JP7767155B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。下電極の周縁を覆うリブが配置されることがあり、この場合においては有機層および上電極の一部がリブの上に形成される。

一般に、有機層および上電極は蒸着によって薄く形成される。そのため、有機層または上電極を形成する面が急峻な段差を有すると、この段差に起因して有機層または上電極が途切れ、表示不良を招く可能性がある。

特開２０００－１９５６７７号公報 特開２００４－２０７２１７号公報 特開２００８－１３５３２５号公報 特開２００９－３２６７３号公報 特開２０１０－１１８１９１号公報 国際公開第２０１８／１７９３０８号

本発明の目的は、表示品位の向上が可能な表示装置を提供することにある。

一実施形態に係る表示装置は、基板と、前記基板の上方に配置された絶縁層と、前記絶縁層の上方に配置された下電極と、無機材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するとともに、前記下電極の周縁を覆うリブと、前記リブの上方に配置された隔壁と、前記下電極に対向し、前記隔壁に接触する上電極と、前記下電極と前記上電極の間に位置し、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を備えている。前記有機層は、前記開口を通じて前記下電極に接触する第１有機層と、前記隔壁の上に位置し前記第１有機層と離間した第２有機層と、を含む。前記下電極の前記周縁の少なくとも一部は、前記絶縁層の厚さ方向において前記絶縁層と前記隔壁の間に位置している。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。 図２は、第１実施形態に係る副画素のレイアウトの一例を示す図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図４は、図２の一部を拡大した概略的な平面図である。 図５は、図４中のV－V線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図６は、図４中のVI－VI線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図７は、第２実施形態に係る副画素の概略的な平面図である。 図８は、第３実施形態に係る副画素の概略的な平面図である。

いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

［第１実施形態］
図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１（第１副画素）、緑色の副画素ＳＰ２（第２副画素）および青色の副画素ＳＰ３（第３副画素）を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０に接続されている。

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ２がそれぞれ副画素ＳＰ３と第１方向Ｘに並んでいる。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、開口ＡＰ２が開口ＡＰ１よりも大きく、開口ＡＰ３が開口ＡＰ２よりも大きい。

隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間、および、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。図２の例においては、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１の外形が一致し、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２の外形が一致し、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３の外形が一致している。

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２は、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。コンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。

図２の例においては、下電極ＬＥ１，ＬＥ２がそれぞれ凸部ＰＲ１１，ＰＲ２１（第１凸部）を有している。凸部ＰＲ１１は、下電極ＬＥ１の本体（開口ＡＰ１と重なる部分）からコンタクトホールＣＨ１に向けて突出している。凸部ＰＲ２１は、下電極ＬＥ２の本体（開口ＡＰ２と重なる部分）からコンタクトホールＣＨ２に向けて突出している。コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２は、凸部ＰＲ１１，ＰＲ２１とそれぞれ重なっている。

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は絶縁層１２に設けられている。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部６１と、下部６１の上面を覆う上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。

図２に示した有機層ＯＲ１は、互いに離間した第１有機層ＯＲ１ａおよび第２有機層ＯＲ１ｂを含む。また、図２に示した上電極ＵＥ１は、互いに離間した第１上電極ＵＥ１ａおよび第２上電極ＵＥ１ｂを含む。図３に示すように、第１有機層ＯＲ１ａは、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ１ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ１ａは、下電極ＬＥ１と対向するとともに、第１有機層ＯＲ１ａを覆っている。さらに、第１上電極ＵＥ１ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ１ｂを覆っている。

図２に示した有機層ＯＲ２は、互いに離間した第１有機層ＯＲ２ａおよび第２有機層ＯＲ２ｂを含む。また、図２に示した上電極ＵＥ２は、互いに離間した第１上電極ＵＥ２ａおよび第２上電極ＵＥ２ｂを含む。図３に示すように、第１有機層ＯＲ２ａは、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ２ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ２ａは、下電極ＬＥ２と対向するとともに、第１有機層ＯＲ２ａを覆っている。さらに、第１上電極ＵＥ２ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ２ｂを覆っている。

図２に示した有機層ＯＲ３は、互いに離間した第１有機層ＯＲ３ａおよび第２有機層ＯＲ３ｂを含む。また、図２に示した上電極ＵＥ３は、互いに離間した第１上電極ＵＥ３ａおよび第２上電極ＵＥ３ｂを含む。図３に示すように、第１有機層ＯＲ３ａは、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ３ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ３ａは、下電極ＬＥ３と対向するとともに、第１有機層ＯＲ３ａを覆っている。さらに、第１上電極ＵＥ３ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ３ｂを覆っている。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層７１，７２，７３がそれぞれ配置されている。封止層７１は、第１上電極ＵＥ１ａ、下部６１の側面および第２上電極ＵＥ１ｂを連続的に覆っている。封止層７２は、第１上電極ＵＥ２ａ、下部６１の側面および第２上電極ＵＥ２ｂを連続的に覆っている。封止層７３は、第１上電極ＵＥ３ａ、下部６１の側面および第２上電極ＵＥ３ｂを連続的に覆っている。

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の第２有機層ＯＲ１ｂ、第２上電極ＵＥ１ｂおよび封止層７１と、当該隔壁６上の第２有機層ＯＲ３ｂ、第２上電極ＵＥ３ｂおよび封止層７３とが離間している。また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上の第２有機層ＯＲ２ｂ、第２上電極ＵＥ２ｂおよび封止層７２と、当該隔壁６上の第２有機層ＯＲ３ｂ、第２上電極ＵＥ３ｂおよび封止層７３とが離間している。

封止層７１，７２，７３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。さらに、封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。

絶縁層１２および樹脂層１３，１５は、有機材料で形成されている。リブ５および封止層１４，７１，７２，７３は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機材料で形成されている。

隔壁６の下部６１は、導電性を有している。隔壁６の上部６２も導電性を有してもよい。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料の積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位が上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がカソードに相当する。また、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の電位が下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３がアノードに相当し、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３がカソードに相当する。

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、一対の機能層と、これら機能層の間に配置された発光層とを含む。一例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層を順に積層した構造を有している。

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層をさらに含んでもよい。このようなキャップ層は、上電極ＵＥ１と封止層７１の間、上電極ＵＥ２と封止層７２の間、上電極ＵＥ３と封止層７３の間にそれぞれ設けられてもよい。

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した第１上電極ＵＥ１ａ，ＵＥ２ａ，ＵＥ３ａにそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ１ａの発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ２ａの発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ３ａの発光層が青色の波長域の光を放つ。

他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

無機材料で形成されたリブ５の厚さは、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３および有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の厚さは、いずれもリブ５の厚さよりも小さい。また、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の厚さは、いずれもリブ５の厚さおよび下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の厚さよりも小さい。

リブ５の厚さは、例えば２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の厚さは、例えばリブ５の厚さの１／２以下である。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の厚さは、例えば下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の厚さの１／２以下、あるいは１／４以下である。

図４は、図２における副画素ＳＰ１の近傍を拡大した概略的な平面図である。上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１の外形を示す鎖線で囲われた領域のうち、隔壁６と重なる部分が上述の第２上電極ＵＥ１ｂおよび第２有機層ＯＲ１ｂに相当する。さらに、当該鎖線で囲われた領域のうち、第２上電極ＵＥ１ｂおよび第２有機層ＯＲ１ｂの内側に位置する部分が上述の第１上電極ＵＥ１ａおよび第１有機層ＯＲ１ａに相当する。

第２上電極ＵＥ１ｂおよび第２有機層ＯＲ１ｂは、第１上電極ＵＥ１ａ、第１有機層ＯＲ１ａおよび開口ＡＰ１を囲っている。同様に、図３に示した第２上電極ＵＥ２ｂおよび第２有機層ＯＲ２ｂは、第１上電極ＵＥ２ａ、第１有機層ＯＲ２ａおよび開口ＡＰ２を囲っている。また、図３に示した第２上電極ＵＥ３ｂおよび第２有機層ＯＲ３ｂは、第１上電極ＵＥ３ａ、第１有機層ＯＲ３ａおよび開口ＡＰ３を囲っている。

本実施形態においては、コンタクトホールＣＨ１の全体が第１隔壁６ｘと重なっている。コンタクトホールＣＨ１は、第２方向Ｙにおいて有機層ＯＲ１，ＯＲ２の間（あるいは上電極ＵＥ１，ＵＥ２の間）に位置している。

コンタクトホールＣＨ１と重なる第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙにおいて幅Ｗｘ１を有している。コンタクトホールＣＨ１と重ならない第１隔壁６ｘ（図中上方の第１隔壁６ｘ）は、幅Ｗｘ２を有している。各第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘにおいて幅Ｗｙを有している。図４の例においては、幅Ｗｘ１が幅Ｗｘ２および幅Ｗｙよりも大きい（Ｗｘ１＞Ｗｘ２，Ｗｙ）。一例として、幅Ｗｙは幅Ｗｘ２と同じである。

下電極ＬＥ１の周縁（外形）は、第１辺Ｓ１１、第２辺Ｓ１２、第３辺Ｓ１３および第４辺Ｓ１４を有している。第１辺Ｓ１１は、第１方向Ｘに延びている。第２辺Ｓ１２は、第２方向Ｙにおいて第１辺Ｓ１１の反対側に位置し、第１方向Ｘに延びている。第３辺Ｓ１３は、第２方向Ｙに延びている。第４辺Ｓ１４は、第１方向Ｘにおいて第３辺Ｓ１３の反対側に位置し、第２方向Ｙに延びている。

第１辺Ｓ１１は、第２方向ＹにおいてコンタクトホールＣＨ１と開口ＡＰ１の間に位置し、図中下方の第１隔壁６ｘと重なっている。凸部ＰＲ１１は、第１辺Ｓ１１から下電極ＬＥ２に向けて突出し、コンタクトホールＣＨ１と重なっている。

図４の例において、第２辺Ｓ１２は、第２方向Ｙにおいて開口ＡＰ１と図中上方の第１隔壁６ｘの間に位置している。すなわち、第２辺Ｓ１２は隔壁６と重なっていない。第３辺Ｓ１３は、第１方向Ｘにおいて開口ＡＰ１と図中左側の第２隔壁６ｙの間に位置している。第４辺Ｓ１４は、第１方向Ｘにおいて開口ＡＰ１と図中右側の第２隔壁６ｙの間に位置している。第３辺Ｓ１３および第４辺Ｓ１４の一部は第１隔壁６ｘと重なるが、残りの部分は隔壁６と重なっていない。

コンタクトホールＣＨ１が重なる第１隔壁６ｘは、コンタクトホールＣＨ２の全体とも重なっている。コンタクトホールＣＨ２は、第２方向Ｙにおいて有機層ＯＲ１，ＯＲ２の間（あるいは上電極ＵＥ１，ＵＥ２の間）に位置している。コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２は、第１方向Ｘに並んでいる。下電極ＬＥ２は、この第１隔壁６ｘと重なる第１辺Ｓ２１を有している。下電極ＬＥ２の他の辺は、下電極ＬＥ１の各辺Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４と同じく、大部分が隔壁６と重なっていない。凸部ＰＲ２１は、第１辺Ｓ２１から下電極ＬＥ１に向けて突出し、コンタクトホールＣＨ２と重なっている。図４には表れていないが、下電極ＬＥ３についても同様に、コンタクトホールＣＨ３に近接する一辺が第１隔壁６ｘと重なり、他の辺の大部分が隔壁６と重なっていない。

図５は、図４中のV－V線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。この図においては、図３に示した基板１０、樹脂層１３，１５および封止層１４を省略している。

コンタクトホールＣＨ１は、絶縁層１２を貫通している。下電極ＬＥ１の凸部ＰＲ１１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて回路層１１に含まれる導電層ＣＬに接触している。導電層ＣＬは、例えば図１に示した駆動トランジスタ３のソース電極またはドレイン電極に相当する。

第１隔壁６ｘ（隔壁６）の下部６１は、側面６１ａ，６１ｂを有している。第１上電極ＵＥ１ａは、側面６１ａの一部と接触している。側面６１ａの他の部分は、封止層７１で覆われている。同様に、第１上電極ＵＥ２ａは、側面６１ｂの一部と接触している。側面６１ｂの他の部分は、封止層７２で覆われている。

第１隔壁６ｘの上部６２は、側面６１ａから突出した端部６２ａと、側面６１ｂから突出した端部６２ｂとを有している。図５の例においては、封止層７１が端部６２ａの下面を覆い、封止層７２が端部６２ｂの下面を覆っている。

第１隔壁６ｘの上に位置する第２有機層ＯＲ１ｂ，ＯＲ２ｂは、第２方向Ｙに離間している。同様に、第１隔壁６ｘの上に位置する第２上電極ＵＥ１ｂ，ＵＥ２ｂは、第２方向Ｙに離間している。さらに、封止層７１の端部７１ａおよび封止層７２の端部７２ａは、それぞれ第１隔壁６ｘの上に位置し、第２方向Ｙに離間している。

本実施形態においてはリブ５が絶縁層１２よりも十分に薄いために、コンタクトホールＣＨ１の上方においてリブ５が窪み、凹部ＲＳ１が形成されている。さらに、リブ５の上に配置された第１隔壁６ｘもコンタクトホールＣＨ１の上方において窪み、凹部ＲＳ２が形成されている。

側面６１ａ，６１ｂは、凹部ＲＳ１の外側に位置している。すなわち、下部６１は、凹部ＲＳ１の内面を全体的に覆うとともに、凹部ＲＳ１の周囲におけるリブ５の平坦な上面も覆っている。

側面６１ａは、第２方向ＹにおいてコンタクトホールＣＨ１と開口ＡＰ１の間に位置している。側面６１ｂは、第２方向ＹにおいてコンタクトホールＣＨ２と開口ＡＰ２（図４参照）の間に位置している。

ここで、側面６１ａとコンタクトホールＣＨ１（絶縁層１２の下面の開口）の間の距離をＤ１、側面６１ｂとコンタクトホールＣＨ１（上記開口）の間の距離をＤ２、コンタクトホールＣＨ１（上記開口）の第２方向Ｙにおける幅をＷｃと定義する。

有機層ＯＲ１および上電極ＵＥ１を良好な形状に形成する観点から、距離Ｄ１は例えば２．０μｍ以上であり、好ましくは４．５μｍ以上である。幅Ｗｃは、例えば３μｍ以上かつ５μｍ以下である。図５の例においては、幅Ｗｃが距離Ｄ１よりも大きく、かつ距離Ｄ２が幅Ｗｃよりも大きい（Ｄ１＜Ｗｃ＜Ｄ２）。これに限られず、例えば距離Ｄ１が幅Ｗｃより大きくてもよい。

コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３の近傍の断面構造は、図５に示したコンタクトホールＣＨ１の近傍の断面構造と同様である。すなわち、コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３とこれらに重なる第１隔壁６ｘの側面６１ａ，６１ｂとの間の距離は、例えば２．０μｍ以上であり、好ましくは４．５μｍ以上である。

図６は、図４中のVI－VI線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。この図においては、図５と同様に基板１０、樹脂層１３，１５および封止層１４を省略している。

本実施形態においてはリブ５が薄いために、リブ５の上面には下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３に起因した段差が形成される。例えば図６の例においては、下電極ＬＥ１の第１辺Ｓ１１の近傍においてリブ５に段差５ａが形成されている。また、下電極ＬＥ２の第１辺Ｓ２１の近傍においてリブ５に段差５ｂが形成されている。同様の段差５ａ，５ｂは、図５の断面においても形成されている。

本実施形態においては、図４に示すように、第１辺Ｓ１１および凸部ＰＲ１１が全体的に第１隔壁６ｘと重なっている。すなわち、図５および図６に示すように、第１辺Ｓ１１および凸部ＰＲ１１は、第３方向Ｚ（リブ５や絶縁層１２の厚さ方向）において絶縁層１２と第１隔壁６ｘ（下部６１）の間に位置している。これにより、第１辺Ｓ１１および凸部ＰＲ１１によって生じる段差５ａは、第１隔壁６ｘにより覆われる。

同様に、下電極ＬＥ２の第１辺Ｓ２１および凸部ＰＲ２１は、第３方向Ｚにおいて絶縁層１２と第１隔壁６ｘ（下部６１）の間に位置している。これにより、第１辺Ｓ２１および凸部ＰＲ２１によって生じる段差５ｂは、第１隔壁６ｘにより覆われる。

図２に示したように、副画素ＳＰ３においても下電極ＬＥ３の周縁のうちコンタクトホールＣＨ３に近接する辺が第１隔壁６ｘと重なっている。これにより、当該辺によって生じるリブ５の段差は、第１隔壁６ｘにより覆われる。

有機層ＯＲ１の形成に際しては、先ずその基となる材料が表示領域ＤＡの全体に蒸着される。このとき、当該材料が隔壁６によって第１有機層ＯＲ１ａと第２有機層ＯＲ１ｂに分断される。続いて、上電極ＵＥ１の基となる材料が表示領域ＤＡの全体に蒸着される。このとき、当該材料が隔壁６によって第１上電極ＵＥ１ａと第２上電極ＵＥ１ｂに分断される。

このように蒸着によって形成される有機層ＯＲ１および上電極ＵＥ１は薄いために、リブ５の段差５ａによって分断される可能性がある。例えば図４に示した第２辺Ｓ１２、第３辺Ｓ１３および第４辺Ｓ１４の近傍においては、これらの辺により生じる段差５ａによって第１有機層ＯＲ１ａおよび第１上電極ＵＥ１ａが途切れ得る。

第１有機層ＯＲ１ａおよび第１上電極ＵＥ１ａの途切れは、表示不良の一因となる。特に、第１上電極ＵＥ１ａの途切れが広範囲で生じた場合には、隔壁６から第１上電極ＵＥ１ａに十分な電圧を供給できない可能性がある。仮に第１上電極ＵＥ１ａが完全に隔壁６と分離された場合には、副画素ＳＰ１が点灯できなくなる。

この点に関し、本実施形態においては、第１辺Ｓ１１により生じる段差５ａが第１隔壁６ｘによって覆われている。これにより、少なくとも第１辺Ｓ１１の近傍においては第１上電極ＵＥ１ａの途切れが抑制される。結果として、隔壁６から第１上電極ＵＥ１ａに対して良好に電圧を供給することが可能となり、表示装置ＤＳＰの表示品位を高めることができる。

なお、ここでは下電極ＬＥ１により生じる段差５ａと有機層ＯＲ１および上電極ＵＥ１に着目して本実施形態の効果を説明したが、本実施形態の構成であれば有機層ＯＲ２，ＯＲ３および上電極ＵＥ２，ＵＥ３についても同様の効果を得ることができる。また、第１辺Ｓ１１により生じる段差５ａが第１隔壁６ｘによって覆われている構造は、同様に第２辺Ｓ１２、第３辺Ｓ１３および第４辺Ｓ１４の近傍に適用しても良い。すなわち、当該画素の第１辺、第２辺、第３辺および第４辺の下電極ＬＥにより生じる段差５の少なくとも１辺が隔壁６によって覆われていれば、その辺近傍の上電極ＵＥの途切れが抑制され、隔壁６から上電極ＵＥに対して良好に電圧を供給することが可能となる。

以下に、表示装置ＤＳＰの第２および第３実施形態を開示する。これらの実施形態においては主に第１実施形態との相違点に着目し、第１実施形態と同一の構成については説明を省略する。

［第２実施形態］
図７は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰが備える副画素ＳＰ１とその周囲の構造の概略的な平面図である。この図の例においては、下電極ＬＥ１の第１辺Ｓ１１および下電極ＬＥ２の第１辺Ｓ２１が隔壁６と重なっていない。一方で、凸部ＰＲ１１，ＰＲ２１は第１隔壁６ｘと重なり、かつ図４の例に比べて大きいサイズを有している。

凸部ＰＲ１１，ＰＲ２１の周縁を除き、凸部ＰＲ１１，ＰＲ２１の上には下電極ＬＥ１，ＬＥ２に起因したリブ５の段差が生じない。そのため、凸部ＰＲ１１，ＰＲ２１を大きくすることで、第１上電極ＵＥ１ａ，ＵＥ２ａと第１隔壁６ｘが良好に導通する領域を広く確保でき、第１実施形態と同様の効果を奏する。

ここで、図７に示すように、下電極ＬＥ１の第１方向Ｘにおける幅をＷ１１、凸部ＰＲ１１の第１方向Ｘにおける幅をＷ１２と定義する。また、下電極ＬＥ２の第１方向Ｘにおける幅をＷ２１、凸部ＰＲ２１の第１方向Ｘにおける幅をＷ２２と定義する。

幅Ｗ１２は、幅Ｗ１１の１／３以上であることが好ましい。同様に、幅Ｗ２２は、幅Ｗ２１の１／３以上であることが好ましい。一例では、幅Ｗ１１，Ｗ２１が同じであり、幅Ｗ１２，Ｗ２２が同じである。

なお、下電極ＬＥ１，ＬＥ２の導通を抑制するために、凸部ＰＲ１１，ＰＲ２１の間には間隔を設ける必要がある。そのため、例えば幅Ｗ１２は幅Ｗ１１の１／２未満であり、幅Ｗ２２は幅Ｗ２１の１／２未満である。

［第３実施形態］
図８は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰが備える副画素ＳＰ１とその周囲の構造の概略的な平面図である。この図の例においては、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２と重なる第１隔壁６ｘがそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２に向けて突出した凸部ＰＲ１２，ＰＲ２２（第２凸部）を有している。

下電極ＬＥ１の第１辺Ｓ１１の一部は凸部ＰＲ１２と重なり、残りの一部は第１隔壁６ｘと重なっていない。また、下電極ＬＥ２の第１辺Ｓ２１の一部は凸部ＰＲ２２と重なり、残りの一部は第１隔壁６ｘと重なっていない。すなわち、図８の例においては、第１辺Ｓ１１の一部が第３方向Ｚにおいて絶縁層１２と凸部ＰＲ１２の間に位置し、第１辺Ｓ２１の一部が第３方向Ｚにおいて絶縁層１２と凸部ＰＲ２２の間に位置している。他の例として、第１辺Ｓ１１の全体が絶縁層１２と凸部ＰＲ１２の間に位置してもよい。また、第１辺Ｓ２１の全体が絶縁層１２と凸部ＰＲ２２の間に位置してもよい。

このように、凸部ＰＲ１２，ＰＲ２２によって下電極ＬＥ１，ＬＥ２の周縁の一部を覆うことによっても、第１上電極ＵＥ１ａ，ＵＥ２ａと第１隔壁６ｘが良好に導通する領域を確保でき、第１実施形態と同様の効果を奏する。

ここで、図８に示すように、下電極ＬＥ１の第１方向Ｘにおける幅をＷ１１、下電極ＬＥ１のうち凸部ＰＲ１２と重なる部分（絶縁層１２と凸部ＰＲ１２の間に位置する部分）の幅をＷ１３と定義する。また、下電極ＬＥ２の第１方向Ｘにおける幅をＷ２１、下電極ＬＥ２のうち凸部ＰＲ２２と重なる部分（絶縁層１２と凸部ＰＲ２２の間に位置する部分）の幅をＷ２３と定義する。

幅Ｗ１３は、幅Ｗ１１の１／３以上であることが好ましい。同様に、幅Ｗ２３は、幅Ｗ２１の１／３以上であることが好ましい。一例では、幅Ｗ１１，Ｗ２１が同じであり、幅Ｗ１３，Ｗ２３が同じである。

なお、第１乃至第３実施形態においては、下電極ＬＥ１の周縁のうち、主に第１辺Ｓ１１または凸部ＰＲ１１が絶縁層１２と隔壁６の間に位置する構成を例示した。しかしながら、下電極ＬＥ１の周縁の他の部分が絶縁層１２と隔壁６の間に位置する場合であっても、これら実施形態と同様の効果を得ることができる。下電極ＬＥ２，ＬＥ３についても同様に、絶縁層１２と隔壁６の間に配置する部分は適宜に選択し得る。また、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の周縁の全体が絶縁層１２と隔壁６の間に位置してもよい。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３…コンタクトホール、ＰＲ１１，ＰＲ２１…下電極の凸部、ＰＲ１２，ＰＲ２２…隔壁の凸部、１…画素回路、５…リブ、６…隔壁、１０…基板、６１…下部、６２…上部、７１，７２，７３…封止層。

Claims (20)

1. 基板と、
   前記基板の上方に配置された絶縁層と、
   前記絶縁層の上方に配置された下電極と、
   無機材料で形成され、前記下電極と重なる開口を有するとともに、前記下電極の周縁を覆うリブと、
   前記リブの上方に配置された隔壁と、
   前記下電極に対向し、前記隔壁に接触する上電極と、
   前記下電極と前記上電極の間に位置し、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層と、を備え、
   前記有機層は、前記開口を通じて前記下電極に接触する第１有機層と、前記隔壁の上に位置し前記第１有機層と離間した第２有機層と、を含み、
   前記下電極の前記周縁の少なくとも一部は、前記絶縁層の厚さ方向において前記絶縁層と前記隔壁の間に位置している、
   表示装置。
2. 前記基板と前記絶縁層の間に配置された画素回路をさらに備え、
   前記絶縁層は、平面視において前記隔壁と重なるコンタクトホールを有し、
   前記下電極は、前記コンタクトホールを通じて前記画素回路に接続されている、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記下電極の前記周縁は、第１方向に延びる第１辺を有し、
   前記第１辺は、前記第１方向と交差する第２方向において前記開口と前記コンタクトホールの間に位置している、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１辺の少なくとも一部は、前記厚さ方向において前記絶縁層と前記隔壁の間に位置している、
   請求項３に記載の表示装置。
5. 前記下電極は、平面視において前記コンタクトホールに向けて突出する第１凸部を有し、
   前記第１凸部の少なくとも一部は、前記厚さ方向において前記絶縁層と前記隔壁の間に位置している、
   請求項３に記載の表示装置。
6. 前記第１凸部の前記第１方向における幅は、前記下電極の前記第１方向における幅の１／３以上である、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記隔壁は、平面視において前記開口に向けて突出する第２凸部を有し、
   前記第１辺の少なくとも一部は、前記厚さ方向において前記絶縁層と前記第２凸部の間に位置している、
   請求項３に記載の表示装置。
8. 前記下電極のうち前記絶縁層と前記第２凸部の間に位置する部分の前記第１方向における幅は、前記下電極の前記第１方向における幅の１／３以上である、
   請求項７に記載の表示装置。
9. 前記下電極は、前記第２方向において前記第１辺の反対側に位置する第２辺を有し、
   前記第２辺は、前記第２方向において前記開口と前記隔壁の間に位置している、
   請求項３乃至８のうちいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記隔壁は、前記リブの上に配置された下部と、前記下部の上に配置され、前記下部の側面から突出した端部を有する上部と、を含み、
    前記第２有機層は、前記上部の上に配置されている、
    請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記下電極の前記周縁の少なくとも一部は、前記厚さ方向において前記絶縁層と前記下部の間に位置している、
    請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記上電極は、前記第１有機層を覆う第１上電極と、前記第２有機層を覆い、前記第１上電極と離間した第２上電極と、を含み、
    前記第１上電極は、前記側面に接触している、
    請求項１０または１１に記載の表示装置。
13. 前記下部は、導電性を有している、
    請求項１２に記載の表示装置。
14. 無機材料で形成され、前記第１上電極、前記側面および前記第２上電極を覆う封止層をさらに備えている、
    請求項１２または１３に記載の表示装置。
15. 前記隔壁は、平面視において前記開口を囲っている、
    請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
16. 前記第２有機層は、平面視において前記開口を囲っている、
    請求項１乃至１５のうちいずれか１項に記載の表示装置。
17. 前記リブの厚さは、前記隔壁の厚さよりも小さい、
    請求項１乃至１６のうちいずれか１項に記載の表示装置。
18. 前記下電極、前記上電極、前記有機層および前記開口をそれぞれ含む第１副画素、第２副画素および第３副画素を備え、
    前記第１副画素と前記第３副画素は、第１方向に並び、
    前記第１副画素と前記第２副画素は、前記第１方向と交差する第２方向に並び、
    前記隔壁は、前記第１副画素の前記開口と前記第２副画素の前記開口との間に配置された第１隔壁と、前記第１副画素の前記開口と前記第３副画素の前記開口との間に配置された第２隔壁と、を有している、
    請求項１に記載の表示装置。
19. 前記第１隔壁の前記第２方向における幅は、前記第２隔壁の前記第１方向における幅よりも大きい、
    請求項１８に記載の表示装置。
20. 前記第１副画素の前記下電極の周縁の少なくとも一部、および、前記第２副画素の前記下電極の周縁の少なくとも一部は、前記厚さ方向において前記絶縁層と前記第１隔壁の間に位置している、
    請求項１８または１９に記載の表示装置。