JP7783763B2 - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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Description

本実施形態は、半導体製造装置に関する。
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の半導体記憶装置は、複数のメモリセルを三次元的に配列した三次元型メモリセルアレイを有する場合がある。このような三次元型メモリセルアレイを有する半導体基板は、ワード線の延伸方向によって反る場合がある。半導体基板の反りは、歩留まりに影響し、かつ、半導体製造工程における半導体基板の搬送に支障を来すおそれがある。
特開２０２０－０７７７５１号公報 米国特許出願公開第２０１９／００６２９１８号明細書 米国特許出願公開第２０２１／０３０１４０２号明細書 米国特許出願公開第２０２１／０１０８３１４号明細書 米国特許出願公開第２０１９／０１４５００１号明細書
半導体基板の反りを高精度で矯正または制御することができる半導体製造装置を提供する。
本実施形態による半導体製造装置は、処理容器を備える。保持部は、処理容器内に設けられ、第１面と該第１面に対して反対側にある第２面とを有する基板を第１面側から保持する。保持部は、第１面の第１領域を被覆し、第１領域以外の第２領域を露出するマスク部を含む。ガス導入部は、処理容器内にプロセスガスを導入する。第１電極は、保持部とガス導入部との間に設けられ、基板の第１面へプロセスガスを供給する。第２電極は、基板の第２面側に設けられた第２電極であって、第１および第２電極の間でプロセスガスに電界を印加する。マスク部は、基板の第１面に接する第１層および第１層より基板から離間した第２層を有し、第１層は、第１領域と第２領域とを区画するマスク部の縁部で第２層よりも第１領域内へ向かう第１方向へ窪んでいる。
第１実施形態による半導体製造装置の構成例を示す概略図。 キャリアリングの構成例を示す平面図。 キャリアリングの構成例を示す断面図。 キャリアリングの構成例を示す平面図。 キャリアリングの構成例を示す断面図。 キャリアリングの構成例を示す平面図。 キャリアリングの構成例を示す断面図。 キャリアリングの構成例を示す平面図。 キャリアリングの構成例を示す断面図。 キャリアリングの構成例を示す平面図。 キャリアリングの構成例を示す断面図。 キャリアリングを用いた材料膜の形成方法を示す断面図。 キャリアリングを用いた材料膜の形成方法を示す断面図。 キャリアリングを用いた材料膜の形成方法を示す断面図。 キャリアリングを用いた材料膜の形成方法を示す断面図。 比較例を示す図。 比較例を示す図。 基板の反りとワード線との関係を示す概念図。 基板の第１面に材料膜を形成したときの基板の反り量を示すグラフ。 基板の第１面に材料膜を形成したときの基板の反りを示す概念図。 基板の第１面に材料膜を形成したときの基板の反りを示す概念図。 第２実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第２実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第２実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第２実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第３実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第３実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第３実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第３実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第４実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第４実施形態によるキャリアリングの構成例を示す断面図。 第４実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第４実施形態によるキャリアリングの構成例を示す断面図。 第４実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第４実施形態によるキャリアリングの構成例を示す断面図。 第４実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第４実施形態によるキャリアリングの構成例を示す断面図。 第４実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第４実施形態によるキャリアリングの構成例を示す断面図。 第５実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第５実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第５実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第５実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第５実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第６実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第６実施形態によるキャリアリングの構成例を示す断面図。 第６実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第６実施形態によるキャリアリングの構成例を示す断面図。 第６実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第６実施形態によるキャリアリングの構成例を示す断面図。 第６実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第６実施形態によるキャリアリングの構成例を示す断面図。 第６実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第６実施形態によるキャリアリングの構成例を示す断面図。 第７実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第７実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第７実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第７実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 第７実施形態によるキャリアリングの構成例を示す平面図。 マスク部の縁部の形状を示す断面図。 マスク部の縁部の形状を示す断面図。 マスク部の縁部の形状を示す断面図。 マスク部の縁部の形状を示す断面図。 マスク部の基板搭載面の形状を示す断面図。 バッファ室および搬送装置を含む半導体製造装置の一例を示す図。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態による半導体製造装置１の構成例を示す概略図である。半導体製造装置１（以下、単に、装置１ともいう）は、例えば、基板Ｗに材料膜ＴＦを形成するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置等である。
装置１は、チャンバ１０と、キャリアリング２０と、ガス導入部３０と、第１ガス分散板４０と、第２ガス分散板５０と、下部電極６０と、上部電極８０と、支柱９０と、コントローラ１００と、ガス供給源１１０、１３０と、配管１２０、１４０とを備えている。
チャンバ１０は、基板Ｗを収容可能であり、その内部を減圧することができる。チャンバ１０の内部において基板Ｗに成膜処理を実行する。チャンバ１０には、例えば、ステンレス等の耐熱性、耐圧性、耐腐食性の材料が用いられる。
キャリアリング２０は、チャンバ１０内において基板Ｗを保持可能な保持部である。キャリアリング２０は、例えば、円環形状を有し、その内周に設けられた座繰り部分で基板Ｗの端部を支持する。キャリアリング２０の中心部は、開口しており、基板Ｗの第１面（裏面）Ｆ１に材料膜ＴＦを形成することができる。キャリアリング２０には、例えば、アルミニウム、ステンレス、セラミックス等の材料が用いられる。基板Ｗは、材料膜ＴＦを形成する第１面Ｆ１と第１面Ｆ１とは反対側にある第２面Ｆ２とを有する。基板Ｗは、例えば、シリコン基板等の半導体基板である。基板Ｗの第２面Ｆ２には、三次元型メモリセルアレイ等の半導体素子が形成されている。基板Ｗの第１面Ｆ１は、基板Ｗの裏面であり、半導体素子は形成されていない。キャリアリング２０のより詳細な構成については後述する。
ガス導入部３０は、配管１２０によって分岐されたプロセスガスを、ガス導入管Ｇｉｎ１を介して基板Ｗの第１面Ｆ１側からチャンバ１０内に導入する。ガス導入部３０は、プロセスガスを第１ガス分散板４０に供給する。ガス導入部３０には、例えば、ステンレス、セラミックス等の耐熱性、耐腐食性の材料が用いられる。
ガス導入管Ｇｉｎ１は、配管１２０で分岐されたプロセスガスを、それぞれ第１ガス分散板４０と下部電極６０との間の対応する領域へ案内し供給する。
第１ガス分散板４０は、基板Ｗとガス導入部３０との間に設けられ、プロセスガスを通過させる複数の孔４０ｈを有する。孔４０ｈは、ガス導入管Ｇｉｎ１から第１ガス分散板４０と第２ガス分散板５０との間の空間Ｇａに連通しており、ガス導入管Ｇｉｎ１からのプロセスガスを空間Ｇａへ導入する。このとき、複数の孔４０ｈは、空間Ｇａにおいてプロセスガスを分散させるように機能する。第１ガス分散板４０には、例えば、アルミニウム、ステンレス、セラミックス等の材料が用いられる。
第２ガス分散板５０は、第１ガス分散板４０と下部電極６０との間に設けられ、プロセスガスを通過させる複数の孔５０ｈを有する。孔５０ｈは、第１ガス分散板４０からのプロセスガスを第２ガス分散板５０と下部電極６０との間の空間Ｇｂにおいて分散させるように機能する。第２ガス分散板５０には、例えば、アルミニウム、ステンレス、セラミックス等の材料が用いられる。尚、第２ガス分散板５０は、必ずしも設けられていなくてもよく、省略してもよい。この場合、第１ガス分散板４０から空間Ｇａ、Ｇｂに導入されたプロセスガスは、第２ガス分散板５０を通過することなく、下部電極６０から基板Ｗへ供給される。
下部電極６０は、基板Ｗと第１および第２ガス分散板４０、５０との間に設けられ、プロセスガスを基板Ｗの第１面Ｆ１へ供給する複数の孔６０ｈを有する。孔６０ｈは、下部電極６０において行列状に略均等に配列されている。孔６０ｈは、第１および第２ガス分散板４０、５０からのプロセスガスをチャンバ１０内の基板Ｗの第１面Ｆ１に供給する。基板Ｗの第１面Ｆ１と下部電極６０との間の距離は比較的狭く、プロセスガスは、基板Ｗの第１面Ｆ１のうち、孔６０ｈに対向する領域に供給される。尚、孔４０ｈ、５０ｈ、６０ｈの個数は、プロセスガスを分散させてチャンバ１０内に導入するために、４０ｈの個数＜５０ｈの個数＜６０ｈの個数となっていることが好ましい。
また、下部電極６０は、高周波電源ＲＦ１に接続されており、高周波電源ＲＦ１から電力を受ける。これにより、下部電極６０は、基板Ｗと下部電極６０との間のプロセスガスに電界を印加し、プロセスガスを電離させてプラズマを発生させるために用いられる。下部電極８０には、例えば、アルミニウム、ステンレス、セラミックス等の材料が用いられる。
上部電極８０は、基板Ｗの第１面Ｆ１とは反対側の第２面Ｆ２側に設けられている。上部電極８０は、高周波電源ＲＦ２に接続されおり、高周波電源ＲＦ２から電力を受ける。下部電極６０と上部電極８０は、基板Ｗと下部電極６０との間のプロセスガスに電界を印加し、電離させプラズマ状態にする。これにより、プロセスガスを原料とした材料膜ＴＦが基板Ｗの第１面Ｆ１に成膜される。
また、上部電極８０には、ガス導入管Ｇｉｎ２と複数の孔８０ｈが設けられている。ガス導入管Ｇｉｎ２は、配管１４０で分岐された不活性ガスをチャンバ１０内へ導入する。複数の孔８０ｈは、基板Ｗの第２面Ｆ２に対向する上部電極８０の面に設けられており、不活性ガスを基板Ｗの第２面Ｆ２へ供給する。プロセス中において、上部電極８０は、孔８０ｈから不活性ガスを基板Ｗの第２面Ｆ２に供給し、プロセスガスによる材料膜が基板Ｗの第２面Ｆ２に形成されることを抑制する。不活性ガスは、例えば、ヘリウム、窒素、アルゴン等でよい。上部電極８０には、例えば、アルミニウム、ステンレス、セラミックス等の材料が用いられる。
ガス導入部３０、第１および第２ガス分散板４０、５０の下方に、ヒータＨＴ１が設けられている。例えば、ヒータＨＴ１は、ガス導入管Ｇｉｎ１が貫通する基体９５の内部に設けられている。また、上部電極８０内には、ヒータＨＴ２が設けられている。ヒータＨＴ１、ＨＴ２は、基板Ｗを所定の温度に加熱するために設けられている。
支柱９０は、基体９５とキャリアリング２０との間に設けられており、キャリアリング２０を支持する。
コントローラ１００は、ガス供給源１１０、１３０を制御して、プロセスガスおよび不活性ガスの流量および／または導入時間を制御する。例えば、コントローラ１００は、空間Ｇａ、Ｇｂに導入されるプロセスガスの流量または導入時間を制御する。これにより、基板Ｗの第１面Ｆ１に形成される材料膜ＴＦの厚みを相違させることができる。即ち、コントローラ１００は、空間Ｇａ、Ｇｂに導入されるプロセスガスの供給量を変更することによって、材料膜ＴＦの膜厚を制御することができる。
ガス供給源１１０は、配管１２０を介してガス導入管Ｇｉｎ１へプロセスガスを供給する。ガス供給源１３０は、配管１４０を介してガス導入管Ｇｉｎ２へ不活性ガスを供給する。
配管１２０は、例えば、ガス導入管Ｇｉｎ１に任意の流量でプロセスガスを搬送可能に構成されたマニホールドでよい。配管１４０は、ガス導入管Ｇｉｎ２に対して任意の流量で不活性ガスを搬送可能に構成されたマニホールドでよい。
コントローラ１００は、ガス供給源１１０および配管１２０を制御して、ガス導入管Ｇｉｎ１へのプロセスガスの流量および導入時間を制御することができる。また、コントローラ１００は、ガス供給源１３０および配管１４０を制御して、ガス導入管Ｇｉｎ２への不活性ガスの流量および導入時間を制御することができる。
チャンバ１０に導入されたプロセスガスおよび不活性ガスは、材料膜ＴＦの形成に使用された後、ガス排気口Ｇｏｕｔから排気される。
（キャリアリング２０＿１）
図２は、キャリアリング２０＿１の構成例を示す平面図である。図３は、キャリアリング２０＿１の構成例を示す断面図である。図３は、図２の３－３線に沿った断面を示している。
キャリアリング２０の１つとしてのキャリアリング２０＿１は、基板Ｗの第１面Ｆ１に対して垂直方向（Ｚ方向）から見たときに、基板Ｗの直径と等しいかそれよりも大きな径を有する略円形の形状を有する。よって、基板Ｗをキャリアリング２０＿１に搭載したときに、Ｚ方向から見ると、キャリアリング２０＿１は基板Ｗに重複し、下部電極６０の外縁は基板Ｗの外縁よりも外側に位置する。
キャリアリング２０＿１は、外縁部２１＿１と、マスク部２２＿１Ｕ、２２＿１Ｌとを備える。外縁部２１＿１は、マスク部２２＿１Ｕ、２２＿１Ｌの外縁に設けられてマスク部２２＿１Ｕ、２２＿１Ｌの外周を囲み、マスク部２２＿１Ｕ、２２＿１Ｌの合計厚さよりも厚く形成され、キャリアリング２０＿１に搭載される基板Ｗ側に突出している。
第１層としてのマスク部２２＿１Ｕは、基板Ｗを搭載する座繰り部であり、基板Ｗの第１面Ｆ１（裏面）に接触してこれをマスクする。マスク部２２＿１Ｕは、基板Ｗの径と略等しいか若干大きな径を有する。これにより、基板Ｗは、外縁部２１＿１内に受容されマスク部２２＿１Ｕに搭載される。基板Ｗの外縁は、外縁部２１＿１とマスク部２２＿１Ｕとの段差部近傍に位置する。
第２層としてのマスク部２２＿１Ｌは、マスク部２２＿１Ｕの下に設けられた座繰り部であり、基板Ｗの第１面Ｆ１（裏面）に直接は接触しないが、これをマスクする。マスク部２２＿１Ｌは、マスク部２２＿１Ｕよりも基板Ｗから遠く離間している。マスク部２２＿１Ｌは、基板Ｗの径と略等しいか若干大きな径を有する。これにより、基板Ｗは、外縁部２１＿１内に受容されマスク部２２＿１Ｌの上方に搭載される。
マスク部２２＿１Ｕ、２２＿１Ｌの中心部には、開口部２３＿１が設けられている。開口部２３＿１は、基板Ｗの第１面Ｆ１に対して略平行なＹ方向に略直線状に延伸している。マスク部２２＿１Ｕ、２２＿１Ｌは、基板Ｗの第１面Ｆ１のＸ方向両側を被覆し、開口部２３＿１は、基板Ｗの第１面Ｆ１の中心部を露出している。
マスク部２２＿１Ｌ、２２＿１Ｕで被覆された基板Ｗの第１面Ｆ１における第１領域と開口部２３＿１で露出された基板Ｗの第１面Ｆ１における第２領域との間（第１領域と第２領域とを区画するマスク部２２＿１Ｌ、２２＿１Ｕの縁部）において、マスク部２２＿１Ｌは、マスク部２２＿１Ｕよりも±Ｘ方向および±Ｙ方向に突出している。即ち、開口部２３＿１の周囲において、マスク部２２＿１Ｌは、マスク部２２＿１Ｕよりも、開口部２３＿１の延伸方向（±Ｙ方向）に突出しており、かつ、開口部２３＿１の延伸方向に対して略垂直方向（±Ｘ方向）にも突出している。従って、図３に示すように、開口部２３＿１の周囲におけるマスク部２２＿１Ｕ、２２＿１Ｌの縁部では、マスク部２２＿１Ｕとマスク部２２＿１Ｌとがステップ状に形成され段差部ＳＴを有する。段差部ＳＴでは、マスク部２２＿１Ｕはマスク部２２＿１Ｌよりも±Ｙ方向および±Ｘ方向に窪んでいる。
また、開口部２３＿１のＹ方向の両端部の外縁部２１＿１の内縁部には、マスク部２２＿１Ｌ、２２＿１Ｕの端部２２＿１Ｌｅ、２２＿１Ｕｅが設けられている。端部２２＿１Ｌｅは、端部２２＿１Ｕｅよりも開口部２３＿１側へ突出している。即ち、開口部２３＿１の外周全体において、段差部ＳＴが設けられている。
キャリアリング２０＿１には、例えば、アルミニウム、ステンレス、セラミックス等の材料が用いられる。マスク部２２＿１Ｌ、２２＿１Ｕは、個別に形成され、積層されてもよく、一体形成されてもよい。また、マスク部２２＿１Ｌ、２２＿１Ｕと外縁部２１＿１は、個別に形成されてもよく、一体形成されてもよい。
装置１は、図１に示すように、下部電極６０から基板Ｗの第１面Ｆ１側のキャリアリング２０へプロセスガスを供給する。キャリアリング２０としてキャリアリング２０＿１を用いた場合、基板Ｗの第１面Ｆ１は、キャリアリング２０＿１のマスク部２２＿１Ｌ、２２＿１Ｕによって被覆され、かつ、開口部２３＿１から露出されている。よって、基板Ｗの第１面Ｆ１のうち開口部２３＿１から露出された中心部に材料膜ＴＦが形成される。基板Ｗの第１面Ｆ１のうちマスク部２２＿１Ｌ、２２＿１Ｕで被覆された領域には、材料膜ＴＦは形成されない。よって、図２および図３に示すキャリアリング２０＿１を用いて材料膜ＴＦを形成した場合、開口部２３＿１に対応する基板Ｗの第１面Ｆ１の中心部に材料膜ＴＦが形成される。
マスク部２２＿１Ｌ、２２＿１Ｕには、装置１のリフトピンが通過するピンホールＰＨが設けられている。図示しないが、リフトピンは、基板Ｗをキャリアリング２０に搭載する際、あるいは、キャリアリング２０から搬送する際にピンホールＰＨを通過して基板Ｗをリフトするためのピンである。リフトピンがピンホールＰＨを通過することによって、キャリアリング２０上の基板Ｗを第１面Ｆ１側から突き上げて持ち上げることができる。
（キャリアリング２０＿２）
図４は、キャリアリング２０＿２の構成例を示す平面図である。図５は、キャリアリング２０＿２の構成例を示す断面図である。図５は、図４の５－５線に沿った断面を示している。
キャリアリング２０の１つとしてのキャリアリング２０＿２は、Ｚ方向から見たときに、基板Ｗの直径と等しいかそれよりも大きな径を有する略円形の形状を有する。よって、基板Ｗをキャリアリング２０＿２に搭載したときに、Ｚ方向から見ると、キャリアリング２０＿２は、基板Ｗに重複し、下部電極６０の外縁は、基板Ｗの外縁よりも外側に位置する。
キャリアリング２０＿２は、外縁部２１＿２と、マスク部２２＿２Ｕ、２２＿２Ｌとを備える。外縁部２１＿２、マスク部２２＿２Ｕ、２２＿２Ｌは、それぞれキャリアリング２０＿１の外縁部２１＿１、マスク部２２＿１Ｕ、２２＿１Ｌに対応する。キャリアリング２０＿２の構成は、基本的にキャリアリング２０＿１の構成と同様でよい。しかし、キャリアリング２０＿２の開口部２３＿２の大きさがキャリアリング２０＿１の開口部２３＿１の大きさと異なる。
開口部２３＿２は、基板Ｗの第１面Ｆ１の中心部を開口部２３＿１よりも幅広く露出している。マスク部２２＿２Ｌ、２２＿２Ｕで被覆された基板Ｗの第１面Ｆ１における第１領域と開口部２３＿２で露出された基板Ｗの第１面Ｆ１における第２領域との間（第１領域と第２領域とを区画するマスク部２２＿２Ｌ、２２＿２Ｕの縁部）において、マスク部２２＿２Ｌは、マスク部２２＿２Ｕよりも±Ｘ方向および±Ｙ方向に突出している。即ち、開口部２３＿２の周囲において、マスク部２２＿２Ｌは、マスク部２２＿２Ｕよりも、開口部２３＿２の延伸方向（±Ｙ方向）に突出しており、かつ、開口部２３＿２の延伸方向に対して略垂直方向（±Ｘ方向）にも突出している。従って、図５に示すように、開口部２３＿２の周囲におけるマスク部２２＿２Ｕ、２２＿２Ｌの縁部では、マスク部２２＿２Ｕとマスク部２２＿２Ｌとが段差部ＳＴを有する。即ち、段差部ＳＴでは、マスク部２２＿２Ｕはマスク部２２＿２Ｌよりも±Ｙ方向および±Ｘ方向に窪んでいる。
リフトピンＰは、開口部２３＿２内を通過して、基板Ｗを持ち上げる。従って、マスク部２２＿２Ｌ、２２＿２Ｕには、ピンホールＰＨは設けられていない。キャリアリング２０＿２のその他の構成は、キャリアリング２０＿１の構成と同様でよい。
キャリアリング２０としてキャリアリング２０＿２を用いた場合、基板Ｗの第１面Ｆ１は、キャリアリング２０＿２のマスク部２２＿２Ｌ、２２＿２Ｕによって被覆され、かつ、開口部２３＿２から露出されている。よって、基板Ｗの第１面Ｆ１のうち開口部２３＿２から露出された中心部に材料膜ＴＦが形成される。基板Ｗの第１面Ｆ１のうちマスク部２２＿２Ｌ、２２＿２Ｕで被覆された領域には、材料膜ＴＦは形成されない。よって、図４および図５に示すキャリアリング２０＿２を用いて材料膜ＴＦを形成した場合、開口部２３＿２に対応する基板Ｗの第１面Ｆ１の中心部に材料膜ＴＦが形成される。
（キャリアリング２０＿３）
図６は、キャリアリング２０＿３の構成例を示す平面図である。図７は、キャリアリング２０＿３の構成例を示す断面図である。図７は、図６の７－７線に沿った断面を示している。
キャリアリング２０の１つとしてのキャリアリング２０＿３は、Ｚ方向から見たときに、基板Ｗの直径と等しいかそれよりも大きな径を有する略円形の形状を有する。よって、基板Ｗをキャリアリング２０＿３に搭載したときに、Ｚ方向から見ると、キャリアリング２０＿３は基板Ｗに重複し、下部電極６０の外縁は基板Ｗの外縁よりも外側に位置する。
キャリアリング２０＿３は、外縁部２１＿３と、マスク部２２＿３Ｕ、２２＿３Ｌとを備える。外縁部２１＿３、マスク部２２＿３Ｕ、２２＿３Ｌは、それぞれキャリアリング２０＿１（または２０＿２）の外縁部２１＿１（または２１＿２）、マスク部２２＿１Ｕ、２２＿１Ｌ（または２２＿２Ｕ、２２＿２Ｌ）に対応する。キャリアリング２０＿３の構成は、基本的にキャリアリング２０＿１（または２０＿２）の構成と同様でよい。しかし、キャリアリング２０＿３の開口部２３＿３の大きさがキャリアリング２０＿１（または２０＿２）の開口部２３＿１（または２３＿２）の大きさと異なる。
開口部２３＿３は、基板Ｗの第１面Ｆ１の中心部を開口部２３＿１および２３＿２よりも幅広く露出している。マスク部２２＿３Ｌ、２２＿３Ｕで被覆された基板Ｗの第１面Ｆ１における第１領域と開口部２３＿３で露出された基板Ｗの第１面Ｆ１における第２領域との間（第１領域と第２領域とを区画するマスク部２２＿３Ｌ、２２＿３Ｕの縁部）において、マスク部２２＿３Ｌは、マスク部２２＿３Ｕよりも±Ｘ方向および±Ｙ方向に突出している。即ち、開口部２３＿３の周囲において、マスク部２２＿３Ｌは、マスク部２２＿３Ｕよりも、開口部２３＿３の延伸方向（±Ｙ方向）に突出しており、かつ、開口部２３＿３の延伸方向に対して略垂直方向（±Ｘ方向）にも突出している。従って、図７に示すように、開口部２３＿３の周囲におけるマスク部２２＿３Ｕ、２２＿３Ｌの縁部では、マスク部２２＿３Ｕとマスク部２２＿３Ｌとが段差部ＳＴを有する。即ち、段差部ＳＴでは、マスク部２２＿３Ｕはマスク部２２＿３Ｌよりも±Ｙ方向および±Ｘ方向に窪んでいる。
リフトピンＰは、開口部２３＿３内を通過して、基板Ｗを持ち上げる。従って、マスク部２２＿３Ｌ、２２＿３Ｕには、ピンホールＰＨは設けられていない。キャリアリング２０＿３のその他の構成は、キャリアリング２０＿１（または２０＿２）の構成と同様でよい。
キャリアリング２０としてキャリアリング２０＿３を用いた場合、基板Ｗの第１面Ｆ１は、キャリアリング２０＿３のマスク部２２＿３Ｌ、２２＿３Ｕによって被覆され、かつ、開口部２３＿３から露出されている。よって、基板Ｗの第１面Ｆ１のうち開口部２３＿３から露出された中心部に材料膜ＴＦが形成される。基板Ｗの第１面Ｆ１のうちマスク部２２＿３Ｌ、２２＿３Ｕで被覆された領域には、材料膜ＴＦは形成されない。よって、図６および図７に示すキャリアリング２０＿３を用いて材料膜ＴＦを形成した場合、開口部２３＿３に対応する基板Ｗの第１面Ｆ１の中心部に材料膜ＴＦが形成される。
（キャリアリング２０＿４）
図８は、キャリアリング２０＿４の構成例を示す平面図である。図９は、キャリアリング２０＿４の構成例を示す断面図である。図９は、図８の９－９線に沿った断面を示している。
キャリアリング２０の１つとしてのキャリアリング２０＿４は、基板Ｗの第１面Ｆ１に対して垂直方向（Ｚ方向）から見たときに、基板Ｗの直径と等しいかそれよりも大きな径を有する略円形の形状を有する。よって、基板Ｗをキャリアリング２０＿４に搭載したときに、Ｚ方向から見ると、キャリアリング２０＿４は基板Ｗに重複し、下部電極６０の外縁は基板Ｗの外縁よりも外側に位置する。
キャリアリング２０＿４は、外縁部２１＿４と、マスク部２２＿４Ｕ、２２＿４Ｌとを備える。外縁部２１＿４は、マスク部２２＿４Ｕ、２２＿４Ｌの外縁に設けられており、マスク部２２＿４Ｕ、２２＿４Ｌよりも厚く形成されている。
マスク部２２＿４Ｕは、基板Ｗを搭載する座繰り部であり、基板Ｗの第１面Ｆ１（裏面）に接触してこれをマスクする。マスク部２２＿４Ｕは、Ｘ方向の両端を除いて、基板Ｗの径と略等しいか若干大きな径を有する。これにより、基板Ｗは、外縁部２１＿４内に受容されマスク部２２＿４Ｕに搭載される。基板Ｗの外縁は、外縁部２１＿４とマスク部２２＿４Ｕとの段差部近傍に位置する。
マスク部２２＿４Ｌは、マスク部２２＿４Ｕの下に設けられた座繰り部であり、基板Ｗの第１面Ｆ１（裏面）に直接は接触しないが、これをマスクする。マスク部２２＿４Ｌは、Ｘ方向の両端を除いて、基板Ｗの径と略等しいか若干大きな径を有する。これにより、基板Ｗは、外縁部２１＿４内に受容されマスク部２２＿４Ｌの上方に搭載される。
マスク部２２＿４Ｕ、２２＿４Ｌの±Ｘ方向の外側には、開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂが設けられている。開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂは、基板Ｗの第１面Ｆ１に対して略平行なＹ方向に延伸している。マスク部２２＿４Ｕ、２２＿４Ｌは、基板Ｗの第１面Ｆ１の中心部を被覆し、開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂは、基板Ｗの±Ｘ方向の両端部を露出している。
マスク部２２＿４Ｌ、２２＿４Ｕで被覆された基板Ｗの第１面Ｆ１における第１領域と開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂで露出された基板Ｗの第１面Ｆ１における第２領域との間において、マスク部２２＿４Ｌは、マスク部２２＿４Ｕよりも±Ｘ方向に突出している。即ち、第１領域と第２領域とを区画するマスク部２２＿４Ｌ、２２＿４Ｕの縁部で、マスク部２２＿４Ｌは、マスク部２２＿４Ｕよりも、開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂの延伸方向に対して略垂直方向（±Ｘ方向）に突出している。従って、図９に示すように、開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂ間におけるマスク部２２＿４Ｕ、２２＿４ＬのＸ方向の両縁部では、マスク部２２＿４Ｕとマスク部２２＿４Ｌとが段差部ＳＴを有する。段差部ＳＴでは、マスク部２２＿４Ｕはマスク部２２＿４Ｌよりも±Ｘ方向に窪んでいる。
マスク部２２＿４Ｌ、２２＿４Ｕには、装置１のリフトピンが通過するピンホールＰＨが設けられている。リフトピンは、基板Ｗをキャリアリング２０に搭載する際、あるいは、キャリアリング２０から搬送する際にピンホールＰＨを通過して基板Ｗをリフトするためのピンである。リフトピンがピンホールＰＨを通過することによって、キャリアリング２０上の基板Ｗを第１面Ｆ１側から突き上げて持ち上げることができる。キャリアリング２０＿４のその他の構成は、キャリアリング２０＿１～２０＿３のいずれかの構成と同様でよい。
（キャリアリング２０＿５）
図１０は、キャリアリング２０＿５の構成例を示す平面図である。図１１は、キャリアリング２０＿５の構成例を示す断面図である。図１１は、図１０の１１－１１線に沿った断面を示している。
キャリアリング２０の１つとしてのキャリアリング２０＿５は、基板Ｗの第１面Ｆ１に対して垂直方向（Ｚ方向）から見たときに、基板Ｗの直径と等しいかそれよりも大きな径を有する略円形の形状を有する。よって、基板Ｗをキャリアリング２０＿５に搭載したときに、Ｚ方向から見ると、キャリアリング２０＿５は基板Ｗに重複し、下部電極６０の外縁は基板Ｗの外縁よりも外側に位置する。
キャリアリング２０＿５は、外縁部２１＿５と、マスク部２２＿５Ｕ、２２＿５Ｌとを備える。外縁部２１＿５は、マスク部２２＿５Ｕ、２２＿５Ｌの外縁に設けられており、マスク部２２＿５Ｕ、２２＿５Ｌよりも厚く形成されている。
マスク部２２＿５Ｕは、基板Ｗを搭載する座繰り部であり、基板Ｗの第１面Ｆ１（裏面）に接触してこれをマスクする。マスク部２２＿５Ｕは、基板Ｗの径と略等しいか若干大きな径を有する。これにより、基板Ｗは、外縁部２１＿５内に受容されマスク部２２＿５Ｕに搭載される。基板Ｗの外縁は、外縁部２１＿５とマスク部２２＿５Ｕとの段差部近傍に位置する。
マスク部２２＿５Ｌは、マスク部２２＿５Ｕの下に設けられた座繰り部であり、基板Ｗの第１面Ｆ１（裏面）に直接は接触しないが、これをマスクする。マスク部２２＿５Ｌは、基板Ｗの径と略等しいか若干大きな径を有する。これにより、基板Ｗは、外縁部２１＿５内に受容されマスク部２２＿５Ｌの上方に搭載される。
キャリアリング２０＿５において、マスク部２２＿５Ｕ、２２＿５Ｌの中心部および±Ｘ方向の両端部を除いて、開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂが設けられている。開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂは、基板Ｗの第１面Ｆ１に対して略平行なＹ方向に延伸している。マスク部２２＿５Ｕ、２２＿５Ｌは、基板Ｗの第１面Ｆ１の中心部および±Ｘ方向の両端部（第１領域）を被覆している。開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂは、中心部および±Ｘ方向の両端部以外の基板Ｗの中間部（第２領域）を露出している。
マスク部２２＿５Ｌ、２２＿５Ｕで被覆された基板Ｗの第１面Ｆ１における第１領域と開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂで露出された基板Ｗの第１面Ｆ１における第２領域との間（第１領域と第２領域とを区画するマスク部２２＿５Ｌ、２２＿５Ｕの縁部）において、マスク部２２＿５Ｌは、マスク部２２＿５Ｕよりも±Ｘ方向および±Ｙ方向に突出している。即ち、開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂの周囲において、マスク部２２＿５Ｌは、マスク部２２＿５Ｕよりも、開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂの延伸方向（±Ｙ方向）に突出しており、かつ、開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂの延伸方向に対して略垂直方向（±Ｘ方向）に突出している。従って、図１０に示すように、開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂの周囲におけるマスク部２２＿５Ｕ、２２＿５Ｌの縁部では、マスク部２２＿５Ｕとマスク部２２＿５Ｌとが段差部ＳＴを有する。段差部ＳＴでは、マスク部２２＿５Ｕはマスク部２２＿５Ｌよりも±Ｙ方向および±Ｘ方向に窪んでいる。
リフトピンＰは、開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂ内を通過して、基板Ｗを持ち上げる。従って、マスク部２２＿５Ｌ、２２＿５Ｕには、ピンホールＰＨは設けられていない。キャリアリング２０＿５のその他の構成は、キャリアリング２０＿１～２０＿４のいずれかの構成と同様でよい。
キャリアリング２０としてキャリアリング２０＿５を用いた場合、基板Ｗの第１面Ｆ１は、キャリアリング２０＿５のマスク部２２＿５Ｌ、２２＿５Ｕによって被覆され、かつ、開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂから露出されている。よって、基板Ｗの第１面Ｆ１のうち開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂから露出された領域に材料膜ＴＦが形成される。基板Ｗの第１面Ｆ１のうちマスク部２２＿５Ｌ、２２＿５Ｕで被覆された領域には、材料膜ＴＦは形成されない。よって、図１０および図１１に示すキャリアリング２０＿５を用いて材料膜ＴＦを形成した場合、開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂに対応する基板Ｗの第１面Ｆ１に材料膜ＴＦが形成される。
次に、キャリアリング２０＿１～２０＿５を用いて、材料膜ＴＦを基板Ｗの第１面Ｆ１に形成する方法について説明する。
図１２Ａ～図１２Ｄは、一例としてキャリアリング２０＿５を用いた材料膜ＴＦの形成方法を示す断面図である。
装置１のチャンバ１０内において、図１２Ａに示すようにリフトピンＰ上に載置された基板Ｗは、リフトピンＰの下降によって、図１２Ｂに示すようにキャリアリング２０＿５のマスク部２２＿５Ｕ上に載置される。
次に、下部電極６０からプロセスガスを供給することによって、開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂから露出された基板Ｗの第１面Ｆ１に材料膜ＴＦが形成される。このとき、材料膜ＴＦは、下部電極６０に対向するマスク部２２＿５Ｌの裏面、および、開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂの内壁にも堆積される。開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂの内壁では、マスク部２２＿５Ｌ、２２＿５Ｕが段差部ＳＴを構成している。段差部ＳＴでは、マスク部２２＿５Ｕがマスク部２２＿５Ｌよりも±Ｘ方向に窪んでいる。また、マスク部２２＿５Ｕの厚みは、図１２Ｃに示すように、材料膜ＴＦがマスク部２２＿５Ｕの側壁にほとんど形成されないように薄くする。
マスク部２２＿５Ｌと基板Ｗとの間の間隔は、例えば、０．２ｍｍ～１．０ｍｍである。この場合、マスク部２２＿５Ｌと基板Ｗとの間の間隙には、プラズマによって電離されたプロセスガスは入り込まない。従って、材料膜ＴＦはマスク部２２＿５Ｕの側壁にはほとんど形成されない。
従って、材料膜ＴＦの形成後、基板Ｗの第１面Ｆ１に形成された材料膜ＴＦは、マスク部２２＿５Ｌに堆積された材料膜ＴＦとほぼ分離されている。これにより、図１２Ｄに示すように、基板ＷをリフトピンＰで持ち上げたときに、基板Ｗの第１面Ｆ１に材料膜ＴＦのバリが生じない。
一方、図１３Ａおよび図１３Ｂは、比較例を示す図である。比較例では、マスク部２２が開口部２３の内壁に段差部ＳＴを有さない。この場合、材料膜ＴＦは、図１３Ａに示すように、マスク部２２の裏面、開口部２３の内壁、および、基板Ｗの第１面Ｆ１に亘って連続的に形成される。
図１３Ｂに示すように、基板ＷをリフトピンＰで持ち上げたときに、基板Ｗの第１面Ｆ１の材料膜ＴＦの端部が、開口部２３の内壁に残置される材料膜ＴＦによって引っ張られてバリが発生する。材料膜ＴＦのバリは、その後の工程においてパーティクルの原因になり得る。
これに対し、本実施形態によるキャリアリング２０＿５は、開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂの内壁に段差部ＳＴを有するので、材料膜ＴＦの形成後、基板Ｗの材料膜ＴＦは、マスク部２２＿５Ｌに堆積された材料膜ＴＦとほぼ分離されている。これにより、基板ＷをリフトピンＰで持ち上げたときに、基板Ｗの第１面Ｆ１に材料膜ＴＦのバリが生じない。
ここで、基板Ｗの反りについて説明する。
図１４は、基板Ｗの反りとワード線ＷＬとの関係を示す概念図である。三次元型メモリセルアレイにおいて、ワード線ＷＬは、Ｚ方向に積層されており、Ｚ方向に延伸するスリット（図示せず）により電気的に分離されている。Ｚ方向から見た平面視において、スリットがＹ方向に延伸している場合、ワード線ＷＬも図１４に示すようにＹ方向に延伸する。
基板Ｗの反りは、ワード線ＷＬの延伸方向に依存する。例えば、ワード線ＷＬの延伸方向がＹ方向である場合、基板Ｗは、図１４に示すように、Ｙ方向の中心部において－Ｚ方向へ窪み、両端部において＋Ｚ方向へ上がっている。即ち、基板Ｗは、Ｙ方向の断面において、略Ｕ字状（椀型）に反っている。このような基板Ｗの反りは、半導体製造工程において基板Ｗの搬送に支障を来すおそれがある。また、基板Ｗの反りは、歩留まりの低下の原因となる。そこで、本実施形態では、基板Ｗの裏面に材料膜ＴＦを形成して、ワード線ＷＬによる基板Ｗの反りを矯正する。
図１５は、基板Ｗの第１面Ｆ１に材料膜ＴＦを形成したときの基板Ｗの反り量を示すグラフである。横軸は、材料膜ＴＦの厚みＴｔｆを示す。縦軸は、材料膜ＴＦによる基板Ｗの反り量を示す。基板Ｗの反り量は、基板Ｗの端部に対する中心部のＺ方向の位置を示す。従って、このグラフでは、＋Ｚ方向は、基板Ｗの中心部が端部よりも突出しており山型に凸状態になっていることを意味する。－Ｚ方向は、基板Ｗの中心部が端部よりも窪んでおり椀型に凹状態になっていることを意味する。また、図１６Ａおよび図１６Ｂは、基板Ｗの第１面Ｆ１に材料膜ＴＦを形成したときの基板Ｗの反りを示す概念図である。
材料膜ＴＦがシリコン窒化膜である場合、基板Ｗは、図１６Ａに示すように、その中心部が端部よりも突出して山型に反る。図１５に示すように、材料膜ＴＦ（シリコン窒化膜）の膜厚Ｔｔｆが厚くなると、基板Ｗの反り量は増大する。
材料膜ＴＦがシリコン酸化膜である場合、基板Ｗは、図１６Ｂに示すように、その中心部が端部よりも窪んで椀型に反る。図１５に示すように、材料膜ＴＦ（シリコン酸化膜）の膜厚Ｔｔｆが厚くなると、基板Ｗの反り量は増大する。
本実施形態では、図１５、図１６Ａおよび図１６Ｂに示す特性を用いて、図１４に示す基板Ｗの反りを矯正する。このために、基板Ｗの反り状態および反り量に応じた材料膜ＴＦを、基板Ｗの第１面Ｆ１に部分的に膜厚を相違させて形成する。
例えば、基板Ｗが椀型に反っている（基板Ｗの中心が基板Ｗの端部よりも下部電極６０に近い）場合、基板Ｗに逆の応力を印加するために、第１面Ｆ１にシリコン窒化膜を形成する。シリコン窒化膜は、例えば、プラズマＣＶＤ法で、プロセスガスとしてＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２、Ｎ２、Ａｒを含むガスを用いて形成される。即ち、基板Ｗの反りによって基板Ｗの中心が基板Ｗの端部よりも下部電極６０に近い場合、ガス導入部３０は、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｈ２、Ｎ２、Ａｒを含むプロセスガスをチャンバ１０に導入すればよい。
一方、基板Ｗが山型に反っている（基板Ｗの端部が基板Ｗの中心よりも下部電極６０に近い）場合、基板Ｗに逆の応力を印加するために、第１面Ｆ１にシリコン酸化膜を形成する。シリコン酸化膜は、例えば、プラズマＣＶＤ法で、プロセスガスとしてＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、Ｈ２、Ｎ２、Ａｒを含むガスを用いて形成される。即ち、基板Ｗの反りによって基板Ｗの端部が基板Ｗの中心よりも下部電極６０に近い場合、ガス導入部３０は、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、Ｈ２、Ｎ２、Ａｒを含むプロセスガスをチャンバ１０に導入すればよい。
例えば、図１４に示すように椀型に反った基板Ｗの場合、装置１は、材料膜ＴＦとしてシリコン窒化膜を基板Ｗの第１面（裏面）Ｆ１に堆積する。シリコン窒化膜を基板Ｗの第１面Ｆ１に堆積すると、基板Ｗは、図１６Ａに示すように椀型とは逆に山型に反るように応力を受ける。このとき、基板ＷのＹ方向における椀型の反りを効果的に矯正するために、材料膜ＴＦは、図１４のＸ方向における基板Ｗの中心部に、Ｙ方向に延伸するように比較的厚く形成されることが好ましい。さらに、材料膜ＴＦは、Ｘ方向における基板Ｗの中心線から離れるに従って次第に薄くなるように形成してよい。これにより、Ｘ方向における基板Ｗの中心線近傍において、基板Ｗの反りを比較的強く矯正し、基板Ｗの中心線から離れるに従って弱く矯正する。その結果、椀型に反った基板Ｗを平坦に近づくように効果的に矯正することができる。
例えば、装置１において、まず、図２および図３のキャリアリング２０＿１をチャンバ１０内に設置する。基板Ｗのワード線ＷＬの延伸方向（Ｙ方向）が図２の開口部２３＿１の延伸方向に略平行になるように、基板Ｗをキャリアリング２０＿１上に搭載する。次に、コントローラ１００は、所定の流量ＦＲ１でプロセスガスを導入して、このプロセスガスを下部電極６０から基板Ｗの第１面Ｆ１へ供給する。これにより、材料膜ＴＦは、開口部２３＿１に対応する基板Ｗの中心部において所定の厚みＴ１で形成され、それ以外の領域には形成されない。
次に、図４および図５のキャリアリング２０＿２をチャンバ１０内に設置する。基板Ｗのワード線ＷＬの延伸方向が開口部２３＿２の延伸方向（Ｙ方向）に略平行になるように、基板Ｗをキャリアリング２０＿２上に搭載する。次に、コントローラ１００は、所定の流量ＦＲ２でプロセスガスを導入して、このプロセスガスを下部電極６０から基板Ｗの第１面Ｆ１へ供給する。これにより、材料膜ＴＦは、開口部２３＿２に対応する基板Ｗの中心部において所定の厚みＴ２で形成され、それ以外の領域には形成されない。このとき、開口部２３＿１に対応する基板Ｗの領域の材料膜ＴＦは、Ｔ１＋Ｔ２の厚みとなる。
次に、図６および図７のキャリアリング２０＿３をチャンバ１０内に設置する。基板Ｗのワード線ＷＬの延伸方向が開口部２３＿３の延伸方向（Ｙ方向）に略平行になるように、基板Ｗをキャリアリング２０＿３上に搭載する。次に、コントローラ１００は、所定の流量ＦＲ３でプロセスガスを導入して、このプロセスガスを下部電極６０から基板Ｗの第１面Ｆ１へ供給する。これにより、材料膜ＴＦは、開口部２３＿３に対応する基板Ｗの中心部において所定の厚みＴ３で形成され、それ以外の領域には形成されない。このとき、開口部２３＿１に対応する基板Ｗの領域の材料膜ＴＦは、Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３の厚みとなる。開口部２３＿１以外の開口部２３＿２に対応する基板Ｗの領域の材料膜ＴＦは、Ｔ２＋Ｔ３の厚みとなる。
次に、図８および図９のキャリアリング２０＿４をチャンバ１０内に設置する。基板Ｗのワード線ＷＬの延伸方向が開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂの延伸方向（Ｙ方向）に略平行になるように、基板Ｗをキャリアリング２０＿４上に搭載する。次に、コントローラ１００は、所定の流量ＦＲ４でプロセスガスを導入して、このプロセスガスを下部電極６０から基板Ｗの第１面Ｆ１へ供給する。これにより、材料膜ＴＦは、開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂに対応する基板Ｗの両端部において所定の厚みＴ４で形成され、それ以外の領域には形成されない。このとき、開口部２３＿１～２３＿３に対応する基板Ｗの領域には、材料膜ＴＦは形成されない。従って、材料膜ＴＦの厚みは、開口部２３＿１に対応する基板Ｗの領域では、Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３のままである。開口部２３＿１以外の開口部２３＿２に対応する基板Ｗの領域の材料膜ＴＦは、Ｔ２＋Ｔ３の厚みのままである。さらに、開口部２３＿１、２３＿２以外の開口部２３＿３に対応する基板Ｗの領域の材料膜ＴＦは、Ｔ３の厚みとなる。
ここで、Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３＞Ｔ２＋Ｔ３＞Ｔ３＞Ｔ４とすると、材料膜ＴＦは、基板Ｗの中心部で厚く、±Ｘ方向の両端部へいくに従って薄くなる。このような材料膜ＴＦを基板Ｗの第１面Ｆ１に形成することによって、基板ＷのＹ方向に延伸するワード線ＷＬによる基板Ｗの反りを高精度かつ効果的に矯正または制御することができる。
本実施形態では、このように、図２～図９に示す４つのキャリアリング２０＿１～２０＿４を用いて材料膜ＴＦを、基板Ｗの第１面Ｆ１に部分的に厚みを変えて形成する。即ち、装置１は、開口部２３＿１～２３＿４のＸ方向における幅が互いに異なる４つのキャリアリング２０＿１～２０＿４を１セットとして備えている。
しかし、キャリアリング２０の種類または個数は、特に限定されず、３以下であってもよく、５以上であってもよい。また、マスク部２２の形状もキャリアリング２０＿１～２０＿４のマスク部２２＿１Ｕ～２２＿４Ｕ、２２＿１Ｌ～２２＿４Ｌの形状に限定されない。
例えば、図２および図３のキャリアリング２０＿１、図１０および図１１のキャリアリング２０＿５、図８および図９のキャリアリング２０＿４を用いて材料膜ＴＦを形成してもよい。
より詳細には、まず、図２および図３のキャリアリング２０＿１をチャンバ１０内に設置する。基板Ｗのワード線ＷＬの延伸方向が図２の開口部２３＿１の延伸方向（Ｙ方向）に略平行になるように、基板Ｗをキャリアリング２０＿１上に搭載する。次に、コントローラ１００は、所定の流量ＦＲ１でプロセスガスを導入して、このプロセスガスを下部電極６０から基板Ｗの第１面Ｆ１へ供給する。これにより、材料膜ＴＦは、開口部２３＿１に対応する基板Ｗの中心部において所定の厚みＴ１で形成され、それ以外の領域には形成されない。
次に、図１０および図１１のキャリアリング２０＿５をチャンバ１０内に設置する。基板Ｗのワード線ＷＬの延伸方向が開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂの延伸方向（Ｙ方向）に略平行になるように、基板Ｗをキャリアリング２０＿５上に搭載する。次に、コントローラ１００は、所定の流量ＦＲ５でプロセスガスを導入して、このプロセスガスを下部電極６０から基板Ｗの第１面Ｆ１へ供給する。これにより、材料膜ＴＦは、開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂに対応する基板Ｗの領域において所定の厚みＴ５で形成され、それ以外の領域には形成されない。即ち、開口部２３＿１に対応する基板Ｗの中心部には、材料膜ＴＦは形成されない。
次に、図８および図９のキャリアリング２０＿４をチャンバ１０内に設置する。基板Ｗのワード線ＷＬの延伸方向が開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂの延伸方向（Ｙ方向）に略平行になるように、基板Ｗをキャリアリング２０＿４上に搭載する。次に、コントローラ１００は、所定の流量ＦＲ４でプロセスガスを導入して、このプロセスガスを下部電極６０から基板Ｗの第１面Ｆ１へ供給する。これにより、材料膜ＴＦは、開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂに対応する基板Ｗの両端部において所定の厚みＴ４で形成され、それ以外の領域には形成されない。このとき、開口部２３＿１、２３＿５ａ、２３＿５ｂに対応する基板Ｗの領域には、材料膜ＴＦは形成されない。従って、材料膜ＴＦの厚みは、開口部２３＿１に対応する基板Ｗの領域では、Ｔ１のままである。開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂに対応する基板Ｗの領域の材料膜ＴＦは、Ｔ５の厚みのままである。さらに、開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂに対応する基板Ｗの領域の材料膜ＴＦは、Ｔ４の厚みとなる。
ここで、Ｔ１＞Ｔ５＞Ｔ４とすると、材料膜ＴＦは、基板Ｗの中心部で厚く、±Ｘ方向の両端部へいくに従って薄くなる。このように、３つのキャリアリング２０＿１、２０＿５、２０＿４を用いて材料膜ＴＦを基板Ｗの第１面Ｆ１に形成することによって、基板ＷのＹ方向に延伸するワード線ＷＬによる基板Ｗの反りが高精度かつ効果的に矯正または制御され得る。
（第２実施形態）
図１７～図２０は、第２実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿３、２０＿５の構成例を示す平面図である。尚、第２実施形態によるキャリアリング２０＿４は、図８および図９に示す構成と同じでよい。また、図１７～図２０の３－３線、５－５線、７－７線、１１－１１線に沿った断面は、それぞれ、図３、図５、図７、図１１に示す断面と同じでよい。
第２実施形態では、キャリアリング２０＿１～２０＿３、２０＿５の開口部２３＿１～２３＿３、２３＿５ａ、２３＿５ｂのＹ方向の両端部において、外縁部２１＿１の内縁部に、マスク部２２＿１Ｕ～２０＿３Ｕ、２２＿５Ｕの端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅが設けられている。しかし、端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅに対して開口部２３＿１～２３＿３、２３＿５ａ、２３＿５ｂ側へ突出するようなマスク部２２＿１Ｌ～２０＿３Ｌ、２２＿５Ｌの端部２２＿１Ｌｅ～２２＿５Ｌｅは設けられていない。即ち、開口部２３＿１～２３＿３、２３＿５ａ、２３＿５ｂのＹ方向の両端部近傍において、マスク部２２＿１Ｕ～２０＿３Ｕ、２２＿５Ｕとマスク部２２＿１Ｌ～２０＿３Ｌ、２２＿５Ｌとによる段差部ＳＴは設けられていない。尚、端部２２＿１Ｌｅ～２２＿５Ｌｅは、段差部ＳＴを構成しないものの、端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅに対して重複して設けられていてもよい。第２実施形態のキャリアリング２０＿１～２０＿３、２０＿５のその他の構成は、第１実施形態のそれらと同様でよい。
開口部２３＿１～２３＿３、２３＿５ａ、２３＿５ｂのＹ方向の両端部近傍において、段差部ＳＴが形成されない場合、基板Ｗの第１面Ｆ１に材料膜ＴＦを形成したときに、端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅに対応する基板Ｗの領域においてバリが残る場合がある。しかし、端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅに対応する基板Ｗの領域は、基板Ｗの外縁部であり、ベベルエッチング工程で材料膜ＴＦのバリを除去することができる。従って、第２実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿５で材料膜ＴＦを形成しても、その後、ベベルエッチング工程で材料膜ＴＦのバリを除去すればよい。これにより、第２実施形態は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
（第３実施形態）
図２１～図２４は、第３実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿３、２０＿５の構成例を示す平面図である。尚、第３実施形態によるキャリアリング２０＿４は、図８および図９に示す構成と同じでよい。また、図２１～図２４の３－３線、５－５線、７－７線、１１－１１線に沿った断面は、それぞれ、図３、図５、図７、図１１に示す断面と同じでよい。
第３実施形態では、キャリアリング２０＿１～２０＿３、２０＿５の開口部２３＿１～２３＿３、２３＿５ａ、２３＿５ｂのＹ方向の両端部において、外縁部２１＿１の内縁部に、マスク部２２＿１Ｕ～２０＿３Ｕ、２２＿５Ｕの端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅおよびマスク部２２＿１Ｌ～２０＿３Ｌ、２２＿５Ｌの端部２２＿１Ｌｅ～２２＿５Ｌｅのいずれも設けられていない。第３実施形態のキャリアリング２０＿１～２０＿３、２０＿５のその他の構成は、第１実施形態のそれらと同様でよい。
端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅおよび２２＿１Ｌｅ～２２＿５Ｌｅがない場合、基板Ｗの第１面Ｆ１に材料膜ＴＦを形成したときに、基板Ｗの側面のエッジ部に材料膜ＴＦが形成される場合がある。しかし、端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅに対応する基板Ｗの領域は、基板Ｗの外縁部であり、ベベルエッチング工程で不要な材料膜ＴＦを除去することができる。従って、第３実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿５で材料膜ＴＦを形成しても、その後、ベベルエッチング工程で材料膜ＴＦのバリを除去すればよい。これにより、第３実施形態は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
（第４実施形態）
図２５、図２７、図２９、図３１、図３３は、第４実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿５の構成例を示す平面図である。図２６、図２８、図３０、図３２、図３４は、第４実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿５の構成例を示す断面図である。図２５～図３４は、第４実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿５の構成例を示す図である。
第４実施形態では、マスク部２２＿１Ｕ～２２＿５Ｕは、それぞれキャリアリング２０＿１～２０＿５の外縁部２１＿１～２１＿５に沿って設けられている。即ち、マスク部２２＿１Ｕ～２２＿５Ｕは、開口部２３＿１～２３＿５ｂの縁部まで延伸しておらず、外縁部２１＿１～２１＿５の内縁部のみに設けられている。また、マスク部２２＿１Ｌ～２２＿５Ｌは、キャリアリング２０＿１～２０＿５の外縁部２１＿１～２１＿５によって囲まれた領域に部分的に設けられ、基板Ｗの第１面Ｆ１の±Ｘ方向の両端部および／または中心部（第１領域）を被覆する。従って、マスク部２２＿１Ｕ～２２＿５Ｕとマスク部２２＿１Ｌ～２２＿５Ｌとで構成される段差部ＳＴは、外縁部２１＿１～２１＿５に沿って設けられる。第４実施形態では、開口部２３＿１～２３＿３、２３＿５ａ、２３＿５ｂのＹ方向の両端部には、マスク部２２＿１Ｕ～２２＿３Ｕ、２２＿５Ｕの端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅが設けられている。
尚、図３１のキャリアリング２０＿４では、マスク部２２＿４Ｕは、キャリアリング２０＿４の外縁部２１＿４の全体に沿って設けられている。また、キャリアリング２０＿４は、Ｘ方向の両端部に複数の開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂを有する。マスク部２２＿４Ｌは、キャリアリング２０＿４の中心部（第１領域）に設けられ、マスク部２２＿４ＬのＸ方向の両側に設けられた開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂは、基板Ｗの第１面Ｆ１における第２領域を露出させる。開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂの縁部のうち、外縁部２１＿４に対応する部分には、マスク部２２＿４Ｕが設けられている。それ以外の開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂの縁部には、マスク部２２＿４Ｌが設けられている。以下、キャリアリング２０＿４では、Ｘ方向の両端部において、開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂに面した外縁部２１＿４の内縁部に設けられたマスク部２２＿４Ｕを端部２２＿４Ｕｅと呼ぶ。このように、マスク部２２＿４Ｌが基板Ｗの第１面Ｆ１を被覆する第１領域において、マスク部２２＿４Ｕは、開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂの縁部まで延伸しておらず、マスク部２２＿４Ｕの端部２２＿４Ｕｅが外縁部２１＿４の内縁部のみに設けられている。従って、開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂが設けられたＸ方向の両端部を除く外縁部２１＿４のＹ方向両側の内縁部において、マスク部２２＿４Ｕとマスク部２２＿４Ｌとで構成される段差部ＳＴが外縁部２１＿４に沿って設けられる。
第４実施形態のキャリアリング２０＿１～２０＿５のその他の構成は、第１実施形態のそれらと同様でよい。
第４実施形態では、段差部ＳＴが外縁部２１＿１～２１＿５に沿って設けられるが、基板Ｗをキャリアリング２０＿１～２０＿５に搭載したときに、基板Ｗとマスク部２２＿１Ｌ～２２＿５Ｌとの間隔は維持される。よって、第４実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿５を用いて、材料膜ＴＦを形成しても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
（第５実施形態）
図３５～図３９は、第５実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿５の構成例を示す平面図である。第５実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿５のそれぞれの断面は、図２６、図２８、図３０、図３２、図３４に示す断面に対応する。尚、キャリアリング２０＿４の断面は、図３２の構成から端部２２＿４Ｕｅを省略した断面となる。
第５実施形態は、第４実施形態と第３実施形態との組み合わせである。
第５実施形態では、キャリアリング２０＿１～２０＿５の開口部２３＿１～２３＿５ｂにおいて、Ｙ方向の両端部にあるマスク部２２＿１Ｕ～２２＿５Ｕの端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅが設けられていない。第５実施形態のキャリアリング２０＿１～２０＿３、２０＿５のその他の構成は、第４実施形態のそれらと同様でよい。
尚、図３８のキャリアリング２０＿４では、マスク部２２＿４Ｕは、キャリアリング２０＿４の外縁部２１＿４の一部に沿って設けられている。開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂに面した外縁部２１＿４には、マスク部２２＿４Ｕｅは、設けられていない。マスク部２２＿４Ｕは、キャリアリング２０＿４の外縁部２１＿４のうち、開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂ以外の部分に設けられている。図３８のキャリアリング２０＿４のそれ以外の構成は、図３１のキャリアリング２０＿４の構成と同様でよい。即ち、マスク部２２＿４Ｌが基板Ｗの第１面Ｆ１を被覆する第１領域において、マスク部２２＿４Ｕは、開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂの縁部まで延伸しておらず、外縁部２１＿４の内縁部のみに設けられている。従って、マスク部２２＿４Ｕとマスク部２２＿４Ｌとで構成される段差部ＳＴは、外縁部２１＿４に沿って設けられる。
端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅがない場合、基板Ｗの第１面Ｆ１に材料膜ＴＦを形成したときに、基板Ｗの側面のエッジ部に材料膜ＴＦが形成される場合がある。しかし、端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅに対応する基板Ｗの領域は、基板Ｗの外縁部であり、ベベルエッチング工程で不要な材料膜ＴＦを除去することができる。従って、第５実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿５で材料膜ＴＦを形成しても、その後、ベベルエッチング工程で材料膜ＴＦのバリを除去すればよい。これにより、第５実施形態は、第４実施形態と同様の効果を得ることができる。
（第６実施形態）
図４０、図４２、図４４、図４６、図４８は、第６実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿５の構成例を示す平面図である。図４１、図４３、図４５、図４７、図４９は、第６実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿５の構成例を示す断面図である。
第６実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿５は、それぞれ突起部２５＿１～２５＿５を備える。突起部２５＿１～２５＿５は、マスク部２２＿１Ｌ～２２＿５Ｌ上に分散して略均等に配置されている。
例えば、図４０～図４５のキャリアリング２０＿１～２０＿３では、突起部２５＿１～２５＿３が、２つずつ、開口部２３＿１～２３＿３を挟んで両側のマスク部２２＿１Ｌ上にアイランド状に配置される。突起部２５＿１～２５＿３は、Ｘ方向に延伸するキャリアリング２０＿１～２０＿３の中心軸上に、キャリアリング２０＿１～２０＿３および基板Ｗの中心からほぼ等しい距離に略均等に配置される。突起部２５＿１～２５＿３は、マスク部２２＿１Ｕ～２２＿３Ｕとほぼ同じ高さ（Ｚ方向の高さ）を有し、マスク部２２＿１Ｕ～２２＿３Ｕと同じ材料で構成されている。従って、突起部２５＿１～２５＿３は、基板Ｗがキャリアリング２０＿１～２０＿３上に載置されたときに、基板Ｗを第１面Ｆ１側から支持する。これにより、基板Ｗがマスク部２２＿１Ｌ～２２＿３Ｌに接触することを抑制でき、材料膜ＴＦにバリが発生することを抑制することができる。
図４６および図４７のキャリアリング２０＿４では、３つの突起部２５＿４が、開口部２３＿４ａ、２３＿４ｂの延伸方向（Ｙ方向）にマスク部２２＿４Ｌ上に配置される。突起部２５＿４は、Ｙ方向に延伸するキャリアリング２０＿４の中心軸上に、キャリアリング２０＿４および基板Ｗの中心および該中心からほぼ等しい距離に略均等に配置される。突起部２５＿４は、マスク部２２＿４Ｕとほぼ同じ高さ（Ｚ方向の高さ）を有し、マスク部２２＿４Ｕと同じ材料で構成されている。従って、突起部２５＿４は、基板Ｗがキャリアリング２０＿４上に載置されたときに、基板Ｗを第１面Ｆ１側から支持する。これにより、基板Ｗがマスク部２２＿４Ｌに接触することを抑制でき、材料膜ＴＦにバリが発生することを抑制することができる。
図４８および図４９のキャリアリング２０＿５では、５つの突起部２５＿５が、開口部２３＿５ａ、２３＿５ｂの延伸方向（Ｙ方向）および該延伸方向に直交する方向（Ｘ方向）にマスク部２２＿５Ｌ上に配置される。１つの突起部２５＿５は、キャリアリング２０＿５および基板Ｗの中心に配置される。４つの突起部２５＿５は、Ｘ方向に延伸するキャリアリング２０＿５の中心軸およびＹ方向に延伸するキャリアリング２０＿５の中心軸上に、キャリアリング２０＿５および基板Ｗの中心からほぼ等しい距離に略均等に配置される。突起部２５＿５は、マスク部２２＿５Ｕとほぼ同じ高さ（Ｚ方向の高さ）を有し、マスク部２２＿５Ｕと同じ材料で構成されている。従って、突起部２５＿５は、基板Ｗがキャリアリング２０＿５上に載置されたときに、基板Ｗを第１面Ｆ１側から支持する。これにより、基板Ｗがマスク部２２＿５Ｌに接触することを抑制でき、材料膜ＴＦにバリが発生することを抑制することができる。
第６実施形態のキャリアリング２０＿１～２０＿５の他の構成は、第４実施形態のそれらの構成と同様でよい。従って、第６実施形態は、第４実施形態の効果も得ることができる。
（第７実施形態）
図５０～図５４は、第７実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿５の構成例を示す平面図である。尚、図５０～図５４の４１－４１線、４３－４３線、４５－４５線、４７－４７線、４９－４９線に沿った断面は、それぞれ図４１、図４３、図４５、図４７、図４９に示す断面と同じでよい。
第７実施形態は、第６実施形態と第３実施形態との組み合わせである。
第７実施形態では、キャリアリング２０＿１～２０＿５の開口部２３＿１～２３＿５ｂにおいて、Ｙ方向の両端部にあるマスク部２２＿１Ｕ～２２＿５Ｕの端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅが設けられていない。第７実施形態のキャリアリング２０＿１～２０＿５のその他の構成は、第６実施形態のそれらと同様でよい。
端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅがない場合、基板Ｗの第１面Ｆ１に材料膜ＴＦを形成したときに、基板Ｗの側面のエッジ部に材料膜ＴＦが形成される場合がある。しかし、端部２２＿１Ｕｅ～２２＿５Ｕｅに対応する基板Ｗの領域は、基板Ｗの外縁部であり、ベベルエッチング工程で不要な材料膜ＴＦを除去することができる。従って、第５実施形態によるキャリアリング２０＿１～２０＿５で材料膜ＴＦを形成しても、その後、ベベルエッチング工程で材料膜ＴＦのバリを除去すればよい。これにより、第７実施形態は、第６実施形態と同様の効果を得ることができる。
第４～第７実施形態は、基板Ｗとマスク部２２＿１Ｕ～２２＿５Ｕとの接触面積が比較的小さく、基板Ｗの第１面Ｆ１の損傷を抑制することができる。
（実施形態の変形例）
図５５および図５６は、マスク部２２＿ｎＬ（ｎ＝１～５）の縁部の形状を示す断面図である。図５５に示すように、マスク部２２＿ｎＬの縁部は、開口部２３＿ｎ側に鋭角に尖っていてもよい。一方、図５６に示すように、マスク部２２＿ｎＬの縁部は、丸まっていてもよい。この場合、マスク部２２＿ｎＬの縁部からの異常放電が抑制され、装置１の部品の損傷、基板Ｗの損傷、材料膜ＴＦの成膜異常を抑制することができる。
図５７および図５８は、マスク部２２＿ｎＵの縁部の形状を示す断面図である。図５７に示すように、マスク部２２＿ｎＵの縁部は、開口部２３＿ｎ側に鋭角に尖っていてもよい。ここで、マスク部２２＿ｎＵの鋭角な先端は、マスク部２２＿ｎＬに接している。この場合、マスク部２２＿ｎＵの縁部からの異常放電を抑制することができ、装置１の部品の損傷、基板Ｗの損傷、材料膜ＴＦの成膜異常を抑制することができる。図５８に示すように、マスク部２２＿ｎＵの縁部は、丸まっていてもよい。この場合も、マスク部２２＿ｎＵの端部からの異常放電が抑制され、装置１の部品の損傷、基板Ｗの損傷、材料膜ＴＦの成膜異常を抑制することができる。
図５９は、マスク部２２＿ｎＵの基板搭載面の形状を示す断面図である。基板Ｗを搭載するマスク部２２＿ｎＵの表面は、エンボス加工されて凹凸状に形成されていてもよい。これにより、基板Ｗの第１面Ｆ１の損傷を抑制することができる。
（バッファ室および搬送装置を含む装置１全体の構成）
図６０は、バッファ室および搬送装置を含む装置１の一例を示す図である。複数のキャリアリング２０＿ｎ は、装置１のチャンバ１０に近接するバッファ室７内の載置台１５の上下方向に複数設けられた棚１６に保持される。バッファ室７の隣りには、搬送室８が設けられている。搬送装置１７は、基板Ｗの裏面側への材料膜ＴＦの形成に用いるキャリアリング２０＿ｎを搬送装置１７のアームに保持し、搬送室８とチャンバ１０との間のゲートバルブ１４を開いてチャンバ１０内に搬入する。任意のキャリアリング２０＿ｎを選択することで、基板Ｗに対する材料膜ＴＦの形成位置を変更することができる。つまり、基板Ｗの反りに応じた材料膜ＴＦを形成するために、任意のキャリアリング２０＿ｎを選択して取り出すことができる。バッファ室７および搬送室８は、気密に保持されている。
図１のコントローラ１００は、選択されたキャリアリング２０＿ｎを、搬送装置１７を用いてバッファ室７から取り出し、チャンバ１０に搬送するように制御する。コントローラ１００は、図示しない記憶部に記憶されたレシピを参照して、所定の順番でキャリアリング２０＿ｎ を搬送する。これにより、コントローラ１００は、キャリアリング２０＿１～２０＿４を順番にチャンバ１０に搬送することができ、材料膜ＴＦを形成することができる。あるいは、コントローラ１００は、キャリアリング２０＿１、２０＿５、２０＿４を順番にチャンバ１０に搬送することができ、材料膜ＴＦを形成することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
１ 半導体製造装置、１０ チャンバ、２０＿１～２０＿５ キャリアリング、２１＿１～２１＿５ 外縁部、２２＿１Ｌ～２２＿５Ｌ，２２＿１Ｕ～２２＿５Ｕ マスク部、２３＿１～２３＿５ 開口部、ＰＨ ピンホール、３０ ガス導入部、４０，５０ ガス分散板、 ６０ 下部電極、８０ 上部電極、９０ 支柱、１００ 制御部、１１０、１３０ ガス供給源、１２０、１４０ 配管

Claims (5)

  1. 処理容器と、
    前記処理容器内に設けられ、第１面と該第１面に対して反対側にある第２面とを有する基板を前記第１面側から保持する保持部であって、前記第１面の第１領域を被覆し、該第１領域以外の第２領域を露出するマスク部を含む保持部と、
    前記処理容器内にプロセスガスを導入するガス導入部と、
    前記保持部と前記ガス導入部との間に設けられ、前記基板の前記第１面へ前記プロセスガスを供給する第１電極と、
    前記基板の第２面側に設けられた第２電極であって、前記第１および第２電極の間で前記プロセスガスに電界を印加する第２電極とを備え、
    前記マスク部は、前記基板の前記第１面に接する第１層および該第１層より前記基板から離間した第２層を有し、前記第１層は、前記第１領域と前記第２領域とを区画する前記マスク部の縁部で前記第２層よりも前記第１領域へ向かう方向へ窪んでおり、
    前記保持部は、前記第２領域と対応して前記マスク部に設けられ、第１方向を長手方向とする開口部を有し、
    前記マスク部の前記第１層と前記第２層は、前記第１方向に対して略直交する第２方向における前記開口部の両側の外周に段差を構成しており、
    前記段差は、前記第１方向に延伸している、半導体製造装置。
  2. 処理容器と、
    前記処理容器内に設けられ、第１面と該第１面に対して反対側にある第２面とを有する基板を前記第１面側から保持する保持部であって、前記第１面の第１領域を被覆し、該第１領域以外の第２領域を露出するマスク部を含む保持部と、
    前記処理容器内にプロセスガスを導入するガス導入部と、
    前記保持部と前記ガス導入部との間に設けられ、前記基板の前記第１面へ前記プロセスガスを供給する第１電極と、
    前記基板の第２面側に設けられた第２電極であって、前記第１および第２電極の間で前記プロセスガスに電界を印加する第２電極とを備え、
    前記マスク部は、前記基板の前記第１面に接する第１層および該第１層より前記基板から離間した第２層を有し、
    前記第１層は、前記保持部の外縁の少なくとも一部に沿って設けられ、
    前記第２層は、前記保持部における前記外縁によって囲まれた領域に、前記第１領域と対応して部分的に設けられ、
    前記マスク部は、前記保持部の中心からほぼ等しい距離で第２層上に略均等に配置され、前記第１層とほぼ同じ高さを有する複数の突起部をさらに備える、半導体製造装置。
  3. 前記第１層と前記第２層は、段差を構成している、請求項２に記載の半導体製造装置。
  4. 複数の前記保持部を備え、
    前記複数の保持部のそれぞれの前記マスク部は、互いに異なる前記第１領域を被覆し、互いに異なる前記第２領域を露出する、請求項１または請求項２に記載の半導体製造装置。
  5. 前記複数の保持部は、前記第２領域と対応して前記マスク部に設けられ、第１方向を長手方向とする開口部を有し、
    前記複数の保持部のそれぞれの前記開口部は、前記第１方向に対して略直交する第２方向の幅が互いに異なる、請求項４に記載の半導体製造装置。
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