JP7743489B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は表示装置に関する。

有機ＥＬディスプレイ等の表示装置は、画素の劣化などに起因する輝度の変動を補償するために周期的に画素の特性値のセンシングを行っている。

特許文献１には、ゲート線及び基準線を共有する各画素内の副画素のそれぞれから駆動トランジスタの特性値をセンシングする表示装置が開示されている。

韓国公開特許第１０－２０１８－０１３０２０７号公報

副画素によってゲート線及び基準線が共有される場合、当該副画素を同時にセンシングすることができない。よって副画素間の輝度を補償するために長時間のセンシング動作が必要となり得る。

本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであって、輝度補償の精度を低下させずに、センシング動作の時間を短縮可能な表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一観点によれば、それぞれが複数の副画素を含む複数の画素および前記複数の副画素により共有されるゲート線を有する画素アレイと、前記ゲート線を介して前記複数の副画素にゲート信号を供給するゲート駆動部と、データ線を介して前記複数の副画素のそれぞれにデータ信号を供給するデータ駆動部と、前記画素に含まれる前記複数の副画素から、前記副画素の劣化情報に基づきいずれかの副画素を選択し、選択された副画素に前記データ信号を前記データ駆動部から供給する制御部と、前記選択された副画素の特性を取得する補償部とを含む表示装置が提供される。

本発明によれば、副画素間の輝度補償の精度を低下させずに、センシング動作の時間を短縮することができる。

第１実施形態における表示装置の概略構成を示すブロック図である。 第１実施形態における表示装置に含まれる画素の特性をセンシングするための動作を示す図である。 第１実施形態における補償部の概略構成を示すブロック図である。 第１実施形態における制御部がセンシングの対象となる副画素を選択する処理の一例を示す図である。 第１実施形態における表示装置により実行される工程を示すフローチャートである。 第２実施形態における制御部がセンシングされる副画素を選択する処理の一例を示す図である。

以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。各図面を通じて共通する機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略または簡略化することがある。

［第１実施形態］
図１は本実施形態における表示装置１０の概略構成を示すブロック図である。表示装置１０は、制御部１１、データ駆動部１２、ゲート駆動部１３、補償部１４、表示パネル１５を含む。

制御部１１は不図示の映像処理部からデータ信号ＤＡＴＡを受ける。また、制御部１１は映像処理部からデータイネーブル信号、垂直同期信号、水平同期信号、クロック信号等（以下、これらの信号を「駆動信号ＴＳＳ」と呼ぶ。）を受ける。制御部１１は、補償部１４を制御するための制御信号ＣＴＬを生成する。また、制御部１１は、補償部１４から各画素についての累積データＣＮＴを受ける。累積データＣＮＴは、画素に含まれる複数の副画素のそれぞれに入力されたデータ信号の回数（発光した回数）、当該データ信号に基づき副画素から発せられた光の輝度値のデータを含み得る。制御部１１は累積データＣＮＴに基づき各副画素の特性を推定する。具体的には、制御部１１は、累積データＣＮＴを用いて、各画素に含まれる複数の副画素から最も劣化の大きい副画素を判定する。制御部１１は、累積データＣＮＴおよび駆動信号ＴＳＳに基づき、データ駆動部１２を駆動するための制御信号ＤＣＳ、ゲート駆動部１３を駆動するための制御信号ＧＣＳを生成する。制御部１１はデータ駆動部１２にデータ信号ＤＡＴＡおよび制御信号ＤＣＳを伝送する。また、制御部１１は、ゲート駆動部１３、補償部１４に制御信号ＧＣＳ、制御信号ＣＴＬをそれぞれ伝送する。

データ駆動部１２は制御部１１からデータ信号ＤＡＴＡおよび制御信号ＤＣＳを受ける。データ駆動部１２は制御信号ＤＣＳを用いて、データ信号ＤＡＴＡを各行に対するアナログのデータ電圧に変換する。制御信号ＤＣＳは、ソース・スタート・パルス信号、ソース・シフト・クロック信号およびソース出力イネーブル信号等を含み得る。ソース・スタート・パルス信号はデータ駆動部１２に含まれるソースドライバ集積回路（不図示）のデータサンプリングの開始のタイミングを制御する。ソース・シフト・クロック信号はソースドライバ集積回路の各々においてデータのサンプリングのタイミングを制御するために用いられる。ソース出力イネーブル信号はデータ駆動部１２からの信号の出力タイミングを制御する。

データ駆動部１２はデータ線ＤＬ１～ＤＬｎを介して表示パネル１５に含まれる複数の画素Ｐ１１～Ｐｍｎの各々と電気的に接続されている。データ駆動部１２は、データ線ＤＬ１～ＤＬｎを介してデータ電圧を画素Ｐ１１～Ｐｍｎの各々に供給する。データ線ＤＬ１～ＤＬｎの各々は複数の信号線を含む。当該複数の信号線の各々は画素Ｐ１１～Ｐｍｎの各々に含まれる複数の副画素にそれぞれ接続される。データ駆動部１２のデータ電圧への変換期間および出力期間は、データイネーブル信号の出力幅およびソース出力イネーブル信号の出力幅を変調することにより変更され得る。データ駆動部１２は、後述のゲート信号の出力タイミングと同期させながらデータ電圧をデータ線ＤＬ１～ＤＬｎを介して画素Ｐ１１～Ｐｍｎの各々に連続して供給する。画素Ｐ１１～Ｐｍｎに供給される複数のデータ電圧は、それぞれ画素Ｐ１１～画素Ｐｍｎの輝度に対応する。なお、データ線ＤＬ１～ＤＬｎのそれぞれは、画素Ｐ１１～画素Ｐｍｎのそれぞれに含まれる副画素の数に応じて複数のデータ線を含み得る。

データ駆動部１２は基準線ＲＬ１～ＲＬｎを介して画素Ｐ１１～Ｐｍｎの各々と電気的に接続されている。データ駆動部１２は、基準線ＲＬ１～ＲＬｎを介して所定の基準電圧を画素Ｐ１１～Ｐｍｎの各々に供給する。前記データ電圧及び基準電圧が画素Ｐ１１～Ｐｍｎに供給されることにより、画素Ｐ１１～Ｐｍｎが正確な輝度にて発光し、またその特性を正確に取得（センシング）することができる。また、データ駆動部１２は基準線ＲＬ１～ＲＬｎを介して画素Ｐ１１～Ｐｍｎの各々に含まれる複数の副画素のセンシングデータＳｄａｔａを取得する。センシングデータＳｄａｔａの取得については後述する。データ駆動部１２は取得されたセンシングデータＳｄａｔａを補償部１４に伝送する

ゲート駆動部１３は制御部１１から制御信号ＧＣＳを受ける。ゲート駆動部１３はゲート線ＧＬ１～ＧＬｍを介して画素Ｐ１１～Ｐｍｎと電気的に接続されている。ゲート駆動部１３は制御信号ＧＣＳに基づきゲート線ＧＬ１～ＧＬｍの各々にゲート信号を出力する。出力されたゲート信号はゲート線ＧＬ１～ＧＬｍを介して画素Ｐ１１～Ｐｍｎに伝達される。

ゲート駆動部１３はレベルシフタ、シフトレジスタ、遅延回路、フリップフロップ等の内部回路（不図示）を備え得る。ゲート駆動部１３は制御信号ＧＣＳに応じて、ゲート開始パルス信号、ゲートシフトクロック信号、ゲート出力イネーブル信号等の制御信号を連続的に生成する。ゲート開始パルス信号は、ゲート駆動部１３に含まれるゲートドライバ集積回路（不図示）の動作の開始のタイミングを制御する。ゲートシフトクロック信号は、ゲートドライバ集積回路に共通に入力される信号であり、走査信号（ゲート信号）のシフトタイミングを制御する。ゲート出力イネーブル信号は、ゲートドライバ集積回路のタイミング情報を指定する。ゲート駆動部１３は、ゲートシフトクロック信号に応じてゲート開始パルス信号をシフトすることにより、連続的にゲート信号を生成する。ゲート駆動部１３は、生成されたゲート信号をゲート線ＧＬ１～ＧＬｍの各々に供給する。ゲート線ＧＬ１～ＧＬｍを介して供給されるゲート信号は複数の画素Ｐ１１～Ｐｍｎの各々をアクティブにする。ゲート駆動部１３は、データイネーブル信号およびゲート出力イネーブル信号の出力幅に基づきゲート信号の出力幅を制御する。

ゲート駆動部１３は電源線ＰＬ１～ＰＬｍを介して画素Ｐ１１～Ｐｍｎに電源電圧ＶＤＤを供給する。また、ゲート駆動部１３は画素Ｐ１１～Ｐｍｎに電源電圧ＶＳＳを供給する。ゲート駆動部１３からゲート信号の入力を受けた画素Ｐ１１～Ｐｍｎは、電源電圧ＶＤＤ、ＶＳＳおよびデータ電圧に応じて発光する。

補償部１４は映像処理部からデータ信号ＤＡＴＡを受ける。補償部１４はデータ信号ＤＡＴＡに基づき累積データＣＮＴを生成する。累積データＣＮＴは各副画素へのデータ信号ＤＡＴＡの入力値の累計（カウンティング値）についての情報を含み得る。すなわち、累積データＣＮＴは、副画素に供給された時点までのデータ信号を所定の計算式に基づき合計した値であり得る。補償部１４は、制御部１１からの制御信号ＣＴＬに応じて、生成された累積データＣＮＴを制御部１１に供給する。また、補償部１４はデータ駆動部１２からセンシングデータＳｄａｔａを受ける。センシングデータＳｄａｔａは駆動トランジスタＤＴに流れる電流値を含み得る。補償部１４はセンシングデータＳｄａｔａに基づき補償データＣｄａｔａを生成する。補償データＣｄａｔａは副画素間の輝度の不均一が補償されたデータ信号である。補償部１４は補償データＣｄａｔａをデータ駆動部１２に供給する。補償部１４の動作については後述する。

表示パネル１５は表示装置１０の表示画像を構成する。表示パネル１５は複数の画素Ｐ１１～Ｐｍｎを含む。画素Ｐ１１～Ｐｍｎは、ゲート駆動部１３から行方向に延在するゲート線ＧＬ１～ＧＬｍとデータ駆動部１２から列方向に延在するデータ線ＤＬ１～ＤＬｎ（ｍ、ｎは正の整数、以下同様）とが交差して画定される各画素領域に行列状に配列される。画素Ｐ１１～Ｐｍｎが行列状に配置されることにより表示パネル１５内に画素アレイが形成される。

図２は本実施形態における表示装置に含まれる画素Ｐ１１～Ｐｍｎの特性をセンシングするための構成を示す図である。図２には、画素Ｐ１１～Ｐｍｎの一部である画素Ｐ１１、画素Ｐ１２の回路図が示されている。

画素Ｐ１１、画素Ｐ１２はそれぞれ４つの副画素を含む。４つの副画素は互いに異なる発光色を有する。本実施形態では、画素Ｐ１１はそれぞれ赤色、白色、青色、緑色に対応する副画素ＳＰ１１（Ｒ）、ＳＰ１１（Ｗ）、ＳＰ１１（Ｂ）、ＳＰ１１（Ｇ）を含む。同様に、画素Ｐ１２はそれぞれ赤色、白色、青色、緑色に対応する副画素ＳＰ１２（Ｒ）、ＳＰ１２（Ｗ）、ＳＰ１２（Ｂ）、ＳＰ１２（Ｇ）を含む。画素Ｐ１１に含まれる４つの副画素ＳＰ１１（Ｒ）、ＳＰ１１（Ｗ）、ＳＰ１１（Ｂ）、ＳＰ１１（Ｇ）はゲート線ＧＬ１および基準線ＲＬ１を共有する。また、画素Ｐ１２に含まれる４つの副画素ＳＰ１２（Ｒ）、ＳＰ１２（Ｗ）、ＳＰ１２（Ｂ）、ＳＰ１２（Ｇ）はゲート線ＧＬ１および基準線ＲＬ２を共有する。すなわち、画素Ｐ１１に含まれるすべての副画素ＳＰ１１および画素Ｐ１２に含まれるすべての副画素ＳＰ１２は、共通のゲート線ＧＬ１に接続されている。

図２に示される画素Ｐ１１に含まれる副画素ＳＰ１１のそれぞれは、スイッチングトランジスタＳＴ１、ＳＴ２、駆動トランジスタＤＴ、キャパシタＣｓｔ、発光素子ＬＥＤを含む。スイッチングトランジスタＳＴ１のゲートはゲート線ＧＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＴ１のドレインまたはソースはデータ線ＤＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＴ１のソースまたはドレインは駆動トランジスタＤＴのゲートおよびキャパシタＣｓｔの一端に接続されている。駆動トランジスタＤＴのドレインまたはソースは電源線ＰＬ１に接続されている。駆動トランジスタＤＴのソースまたはドレインは、キャパシタＣｓｔの他端、スイッチングトランジスタＳＴ２のドレインまたはソースおよび発光素子ＬＥＤのアノードに接続されている。スイッチングトランジスタＳＴ２のゲートはゲート線ＧＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＴ２のソースまたはドレインは基準線ＲＬ１に接続されている。発光素子ＬＥＤのカソードには電源電圧ＶＳＳが供給されている。発光素子ＬＥＤは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり得る。

図２に示される画素Ｐ１２に含まれる副画素ＳＰ１２のそれぞれは、副画素ＳＰ１１と同様の構成を有する。スイッチングトランジスタＳＴ１のゲートは副画素ＳＰ１１と共有されたゲート線ＧＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＴ１のドレインまたはソースはデータ線ＤＬ２に接続されている。駆動トランジスタＤＴのドレインまたはソースは副画素ＳＰ１１と共有された電源線ＰＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＴ２のゲートは副画素ＳＰ１１と共有されたゲート線ＧＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＴ２のソースまたはドレインは基準線ＲＬ２に接続されている。

ゲート線ＧＬ１にゲート電圧が供給されると、データ電圧Ｖｄａｔａがデータ線ＤＬ１、ＤＬ２およびスイッチングトランジスタＳＴ１を介してキャパシタＣｓｔに格納される。駆動トランジスタＤＴのゲートとドレインまたはソースとの間にはキャパシタＣｓｔに格納されたデータ電圧Ｖｄａｔａが供給される。発光素子ＬＥＤには、駆動トランジスタＤＴを介してデータ電圧Ｖｄａｔａおよび電源電圧ＶＤＤ、ＶＳＳに応じた電流が供給される。発光素子ＬＥＤは、供給された電流に応じた輝度にて発光する。また、ゲート線ＧＬ１にゲート電圧が供給されると、スイッチングトランジスタＳＴ２および基準線ＲＬ１，ＲＬ２を介して副画素のセンシングデータＳｄａｔａがデータ駆動部１２に伝送される。

図２に示される例において、副画素ＳＰ１１（Ｒ）にデータ電圧Ｖｄａｔａとして１０Ｖ＋Ｖｔｈ（Ｒ）がデータ線ＤＬ１を介して印加され、副画素ＳＰ１２（Ｗ）にデータ電圧Ｖｄａｔａとして１０Ｖ＋Ｖｔｈ（Ｗ）がデータ線ＤＬ２を介して印加されている。その他の副画素にはデータ電圧Ｖｄａｔａとして黒色に対応する黒データ電圧がデータ線ＤＬ１、ＤＬ２を介して印加されている。ここで、Ｖｔｈ（Ｒ）は副画素ＳＰ１１（Ｒ）の駆動トランジスタＤＴの閾値電圧であり、Ｖｔｈ（Ｗ）は副画素ＳＰ１２（Ｗ）の駆動トランジスタＤＴの閾値電圧である。また、黒データ電圧は発光素子ＬＥＤを発光させないための電圧であり、本例において黒データ電圧は０Ｖである。

ゲート線ＧＬ１を介してスイッチングトランジスタＳＴ１、ＳＴ２のゲートに閾値電圧以上のゲート電圧が供給されると、副画素ＳＰ１１（Ｒ）、ＳＰ１２（Ｗ）の駆動トランジスタＤＴにはそれぞれデータ電圧Ｖｄａｔａに応じた電流が流れる。副画素ＳＰ１１（Ｒ）、ＳＰ１２（Ｗ）の駆動トランジスタＤＴに流れる電流値は、それぞれ副画素ＳＰ１１（Ｒ）、ＳＰ１２（Ｗ）のセンシングデータＳｄａｔａとして基準線ＲＬ１、ＲＬ２を介してデータ駆動部１２に伝送される。センシングデータＳｄａｔａが伝送される際に、制御部１１は電源電圧ＶＳＳを変化させて発光素子ＬＥＤを発光させないように構成されてもよい。副画素ＳＰ１１（Ｒ）、ＳＰ１２（Ｗ）を除く副画素の駆動トランジスタＤＴのゲートには黒データ電圧（例えば０Ｖ）が供給されているため、駆動トランジスタＤＴには電流が流れない。よって、画素Ｐ１１からは４つの副画素の内の一部である副画素ＳＰ１１（Ｒ）のセンシングデータＳｄａｔａのみが基準線ＲＬ１を介して取得される。また、画素Ｐ１２からは４つの副画素の内の一部である副画素ＳＰ１２（Ｗ）のセンシングデータＳｄａｔａのみが基準線ＲＬ２を介して取得される。

データ駆動部１２は切替部１２１を含む。データ駆動部１２は基準線ＲＬ１、ＲＬ２および補償部１４に接続されている。データ駆動部１２は基準電圧源１６からの基準電圧Ｖｒｅｆを切替部１２１、基準線ＲＬ１、ＲＬ２、スイッチングトランジスタＳＴ２を介して各副画素に供給する。切替部１２１は、基準電圧源１６から基準電圧Ｖｒｅｆが供給される際にデータ駆動部１２と基準電圧源１６とを電気的に接続させる。データ駆動部１２は、副画素の特性がセンシングされる前に、伝送された基準電圧Ｖｒｅｆに基づき各副画素を初期化する。また、切替部１２１は、副画素の特性をセンシングする際にデータ駆動部１２と補償部１４とを電気的に接続させる。副画素から取得されたセンシングデータＳｄａｔａはデータ駆動部１２を介して補償部１４に伝送される。

図３は本実施形態における補償部１４の概略構成を示すブロック図である。補償部１４は特性算出部１４１、特性格納部１４２、第１補償データ生成部１４３、累積データ生成部１４４、特性推定部１４５、第２補償データ生成部１４６を含む。

特性算出部１４１はデータ駆動部１２からセンシングデータＳｄａｔａを受ける。特性算出部１４１はセンシングデータＳｄａｔａに基づき副画素の特性値ＣＨ１１、ＣＨ１２、・・・ＣＨｍｎを算出する。特性値ＣＨ１１は画素Ｐ１１のうちの一部の副画素の特性値であり、特性値ＣＨ１２は画素Ｐ１２のうちの一部の副画素の特性値であり、特性値ＣＨｍｎは画素Ｐｍｎのうちの一部の副画素の特性値である。本実施形態において、特性値はセンシング動作が実行された副画素の駆動トランジスタＤＴの閾値電圧であり得る。図２に示された例において、特性値ＣＨ１１は副画素ＳＰ１１（Ｒ）に含まれる駆動トランジスタＤＴの閾値電圧であり、特性値ＣＨ１２は副画素ＳＰ１２（Ｗ）に含まれる駆動トランジスタＤＴの閾値電圧である。

特性格納部１４２は特性算出部１４１から受けた特性値ＣＨ１１、ＣＨ１２、・・・ＣＨｍｎを格納する。特性格納部１４２は、特性値ＣＨ１１、ＣＨ１２、・・・ＣＨｍｎの中から制御信号ＣＴＬ１により指定された特性値ＣＨ１を第１補償データ生成部１４３に伝送する。特性値ＣＨ１に係る副画素は、同一の画素に含まれる複数の副画素の中で最も劣化が大きいと制御部１１により判定された副画素であり得る。

また、特性格納部１４２は、制御部１１からの制御信号ＣＴＬ２に応じて、格納された特性値ＣＨ１１、ＣＨ１２、・・・ＣＨｍｎの中から制御信号ＣＴＬ２に指定された特性値ＣＨ２を特性推定部１４５に伝送する。特性値ＣＨ２に係る画素は特性値ＣＨ１に係る画素とは異なる。また、特性値ＣＨ２に係る副画素の有する発光色は特性値ＣＨ１に係る副画素の有する発光色とは異なる。さらに、特性値ＣＨ２は複数の画素から取得された複数の特性値であり得る。

第１補償データ生成部１４３は、特性格納部１４２から特性値ＣＨ１を受ける。第１補償データ生成部１４３は、特性値ＣＨ１に基づき第１補償データＣｄａｔａ１を生成する。具体的には、第１補償データ生成部１４３は、特性値ＣＨ１から駆動トランジスタＤＴの閾値電圧の変化量を検出し、当該検出された変化量を補償する。第１補償データＣｄａｔａ１は特性値ＣＨ１に基づき補正されたデータ信号であり得る。第１補償データ生成部１４３は第１補償データＣｄａｔａ１をデータ駆動部１２に伝送する。

累積データ生成部１４４は映像処理部からデータ信号ＤＡＴＡを受ける。累積データ生成部１４４は、データ信号ＤＡＴＡに基づき累積データを生成する。具体的には、累積データ生成部１４４は、データ信号ＤＡＴＡに基づき各副画素のカウンティング値をそれぞれ計測し、累積データＣＮＴ１１、ＣＮＴ１２、・・・ＣＮＴｍｎとして格納する。累積データＣＮＴ１１は画素Ｐ１１の累積データであり、累積データＣＮＴ１２は画素Ｐ１２の累積データであり、累積データＣＮＴｍｎは画素Ｐｍｎの累積データである。累積データＣＮＴ１１、ＣＮＴ１２、・・・ＣＮＴｍｎは各副画素についての劣化情報に対応し得る。

累積データ生成部１４４は、制御部からの制御信号ＣＴＬ３に応じて、格納された累積データＣＮＴ１１、ＣＮＴ１２、・・・ＣＮＴｍｎを制御部１１に伝送する。制御部１１は、累積データ生成部１４４から受けた累積データＣＮＴ１１、ＣＮＴ１２、・・・ＣＮＴｍｎに基づき各副画素の特性の変化（例えば、駆動トランジスタの閾値電圧の変化）を推定し、最も劣化の大きいと推定される副画素を判定する。また、累積データ生成部１４４は、制御部からの制御信号ＣＴＬ４に応じて、累積データＣＮＴ１１、ＣＮＴ１２、・・・ＣＮＴｍｎの中から制御信号ＣＴＬ４により指定された累積データＣＮＴ１を特性推定部１４５に伝送する。なお、指定された累積データＣＮＴ１は１つの画素内に含まれる複数の副画素のカウンティング値を含み得る。また、累積データ生成部１４４は、各副画素から発せられた光の輝度値をデータ信号ＤＡＴＡから抽出し得る。累積データ生成部１４４により生成される累積データＣＮＴ１１、ＣＮＴ１２、・・・ＣＮＴｍｎは抽出された輝度値の情報を含み得る。計測された輝度値の情報は劣化情報に対応し得る。

特性推定部１４５は、制御信号ＣＴＬ２により指定された特性値ＣＨ２を特性格納部１４２から受ける。また、特性推定部１４５は、制御信号ＣＴＬ４により指定された累積データＣＮＴ１を累積データ生成部１４４から受ける。特性推定部１４５は、特性値ＣＨ２および累積データＣＮＴ１に基づき副画素の特性値を推定する。

具体的には、特性推定部１４５は、累積データＣＮＴ１に基づき副画素の特性値の変化を推定する。ここで、累積データＣＮＴ１に係る画素は、第１補償データ生成部１４３に伝送された特性値ＣＨ１に係る画素と同一である。また、累積データＣＮＴ１に係る副画素は、第１補償データ生成部１４３に伝送された特性値ＣＨ１に係る副画素と異なる。

次いで、特性推定部１４５は、累積データＣＮＴ１から算出された副画素の特性値の変化を特性値ＣＨ２に基づき補正し、推定特性値ＥＣ１を生成する。推定特性値ＥＣ１は累積データＣＮＴ１に係る副画素についての補正された特性値の変化量である。推定特性値ＥＣ１は累積データＣＮＴ１に係る副画素の駆動トランジスタＤＴについての閾値電圧の補正された変化量であり得る。特性値ＣＨ２に係る画素は累積データＣＮＴ１に係る画素と異なる。また、特性値ＣＨ２に係る画素は累積データＣＮＴ１に係る画素の近傍に配された画素から選択される。さらに、特性値ＣＨ２に係る副画素の有する発光色は、累積データＣＮＴ１に係る副画素の有する発光色と同一である。

特性推定部１４５は、推定特性値ＥＣ１を生成する際に、特性値ＣＨ２に係る副画素から累積データＣＮＴ１に係る副画素までの距離に応じて特性値ＣＨ２および累積データＣＮＴ１に対して重み付けを実行し得る。例えば、特性推定部１４５は、特性値ＣＨ２に係る副画素から累積データＣＮＴ１に係る副画素までの距離が小さいほど特性値ＣＨ２に相対的に大きな重み付けを与え得る。また、特性推定部１４５は、特性値ＣＨ２に係る副画素から累積データＣＮＴ１に係る副画素までの距離が大きいほど累積データＣＮＴ１に相対的に大きな重み付けを与え得る。特性推定部１４５は、重み付けがされた累積データＣＮＴ１および特性値ＣＨ２に基づき推定特性値ＥＣ１を生成し得る。

特性推定部１４５は、生成された推定特性値ＥＣ１を第２補償データ生成部１４６に伝送する。

第２補償データ生成部１４６は特性推定部１４５から推定特性値ＥＣ１を受ける。第２補償データ生成部１４６は、推定特性値ＥＣ１に基づき第２補償データＣｄａｔａ２を生成する。具体的には、第２補償データ生成部１４６は、推定特性値ＥＣ１から駆動トランジスタＤＴの閾値電圧の変化量を取得し、当該変化量を補償する。第２補償データＣｄａｔａ２は推定特性値ＥＣ１に基づき補正されたデータ信号であり得る。第２補償データ生成部１４６は第２補償データＣｄａｔａ２をデータ駆動部１２に伝送する。

データ駆動部１２は、第１補償データＣｄａｔａ１および第２補償データＣｄａｔａ２を対応する副画素に供給する。第１補償データＣｄａｔａ１および第２補償データＣｄａｔａ２において、各副画素に含まれる駆動トランジスタＤＴに生じた閾値電圧の変化が補償されている。したがって、本発明による表示装置は、画素アレイに含まれるすべての画素をばらつきのない均一な輝度にて発光させることができる。

図４は本実施形態における制御部１１がセンシングの対象となる副画素を選択する処理の一例を示す図である。以下、画素Ｐ１１、Ｐ１２に対する処理を中心に説明するが、同様の処理が表示パネルに含まれるすべての画素Ｐ１１～Ｐｍｎに対して実行され得る。

制御部１１は累積データＣＮＴ１１、ＣＮＴ１２、・・・ＣＮＴｍｎに基づき各画素に含まれる複数の副画素の内から最も劣化の大きい副画素を判定する。図４に示される例では、画素領域ＰＡ１ａには、画素Ｐ１１、Ｐ１２を含む６×６の画素領域において最も劣化の大きい副画素と判定された副画素が示されている。図４において、Ｒ，Ｗ，Ｂ，Ｇはそれぞれ赤色、白色、青色、緑色にそれぞれ対応する副画素を示している。すなわち、本例において、画素Ｐ１１において最も劣化の大きい副画素は赤色に対応する副画素ＳＰ１１（Ｒ）であり、画素Ｐ１２において最も劣化の大きい副画素は青色に対応する副画素ＳＰ１２（Ｂ）である。

本実施形態では、各画素について、赤色または白色に対応する副画素がセンシングされ、次いで青色または緑色に対応する副画素がセンシングされる。すなわち、各画素に対して２回のセンシング動作が行われ、各画素に含まれる２つの副画素からそれぞれセンシングデータＳｄａｔａが取得される。

本例において、赤色（第１発光色）または白色（第２発光色）に対応する副画素が最初にセンシングされる。制御部１１は、画素Ｐ１１の中で最も劣化の大きい副画素であると判断された副画素ＳＰ１１（Ｒ）をセンシングの対象として選択する。一方で、画素Ｐ１２の中で最も劣化の大きい副画素は赤色または白色を発光色として有しない副画素ＳＰ１２（Ｂ）である。制御部１１は、累積データＣＮＴ１２に基づき、画素Ｐ１２の副画素ＳＰ１２（Ｒ）および副画素ＳＰ１２（Ｗ）の劣化の大きさを比較する。本例では、制御部１１は、副画素ＳＰ１２（Ｗ）が副画素ＳＰ１２（Ｒ）よりも劣化が大きいと判断し、副画素ＳＰ１２（Ｗ）をセンシングの対象として選択する。制御部１１は他の画素に対しても同様の処理を行い、各画素からセンシングの対象として赤色または白色に対応する副画素を選択する。図４の画素領域ＰＡ１ｂには、制御部１１により選択されたセンシングの対象である副画素の例が示されている。画素領域ＰＡ１ｂは画素領域ＰＡ１ａと同一の領域である。

次いで、同一の画素領域内にて青色または緑色に対応する副画素がセンシングされる。制御部１１は画素Ｐ１２の中で最も劣化の大きい副画素であると判断された副画素ＳＰ１２（Ｂ）をセンシングの対象として選択する。一方で、画素Ｐ１１の中で最も劣化の大きい副画素は赤色に対応する副画素ＳＰ１１（Ｒ）である。制御部１１は、累積データＣＮＴ１１に基づき、画素Ｐ１１の副画素ＳＰ１１（Ｂ）および副画素ＳＰ１１（Ｇ）の劣化の大きさを比較する。本例では、制御部１１は副画素ＳＰ１１（Ｇ）が副画素ＳＰ１１（Ｂ）よりも劣化が大きいと判断し、副画素ＳＰ１１（Ｇ）をセンシングの対象として選択する。制御部１１は他の画素に対しても同様の処理を行い、各画素からセンシングの対象として青色または緑色に対応する副画素を選択する。図４の画素領域ＰＡ１ｃには、制御部１１により選択されたセンシングの対象である副画素が示されている。画素領域ＰＡ１ｃは画素領域ＰＡ１ａ、ＰＡ１ｂと同一の領域である。

画素Ｐ１１において、センシングの対象として選択されなかった副画素（第１副画素）の特性値の変化は、第１副画素の累積データＣＮＴ１１および第１副画素と同一の発光色を有する副画素からセンシングを介して得られた特性値に基づき推定される。制御部１１は、第１副画素の特性値の変化を推定するために、第１副画素と同一の発光色を有し、かつセンシングにより特性値が得られた複数の副画素の中から、第１副画素に最も近接した位置に配された副画素（第２副画素）を選択し得る。例えば、画素Ｐ１１（第１画素）に含まれる副画素ＳＰ１１（Ｗ）の特性値の変化は、副画素ＳＰ１１（Ｗ）についての累積データＣＮＴ１１およびセンシングされた画素Ｐ１２の副画素ＳＰ１２（Ｗ）の特性値に基づき補償部１４により推定される。また、副画素ＳＰ１１（Ｂ）の特性値の変化は、副画素ＳＰ１１（Ｂ）についての累積データＣＮＴ１１およびセンシングされた副画素ＳＰ１２（Ｂ）の特性値に基づき補償部１４により推定される。具体的には、補償部１４は、副画素ＳＰ１２（Ｗ）の特性値を用いて、副画素ＳＰ１１（Ｗ）についての累積データＣＮＴ１１に基づき推定された副画素ＳＰ１１（Ｗ）の特性値の変化を補正する。同様に、補償部１４は、副画素ＳＰ１２（Ｂ）の特性値を用いて、副画素ＳＰ１１（Ｂ）についての累積データＣＮＴ１１に基づき推定された副画素ＳＰ１１（Ｂ）の特性値の変化を補正する。他の画素に対しても同様の処理を行い、センシングの対象として選択されなかった副画素の特性値の変化が補償部１４により推定される。

図４に示された処理を表示パネル１５に含まれるすべての画素および各画素に含まれるすべての副画素に対して行うことにより、表示装置の表示領域の全体にわたり輝度の不均一を正確に補償し、且つセンシング動作の時間を短縮することができる。

なお、所定の範囲内において、一方の発光色に対応する副画素が累積データに基づき所定の割合を超えて選択された場合、制御部１１は当該割合を超えないように副画素の選択を変更し得る。例えば、赤色（第１発光色）に対応する副画素が所定の画素範囲内において所定の割合を超えてセンシングの対象として選択された場合、制御部１１は、選択された赤色に対応する副画素の一部をセンシングの対象から除外し得る。次いで、制御部１１は、除外された副画素と同一の画素内に含まれる白色（第２発光色）に対応する副画素をセンシングの対象として選択し得る。また、制御部１１は、センシングの対象としての副画素の選択を変更する際に、劣化の大きさの差異が相対的に小さい２つの副画素を含む画素を当該変更の対象として選択し得る。

さらに制御部１１は、２つの副画素の劣化の大きさが同程度の場合に、より大きい最大輝度を有する副画素をセンシングの対象として選択し得る。白色を発光色として有する副画素は、赤色を発光色として有する副画素よりも大きな最大輝度を有する。また、緑色を発光色として有する副画素は、青色を発光色として有する副画素よりも大きな最大輝度を有する。例えば、ＳＰ１２（Ｒ）およびＳＰ１２（Ｗ）が同程度の劣化の大きさを有している場合、制御部１１は、より大きな最大輝度を有するＳＰ１２（Ｗ）をセンシングの対象として選択し得る。また、ＳＰ１１（Ｂ）およびＳＰ１１（Ｇ）が同程度の劣化の大きさを有している場合、制御部１１は、より大きな最大輝度を有するＳＰ１１（Ｇ）をセンシングの対象として選択し得る。

図５は本実施形態における表示装置１０により実行される工程を示すフローチャートである。以下、画素Ｐ１１、Ｐ１２に対して実行される工程を中心に説明する。

ステップＳ５０１において、制御部１１は、センシングの対象となる副画素を選択する。図１～４に示された例において、制御部１１は、累積データＣＮＴ１１、ＣＮＴ１２に基づき劣化が相対的に大きいと判断された副画素を選択する。図４に示された例において、制御部１１は、画素Ｐ１１について、累積データＣＮＴ１１に基づき副画素ＳＰ１１（Ｒ）、ＳＰ１１（Ｇ）を選択する。また、制御部１１は、画素Ｐ１２について、累積データＣＮＴ１２に基づき副画素ＳＰ１２（Ｗ）、ＳＰ１２（Ｂ）を選択する。

ステップＳ５０２において、制御部１１は、選択された副画素にデータ信号及び基準電圧Ｖｒｅｆを供給させるようにデータ駆動部１２およびゲート駆動部１３を制御する。図１～４に示された例において、データ駆動部１２は、制御部１１により選択された副画素ＳＰ１１（Ｒ）、ＳＰ１１（Ｇ）、ＳＰ１２（Ｗ）、ＳＰ１２（Ｂ）に、データ線ＤＬ１、ＤＬ２およびスイッチングトランジスタＳＴ１を介してデータ電圧Ｖｄａｔａを供給する。また、データ駆動部１２は、制御部１１により選択されていない副画素に黒データ電圧を供給する。図２に示された例において、データ駆動部１２は、画素Ｐ１１に含まれる副画素ＳＰ１１（Ｒ）、ＳＰ１１（Ｗ）、ＳＰ１１（Ｂ）、ＳＰ１１（Ｇ）に、基準線Ｒ１およびスイッチングトランジスタＳＴ２を介して基準電圧Ｖｒｅｆを供給する。また、データ駆動部１２は、画素Ｐ１２に含まれる副画素ＳＰ１２（Ｒ）、ＳＰ１２（Ｗ）、ＳＰ１２（Ｂ）、ＳＰ１２（Ｇ）に、基準線Ｒ２およびスイッチングトランジスタＳＴ２を介して基準電圧Ｖｒｅｆを供給する。

ステップＳ５０３において、制御部１１は、選択された副画素の特性を取得させるようにデータ駆動部１２を制御する。図１～４に示された例において、データ駆動部１２は、まず基準線Ｒ１をフローティング状態にし、次にデータ電圧Ｖｄａｔａに基づき、選択された副画素ＳＰ１１（Ｒ）、ＳＰ１１（Ｇ）、ＳＰ１２（Ｗ）、ＳＰ１２（Ｂ）の駆動トランジスタＤＴに流れる電流を副画素のセンシングデータＳｄａｔａとしてそれぞれ取得する。データ駆動部１２は、取得されたセンシングデータＳｄａｔａを補償部１４に伝送する。

ステップＳ５０４において、制御部１１は、センシングの対象として選択されなかった副画素の特性を推定させ、推定特性値ＥＣ１を生成させるように補償部１４を制御する。図１～４に示された例において、補償部１４は、副画素ＳＰ１１（Ｗ）、ＳＰ１１（Ｂ）についての累積データＣＮＴ１１および特性値ＣＨ２に基づき、選択されなかった副画素ＳＰ１１（Ｗ）、ＳＰ１１（Ｂ）の特性を推定する。補償部１４により推定された特性は推定特性値ＥＣ１に対応する。推定特性値ＥＣ１は副画素ＳＰ１１（Ｗ）、ＳＰ１１（Ｂ）の駆動トランジスタＤＴの閾値電圧の変化量であり得る。また、特性値ＣＨ２は、画素Ｐ１１の近傍に配された副画素に対するセンシングにより得られた特性値であり得る。例えば、特性値ＣＨ２は、副画素ＳＰ１２（Ｗ）、ＳＰ１２（Ｂ）に対するセンシング動作により得られた駆動トランジスタＤＴの閾値電圧であり得る。同様に、補償部１４は、ＳＰ１２（Ｒ）、ＳＰ１２（Ｇ）の累積データＣＮＴ１２および特性値ＣＨ２に基づき、選択されなかった副画素ＳＰ１２（Ｒ）、ＳＰ１２（Ｇ）の特性を推定する。推定特性値ＥＣ１は副画素ＳＰ１２（Ｒ）、ＳＰ１２（Ｇ）の駆動トランジスタＤＴの閾値電圧の変化量であり得る。また、特性値ＣＨ２は、画素Ｐ１２の近傍に配された副画素に対するセンシング動作により得られた特性値であり得る。例えば、特性値ＣＨ２は、副画素ＳＰ１１（Ｒ）、ＳＰ１１（Ｇ）に対するセンシング動作により得られた駆動トランジスタＤＴの閾値電圧であり得る。

ステップＳ５０５において、制御部１１は、第１補償データＣｄａｔａ１を生成させるように補償部１４を制御する。図１～４に示された例において、補償部１４は、ステップＳ５０３において取得されたセンシングデータＳｄａｔａから特性値ＣＨ１１、ＣＨ１２を算出する。次いで、補償部１４は、算出された特性値ＣＨ１１、ＣＨ１２に基づき、第１補償データＣｄａｔａ１を補償されたデータ信号としてそれぞれデータ駆動部１２に供給する。データ駆動部１２は、選択された副画素ＳＰ１１（Ｒ）、ＳＰ１１（Ｇ）、ＳＰ１２（Ｗ）、ＳＰ１２（Ｂ）に、それぞれの第１補償データＣｄａｔａ１を供給する。

ステップＳ５０６において、制御部１１は、第２補償データＣｄａｔａ２を生成させるように補償部１４を制御する。図１～４に示された例において、補償部１４は、ステップＳ５０４において生成された推定特性値ＥＣ１に基づき、第２補償データＣｄａｔａ２を補償されたデータ信号としてデータ駆動部１２に供給する。データ駆動部１２は、選択されなかった副画素ＳＰ１１（Ｗ）、ＳＰ１１（Ｂ）、ＳＰ１２（Ｒ）、ＳＰ１２（Ｇ）に、それぞれの第２補償データＣｄａｔａ２を供給する。

画素の経年使用等による各画素の駆動トランジスタの閾値電圧の変化はカウンティング値から推定することができる。カウンティング値から推定される駆動トランジスタの閾値電圧は、表示装置の使用条件、使用環境等に起因して、センシング処理により取得される実際の閾値電圧から大きく乖離することがある。したがって、駆動トランジスタの閾値電圧の変化を高精度に補償するためには、画素に含まれるすべての副画素をセンシングして副画素の特性を取得することが望ましい。一方で、すべての副画素に対するセンシング処理はその処理の完了までに長い時間を要するという問題がある。また、表示装置が高解像度化するに従いセンシング処理にかかる時間の問題はより顕著になる。センシング処理にかかる時間を短くするために、所定のパターンにて画素に含まれる複数の副画素の内の一部の副画素のみをセンシングすることが考えられる。しかしながら、劣化が大きいため特性が補償されるべき副画素は画素毎に異なり得る。よって、所定のパターンを用いてセンシングされる副画素を選択する場合、特性を補償する必要性が高い副画素（すなわち、最も劣化の大きい副画素）が適切にセンシングされないおそれがある。

本発明によれば、画素に含まれる複数の副画素の内の一部の副画素のみがセンシングされる。センシングされる副画素として、カウンティング値を含む累積データに基づき、発光素子の劣化の最も大きい副画素が選択される。また、センシングされない副画素については、当該副画素の近傍に配された同一の発光色を有する副画素からセンシングにより得られた特性値を用いて当該副画素の累積データから推定される特性が補正される。したがって、本発明による表示装置は、副画素の輝度の不均一を正確に補償しつつセンシング処理の時間を短縮することができる。

［第２実施形態］
本発明の第２実施形態に係る表示装置について、図６を参照しながら第１実施形態との相違点を中心に説明する。

図６は本実施形態における制御部がセンシングされる副画素を選択する処理の一例を示す図である。本実施形態では、所定の範囲内の各画素に対して１回のみのセンシング動作を行う点において第１実施形態と相違する。以下、画素Ｐ１１、Ｐ１２に対する処理を中心に説明する。

図６の画素領域ＰＡ１ｄには、一例として、画素Ｐ１１、Ｐ１２を含む６×６の画素領域において最も劣化の大きい副画素と判定された副画素が示されている。本例において、画素Ｐ１１の中で最も劣化の大きい副画素は赤色に対応する副画素ＳＰ１１（Ｒ）であり、画素Ｐ１２の中で最も劣化の大きい副画素は青色に対応する副画素ＳＰ１２（Ｂ）である。

本実施形態では、各画素に対して１つの副画素がセンシングされる。すなわち、各画素に対して１回のセンシング動作が行われる。具体的には、制御部１１は、画素Ｐ１１の中で最も劣化の大きい副画素である副画素ＳＰ１１（Ｒ）をセンシングの対象として選択する。また、制御部１１は、画素Ｐ１２の中で最も劣化の大きい副画素である副画素ＳＰ１２（Ｂ）を選択する。制御部１１は他の画素に対しても同様の処理を行い、各画素から副画素を選択する。図６の画素領域ＰＡ１ｅには、制御部１１により選択された副画素が示されている。画素領域ＰＡ１ｅは画素領域ＰＡ１ｄと同一の領域である。

画素Ｐ１１において、センシングの対象として選択されなかったＳＰ１１（Ｗ）、ＳＰ１１（Ｂ）、ＳＰ１１（Ｇ）の特性値の変化は、各副画素の累積データＣＮＴ１１および近傍の画素内のセンシングされた副画素の特性値に基づいて補償部１４により推定される。例えば、ＳＰ１１（Ｗ）の特性値の変化は、ＳＰ１１（Ｗ）についての累積データＣＮＴ１１およびセンシングされた副画素ＳＰ２１（Ｗ）の特性値に基づき補償部１４により推定される。また、ＳＰ１１（Ｂ）の特性値の変化は、ＳＰ１１（Ｂ）についての累積データＣＮＴ１１およびセンシングされた副画素ＳＰ１２（Ｂ）の特性値に基づき補償部１４により推定される。また、ＳＰ１１（Ｇ）の特性値の変化は、ＳＰ１１（Ｇ）についての累積データＣＮＴ１１およびセンシングされた副画素ＳＰ１３（Ｇ）の特性値に基づき補償部１４により推定される。補償部１４は、副画素ＳＰ１３（Ｇ）の特性値に加えて例えば副画素ＳＰ３１（Ｇ）の特性値に基づきＳＰ１１（Ｇ）の特性値の変化を推定し得る。この場合、補償部１４は、例えば副画素ＳＰ１３（Ｇ）の特性値と副画素ＳＰ３１（Ｇ）の特性値との平均値に基づきＳＰ１１（Ｇ）の特性値の変化を推定し得る。他の画素に対しても同様の処理を行い、選択されなかった副画素の特性値が補償部１４により推定される。

上述の処理を表示パネル１５に含まれるすべての画素に対して行うことにより、表示装置の表示領域全体に対して実行されるセンシング動作の時間をさらに短縮することができる。

なお、所定の範囲内において、一の発光色に対応する副画素が累積データに基づき所定の割合を超えて選択された場合、制御部１１は当該割合を超えないように副画素の選択を変更し得る。例えば、赤色に対応する副画素が所定の画素範囲内において所定の割合を超えて選択された場合、制御部１１は、選択された赤色に対応する副画素の一部をセンシングの対象から除外し得る。次いで、制御部１１は、除外された副画素と同一の画素内に含まれる白色、青色、緑色のいずれかに対応する副画素を選択し得る。また、制御部１１は、副画素の選択を変更する際に、当該所定の範囲内において選択された数が最も少ない発光色に対応する副画素を、除外された赤色に対応する副画素の代わりに選択し得る。

さらに制御部１１は、２つ以上の副画素の劣化の大きさが同程度の場合に、最も大きい最大輝度を有する副画素を選択し得る。例えば、図２に示される４つの発光色に関して、赤色は青色よりも最大輝度が高く、緑色は赤色、青色よりも最大輝度が高く、白色は緑色、赤色、青色よりも最大輝度が高い。したがって、２つ以上の副画素の劣化の大きさが同程度の場合に、制御部１１は、センシングされる対象として白色の発光色を有する副画素を最も優先的に選択し、次いで緑色の発光色を有する副画素を優先的に選択し、次いで赤色の発光色を有する副画素を優先的に選択し得る。

また、所定の範囲内において、一の発光色に対応する副画素が選択されていない場合、制御部１１は当該所定の範囲内にて当該一の発光色を有する副画素がセンシングの対象となるように選択を変更し得る。例えば、赤色を発光色として有する副画素が所定の画素範囲内において選択されていない場合、制御部１１は、選択されている白色、青色、緑色を発光色として有する副画素の一部をセンシングの対象から除外し得る。次いで、制御部１１は、除外された副画素と同一の画素内に含まれる赤色に対応する副画素を選択し得る。当該選択の変更の際に、制御部１１は、当該所定の範囲内においてセンシングの対象として最も多く選択されている発光色に対応する副画素をセンシングの対象から除外し得る。

本実施形態によれば、輝度の不均一を正確に補償しつつセンシング動作の時間をさらに短縮することができる。

［その他の実施形態］
第１実施形態、第２実施形態では、制御部１１が補償部１４とは別個の構成として記述された。しかしながら、補償部１４は制御部１１と別個に設けられなくともよい。例えば、制御部１１は１つのチップにより構成され、補償部１４は制御部１１のチップ内に集積され、制御部１１は補償部１４の有するすべての機能を提供するように構成されてもよい。

各実施形態で説明された各部および各工程はプロセッサおよび当該プロセッサと協働するメモリによって実現され得る。例えば、プロセッサがメモリに格納されているプログラムを読み出し、当該プログラムを実行し、各部を各実施形態で説明されたとおりに動作させ得る。プロセッサは各実施形態で説明された各部に含まれ得る。プロセッサはＣＰＵまたはＭＰＵであり得る。また、当該プロセッサと協働するメモリは不揮発性メモリであり得る。

各実施形態で説明された各部の構成および信号の内容は上述されたものに限定されず、用途や目的に応じて変更され得る。また、各実施形態を組み合わせた構成および信号もすべて本発明に含まれる。即ち、本発明は上記各実施形態に限定されず、本発明の技術的思想に基づき変形され得る。例えば、本発明は上述の各実施形態が有機的に組み合わされた構成を含む。

１０ 表示装置
１１ 制御部
１２ データ駆動部
１３ ゲート駆動部
１４ 補償部
１５ 表示パネル（画素アレイ）
Ｐ１１、Ｐ１２ 画素
ＳＰ１１、ＳＰ１２ 副画素

Claims (16)

1. それぞれが複数の副画素を含む複数の画素および前記複数の副画素により共有されるゲート線を有する画素アレイと、
   前記ゲート線を介して前記複数の副画素にゲート信号を供給するゲート駆動部と、
   データ線を介して前記複数の副画素のそれぞれにデータ信号を供給するデータ駆動部と、
   前記画素に含まれる前記複数の副画素から、前記副画素の劣化情報に基づきいずれかの副画素を選択し、選択された副画素に前記データ信号を前記データ駆動部から供給する制御部と、
   前記選択された副画素の特性を取得する補償部と
   を含み、
   前記劣化情報は、前記副画素に供給されたデータ信号の入力値の累計についての情報を含む累積データであり、
   前記複数の副画素は互いに異なる第１発光色、第２発光色を有し、
   前記制御部は、前記累積データ、前記第１発光色の有する輝度の最大値および前記第２発光色の有する輝度の最大値に基づき、前記複数の副画素の中から劣化の最も大きいと推定された副画素を選択する、
   表示装置。
2. 複数の前記画素のそれぞれは、選択されていない第１副画素と選択された第２副画素とを含み、
   前記補償部は、一の画素の前記第１副画素の前記累積データと他の画素の前記第２副画素から取得された前記特性とに基づき前記一の画素の前記第１副画素の前記特性を推定する、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記一の画素の前記第１副画素は、前記他の画素の前記第２副画素と同一の発光色を有する、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記補償部は、複数の前記他の画素の中で前記第１副画素に最も近い前記他の画素の前記第２副画素の特性に基づき、前記一の画素の前記第１副画素の前記特性を推定する、
   請求項３に記載の表示装置。
5. 前記補償部は、さらに前記第２副画素から取得された前記特性に基づき、前記第１副画素の前記特性を推定する、
   請求項４に記載の表示装置。
6. 前記補償部は、さらに前記第１副画素から前記第２副画素までの距離に応じて前記第１副画素の前記特性を推定する、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記補償部は前記複数の副画素のうちの２つの副画素から前記特性を取得する、
   請求項１に記載の表示装置。
8. 前記劣化の最も大きい副画素が前記第１発光色または前記第２発光色を有しない場合に、前記制御部は、前記第１発光色を有する副画素の前記累積データおよび前記第２発光色を有する副画素の前記累積データを比較し、より劣化の大きい副画素を選択する、
   請求項７に記載の表示装置。
9. 前記累積データに基づき前記第１発光色を有する第１の副画素および前記第２発光色を有する第２の副画素の劣化の大きさが同じであると判断された場合に、前記制御部は、前記第１の副画素および前記第２の副画素からより大きい前記輝度の最大値を有する副画素を選択する、
   請求項１に記載の表示装置。
10. それぞれが複数の副画素を含む複数の画素および前記複数の副画素により共有されるゲート線を有する画素アレイと、
    前記ゲート線を介して前記複数の副画素にゲート信号を供給するゲート駆動部と、
    データ線を介して前記複数の副画素のそれぞれにデータ信号を供給するデータ駆動部と、
    前記画素に含まれる前記複数の副画素から、前記副画素の劣化情報に基づきいずれかの副画素を選択し、選択された副画素に前記データ信号を前記データ駆動部から供給する制御部と、
    前記選択された副画素の特性を取得する補償部と
    を含み、
    前記劣化情報は、前記副画素に供給されたデータ信号の入力値の累計についての情報を含む累積データであり、
    前記制御部は、前記累積データに基づき前記複数の副画素から劣化の最も大きいと推定された前記副画素を選択し、
    前記複数の副画素は第１発光色を有する第１副画素および第２発光色を有する第２副画素を含み、
    所定の画素範囲内において前記第１副画素が所定の割合を超えて選択された場合に、前記制御部は、前記所定の画素範囲内において、前記第１副画素と前記第２副画素との間の劣化の大きさの差異が相対的に小さい画素を選択し、選択された前記画素のうちの前記劣化の最も大きい副画素である前記第１副画素を選択の対象から除外し、前記選択された画素のうちの前記第２副画素を選択する、
    表示装置。
11. 所定の画素範囲内において選択されていない発光色がある場合に、前記制御部は前記劣化の最も大きい副画素に代えて前記選択されていない発光色に対応する副画素を選択する、
    請求項１に記載の表示装置。
12. 前記補償部は、
    取得された前記特性に基づき前記選択された副画素の前記特性の変化が補償されたデータ電圧を生成し、
    推定された前記特性に基づき、前記第１副画素の前記特性の変化が補償されたデータ電圧を生成する、
    請求項２に記載の表示装置。
13. 前記データ駆動部は、前記選択された副画素に前記データ信号を供給する際に前記選択された副画素を除いた副画素に黒色に対応する黒データ電圧を供給する、
    請求項１に記載の表示装置。
14. 前記データ駆動部は、前記データ信号を供給する前に、前記複数の副画素により共有される基準線を介して所定の基準電圧を前記複数の副画素に供給し、
    前記補償部は、前記基準線を介して前記特性を取得する、
    請求項１に記載の表示装置。
15. 前記制御部は、前記画素アレイに含まれるすべての前記画素から前記副画素をそれぞれ選択し、
    前記補償部は、選択されたすべての前記副画素からそれぞれ前記特性を取得する、
    請求項１に記載の表示装置。
16. 前記複数の副画素のそれぞれは有機発光ダイオードを含む、
    請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の表示装置。