JP7742256B2 - 光学式化学分析装置 - Google Patents
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Description
延在方向に光が伝搬可能である光伝搬部と、前記光伝搬部と光学的に接続する回折格子部と、を含むコア層を有する光導波路と、
前記回折格子部に前記光を入射可能なインコヒーレント光を発する光源と、を備え、
前記回折格子部は、前記光源からの光を導入するための光取込領域をさらに有し、
前記光源は、前記光取込領域までの最も短い光学距離Labと、前記光取込領域までの最も長い光学距離Lacの差が、前記光の真空中での波長の半分より小さくなる位置に発光点を有する。
延在方向に光が伝搬可能である光伝搬部と、前記光伝搬部に光学的に接続する回折格子部と、を含むコア層を有する光導波路と、
前記回折格子部に前記光を入射可能なインコヒーレント光を発する光源と、を備え、
前記回折格子部は、前記光源からの光を導入するための光取込領域をさらに有し、
前記回折格子部は、前記光伝搬部と光学的に接続する複数の接続部分を有し、
前記光源は、平面視において前記複数の接続部分の任意の2つの接続部分を結んだ線分の中点にある回折格子部の点Mまでの光学距離Lamと、前記2つの接続部分のいずれか近い方までの光学距離Laiの差が、前記光の真空中での波長の半分より小さくなる位置に発光点を有する。
延在方向に光が伝搬可能である光伝搬部と、前記光伝搬部と光学的に接続する回折格子部と、を含むコア層を有する光導波路と、
前記回折格子部に前記光を入射可能なインコヒーレント光を発する光源と、を備え、
前記回折格子部は、前記光源からの光を導入するための光取込領域をさらに有し、
前記光源は、前記光取込領域までの最も短い光学距離Labと前記光取込領域のある地点までの光学距離Ladとの差ΔLと、前記光の真空中での波数(2π/真空中での波長)との積である位相差ΔPについて、|sin(ΔP)|<0.1になる条件の光取込領域の面積が、光取込領域の全面積の50%以上になる位置に発光点を有する。
光導波路は、被測定物質(気体、液体など)の化学組成や濃度を分析する光学式化学分析装置に用いられる光導波路である。光導波路は、延在方向に光が伝搬可能である光伝搬部と、光源より光を受けて、光伝搬部へ光を導出する第1回折格子部と、を有するコア層を備える。また、光導波路は、基板を備える。
コア層は、延在方向に光が伝搬可能である光伝搬部と、光源より光を受けて、光伝搬部へ光を導出する第1回折格子部と、を有する。また、コア層は、光伝搬部から光を導入して光検出器に光を出力する第2回折格子部をさらに有することができる。
光伝搬部は、第1回折格子部が受けた光を導入して伝搬し、第2回折格子部へ光を導出する。光伝搬部は、延在方向に光が伝搬可能であり、延在方向と直交する幅方向に幅を有し、延在方向に沿ったコア層の幅が変わらない部分を指す。光伝搬部は、延在方向に沿った任意の位置における延在方向に垂直な断面が、例えば、断面のコア層の中心から外表面までの距離が変動する形状、例えば矩形であってよく、また、断面のコア層の中心から外表面までの距離が変動しない形状、すなわち円形であってよい。
第1回折格子部は、光源より光を受けて、光伝搬部へ光を導出する。また、第1回折格子部は、1つ以上の光取込領域を有し、少なくとも1つの光取込領域が光源から発せられた光を受ける。コア層は、第2回折格子部を有することができる。第2回折格子部は、光伝搬部から光を導入して光検出器に光を出力する、少なくとも1つの光取出領域を有する。
基板は、基板上にコア層を形成可能であれば特に制限されず、基板上に後述の支持層を形成することもできる。具体的には、基板は、シリコン基板及びGaAs基板等が挙げられる。
支持層は任意に設けられる。支持層は、基板の少なくとも一部とコア層の少なくとも一部とを接続する。支持層は、基板及びコア層を接合可能であれば特に制限されないが、好ましくは任意の波長の光又はコア層を伝搬する光に対してコア層よりも屈折率が小さい材料である。一例として、支持層の形成材料として、SiO2などが挙げられる。本発明において、支持層は必須の構成ではない。コア層は支持層によって基板と接合されてよく、基板上に直接コア層が形成されていてよい。また、支持層が部分的に存在してよく、コア層の少なくとも一部は、支持層に接合されておらず浮遊していてよい。すなわち、このような構成の光導波路では、支持層が設けられた領域を除き、基板及びコア層の間には空間が形成されている。コア層の一部を浮遊させることで、エバネッセント波と被測定物質を相互作用させる量を多くさせることができ、センサ感度を向上させることができる。
光源は、コア層に光を入射可能であれば特に制限されない。気体の分析に赤外線を用いる場合には光源として、白熱電球及びセラミックヒータ、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)ヒータ及び赤外線LED(Light Emitting Diode)などを用いることができる。すなわち、光源は、インコヒーレント光源であってよい。光源は光導波路と光接続可能な形態であればどのような配置でよい。例えば、光源は、光導波路と同じ個体内に光導波路に隣接して配置してよいし、別の個体として光導波路から一定の距離を置いて配置してよい。また、気体の分析に紫外線を用いる場合には光源として、水銀ランプ及び紫外線LEDなどを用いることができる。光源は、例えば100μm×100μm以上の面積の発光面を有する。
光検出器は、光導波路のコア層を伝搬した光を受光可能であれば特に制限されない。気体の分析に赤外線を用いる場合には光検出器として、焦電センサ(Pyroelectric sensor)、サーモパイル(Thermopile)あるいはボロメータ(Bolometer)などの熱型赤外線センサ、ダイオードあるいはフォトトランジスタなどの量子型赤外線センサなどを用いることができる。また、気体の分析に紫外線を用いる場合には光検出器として、ダイオード、フォトトランジスタ等の量子型紫外線センサなどを用いることができる。
図1は、第1実施形態に係る光学式化学分析装置14の概略構成を示す図であるとともに、光導波路15を利用したATR法の概念図でもある。図1に示すように、光学式化学分析装置14は、分析(検出を含む)する気体が存在する外部空間16に設置されて使用される。被測定気体は、例えば空気であって、空気中に含まれる気体が分析される。光学式化学分析装置14は、光導波路15と、光導波路15に備えられたコア層12に光を入射可能な光源17と、コア層12を伝搬した光を受光可能な光検出器18とを備えている。本実施形態において、光は赤外線IRである。
図4(a)及び図4(b)は、第2実施形態に係る光学式化学分析装置14の光源17と第1回折格子部11との関係を示す図である。本実施形態において、第1回折格子部11は複数(図4(a)の例では4つ)の光取込領域113を含む。光学式化学分析装置14の他の構成は、第1実施形態と同じである。また、図4(a)及び図4(b)において図1~図3と同じ要素には同じ符号が付されており、重複説明を回避するため、それらの説明を省略する。
図5(a)及び図5(b)は、第3実施形態に係る光学式化学分析装置14の光源17と第1回折格子部11との関係を示す図である。本実施形態において、第1回折格子部11は連結した複数(図5(a)の例では4つ)の光取込領域113を含む。光学式化学分析装置14の他の構成は、第1実施形態と同じである。また、図5(a)及び図5(b)において図1~図3と同じ要素には同じ符号が付されており、重複説明を回避するため、それらの説明を省略する。
図6は、第4実施形態に係る光学式化学分析装置14の光源17と第1回折格子部11との関係を示す図である。光学式化学分析装置14の構成は、第1実施形態と同じである。また、図6において図1~図3と同じ要素には同じ符号が付されており、重複説明を回避するため、それらの説明を省略する。
11:第1回折格子部
12:コア層
13:第2回折格子部
14:光学式化学分析装置
15:光導波路
16:外部空間
17:光源
18:光検出器
19:基板
20:支持層
21:空隙
112:接続部分
113:光取込領域
171:発光点
172:発光層
173:高屈折材料層
Claims (14)
- 延在方向に光が伝搬可能である光伝搬部と、前記光伝搬部と光学的に接続する回折格子部と、を含むコア層を有する光導波路と、
前記回折格子部に前記光を入射可能なインコヒーレント光を発する光源と、を備え、
前記回折格子部は、前記光源からの光を導入するための光取込領域をさらに有し、
前記光源は、前記光取込領域までの最も短い光学距離Labと、前記光取込領域までの最も長い光学距離Lacの差が、前記光の真空中での波長の半分より小さくなる位置に発光点を有し、
前記コア層から染み出たエバネッセント波を被測定物質に吸収させる、光学式化学分析装置。 - 前記光源は、前記光学距離Labと前記光学距離Lacの差が前記光の真空中での波長の4分の1より小さくなる位置に発光点を有する請求項1に記載の光学式化学分析装置。
- 前記光源は、前記光学距離Labと前記光学距離Lacの差が2.13μmより小さくなる位置に発光点を有する請求項1又は2に記載の光学式化学分析装置。
- 前記光源の半分以上の発光点は、前記光学距離Labと前記光学距離Lacの差が前記光の真空中での波長の半分より小さくなる位置に配置される請求項1から3のいずれかに記載の光学式化学分析装置。
- 前記回折格子部は複数の前記光取込領域を有し、平面視において、前記光源の発光点を覆う最小の凸多角形の面積は、一つの前記光取込領域の面積よりも大きく、前記光源から発せられた光が複数の前記光取込領域に取り込まれる請求項1から4のいずれかに記載の光学式化学分析装置。
- 前記光取込領域の平面視における面積Sは、下記式(1)を満たす請求項1から5のいずれかに記載の光学式化学分析装置。
ここで、hはプランク定数、pはコア層を伝搬する光の真空中における波長の平均値をλとした時に、p=h/λで求まる光の運動量である。 - 前記光伝搬部は、前記光伝搬部の延在方向と直交する幅方向に幅を有し、前記延在方向及び前記幅方向に直交する高さ方向に高さを有し、前記光伝搬部の少なくとも一部は、前記幅方向と前記高さ方向の少なくとも一つにおいて、前記光がシングルモードで伝搬する幅又は高さを有する、請求項1から6のいずれかに記載の光学式化学分析装置。
- 前記光伝搬部の少なくとも一部の幅又は高さは1μmより小さい、請求項7に記載の光学式化学分析装置。
- 前記光伝搬部の少なくとも一部は、前記幅方向と前記高さ方向の両方において、前記光がシングルモードで伝搬する幅及び高さを有する、請求項7又は8に記載の光学式化学分析装置。
- 前記光伝搬部の少なくとも一部における延在方向に垂直な面の断面積は1μm2より小さい、請求項7から9のいずれかに記載の光学式化学分析装置。
- 前記光源は基板の一方の主面上に形成されたLEDであり、前記発光点はLEDの発光層内にあり、前記LEDの発光層から発せられる光は、前記基板の一方の主面と対向する他方の主面から出射される、請求項1から10のいずれかに記載の光学式化学分析装置。
- 前記回折格子部は、前記光源と近接配置される、請求項1から11のいずれかに記載の光学式化学分析装置。
- 前記光源は、複数の前記発光点を有する発光層と、前記発光層と前記光取込領域との間に配置され前記発光層からの光を屈折させて前記光取込領域に導く高屈折材料層とを備える、請求項1から12のいずれかに記載の光学式化学分析装置。
- 前記回折格子部は、前記光伝搬部と光学的に接続する複数の接続部分を有する、請求項1から13のいずれかに記載の光学式化学分析装置。
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