JP7769239B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本開示は、発光装置に関する。

発光装置の直上方向への光を低減することで、発光装置の直上が明るくなりすぎることを低減した構造が知られている。（例えば特許文献１）。

特開２００７－１７３８４９号公報

本開示に係る実施形態は、輝度むらを低減した発光装置を提供することを目的とする。

本開示の実施形態は、以下の構成を含む。
上面と前記上面の反対側の下面と前記上面及び前記下面の間の側面とを備える半導体積層体と、前記下面に配置された一対の電極と、を備える発光素子と、
前記半導体積層体の前記上面を覆う透光性部材と、
前記半導体積層体の下面及び前記透光性部材の下面を連続して被覆し、前記一対の電極の一部を露出させる被覆部材と、
を備え、
前記被覆部材は、前記半導体積層体及び前記透光性部材と接する光反射性の第１被覆部材と、平面視において前記半導体積層体と重なる位置に前記第１被覆部材を介して配置される光吸収性の第２被覆部材と、を備える、発光装置。

本開示に係る実施形態によれば、輝度むらを低減した発光装置を提供することができる。

本開示に係る実施形態の発光装置の模式斜視図である。 本開示に係る実施形態の発光装置の模式下面図である。 図１Ｂに示すＩＣ－ＩＣ線における模式断面図である。 本開示に係る実施形態の発光装置の変形例の模式断面図である。 本開示に係る実施形態の発光装置の製造方法の模式断面図である。 本開示に係る実施形態の発光装置の製造方法の模式断面図である。 本開示に係る実施形態の発光装置の変形例の模式断面図である。 本開示に係る実施形態の発光装置の変形例の模式断面図である。 本開示に係る実施形態の発光装置の製造方法の模式断面図である。 本開示に係る実施形態の発光装置の製造方法の模式断面図である。 本開示に係る実施形態の発光装置の変形例の模式下面図である。 図６Ａに示すＶＩＢ－ＶＩＢ線における模式断面図である。 本開示に係る実施形態の発光装置の模式上面図である。 図７Ａに示すＶＩＩＢ―ＶＩＩＢ線における模式断面図である。 本開示に係る実施形態の発光装置の模式下面図である。

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及び、それらの用語を含む別の用語）を用いる。それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。また、平面視とは上面又は下面から視ることとする。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。また、被覆部材等の樹脂部材については、成形、固化、硬化、個片化の前後を問わず、同じ名称を用いて説明する。すなわち、成形前は液状であり、成形後に固体となり、更に、成形後の固体を分割して形状を変化させた小片の固体とする場合など、工程の段階によって状態が変化する部材について、同じ名称で説明する。

実施形態に係る発光装置は、上面と上面の反対側の下面と上面及び下面の間の側面とを備える半導体積層体と、下面に配置された一対の電極と、を備える発光素子と、半導体積層体の上面を覆う透光性部材と、半導体積層体の下面及び透光性部材の下面を連続して被覆し、一対の電極の一部を露出させる被覆部材と、を備え、被覆部材は、半導体積層体及び透光性部材と接する光反射性の第１被覆部材と、平面視において半導体積層体と重なる位置に第１被覆部材を介して配置される光吸収性の第２被覆部材と、を備える。

（実施形態１）
＜発光装置＞
図１Ａ～図１Ｃは、実施形態１に係る発光装置１００を示す概略図である。発光装置１００は、発光素子１１０と、透光性部材１２０と、被覆部材１３０と、を有する。発光素子１１０は、半導体積層体１１１と、正負一対の電極１１２と、を有する。半導体積層体１１１は、上面１１１Ｕと、上面１１１Ｕの反対側の下面１１１Ｄと、上面１１１Ｕと下面１１１Ｄの間の側面１１１Ｓと、を有する。一対の電極１１２は、半導体積層体１１１の下面１１１Ｄに配置される。透光性部材１２０は、半導体積層体１１１の上面１１１Ｕ及び側面１１１Ｓを覆う。被覆部材１３０は、半導体積層体１１１の下面１１１Ｄ及び透光性部材１２０の下面を連続して覆う。一対の電極１１２の下面は、それぞれ被覆部材１３０から露出する。そして、被覆部材１３０は、半導体積層体１１１及び透光性部材１２０と接する光反射性の第１被覆部材１３１と、平面視において半導体積層体１１１と重なる位置に、第１被覆部材１３１を介して配置される光吸収性の第２被覆部材１３２と、を備える。

被覆部材１３０は、光吸収性の第２被覆部材１３２を有することで、発光素子１１０から出射される光をその第２被覆部材１３２で吸収することができる。これにより発光素子１１０の直上が明るくなりすぎることを低減し、輝度むらを低減することができる。
以下、各部材について詳説する。

（発光素子）
発光装置１００は少なくとも１つの発光素子１１０を備える。発光素子１１０としては、例えば発光ダイオード等の半導体発光素子を用いることができる。発光素子１１０は、半導体積層体１１１と正負一対の電極１１２とを備える。半導体積層体１１１は、例えば、サファイア等の素子基板と、その上に形成された半導体層と、を備える。あるいは、素子基板を備えず半導体層のみからなる半導体積層体１１１とすることができる。発光素子１１０平面視形状は、三角形、四角形、六角形等の多角形とすることができる。発光素子１１０の大きさは、例えば、平面視において１辺が１００μｍ以上３０００μｍ以下とすることができる。具体的には、一辺が６００μｍ程度、１４００μｍ程度、１７００μｍ程度等の正方形とすることができる。また、発光素子１１０は、平面視で長辺と短辺を有する長方形であってもよい。例えば、１１００μｍ×２００μｍの大きさとすることができる。

半導体積層体１１１は、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層と、これらに挟まれた発光層とを含む。このような発光層を含む半導体積層体は、例えばＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を含むことができる。

半導体積層体１１１は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に１つ以上の発光層を含む構造を有していてもよいし、ｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とを順に含む構造が複数回繰り返された構造を有していてもよい。半導体積層体１１１が複数の発光層を含む場合、発光ピーク波長が異なる発光層を含んでいてもよいし、発光ピーク波長が同じ発光層を含んでいてもよい。なお、発光ピーク波長が同じとは、数ｎｍ程度のばらつきがある場合も含む。複数の発光層の間の発光ピーク波長の組み合わせは、適宜選択することができる。例えば半導体積層体が２つの発光層を含む場合、青色光と青色光、緑色光と緑色光、赤色光と赤色光、紫外光と紫外光、青色光と緑色光、青色光と赤色光、又は、緑色光と赤色光などの組み合わせで発光層を選択することができる。

発光素子１１０は、半導体積層体１１１の下面１１１Ｄに正負一対の電極１１２を備える。電極１１２としては、電気良導体を用いることができ、例えば、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。電極１１２は、半導体積層体１１１の下面１１１Ｄと接するオーミック電極と、オーミック電極に接続され外部と接続されるパット電極と、を含むことができる。電極の厚さは、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下とすることができる。

（透光性部材）
透光性部材１２０は、発光素子１１０の半導体積層体１１１の上面１１１Ｕ及び側面１１１Ｓを覆うように配置される透光性の部材である。発光素子１１０からの光は透光性部材１２０を介して外部に出射される。図１Ａ等に示す発光装置１００では、透光性部材１２０の上面及び側面から外部に光が出射される。透光性部材１２０は、透光性樹脂、ガラス等を使用することができる。特に、透光性樹脂が好ましく、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。透光性部材１２０は、これらの透光性の部材のみでもよく、あるいは、これらの透光性の部材を母材とし、発光素子からの光に励起されて異なる波長の光に変換する蛍光体や、光散乱剤等を含有させたものでもよい。

蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体、ＣＣＡ系蛍光体、ＳＡＥ系蛍光体、クロロシリケート系蛍光体、シリケート系蛍光体、βサイアロン系蛍光体若しくはαサイアロン系蛍光体等の酸窒化物系蛍光体、ＬＳＮ系蛍光体、ＢＳＥＳＮ系蛍光体、ＳＬＡ系蛍光体、ＣＡＳＮ系蛍光体若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体、ＫＳＡＦ系蛍光体若しくはＭＧＦ系蛍光体等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する量子ドット、ＩＩ－ＶＩ族量子ドット、ＩＩＩ－Ｖ族量子ドット、又はカルコパイライト構造を有する量子ドット等を用いることができる。

光散乱剤としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、五酸化ニオブ、チタン酸バリウム、五酸化タンタル、硫酸バリウム、又は、ガラス等の粒子等を用いることができる。

（被覆部材）
被覆部材１３０は、発光素子１１０の半導体積層体１１１の下面１１１Ｄ及び透光性部材１２０の下面を連続して被覆する部材である。また、被覆部材１３０は電極１１２の側面も被覆する。被覆部材１３０は、光反射性の第１被覆部材１３１と、光吸収性の第２被覆部材１３２と、を含む。第１被覆部材１３１は、発光素子１１０の半導体積層体１１１及び透光性部材１２０と接する位置に配置される。第２被覆部材１３２は、平面視において発光素子１１０の半導体積層体１１１と重なる位置に、第１被覆部材１３１を介して配置される。つまり、半導体積層体１１１の下面１１１Ｄの下方に位置する被覆部材１３０は、第１被覆部材１３１と、第２被覆部材１３２とが積層された構造となっている。

第１被覆部材１３１と第２被覆部材１３２とは、元は同じ１つの部材である。その１つ部材の一部にレーザ光を照射して変質させた部分が第２被覆部材１３２であり、レーザ光を照射せず変質していない部分が第１被覆部材１３１である。

被覆部材１３０は、母材と、母材中に含まれる粒子と、を含む。前述した「変質」は、粒子を変質させることを含む。例えば、第１粒子を変質させて第２粒子とすることを含む。変質させる方法としては、第１粒子にレーザ光（後述の第１レーザ光）を照射する方法が挙げられる。これにより、白色に視認される第１粒子を、黒色又は灰色に視認される第２粒子へと、体色を変質させることができる。つまり、第１被覆部材１３１は第１粒子のみを含み、第２被覆部材１３２は第２粒子のみあるいは第２粒子と第１粒子を含む。

被覆部材１３０の母材としては、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。

第１粒子としては、酸化チタン、酸化亜鉛等が挙げられる。第２粒子はこれらが変質したものであり、酸化チタン変質物、酸化亜鉛変質物等である。

また、被覆部材が母材として樹脂又はガラスを含む場合、上述の「変質」は、母材が変質することを含んでもよい。例えば、第１母材を変質させて第２母材とすることを含む。変質させる方法としては、第１母材にレーザを照射する方法が挙げられる。これにより透光性に視認させる第１母材を、黒色に視認される第２母材へと、体色を変質させることができる。

前述のように、体色を変質させることにより、発光素子から出射される光に対する特性が変化する。具体的には、変質させる前に比して、変質させた部分は光を吸収しやすくなる。このように変質された部材が発光素子１１０の半導体積層体１１１の直下に配置されることで、発光素子１１０から出射された光を吸収し、発光素子１１０の直上が明るくなりすぎることを低減し、輝度むらを低減することができる。

レーザが照射されて変質された被覆部材１３０は、上述のように主に体色が変化するとともに、面粗さがやや大きくなる。つまり、レーザ光が照射されることで被覆部材１３０の一部が除去されたと考えられる。ただし、レーザ光をライン状に照射してもライン状に溝は形成されず、照射した領域の全体にわたって、微細な凹凸が形成される。例えば、第１被覆部材１３１の表面粗さＳａは、例えば０．１μｍ以上０．２μｍ以下とすることができる。第２被覆部材１３２の表面粗さＳａは、例えば、０．１μｍ以上０．７μｍ以下とすることができる。

第１被覆部材１３１は、発光素子１１０から出射される光の発光ピーク波長における光に対する反射率が７０％以上である。第２被覆部材１３２は、発光素子１１０から出射される光の発光ピーク波長における光に対する反射率が３０％以下である。

被覆部材１３０の厚さは、例えば１０μｍ以上６０μｍ以下である。第１被覆部材１３１と第２被覆部材１３２とが重なる領域において、第２被覆部材１３２の厚さは、被覆部材１３０の厚さの５０％以下とすることが好ましい。第２被覆部材１３２の厚さは、例えば３μｍ以上１０μｍ以下とすることができ、好ましくは４μｍ以上６μｍ以下とすることができる。

第２被覆部材１３２の厚さは、その全体にわたって同じ厚さでもよく、あるいは異なる厚さの部分を有してもよい。また、平面視において第２被覆部材１３２の中心が最も厚さが厚く、周辺部に近づくにつれて厚さが薄くなるようにしてもよい。これにより第２被覆部材１３２による光の吸収率の変化を徐々に変化させることができる。このように光の吸収率が異なる部分は、例えば、第１レーザ光Ｂ１の照射条件を制御することで第１粒子を第２粒子へと変質させる比率を制御することで得ることができる。なお、第１レーザ光Ｂ１は出力を大きくし過ぎると被覆部材１３０がアブレーションされてしまう。そのため、光の吸収率を大きくしたい場合、つまり、第２粒子の比率を高くしたい場合は、後述の出力範囲で第１レーザ光Ｂ１を照射する回数を増やすことが好ましい。

第２被覆部材１３２は、平面視において半導体積層体１１１と重なる部分の面積、すなわち、半導体積層体１１１の面積から一対の電極１２の面積を除いた面積のうち１％以上５０％以下の面積とすることができ）。さらに、第２被覆部材１３２は、平面視において一対の電極１１２の間に位置する半導体積層体１１１と重なる部分に配置することが好ましい。例えば、一対の電極１１２の間に位置する半導体積層体１１１と重なる部分の面積の３０％以上１００％以下を第２被覆部材１３２とすることができる。半導体積層体１１１の直下に位置し、発光素子１１０からの光が最も照射され易い位置において、第２被覆部材１３２を配置することで、効率よく光を吸収することができる。

第２被覆部材１３２は、平面視において発光素子１１０と重ならない位置に配置しないことが好ましい。これにより、透光性部材１２０内を伝搬する光が第１被覆部材１３１によって反射されることを阻害することを低減することができる。そのため、発光素子１１０の直上の周辺の輝度の低下を低減することができる。特に、発光素子１１０の側方に位置する透光性部材１２０の幅が広い場合、すなわち、発光素子１１０から透光性部材１２０の側面（外側面）までの距離が長い場合、第１被覆部材１３１によって効率よく反射させることで光を外側面まで伝搬し易くすることができる。

第２被覆部材１３２の平面視における形状は、例えば、三角形、四角形、五角形等の多角形及びこれらの角を丸めた形状や、円形、楕円形とすることができる。

発光装置は、発光素子の上方に光調整部材を備えることができる。図２に示す発光装置２００は、発光素子１１０を被覆する透光性部材１２０の上面に光調整部材１５０が配置されている。光調整部材１５０は、透光性部材１２０の上面から出射する光の量や出射方向を調整することが可能である。光調整部材１５０は、発光素子１１０から出射される光に対して反射性及び透光性を有する。透光性部材１２０の上面から出射された光の一部は光調整部材１５０により反射し、他の一部は光調整部材１５０を透過する。発光素子１１０から出射される光に対する光調整部材１５０の透過率は、例えば、１％以上５０％以下が好ましく、３％以上３０％以下であることがより好ましい。光調整部材１５０は、被覆部材１３０と同様の材料を用いることができる。このような光調整部材１５０を備えることで、発光素子１１０から出射された光が発光素子１１０に向けて反射されることで、更に第２被覆部材１３２で吸収されやすくなる。

＜発光装置の製造方法＞
図１Ａ等に示す発光装置１００は、被覆部材１３０を備える発光装置中間体１００Ａを準備する第１工程と、発光装置中間体１００Ａの被覆部材１３０に第１レーザ光Ｂ１を照射して変質させる第２工程と、を備える製造方法によって得ることができる。

詳細には、発光装置の製造方法は、上面と上面の反対側の下面と上面及び前記下面の間の側面とを備える半導体積層体と、下面に配置された一対の電極と、を備える発光素子と、半導体積層体の上面を覆う透光性部材と、半導体積層体の下面及び透光性部材の下面を連続して被覆し、一対の電極の一部を露出させる光反射性の被覆部材と、を備える発光装置中間体を準備する第１工程と、一対の電極の間に位置する被覆部材にレーザ光を照射し、変質させる第２工程と、を含む。

発光装置中間体１００Ａは、図３Ａに示すように、発光素子１１０と、透光性部材１２０と、被覆部材１３０と、を有する。発光装置中間体１００Ａにおいて、被覆部材１３０は第１被覆部材１３１で構成され、第２被覆部材１３２を含まない。図３Ａでは、複数の発光装置１００となる部分を含む発光装置中間体１００Ａを例示している。このような発光装置中間体１００Ａを用いる場合は、第１レーザ光Ｂ１を照射する前又は照射した後に、図３Ｂに示す切断ラインＣで切断する工程を備えることができる。これに限らず、１つの発光装置１００となる発光装置中間体１００Ａを用いてもよい。

発光装置中間体１００Ａは、図３Ａに示すように被覆部材１３０が上側に向くように配置する。第１レーザ光源Ｌ１は、発光装置中間体１００Ａの上方に配置される。これに限らず、被覆部材１３０と第１レーザ光源Ｌ１とが対向する位置に配置されてればよい。第１レーザ光源Ｌ１は、発光装置中間体１００Ａの上側に向いた面と一定の距離で横方向に移動する。あるいは、第１レーザ光源Ｌ１を固定し、発光装置中間体１００Ａを横方向に移動させてもよい。後述の第２レーザ光源Ｌ２及び第３レーザ光源Ｌ３についても同様である。

第１レーザ光Ｂ１は、第１レーザ光Ｂ１を照射した部分の被覆部材１３０を変質させることが可能な条件で出射する。第１レーザ光Ｂ１の主波長、出力（強度）、照射スポットの径、照射スポットの移動速度は、被覆部材１３０の材料及び発光素子１１０から出射される光の強度に応じて、第２被覆部材１３２で吸収させたい光の量を考慮して設定することができる。

例えば、被覆部材１３０がシリコーンを母材とし、酸化チタンを含む樹脂材料の場合を一例に挙げる。この場合、主波長が５３２ｎｍである緑色レーザ光を第１レーザ光Ｂ１として出射可能な第１レーザ光源Ｌ１を用いることが好ましい。第１レーザ光源Ｌ１の出力は、０．５Ｗ以上０．９Ｗ以下とすることが好ましく、好ましくは０．７Ｗ程度である。第１レーザ光Ｂ１は、連続発振又はパルス発振で出射される。例えば、パルス発振の場合、第１レーザ光Ｂ１の１パルス当たりの熱量を１７μＪ以上１９μＪ以下とすることができる。第１レーザ光Ｂ１の照射スポット径は、例えば、１５μｍ以上３０μｍ以下とすることができる。照射スポットの移動速度は、例えば１００ｍｍ／ｓ以上１５００ｍｍ／ｓ以下とすることができる。このような第１レーザ光Ｂ１を出射可能な第１レーザ光源Ｌ１としては、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ_４レーザ等の第２高調波が挙げられる。

第１レーザ光Ｂ１を照射する前に、発光装置中間体１００Ａの発光特性を測定する測定工程を備えることができる。これにより、個々の発光装置中間体１００Ａの発光特性に応じて第１レーザ光Ｂ１の条件を設定することができる。

（変形例）
発光装置３００は、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、発光素子１１０の電極１１２と電気的に接続される金属膜１４０を備えることができる。図４Ａに示す発光装置３１０は、被覆部材１３０から露出する電極１１２の下面のみを覆う金属膜１４０を備えている。図４Ｂに示す発光装置３２０は、被覆部材１３０から露出する電極１１２の下面と、被覆部材１３０の下面の一部と、を連続して被覆している。

金属膜１４０は、主として、電極１１２の腐食や酸化を低減するための保護膜として機能することができる。金属膜１４０の材料としては、電極１１２よりも耐腐食性や耐酸化性に優れたものを選択する。例えば、金属膜１４０最表面の層は金、白金等の白金族元素の金属が好ましい。また、発光装置２００が配線基板等にはんだ付けされる場合、金属膜１４０の最表面にはんだ付け性の良好な金を用いることが好ましい。

金属膜１４０は単一の材料の一層のみで構成されてもよく、異なる材料の層が積層されて構成されていてもよい。積層構造の金属膜１４０の例としては、最表面に金が配置される構成が好ましく、ニッケル／ルテニウム／金、チタン／白金／金等の構造挙げられる。また、最表面が金であり、その下に配置されるルテニウム等は、電極を構成する材料が金に拡散することを防止する拡散防止層として機能しており、このような拡散防止層の厚さとしては、１０Å以上１０００Å以下が好ましい。

金属膜１４０の厚さは、例えば１μｍ以下であることが好ましく、１０００Å以下がより好ましい。また、電極１１２の腐食を低減することができる厚さとしては、例えば５ｎｍ以上であることが好ましい。ここで、金属膜の厚さとは、金属膜が複数の層が積層されて構成されている場合には、該複数の層の合計の厚さのことをいう。

また、上述の金属膜１４０及び光調整部材１５０を両方備えた発光装置とすることができる。

金属膜１４０を備える発光装置の場合、上述の第２工程において準備する発光装置中間体は、発光素子１１０の電極１１２及び被覆部材１３０を連続して覆う金属膜１４０を有する発光装置中間体３００Ａである。その後、上述の第２工程の前に金属膜１４０の全面又は一部に第２レーザ光Ｂ２を照射して、被覆部材１３０を覆う金属膜１４０の全部又は一部をアブレーションにより除去する工程を備える。

図５Ａに示すように、被覆部材１３０と電極１１２とを連続してして覆う金属膜１４０を形成する。備える発光装置中間体３００Ａを準備する。金属膜１４０は、スパッタ、蒸着、原子層堆積（Atomic Layer Deposition；ＡＬＤ）法や有機金属化学的気相成長（Metal Organic Chemical Vapor Deposition；ＭＯＣＶＤ）法、プラズマＣＶＤ（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition；ＰＥＣＶＤ）法、大気圧プラズマ成膜法、めっきなどによって形成することができる。

第２レーザ光Ｂ２は、被覆部材１３０と重なる金属膜１４０がアブレーションで除去可能な条件で出射する。第２レーザ光Ｂ２の主波長、出力（強度）、照射スポットの径、照射スポットの移動速度は、被覆部材１３０の材料及び電極１１２の材料を考慮して設定することができる。第２レーザ光Ｂ２は、電極１１２と重なる部分、被覆部材１３０と重なる部分の両方に照射することができる。被覆部材１３０と重なる金属膜１４０は、第２レーザ光Ｂ２によりアブレーションされて除去される。電極１１２と重なる金属膜１４０は、第２レーザ光Ｂ２を照射しても除去されずに残る。

被覆部材１３０は、第２レーザ光Ｂ２が照射された領域において、一部が除去される。例えば、金属膜１４０の全面に対して、第２レーザ光Ｂ２を複数のライン状に走査して照射した場合、複数のライン状の溝が形成される。溝の幅は１０μｍ～１００μｍ程度であり、溝の深さは０．１μｍ～３μｍ程度である。このような溝は、金属膜１４０がアブレーションされる際に、共に被覆部材１３０も除去されるためと考えられる。そして、このような溝が形成された被覆部材１３０は、第１レーザ光Ｂ１を照射した場合のように変質されない。被覆部材がシリコーンを母材とし、酸化チタンを含む樹脂材料の場合、第２レーザ光Ｂ２が照射される前の被覆部材１３０は白色に視認され、第２レーザ光Ｂ２が照射された後の被覆部材１３０も白色に視認される。

例えば、被覆部材１３０がシリコーンを母材とし、酸化チタンを含む樹脂材料の場合を一例に挙げる。この場合、主波長が５３２ｎｍである緑色レーザ光を第２レーザ光Ｂ２として出射可能な第２レーザ光源Ｌ２を用いることが好ましい。第２レーザ光源Ｌ２の出力は、１．３Ｗ以上１．５Ｗ以下とすることが好ましく、好ましくは１．３Ｗ以上１．４Ｗ以下である。第２レーザ光Ｂ２は、連続発振又はパルス発振で出射される。例えば、パルス発振の場合、第２レーザ光Ｂ２の１パルス当たりの熱量を１６μＪ以上１８μＪ以下とすることができる。第２レーザ光Ｂ２の照射スポット径は、等の第２高調波が挙げられる。

このように、電極１１２を保護する金属膜１４０を先に形成しておくことで、発光特性の測定時に電極１１２が劣化することを低減することができる。

更に任意の工程として、第１工程又は第２工程は、被覆部材に第３レーザ光を照射して、識別のためのマークを形成する工程を含むことができる。

第３レーザ光は、被覆部材１３０の一部を除去し、認識可能なマークを形成可能な条件で被覆部材１３０に照射される。例えば、第３レーザ光の主波長、出力（強度）、照射スポットの径、照射スポットの移動速度等を適切な設定とすることで、マークを形成することができる。マークとしては、同じタイミングで製造された製品群を示すロットマーク（ロット番号）、固体を識別するためのシリアルナンバーのほか、検査によって不良と判定されたものを示すバッドマークなどが挙げられる。

被覆部材１３０は、第３レーザ光Ｂ３が照射された領域において、第１レーザ光Ｂ１が照射された領域と同様に変質するだけでなく、被覆部材１３０が約６μｍ以上の深さで除去され凹部が形成される。例えば、認識工程において用いる認識装置において、色の違い、又は、微細な凹凸では誤認識し易い場合がある。そのため、ある程度の深さで除去することで、正しく認識することができる。そのため、図１Ａ等に示す構造の発光装置１００において、発光素子１１０と重なる部分の第３レーザ光Ｂ３を照射すると、発光素子１１０に影響を与える可能性がある。そのため、第３レーザ光Ｂ３は、平面視において発光素子１１０と重ならない位置に照射することが好ましい。不良品を示すバッドマークは、それを付与された発光装置が流出しないよう、大きく、かつ、目立つ位置に形成することができる。第３レーザ光Ｂ３の照射は、第１レーザ光Ｂ１の照射の前後のいずれでも行うことができる。

例えば、被覆部材１３０がシリコーンを母材とし、酸化チタンを含む樹脂材料の場合を一例に挙げる。この場合、第３レーザ光として主波長が５３２ｎｍである緑色レーザ光を用いることができる。第３レーザ光の出力は、１Ｗ以上４Ｗ以下とすることが好ましく、好ましくは２Ｗ程度の出力のレーザ光を照射することが好ましい。第３レーザ光は、連続発振でもよく、パルス発振でもよい。例えば、パルス発振の場合、第３レーザ光Ｂ３の１パルス当たりの熱量を３０μＪ以上３５μＪ以下とすることができる。第３レーザ光の照射スポット径は、例えば、１５μｍ以上３０μｍ以下とすることができる。照射スポットの移動速度は、例えば１００ｍｍ／ｓ以上１０００ｍｍ／ｓ以下とすることができる。このような第３レーザ光を出射可能なレーザ光源としては、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ_４レーザ等の第２高調波が挙げられる。

上述のように、条件のことなる３種のレーザ光を照射する場合、以下の４つの順序で行うことができる。
（１）第２レーザ光、第１レーザ光、第３レーザ光の順で照射
（２）第２レーザ光、第３レーザ光、第１レーザ光の順で照射
（３）第３レーザ光、第１レーザ光、第２レーザ光の順で照射
（４）第３レーザ光、第２レーザ光、第１レーザ光の順で照射

（１）の順序で照射する場合、まず、発光装置中間体をレーザ照射装置内に配置し第２レーザ光を照射して金属膜を形成する。その後、発光特性を測定するためにレーザ照射装置から発光装置中間体を取り出し、検査装置において発光特性を測定し、その発光特性に応じた第１レーザ光の条件を決定する。次に、再度レーザ照射装置内に発光装置中間体を配置して、必要な部分に第１レーザ光を照射して第２被覆部材を形成する。続いて同じレーザ照射装置において第３レーザ光を照射してロットマーク又はシリアルナンバーを形成する。第３レーザ光の条件は、発光特性に限らず設定することができるため、第１レーザ光を照射した後にレーザ照射装置から取り出すことなく第３レーザ光を照射することができる。そのため、効率よく発光装置を製造することができる。あるいは、第１レーザ光を照射した後、発光装置中間体をレーザ照射装置から取り出し、再度検査装置において発光特性を測定することができる。これにより第２被覆部材が形成された状態での発光特性を測定することができる。その後、さらにレーザ照射装置に発光装置中間体を配置し、必要に応じて第３レーザ光を照射してバッドマークを形成する。

（２）の順序で照射する場合は、（１）の順序で照射する場合における第１レーザ光の照射と第３レーザ光の照射の順序を入れ替えたものであり、レーザ照射装置から取り出すことなく第１レーザ光の照射と第３レーザ光の照射を行うことができる点は（１）と同じである。ここでは、第１レーザ光を照射する前に検査装置において発光装置中間体の発光特性を測定し、第３レーザ光を照射してシリアルナンバー又はバッドマークを形成する。このとき、深い凹部が形成されるため被覆部材の表面にデブリが形成される。デブリはそのまま残しておいても問題がない場合があるが、この後に第１レーザ光を照射する際に、第２被覆部材を形成するとともにデブリを除去することも可能である。

（３）の順序で照射する場合は、まず検査装置において発光装置中間体の発光特性を測定し、第３レーザ光を照射してロットマーク又はシリアルナンバーを形成する。このとき、上述のように被覆部材の表面にデブリが形成される。次に、発光特性に応じた第１レーザ光を照射して第２被覆部材を形成する。

（４）の順序で照射する場合は、（３）の順序で照射する場合における第１レーザ光の照射と第２レーザ光の照射との順序を入れ替えたものであり、まず検査装置において発光装置中間体の発光特性を測定し、第３レーザ光を照射してマークを形成するとともにデブリが形成される点は（３）と同じである。その後、第２レーザ光を照射して金属膜を形成する際に、デブリを除去することができる。

なお、上記（１）～（４）において、発光特性の検査をすることなく、第１レーザ光を照射してもよい。例えば、外形を測定した結果、そのロットにおいて発光装置中間体の被覆部材の厚さが、想定していた厚さよりも厚い結果が得られている場合を例に挙げる。この場合、発光装置中間体の発光特性を測定しなくても、被覆部材が厚いことに起因してそのロットの発光装置中間体の全てが、想定する輝度よりも明るいことが想定される。さらに、厚さが異なることで、輝度がどの程度変化するのかは過去の実績で判明している場合は、どの程度明るいかについても想定される。このような場合は、そのロットについては、発光特性の検査をすることなく、全て同じ条件で第１レーザ光を照射することができる。

（実施形態２）
図７Ａ～図７Ｃは、実施形態２に係る発光装置５００を示す概略図である。発光装置５００は、発光素子１１０の半導体積層体の側面に被覆部材５３０が配置されている点が実施形態１と異なる。さらに、透光性部材５２０の側面も被覆部材５３０で覆われている点が実施形態１と異なる。その他の構成は実施形態１と同じである。

また、ここでは、複数の発光素子１１０を備える発光装置５００を例示しており、具体的には３行３列にマトリクス状に配置された９個の発光素子１１０を備える。各発光素子１１０の上には、それぞれ透光性部材５２０が配置されている。複数の発光素子１１０は一部又は全部を同時に点灯させることができる。発光素子１１０とその上に配置された透光性部材５２０とをまとめて１つの発光部と称する。つまり、図７Ａに示す発光装置５００は９個の発光部を備える。発光部の数はこれに限らず、任意に選択することができる。また、被覆部材５３０及び透光性部材５２０の材料等は実施形態１と同じである。

本実施形態において、透光性部材５２０は、発光素子１１０の上面に配置されている。透光性部材５２０は平面視において発光素子１１０の上面の面積よりも大きい面積であり、発光素子１１０の上面の全てを覆うことが好ましい。透光性部材５２０の側面は被覆部材５３０で被覆されている。また、透光性部材５２０の下面の一部も被覆部材５３０で被覆されている。透光性部材５２０と発光素子１１０の間に透光性の接合部材を有していてもよい。

被覆部材５３０は、発光素子１１０の半導体積層体の側面を被覆する。発光素子の半導体積層体の側面と被覆部材５３０との間に透光性の接合部材を有していてもよい。被覆部材５３０は、透光性部材５２０の側面を被覆する。被覆部材５３０は複数の発光部（発光素子１１０及び透光性部材５２０）を一体的に保持している。

ここで、９個全てが同程度の輝度である発光装置５００としたい場合を例に挙げる。検査装置において各発光部の発光特性を測定した結果、発光部Ａが他の発光部よりもやや明るく、発光部Ｂが発光部Ａよりも更に明るくなるなど、明るさにバラツキがある場合がある。このような場合、図７Ｃに示すように、発光部Ａ及び発光部Ｂに位置する被覆部材５３０に、それぞれ第１レーザ光を照射して第２被覆部材５３２を形成する。発光部Ａでは、発光素子１１０の電極を被覆する金属膜１４０の間の領域のみに第２被覆部材５３２が配置されている。発光部Ｂでは、金属膜１４０の間だけでなく、金属膜１４０よりも外側の位置する領域にも第２被覆部材５３２が配置されている。このように、発光特性に応じて、適切な第２被覆部材５３２を配置することで、一部の発光部のみが明るくなりすぎることを低減し、発光部間のバラツキを低減することができる。

本発明の態様は、例えば、以下のとおりである。

（付記１）
上面と前記上面の反対側の下面と前記上面及び前記下面の間の側面とを備える半導体積層体と、前記下面に配置された一対の電極と、を備える発光素子と、
前記半導体積層体の前記上面を覆う透光性部材と、
前記半導体積層体の下面及び前記透光性部材の下面を連続して被覆し、前記一対の電極の一部を露出させる被覆部材と、
を備え、
前記被覆部材は、前記半導体積層体及び前記透光性部材と接する光反射性の第１被覆部材と、平面視において前記半導体積層体と重なる位置に前記第１被覆部材を介して配置される光吸収性の第２被覆部材と、を備える、発光装置。
（付記２）
前記透光性部材は、前記半導体積層体の側面を被覆する、付記１に記載の発光装置。
（付記３）
前記被覆部材は、前記半導体積層体の側面を被覆する、付記１に記載の発光装置。
（付記４）
前記第２被覆部材は、平面視において前記一対の電極の間に位置する領域のみに配置される、付記１～付記３のいずれか１に記載の発光装置。
（付記５）
前記第２被覆部材は、平面視において前記発光素子と重ならない位置には配置されない、付記１～付記４のいずれか１に記載の発光装置。
（付記６）
前記第２被覆部材の厚さは、３μｍ以上１０μｍ以下である、付記１～付記５のいずれか１に記載の発光装置。
（付記７）
前記被覆部材は、酸化チタン又は酸化亜鉛を含む、付記１～付記６のいずれか１に記載の発光装置。
（付記８）
上面と前記上面の反対側の下面と前記上面及び前記下面の間の側面とを備える半導体積層体と、前記下面に配置された一対の電極と、を備える発光素子と、
前記半導体積層体の前記上面を覆う透光性部材と、
前記半導体積層体の下面及び前記透光性部材の下面を連続して被覆し、前記一対の電極の一部を露出させる光反射性の被覆部材と、
を備える発光装置中間体を準備する第１工程と、
前記一対の電極の間に位置する前記被覆部材にレーザ光を照射し、変質させる第２工程と、を含む発光装置の製造方法。

１００、２００、３００、５００…発光装置
１００Ａ、３００Ａ…発光装置中間体
１１０…発光素子
１１１…半導体積層体
１１１Ｕ…上面
１１１Ｄ…下面
１１１Ｓ…側面
１１２…電極
１２０、５２０…透光性部材
１３０、５３０…被覆部材
１３１、５３１…第１被覆部材
１３２、５３２…第２被覆部材
１４０…金属膜
１５０…光調整部材
Ｍ…マーク
Ｌ１…第１レーザ光源（第１レーザ光Ｂ１）
Ｌ２…第２レーザ光源（第２レーザ光Ｂ２）
Ｌ３…第３レーザ光源（第３レーザ光Ｂ３）

Claims (8)

1. 上面と前記上面の反対側の下面と前記上面及び前記下面の間の側面とを備える半導体積層体と、前記下面に配置された一対の電極と、を備える発光素子と、
   前記半導体積層体の前記上面を覆う透光性部材と、
   前記半導体積層体の下面及び前記透光性部材の下面を連続して被覆し、前記一対の電極の一部を露出させる被覆部材と、
   を備え、
   前記被覆部材は、前記半導体積層体及び前記透光性部材と接する光反射性の第１被覆部材と、平面視において前記半導体積層体と重なる位置に前記第１被覆部材を介して配置される光吸収性の第２被覆部材と、を備える、発光装置。
2. 前記透光性部材は、前記半導体積層体の側面を被覆する、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記被覆部材は、前記半導体積層体の側面を被覆する、請求項１に記載の発光装置。
4. 前記第２被覆部材は、平面視において前記一対の電極の間に位置する領域のみに配置される、請求項２又は請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記第２被覆部材は、平面視において前記発光素子と重ならない位置には配置されない、請求項１又は請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 前記第２被覆部材の厚さは、３μｍ以上１０μｍ以下である、請求項２又は請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 前記被覆部材は、酸化チタン又は酸化亜鉛を含む、請求項２又は請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 上面と前記上面の反対側の下面と前記上面及び前記下面の間の側面とを備える半導体積層体と、前記下面に配置された一対の電極と、を備える発光素子と、
   前記半導体積層体の前記上面を覆う透光性部材と、
   前記半導体積層体の下面及び前記透光性部材の下面を連続して被覆し、前記一対の電極の一部を露出させる光反射性の被覆部材と、
   を備える発光装置中間体を準備する第１工程と、
   前記一対の電極の間に位置する前記被覆部材にレーザ光を照射し、変質させる第２工程と、を含む発光装置の製造方法。