JP7787183B2 - 改善されたシールド構成を使用した基板の処理方法及び装置 - Google Patents

Description

［０００１］本開示の実施形態は、概して、基板の処理方法及び装置に関し、より詳細には、改善されたシールド構成を使用した基板の処理方法及び装置に関する。

［０００２］ターゲットの自己バイアスの大きさは、ターゲット及びアノード（シールド、ウエハ等）材料のスパッタリング速度に影響を与える。一般的に、ターゲットの負の自己バイアスを大きくするには、極端に広いチャンバ本体を使用してアノード面積を大きくする必要がある。しかし、このようなアプローチは、ＰＶＤチャンバの設置面積を増加させることにつながり得る。

［０００３］改善されたシールド構成を使用した基板の処理方法及び装置が本明細書で提供される。幾つかの実施形態では、物理的気相堆積チャンバで使用するためのプロセスキットは、物理的気相堆積チャンバに配置されたときにターゲットを取り囲むように構成された最内径を有する内壁を含むシールドであって、内径の平面積に対するシールドの表面積の比率は約３から約１０であるシールドを含む。

［０００４］少なくとも幾つかの実施形態によれば、基板処理装置は、その中に配置された基板支持体を有するチャンバ本体と、基板支持体に対向してチャンバ本体に結合されたターゲットと、チャンバ本体内にプラズマを形成するためのＲＦ電源と、物理的気相堆積チャンバに配置されたときにターゲットを取り囲むように構成された最内径を有する内壁を含むシールドとを含み、内径の平面積に対するシールドの表面積の比率は約３から約１０である。

［０００５］少なくとも幾つかの実施形態によれば、物理的気相堆積チャンバで使用するためのプロセスキットは、物理的気相堆積チャンバに配置されたときにターゲットを取り囲むように構成された最内径を有する内壁を含むシールドであって、内壁は、最上部から下方、外向き、下方、内向き、そして下方へと概ね９０°のインクリメントで延在する複数の交互の湾曲部であって、交互の湾曲部間で全体として概ねＣ字形状を形成する複数の交互の湾曲部、及びシールドの底部から上向きに延在して複数の垂直ウェルを画定する複数の間隔を空けて配置された同心壁のうちの１つを含む、シールドを含み、内径の平面積に対するシールドの表面積の比率は約３から約１０である。

［０００６］本開示の他のさらなる実施形態を以下に説明する。

［０００７］添付の図面に示す本開示の例示的な実施形態を参照することによって、上記に要約し、以下により詳細に説明する本開示の実施形態を理解することができる。しかし、添付の図面は本開示の典型的な実施形態を単に示すものであり、したがって、範囲を限定するものと見なすべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうるものである。

本開示の幾つかの実施形態に係るプロセスチャンバの概略断面図である。 本開示の幾つかの実施形態に係るシールド及びその周辺構造の断面図である。 本開示の幾つかの実施形態に係るシールド及びその周辺構造の断面図である。 本開示の幾つかの実施形態に係る図３のエリアの詳細を示す拡大図である。 本開示の幾つかの実施形態に係るシールド及びその周辺構造の断面図である。

［００１３］理解を容易にするために、可能な限り、図面共通の同一要素を示すのに同一の参照番号を使用している。図面は縮尺どおりには描かれておらず、わかりやすくするために簡略化されている場合がある。一実施形態の要素及び特徴は、更に詳述することなく、他の実施形態に有益に組み込まれ得ることが企図される。

［００１４］物理的気相堆積（ＰＶＤ）処理機器の改善のための方法及び装置が本明細書において提供される。ＰＶＤプロセスは、有利には、以下に説明するような高密度プラズマＰＶＤプロセスであってよい。本開示の少なくとも幾つかの実施形態では、改善された方法及び装置は、ターゲットから基板までの間隔を維持しながら接地シールドへの電位差を有利に低下させ、それによって接地シールドの再スパッタリングを低減又は排除してＰＶＤ処理を容易にし得る、ＰＶＤ処理装置用の接地シールドを提供する。例えば、シールドは、ＰＶＤチャンバに配置されたときにターゲットを取り囲むように構成された最内径を有する内壁を含み得る。内径の平面積に対するシールドの表面積の比率は約３から約１０である。

［００１５］図１は、本開示の幾つかの実施形態に係るプロセスチャンバ１００（例えば、基板処理装置）の概略断面図である。ＰＶＤチャンバの特定の構成は例示であり、他の構成を有するＰＶＤチャンバも、本明細書で提供される教示に従った修正の恩恵を受け得る。好適なＰＶＤチャンバの例としては、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から市販されているＰＶＤ処理チャンバのラインのいずれかが挙げられる。アプライドマテリアルズ社又は他のメーカーの他の処理チャンバも、本明細書に開示される本発明の装置から利益を得ることができる。

［００１６］本開示の幾つかの実施形態では、プロセスチャンバ１００は、チャンバ本体１０４の上に配置され、チャンバ本体１０４から取り外し可能なチャンバリッド１０１を含む。チャンバリッド１０１は概して、ターゲットアセンブリ１０２と接地アセンブリ１０３とを含む。チャンバ本体１０４は、その上に基板１０８を受け入れるための基板支持体１０６を含む。基板支持体１０６は、基板の中心がプロセスチャンバ１００の中心軸１８６にアライメントされるように基板を支持するように構成される。基板支持体１０６は、チャンバ本体１０４の壁であってよい下部接地エンクロージャ壁１１０内に位置し得る。下部接地エンクロージャ壁１１０は、ＲＦリターン経路がチャンバリッド１０１の上方に配置されたＲＦ電源１８２に提供されるように、チャンバリッド１０１の接地アセンブリ１０３に電気的に結合され得る。あるいは、基板支持体１０６からプロセスキットシールド（例えば、接地シールド（例えば、アノード））を経由し、最終的にチャンバリッド１０１の接地アセンブリ１０３に戻る等の、他のＲＦリターン経路も可能である。ＲＦ電源１８２は、以下に説明するように、ターゲットアセンブリ１０２にＲＦエネルギーを供給し得る。

［００１７］基板支持体１０６は、ターゲット１１４（例えば、基板支持体に対向するカソード）の主面に面する材料受容面を有し、ターゲット１１４の主面に対向する平面位置で、ターゲット１１４から射出された材料でスパッタコーティングされる基板１０８を支持する。基板支持体１０６は、その上に基板１０８を支持するための基板処理面１０９を有する誘電体部材１０５を含み得る。幾つかの実施形態では、基板支持体１０６は、誘電体部材１０５の下方に配置された１又は複数の導電性部材１０７を含み得る。例えば、誘電体部材１０５及び１又は複数の導電性部材１０７は、基板支持体１０６にチャッキング又はＲＦ電力を供給するために使用され得る静電チャック、ＲＦ電極等の一部であってよい。

［００１８］基板支持体１０６は、チャンバ本体１０４の第１の領域１２０で基板１０８を支持し得る。第１の領域１２０は、基板１０８の処理に使用されるチャンバ本体１０４の内部領域の一部であり、基板１０８の処理中に（例えば、シールド１３８を介して）内部領域の他の部分（例えば、非処理領域）から分離され得る。第１の領域１２０は、処理中の基板支持体１０６の上方（例えば、処理位置にあるときのターゲット１１４と基板支持体１０６との間）の領域として定義される。

［００１９］幾つかの実施形態では、基板支持体１０６は、基板１０８をチャンバ本体１０４の下部の開口部（図示しないスリットバルブ等）を通して基板支持体１０６上に移送し、その後処理位置まで上昇させることができるように、垂直方向に移動可能であってよい。チャンバ本体１０４の内部領域とチャンバ本体１０４の外部の大気との分離を維持するために、底部チャンバ壁１２４に接続されたベローズ１２２を設けることができる。ガス源１２６からマスフローコントローラ１２８を通してチャンバ本体１０４の下部内に１又は複数のガスを供給することができる。チャンバ本体１０４の内部を排気し、チャンバ本体１０４の内部を所望の圧力に維持しやすくするために、排気ポート１３０を設け、バルブ１３２を介してポンプ（図示せず）に結合させることができる。

［００２０］基板１０８に負のＤＣバイアスを誘導するために、ＲＦバイアス電源１３４を基板支持体１０６に結合させることができる。更に、幾つかの実施形態では、処理中に負のＤＣ自己バイアスが基板１０８上に形成され得る。幾つかの実施形態では、ＲＦバイアス電源１３４によって供給されるＲＦエネルギーは、約２ＭＨｚから約６０ＭＨｚの範囲の周波数であってよく、例えば、２ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、又は６０ＭＨｚ等の非限定的な周波数を使用することができる。他の用途では、基板支持体１０６は接地され得る、又は電気的に浮遊したままであってよい。代替的又は追加的に、ＲＦバイアス電力が望ましくない用途において、基板１０８上の電圧を調整するために、キャパシタンス調節器１３６を基板支持体１０６に結合され得る。

［００２１］シールド１３８（例えば、接地されたプロセスキットシールド）は、アルミニウム合金及びステンレス鋼のうちの少なくとも１つでできていてよく、チャンバ本体１０４の処理領域、すなわち第１の領域を取り囲んで、他のチャンバ構成要素を処理による損傷及び／又は汚染から保護する。幾つかの実施形態では、シールド１３８は、チャンバ本体１０４の上部接地エンクロージャ壁１１６のレッジ１４０に結合され得る。他の実施形態では、また図１に示すように、シールド１３８は、例えば保持リング（図示せず）を介してチャンバリッド１０１に結合され得る。

［００２２］シールド１３８は、ターゲット１１４と基板支持体１０６との間に配置された内壁１４３を備える。少なくとも幾つかの実施形態では、内壁１４３は、プロセスチャンバ１００に配置されたときにターゲット１１４を取り囲むように構成された最内径を有する。少なくとも幾つかの実施形態では、内径の平面積に対するシールド１３８の表面積の比率は、以下により詳細に説明するように、約３から約１０である。シールド１３８の高さは、ターゲット１１４と基板１０８との間の基板距離１８５に依存する。ターゲット１１４と基板１０８との間の基板距離１８５、及びそれに対応するシールド１３８の高さは、基板１０８の直径に基づいてスケーリングされる。幾つかの実施形態では、基板の直径に対するターゲット１１４の直径の比率は約１．４である。例えば、３００ｍｍの基板を処理するためのプロセスチャンバは、約４１９ｍｍの直径を有するターゲット１１４を有し得る、又は幾つかの実施形態では、４５０ｍｍの基板を処理するためのプロセスチャンバは、約６２５ｍｍの直径を有するターゲット１１４を有し得る。幾つかの実施形態では、シールド１３８の高さに対するターゲット１１４の直径の比は、約４．１から約４．３である、又は幾つかの実施形態では、約４．２である。例えば、３００ｍｍの基板を処理するためのプロセスチャンバの幾つかの実施形態では、ターゲット１１４は約４１９ｍｍの直径を有していてよく、シールド１３８は約１００ｍｍの高さを有していてよい、又は４５０ｍｍの基板を処理するためのプロセスチャンバの幾つかの実施形態では、ターゲット１１４は約６２５ｍｍの直径を有していてよく、シールド１３８は約１５０ｍｍの高さを有していてよい。所望の比率を得るために、他の直径及び高さを使用することも可能である。上記の比率を有するプロセスチャンバでは、ターゲット１１４と基板１０８との間の基板距離１８５は、３００ｍｍ基板では約５０．８ｍｍから約１５２．４ｍｍ、あるいは４５０ｍｍ基板では約１０１．６ｍｍから約２０３．２ｍｍである。上記の構成を有するプロセスチャンバを、本明細書では「短焦点（ショートスロー）」プロセスチャンバと称する。

［００２３］短焦点プロセスチャンバは、ターゲットから基板までの距離１８５が長いプロセスチャンバよりも堆積速度を有利に向上させる。例えば、幾つかのプロセスにおいて、ターゲットから基板までの距離１８５が長い従来のプロセスチャンバは、約１から約２オングストローム／秒の堆積速度を提供する。比較すると、短焦点プロセスチャンバにおける同様のプロセスにおいては、高いイオン化レベルを維持しながら、約５から約１０オングストローム／秒の堆積速度が得られる。幾つかの実施形態では、本開示の実施形態に係るプロセスチャンバは、約１０オングストローム／秒の堆積速度を提供し得る。このような短い間隔での高いイオン化レベルは、例えば約６０ミリトールから約１４０ミリトールの高い圧力、及び例えば約２７ＭＨｚから約１６２ＭＨｚの非常に高い駆動周波数、例えば２７．１２、４０．６８、６０、８１．３６、１００、１２２、又は１６２．７２ＭＨｚの容易に利用可能な周波数を提供することによって得ることができる。

［００２４］更に、電子はイオンよりも移動度が高く、それぞれの半サイクルの間、電極（例えば、カソード又は電源電極及びアノード又は接地電極）の両方は、蓄積した電子からの反発によって電極がもはや電子を引き寄せることができなくなるまで、迅速に電子を獲得する。負の半サイクルの間、両方の電極は正のイオンを引き寄せるが、イオンの移動度が低いため、電極は全ての電子を中和せず、プラズマに対して正味の負のバイアスを獲得する。

［００２５］本発明者らは、両電極（カソード（ターゲット）及びアノード（シールド、ウエハ、堆積リング、カバーリング等））の面積が同程度であれば、プラズマ中に生成されたイオンは、それぞれの負の半サイクルの間に等しい割合で両電極に向かって引き寄せられ、その結果、両電極から同程度の割合で材料がスパッタリングされることになることを見出した。しかし、ＲＦスパッタ堆積では、通常、ターゲットの面積は、アノード（シールド、ウエハ、堆積リング、カバーリング等）の面積よりも小さい方が好ましく（例えば、アノード側での堆積量を多くし、エッチングを少なくするのに役立つ）、その結果、負のバイアスの大きさが大きくなり、ターゲットに向かってイオンを加速する電場が大きくなる。したがって、シールド（アノード）に対するターゲット（カソード）の面積に応じて、ターゲットからの堆積（スパッタ堆積）又はアノード（ウエハ、シールド、堆積リング等）のエッチング（再スパッタリング）が行われる。

［００２６］シールド１３８の再スパッタリングは、プロセスチャンバ１００内の望ましくない汚染を引き起こす。シールド１３８の再スパッタリングは、シールド１３８上の高電圧の結果である。ターゲット１１４（例えば、カソード又は電源電極）及び接地されたシールド１３８（例えば、アノード又は接地電極）上に生じる電圧の量は、より小さい電極により大きい電圧が生じるため、ターゲット１１４の表面積に対するシールド１３８の表面積の比率に依存する。時には、ターゲット１１４の表面積がシールド１３８の表面積よりも大きい場合があり、その結果、シールド１３８により大きい電圧がかかり、ひいてはシールド１３８の望ましくない再スパッタリングが起こる。例えば、３００ｍｍの基板を処理するためのプロセスチャンバの幾つかの実施形態では、ターゲットは、約４１９ｍｍの直径と約１３８ｍｍ^２の対応する表面積を有していてよく、シールド１３８は、約１００ｍｍの高さと約１３２ｍｍ^２の対応する表面積を有していてよい、又は４５０ｍｍの基板を処理するためのプロセスチャンバの幾つかの実施形態では、ターゲットは、約６２５ｍｍの直径と約３０７ｍｍ^２の対応する表面積を有していてよく、シールド１３８は、約１５０ｍｍの高さと約２９５ｍｍ^２の対応する表面積を有していてよい。本発明者らは、ターゲット１１４の表面積に対するシールド１３８の表面積の比率が１未満であるプロセスチャンバの幾つかの実施形態では、より大きい電圧がシールド１３８にかかり、その結果、シールド１３８の望ましくない再スパッタリングが起こることを観察した。したがって、シールド１３８の再スパッタリングを有利に最小限に抑える又は防止するために、本発明者らは、シールド１３８の表面積をターゲット１１４の表面積よりも大きくする必要があることを観察した。例えば、本発明者らは、ターゲット１１４の表面積に対するシールド１３８の表面積の比率が約３から約１０であることが、シールド１３８の再スパッタリングを有利に最小限に抑える又は防止することを観察した。

［００２７］更に、本発明者らは、ターゲット１１４の表面積に対するシールド１３８の表面積の比率が約３から約１０であることで、ターゲット１１４において比較的高い負の自己バイアスが有利に得られることを観察した。例えば、ターゲット１１４における比較的高い負の自己バイアスは、動作中にターゲット１１４に向かってより多くの正のプラズマイオン（例えば、アルゴンイオン）を引き付け、その結果、ターゲットのスパッタリングを増加させ、シールド１３８、堆積リング（図示せず）、基板１０８、又は他の構成要素の再スパッタリング（例えば、エッチング）を減少させる。

［００２８］しかし、シールド１３８の表面積は、上述したように、シールド１３８の高さに対するターゲット１１４の直径の所望の比率に起因して、シールド１３８の高さを単に増加させることによって増加させることはできない。本発明者らは、上述した処理条件（例えば、使用されるプロセス圧力及びＲＦ周波数）を有するプロセスチャンバの幾つかの実施形態において、シールド１３８の再スパッタリングを有利に最小限に抑える又は防止するためには、シールド１３８の高さに対するシールド１３８の表面積の比率が約２から約３でなければならないことを観察した。更に、プロセスチャンバのサイズにおける物理的制約のために、シールド１３８の直径を十分に増加させてシールド１３８の表面積を増加させ、シールド１３８の再スパッタリングを防止することはできない。例えば、シールド１３８の直径を２５．４ｍｍ増加させても、表面積の増加はわずか６％であり、シールド１３８の再スパッタリングを防止するには不十分である。

［００２９］したがって、アノードのより大きい面積は、波状の構成（フィン付き又はフィンなし）を有するシールドを提供することによって達成され、したがって、ターゲット上の負の自己バイアスを増加させることによって高絶縁性の誘電体ターゲットの堆積を可能にする形状寸法が得られる。したがって、幾つかの実施形態では、図２に示すように、ターゲットの表面積に対するシールドの表面積の所望の比率を得るために、プロセスチャンバ１００と共に使用するように構成されたシールド２００は、物理的気相堆積チャンバに配置されたときにターゲットを取り囲むように構成された最内径Ｄ１を有する内壁２０３を含む。例えば、最内径Ｄ１を、ターゲットの直径よりも大きくすることができる。少なくとも幾つかの実施形態では、内径の平面積に対するシールドの表面積の比率は、約３から約１０（例えば、アノード対カソード比）である。

［００３０］例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、内壁２０３は、最上部から下方、外向き、下方、内向き、そして下方へと概ね９０°のインクリメントで延在する複数の交互の湾曲部２０８を含み、従って、交互の湾曲部２０８間で全体として概ねＣ字形状を形成する。複数の交互の湾曲部２０８は、２つの連続する湾曲部の断面に沿って見たときに丸い遷移部を有する垂直矩形波を形成する。少なくとも幾つかの実施形態では、複数の交互の湾曲部２０８は、互いに対称である。すなわち、全体として概ねＣ字形状は各々、同一の寸法を有する。あるいは、少なくとも幾つかの実施形態では、複数の交互の湾曲部２０８は、互いに非対称である。すなわち、全体として概ねＣ字形状は各々、異なる寸法を有し、例えば、内向きのＣ字形状は、外向きのＣ字形状が外側に延在するよりも更に内側に延在していてよく、その逆もまた同様である。

［００３１］内壁２０３は底部領域２１０を含む。底部領域２１０はシールド２００の全体面積に寄与し得る。例えば、底部領域２１０は、シールド２００の全体面積に約５０ｉｎ^２を追加し得る。少なくとも幾つかの実施形態では、複数の同心垂直フィン３００が底部領域２１０上又はその近傍に支持されている（図３及び図４）。複数の同心垂直フィン３００は、２つの連続する同心垂直フィンの断面に沿って見たときに、連続する同心垂直フィンが概ね形状を形成するように互いに接続されている（図４）。複数の同心垂直フィン３００は、シールド２００の全体面積を増加させるように構成される。少なくとも幾つかの実施形態では、複数の同心垂直フィン３００は、互いに約０．１５インチから約０．２インチの間隔を空けて配置され、少なくとも幾つかの実施形態では、複数の同心垂直フィン３００は、互いに約０．１７５インチの間隔を空けて配置される。

［００３２］複数の同心垂直フィン３００は、例えば、シールドの所望の全体面積に応じて、様々な寸法を有していてよい。例えば、複数の同心垂直フィン３００は、図４に示すように、交互の湾曲部間のＣ字形状全体にほぼ等しい高さ（例えば、０．５０インチから約１．１０インチ）を有していてよい。少なくとも幾つかの実施形態では、例えば、複数の同心垂直フィン３００は各々、約０．７０インチから約１．１０インチの高さを有していてよい。例えば、最も内側の同心垂直フィン３０２は、約１．０５インチの高さを有する凹部３１４（例えば、基板処理面１０９に近い部分）と、約１．００インチの高さを有する凸部３１６（例えば、基板処理面１０９から遠い部分）とを有していてよい。凹部３１４の高さは凸部３１６の高さよりわずかに高く、これは凹部３１４が垂直フィンの外側を画定し、凸部３１６が垂直フィンの内側を画定するからである。内側部分３１６は、同心垂直フィン３０４の同じく約１．００インチの高さを有する外側部分に対向して配置され、したがって、約１．００インチの深さを有するウェル３１８を形成する（例えば、ウェルの深さは、ウェルを画定する凹部／凸部によって画定される）。残りの同心垂直フィンの凹部／凸部は、その間に同様のウェルを形成していてよい。例えば、同心垂直フィン３０４の凸部は、各々が約１．００インチの高さを有する同心垂直フィン３０６の凹部に対向して配置され、約１．００インチの深さを有するウェル３１８を形成していてよい。

［００３３］実施形態では、同心垂直フィン３００の各々の間に形成されるウェルは、同じ深さ又は異なる深さを有していてよい。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、同心垂直フィン３０８の凹状の外側部分に対向して配置された同心垂直フィン３０６の凸部は各々、約０．７０インチの高さを有し、したがって、約０．７０インチの深さを有するウェル３１８（例えば、中間ウェル）を形成していてよい。図示の実施形態では、同心垂直フィン３１０の凸部及び同心垂直フィン３０８の凹部は、同心垂直フィン３０４の凸部３１６と凹部との間に形成されたウェルと同様のウェルを形成していてよい。更に、最も外側の同心垂直フィン３１２の凹部は、同心垂直フィン３１０の凸部の間に、同心垂直フィン３０４の凸部３１６と凹部との間に形成されるウェルと同様のウェルを形成していてよい。

［００３４］複数の同心垂直フィン３００は各々、約０．０４インチから約０．０６インチの厚さを有していてよく、複数の同心垂直フィン３００は各々、同じ厚さ又は異なる厚さを有していてよい。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、最も内側の同心垂直フィン３０２及び最も外側の同心垂直フィン３１２は、約０．０４インチの厚さを有していてよく、最も内側の同心垂直フィン３０２と最も外側の同心垂直フィン３１２との間に配置された同心垂直フィン３０４から～３１０は、約０．０６インチの厚さを有していてよい。

［００３５］複数の同心垂直フィン３００は、１又は複数の適切な結合装置、例えば、ねじ、ボルト、ナット等を使用して、基板支持体１０６の外周に載っている側面（例えば、カバーリング）に結合するように構成され得る。代替的又は追加的に、複数の同心垂直フィン３００は、１又は複数の適切な結合装置、例えば、ねじ、ボルト、ナット等を使用して、底部領域２１０に結合する（又はその上に載る）ように構成され得る。

［００３６］少なくとも幾つかの実施形態によれば、アノード対カソード比は、図２～図４のシールド２００の構成に基づいて変化し得る。例えば、図２に関して、シールド２００は、約３７０ｉｎ^２から約４７０ｉｎ^２の有効アノード面積（例えば、平面積）を有していてよく、ターゲット１１４は、約１３２ｉｎ^２から約１３５ｉｎ^２の有効カソード面積（例えば、平面積）を有していてよい（例えば、約２．７４から約３．５６のアノード対カソード比）。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、シールド２００は約３７０ｉｎ^２から約３８０ｉｎ^２の有効アノード面積を有していてよく、ターゲット１１４は約１３２ｉｎ^２から約１３５ｉｎ^２の有効アノード面積を有していてよい。

［００３７］更に、図３及び図４に関して、シールド２００及び同心垂直フィン３００の組み合わせは、約８００ｉｎ^２から約１３５０ｉｎ^２の有効アノード面積を提供することができ、ターゲット１１４は、これもまた約１３２ｉｎ^２から約１３５ｉｎ^２の有効アノード面積（例えば、約５．９０から約９．４６のアノード対カソード比）を有していてよい。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、シールド２００は、約３２０ｉｎ^２から約４２０ｉｎ^２の有効アノード面積を提供することができ、例えば、シールド２００の底部領域２１０の一部が、約４８０ｉｎ^２から約８７０ｉｎ^２の有効アノード面積を有し得る同心垂直フィン３００によって覆われているため、シールド２００は、わずかに小さい有効アノード面積を有し、したがって、全体の有効アノード面積は、約８００ｉｎ^２から約１３５０ｉｎ^２まで増加し得る。

［００３８］少なくとも幾つかの実施形態では、シールド５００は、シールド５００の底部から上方に延在して複数の垂直ウェル５０４を画定する複数の間隔を空けて配置された同心壁５０２を含む内壁を含み得る。少なくとも幾つかの実施形態では、複数の間隔を空けて配置された同心壁５０２の各々の高さは、最外壁５０６から最内壁５０８に向かって漸減する。例えば、最外壁５０６は、約３．７５インチから約４．２５インチの高さを有していてよく、少なくとも幾つかの実施形態では、約４．０インチの高さを有していてよい。壁５１０は、約３．２５インチから約３．７５インチの高さを有していてよく、少なくとも幾つかの実施形態では、約３．５インチの高さを有していてよい。壁５１２は、約２．７５インチから約３．２５インチの高さを有していてよく、少なくとも幾つかの実施形態では、約３．０インチの高さを有していてよい。壁５１４は、約２．２５インチから約２．７５インチの高さを有していてよく、少なくとも幾つかの実施形態では、約２．５インチの高さを有していてよい。最内壁５０８は、約１．７５インチから約２．２５インチの高さを有していてよく、少なくとも幾つかの実施形態では、約２．０インチの高さを有していてよい。

［００３９］同様に、最外壁５０６は、約１４．５５インチから約１５．０５インチの直径を有していてよく、少なくとも幾つかの実施形態では、約１４．８０インチの直径を有していてよい。壁５１０は、約１３．３５インチから約１３．８５インチの直径を有していてよく、少なくとも幾つかの実施形態では、約１３．６０インチの直径を有していてよい。壁５１２は、約１２．３５インチから約１３．８５インチの直径を有していてよく、少なくとも幾つかの実施形態では、約１２．６０インチの直径を有していてよい。壁５１４は、約１１．５５インチから約１２．０５インチの直径を有していてよく、少なくとも幾つかの実施形態では、約１１．８０インチの直径を有していてよい。最内壁５０８は、約１０．７５インチから約１１．２５インチの直径を有していてよく、少なくとも幾つかの実施形態では、約１１．００インチの直径を有していてよい。

［００４０］更に、図５に関して、シールド５００及び間隔を空けて配置された同心壁５０２は、約１０７５ｉｎ^２から約１２００ｉｎ^２の有効アノード面積を提供することができ、ターゲット１１４は、約１３２ｉｎ^２から約１３５ｉｎ^２の有効アノード面積（例えば、約８．００から約９．１０のアノード対カソード比）を有していてよい。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、シールド５００は、約１１１８ｉｎ^２から約１１９０ｉｎ^２の有効アノード面積を提供することができる。

［００４１］図１に戻ると、チャンバリッド１０１は、上部接地エンクロージャ壁１１６のレッジ１４０上に載っている。下部接地エンクロージャ壁１１０と同様に、上部接地エンクロージャ壁１１６は、上部接地エンクロージャ壁１１６とチャンバリッド１０１の接地アセンブリ１０３との間のＲＦリターン経路の一部を提供し得る。しかしながら、接地シールド１３８を介する等の他のＲＦリターン経路も可能である。

［００４２］上述したように、シールド１３８は、下方に延在し、第１の領域１２０を取り囲むように構成された１又は複数の側壁を含み得る。シールド１３８は、上側接地エンクロージャ壁１１６及び下側接地エンクロージャ壁１１０の壁に沿ってはいるが、それらから間隔を空けて基板支持体１０６の上面の下まで下方に延在し、基板支持体１０６の上面に達するまで上方に戻る（例えば、シールド１３８の底部にＵ字形部分を形成する）。

［００４３］第１のリング１４８（例えば、カバーリング）は、基板支持体１０６がその下側のロード位置（図示せず）にあるときには、Ｕ字形部分の上部に載っている（例えば、第１のリング１４８の第１の位置）が、基板支持体１０６が（図１に図示したように）その上側の堆積位置にあるときには、基板支持体１０６の外周上に載る（例えば、第１のリング１４８の第２の位置）ことにより、基板支持体１０６をスパッタ堆積から保護する。

［００４４］追加の誘電体リング１１１を使用して、基板１０８の周辺部を堆積から遮蔽することができる。例えば、追加の誘電体リング１１１は、図１に示すように、基板支持体１０６の周縁部の周りに、基板処理面１０９に隣接して配置され得る。

［００４５］第１のリング１４８は、シールド１３８の底部の内側の上方に延在するＵ字形部分の両側に、第１のリング１４８の下面から延在する突出部を含み得る。最も内側の突出部は、基板支持体が処理位置に移動する際に第１のリング１４８が第２の位置に移動するときに、第１のリング１４８をシールド１３８に対してアライメントさせるために基板支持体１０６と接合するように構成され得る。例えば、最も内側の突出部の基板支持体に面している面は、第１のリング１４８が第２の位置にあるときに基板支持体１０６の対応する面内に／上に載るように、テーパ状、ノッチ状等にすることができる。

［００４６］幾つかの実施形態では、基板支持体１０６とターゲット１１４との間に選択的に磁場を提供するために、磁石１５２がチャンバ本体１０４の周りに配置され得る。例えば、図１に示すように、磁石１５２は、処理位置にあるときの基板支持体１０６の真上の領域におけるエンクロージャ壁１１０の外側の周りに配置され得る。幾つかの実施形態では、磁石１５２は、追加的又は代替的に、上部接地エンクロージャ壁１１６に隣接する等の他の場所に配置され得る。磁石１５２は電磁石であってよく、電磁石によって生成される磁場の大きさを制御するための電源（図示せず）に結合され得る。

［００４７］チャンバリッド１０１は、概して、ターゲットアセンブリ１０２の周りに配置された接地アセンブリ１０３を含む。接地アセンブリ１０３は、ターゲットアセンブリ１０２の裏側に概ね平行し、対向していてよい第１の面１５７を有する接地プレート１５６を含み得る。接地シールド１１２は、接地プレート１５６の第１の面１５７から延在し、ターゲットアセンブリ１０２を取り囲んでいてよい。接地アセンブリ１０３は、接地アセンブリ１０３内でターゲットアセンブリ１０２を支持する支持部材１７５を含み得る。

［００４８］幾つかの実施形態では、支持部材１７５は、支持部材１７５の外周縁部に近接する接地シールド１１２の下方端部に結合されていてよく、半径方向内側に延在して、シールリング１８１、ターゲットアセンブリ１０２、及びオプションとして（例えば、シールド１３８とターゲットアセンブリ１０２との間に配置され得る、図示していない）暗部シールドを支持する。シールリング１８１は、ターゲットアセンブリ１０２及び支持部材１７５との接合を容易にするために、所望の断面を有するリング又は他の環形状であってよい。シールリング１８１は、セラミック等の誘電体材料でできていてよい。シールリング１８１は、ターゲットアセンブリ１０２を接地アセンブリ１０３から絶縁し得る。

［００４９］支持部材１７５は、シールド１３８及びターゲット１１４を収容するための中央開口部を有する概ね平面状の部材であってよい。幾つかの実施形態では、支持部材１７５の形状は、円形、又は円盤状であってよいが、その形状は、チャンバリッドの対応する形状及び／又はプロセスチャンバ１００で処理される基板の形状に応じて変更可能である。使用中、チャンバリッド１０１が開閉されるとき、支持部材１７５はシールド１３８をターゲット１１４に対して適切なアライメントに維持し、それによりチャンバの組立又はチャンバリッド１０１の開閉によるミスアライメントの危険性を最小限に抑える。

［００５０］ターゲットアセンブリ１０２は、ターゲット１１４の裏側に対向し、ターゲット１１４の周縁部に沿ってターゲット１１４に電気的に結合されたソース分配プレート１５８を含み得る。ターゲット１１４は、金属、金属酸化物、金属合金、磁性材料等の、スパッタリング中に基板１０８等の基板上に堆積されるソース材料１１３を含み得る。幾つかの実施形態では、ターゲット１１４は、ソース材料１１３を支持するためのバッキングプレート１６２を含み得る。バッキングプレート１６２は、銅－亜鉛、銅－クロム、又はターゲットと同じ材料等の導電性材料を含むことができ、これにより、ＲＦ、及びオプションとしてＤＣ電力が、バッキングプレート１６２を介してソース材料１１３に結合され得る。あるいは、バッキングプレート１６２は非導電性であってよく、電気フィードスルー等の導電性要素（図示せず）を含んでいてよい。

［００５１］導電性部材１６４は、ＲＦエネルギーをソース分配プレートからターゲット１１４の周縁部まで伝播させるために、ソース分配プレートとターゲット１１４の裏側との間に配置され得る。導電性部材１６４は、円筒形及び管状であってよく、ソース分配プレート１５８の周縁部に近接したソース分配プレート１５８のターゲットに面する面に結合された第１の端部１６６と、ターゲット１１４の周縁部に近接したターゲット１１４のソース分配プレートに面する面に結合された第２の端部１６８とを有する。幾つかの実施形態では、第２の端部１６８は、バッキングプレート１６２の周縁部に近接したバッキングプレート１６２のソース分配プレートに面する面に結合される。

［００５２］ターゲットアセンブリ１０２は、ターゲット１１４の裏側とソース分配プレート１５８との間に配置されたキャビティ１７０を含み得る。キャビティ１７０は、マグネトロンアセンブリ１９６を少なくとも部分的に収納することができる。キャビティ１７０は、導電性部材１６４の内面、ソース分配プレート１５８のターゲットに面する面、及びターゲット１１４（又はバッキングプレート１６２）のソース分配プレートに面する面（例えば、裏側）によって少なくとも部分的に画定される。幾つかの実施形態では、キャビティ１７０は、水（Ｈ_２Ｏ）等の冷却流体で少なくとも部分的に充填され得る。幾つかの実施形態では、仕切り（図示せず）を設けて、キャビティ１７０の所望の部分（図示した下部等）に冷却流体を封じ込め、冷却流体が仕切りの反対側に配置された構成要素に到達するのを防止することができる。

［００５３］接地プレート１５６と、ソース分配プレート１５８、導電性部材１６４、及びターゲット１１４（及び／又はバッキングプレート１６２）の外面との間には、絶縁間隙１８０が設けられている。絶縁間隙１８０は、空気、又はセラミック、プラスチック等の他の適切な誘電体材料で充填され得る。接地プレート１５６とソース分配プレート１５８との間の距離は、接地プレート１５６とソース分配プレート１５８との間の誘電体材料に依存する。誘電体材料が主に空気である場合、接地プレート１５６とソース分配プレート１５８との間の距離は約５から約４０ｍｍであることが好ましい。

［００５４］接地アセンブリ１０３及びターゲットアセンブリ１０２は、シールリング１８１によって、及び接地プレート１５６の第１の面１５７とターゲットアセンブリ１０２の裏側、例えばソース分配プレート１５８のターゲットに面していない側面との間に配置された絶縁体１６０のうちの１又は複数によって、電気的に分離され得る。

［００５５］ターゲットアセンブリ１０２は、電極１５４（例えば、ＲＦ供給構造）に接続されたＲＦ電源１８２を有する。ＲＦ電源１８２は、ＲＦジェネレータと、例えば動作中にＲＦジェネレータに反射して戻ってくる反射ＲＦエネルギーを最小限に抑えるための整合回路とを含み得る。例えば、ＲＦ電源１８２によって供給されるＲＦエネルギーは、約１３．５６ＭＨｚから約１６２ＭＨｚ又はそれ以上の周波数の範囲であってよい。例えば、１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚ、６０ＭＨｚ、又は１６２ＭＨｚ等の非限定的な周波数が使用され得る。

［００５６］幾つかの実施形態では、第２のエネルギー源１８３が、処理中にターゲット１１４に追加のエネルギーを提供するためにターゲットアセンブリ１０２に結合され得る。幾つかの実施形態では、第２のエネルギー源１８３は、例えば、ターゲット材料のスパッタリング速度（したがって、基板上の堆積速度）を高めるために、ＤＣエネルギーを提供するためのＤＣ電源であってよい。幾つかの実施形態では、第２のエネルギー源１８３は、例えば、ＲＦ電源１８２によって提供されるＲＦエネルギーの第１の周波数とは異なる第２の周波数のＲＦエネルギーを提供するための、ＲＦ電源１８２と同様の第２のＲＦ電源であってよい。第２のエネルギー源１８３がＤＣ電源である実施形態では、第２のエネルギー源は、電極１５４又は何らかの他の導電性部材等（ソース分配プレート１５８等）の、ＤＣエネルギーをターゲット１１４に電気的に結合させるのに適した任意の位置で、ターゲットアセンブリ１０２に結合され得る。第２のエネルギー源１８３が第２のＲＦ電源である実施形態では、第２のエネルギー源は、電極１５４を介してターゲットアセンブリ１０２に結合され得る。

［００５７］電極１５４は、円筒形であってよい、又はそうでなければ棒状であってよく、プロセスチャンバ１００の中心軸１８６にアライメントされ得る（例えば、電極１５４は、中心軸１８６と一致するターゲットの中心軸と一致する点において、ターゲットアセンブリに結合され得る）。プロセスチャンバ１００の中心軸１８６にアライメントされた電極１５４は、ＲＦ電源１８２からのＲＦエネルギーを非対称的にターゲット１１４に印加することを容易にする（例えば、電極１５４は、ＰＶＤチャンバの中心軸にアライメントされた「単一点」でＲＦエネルギーをターゲットに結合させ得る）。電極１５４の中心位置は、基板堆積プロセスにおける堆積の非対称性を排除又は低減するのに役立つ。電極１５４は任意の適切な直径を有していてよいが、電極１５４の直径が小さいほど、ＲＦエネルギー印加は精密に単一点に近づく。例えば、他の直径が使用され得るが、幾つかの実施形態では、電極１５４の直径は約０．５から約２インチであってよい。電極１５４は、概ね、ＰＶＤチャンバの構成に応じて任意の適切な長さを有していてよい。幾つかの実施形態では、電極は、約０．５から約１２インチの長さを有し得る。電極１５４は、アルミニウム、銅、銀等の任意の適切な導電性材料から作製され得る。

［００５８］電極１５４は、接地プレート１５６の開口部を通過して、ソース分配プレート１５８に結合され得る。接地プレート１５６は、アルミニウム、銅等の任意の適切な導電性材料を含み得る。１又は複数の絶縁体１６０間の空きスペースは、ソース分配プレート１５８の表面に沿ったＲＦ波の伝播を可能にする。幾つかの実施形態では、１又は複数の絶縁体１６０が、プロセスチャンバ１００の中心軸１８６に対して対称に位置決めされ得る。このような配置は、ソース分配プレート１５８の表面に沿って、ひいてはソース分配プレート１５８に結合されたターゲット１１４への対称的なＲＦ波伝播を促進し得る。ＲＦエネルギーは、少なくとも一部において電極１５４の中心位置に起因して、従来のＰＶＤチャンバと比較して、より対称的かつ均一な方法で提供され得る。

［００５９］マグネトロンアセンブリ１９６の１又は複数の部分が、少なくとも部分的にキャビティ１７０内に配置され得る。マグネトロンアセンブリは、プロセスチャンバ１０４内のプラズマ処理を支援するために、ターゲットに近接して回転磁場を提供する。幾つかの実施形態では、マグネトロンアセンブリ１９６は、モータ１７６、モータシャフト１７４、ギアボックス１７８、ギアボックスシャフト１８４、及び回転可能な磁石（例えば、磁石支持部材１７２に結合された複数の磁石１８８）を含み得る。

［００６０］マグネトロンアセンブリ１９６は、キャビティ１７０内で回転する。例えば、幾つかの実施形態では、磁石支持部材１７２を回転させるために、モータ１７６、モータシャフト１７４、ギアボックス１７８、及びギアボックスシャフト１８４が設けられ得る。幾つかの実施形態（図示せず）では、マグネトロン駆動シャフトがチャンバの中心軸に沿って配置されていてよく、ＲＦエネルギーは、異なる位置又は異なる方法でターゲットアセンブリに結合される。図１に示すように、幾つかの実施形態では、マグネトロンのモータシャフト１７４は、接地プレート１５６の中心から外れた開口部を貫通して配置され得る。接地プレート１５６から突出するモータシャフト１７４の端部は、モータ１７６に結合される。モータシャフト１７４は、更に、ソース分配プレート１５８（例えば、第１の開口部１４６）を貫通する対応する中心から外れた開口部を通して配置され、ギアボックス１７８に結合される。幾つかの実施形態では、１又は複数の第２の開口部１９８が、ソース分配プレート１５８に沿って軸対称のＲＦ分配を有利に維持するために、第１の開口部１４６に対して対称的な関係でソース分配プレート１５８を貫通して配置され得る。１又は複数の第２の開口部１９８はまた、センサ等のアイテムのキャビティ１７０へのアクセスを可能にするためにも使用され得る。

［００６１］ギアボックス１７８は、ソース分配プレート１５８の底面に結合される等、任意の適切な手段によって支持され得る。ギアボックス１７８は、ギアボックス１７８の少なくとも上面を誘電体材料で作製することによって、又はギアボックス１７８とソース分配プレート１５８との間に絶縁体層１９０を介在させること等によって、ソース分配プレート１５８から絶縁させることができる。ギアボックス１７８は更に、ギアボックスシャフト１８４を介して磁石支持部材１７２に結合され、モータ１７６によって提供される回転運動を磁石支持部材１７２（したがって、複数の磁石１８８）に伝達する。ギアボックスシャフト１８４は、有利には、プロセスチャンバ１００の中心軸１８６と一致していてよい。

［００６２］磁石支持部材１７２は、複数の磁石１８８を堅く支持するのに十分な機械的強度を提供するのに適した任意の材料でできていてよい。複数の磁石１８８は、本明細書で説明するように、ターゲットのより均一な全面侵食を提供するために、所望の形状及び強度を有する磁場を提供する任意の方法で構成することができる。

［００６３］あるいは、磁石支持部材１７２は、例えば、キャビティ１７０に存在する場合には冷却流体によって、磁石支持部材１７２及び取り付けられた複数の磁石１８８に引き起こされた抗力に打ち勝つのに十分なトルクを有する他の任意の手段によって回転させることができる。

［００６４］上記は本開示の実施形態を対象としたものであるが、本開示の他の及び更なる実施形態を、その基本的範囲から逸脱することなく考案することが可能である。

Claims (20)

1. 物理的気相堆積チャンバで使用するためのプロセスキットであって、
   前記物理的気相堆積チャンバに配置されたときにターゲットを取り囲むように構成された最内径を有する内壁を含むシールドであって、前記最内径の平面積に対する前記シールドの表面積の比率は３から１０である、シールド
   を備え、
   前記内壁は、第１のリングと係合するように配置された底部領域を含み、前記第１のリングは、該第１のリングが前記物理的気相堆積チャンバに配置され且つ基板支持体が下側の位置にあるときに、前記底部領域に載るように構成されており、
   前記基板支持体が上側の位置にあるときに前記基板支持体の外周上に載っている、前記第１のリングの側面と、前記基板支持体の外周より下の前記内壁の前記底部領域と、のうちの少なくとも１つに、複数の同心垂直フィンが結合されている、プロセスキット。
2. 前記シールドは、アルミニウム合金及びステンレス鋼のうちの少なくとも１つでできている、請求項１に記載のプロセスキット。
3. 前記内壁は、最上部から最下部まで概ね９０°ずつ下方、外向き、下方、内向き、そして下方へと延在する複数の交互の湾曲部を含み、前記複数の交互の湾曲部は、交互の湾曲部間で途切れることなく連続する壁を有する、全体として概ねＣ字形状を形成する、請求項１に記載のプロセスキット。
4. 前記複数の交互の湾曲部は、内向きのＣ字形状及び外向きのＣ字形状を有し、２つの連続する湾曲部の断面に沿って見たときに丸みを帯びた遷移部を有する垂直矩形波を形成する、請求項３に記載のプロセスキット。
5. 前記複数の交互の湾曲部は、互いに対称である、請求項３に記載のプロセスキット。
6. 前記複数の交互の湾曲部は、互いに非対称である、請求項３に記載のプロセスキット。
7. 前記複数の同心垂直フィンのうちの最も内側の同心垂直フィンは、前記最も内側の同心垂直フィンの外側を画定する凹部及び前記最も内側の同心垂直フィンの内側を画定する凸部を有し、前記凹部の高さは、前記凸部の高さより高い、請求項１から３のいずれか一項に記載のプロセスキット。
8. 前記複数の同心垂直フィンは、０．１５０インチから０．２インチの間隔を置いて配置される、請求項１から３のいずれか一項に記載のプロセスキット。
9. 前記複数の同心垂直フィンは、交互の湾曲部間のＣ字形状全体に等しい高さを有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のプロセスキット。
10. 前記複数の同心垂直フィンの各々の間に形成される複数の垂直ウェルは、同じ深さを有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のプロセスキット。
11. 前記複数の同心垂直フィンの各々の間に形成される複数の垂直ウェルは、異なる深さを有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のプロセスキット。
12. 基板処理装置であって、
    内部に配置された基板支持体を有するチャンバ本体と、
    前記基板支持体に対向して前記チャンバ本体に結合されたターゲットと、
    前記チャンバ本体内にプラズマを形成するためのＲＦ電源と、
    物理的気相堆積チャンバに配置されたときに前記ターゲットを取り囲むように構成された最内径を有する内壁を含むシールドであって、前記最内径の平面積に対する前記シールドの表面積の比率は３から１０である、シールドと
    を備え、
    前記内壁は、第１のリングと係合するように配置された底部領域を含み、前記第１のリングは、前記基板支持体が下側の位置にあるときに前記底部領域に載るように構成されており、
    前記基板支持体が上側の位置にあるときに前記基板支持体の外周上に載っている、前記第１のリングの側面と、前記基板支持体の外周より下の前記内壁の前記底部領域と、のうちの少なくとも１つに、複数の同心垂直フィンが結合されている、
    基板処理装置。
13. 前記シールドは、アルミニウム合金及びステンレス鋼のうちの少なくとも１つでできている、請求項１２に記載の基板処理装置。
14. 前記内壁は、最上部から最下部まで概ね９０°ずつ下方、外向き、下方、内向き、そして下方へと延在する複数の交互の湾曲部を含み、前記複数の交互の湾曲部は、交互の湾曲部間で途切れることなく連続する壁を有する、全体として概ねＣ字形状を形成する、請求項１２又は１３に記載の基板処理装置。
15. 前記複数の交互の湾曲部は、内向きのＣ字形状及び外向きのＣ字形状を有し、２つの連続する湾曲部の断面に沿って見たときに丸みを帯びた遷移部を有する垂直矩形波を形成する、請求項１４に記載の基板処理装置。
16. 前記複数の交互の湾曲部は、互いに対称である、請求項１４に記載の基板処理装置。
17. 前記複数の交互の湾曲部は、互いに非対称である、請求項１４に記載の基板処理装置。
18. 前記複数の同心垂直フィンのうちの最も内側の同心垂直フィンは、前記最も内側の同心垂直フィンの外側を画定する凹部及び前記最も内側の同心垂直フィンの内側を画定する凸部を有し、前記凹部の高さは、前記凸部の高さより高い、請求項１２に記載の基板処理装置。
19. 前記複数の同心垂直フィンは、０．１５０インチから０．２インチの間隔を空けて配置されている、請求項１２、１３、及び１８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
20. 物理的気相堆積チャンバで使用するためのプロセスキットであって、
    基板支持体を備える前記物理的気相堆積チャンバに配置されたときにターゲットを取り囲むように構成された最内径を有する内壁を含むシールドであって、前記内壁は、最上部から最下部まで概ね９０°ずつ下方、外向き、下方、内向き、そして下方へと延在する複数の交互の湾曲部を含み、前記複数の交互の湾曲部は、交互の湾曲部間で途切れることなく連続する壁を有する、全体として概ねＣ字形状を形成する、シールド
    を備え、
    前記最内径の平面積に対する前記シールドの表面積の比率は３から１０であり、
    前記内壁は、Ｕ字形状を有する底部領域を含み、
    複数の同心垂直フィンが、前記基板支持体の外周に載っている側面、及び前記基板支持体の外周より下の前記内壁の前記底部領域のうちの少なくとも１つに結合されている、プロセスキット。