
（変形例５）
第１、第２の実施形態では、第２の発光素子２０Ｇ（化合物半導体積層体２１Ｇ）と第３の発光素子３０Ｂ（化合物半導体積層体３１Ｂ）とが分離され、別々のチップで構成されている例について説明したが、図１５に示すように、第２の発光素子２０Ｇ（化合物半導体積層体２１Ｇ）と第３の発光素子３０Ｂ（化合物半導体積層体３１Ｂ）が一体化されたチップであってもよい。第２の発光素子２０Ｇ（化合物半導体積層体２１Ｇ）と第３の発光素子３０Ｂ（化合物半導体積層体３１Ｂ）とは、同一系の材料（例えば、組成の異なるＡｌＧａＩｎＮ系化合物半導体）により構成することができるため、一体化されたチッブとすることが容易である。
（変形例６）
第１の実施形態において、図１６Ｂに示すように、第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＧおよび第３の発光素子３０Ｂの面積ＳＢがそれぞれ１つの画素１０２の面積ＳＰの１／２より小さく、かつ、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂは、１つの画素１０２に相当するウエハの領域１０３から２以上の素子を作製することができる形状（１つの画素１０２に相当するウエハの領域１０３から２以上の理収が得られる形状）であってもよい。第２の実施形態においても同様に、第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＧおよび第３の発光素子３０Ｂの面積ＳＢがそれぞれ１つの画素２０２の面積ＳＰの１／２より小さく、かつ、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂは、１つの画素２０２に相当するウエハの領域１０３から２以上の素子を作製することができる形状（１つの画素２０２に相当するウエハの領域１０３から２以上の理収が得られる形状）であってもよい。
図１６Ａは、第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＧが１つの画素１０２の面積ＳＰの１／２より小さいが、第２の発光素子２０Ｇが１つの画素１０２に相当するウエハの領域１０３から２以上の素子を作製することができない形状の例を示す図である。この例では、第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＧはＳＧ＝π×（１．９μｍ）２＝１１．３４μｍ２であり、１つの画素１０２の面積ＳＰはＳＰ＝５．０μｍ×５．０μｍ＝２５．０μｍ２である。したがって、第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＧ（＝１１．３４μｍ２）が１つの画素１０２の面積ＳＰ（＝２５．０μｍ２）の１／２より小さい関係を満たす。しかしながら、第２の発光素子２０Ｇの形状は、１つの画素１０２に相当するウエハの領域１０３から１つの第２の発光素子２０Ｇを作製することしかできない円形状である。
図１６Ｂは、第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＧが１つの画素１０２の１／２より小さく、かつ、第２の発光素子２０Ｇが１つの画素１０２に相当するウエハの領域１０３から２以上の素子を作製することができない形状である例を示す図である。この例では、第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＧはＳＧ＝２．４μｍ×４．８μｍ＝１１．５２μｍ２であり、１つの画素１０２の面積ＳＰはＳＰ＝５．０μｍ×５．０μｍ＝２５．０μｍ２である。したがって、第２の発光素子２０Ｇの面積ＳＧ（＝１１．５２μｍ２）が１つの画素１０２の面積ＳＰ（＝２５．０μｍ２）の１／２より小さい関係を満たす。また、第２の発光素子２０Ｇの形状は、１つの画素１０２に相当するウエハの領域１０３から２つの第２の発光素子２０Ｇを作製することができる長方形状である。
（変形例７）
第１、第２の実施形態では、第２の発光素子２０Ｇの一部分が、平面視において第１の発光素子１０Ｒに重なる例について説明したが、第２の発光素子２０Ｇの全体が、平面視において第１の発光素子１０Ｒの外側の領域に重なっていてもよい。同様に、第３の発光素子３０Ｂの全体が、平面視において第１の発光素子１０Ｒの外側の領域に重なっていてもよい。この場合には、第１の発光素子１０Ｒの光取り出しに対する、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂの影響を抑制することができる。
第２の実施形態において、第２の発光素子２０Ｇの全体が、平面視において第４の発光素子４０Ｒの外側の領域に重なっていてもよい。同様に、第３の発光素子３０Ｂの全体が、平面視において第４の発光素子４０Ｒの外側の領域に重なっていてもよい。この場合には、第４の発光素子４０Ｒの光取り出しに対する、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂの影響を抑制することができる。
（変形例８）
第１の実施形態において、表示装置１００が、複数の第１のレンズ、複数の第２のレンズおよび複数の第３のレンズをさらに備えていてもよい。第１のレンズ、第２のレンズ、第３のレンズはそれぞれ、第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇ、第３の発光素子３０Ｂの上方に設けられる。この場合、表示装置１００の正面輝度を向上させることができる。
第２の実施形態において、表示装置２００が、複数の第１のレンズ、複数の第２のレンズ、複数の第３のレンズおよび複数の第４のレンズをさらに備えていてもよい。第１のレンズ、第２のレンズ、第３のレンズ、第４のレンズはそれぞれ、第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇ、第３の発光素子３０Ｂ、第４の発光素子４０Ｒの上方に設けられる。この場合、表示装置２００の正面輝度を向上させることができる。
（変形例９）
第１の実施形態において、第１の層Ｌ１に含まれる第１の発光素子１０Ｒが、電流狭窄構造を有していてもよい。この電流狭窄構造により、第１の発光素子１０Ｒに電流注入領域と非電流注入領域が構成されていてもよい。非電流注入領域が非発光／低発光領域１０Ａ１に対応し、電流注入領域が発光領域１０Ａ２に対応していてもよい。
第１の発光素子１０Ｒが電流狭窄構造を有することで、非発光／低発光領域１０Ａ１を積極的に制御することができる。したがって、第２の層Ｌ２に含まれる第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂの配置の自由度を向上させることができる。表示装置１００が、第２の発光素子２０Ｇ、第３の発光素子３０Ｂの上方にそれぞれ、第２のレンズ、第３のレンズを備える場合には、第２のレンズおよび第３のレンズによる光制御が容易になる。
第２の実施形態において、第３の層Ｌ３に含まれる第４の発光素子４０Ｒが、電流狭窄構造を有していてもよい。この電流狭窄構造により、第４の発光素子４０Ｒに電流注入領域と非電流注入領域が構成されていてもよい。非電流注入領域が非発光／低発光領域４０Ａ１に対応し、電流注入領域が発光領域４０Ａ２に対応していてもよい。
（変形例１０）
第１の実施形態では、第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂが、ＬＥＤ素子である例について説明したが、第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇおよび第３の発光素子３０Ｂが、ＬＤ（Laser Diode）素子またはＳＬＤ（Super Luminescent Diode）素子でもよい。第２の実施形態においても同様に、第１の発光素子１０Ｒ、第２の発光素子２０Ｇ、第３の発光素子３０Ｂおよび第４の発光素子４０Ｒが、ＬＤ素子またはＳＬＤ素子でもよい。
＜４ 応用例＞
（電子機器）
上記の第１、第２の実施形態およびそれらの変形例に係る表示装置１００、２００（以下「表示装置１００等」という。）は、種々の電子機器に備えられてもよい。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに備えられることが好ましい。
（具体例１）
図１７Ａは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す正面図である。図１７Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す背面図である。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。
カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５は、表示装置１００等のいずれかを備える。
（具体例２）
図１８は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す斜視図である。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１は、表示装置１００等のいずれかを備える。
（具体例３）
図１９は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す斜視図である。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、表示装置１００等のいずれかを備える。
以上、本開示の第１、第２の実施形態およびそれらの変形例について具体的に説明したが、本開示は、上記の第１、第２の実施形態およびそれらの変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上記の第１、第２の実施形態およびそれらの変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
例えば、上記の第１、第２の実施形態およびそれらの変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
例えば、上記の第１、第２の実施形態およびそれらの変形例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
基板と、第１の層と、第２の層とを順次備え、
前記第１の層は、複数の第１の半導体発光素子を含み、
前記第２の層は、複数の第２の半導体発光素子を含み、
複数の前記第１の半導体発光素子は、前記基板の面内方向に配置され、第１のピーク波長を有する第１の光を発光することができ、
前記第１の半導体発光素子は、第１の領域と、第２の領域とを有し、前記第１の領域は、前記第１の半導体発光素子の周縁部分に設けられ、前記第１の光を発光することができないか、もしくは前記第２の領域に比べて発光強度が低い前記第１の光しか発光するこができず、前記第２の領域は、前記第１の領域の内側に設けられ、前記第１の光を発光することができ、
前記第２の半導体発光素子は、前記基板の面内方向に配置され、前記第１のピーク波長とは異なる第２のピーク波長を有する第２の光を発光することができ、
前記第１の半導体発光素子および前記第２の半導体発光素子は、前記基板の面内方向にずれて配置されている
発光デバイス。
（２）
前記第２の層は、複数の第３の半導体発光素子をさらに含み、
複数の前記第３の半導体発光素子は、前記基板の面内方向に配置され、前記第１のピーク波長および前記第２のピーク波長とは異なる第３のピーク波長を有する第３の光を発光することができ、
前記第１の半導体発光素子、前記第２の半導体発光素子および前記第３の半導体発光素子は、前記基板の面内方向にずれて配置されている
（１）に記載の発光デバイス。
（３）
前記基板と前記第１の層との間に設けられた第３の層をさらに備え、
前記第３の層は、複数の第４の半導体発光素子を含み、
前記第４の半導体発光素子は、前記基板の面内方向に配置され、前記第１の光と同色の第４の光を発光することができ、
前記第４の半導体発光素子は、第３の領域と、第４の領域とを有し、前記第３の領域は、前記第４の半導体発光素子の周縁部分に設けられ、前記第４の光を発光することができないか、もしくは前記第４の領域に比べて発光強度が低い前記第４の光しか発光することができず、前記第４の領域は、前記第３の領域の内側に設けられ、前記第４の光を発光することができ、
前記第１の半導体発光素子、前記第２の半導体発光素子および前記第４の半導体発光素子は、前記基板の面内方向にずれて配置されている
（１）または（２）に記載の発光デバイス。
（４）
前記第１の半導体発光素子および前記第２の半導体発光素子が、発光ダイオードである
（１）に記載の発光デバイス。
（５）
前記第１の光は、赤色光または赤外光であり、
前記第２の光は、緑色光または紫外光であり、
前記第３の光は、青色光または紫外光である
（２）に記載の発光デバイス。
（６）
前記第１の半導体発光素子は、第１の発光層を含み、
前記第２の半導体発光素子は、第２の発光層を含み、
前記第３の半導体発光素子は、第３の発光層を含み、
前記第１の発光層は、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体またはＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体を含み、
前記第２の発光層および前記第３の発光層は、ＡｌＧａＩｎＮ系化合物半導体を含む
（２）に記載の発光デバイス。
（７）
前記第１の半導体発光素子は、化合物半導体積層体と、電極とを備え、
前記化合物半導体積層体および前記電極は、隣接する前記第１の半導体発光素子の間で分断されている
（１）から（６）のいずれか１項に記載の発光デバイス。
（８）
複数の前記第１の半導体発光素子は、電極と、第１の化合物半導体層と、発光層と、第２の化合物半導体層とを備え、
前記第２の化合物半導体層は、隣接する前記第１の半導体発光素子の間で繋がり、
前記電極、前記第１の化合物半導体層および前記発光層は、隣接する前記第１の半導体発光素子の間で分断されている
（１）から（６）のいずれか１項に記載の発光デバイス。
（９）
複数の前記第１の半導体発光素子は、化合物半導体積層体と、電極とを備え、
前記化合物半導体積層体は、隣接する前記第１の半導体発光素子の間で繋がり、
前記電極は、隣接する前記第１の半導体発光素子の間で分断されている
（１）から（６）のいずれか１項に記載の発光デバイス。
（１０）
前記第２の半導体発光素子は、平面視において前記第１の半導体発光素子の一部と重なっている
（１）から（９）のいずれか１項に記載の発光デバイス。
（１１）
前記第２の半導体発光素子は、平面視において前記第２の領域の外側に位置している
（１）から（１０）のいずれか１項に記載の発光デバイス。
（１２）
前記第２の半導体発光素子は、平面視において前記第１の領域の一部と重なっている
（１１）に記載の発光デバイス。
（１３）
前記第２の半導体発光素子と前記基板とを接続する接続部材をさらに備え、
前記接続部材は、平面視において前記第１の半導体発光素子の外側に位置している
（１）から（１２）のいずれか１項に記載の発光デバイス。
（１４）
前記第１の半導体発光素子の面積は、前記第２の半導体発光素子の面積より大きい
（１）から（１３）のいずれか１項に記載の発光デバイス。
（１５）
前記第１の半導体発光素子、前記第２の半導体発光素子および前記第３の半導体発光素子が、１画素を構成し、
前記第１の半導体発光素子の面積は、前記第２の半導体発光素子の面積に比べて大きく、
前記第１の半導体発光素子の面積は、前記第３の半導体発光素子の面積に比べて大きく、
前記第１の半導体発光素子の面積は、前記１画素の面積の１／３より大きい
（２）に記載の発光デバイス。
（１６）
前記第１の半導体発光素子、前記第２の半導体発光素子および前記第３の半導体発光素子が、１画素を構成し、
前記第１の半導体発光素子と前記第２の半導体発光素子と前記第３の半導体発光素子の面積の総和は、前記１画素の面積の１倍よりも大きく、前記１画素の面積の３倍よりも小さい
（２）に記載の発光デバイス。
（１７）
前記第１の半導体発光素子、前記第２の半導体発光素子および前記第３の半導体発光素子が、１画素を構成し、
前記第２の半導体発光素子および前記第３の半導体発光素子の面積は、前記１画素の面積の１／２より小さく、
前記第２の半導体発光素子および前記第３の半導体発光素子は、前記１画素に対応するウエハの領域から２以上の素子を作製することができる形状である
（２）に記載の発光デバイス。
（１８）
前記第１の半導体発光素子は、電流注入領域と非電流注入領域を有し、
前記電流注入領域は、前記第２の領域に対応し、
前記非電流注入領域は、前記第１の領域に対応する
（１）から（１７）のいずれか１項に記載の発光デバイス。
（１９）
基板と、第１の層と、第２の層とを順次備え、
前記第１の層は、複数の第１の半導体発光素子を含み、
前記第２の層は、複数の第２の半導体発光素子を含み、
複数の前記第１の半導体発光素子は、第１の発光層を含み、前記基板の面内方向に配置され、第１のピーク波長を有する第１の光を発光することができ、
複数の前記第２の半導体発光素子は、第２の発光層を含み、前記基板の面内方向に配置され、前記第１のピーク波長とは異なる第２のピーク波長を有する第２の光を発光することができ、
前記第１の発光層のキャリア拡散長は、前記第２の発光層のキャリア拡散長より長い
前記第１の半導体発光素子および前記第２の半導体発光素子は、前記基板の面内方向にずれて配置されている
発光デバイス。
（２０）
（１）から（１９）のいずれか１項に記載の発光デバイスを備える電子機器。
１０Ｒ 第１の化合物半導体発光素子
１０Ａ１ 非発光／低発光領域（第１の領域）
１０Ａ２ 発光領域（第２の領域）
２０Ｇ 第２の化合物半導体発光素子
３０Ｂ 第３の化合物半導体発光素子
４０Ｒ 第４の化合物半導体発光素子
４０Ａ１ 非発光／低発光領域（第３の領域）
４０Ａ２ 発光領域（第４の領域）
１１Ｒ、２１Ｇ、３１Ｂ、４１Ｒ 化合物半導体積層体
１２、２２、３２、４２ 電極
１３、２３、３３、４３ 配線
１３Ａ、２３Ａ、３３Ａ 透明配線
１３Ｂ、２３Ｂ、３３Ｂ 金属配線
１４、２４、４４ 絶縁材料
５１、５２、５３、５４ パッド
５１Ａ、５４Ａ バンプ
１１１、１２１、１３１ 第１の化合物半導体層
１１２、１２２、１３２ 発光層
１１３、１２３、１３３ 第２の化合物半導体層
１００、２００ 表示装置
１０１、２０１ 駆動基板
１０２、２０２ 画素
１０２Ａ、２０２Ａ 矢印
Ｌ１ 第１の層
Ｌ２ 第２の層
Ｌ３ 第３の層
３１０ デジタルスチルカメラ（電子機器）
３２０ ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）
３３０ テレビジョン装置（電子機器）

Claims (20)

  1. 基板と、第１の層と、第２の層とを順次備え、
    前記第１の層は、複数の第１の半導体発光素子を含み、
    前記第２の層は、複数の第２の半導体発光素子を含み、
    複数の前記第１の半導体発光素子は、前記基板の面内方向に配置され、第１のピーク波長を有する第１の光を発光することができ、
    前記第１の半導体発光素子は、第１の領域と、第２の領域とを有し、前記第１の領域は、前記第１の半導体発光素子の周縁部分に設けられ、前記第１の光を発光することができないか、もしくは前記第２の領域に比べて発光強度が低い前記第１の光しか発光するこができず、前記第２の領域は、前記第１の領域の内側に設けられ、前記第１の光を発光することができ、
    前記第２の半導体発光素子は、前記基板の面内方向に配置され、前記第１のピーク波長とは異なる第２のピーク波長を有する第２の光を発光することができ、
    前記第１の半導体発光素子および前記第２の半導体発光素子は、前記基板の面内方向にずれて配置されている
    発光デバイス。
  2. 前記第２の層は、複数の第３の半導体発光素子をさらに含み、
    複数の前記第３の半導体発光素子は、前記基板の面内方向に配置され、前記第１のピーク波長および前記第２のピーク波長とは異なる第３のピーク波長を有する第３の光を発光することができ、
    前記第１の半導体発光素子、前記第２の半導体発光素子および前記第３の半導体発光素子は、前記基板の面内方向にずれて配置されている
    請求項１に記載の発光デバイス。
  3. 前記基板と前記第１の層との間に設けられた第３の層をさらに備え、
    前記第３の層は、複数の第４の半導体発光素子を含み、
    前記第４の半導体発光素子は、前記基板の面内方向に配置され、前記第１の光と同色の第４の光を発光することができ、
    前記第４の半導体発光素子は、第３の領域と、第４の領域とを有し、前記第３の領域は、前記第４の半導体発光素子の周縁部分に設けられ、前記第４の光を発光することができないか、もしくは前記第４の領域に比べて発光強度が低い前記第４の光しか発光することができず、前記第４の領域は、前記第３の領域の内側に設けられ、前記第４の光を発光することができ、
    前記第１の半導体発光素子、前記第２の半導体発光素子および前記第４の半導体発光素子は、前記基板の面内方向にずれて配置されている
    請求項１に記載の発光デバイス。
  4. 前記第１の半導体発光素子および前記第２の半導体発光素子が、発光ダイオードである
    請求項１に記載の発光デバイス。
  5. 前記第１の光は、赤色光または赤外光であり、
    前記第２の光は、緑色光または紫外光であり、
    前記第３の光は、青色光または紫外光である
    請求項２に記載の発光デバイス。
  6. 前記第１の半導体発光素子は、第１の発光層を含み、
    前記第２の半導体発光素子は、第２の発光層を含み、
    前記第３の半導体発光素子は、第３の発光層を含み、
    前記第１の発光層は、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体またはＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体を含み、
    前記第２の発光層および前記第３の発光層は、ＡｌＧａＩｎＮ系化合物半導体を含む
    請求項２に記載の発光デバイス。
  7. 前記第１の半導体発光素子は、化合物半導体積層体と、電極とを備え、
    前記化合物半導体積層体および前記電極は、隣接する前記第１の半導体発光素子の間で分断されている
    請求項１に記載の発光デバイス。
  8. 複数の前記第１の半導体発光素子は、電極と、第１の化合物半導体層と、発光層と、第２の化合物半導体層とを備え、
    前記第２の化合物半導体層は、隣接する前記第１の半導体発光素子の間で繋がり、
    前記電極、前記第１の化合物半導体層および前記発光層は、隣接する前記第１の半導体発光素子の間で分断されている
    請求項１に記載の発光デバイス。
  9. 複数の前記第１の半導体発光素子は、化合物半導体積層体と、電極とを備え、
    前記化合物半導体積層体は、隣接する前記第１の半導体発光素子の間で繋がり、
    前記電極は、隣接する前記第１の半導体発光素子の間で分断されている
    請求項１に記載の発光デバイス。
  10. 前記第２の半導体発光素子は、平面視において前記第１の半導体発光素子の一部と重なっている
    請求項１に記載の発光デバイス。
  11. 前記第２の半導体発光素子は、平面視において前記第２の領域の外側に位置している
    請求項１に記載の発光デバイス。
  12. 前記第２の半導体発光素子は、平面視において前記第１の領域の一部と重なっている
    請求項１１に記載の発光デバイス。
  13. 前記第２の半導体発光素子と前記基板とを接続する接続部材をさらに備え、
    前記接続部材は、平面視において前記第１の半導体発光素子の外側に位置している
    請求項１に記載の発光デバイス。
  14. 前記第１の半導体発光素子の面積は、前記第２の半導体発光素子の面積より大きい
    請求項１に記載の発光デバイス。
  15. 前記第１の半導体発光素子、前記第２の半導体発光素子および前記第３の半導体発光素子が、１画素を構成し、
    前記第１の半導体発光素子の面積は、前記第２の半導体発光素子の面積に比べて大きく、
    前記第１の半導体発光素子の面積は、前記第３の半導体発光素子の面積に比べて大きく、
    前記第１の半導体発光素子の面積は、前記１画素の面積の１／３より大きい
    請求項２に記載の発光デバイス。
  16. 前記第１の半導体発光素子、前記第２の半導体発光素子および前記第３の半導体発光素子が、１画素を構成し、
    前記第１の半導体発光素子と前記第２の半導体発光素子と前記第３の半導体発光素子の面積の総和は、前記１画素の面積の１倍よりも大きく、前記１画素の面積の３倍よりも小さい
    請求項２に記載の発光デバイス。
  17. 前記第１の半導体発光素子、前記第２の半導体発光素子および前記第３の半導体発光素子が、１画素を構成し、
    前記第２の半導体発光素子および前記第３の半導体発光素子の面積は、前記１画素の面積の１／２より小さく、
    前記第２の半導体発光素子および前記第３の半導体発光素子は、前記１画素に対応するウエハの領域から２以上の素子を作製することができる形状である
    請求項２に記載の発光デバイス。
  18. 前記第１の半導体発光素子は、電流注入領域と非電流注入領域を有し、
    前記電流注入領域は、前記第２の領域に対応し、
    前記非電流注入領域は、前記第１の領域に対応する
    請求項１に記載の発光デバイス。
  19. 基板と、第１の層と、第２の層とを順次備え、
    前記第１の層は、複数の第１の半導体発光素子を含み、
    前記第２の層は、複数の第２の半導体発光素子を含み、
    複数の前記第１の半導体発光素子は、第１の発光層を含み、前記基板の面内方向に配置され、第１のピーク波長を有する第１の光を発光することができ、
    複数の前記第２の半導体発光素子は、第２の発光層を含み、前記基板の面内方向に配置され、前記第１のピーク波長とは異なる第２のピーク波長を有する第２の光を発光することができ、
    前記第１の発光層のキャリア拡散長は、前記第２の発光層のキャリア拡散長より長い
    前記第１の半導体発光素子および前記第２の半導体発光素子は、前記基板の面内方向にずれて配置されている
    発光デバイス。
  20. 請求項１に記載の発光デバイスを備える電子機器。
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