JP7779762B2

JP7779762B2 - 半導体発光装置

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Publication number: JP7779762B2
Application number: JP2022025065A
Authority: JP
Inventors: 圭真河野; 幸治市川; 大蔵神原; 直史堀尾
Original assignee: Stanley Electric Co Ltd
Current assignee: Stanley Electric Co Ltd
Priority date: 2022-02-21
Filing date: 2022-02-21
Publication date: 2025-12-03
Anticipated expiration: 2042-02-21
Also published as: JP2023121619A; WO2023157800A1

Description

本発明は、半導体発光装置、特に発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子を有する半導体発光装置に関する。

近年、高出力化や配光制御のため、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子を複数デバイス内に配置して用いることが行われている。

例えば、自動車用ヘッドライトにおいて、走行環境に合わせて配光を制御する配光可変型のヘッドランプ（ADB: Adaptive Driving Beam）が知られている。また、高出力の照明用ＬＥＤパッケージや、ＬＥＤを高密度に配置した情報通信機器用のＬＥＤパッケージなどが知られている。

しかし、一般に、複数の半導体発光素子が並置された半導体発光装置において、導通されている素子から放出された光の一部が非導通状態の素子に伝播することがあった。このような漏れ光や光のクロストークは、複数の半導体発光素子を配置して用いる様々な応用分野において問題であった。

例えば、特許文献１には、基板及び発光素子の側面に誘電体多層膜からなる光反射層を設けることが開示されている。また、特許文献２には、誘電体多層膜からなり、半導体積層体の側面を覆う反射部材を有し、半導体積層体の側面上端から側方への光漏れを抑制する発光素子について開示されている。

特許文献３には、蛍光物質が分散され、発光ダイオードを封止する封止樹脂の側面に光学多層膜からなる反射層を設けることが開示されている。

また、特許文献４には、製造工程におけるボンディングワイヤの接触による半導体チップのショートを防止するべく半導体チップを熱収縮チューブによって囲繞し、絶縁コートを施した半導体電子部品が開示されている。

特開２０１５－２２５８６２号公報特開２０１５－１１９０６３号公報特開２００６－３５１８０８号公報特開２００１－１６８１３２号公報

本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、半導体発光素子及び導光体の側面から出射する光を遮光し、かつ半導体発光素子と導光体を外界から保護することが可能で、かつ気密性にも優れた信頼性の高い半導体発光装置を提供することができる。また、製造が容易で低コストの簡便な構造の半導体発光装置を提供することができる。

本発明の１実施形態による半導体発光装置は、
底面に第１電極及び第２電極を有する支持基板、及び、前記支持基板上に設けられ、前記第１電極及び前記第２電極に接続された発光半導体層を有する半導体発光素子と、
接着層によって前記半導体発光素子の出射面上に接着された導光体と、を有する発光素子アセンブリと、
前記発光素子アセンブリの側面を覆う熱収縮性樹脂からなる筒状の熱収縮性被覆部材と、
を有している。

本発明の第１の実施形態による半導体発光装置１０の上面を模式的に示す平面図である。半導体発光装置１０の側面を模式的に示す図である。図１ＡのＡ－Ａ線に沿った半導体発光装置１０の断面を模式的に示す断面図である。半導体発光装置１０の側部の一部Ｗの断面を拡大して示す部分拡大断面図である。半導体発光素子１１の上面を示す平面図である。半導体発光素子１１の裏面を模式的に示す平面図である。図２Ａに示す線Ａ－Ａに沿った断面を示す断面図である。被覆成型機１００にセットされた発光素子アセンブリ１０Ａ及び熱収縮樹脂１４Ａからなるチューブ状の被覆部材１４を示す上面図及び断面図である。被覆成型機１００を加熱しつつ、一対の押圧型１０１が押し当てられた発光素子アセンブリ１０Ａを示す上面図及び断面図である。押圧型１０１を開き、製造された半導体発光装置を示す上面図及び断面図である。第１の実施形態の改変例の半導体発光装置５０を示す断面図である。図４Ａに示す半導体発光装置５０の側部の一部Ｗの断面を拡大して示す部分拡大断面図である。本発明の第２の実施形態による半導体発光装置７０の上面を模式的に示す平面図である。半導体発光装置７０の側面を模式的に示す図である。図５ＡのＡ－Ａ線に沿った半導体発光装置７０の断面を模式的に示す断面図である。半導体発光装置７０の側部の一部Ｗの断面を拡大して示す部分拡大断面図である。第２の実施形態の改変例の半導体発光装置７５の側壁部の一部Ｗの断面を拡大して示す部分拡大断面図である。第２の実施形態の半導体発光装置７０の製造に適した第１の個別成形法を示す図である。第２の実施形態の半導体発光装置７０の製造に適した個別成形法を示す図である。第２の実施形態の半導体発光装置７０の製造に適した連続成形法を示す図である。図８Ａの線Ｅ－Ｅに沿った面から見た場合の上面図である。図８Ａの線Ｆ－Ｆに沿った面から見た場合の上面図である。

以下においては、本発明の好適な実施形態について説明するが、これらを適宜改変し、組合せてもよい。また、以下の説明及び添付図面において、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符を付して説明する。

［第１の実施形態］
（１）半導体発光装置の構成
図１Ａは、本発明の第１の実施形態による半導体発光装置１０の上面を模式的に示す平面図である。図１Ｂは、半導体発光装置１０の側面を模式的に示す図である。図１Ｃは、図１ＡのＡ－Ａ線に沿った半導体発光装置１０の断面を模式的に示す断面図である。図１Ｄは、図１Ｃに示す半導体発光装置１０の側部の一部Ｗの断面を拡大して示す部分拡大断面図である。

本実施形態において、半導体発光装置１０は、発光ダイオード（ＬＥＤ）である半導体発光素子１１、熱硬化性の樹脂からなる透光層である接着層１２、導光体である蛍光体プレート１３及び被覆部材１４を有している。

より詳細には、半導体発光素子１１及び蛍光体プレート１３は透光層である接着層１２によって接着され、一体となって発光素子アセンブリ１０Ａが形成されている。発光素子アセンブリ１０Ａは全体として矩形柱形状を有している。

また、図１Ｃに示すように、半導体発光装置１０は、半導体発光素子１１の裏面に回路基板に直接実装可能なパッド電極３４Ａ及び３４Ｂを有している。

なお、発光素子アセンブリ１０Ａの形状は矩形柱形状に限定されず、円柱（長円柱を含む）形状、多角柱形状を有していてもよい。また、半導体発光素子１１又は蛍光体プレート１３（導光体）は、角部が面取りされた多角柱形状を有していてもよい。

また、被覆部材１４は発光素子アセンブリ１０Ａの全側面を覆うことが好ましい。なお、接着層１２は、半導体発光素子１１及び蛍光体プレート１３（導光体）の間に充填されていることが好ましい。また、接着層１２は、熱硬化性の樹脂であることが好ましいが、紫外線硬化型などの硬化性の樹脂を用いることもできる。

（２）被覆部材
図１Ｃ及び図１Ｄに示すように、本実施形態において、被覆部材１４（以下、第１の被覆部材とも称する。）は、内側表面に接着樹脂１４Ｇが塗布されたチューブ状の熱収縮樹脂１４Ａとからなり、熱収縮樹脂１４Ａの加熱収縮によって発光素子アセンブリ１０Ａの側面に密着して接着されている。

さらに、被覆部材１４は、半導体発光素子１１の裏面に回り込んで密着した回り込み部１４Ｒを有している。被覆部材１４の回り込み部１４Ｒは、半導体発光素子１１の裏面の周縁部を覆っている。

熱収縮樹脂１４Ａとしては、光反射性を有する樹脂、例えば白色系（染料、顔料）又は樹脂にＴｉＯ２粒子などの反射性粒子を分散させたフッ素樹脂、シリーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂など、熱収縮処理が可能な樹脂を用いることができる。特に、フッ素樹脂は耐通気性、耐水性等の気密性に優れているので好適である。

例えば、フッ素樹脂としては、ＰＴＦＥ（：ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）、ＦＥＰ（パーフルオロエチレンプロペンコポリマ）、ＥＴＦＥ（エチレンテトラフルオロエチレンコポリマ）等が挙げられる。

熱収縮チューブは、例えば樹脂をチューブ状に成形後、電子線で高分子を架橋した後に、膨張し、冷却して形状を固定して製造される。そして、加熱により元の形状に戻る力で収縮する。すなわち、熱収縮樹脂はチューブ状に１次形成した樹脂を引き伸ばしたものであり、面方向の断裂に高い強度を有し、また伸張もするので熱履歴による断裂に強い。

また、図１Ｄを参照して説明すると、蛍光体プレート１３の外表面１３Ｅ及び／又は被覆部材１４の内表面１４Ｉに凹凸を設け、粗面化することによって密着性を向上することができる。

なお、上記においては、熱収縮樹脂１４Ａが光反射性を有する場合について説明したが、光吸収性の粒子を分散させ、光吸収性による遮光性を有する熱収縮樹脂によって形成されていてもよい。

（３）導光体及び接着層
導光体である蛍光体プレート１３は、半導体発光装置１０の上面側の封止材としても機能する。半導体発光素子１１からの発光は蛍光体プレート１３の底面から蛍光体プレート１３に入射し、蛍光体プレート１３の表面（光出射面１３Ｓ）から半導体発光装置１０の出射光ＬＯが出射される。

例えば、半導体発光素子１１は青色光を放射し、蛍光体プレート１３は半導体発光素子１１からの青色光を黄色光に変換する。半導体発光装置１０からは青色光及び黄色光の混色光である白色光が出射光ＬＯとして出射される。また、蛍光体プレート１３として半導体発光素子１１からの青色光を略全て黄色光に変換する蛍光体プレート１３を用いれば、半導体発光装置１０からの出射光ＬＯを黄色光にすることもできる。同様に、赤色光や赤外光にすることもできる。

導光部材１３には、アルミナ及びＹＡＧ：Ｃｅ等からなるセラミック蛍光体板、ガラス及びα又はβサイアロン等からなるガラス蛍光体板、シリコーン樹脂及びシリケイト：Ｃｅ等からなる樹脂蛍光体板、ＹＡＧ及びＣｅ等からなる単結晶又は多結晶の単一結晶蛍光体板を用いることができる。

なお、蛍光体プレート１３に代わって、透光性のガラス板、サファイア板、樹脂板、又はレンズ及び回折光学素子付きの板等の導光部材を用いてもよい。

接着層１２は、半導体発光素子１１が放射した光を透光する樹脂、例えば透光性のシリコーン樹脂、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂などを用いることができる。あるいは、低融点ガラス、ナノ金属酸化物焼結体等を利用することができる。また、多孔質のナノ金属酸化物焼結体に樹脂又は低融点ガラスを含浸した複合体等を利用することもできる。また、接着層１２内に拡散剤、光変換部材を添加することもできる。

（４）半導体発光素子
以下に、図面を参照して半導体発光素子１１について詳細に説明する。図２Ａは、半導体発光素子１１の上面を示す平面図である。なお、内部の電極構造の説明のため、素子内部の電極についても破線で示している。

図２Ｂは、半導体発光素子１１の裏面、すなわちプリント基板（ＰＣＢ）などの回路基板上に半導体発光素子１１が実装される面を模式的に示す平面図である。また、図２Ｃは、図２Ａに示す線Ａ－Ａに沿った断面を示す断面図である。

図２Ｃは、半導体発光素子１１の構成の一例を模式的かつ詳細に示す断面図である。半導体発光素子１１は、発光半導体層として、いわゆるシンフィルムＬＥＤ（thin-film LED）であるＬＥＤ半導体層２０を支持基板３１に貼り付けた構成を有している。

より具体的には、ＬＥＤ半導体層（発光半導体層）２０は、成長基板上にエピタキシャル成長したＬＥＤ構造を有する半導体層（シンフィルムＬＥＤ）を成長基板から取り外し、支持基板３１に貼り付けた構成を有している。本実施形態では、成長最表面層であるｐ型半導体層を下面として支持基板３１に貼り付け、ｎ型半導体層を表面層としている。

支持基板３１は、Ｐ（リン）又はＡｓ（ヒ素）などをドープしたＳｉ（シリコン）からなる導電性のｎ型基板である。

ＬＥＤ半導体層２０は、ｎ型半導体層（第２導電型の半導体層）２１、発光層２２及びｐ型半導体層（第１導電型の半導体層）２３を有している。ｎ型半導体層２１及びｐ型半導体層２３は、それぞれ少なくとも１つの半導体層からなり、電子又は正孔障壁層、電流拡散層、コンタクト層など目的に応じた種々の半導体層を有していてもよい。

なお、本実施形態においては、第１導電型がｐ型であり、第２導電型がｎ型である場合を例に説明するが、第１導電型がｎ型であり、第２導電型がｐ型であってもよい。

ＬＥＤ半導体層２０は、例えばＧａＮ系の半導体層からなる青色発光のＬＥＤ半導体層であるが、これに限定されない。発光層２２は、例えば単一量子井戸（ＳＱＷ）又は多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。

ＬＥＤ半導体層２０は、ｐ－電極２５Ａ及びｎ－電極２５Ｂを有する。ｐ－電極２５Ａは導電性のｐ側接合層２６によって基板ｐ電極３２Ａに接合され、ｎ－電極２５Ｂは導電性のｎ側接合層２７によって基板ｎ電極３２Ｂに接合されている。

ｐ－電極２５Ａは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）及び銀（Ａｇ）反射膜がｐ型半導体層２３上にこの順で形成されたＩＴＯ／Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｇ層からなる。ｎ－電極２５Ｂは、チタン（Ｔｉ）又はニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）がｎ型半導体層２１上にこの順で形成された（Ｔｉ又はＮｉ）／Ｐｔ／Ａｕ層からなる。

なお、ｐ－電極２５Ａ及びｎ－電極２５Ｂの材料及び構造は上記に限定されない。光反射による取り出し効率向上、オーミック特性、素子信頼性（寿命）などの特性を考慮して適宜適した構造を選択し得る。

ＬＥＤ半導体層２０の側面には、ＳｉＯ２からなる素子保護膜２８Ａが設けられている。また、支持基板３１の表面（ＬＥＤ半導体層２０との接合側）には、ＳｉＯ２からなる基板保護膜２８Ｂが設けられている。

基板ｐ電極３２Ａは導通ビア３３に接続され、導通ビア３３を介して半導体発光装置１０の裏面のアノード電極３４Ａ（第１電極）に電気的に接続されている。基板ｐ電極３２Ａ、導通ビア３３及びアノード電極３４Ａは、ＳｉＯ２からなる基板絶縁膜３５によって支持基板３１と絶縁されている。

基板ｎ電極３２Ｂは、導電性のＳｉ基板である支持基板３１を介して半導体発光装置１０の裏面のカソード電極３４Ｂ（第２電極）に電気的に接続されている。

半導体発光素子１１が実装された回路基板等（図示しない）からアノード電極３４Ａ及びカソード電極３４Ｂに電流が印加されることにより半導体発光素子１１は発光し、ｎ型半導体層２１の表面２１Ｓから出射される（直接光）。また、発光層２２から当該直接光とは反対方向に放出された光はｐ－電極２５Ａによって反射され、ｎ型半導体層２１の表面２１Ｓから出射される（反射光）。すなわち、当該直接光及び反射光は半導体発光素子１１の出射光ＬＥとしてｎ型半導体層２１の表面２１Ｓから出射される。

なお、ＬＥＤ半導体層２０がシンフィルムＬＥＤである場合を例に説明したが、これに限定されない。ＬＥＤ半導体層２０は、例えば、透光性基板を成長基板とし、成長最表面層（例えばｐ型半導体層）を出射面とした、いわゆるフリップチップ型のＬＥＤ半導体層であってもよい。

（５）第１の実施形態による半導体発光装置１０の製造方法
次に、半導体発光装置１０の製造工程について図３Ａ～図３Ｃを参照して説明する。なお、各図において、上側には上面図を、下側には発光素子アセンブリ１０Ａの中心線に沿った断面の断面図を示している。

まず、図３Ａに示すように、被覆成型機１００に、発光素子アセンブリ１０Ａと、内側表面に接着剤１４Ｇが塗布された熱収縮樹脂１４Ａとからなるチューブ状の被覆部材１４（図１Ｄを参照）をセットする。この際、断面図に示すように、熱収縮樹脂１４Ａは、成型押圧時に発光素子アセンブリ１０Ａの側面全体及び底部の周縁部に当接され得る大きさ及び位置で配置される。

また、発光素子アセンブリ１０Ａの電極パッド３４Ａ、３４Ｂには保護シート１０４が貼られ、台座１０３の窪みに嵌り、位置決めされる。

次に、図３Ｂに示すように、被覆成型機１００を加熱しつつ、Ｌ字形状の一対の押圧型１０１を発光素子アセンブリ１０Ａの側方の両側から押し当てる（図中、矢印）。これにより、発光素子アセンブリ１０Ａの側面に被覆部材１４が隙間を作ることなく密着する。また、熱収縮樹脂１４Ａに塗付された接着剤１４Ｇは加熱により硬化して、発光素子アセンブリ１０Ａの側面及び底部の周縁部に熱収縮樹脂１４Ａが接着される。

続いて、図３Ｃに示すように、被覆成型機１００を冷却しつつ、押圧型１０１を開く（図中、矢印）。以上の工程により、発光素子アセンブリ１０Ａの側面及び底部の周縁部に被覆部材１４が密着した半導体発光装置１０が製造される。

（６）第１の実施形態の改変例
図４Ａは、第１の実施形態の改変例の半導体発光装置５０を示す断面図であり、図４Ｂは、図４Ａに示す半導体発光装置５０の側部の一部Ｗの断面を拡大して示す部分拡大断面図である。

本改変例においては、内側被覆部材１６Ａと外側被覆部材１６Ｂとを有する被覆部材１６が発光素子アセンブリ１０Ａの側面上に設けられている。すなわち、図４Ａに示すように、内側被覆部材１６Ａの外周側面上に熱収縮樹脂からなる外側被覆部材１６Ｂが密着して設けられている。すなわち、半導体発光装置５０は２層の熱収縮樹脂からなる被覆部材１６を有している。

より詳細には、内側被覆部材１６Ａ及び外側被覆部材１６Ｂが積層され、内側被覆部材１６Ａの内面には接着樹脂１４Ｇが塗布されたチューブ状の熱収縮樹脂１６が加熱収縮によって発光素子アセンブリ１０Ａの側面に密着して接着されている。

内側被覆部材１６Ａは光反射性の熱収縮樹脂、例えば白樹脂であり、外側被覆部材１６Ｂは光吸収性の熱収縮樹脂、例えば黒樹脂である。

このように、被覆部材１６として、光反射性の内側被覆部材と光吸収性の外側被覆部材とが積層された熱収縮樹脂を用いることによって発光素子アセンブリ１０Ａからの光及び被覆部材外側からの光に対して高い遮光性を両立させている。

以上、説明したように、第１の実施形態の半導体発光装置１０，５０によれば、半導体発光素子及び導光体の側面から出射する光を遮光し、かつ半導体発光素子と導光体とを外界から保護することができ、また気密性にも優れた信頼性の高い半導体発光装置を提供することができる。また、製造が容易で低コストの簡便な構造の半導体発光装置を提供することができる。

［第２の実施形態］
（１）半導体発光装置の構成
図５Ａは、本発明の第２の実施形態による半導体発光装置７０の上面を模式的に示す平面図である。図５Ｂは、半導体発光装置７０の側面を模式的に示す図である。図５Ｃは、図５ＡのＡ－Ａ線に沿った半導体発光装置７０の断面を模式的に示す断面図である。図５Ｄは、半導体発光装置７０の側部の一部Ｗの断面を拡大して示す部分拡大断面図である。

図５Ａ～図５Ｃに示すように、本実施形態において、半導体発光装置７０は、第３の被覆部材７１（内側被覆部材）と第１の被覆部材７２（外側被覆部材）とを有する被覆部材１６が発光素子アセンブリ１０Ａの側面上に設けられている。

第３の被覆部材７１は、硬化済みの樹脂、すなわち成形体であって、例えば光反射性を有する白色樹脂である。また、第１の被覆部材７２は、第１の実施形態において説明したような熱収縮樹脂からなるチューブ状の被覆部材を用いて形成されている。

本実施形態において、第１の被覆部材７２は、光反射性樹脂からなるが、光吸収性樹脂、色付き樹脂等の多彩な樹脂の中から選択することができる。

図５Ｄに示すように、第３の被覆部材７１の内側表面には第３の接着層７１Ｇが設けられ、第３の被覆部材７１と蛍光体プレート１３とを互いに接着している。また、第１の被覆部材７２の内側表面には第１の接着層７２Ｇが設けられ、第１の被覆部材７２と第３の被覆部材７１とを互いに接着している。

より詳細には、発光素子アセンブリ１０Ａは矩形柱形状を有し、その４つの側面の各々に外面が円柱側面であり断面が円弧状（又は半円柱状）の第３の被覆部材７１が密着して設けられている。ここで、当該４つの第３の被覆部材７１の半円柱側面（外側表面）は全体として一つの閉じた円柱側面を形成している。そして、当該４つの第３の被覆部材７１による円柱側面上に第１の被覆部材７２が密着して設けられている。

換言すれば、矩形柱形状の発光素子アセンブリ１０Ａが円柱状の第１の被覆部材７２に内接し、第１の被覆部材７２と発光素子アセンブリ１０Ａとの間に断面が円弧状の第３の被覆部材７１が挿入され、第３の被覆部材７１は第１の被覆部材７２及びと発光素子アセンブリ１０Ａに密着して設けられている。

なお、第１の被覆部材７２は略円柱形状を有していればよい。すなわち、隣接する第３の被覆部材７１間の接続部、又は発光素子アセンブリ１０Ａが第１の被覆部材７２に内接する部分において、第１の被覆部材７２が凹部又は凸部を有していても、全体として円柱形状を有していればよい。このような場合でも、熱収縮チューブである第１の被覆部材７２は熱収縮によって隙間なく均等に発光素子アセンブリ１０Ａ及び第３の被覆部材７１を被覆することが可能である。

また、第３の被覆部材７１（内側被覆部材）が円弧形状の断面を有する場合について説明したが、これに限定されない。樹脂成形体である第３の被覆部材７１が第１の被覆部材７２（外側被覆部材）と発光素子アセンブリ１０Ａとの間に挿入され、熱収縮樹脂である第１の被覆部材７２の加熱収縮によって第１の被覆部材７２と発光素子アセンブリ１０Ａとの間に充填される形状を有していればよい。したがって、この場合、第１の被覆部材７２は、多角柱形状を含む任意の形状を有していることができる。

本実施形態においては、断面が円弧状の第３の被覆部材７１を発光素子アセンブリ１０Ａの外側面と熱収縮チューブ（第１の被覆部材７２）の間に挿入することで、第１の実施形態において使用した被覆成型機は不要となり、より簡易に半導体発光装置７０を製造することができる。

（２）第２の実施形態の改変例
図６は、第２の実施形態の改変例の半導体発光装置７５の側部の一部Ｗの断面を拡大して示す部分拡大断面図である。

本改変例においては、内側被覆部材である第３の被覆部材７１Ａの外側面には複数の凹凸（又は溝）７７が設けられており、第３の被覆部材７１Ａと第１の被覆部材７２との間には接着剤は設けられていない。

熱収縮樹脂からなるチューブ状の第１の被覆部材７２は加熱成形時に第３の被覆部材７１Ａの凹凸７７内に嵌入し、第３の被覆部材７１Ａに強固に密着される。

（３）半導体発光装置の第１の製造方法（個別成形法）
図７Ａ及び図７Ｂは、第２の実施形態の半導体発光装置７０の製造に適した第１の製造方法である個別成形法の一例を示す図である。図７Ａ及び図７Ｂは、それぞれ加熱成形前、加熱成形後の状態を示している、なお、各図において、上側には発光素子アセンブリ１０Ａの中心線に沿った断面図を、下側には線Ｄ－Ｄにおける面から見た場合の上面図を示している。

図７Ａを参照して説明すると、被覆成型機２００において、誘導管２０１は矩形形状の発光素子アセンブリ１０Ａの側面に応じた矩形管形状を有している。重ねられた第３の被覆部材７１及び第１の被覆部材７２は誘導管２０１に沿って送られる。なお、第１の接着層７１Ｇ、第２の接着層７２Ｇ（図５Ｄ参照）は図示が省略されている。

第３の被覆部材７１及び第１の被覆部材７２は台座１０３上に誘導された後、誘導管２０１が上方に引き抜かれると（図７Ａ、断面図）、発光素子アセンブリ１０Ａの４側面との間に間隙をあけて第３の被覆部材７１及び第１の被覆部材７２が配置される（図７Ａ、上面図）。

次に、カッタ－ＣＴによって、発光素子アセンブリ１０Ａの高さと同一の高さで第３の被覆部材７１及び第１の被覆部材７２が切断される（図７Ａ、断面図）。

続いて、温風ノズル２０３によって第１の被覆部材７２が加熱されると、図７Ｂに示すように、第１の被覆部材７２は収縮し、第３の被覆部材７１が発光素子アセンブリ１０Ａの４側面に密着して接着される。また、熱収縮後、さらに加熱することにより接着層が熱硬化される。以上の工程により半導体発光装置７０の製造が終了する。

（４）半導体発光装置の第１の製造方法（連続成形法）
図８Ａは、第２の実施形態の半導体発光装置７０の製造に適した第２の製造方法である連続成形法の一例を示す図である。図８Ｂ及び図８Ｃは、図８Ａの線Ｅ－Ｅ及び線Ｆ－Ｆに沿った面から見た場合の上面図である。

図８Ａを参照して説明すると、被覆成型機３００において、発光素子アセンブリ１０Ａの側面に応じた矩形管形状を有する第１の誘導管３０１に沿って発光素子アセンブリ１０Ａが下方（図中、矢印）に送られる。

すなわち、図８Ｂに示すように、第３の被覆部材７１と発光素子アセンブリ１０Ａとの間に第１の誘導管３０１が挿入された状態で第３の被覆部材７１、第１の被覆部材７２及び発光素子アセンブリ１０Ａが移送される。

続いて、第１の誘導管３０１が外れた移送位置で温風ノズル３０３によって第１の被覆部材７２が加熱されると、第１の被覆部材７２は収縮し、第３の被覆部材７１が発光素子アセンブリ１０Ａの４側面に密着して接着される。

続いて、図８Ｃに示すように、第１の被覆部材７２が密着した発光素子アセンブリ１０Ａは第２の誘導管３０２の内側面に沿って移送され、ヒータ３０４によって加熱されて、接着層が熱硬化される（図８Ａ）。

最後に、カッタ－ＣＴによって、発光素子アセンブリ１０Ａの高さと同一の高さで第３の被覆部材７１及び第１の被覆部材７２が切断される。以上の工程により半導体発光装置７０の製造が終了する。

以上、詳細に説明したように、本発明によれば、半導体発光素子及び導光体の側面から出射する光を遮光し、かつ半導体発光素子と導光体を外界から保護することが可能かつ気密性にも優れた信頼性の高い半導体発光装置を提供することができる。また、製造が容易で低コストの簡便な構造の半導体発光装置を提供することができる。

なお、上記した実施形態においては、半導体発光素子及び導光体が矩形柱形状を有する場合について説明したが、これに限定されない。例えば、多角柱形状、円柱（長円柱を含む）形状を有する場合についても適用することができる。

また、半導体発光装置が円柱形状を有する場合について説明したが、これに限定されない。例えば、多角柱形状、円柱（長円柱を含む）形状を有する場合についても適用することができる。

１０，５０，７０：半導体発光装置、１０Ａ：発光素子アセンブリ、１１：半導体発光素子、１２：接着層、１３：導光体（蛍光体プレート）、１４：被覆部材、１４Ａ：熱収縮樹脂、１４Ｒ：回り込み部、１６Ａ：内側被覆部材、１６Ｂ：外側被覆部材、２０：発光半導体層、２１：第２導電型の半導体層）、２２：発光層、２３：第１導電型の半導体層、７１、７１Ａ：第３の被覆部材（内側被覆部材）、７２：第１の被覆部材（外側被覆部材）、７１Ｇ，７２Ｇ：接着層、２００，３００：被覆成型機

Claims

底面に第１電極及び第２電極を有する基板と、前記基板上に位置する透明性の導光体と、前記基板と前記導光体との間に挟まれ、前記第１電極及び前記第２電極に接続された発光層を有し、前記発光層から放射した光を上面から出射する発光半導体層と、を有する発光素子アセンブリと、
加熱収縮されたチューブ状の熱収縮性樹脂によって前記発光素子アセンブリの全側面を覆う、チューブ状の熱収縮性被覆部材と、を有し、
前記基板は、前記発光半導体層を成長する成長基板または前記発光半導体層を支持する支持基板であって、前記発光半導体層よりも厚く構成され、
前記導光体は、前記発光層から放射した光が入射する底面と、前記底面の反対側であって前記底面から入射した光が出射する光出射面と、前記底面と前記光出射面を接続する側面とで囲まれているとともに、前記発光半導体層よりも厚く構成され、
前記基板上に前記発光半導体層を設けた半導体発光素子は、前記基板と前記導光体が前記発光半導体層を挟むように接着層によってと接着され一体となっており、
前記熱収縮性被覆部材が最外側面を構成する、半導体発光装置。
底面に第１電極及び第２電極を有する基板と、前記基板上に位置する透明性の導光体と、前記基板と前記導光体との間に挟まれ、前記第１電極及び前記第２電極に接続された発光層を有し、前記発光層から放射した光を上面から出射する発光半導体層と、を有する発光素子アセンブリと、
加熱収縮されたチューブ状の熱収縮性樹脂によって前記発光素子アセンブリの全側面を覆う、チューブ状の熱収縮性被覆部材と、を有し、
前記基板は、前記発光半導体層を成長する成長基板または前記発光半導体層を支持する支持基板であって、前記発光半導体層よりも厚く構成され、
前記導光体は、前記発光層から放射した光が入射する底面と、前記底面の反対側であって前記底面から入射した光が出射する光出射面と、前記底面と前記光出射面を接続する側面とで囲まれているとともに、前記発光半導体層よりも厚く構成され、
前記基板上に前記発光半導体層を設けた半導体発光素子は、前記基板と前記導光体が前記発光半導体層を挟むように接着層によってと接着され一体となっており、
さらに、前記熱収縮性被覆部材の外側に設けられ、熱収縮性樹脂からなる外側被覆部材を有し、
前記外側被覆部材が最外側面を構成する、半導体発光装置。
前記発光素子アセンブリ及び前記熱収縮性被覆部材は熱硬化性接着剤によって接着されている請求項１または２に記載の半導体発光装置。
前記発光素子アセンブリは矩形柱形状を有する請求項１から３の何れか一項に記載の半導体発光装置。
前記熱収縮性樹脂は、フッ素樹脂、シリーン樹脂、エポキシ樹脂、あるいはアクリル樹脂の何れかの樹脂を用いてなる、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
前記導光体は蛍光体である請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
前記熱収縮性被覆部材は、前記半導体発光素子の裏面に回り込んで前記半導体発光素子の前記裏面の周縁部を覆う回り込み部を有する請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
前記熱収縮性被覆部材は略円柱形状を有し、
前記熱収縮性被覆部材及び前記発光素子アセンブリの間に挿入及び充填された樹脂成形体を内側被覆部材として含む請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
前記発光素子アセンブリは矩形柱形状を有し、前記樹脂成形体は断面が円弧状を有する請求項８に記載の半導体発光装置。
前記内側被覆部材は外側面には複数の凹凸を有している請求項８または９に記載の半導体発光装置。