JP7748845B2 - ハーフトーンマスクの欠陥修正装置 - Google Patents

ハーフトーンマスクの欠陥修正装置

Info

Publication number
JP7748845B2
JP7748845B2 JP2021173300A JP2021173300A JP7748845B2 JP 7748845 B2 JP7748845 B2 JP 7748845B2 JP 2021173300 A JP2021173300 A JP 2021173300A JP 2021173300 A JP2021173300 A JP 2021173300A JP 7748845 B2 JP7748845 B2 JP 7748845B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
optical
defect
laser
action portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021173300A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023063046A (ja
Inventor
宣紀 赤木
蓮 多田
正道 北村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Electronics Co Ltd
Original Assignee
SK Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SK Electronics Co Ltd filed Critical SK Electronics Co Ltd
Priority to JP2021173300A priority Critical patent/JP7748845B2/ja
Publication of JP2023063046A publication Critical patent/JP2023063046A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7748845B2 publication Critical patent/JP7748845B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

本発明は、ハーフトーンマスクの半透過部に生じた欠陥を修正するハーフトーンマスクの欠陥修正装置に関する。
フォトリソグラフィ技術として、ハーフトーンマスクが知られている。ハーフトーンマスクは、透過部の透過率と遮光部の透過率との間の透過率を有する半透過部を備えることにより、透過部による白の階調及び遮光部による黒の階調の2階調と、半透過部による白と黒の中間(グレートーン)の階調とを合わせた多階調(3階調以上)を実現することから、多階調フォトマスクとも称される。ハーフトーンマスクを用いることにより、1回の露光で露光量が異なるパターンをフォトレジストに形成することができる。このため、フォトマスクの使用枚数の削減、製造工程の削減、ひいては製造コストの削減を図ることができる。
ここで、ハーフトーンマスクにおいては、製造工程上等の問題により、大きく分けて2つの欠陥が生じ得る。1つは、半透過部の一部に欠損が存在しているという欠陥(欠損が存在していると、透過率が上がるので、「白欠陥」と称される。)である。もう1つは、半透過部の一部に余剰や異物が存在しているという欠陥(異物等が存在していると、透過率が下がるので、「黒欠陥」と称される。)である。
こうした欠陥が生じたときは、欠陥を修正する必要がある。白欠陥の場合は、欠損部分に修正膜を成膜することにより、白欠陥が修正される。黒欠陥の場合は、異物等又は異物等が存在している半透過部の部分を除去し、必要に応じて新たな修正膜を成膜することにより、黒欠陥が修正される。
欠陥修正装置としては、特許文献1に記載された装置が知られている。この装置は、レーザCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いて修正膜を成膜するものである。すなわち、この装置は、レーザ発振器から出射されたレーザビームを、開口を通過させ、対物レンズで集光し、反応ガス雰囲気中に置かれた欠陥修正対象フォトマスクの表面に照射することにより、CVD膜の修正膜を成膜するものである。
特開2017-173670号公報
特許文献1に記載された欠陥修正装置は、隣同士が重なるピッチで複数の単位修正膜を2次元配列的に形成することにより、欠陥修正領域を埋める大きさの修正膜を形成するものである。しかし、単位修正膜は、レーザビームの強度分布(ガウス分布)の関係で、周辺部の膜厚が薄く、中央部の膜厚が厚い凸形状を有する。このため、修正膜の膜厚が許容範囲を超えて不均一になりやすく、この結果、修正膜の透過率にムラが生じやすくなる。
そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、修正膜の膜厚の均一性を向上することができ、これにより、透過率にムラがない高品質な修正膜を得ることができるハーフトーンマスクの欠陥修正装置を提供することを課題とする。
本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置は、
ハーフトーンマスクを載置するステージと、
レーザビーム出射装置と、
レーザビームのビーム径よりも大きい形状を有する光学作用部であって、光学作用部内を透過するレーザビームの中心軸におけるピーク強度を低減する光学作用部を有する光学部材と、
レーザビームのビーム径を拡大するビームエキスパンダと、
ビームエキスパンダ及び光学部材を通過したレーザビームを空間光変調素子を用いて走査することにより、レーザビームをハーフトーンマスクの欠陥修正対象領域に面状に照射するビームスキャンユニットと、
欠陥修正対象領域を修正膜の原料となる原料ガス雰囲気とするガス供給系とを備える
ハーフトーンマスクの欠陥修正装置である。
ここで、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置の一態様として、
光学作用部は、レーザビームのうち光学作用部の中心部を通る部分の強度の減少率をレーザビームのうち光学作用部の周辺部を通る部分の強度の減少率よりも高くするフィルタ作用、又は、レーザビームを拡散する拡散作用、の少なくとも一方を有するものである
との構成を採用することができる。
また、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置の他態様として、
光学作用部は、透明部材の表面の一部を白濁処理した白濁部である
との構成を採用することができる。
また、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置の別の態様として、
ハーフトーンマスクの欠陥修正対象領域は、20μm以下の欠陥のサイズに対して設定される
との構成を採用することができる。
また、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置のさらに別の態様として、
レーザビーム出射装置の筐体の出口開放部を覆うガラス板を備え、
光学部材は、このガラス板とは別に設けられるガラス板である
との構成を採用することができる。
また、本発明に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置の別の態様として、
レーザビームの光路と直交する直交面において光路の中心に対して位置調整可能に光学部材を支持する光学部材支持装置をさらに備える
との構成を採用することができる。
本発明によれば、レーザビーム出射装置から出射されるレーザビームは、ビームエキスパンダにより、ビーム径が拡大されるとともに、光学部材の光学作用部により、中心軸におけるピーク強度が低減されることにより、全体的に平滑化された状態で、ハーフトーンマスクの欠陥修正対象領域に面状に照射される。このため、本発明によれば、修正膜の膜厚の均一性を向上することができ、これにより、透過率にムラがない高品質な修正膜を得ることができる。
図1(a)は、一実施形態に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置の概要図である。図1(b)及び(c)は、欠陥修正装置のスリットの概要図である。 図2(a)は、欠陥修正装置のレーザ光学系の概要図である。図2(b)は、レーザ光学系に用いられる光学部材の平面図である。図2(c)は、光学部材の光学特性の1つの例の説明図である。図2(d)は、光学部材の光学特性のもう1つの例の説明図である。 図3(a)は、光学部材支持装置の平面図である。図3(b)は、光学部材支持装置の側面図である。 図4(a)は、光学部材支持装置の正面図である。図4(b)は、光学部材の支持ベースを取り外した状態の光学部材支持装置の正面図である。 図5(a)~(d)は、ハーフトーンマスクの欠陥修正方法の説明図である。 図6(a)は、光学部材を用いない場合の成膜イメージの説明図である。図6(b)は、光学部材を用いる場合の成膜イメージの説明図である。
以下、一実施形態に係るハーフトーンマスクの欠陥修正装置及びこれを用いるハーフトーンマスクの欠陥修正方法について、図1ないし図6を参酌して説明する。
<欠陥修正装置>
まず、欠陥修正装置について説明する。図1(a)に示すように、欠陥修正装置10は、レーザCVD法を用いて修正膜(CVD膜)を成膜する装置である。欠陥修正装置10は、主として、レーザ光学系20と、レーザ光学系30と、光学系40と、ガス供給系50と、位置制御系60とを備える。
レーザ光学系20は、修正膜を形成するためのレーザ光学系である。レーザ光学系20は、レーザ発振器(CVD Laser)21と、シャッタ22と、ビームエキスパンダ23と、アッテネータ24と、ビームスキャンユニット25とを備える。レーザビーム出射装置としてのレーザ発振器21から出射されたレーザビーム(レーザ光)は、ビームエキスパンダ23によりビーム径が拡大され、アッテネータ24により適正な出力に調整された後、ビームスキャンユニット25により走査される。ビームスキャンユニット25は、ガルバノミラー、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、PLZT素子等の反射型又は透過型の空間光変調素子を用いて主走査及び副走査を行う。
レーザ光学系20は、より詳細には、図2(a)に示すとおりである。レーザ光学系20は、ガラス板26と、ミラー27と、光学部材28とをさらに備える。ガラス板26は、レーザ発振器21の筐体の出口開放部を覆い、筐体内に埃、塵等が侵入するのを防止する。また、レーザ発振器21の筐体内の温度が変わると、光軸が変わり、レーザビームの波長変換等に影響が出るが、ガラス板26は、レーザ発振器21の筐体内の温度を一定に保つ役割もある。ミラー27は、シャッタ22とビームエキスパンダ23との間に一対設けられる。一対のミラー27,27により、光路は2箇所で直角に曲げられ、レーザ発振器21から出射されたレーザビームの中心軸と、ビームスキャンユニット25から出射される走査光の中心軸とは、平行かつ互いに逆方向となる。ミラー27は、レーザ光学系20のレイアウトの観点で設けられるものであり、レーザ光学系20のレイアウトによっては、必ずしも必要ではない。
光学部材28は、レーザビームの中心軸におけるピーク強度を低減する光学作用部を有し、一対のミラー27,27間の光路上に配置される。より詳しくは、光学部材28は、一対のミラー27,27間において、光学作用部の中心が光路の中心と一致するように、配置される。
図2(b)に示すように、光学作用部は、ガラス板28aの表面に形成される白濁部28bである。ガラス板28aは円形である。白濁部28bも円形である。白濁部28bは、レーザビームのビーム径よりも大きいか、又は同じ大きさである。たとえば、レーザビームのビーム径(直径)が1mm~2mmであるのに対し、白濁部28bは、1.5mm~2mmの大きさであり、レーザビームのビーム径の70%以上100%以内の大きさを有する。これにより、レーザビームは、白濁部28b内を透過する。なお、白濁部28bの大きさとは、白濁部28bの幅の平均値をいう。
白濁部28bは、各種の形態で構成される。一例として、白濁部28bは、図2(c)に示すように、ガラス板28aの表面の一部を、周辺部よりも中心部の透過率が低く、中心部よりも周辺部の透過率が高い透過率勾配を有するように、表面加工して形成したものである。これにより、白濁部28bは、レーザビームのうち白濁部28bの中心部を通る部分の強度の減少率をレーザビームのうち白濁部28bの周辺部を通る部分の強度の減少率よりも高くするフィルタ作用を有する。あるいは、別例として、白濁部28bは、図2(d)に示すように、ガラス板28aの表面の一部を、凹凸面やギザギザ面といった粗面となるように、表面加工して形成したものである。これにより、白濁部28bは、レーザビームを拡散する拡散作用を有する。
光学部材28は、図3及び図4に示される光学部材支持装置7に支持される。光学部材支持装置7は、一対のミラー27,27間に配置され、一対のミラー27,27やレーザ発振器21といったレーザ光学系20の構成を直接又は間接的に取り付ける取付ベース11に取り付けられる。
光学部材支持装置7は、固定ベース70と、第1リニアガイド71と、第1スライドベース72と、第2リニアガイド73と、第2スライドベース74と、支持ベース75とを備える。
固定ベース70は、縦板状であり、(下部にて)取付ベース11に取り付けられる。固定ベース70は、(下半分の領域に)光路の中心Cを中心として表裏を貫通する開口70aを有する。第1リニアガイド71は、第1リニアガイド71の長手方向が、光路と直交する直交面における直交2軸のうち、一方の軸方向(たとえば水平方向)に沿うように、固定ベース70(の上半分の領域に)に取り付けられる。第1スライドベース72は、第1リニアガイド71に取り付けられ、一方の軸方向(たとえば水平方向)にスライド可能である。第2リニアガイド73は、第2リニアガイド73の長手方向が、もう一方の軸方向(たとえば垂直方向)に沿うように、第1スライドベース72に取り付けられる。第2スライドベース74は、第2リニアガイド73に取り付けられ、もう一方の軸方向(たとえば垂直方向)にスライド可能である。
支持ベース75は、縦板状であり、固定ベース70と対向するように、(上半分の領域にて)第2スライドベース74に取り付けられる。支持ベース75は、固定ベース70の開口70aと同軸にして表裏を貫通する開口75aを有する。開口75aは、光学部材28のガラス板28aと同じ大きさの円孔であり、ここに光学部材28を嵌めることにより、支持ベース75は、(下半分の領域にて)光学部材28を支持する。これらの構成により、光学部材28は、光路と直交する直交面において移動可能となる。
光学部材支持装置7は、第1マイクロメータ76を備える。第1マイクロメータ76は、本体部76aが第1取付部材77を介して固定ベース70に取り付けられ、第1スライドベース72のスライド方向に沿うように配置される。第1マイクロメータ76のスピンドル76bの先端部は、第1スライドベース72の一部である係合部72aに回転自在に係合される。これらの構成により、第1マイクロメータ76を回転操作することで、光路と直交する直交面における直交2軸のうち、一方の軸方向(たとえば水平方向)における光学部材28の位置調整を行うことができる。
光学部材支持装置7は、第2マイクロメータ78を備える。第2マイクロメータ78は、本体部78aが第2取付部材79を介して第1スライドベース72に取り付けられ、第2スライドベース74のスライド方向に沿うように配置される。第2マイクロメータ78のスピンドル78bの先端部は、第2スライドベース74の一部である係合部74aに回転自在に係合される。これらの構成により、第2マイクロメータ78を回転操作することで、光路と直交する直交面における直交2軸のうち、もう一方の軸方向(たとえば垂直方向)における光学部材28の位置調整を行うことができる。
以上の構成により、光学部材28は、光路と直交する直交面において光路の中心Cに対して位置調整可能となる。そして、これにより、光学部材28の白濁部28bは、白濁部28bの中心が光路の中心Cと一致するように、位置決めされる。
図1(a)に戻り、レーザ光学系30は、半透過部を構成する半透過膜を部分的に除去するためのレーザ光学系である。レーザ光学系30は、レーザ発振器(Zap Laser)31と、シャッタ32と、ビームエキスパンダ33と、アッテネータ34とを備える。レーザ発振器31からパルス状に出射されたレーザビーム(レーザ光)は、ビームエキスパンダ33によりビーム径が拡大され、アッテネータ34により適正な出力に調整される。
光学系40は、各レーザ光学系20,30から出射されたレーザビームをハーフトーンマスク8の表面に導くためのものである。光学系40は、プリズム41と、プリズム42と、スリット43と、プリズム44と、プリズム45と、対物レンズ46とを備える。プリズム41は、レーザ光学系20から出射されたレーザビームを反射させる。プリズム42は、プリズム41により反射されたレーザビームを透過させるとともに、レーザ光学系30から出射されたレーザビームを反射させる。スリット43は、プリズム42を透過したレーザビーム及びプリズム42により反射されたレーザビームのビーム径を所定の大きさに絞るためのものである。スリット43を通過したレーザビームは、プリズム44,45で反射され、対物レンズ46を通ってステージ61に載置されたハーフトーンマスク8の表面に照射される。
スリット43は、ハーフトーンマスク8の表面において、レーザビーム照射領域を区画する。図1(b)、(c)に示すように、スリット43は、平行かつ間隔を調整自在に可動する第1の1対のフレーム430,430と、同じく平行かつ間隔を調整自在に可動し、第1の1対のフレーム430,430と直交する第2の1対のフレーム431,431とを備える。互いに直交する4つのフレーム430,430,431,431に囲まれた矩形状の開口432(図中のハッチング部分)がレーザビーム照射領域となる。開口432は、一方の1対のフレームの間隔を狭めることにより、スリット状にすることも可能である。
ガス供給系50は、修正膜の原料となる原料ガスを供給するためのものである。ガス供給系50は、原料ガス供給管51を備える。原料ガスは、不活性ガスからなるキャリアガスと、加熱によってガス化した原料とを混ぜることにより生成される。原料ガス供給管51から供給された原料ガスは、ハーフトーンマスク8の表面に向かって噴出され、ハーフトーンマスク8の表面の欠陥修正対象領域を原料ガス雰囲気とする。この原料ガス雰囲気の下で、レーザ光学系20からのレーザビームがハーフトーンマスク8の表面に照射されると、照射スポットが形成されるとともに、この照射スポットの寸法及び形状に応じて修正膜が成膜される。原料としては、たとえば、クロムカルボニル、モリブデンカルボニル、タングステンカルボニルといった金属カルボニルが用いられる。
位置制御系60は、ハーフトーンマスク8のレーザ照射を受けるべき部位をレーザ照射位置(対物レンズ46の中心軸上)に位置決めするためのものである。位置制御系60は、ステージ61と、位置制御部62とを備える。ステージ61は、ハーフトーンマスク8を載置し、水平面において互いに直交するX方向及びY方向に移動可能に構成される。位置制御部62は、ステージ61の移動及び位置を制御する。
なお、レーザ照射位置及びハーフトーンマスク8の相対位置を変更させる機構としては、ステージ61がX方向及びY方向に移動する機構のほか、(i)ステージは固定で、レーザ照射部(対物レンズ)を備えるヘッド部がX方向及びY方向に移動する機構や、(ii)ヘッド部及びステージの一方がX方向に移動するとともに、他方がY方向に移動する機構であってもよい。
<欠陥修正方法>
次に、欠陥修正方法について説明する。欠陥修正方法は、欠陥のサイズが20μm以下、すなわち、欠陥のサイズが20μm×20μm以下の四角内に収まる大きさである場合に用いられ、概略的には、図5に示すように、(i)ハーフトーンマスク8の半透過部2に生じた欠陥3を包含する欠陥修正対象領域4を設定し、欠陥修正対象領域4内に存在する既存の半透過膜2を除去するトリミング工程(第1工程)と、(ii)欠陥修正対象領域4に、透過率が半透過部2の透過率と等しくなるように、かつ、欠陥修正対象領域4と一致する形状に、修正膜7を成膜する修正膜成膜工程とを備える。また、修正膜成膜工程は、(ii-i)半透過部2の透過率よりも高い透過率を有するベース層5を成膜するベース層成膜工程(第2工程)と、(ii-ii)透過率が半透過部2の透過率と等しくなるように、ベース層5の上に1層又は複数層の透過率調整層6を成膜する透過率調整層成膜工程(第3工程)とを備える。
第1工程(トリミング工程)では、欠陥修正装置10のスリット43の開口形状が欠陥修正対象領域4に合わせられた状態で、レーザ光学系30を用い、欠陥修正対象領域4内に存在する既存の半透過膜2が除去される。これにより、欠陥3は消滅し、外形線が矩形状に整形された非膜形成部、すなわち、透明基板1が矩形状に露出した透過部が形成される。
第2工程(修正膜成膜工程のベース層成膜工程)では、欠陥修正装置10のスリット43の開口形状とビームスキャンユニット25の光学中心(ガルバノミラーの場合、ガルバノミラーの中心)とが合わせられ、かつ、スリット43の開口形状が欠陥修正対象領域4に合わせられた状態で、レーザ光学系20を用い、欠陥修正対象領域4内にベース(base)層5が形成される。ベース層5は、レーザビームを連続的に照射しながら、ビームスキャンユニット25によりレーザビームを主走査及び副走査することにより、成膜される。ベース層5は、欠陥修正装置10のスリット43の開口形状に対応して、矩形状に形成される。
ベース層5は、上述のとおり、CVD膜である。ベース層5の透過率は、半透過部2の透過率よりも高い透過率を有する。これは、修正膜7の透過率の調整方法として、透過率調整層6を積層して透過率を下げていくという方法が採られるためである。ベース層5の透過率は、半透過部2の透過率+10%以上+20%以下となるように設定するのが好ましい。本実施形態においては、半透過部2の透過率は、30%であるのに対し、ベース層5の透過率は、40%である。
第3工程(修正膜成膜工程の透過率調整層成膜工程)では、欠陥修正装置10のスリット43の開口形状とビームスキャンユニット25の光学中心(ガルバノミラーの場合、ガルバノミラーの中心)とが合わせられ、かつ、スリット43の開口形状が欠陥修正対象領域4に合わせられた状態で、レーザ光学系20を用い、欠陥修正対象領域4内に透過率調整層6が形成される。透過率調整層6は、ベース層5と同様、レーザビームを連続的に照射しながら、ビームスキャンユニット25によりレーザビームを主走査及び副走査することにより、成膜される。透過率調整層6は、欠陥修正装置10のスリット43の開口形状に対応して、矩形状に形成される。
透過率調整層成膜工程では、透過率調整層6が成膜されるたびに、修正膜7の透過率が測定される。透過率測定方法としては、(たとえば修正膜7の中心部分1箇所に)光を照射して透過光の光量を測定することにより、透過率を直接的に測定する方法のほか、撮像して修正膜7の画像(のたとえば画素値)と半透過部2の画像(のたとえば画素値)とを比較することにより、透過率を間接的に測定する方法等、公知の各種の透過率測定方法を用いることができる。
測定の結果、修正膜7の透過率が半透過部2の透過率と同じになる、又は、修正膜7の透過率と半透過部2の透過率との差が問題にならない状態になると、透過率調整層成膜工程、ひいては、修正膜成膜工程が完了する。
以上の工程を経て、欠陥修正対象領域4の全面において透過率が均一で、かつ、欠陥修正対象領域4の周辺の正常な半透過膜で構成される半透過部2の透過率と等しくなる修正膜7が得られる。なお、より高品質な修正膜7が得られるよう、必要であれば、特許第6741893号公報に記載されている、修正膜7の成膜によっても欠陥修正対象領域4に残る高透過部に、透過率が半透過部2の透過率と等しくなるように、補填膜を成膜する補填膜成膜工程が実施されるようにしてもよい。
なお、欠陥が半透過部と透過部との境界近傍における半透過部に生じている場合、スリット43を透過部と繋がったコの字形となるように合わせた状態で、あるいは、スリット43を所定角度回転されて略三角形となるように合わせた状態で、トリミングを行うという方法を用いることがある。そして、後者の場合、スリット43の回転角を合わせた状態で、修正膜7を成膜するとともに、半透過部のエッジラインからはみ出た修正膜7をレーザ光学系30を用いて除去するという方法を用いることがある。
<本実施形態による効果>
上述のとおり、光学部材28の白濁部28bは、レーザビームのうち白濁部28bの中心部を通る部分の強度の減少率をレーザビームのうち白濁部28bの周辺部を通る部分の強度の減少率よりも高くするフィルタ作用、又は、レーザビームを拡散する拡散作用を有する。これにより、図6(b)に示すように、ビームスキャンユニット25による主走査及び副走査により面状に照射されるレーザビームは、全体的に平滑化される。このため、修正膜7の膜厚の均一性を向上することができ、これにより、透過率にムラがない高品質な修正膜7を得ることができる。
また、光学部材28は、光路と直交する直交面における直交2軸で移動可能な光学部材支持装置7の支持ベース75に支持され、光路と直交する直交面において移動可能となる。これにより、光路と直交する直交面において光路の中心Cに対して光学部材28を位置調整することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
上記実施形態においては、光学部材28は、レーザ光学系20において一対のミラー27,27間に配置される。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。光学部材は、レーザ発振器(あるいはシャッタ)からビームエキスパンダまでのいずれかの光路上に配置することができる。あるいは、光学部材は、レーザ発振器の筐体の出口開放部を覆うガラス板を兼ねるようにしてもよい。
また、上記実施形態においては、光学作用部(白濁部28b)は、光学部材28のガラス板28aの表面の一部に設けられる。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。光学作用部(白濁部)は、ガラス板の表面全面に設けられるようにしてもよい。また、上記実施形態においては、光学部材は、ガラス板を用いて構成される。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。光学部材は、透明樹脂板等、他の形態の透明部材であってもよい。
また、上記実施形態においては、白欠陥の欠陥修正について説明している。しかし、欠陥修正対象は、黒欠陥であってもよい。
また、上記実施形態においては、欠陥修正装置10のスリット43の構造の関係上、欠陥修正対象領域4及びトリミング領域は、矩形状である。しかし、適宜のマスク形状を採用することにより、欠陥修正対象領域及びトリミング領域の形状として、適宜の形状を設定することができる。あるいは、適切にレーザビームを制御することにより、スリットを用いないで修正膜を成膜することも可能である。
また、上記実施形態においては、トリミング工程が実施される。しかし、欠陥の形状によっては、欠陥そのままを欠陥修正対象領域に設定することができる場合がある。この場合は、トリミング工程は不要である。
また、上記実施形態においては、修正膜成膜工程は、ベース層成膜工程と、透過率調整層成膜工程とを備える。しかし、ベース層だけで所期の修正膜が得られる場合は、透過率調整層成膜工程は不要である。
1…透明基板(ガラス基板)、2…半透過膜(半透過部)、3…欠陥(白欠陥)、4…トリミング領域(欠陥修正対象領域)、5…ベース層、6…透過率調整層、7…修正膜、8…ハーフトーンマスク、10…欠陥修正装置、11…取付ベース、20…レーザ光学系、21…レーザ発振器、22…シャッタ、23…ビームエキスパンダ、24…アッテネータ、25…ビームスキャンユニット、26…ガラス板、27…ミラー、28…光学部材、28a…ガラス板、28b…白濁部、30…レーザ光学系、31…レーザ発振器、32…シャッタ、33…ビームエキスパンダ、34…アッテネータ、40…光学系、41…プリズム、42…プリズム、43…スリット、430…フレーム、431…フレーム、432…開口、44…プリズム、45…プリズム、46…対物レンズ、50…ガス供給系、51…原料ガス供給管、60…位置制御系、61…ステージ、62…位置制御部、7…光学部材支持装置、70…固定ベース、70a…開口、71…第1リニアガイド、72…第1スライドベース、72a…係合部、73…第2リニアガイド、74…第2スライドベース、74a…係合部、75…支持ベース、75a…開口、76…第1マイクロメータ、76a…本体部、76b…スピンドル、77…第1取付部材、78…第2マイクロメータ、78a…本体部、78b…スピンドル、79…第2取付部材、S…欠陥のサイズ、C…光路の中心

Claims (6)

  1. ハーフトーンマスクを載置するステージと、
    レーザビーム出射装置と、
    レーザビームのビーム径よりも大きい形状を有する光学作用部であって、光学作用部内を透過するレーザビームの中心軸におけるピーク強度を低減する光学作用部を有する光学部材と、
    レーザビームのビーム径を拡大するビームエキスパンダと、
    ビームエキスパンダ及び光学部材を通過したレーザビームを空間光変調素子を用いて走査することにより、レーザビームをハーフトーンマスクの欠陥修正対象領域に面状に照射するビームスキャンユニットと、
    欠陥修正対象領域を修正膜の原料となる原料ガス雰囲気とするガス供給系とを備える
    ハーフトーンマスクの欠陥修正装置。
  2. 光学作用部は、レーザビームのうち光学作用部の中心部を通る部分の強度の減少率をレーザビームのうち光学作用部の周辺部を通る部分の強度の減少率よりも高くするフィルタ作用、又は、レーザビームを拡散する拡散作用、の少なくとも一方を有するものである
    請求項1に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正装置。
  3. 光学作用部は、透明部材の表面の一部を白濁処理した白濁部である
    請求項1又は請求項2に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正装置。
  4. ハーフトーンマスクの欠陥修正対象領域は、20μm以下の欠陥のサイズに対して設定される
    請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正装置。
  5. レーザビーム出射装置の筐体の出口開放部を覆うガラス板を備え、
    光学部材は、このガラス板とは別に設けられるガラス板である
    請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正装置。
  6. レーザビームの光路と直交する直交面において光路の中心に対して位置調整可能に光学部材を支持する光学部材支持装置をさらに備える
    請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のハーフトーンマスクの欠陥修正装置。
JP2021173300A 2021-10-22 2021-10-22 ハーフトーンマスクの欠陥修正装置 Active JP7748845B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021173300A JP7748845B2 (ja) 2021-10-22 2021-10-22 ハーフトーンマスクの欠陥修正装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021173300A JP7748845B2 (ja) 2021-10-22 2021-10-22 ハーフトーンマスクの欠陥修正装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023063046A JP2023063046A (ja) 2023-05-09
JP7748845B2 true JP7748845B2 (ja) 2025-10-03

Family

ID=86270537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021173300A Active JP7748845B2 (ja) 2021-10-22 2021-10-22 ハーフトーンマスクの欠陥修正装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7748845B2 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005205469A (ja) 2004-01-23 2005-08-04 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2006221068A (ja) 2005-02-14 2006-08-24 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置及び方法
JP2010210919A (ja) 2009-03-10 2010-09-24 Omron Corp Cvd薄膜の形成方法及び装置
US20110019292A1 (en) 2009-07-24 2011-01-27 Alexander Laskin Achromatic Optical System for Beam Shaping

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6057818A (ja) * 1983-09-09 1985-04-03 Ricoh Co Ltd レ−ザ−光用ビ−ムエクスパンダ
JPH02275936A (ja) * 1989-04-18 1990-11-09 Brother Ind Ltd 露光方法
JPH05165221A (ja) * 1991-12-12 1993-07-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
JPH0669889A (ja) * 1992-08-14 1994-03-11 Kyocera Corp 光空間伝送装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005205469A (ja) 2004-01-23 2005-08-04 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2006221068A (ja) 2005-02-14 2006-08-24 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置及び方法
JP2010210919A (ja) 2009-03-10 2010-09-24 Omron Corp Cvd薄膜の形成方法及び装置
US20110019292A1 (en) 2009-07-24 2011-01-27 Alexander Laskin Achromatic Optical System for Beam Shaping

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023063046A (ja) 2023-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI418759B (zh) 位置偵測設備、曝光設備及裝置製造方法
JP2022019719A (ja) 検査装置の照明源、検査装置および検査方法
US8467032B2 (en) Exposure apparatus and electronic device manufacturing method
US20030002020A1 (en) Projection exposure apparatus
KR102072271B1 (ko) 패턴 수정 방법, 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크 및 수정막 형성 장치
JP6222594B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置
US11657492B2 (en) Reticle backside inspection method
JP4338697B2 (ja) リソグラフィ装置のための均一性補正
TWI464540B (zh) 微影裝置及器件製造方法
US7839484B2 (en) Exposure apparatus and exposure method, and method of manufacturing electrical wiring board
TW201421167A (zh) 微影投射曝光裝置及改變此類裝置之反射透鏡中光波前的方法
TWI768243B (zh) 確定用於微影光罩基材之複數個像素的位置之方法和裝置
JP2006128697A (ja) 光学部品、このような光学部品を備えた光学システム、リソグラフィ装置、光学システムのアポディゼーションを修正する方法、デバイス製造方法及びそれによって製造されたデバイス
JP7520109B2 (ja) パターニングデバイスを特徴付けるための測定システム及び方法
JP2023063046A (ja) ハーフトーンマスクの欠陥修正装置
US12282144B2 (en) High-performance EUV microscope device with free-form illumination system structure
JP7388988B2 (ja) ハーフトーンマスクの欠陥修正方法、ハーフトーンマスクの製造方法及びハーフトーンマスク
JP5388019B2 (ja) 露光照明装置及び露光パターンの位置ずれ調整方法
KR102830685B1 (ko) 타원 미러가 적용된 프리폼 조명계 구조의 고성능 euv 현미경 장치
US20060104413A1 (en) Mask repeater and mask manufacturing method
JP2000133570A (ja) 露光装置及び露光方法
JP2006128690A (ja) リソグラフィ機器、デバイスの製作方法、及びそれによって製作されたデバイス
WO2025237622A1 (en) Uniformity correction module and corresponding method of varying local angular distribution of radiation using a uniformity correction module
JP2007093714A (ja) カラーフィルタの製造方法
JPH01106062A (ja) フォトマスク白点欠陥修正装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240909

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20250501

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20250507

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20250625

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20250702

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20250901

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20250912

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20250922

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7748845

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150