JP7788084B2 - 有機デバイス、マスク群、マスク、及び有機デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本開示の実施形態は、有機デバイス、マスク群、マスク、及び有機デバイスの製造方法に関する。

近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の電子デバイスにおいて、高精細な表示装置が、市場から求められている。表示装置は、例えば、４００ｐｐｉ以上または８００ｐｐｉ以上等の画素密度を有する。

応答性の良さと、または／および消費電力の低さとを有するため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、画素を構成する材料を蒸着により基板に付着させる方法が知られている。例えば、まず、素子に対応するパターンで陽極が形成されている基板を準備する。続いて、マスクの貫通孔を介して有機材料を陽極の上に付着させることによって、陽極の上に有機層を形成する。続いて、マスクの貫通孔を介して導電性材料を有機層の上に付着させることによって、有機層の上に陰極を形成する。

特許第３５３９５９７号公報

陰極の面積が大きいほど、陰極の電気抵抗が低くなる。一方、陰極の面積が大きいほど、有機デバイスにおける光の透過率が低下する。

本開示の一実施形態による有機デバイスは、基板と、前記基板上に位置する第１電極と、前記第１電極上に位置する有機層と、前記有機層上に位置する第２電極と、を備えていてもよい。前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１占有率を有する前記第２電極を含む第１表示領域と、前記第１占有率よりも小さい第２占有率を有する前記第２電極を含む第２表示領域と、を備えていてもよい。前記第２表示領域は、前記第２電極と、平面視において前記第２電極によって囲まれている透過領域と、を含んでいてもよい。前記透過領域は、第１透過領域と、第２電極を挟んで前記第１透過領域に隣接する第２透過領域と、を含んでいてもよい。前記第１透過領域は、第１形状を有し、前記第２透過領域は、前記第１形状とは異なる第２形状を有していてもよい。

本開示の一実施形態によれば、有機デバイスにおける光の透過率を高めることができる。

本開示の一実施形態による有機デバイスの一例を示す平面図である。 有機デバイスの第２表示領域を示す平面図である。 第２表示領域の第２電極の一例を示す平面図である。 第２表示領域の透過領域の分類の仕方の一例を示す平面図である。 画素群の一例を示す平面図である。 第２電極の枝電極の一例を示す平面図である。 図３の有機デバイスにおいて符号VIIが付された二点鎖線で囲まれた領域を示す平面図である。 図７の有機デバイスから第２電極を取り除いた状態を示す平面図である。 図７の有機デバイスのＡ－Ａ線に沿った断面図である。 図７の有機デバイスのＢ－Ｂ線に沿った断面図である。 マスク装置を備えた蒸着装置の一例を示す図である。 マスク装置の一例を示す平面図である。 マスク装置のマスクを示す平面図である。 第１マスク装置及び第２マスク装置を示す図である。 マスクの断面構造の一例を示す図である。 第１マスクの一例を示す平面図である。 第２マスクの一例を示す平面図である。 マスク積層体の一例を示す平面図である。 マスク積層体の重なり領域の分類の仕方の一例を示す平面図である。 重なり領域の枝領域の一例を示す平面図である。 参考の形態に係る第２表示領域の一例を示す平面図である。 第２表示領域の一例を示す平面図である。 マスク積層体の一例を示す平面図である。 第１マスクの一例を示す平面図である。 第２マスクの一例を示す平面図である。 第３マスクの一例を示す平面図である。 第２表示領域の一例を示す平面図である。 マスク積層体の一例を示す平面図である。 第１マスクの一例を示す平面図である。 第２マスクの一例を示す平面図である。 例１に係る第２電極を示す平面図である。 第２電極の回折特性の評価方法を示す図である。 例１の第２電極の評価結果を示す図である。 例１の第２電極の評価結果を示す図である。 例２に係る第２電極を示す平面図である。 例２の第２電極の評価結果を示す図である。 例２の第２電極の評価結果を示す図である。 有機デバイスの一例を示す平面図である。 第２表示領域の一例を示す平面図である。 抑制層を形成するためのマスクの一例を示す平面図である。 抑制層を形成する工程の一例を示す断面図である。 第２電極を形成するためのマスクの一例を示す平面図である。 第２電極を形成する工程の一例を示す断面図である。 第２電極を形成する工程の一例を示す断面図である。 第２電極を除去する工程の一例を示す断面図である。 例３に係る第２電極を示す平面図である。 例４に係る第２電極を示す平面図である。 例５に係る第２電極を示す平面図である。 例６に係る第２電極を示す平面図である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などのある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみによっては互いから区別されない。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含めて解釈する。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

本明細書および本図面において、本開示の実施形態は、特別な説明が無い限りは、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられてもよい。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「～」という記号によって表現される範囲は、「～」という符号の前後に置かれた数値や要素を含んでいる。例えば、「３４～３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。例えば、「マスク５０Ａ～５０Ｂ」という表現によって画定される範囲は、マスク５０Ａ及びマスク５０Ｂを含んでいる。

本明細書の一実施形態においては、複数のマスクを備えるマスク群が、有機ＥＬ表示装置を製造する際に電極を基板上に形成するために用いられる例について説明する。ただし、マスク群の用途が特に限定されることはなく、種々の用途に用いられるマスク群に対し、本実施形態を適用することができる。例えば、仮想現実いわゆるＶＲや拡張現実いわゆるＡＲを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置の電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。また、液晶表示装置の電極などの、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置の電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。また、圧力センサの電極などの、表示装置以外の有機デバイスの電極を形成するために、本実施形態のマスク群を用いてもよい。

本開示の第１の態様は、有機デバイスであって、
基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記第１電極上に位置する有機層と、
前記有機層上に位置する第２電極と、を備え、
前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１占有率を有する前記第２電極を含む第１表示領域と、前記第１占有率よりも小さい第２占有率を有する前記第２電極を含む第２表示領域と、を備え、
前記第２表示領域は、前記第２電極と、平面視において前記第２電極によって囲まれている透過領域と、を含み、
前記透過領域は、第１透過領域と、前記第２電極を挟んで前記第１透過領域に隣接する第２透過領域と、を含み、
前記第１透過領域は、第１形状を有し、
前記第２透過領域は、前記第１形状とは異なる第２形状を有する、有機デバイスである。

本開示の第２の態様は、上述した第１の態様による有機デバイスにおいて、前記第１透過領域の面積は、前記第２透過領域の面積とは異なっていてもよい。

本開示の第３の態様は、上述した第１の態様または上述した第２の態様のいずれかによる有機デバイスにおいて、前記透過領域は、前記第２電極を挟んで前記第１透過領域及び前記第２透過領域に隣接する第３透過領域を含んでいてもよい。前記第３透過領域は、前記第１形状及び前記第２形状とは異なる第３形状を有していてもよい。

本開示の第４の態様は、上述した第１の態様から上述した第３の態様のそれぞれによる有機デバイスにおいて、前記透過領域は、前記第２電極を挟んで前記第１透過領域及び第２透過領域に隣接する第４透過領域を含んでいてもよい。前記第４透過領域は、前記第１形状及び前記第２形状とは異なる第４形状を有していてもよい。

本開示の第５の態様は、上述した第１の態様から上述した第４の態様のそれぞれによる有機デバイスにおいて、８０％以上の前記透過領域が、前記第１透過領域に該当してもよい。

本開示の第６の態様は、上述した第１の態様から上述した第５の態様のそれぞれによる有機デバイスにおいて、前記第２表示領域は、８０％以上の第１分断率を有していてもよい。前記第１分断率は、４つの前記有機層を含む画素群の個数の合計に対する、第１分断数の百分率であり、前記第１分断数は、分断画素群の個数であり、前記分断画素群の４つの前記有機層を結ぶ経路は、前記透過領域を部分的に含んでいてもよい。

本開示の第７の態様は、上述した第１の態様から上述した第６の態様のそれぞれによる有機デバイスにおいて、前記第２表示領域において、前記第２電極は、幹電極と、前記幹電極に接続されている枝電極と、を含んでいてもよい。前記枝電極は、電極第１方向における２つの第１電極端と、前記電極第１方向に交差する電極第２方向における１つの第２電極端と、を含んでいてもよい。前記２つの第１電極端及び前記１つの第２電極端は前記透過領域に接していてもよい。

本開示の第８の態様は、上述した第７の態様による有機デバイスにおいて、前記第２電極は、第１層及び第２層を含んでいてもよい。前記第１表示領域は、素子第２方向に沿って第２３周期で並ぶ電極重なり領域を含んでいてもよい。前記電極重なり領域は、平面視において前記第１層及び前記第２層を含んでいてもよい。前記第１電極端の幅は、前記第２３周期の０．４倍以上であってもよい。

本開示の第９の態様は、上述した第７の態様または上述した第８の態様のいずれかによる有機デバイスにおいて、前記第２電極は、第１層及び第２層を含んでいてもよい。前記第１表示領域は、素子第１方向に沿って第１３周期で並ぶ電極重なり領域を含んでいてもよい。前記電極重なり領域は、平面視において前記第１層及び前記第２層を含んでいてもよい。前記第２電極端の幅は、前記第１３周期の０．４倍以上であってもよい。

本開示の第１０の態様は、マスク群であって、
２枚以上のマスクを備え、
前記マスクは、遮蔽領域及び貫通孔を備え、
２枚以上の前記マスクが重ねられたマスク積層体は、前記マスクの法線方向に沿って見た場合に前記貫通孔に重なる貫通領域を備え、
前記マスクの法線方向に沿って見た場合、前記マスク積層体は、第１開口率を有する前記貫通領域を含むマスク第１領域と、前記第１開口率よりも小さい第２開口率を有する前記貫通領域を含むマスク第２領域と、を備え、
前記マスク第２領域は、前記貫通領域と、平面視において前記貫通領域によって囲まれている重なり領域と、を含み、
前記重なり領域は、平面視において、２枚以上の前記マスクの前記遮蔽領域を含み、
前記重なり領域は、第１重なり領域と、前記貫通領域を挟んで前記第１重なり領域に隣接する第２重なり領域と、を含み、
前記第１重なり領域は、第１マスク形状を有し、
前記第２重なり領域は、前記第１マスク形状とは異なる第２マスク形状を有する、マスク群である。

本開示の第１１の態様は、上述した第１０の態様によるマスク群において、前記第１重なり領域の面積は、前記第２重なり領域の面積とは異なっていてもよい。

本開示の第１２の態様は、上述した第１０の態様または上述した第１１の態様のいずれかによるマスク群において、前記重なり領域は、前記貫通領域を挟んで前記第１重なり領域及び前記第２重なり領域に隣接する第３重なり領域を含んでいてもよい。前記第３重なり領域は、前記第１マスク形状及び前記第２マスク形状とは異なる第３マスク形状を有していてもよい。

本開示の第１３の態様は、上述した第１０の態様から上述した第１２の態様のそれぞれによるマスク群において、前記重なり領域は、前記貫通領域を挟んで前記第１重なり領域及び前記第２重なり領域に隣接する第４重なり領域を含んでいてもよい。前記第４重なり領域は、前記第１マスク形状及び前記第２マスク形状とは異なる第４マスク形状を有していてもよい。

本開示の第１４の態様は、上述した第１０の態様から上述した第１３の態様のそれぞれによるマスク群において、８０％以上の前記重なり領域が、前記第１重なり領域に該当してもよい。

本開示の第１５の態様は、上述した第１０の態様から上述した第１４の態様のそれぞれによるマスク群において、前記マスク第２領域において、前記貫通領域は、幹領域と、前記幹領域に接続されている枝領域と、を含んでいてもよい。前記枝領域は、孔第１方向における２つの第１領域端と、前記孔第１方向に交差する孔第２方向における１つの第２領域端と、を含んでいてもよい。前記２つの第１領域端及び前記１つの第２領域端は前記重なり領域に接していてもよい。

本開示の第１６の態様は、上述した第１５の態様によるマスク群において、前記マスク第１領域は、マスク第２方向に沿って第２７周期で並ぶ孔重なり領域を含んでいてもよい。前記孔重なり領域は、平面視において、２枚以上の前記マスクの前記貫通孔を含んでいてもよい。前記第１領域端の幅は、前記第２７周期の０．４倍以上であってもよい。

本開示の第１７の態様は、上述した第１５の態様または上述した第１６の態様のいずれかによるマスク群において、前記マスク第１領域は、マスク第１方向に沿って第１７周期で並ぶ孔重なり領域を含んでいてもよい。前記孔重なり領域は、平面視において、２枚以上の前記マスクの前記貫通孔を含んでいてもよい。前記第２領域端の幅は、前記第１７周期の０．４倍以上であってもよい。

本開示の第１８の態様は、マスク第３方向と、マスク第３方向に交差するマスク第４方向とを有するマスクであって、
遮蔽領域と、貫通孔とを備え、
前記マスクの法線方向に沿って見た場合、前記マスクは、第３開口率を有する前記貫通孔を含むマスク第３領域と、前記第３開口率よりも小さい第４開口率を有する前記貫通孔を含むマスク第４領域と、を備え、
前記マスク第３領域において、前記貫通孔は、前記マスク第３方向に第３５周期で並び、
前記マスク第４領域において、前記マスク第３方向において並ぶ２つの前記貫通孔の中心点の間の距離の平均値は、前記第３５周期の１．１倍以上である、マスクである。

本開示の第１９の態様は、上述した第１８の態様によるマスクにおいて、前記マスク第４領域において、前記マスク第３方向において並ぶ２つの前記貫通孔の中心点の間の距離の標準偏差は、前記第３５周期の０．２倍以上であってもよい。

本開示の第２０の態様は、有機デバイスの製造方法であって、
基板上の第１電極上の有機層上に、上記記載のマスク群を用いて第２電極を形成する第２電極形成工程を備え、
前記第２電極形成工程は、
第１の前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第１層を形成する工程と、
第２の前記マスクを用いる蒸着法によって前記第２電極の第２層を形成する工程と、を備える、有機デバイス製造方法である。

本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。

まず、有機デバイス１００について説明する。有機デバイス１００は、本実施形態のマスク群を用いることにより形成される電極を備える。図１は、有機デバイス１００の基板の法線方向に沿って見た場合の有機デバイス１００の一例を示す平面図である。以下の説明において、基板などの基礎となる物質の面の法線方向に沿って見ることを、平面視とも称する。

有機デバイス１００は、基板と、基板の面内方向に沿って並ぶ複数の素子１１５と、を含む。素子１１５は、例えば画素である。有機デバイス１００は、図１に示すように、平面視において第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２を含んでいてもよい。第２表示領域１０２は、第１表示領域１０１よりも小さい面積を有していてもよい。図１に示すように、第２表示領域１０２は、第１表示領域１０１によって囲まれていてもよい。図示はしないが、第２表示領域１０２の外縁の一部が、第１表示領域１０１の外縁の一部と同一直線上に位置していてもよい。

図２は、図１の第２表示領域１０２及びその周囲を拡大して示す平面図である。第１表示領域１０１において、素子１１５は、異なる２方向に沿って並んでいてもよい。図１及び図２に示す例において、第１表示領域１０１の２つ以上の素子１１５は、素子第１方向Ｇ１に沿って並んでいてもよい。第１表示領域１０１の２つ以上の素子１１５は、素子第１方向Ｇ１に交差する素子第２方向Ｇ２に沿って並んでいてもよい。素子第２方向Ｇ２は、素子第１方向Ｇ１に直交していてもよい。

有機デバイス１００は、第２電極１４０を備える。第２電極１４０は、後述する有機層１３０の上に位置している。第２電極１４０は、２つ以上の有機層１３０に電気的に接続されていてもよい。例えば、第２電極１４０は、平面視において２つ以上の有機層１３０に重なっていてもよい。第１表示領域１０１に位置する第２電極１４０を、第２電極１４０Ｘとも表す。第２表示領域１０２に位置する第２電極１４０を、第２電極１４０Ｙとも表す。

第２電極１４０Ｘは第１占有率を有する。第１占有率は、第１表示領域１０１に位置する第２電極１４０の面積の合計を、第１表示領域１０１の面積で割ることによって算出される。第２電極１４０Ｙは第２占有率を有する。第２占有率は、第２表示領域１０２に位置する第２電極１４０の面積の合計を、第２表示領域１０２の面積で割ることによって算出される。第２占有率は、第１占有率よりも小さくてもよい。例えば図２に示すように、第２表示領域１０２は、非透過領域１０３及び透過領域１０４を含んでいてもよい。透過領域１０４は、平面視において第２電極１４０Ｙと重なっていない。透過領域１０４は、平面視において第２電極１４０Ｙによって囲まれていてもよい。非透過領域１０３は、平面視において第２電極１４０Ｙと重なっている。

第１占有率に対する第２占有率の比は、例えば、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。第１占有率に対する第２占有率の比は、例えば、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８以下でもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．７及び０．８からなる第２グループによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１占有率に対する第２占有率の比は、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよい。

非透過領域１０３の透過率を、第１透過率とも称する。透過領域１０４の透過率を、第２透過率とも称する。透過領域１０４が第２電極１４０Ｙを含まないので、第２透過率が第１透過率よりも高い。このため、透過領域１０４を含む第２表示領域１０２においては、有機デバイス１００に到達した光が透過領域１０４を透過して基板の裏側の光学部品などに到達できる。光学部品は、例えばカメラなどの、光を検出することにより何らかの機能を実現する部品である。第２表示領域１０２が非透過領域１０３を含むので、素子１１５が画素である場合、第２表示領域１０２に映像を表示できる。このように、第２表示領域１０２は、光を検出し、且つ映像を表示できる。光を検出することによって実現される第２表示領域１０２の機能は、例えば、カメラ、指紋センサ、顔認証センサなどのセンサなどである。第２表示領域１０２の透過領域１０４の第２透過率が高く、第２占有率が低いほど、センサが受光する光量を増やすことができる。

素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における非透過領域１０３の寸法、及び素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法のいずれかが１ｍｍ以下である場合、顕微分光光度計を用いて第１透過率及び第２透過率を測定する。顕微分光光度計としては、オリンパス株式会社製ＯＳＰ－ＳＰ２００又は大塚電子株式会社製ＬＣＦシリーズのいずれかを用いることができる。いずれの顕微分光光度計も、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の可視域で透過率を測定できる。石英又はＴＦＴ液晶用ホウケイ酸ガラス、ＴＦＴ液晶用無アルカリガラスのいずれかをレファレンスとして用いる。５５０ｎｍにおける測定結果を、第１透過率及び第２透過率として用いる。
素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における非透過領域１０３の寸法、及び素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における透過領域１０４の寸法のいずれもが１ｍｍより大きい場合、分光光度計を用いて第１透過率及び第２透過率を測定する。分光光度計としては、株式会社島津製作所製の紫外可視分光光度計ＵＶ－２６００ｉ又はＵＶ－３６００ｉ Ｐｌｕｓのいずれかを用いることができる。分光光度計に微小光束絞りユニットを取り付けることにより、最大で１ｍｍの寸法を有する領域の透過率を測定できる。大気をレファレンスとして用いる。５５０ｎｍにおける測定結果を、第１透過率及び第２透過率として用いる。

第１透過率ＴＲ１に対する第２透過率ＴＲ２の比であるＴＲ２／ＴＲ１は、例えば、１．２以上でもよく、１．５以上でもよく、１．８以上でもよい。ＴＲ２／ＴＲ１は、例えば、２以下でもよく、３以下でもよく、４以下でもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、１．２、１．５及び１．８からなる第１グループ、及び／又は、２、３及び４からなる第２グループによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＴＲ２／ＴＲ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、ＴＲ２／ＴＲ１は、１．２以上４以下でもよく、１．２以上３以下でもよく、１．２以上２以下でもよく、１．２以上１．８以下でもよく、１．２以上１．５以下でもよく、１．５以上４以下でもよく、１．５以上３以下でもよく、１．５以上２以下でもよく、１．５以上１．８以下でもよく、１．８以上４以下でもよく、１．８以上３以下でもよく、１．８以上２以下でもよく、２以上４以下でもよく、２以上３以下でもよく、３以上４以下でもよい。

図２に示すように、第２電極１４０は、電極接続端を含んでいてもよい。電極接続端は、第２電極１４０Ｙを第２電極１４０Ｘに接続する。電極接続端は、第２電極１４０Ｘと第２電極１４０Ｙの境界に相当する。電極接続端は、第１電極接続端１４０Ｚ１、第２電極接続端１４０Ｚ２、第３電極接続端１４０Ｚ３、及び第４電極接続端１４０Ｚ４を含んでいてもよい。第１電極接続端１４０Ｚ１は、素子第１方向Ｇ１における一方の境界に位置する。第２電極接続端１４０Ｚ２は、素子第１方向Ｇ１における他方の境界に位置する。第３電極接続端１４０Ｚ３は、素子第２方向Ｇ２における一方の境界に位置する。第４電極接続端１４０Ｚ４は、素子第２方向Ｇ２における他方の境界に位置する。
図２に示す例において、「素子第１方向Ｇ１における一方の境界」を規定する境界線は、素子第２方向Ｇ２に延びている。従って、「素子第１方向Ｇ１における一方の境界」を規定する境界線と、素子第１方向Ｇ１とが成す角度は９０°である。図示はしないが、「素子第１方向Ｇ１における一方の境界」を規定する境界線は、直線でなくてもよい。例えば、第２表示領域１０２の輪郭が円である場合、「素子第１方向Ｇ１における一方の境界」を規定する境界線は円弧である。この場合、「素子第１方向Ｇ１における一方の境界」を規定する境界線と、素子第１方向Ｇ１とが成す角度は４５°超９０°以下である。言い換えると、素子第１方向Ｇ１に対して成す角度が４５°超９０°以下であり、且つ素子第１方向Ｇ１における一方に位置する境界線が、「素子第１方向Ｇ１における一方の境界」として定められてもよい。同様に、素子第１方向Ｇ１に対して成す角度が４５°超９０°以下であり、且つ素子第１方向Ｇ１における他方に位置する境界線が、「素子第１方向Ｇ１における他方の境界」として定められてもよい。素子第２方向Ｇ２に対して成す角度が４５°超９０°以下であり、且つ素子第２方向Ｇ２における一方に位置する境界線が、「素子第２方向Ｇ２における一方の境界」として定められてもよい。素子第２方向Ｇ２に対して成す角度が４５°超９０°以下であり、且つ素子第２方向Ｇ２における他方に位置する境界線が、「素子第２方向Ｇ２における他方の境界」として定められてもよい。

図２に示すように、第２表示領域１０２の第２電極１４０Ｙは、１つの電極接続端からその他の１つの電極接続端まで続く領域を含んでいてもよい。例えば、第２電極１４０Ｙは、下記の領域を含んでいてもよい。各領域は、互いに重複していてもよい。第２電極１４０Ｙは、下記のタイプの領域の全てを含んでいてもよい。第２電極１４０Ｙは、下記のタイプの領域の一部を含んでいてもよい。
・第１電極接続端１４０Ｚ１から第２電極接続端１４０Ｚ２まで続く領域
・第１電極接続端１４０Ｚ１から第３電極接続端１４０Ｚ３まで続く領域
・第１電極接続端１４０Ｚ１から第４電極接続端１４０Ｚ４まで続く領域
・第２電極接続端１４０Ｚ２から第３電極接続端１４０Ｚ３まで続く領域
・第２電極接続端１４０Ｚ２から第４電極接続端１４０Ｚ４まで続く領域
・第３電極接続端１４０Ｚ３から第４電極接続端１４０Ｚ４まで続く領域

図３は、第１表示領域１０１の第２電極１４０Ｘ及び第２表示領域１０２の第２電極１４０Ｙを拡大して示す平面図である。第２電極１４０Ｘ及び第２電極１４０Ｙはいずれも、平面視において有機層１３０に重なっていてもよい。有機層１３０は、素子１１５の一構成要素である。

第１表示領域１０１において、有機層１３０は、素子第１方向Ｇ１に沿って第１１周期Ｐ１１で並んでいてもよい。第２表示領域１０２において、有機層１３０は、素子第１方向Ｇ１に沿って第１２周期Ｐ１２で並んでいてもよい。第１２周期Ｐ１２は、第１１周期Ｐ１１よりも大きくてもよい。後述するように、第１２周期Ｐ１２は、第１１周期Ｐ１１と同一であってもよい。

第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比は、例えば、１．０以上でもよく、１．１以上でもよく、１．３以上でもよく、１．５以上でもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比は、例えば、２．０以下でもよく、３．０以下でもよく、４．０以下でもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比の範囲は、１．０、１．１、１．３及び１．５からなる第１グループ、及び／又は、２．０、３．０及び４．０からなる第２グループによって定められてもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比は、１．０以上４．０以下でもよく、１．０以上３．０以下でもよく、１．０以上２．０以下でもよく、１．０以上１．５以下でもよく、１．０以上１．３以下でもよく、１．０以上１．１以下でもよく、１．１以上４．０以下でもよく、１．１以上３．０以下でもよく、１．１以上２．０以下でもよく、１．１以上１．５以下でもよく、１．１以上１．３以下でもよく、１．３以上４．０以下でもよく、１．３以上３．０以下でもよく、１．３以上２．０以下でもよく、１．３以上１．５以下でもよく、１．５以上４．０以下でもよく、１．５以上３．０以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、２．０以上４．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよく、３．０以上４．０以下でもよい。第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比が小さい場合、第１表示領域１０１の画素密度に対する第２表示領域１０２の画素密度の差が小さくなる。これにより、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間に視覚的な差が生じることを抑制できる。

第１表示領域１０１において、有機層１３０は、素子第２方向Ｇ２に沿って第２１周期Ｐ２１で並んでいてもよい。第２表示領域１０２において、有機層１３０は、素子第２方向Ｇ２に沿って第２２周期Ｐ２２で並んでいてもよい。第２２周期Ｐ２２は、第２１周期Ｐ２１よりも大きくてもよい。後述するように、第２２周期Ｐ２２は、第２１周期Ｐ２１と同一であってもよい。

第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比は、例えば、１．０以上でもよく、１．１以上でもよく、１．３以上でもよく、１．５以上でもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比は、例えば、２．０以下でもよく、３．０以下でもよく、４．０以下でもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比の範囲は、１．０、１．１、１．３及び１．５からなる第１グループ、及び／又は、２．０、３．０及び４．０からなる第２グループによって定められてもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比は、１．０以上４．０以下でもよく、１．０以上３．０以下でもよく、１．０以上２．０以下でもよく、１．０以上１．５以下でもよく、１．０以上１．３以下でもよく、１．０以上１．1以下でもよく、１．１以上４．０以下でもよく、１．１以上３．０以下でもよく、１．１以上２．０以下でもよく、１．１以上１．５以下でもよく、１．１以上１．３以下でもよく、１．３以上４．０以下でもよく、１．３以上３．０以下でもよく、１．３以上２．０以下でもよく、１．３以上１．５以下でもよく、１．５以上４．０以下でもよく、１．５以上３．０以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、２．０以上４．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよく、３．０以上４．０以下でもよい。第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比が小さい方場合、第１表示領域１０１の画素密度に対して第２表示領域１０２の画素密度の差が小さくなる。これにより、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間に視覚的な差が生じることを抑制できる。

図３に示すように、第２電極１４０Ｙは不規則に配置されていてもよい。これにより、第２電極１４０Ｙによって囲まれている透過領域１０４が、不規則な形状を有することができる。このことにより、透過領域１０４を透過するときに回折される光が互いに強め合うことを抑制できる。従って、高い強度を有する回折光がセンサに入射することを抑制できる。これにより、例えば、センサによって生成される画像がぼやけることを抑制できる。

不規則な形状の例を説明する。図３に示すように、透過領域１０４は、第１透過領域１０４１及び第２透過領域１０４２を含んでいてもよい。第２透過領域１０４２は、第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１に隣接している。第１透過領域１０４１は、第１形状を有する。第２透過領域１０４２は、第１形状とは異なる第２形状を有していてもよい。第１形状と第２形状との間の具体的な相違点は任意である。例えば、第２形状の面積が、第１形状の面積と異なっていてもよい。

「第１透過領域１０４１」は、特定の透過領域１０４を表す用語ではなくてもよい。例えば、図４に示すように、図３の場合とは異なる透過領域１０４が第１透過領域１０４１に該当してもよい。図４の第２電極１４０及び透過領域１０４の形状は、図３の第２電極１４０及び透過領域１０４の形状と同一である。図４の例においても、第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１に隣接し、且つ第１透過領域１０４１とは異なる形状を有する透過領域１０４が存在している。すなわち、図４の例においても、第１透過領域１０４１との関係で第２透過領域１０４２に該当する透過領域１０４が存在している。このように、第２電極１４０を挟んで隣接する２つの透過領域１０４が互いに異なる形状を有する場合、一方の透過領域１０４は、第１透過領域１０４１と称されることができ、他方の透過領域１０４は、第２透過領域１０４２と称されることができる。
対象となる１つの透過領域１０４の周りに、同一の形状を有する複数の他の透過領域１０４のみが存在する場合、対象となる１つの透過領域１０４は、第１透過領域１０４１とは称されない。

第２表示領域１０２は、第１該当率を有していてもよい。第１該当率は、透過領域１０４の個数の合計に対する、第１該当数の百分率である。第１該当数は、第２透過領域１０４２との関係で第１透過領域１０４１と称されることができる透過領域１０４の個数である。第１該当率は、例えば、８０％以上でもよく、８５％以上でもよく、９０％以上でもよい。第１該当率は、例えば、９５％以下でもよく、９７％以下でもよく、９９％以下でもよい。第１該当率の範囲は、８０％、８５％及び９０％からなる第１グループ、及び／又は、９５％、９７％及び９９％からなる第２グループによって定められてもよい。第１該当率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１該当率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１該当率の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１該当率は、８０％以上９９％以下でもよく、８０％以上９７％以下でもよく、８０％以上９５％以下でもよく、８０％以上９０％以下でもよく、８０％以上８５％以下でもよく、８５％以上９９％以下でもよく、８５％以上９７％以下でもよく、８５％以上９５％以下でもよく、８５％以上９０％以下でもよく、９０％以上９９％以下でもよく、９０％以上９７％以下でもよく、９０％以上９５％以下でもよく、９５％以上９９％以下でもよく、９５％以上９７％以下でもよく、９７％以上９９％以下でもよい。

第２透過領域１０４２は、第１電極１２０及び第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１に隣接していてもよい。図３及び図４に示す例において、第２透過領域１０４２は、素子第１方向Ｇ１において第１電極１２０及び第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１に隣接している。

図３及び図４に示すように、透過領域１０４は、第３透過領域１０４３を含んでいてもよい。第３透過領域１０４３は、第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１及び第２透過領域１０４２に隣接している。第３透過領域１０４３は、第１形状及び第２形状とは異なる第３形状を有していてもよい。例えば、第３形状の面積が、第１形状の面積及び第２形状の面積と異なっていてもよい。

第２表示領域１０２は、第２該当率を有していてもよい。第２該当率は、透過領域１０４の個数の合計に対する、第２該当数の百分率である。第２該当数は、第２透過領域１０４２及び第３透過領域１０４３との関係で第１透過領域１０４１と称されることができる透過領域１０４の個数である。第２該当率の範囲としては、上述の第１該当率の範囲を採用できる。

第３透過領域１０４３は、第１電極１２０及び第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１に隣接していてもよい。図３及び図４に示す例において、第３透過領域１０４３は、素子第２方向Ｇ２において第１電極１２０及び第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１に隣接している。

図３及び図４に示すように、透過領域１０４は、第４透過領域１０４４を含んでいてもよい。第４透過領域１０４４は、第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１及び第２透過領域１０４２に隣接している。第４透過領域１０４４は、第１形状及び第２形状とは異なる第４形状を有していてもよい。例えば、第４形状の面積が、第１形状の面積及び第２形状の面積と異なっていてもよい。第４形状は、第３形状とも異なっていてもよい。

第２表示領域１０２は、第３該当率を有していてもよい。第３該当率は、透過領域１０４の個数の合計に対する、第３該当数の百分率である。第３該当数は、第２透過領域１０４２、第３透過領域１０４３及び第４透過領域１０４４との関係で第１透過領域１０４１と称されることができる透過領域１０４の個数である。第３該当率の範囲としては、上述の第１該当率の範囲を採用できる。

第４透過領域１０４４は、第１電極１２０及び第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１に隣接していてもよい。図４に示す例において、第４透過領域１０４４は、素子第２方向Ｇ２において第１電極１２０及び第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１に隣接している。

図３及び図４に示すように、透過領域１０４は、第５透過領域１０４５を含んでいてもよい。第５透過領域１０４５は、第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１に隣接している。第５透過領域１０４５は、第２電極１４０Ｙを挟んで第４透過領域１０４４に隣接していてもよい。第５透過領域１０４５は、第１形状とは異なる第５形状を有していてもよい。例えば、第５形状の面積が、第１形状の面積と異なっていてもよい。第５形状は、第２形状、第３形状及び第４形状とも異なっていてもよい。

第２表示領域１０２は、第４該当率を有していてもよい。第４該当率は、透過領域１０４の個数の合計に対する、第４該当数の百分率である。第４該当数は、第２透過領域１０４２、第３透過領域１０４３、第４透過領域１０４４及び第５透過領域１０４５との関係で第１透過領域１０４１と称されることができる透過領域１０４の個数である。第４該当率の範囲としては、上述の第１該当率の範囲を採用できる。

第５透過領域１０４５は、第１電極１２０及び第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１に隣接していてもよい。図３及び図４に示す例において、第５透過領域１０４５は、素子第２方向Ｇ２において第１電極１２０及び第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１に隣接している。

図３及び図４に示すように、透過領域１０４は、第６透過領域１０４６を含んでいてもよい。第６透過領域１０４６は、第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１に隣接している。第６透過領域１０４６は、第１形状とは異なる第６形状を有していてもよい。例えば、第６形状の面積が、第１形状の面積と異なっていてもよい。第６形状は、第２形状、第３形状、第４形状及び第５形状とも異なっていてもよい。

第２表示領域１０２は、第５該当率を有していてもよい。第５該当率は、透過領域１０４の個数の合計に対する第５該当数の百分率である。第５該当数は、第２透過領域１０４２、第３透過領域１０４３、第４透過領域１０４４、第５透過領域１０４５及び第６透過領域１０４６との関係で第１透過領域１０４１と称されることができる透過領域１０４の個数である。第５該当率の範囲としては、上述の第１該当率の範囲を採用できる。

第６透過領域１０４６は、第１電極１２０及び第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１に隣接していてもよい。図３及び図４に示す例において、第６透過領域１０４６は、素子第１方向Ｇ１において第１電極１２０及び第２電極１４０Ｙを挟んで第１透過領域１０４１に隣接している。

異なる形状を有する２つの透過領域１０４は、複数の第１電極１２０が規則的に並ぶ方向において、第１電極１２０及び第２電極１４０Ｙを挟んで隣接していてもよい。図４に示す例においては、上述のように、素子第１方向Ｇ１において、第１透過領域１０４１と第２透過領域１０４２とが隣接し、且つ、第１透過領域１０４１と第６透過領域１０４６とが隣接している。図４に示す例においては、上述のように、素子第２方向Ｇ２において、第１透過領域１０４１と第３透過領域１０４３とが隣接し、且つ、第１透過領域１０４１と第４透過領域１０４４とが隣接し、且つ、第１透過領域１０４１と第５透過領域１０４５とが隣接している。

本実施の形態によれば、複数の第１電極１２０が規則的に並ぶ方向において、透過領域１０４を透過するときに回折される光が互いに強め合うことを抑制できる。

図３に示すように、素子第１方向Ｇ１又は素子第２方向Ｇ２において隣り合う２つの有機層１３０の間には、第２電極１４０Ｙ又は透過領域１０４が存在している。平面視において隣り合う２つの有機層１３０の間の領域における第２表示領域１０２の構成は、第１１タイプＴ１１、第１２タイプＴ１２、第１３タイプＴ１３、第２１タイプＴ２１、第２２タイプＴ２２又は第２３タイプＴ２３に分類されてもよい。
第１１タイプＴ１１は、素子第１方向Ｇ１において隣り合う２つの有機層１３０の間に、素子第１方向Ｇ１において０．５×第１２周期Ｐ１２以上の寸法を有する透過領域１０４を含む。
第１２タイプＴ１２は、素子第１方向Ｇ１において隣り合う２つの有機層１３０の間に、素子第１方向Ｇ１において０．５×第１２周期Ｐ１２未満の寸法を有する透過領域１０４を含む。
第１３タイプＴ１３は、素子第１方向Ｇ１において隣り合う２つの有機層１３０の間において素子第１方向Ｇ１に連続して延びる第２電極１４０Ｙを含む。
第２１タイプＴ２１は、素子第２方向Ｇ２において隣り合う２つの有機層１３０の間に、素子第２方向Ｇ２において０．５×第２２周期Ｐ２２以上の寸法を有する透過領域１０４を含む。
第２２タイプＴ２２は、素子第２方向Ｇ２において隣り合う２つの有機層１３０の間に、素子第２方向Ｇ２において０．５×第２２周期Ｐ２２未満の寸法を有する透過領域１０４を含む。
第２３タイプＴ２３は、素子第２方向Ｇ２において隣り合う２つの有機層１３０の間において素子第２方向Ｇ２に連続して延びる第２電極１４０Ｙを含む。
図示はしないが、隣り合う２つの有機層１３０の間における第２表示領域１０２の構成は、その他のタイプに分類されてもよい。

第１３タイプＴ１３及び第２３タイプＴ２３が局所的に集中していないことが好ましい。例えば、４つの有機層１３０を含む画素群１１５Ｇが、第１１タイプＴ１１、第１２タイプＴ１２、第２１タイプＴ２１又は第２２タイプＴ２２のいずれかを含むことが好ましい。画素群１１５Ｇが、第１１タイプＴ１１、第１２タイプＴ１２、第２１タイプＴ２１又は第２２タイプＴ２２のいずれかを含む場合、平面視において４つの有機層１３０を素子第１方向Ｇ１又は素子第２方向Ｇ２において結ぶ経路のどこかで第２電極１４０Ｙが分断されている。すなわち、４つの有機層１３０を結ぶ経路が透過領域１０４を部分的に含んでいる。これにより、透過領域１０４を透過するときに回折される光が互いに強め合うことを抑制できる。第１１タイプＴ１１、第１２タイプＴ１２、第２１タイプＴ２１又は第２２タイプＴ２２のいずれかを含む画素群１１５Ｇのことを、分断画素群とも称する。

図５は、図３の一部を拡大して示す図である。画素群１１５Ｇは、第１の有機層１３０１、第２の有機層１３０２、第３の有機層１３０３及び第４の有機層１３０４を含む。第１の有機層１３０１と第２の有機層１３０２は、素子第１方向Ｇ１において隣り合う。第３の有機層１３０３と第４の有機層１３０４は、素子第１方向Ｇ１において隣り合う。第１の有機層１３０１と第３の有機層１３０３は、素子第２方向Ｇ２において隣り合う。第２の有機層１３０２と第４の有機層１３０４は、素子第２方向Ｇ２において隣り合う。

第１の有機層１３０１と第２の有機層１３０２の間の領域は、第１１タイプＴ１１によって構成されている。第３の有機層１３０３と第４の有機層１３０４の間の領域は、第１２タイプＴ１２によって構成されている。第１の有機層１３０１と第３の有機層１３０３の間の領域は、第２１タイプＴ２１によって構成されている。第２の有機層１３０２と第４の有機層１３０４の間の領域は、第２３タイプＴ２３によって構成されている。

第２表示領域１０２は、第１分断率を有していてもよい。第１分断率は、第２表示領域１０２に存在する画素群１１５Ｇの個数の合計に対する、第１分断数の百分率である。第１分断数は、第１１タイプＴ１１、第１２タイプＴ１２、第２１タイプＴ２１又は第２２タイプＴ２２のいずれかを含む画素群１１５Ｇの個数である。第１分断率は、例えば、８０％以上でもよく、８５％以上でもよく、９０％以上でもよい。第１分断率は、例えば、９５％以下でもよく、９７％以下でもよく、９９％以下でもよい。第１分断率の範囲は、８０％、８５％及び９０％からなる第１グループ、及び／又は、９５％、９７％及び９９％からなる第２グループによって定められてもよい。第１分断率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１分断率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１分断率の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１分断率は、８０％以上９９％以下でもよく、８０％以上９７％以下でもよく、８０％以上９５％以下でもよく、８０％以上９０％以下でもよく、８０％以上８５％以下でもよく、８５％以上９９％以下でもよく、８５％以上９７％以下でもよく、８５％以上９５％以下でもよく、８５％以上９０％以下でもよく、９０％以上９９％以下でもよく、９０％以上９７％以下でもよく、９０％以上９５％以下でもよく、９５％以上９９％以下でもよく、９５％以上９７％以下でもよく、９７％以上９９％以下でもよい。

図３に示すように、第２表示領域１０２は、素子第１方向Ｇ１において第１１タイプＴ１１と第１２タイプとが並ぶ１１－１２並びＴ１１－１２を含んでいてもよい。第２表示領域１０２は、素子第１方向Ｇ１において第１１タイプＴ１１と第１３タイプとが並ぶ１１－１３並びＴ１１－１３を含んでいてもよい。第２表示領域１０２は、素子第１方向Ｇ１において第１２タイプＴ１１と第１３タイプとが並ぶ１２－１３並びを含んでいてもよい。
第２表示領域１０２は、素子第２方向Ｇ２において第２１タイプＴ２１と第２２タイプとが並ぶ２１－２２並びを含んでいてもよい。第２表示領域１０２は、素子第２方向Ｇ２において第２１タイプＴ２１と第２３タイプとが並ぶ２１－２３並びを含んでいてもよい。第２表示領域１０２は、素子第２方向Ｇ２において第２２タイプＴ２１と第２３タイプとが並ぶ２２－２３並びを含んでいてもよい。

図３及び図４に示すように、第２電極１４０Ｙは、幹電極１４１及び枝電極１４２を含んでいてもよい。幹電極１４１は、１つの電極接続端からその他の１つの電極接続端まで続く経路を構成している。枝電極１４２は、幹電極１４１に接続されている。

図６は、枝電極１４２の一例を示す平面図である。枝電極１４２は、第１枝電極１４２Ａであってもよく、第２枝電極１４２Ｂであってもよい。

第１枝電極１４２Ａは、２つの第１電極端１４２１及び１つの第２電極端１４２２を含んでいる。第１電極端１４２１は、電極第５方向Ｇ５における枝電極１４２の端である。２つの第１電極端１４２１は、電極第５方向Ｇ５に直交する方向において対向している。電極第５方向Ｇ５は、素子第１方向Ｇ１と平行であってもよい。図示はしないが、電極第５方向Ｇ５は、素子第１方向Ｇ１と平行でなくてもよい。第２電極端１４２２は、電極第６方向Ｇ６における枝電極１４２の端である。電極第６方向Ｇ６は、電極第５方向Ｇ５に交差している。電極第６方向Ｇ６は、電極第５方向Ｇ５に直交していてもよい。２つの第１電極端１４２１及び１つの第２電極端１４２２は、透過領域１０４に接している。

第２枝電極１４２Ｂは、１つの第１電極端１４２１及び２つの第２電極端１４２２を含んでいる。２つの第２電極端１４２２は、電極第６方向Ｇ６に直交する方向において対向している。１つの第１電極端１４２１及び２つの第２電極端１４２２は、透過領域１０４に接している。

第１電極端１４２１の幅Ｗ５１は、第２１周期Ｐ２１に対して一定の比率を有していてもよい。第２１周期Ｐ２１に対する幅Ｗ５１の比は、例えば、０．４以上でもよく、０．６以上でもよく、０．８以上でもよい。第２１周期Ｐ２１に対する幅Ｗ５１の比は、例えば、１．２以下でもよく、１．４以下でもよく、１．６以下でもよい。第２１周期Ｐ２１に対する幅Ｗ５１の比の範囲は、０．４、０．６及び０．８からなる第１グループ、及び／又は、１．２、１．４及び１．６からなる第２グループによって定められてもよい。第２１周期Ｐ２１に対する幅Ｗ５１の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２１周期Ｐ２１に対する幅Ｗ５１の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２１周期Ｐ２１に対する幅Ｗ５１の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第２１周期Ｐ２１に対する幅Ｗ５１の比は、０．４以上１．６以下でもよく、０．４以上１．４以下でもよく、０．４以上１．２以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上１．６以下でもよく、０．６以上１．４以下でもよく、０．６以上１．２以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．８以上１．６以下でもよく、０．８以上１．４以下でもよく、０．８以上１．２以下でもよく、１．２以上１．６以下でもよく、１．２以上１．４以下でもよく、１．４以上１．６以下でもよい。

幅Ｗ５１は、例えば、２０μｍ以上でもよく、４０μｍ以上でもよく、６０μｍ以上でもよい。幅Ｗ５１は、例えば、１１０μｍ以下でもよく、１３０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以下でもよい。幅Ｗ５１の範囲は、２０μｍ、４０μｍ及び６０μｍからなる第１グループ、及び／又は、１１０μｍ、１３０μｍ及び１５０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。幅Ｗ５１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。幅Ｗ５１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。幅Ｗ５１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、幅Ｗ５１は、２０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１３０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１１０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上６０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上４０μｍ以下でもよく、４０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、４０μｍ以上１３０μｍ以下でもよく、４０μｍ以上１１０μｍ以下でもよく、４０μｍ以上６０μｍ以下でもよく、６０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、６０μｍ以上１３０μｍ以下でもよく、６０μｍ以上１１０μｍ以下でもよく、１１０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、１１０μｍ以上１３０μｍ以下でもよく、１３０μｍ以上１５０μｍ以下でもよい。

第２電極端１４２２の幅Ｗ６１は、第１１周期Ｐ１１に対して一定の比率を有していてもよい。第１１周期Ｐ１１に対する幅Ｗ６１の比は、例えば、０．４以上でもよく、０．６以上でもよく、０．８以上でもよい。第１１周期Ｐ１１に対する幅Ｗ６１の比は、例えば、１．２以下でもよく、１．４以下でもよく、１．６以下でもよい。第１１周期Ｐ１１に対する幅Ｗ６１の比の範囲は、０．４、０．６及び０．８からなる第１グループ、及び／又は、１．２、１．４及び１．６からなる第２グループによって定められてもよい。第１１周期Ｐ１１に対する幅Ｗ６１の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１１周期Ｐ１１に対する幅Ｗ６１の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１１周期Ｐ１１に対する幅Ｗ６１の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１１周期Ｐ１１に対する幅Ｗ６１の比は、０．４以上１．６以下でもよく、０．４以上１．４以下でもよく、０．４以上１．２以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上１．６以下でもよく、０．６以上１．４以下でもよく、０．６以上１．２以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．８以上１．６以下でもよく、０．８以上１．４以下でもよく、０．８以上１．２以下でもよく、１．２以上１．６以下でもよく、１．２以上１．４以下でもよく、１．４以上１．６以下でもよい。

幅Ｗ６１は、例えば、２０μｍ以上でもよく、４０μｍ以上でもよく、６０μｍ以上でもよい。幅Ｗ６１は、例えば、１１０μｍ以下でもよく、１３０μｍ以下でもよく、１５０μｍ以下でもよい。幅Ｗ６１の範囲は、２０μｍ、４０μｍ及び６０μｍからなる第１グループ、及び／又は、１１０μｍ、１３０μｍ及び１５０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。幅Ｗ６１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。幅Ｗ６１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。幅Ｗ６１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、幅Ｗ６１は、２０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１３０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１１０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上６０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上４０μｍ以下でもよく、４０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、４０μｍ以上１３０μｍ以下でもよく、４０μｍ以上１１０μｍ以下でもよく、４０μｍ以上６０μｍ以下でもよく、６０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、６０μｍ以上１３０μｍ以下でもよく、６０μｍ以上１１０μｍ以下でもよく、１１０μｍ以上１５０μｍ以下でもよく、１１０μｍ以上１３０μｍ以下でもよく、１３０μｍ以上１５０μｍ以下でもよい。

第２電極１４０Ｙが枝電極１４２を含むことにより、第２電極１４０Ｙを不規則に配置しやすくなる。これにより、透過領域１０４を透過するときに回折される光が互いに強め合うことをさらに抑制できる。

第２電極１４０の層構成について説明する。図７は、図３の有機デバイス１００において符号VIIが付された二点鎖線で囲まれた領域を拡大して示す平面図である。

第２電極１４０は、複数の層を含んでいてもよい。例えば、第２電極１４０は、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含んでいてもよい。第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂはそれぞれ、後述する第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを用いる蒸着法によって形成される。

第１表示領域１０１において、第１層１４０Ａは、素子第３方向Ｇ３及び素子第４方向Ｇ４に並んでいてもよい。素子第３方向Ｇ３は、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２の両方に対して交差する方向である。素子第３方向Ｇ３が素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に対してなす角度は、例えば２０°以上７０°以下である。素子第４方向Ｇ４は、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２の両方に対して交差する方向である。素子第４方向Ｇ４が素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に対してなす角度は、例えば２０°以上７０°以下である。素子第３方向Ｇ３は、素子第４方向Ｇ４に対して交差している。例えば、素子第３方向Ｇ３は、素子第４方向Ｇ４に直交していてもよい。

符号Ｇ３１は、素子第３方向Ｇ３において隣り合う２つの第１層１４０Ａの間の間隔を表す。間隔Ｇ３１は、例えば、５μｍ以上でもよく、１０μｍ以上でもよく、１５μｍ以上でもよい。間隔Ｇ３１は、例えば、３０μｍ以下でもよく、４０μｍ以下でもよく、５０μｍ以下でもよい。間隔Ｇ３１の範囲は、５μｍ、１０μｍ及び１５μｍからなる第１グループ、及び／又は、３０μｍ、４０μｍ及び５０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。間隔Ｇ３１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ３１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ３１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、間隔Ｇ３１は、５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５μｍ以上４０μｍ以下でもよく、５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、５μｍ以上１５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上４０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上４０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上４０μｍ以下でもよく、４０μｍ以上５０μｍ以下でもよい。

符号Ｇ４１は、素子第４方向Ｇ４において隣り合う２つの第１層１４０Ａの間の間隔を表す。間隔Ｇ４１の範囲としては、上述の間隔Ｇ３１の範囲を採用できる。

第１表示領域１０１において、第２層１４０Ｂは、第１層１４０Ａと同様に、素子第３方向Ｇ３及び素子第４方向Ｇ４に並んでいてもよい。素子第３方向Ｇ３において隣り合う２つの第２層１４０Ｂの間の間隔の範囲としては、上述の間隔Ｇ３１の範囲を採用できる。素子第４方向Ｇ４において隣り合う２つの第２層１４０Ｂの間の間隔の範囲としては、上述の間隔Ｇ４１の範囲を採用できる。

第１層１４０Ａは、素子第１方向Ｇ１において第２層１４０Ｂに接続されていてもよい。この場合、図７に示すように、第１表示領域１０１において、電極重なり領域１４５が素子第１方向Ｇ１に沿って第１３周期Ｐ１３で並んでいてもよい。電極重なり領域１４５は、平面視において第２電極１４０の複数の層が重なっている領域である。本実施の形態において、電極重なり領域１４５は、第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとが重なっている領域である。第１３周期Ｐ１３の範囲としては、上述の第１１周期Ｐ１１の範囲を採用できる。

第１層１４０Ａは、素子第２方向Ｇ２において第２層１４０Ｂに接続されていてもよい。この場合、第１表示領域１０１において、電極重なり領域１４５が素子第２方向Ｇ２に沿って第２３周期Ｐ２３で並んでいてもよい。第２３周期Ｐ２３の範囲としては、上述の第２１周期Ｐ２１の範囲を採用できる。

上述の第１電極端１４２１の幅Ｗ５１は、第２３周期Ｐ２３に対して一定の比率を有していてもよい。第２３周期Ｐ２３に対する幅Ｗ５１の比の範囲としては、「第２１周期Ｐ２１に対する幅Ｗ５１の比」の範囲を採用できる。

上述の第２電極端１４２２の幅Ｗ６１は、第１３周期Ｐ１３に対して一定の比率を有していてもよい。第１３周期Ｐ１３に対する幅Ｗ６１の比の範囲としては、「第１１周期Ｐ１１に対する幅Ｗ６１の比」の範囲を採用できる。

電極重なり領域１４５の面積は、第１層１４０Ａの面積よりも小さくてもよい。第１層１４０Ａの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比は、例えば、０．０２以上でもよく、０．０５以上でもよく、０．１０以上でもよい。第１層１４０Ａの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比は、例えば、０．２０以下でもよく、０．３０以下でもよく、０．４０以下でもよい。第１層１４０Ａの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比の範囲は、０．０２、０．０５及び０．１０からなる第１グループ、及び／又は、０．２０、０．３０及び０．４０からなる第２グループによって定められてもよい。第１層１４０Ａの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１層１４０Ａの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１層１４０Ａの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１層１４０Ａの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比は、０．０２以上０．４０以下でもよく、０．０２以上０．３０以下でもよく、０．０２以上０．２０以下でもよく、０．０２以上０．１０以下でもよく、０．０２以上０．０５以下でもよく、０．０５以上０．５０以下でもよく、０．０５以上０．３０以下でもよく、０．０５以上０．２０以下でもよく、０．０５以上０．１０以下でもよく、０．１０以上０．４０以下でもよく、０．１０以上０．３０以下でもよく、０．１０以上０．２０以下でもよく、０．２０以上０．４０以下でもよく、０．２０以上０．３０以下でもよく、０．３０以上０．４０以下でもよい。

電極重なり領域１４５の面積は、第２層１４０Ｂの面積よりも小さくてもよい。第２層１４０Ｂの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比の範囲としては、上述の「第１層１４０Ａの面積に対する電極重なり領域１４５の面積の比」の範囲を採用できる。

図８は、図７の有機デバイス１００から第２電極１４０を取り除いた状態を示す平面図である。有機層１３０は、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃを含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃは、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。以下の説明において、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃに共通する有機層の構成を説明する場合には、「有機層１３０」という用語及び符号を用いる。

平面視における第２電極１４０及び有機層１３０の配置は、高倍率のデジタルマイクロスコープを用いて有機デバイス１００を観察することによって検出される。検出結果に基づいて、上述の占有率、面積、寸法、間隔などを算出できる。有機デバイス１００がカバーガラスなどのカバーを備える場合、カバーを剥がすこと、又は破壊することなどによってカバーを取り除いた後、第２電極１４０及び有機層１３０を観察してもよい。デジタルマイクロスコープではなく走査型電子顕微鏡を用いても良い。

図７及び図８に示すように、１つの第１有機層１３０Ａ、１つの第２有機層１３０Ｂ及び１つの第３有機層１３０Ｃを含む１つの有機層１３０が、平面視において１つの第１層１４０Ａ又は１つの第２層１４０Ｂに重なっていてもよい。

次に、有機デバイス１００の層構成の一例について説明する。図９は、図７の有機デバイスのＡ－Ａ線に沿った断面図である。図１０は、図７の有機デバイスのＢ－Ｂ線に沿った断面図である。

有機デバイス１００は、基板１１０と、基板１１０上に位置する素子１１５と、を備える。素子１１５は、第１電極１２０と、第１電極１２０上に位置する有機層１３０と、有機層１３０上に位置する第２電極１４０と、を有していてもよい。

有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、第１電極１２０の端部に重なっていてもよい。
絶縁層１６０は、平面視において電極重なり領域１４５に重なっていてもよい。例えば、平面視において、電極重なり領域１４５が、絶縁層１６０の輪郭によって囲まれていてもよい。
電極重なり領域１４５は、第２電極１４０の複数の層を含む。このため、電極重なり領域１４５は、第２電極１４０の１つの層に比べて低い透過率を有する。電極重なり領域１４５を透過した光が有機デバイス１００から出射すると、光の強度にムラが生じることがある。絶縁層１６０が電極重なり領域１４５に重なることにより、光の強度にムラが生じることを抑制できる。

有機デバイス１００は、アクティブ・マトリクス型であってもよい。例えば、図示はしないが、有機デバイス１００は、スイッチを備えていてもよい。スイッチは、複数の素子１１５のそれぞれに電気的に接続されている。スイッチは、例えばトランジスタである。スイッチは、対応する素子１１５に対する電圧又は電流のＯＮ／ＯＦＦを制御することができる。

基板１１０は、絶縁性を有する板状の部材であってもよい。基板１１０は、好ましくは、光を透過させる透明性を有する。

基板１１０が、所定の透明性を有する場合、基板１１０の透明性は、有機層１３０からの発光を透過させて表示を行うことができる程度の透明性であることが好ましい。例えば、可視光領域における基板１１０の透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。基板１１０の透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３６１－１に準ずるプラスチック－透明材料の全光透過率の試験方法により測定することができる。

基板１１０は、可撓性を有していてもよく、有していなくてもよい。有機デバイス１００の用途に応じて基板１１０を適宜選択することができる。

基板１１０の材料としては、例えば、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板、無アルカリガラス等の可撓性のないリジッド材、あるいは、樹脂フィルム、光学用樹脂板、薄ガラス等の可撓性を有するフレキシブル材等を用いることができる。また、基材は、樹脂フィルムの片面または両面にバリア層を有する積層体であってもよい。

基板１１０の厚みは、基板１１０に用いられる材料や有機デバイス１００の用途等に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．００５ｍｍ以上であってもよい。また、基板１１０の厚みは、５ｍｍ以下であってもよい。

素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることにより、又は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電流が流れることにより、何らかの機能を実現できる。例えば、素子１１５が、有機ＥＬ表示装置の画素である場合、素子１１５は、映像を構成する光を放出できる。

第１電極１２０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１電極１２０は、金属、導電性を有する金属酸化物や、その他の導電性を有する無機材料などを含む。第１電極１２０は、インジウム・スズ酸化物などの、透明性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。

第１電極１２０を構成する材料としては、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｍｇ等の金属；ＩＴＯと称される酸化インジウム錫、ＩＺＯと称される酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物；金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等を用いることができる。これらの導電性材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。また、２種類以上の材料を含む合金を用いてもよい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金等を用いることができる。

有機層１３０は、有機材料を含む。有機層１３０に通電されると、有機層１３０は、何らかの機能を発揮することができる。通電とは、有機層１３０に電圧が印加されること、又は有機層１３０に電流が流れることを意味する。有機層１３０としては、通電により光を放出する発光層、通電により光の透過率や屈折率が変化する層などを用いることができる。有機層１３０は、有機半導体材料を含んでいてもよい。

第１電極１２０、第１有機層１３０Ａ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第１素子１１５Ａとも称する。第１電極１２０、第２有機層１３０Ｂ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第２素子１１５Ｂとも称する。第１電極１２０、第３有機層１３０Ｃ及び第２電極１４０を含む積層構造のことを、第３素子とも称する。有機デバイス１００が有機ＥＬ表示装置である場合、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子はそれぞれサブピクセルである。

以下の説明において、第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子に共通する素子の構成を説明する場合には、「素子１１５」という用語及び符号を用いる。

第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧を印加すると、両者の間に位置する有機層１３０が駆動される。有機層１３０が発光層である場合、有機層１３０から光が放出され、光が第２電極１４０側又は第１電極１２０側から外部へ取り出される。

有機層１３０が、通電により光を放出する発光層を含む場合、有機層１３０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを更に含んでいてもよい。
例えば、第１電極１２０が陽極である場合、有機層１３０は、発光層と第１電極１２０との間に正孔注入輸送層を有していてもよい。正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。また、正孔注入輸送層は、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよい。
第２電極１４０が陰極である場合、有機層１３０は、発光層と第２電極１４０との間に電子注入輸送層を有していてもよい。電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。また、電子注入輸送層は、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよい。

発光層は、発光材料を含む。発光層は、レベリング性を良くする添加剤を含んでいてもよい。

発光材料としては、公知の材料を用いることができ、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等の発光材料を用いることができる。
色素系材料としては、例えば、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を用いることができる。
金属錯体系材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体等、中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体を用いることができる。
高分子系材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、およびそれらの共重合体等を用いることができる。

発光層は、発光効率の向上や発光波長を変化させる等の目的で、ドーパントを含んでいてもよい。ドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体等を用いることができる。また、ドーパントとして、白金やイリジウム等の重金属イオンを中心に有し、燐光を示す有機金属錯体を使用することもできる。ドーパントは、１種単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。

また、発光材料およびドーパントしては、例えば、特開２０１０－２７２８９１号公報の［００９４］～［００９９］や、国際公開第２０１２／１３２１２６号の［００５３］～［００５７］に記載の材料も用いることができる。

発光層の膜厚は、電子と正孔との再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる膜厚であれば特に限定されるものではなく、例えば１ｎｍ以上とすることができ、また、５００ｎｍ以下とすることができる。

正孔注入輸送層に用いられる正孔注入輸送性材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、フェニルアミン誘導体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリルアミン誘導体等を用いることができる。また、スピロ化合物、フタロシアニン化合物、金属酸化物等を例示することができる。また、例えば、特開２０１１－１１９６８１号公報、国際公開第２０１２／０１８０８２号、特開２０１２－０６９９６３号公報、国際公開第２０１２／１３２１２６号の［０１０６］に記載の化合物も適宜選択して用いることができる。

なお、正孔注入輸送層が、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものである場合には、正孔注入層が添加剤Ａを含有してもよく、正孔輸送層が添加剤Ａを含有してもよく、正孔注入層および正孔輸送層が添加剤Ａを含有してもよい。添加剤Ａは、低分子化合物であってもよく、高分子化合物であってもよい。具体的には、フッ素系化合物、エステル系化合物、炭化水素系化合物等を用いることができる。

電子注入輸送層に用いられる電子注入輸送性材料としては、公知の材料を用いることができる。例えば、アルカリ金属類、アルカリ金属の合金、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属類、アルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属の有機錯体、マグネシウムのハロゲン化物や酸化物、酸化アルミニウム等を用いることができる。また、電子注入輸送性材料としては、例えば、バソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンやペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリノール錯体等の金属錯体、フタロシアニン化合物、ジスチリルピラジン誘導体等を用いることができる。

また、電子輸送性の有機材料にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属をドープした金属ドープ層を形成し、これを電子注入輸送層とすることもできる。電子輸送性の有機材料としては、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）等の金属錯体、及びこれらの高分子誘導体等を用いることができる。また、ドープする金属としては、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ等を用いることができる。

第２電極１４０は、金属などの、導電性を有する材料を含む。第２電極１４０は、後述するマスクを用いる蒸着法によって有機層１３０の上に形成される。第２電極１４０を構成する材料としては、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、クロム、炭素等を用いることができる。これらの材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。また、２種類以上の材料を含む合金を用いてもよい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、アルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等を用いることができる。

第２電極１４０の厚みは、例えば、５ｎｍ以上でもよく、１０ｎｍ以上でもよく、５０ｎｍ以上でもよく、１００ｎｍ以上でもよい。第２電極１４０の厚みは、例えば、２００ｎｍ以下でもよく、５００ｎｍ以下でもよく、１μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、５ｎｍ、１０ｎｍ、５０ｎｍ及び１００ｎｍからなる第１グループ、及び／又は、２００ｎｍ、５００ｎｍ、１μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第２電極１４０の厚みは、５ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１μｍ以上１００μｍ以下でもよい。
電極１４０の厚みが小さいほど、電極１４０の透過率が高くなり、非透過領域１０３の透過率も高くなる。非透過領域１０３に入射した光も、非透過領域１０３の透過率に応じてセンサに到達できる。非透過領域１０３の透過率を高くすることにより、センサが受光する光量を増やすことができる。

基板１１０の厚み、第２電極１４０の厚みなどの、有機デバイス１００の各構成要素の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いて有機デバイス１００の断面の画像を観察することによって測定できる。

次に、上述の有機デバイス１００の第２電極１４０を蒸着法によって形成する方法を説明する。図１１は、蒸着装置１０を示す図である。蒸着装置１０は、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する

蒸着装置１０は、その内部に、蒸着源６、ヒータ８、及びマスク装置４０を備えていてもよい。蒸着装置１０は、蒸着装置１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を備えていてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼである。蒸着源６は、導電性材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。マスク装置４０は、るつぼ６と対向するよう配置されている。

図１１に示すように、マスク装置４０は、少なくとも１つのマスク５０と、マスク５０を支持するフレーム４１と、を備えていてもよい。フレーム４１は、第１フレーム面４１ａと、第２フレーム面４１ｂと、を含んでいてもよい。第１フレーム面４１ａにはマスク５０が固定されていてもよい。第２フレーム面４１ｂは、第１フレーム面４１ａの反対側に位置する。また、フレーム４１は、開口４２を含んでいてもよい。開口４２は、第１フレーム面４１ａから第２フレーム面４１ｂに貫通している。マスク５０は、平面視において開口４２を横切るようにフレーム４１に固定されていてもよい。また、フレーム４１は、マスク５０をその面方向に引っ張った状態で支持していてもよい。これにより、マスク５０が撓むことを抑制できる。

マスク５０としては、後述する第１マスク５０Ａ又は第２マスク５０Ｂが用いられてもよい。以下の説明において、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂに共通するマスクの構成を説明する場合には、「マスク５０」という用語及び符号を用いる。後述する貫通孔、遮蔽領域などのマスクの構成要素についても同様に、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂに共通する内容を説明する場合には、符号として、「５３」、「５４」などの、アルファベットが付されていない、数字のみの符号を用いる。一方、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂのそれぞれに特有の内容を説明する場合には、数字の後に「Ａ」、「Ｂ」などの対応するアルファベットを付した符号を用いることもある。

マスク装置４０のマスク５０は、基板１１０に対面している。基板１１０は、蒸着材料７を付着させる対象物である。基板１１０は、第１面１１１及び第２面１１２を含む。第１面１１１は、マスク５０に対向している。マスク５０は、複数の貫通孔５３を含む。貫通孔５３は、蒸着源６から飛来した蒸着材料７を通過させる。貫通孔５３を通過した蒸着材料７は、基板１１０の第１面１１１に付着する。マスク５０は、第１面５１ａ及び第２面５１ｂを含む。第１面５１ａは、第１面１１１に対向している。第２面５１ｂは、第１面５１ａの反対側に位置する。貫通孔５３は、第１面５１ａから第２面５１ｂへ貫通している。

蒸着装置１０は、基板１１０を保持する基板ホルダ２を備えていてもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の厚み方向において移動可能であってもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の面方向において移動可能であってもよい。基板ホルダ２は、基板１１０の傾きを制御してもよい。例えば、基板ホルダ２は、基板１１０の外縁に取り付けられた複数のチャックを含んでもよい。各チャックは、基板１１０の厚み方向や面方向において独立に移動可能であってもよい。

蒸着装置１０は、マスク装置４０を保持するマスクホルダ３を備えていてもよい。マスクホルダ３は、マスク５０の厚み方向において移動可能であってもよい。マスクホルダ３は、マスク５０の面方向において移動可能であってもよい。例えば、マスクホルダ３は、フレーム４１の外縁に取り付けられた複数のチャックを含んでもよい。各チャックは、マスク５０の厚み方向や面方向において独立に移動可能であってもよい。

基板ホルダ２又はマスクホルダ３の少なくともいずれか一方を移動させることにより、基板１１０に対するマスク装置４０のマスク５０の位置を調整できる。

蒸着装置１０は、冷却板４を備えていてもよい。冷却板４は、基板１１０の第２面１１２側に配置されていてもよい。冷却板４は、冷却板４の内部に冷媒を循環させるための流路を有していてもよい。冷却板４は、蒸着工程の際に基板１１０の温度が上昇することを抑制できる。

蒸着装置１０は、第２面１１２側に配置されている磁石５を備えていてもよい。磁石５は、冷却板４に重ねられていてもよい。磁石５は、磁力によってマスク５０を基板１１０側に引き寄せる。これにより、マスク５０と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりすることができる。このことにより、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制できる。このため、第２電極１４０の寸法精度や位置精度を高めることができる。本願において、シャドーとは、マスク５０と基板１１０との間の隙間に蒸着材料７が入り込み、これによって第２電極１４０の厚みが不均一になる現象のことである。また、静電気力を利用する静電チャックを用いてマスク５０を基板１１０側に引き寄せてもよい。

次に、マスク装置４０について説明する。図１２は、マスク装置４０を示す平面図である。マスク装置４０は、２枚以上のマスク５０を備えていてもよい。マスク５０は、例えば溶接によってフレーム４１に固定されていてもよい。

フレーム４１は、一対の第１辺４１１と、一対の第２辺４１２と、を含む。フレーム４１は、矩形の輪郭を有していてもよい。第１辺４１１には、張力を加えられた状態のマスク５０が固定されていてもよい。第１辺４１１は、第２辺４１２よりも長くてもよい。フレーム４１は、一対の第１辺４１１及び一対の第２辺４１２によって囲まれている開口４２を含んでいてもよい。

マスク５０は、少なくとも１つのセル５２を含む。セル５２は、貫通孔５３及び遮蔽領域５４を含む。マスク５０は、２つ以上のセル５２を含んでいてもよい。マスク５０を用いて有機ＥＬ表示装置などの表示装置を作製する場合、１つのセル５２は、１つの有機ＥＬ表示装置の表示領域に、すなわち１つの画面に対応していてもよい。１つのセル５２が複数の表示領域に対応していてもよい。マスク５０は、セル５２の間に位置する遮蔽領域５４を含んでいてもよい。図示はしないが、マスク５０は、セル５２の間に位置する貫通孔５３を含んでいてもよい。

セル５２は、例えば、平面視において略四角形、さらに正確には平面視において略矩形の輪郭を有していてもよい。各セル５２は、有機ＥＬ表示装置の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有していてもよい。例えば各セル５２は、円形の輪郭を有していてもよい。

図１３は、マスク５０の一例を拡大して示す平面図である。マスク５０は、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第１方向Ｄ１に交差するマスク第２方向Ｄ２を有する。マスク第１方向Ｄ１は、マスク第２方向Ｄ２に直交していてもよい。マスク第１方向Ｄ１が素子第１方向Ｇ１に対応し、マスク第２方向Ｄ２が素子第２方向Ｇ２に対応していてもよい。

マスク５０は、貫通孔５３及び遮蔽領域５４を備える。貫通孔５３は、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に並んでいる。

第１面５１ａの法線方向に沿ってマスク５０を見た場合、マスク５０は、マスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４を備える。マスク第３領域Ｍ３は、有機デバイス１００の第１表示領域１０１に対応している。マスク第４領域Ｍ４は、有機デバイス１００の第２表示領域１０２に対応している。

マスク第３領域Ｍ３において、貫通孔５３は第３開口率を有する。第３開口率は、マスク第３領域Ｍ３に位置する貫通孔５３の面積の合計を、マスク第３領域Ｍ３の面積で割ることによって算出される。マスク第４領域Ｍ４において、貫通孔５３は第４開口率を有する。第４開口率は、マスク第４領域Ｍ４に位置する貫通孔５３の面積の合計を、マスク第４領域Ｍ４の面積で割ることによって算出される。第４開口率は、第３開口率よりも小さくてもよい。

第３開口率に対する第４開口率の比は、例えば、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。第３開口率に対する第４開口率の比は、例えば、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８以下でもよい。第３開口率に対する第４開口率の比の範囲は、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．７及び０．８からなる第２グループによって定められてもよい。第３開口率に対する第４開口率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第３開口率に対する第４開口率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第３開口率に対する第４開口率の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第３開口率に対する第４開口率の比は、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよい。

マスク５０は、アライメントマーク５０Ｍを有していてもよい。アライメントマーク５０Ｍは、例えばマスク５０のセル５２の隅に形成されている。アライメントマーク５０Ｍは、マスク５０を用いて蒸着法によって基板１１０に第２電極１４０を形成する工程において、基板１１０に対するマスク５０の位置合わせのために利用されてもよい。アライメントマーク５０Ｍは、例えばフレーム４１と重なる位置に形成されても良い。マスク装置４０を作製する際、マスク５０とフレーム４１の位置合わせのためにアライメントマーク５０Ｍを使用しても良い。

第２電極１４０を形成する工程においては、複数のマスク５０が用いられてもよい。例えば図１４に示すように、マスク５０は、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを備えていてもよい。第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂは、異なるマスク装置４０を構成してもよい。第１マスク５０Ａを備えるマスク装置４０を第１マスク装置４０Ａとも称する。第２マスク５０Ｂを備えるマスク装置４０を第２マスク装置４０Ｂとも称する。

第２電極１４０を形成する工程においては、例えば、蒸着装置１０において第１マスク装置４０Ａを用いて基板１１０に第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する。続いて、蒸着装置１０において第２マスク装置４０Ｂを用いて基板１１０に第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する。このように、有機デバイス１００の第２電極１４０を形成する工程においては、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂなどの複数のマスク５０が順に用いられる。有機デバイス１００の第２電極１４０を形成するために用いられる複数のマスク５０の群のことを、「マスク群」とも称する。

図１５は、マスク５０の断面構造の一例を示す図である。マスク５０は、金属板５１に形成されている複数の貫通孔５３を有する。貫通孔５３は、第１面５１ａから第２面５１ｂへ金属板５１を貫通している。

貫通孔５３は、第１凹部５３１及び第２凹部５３２を含んでいてもよい。第１凹部５３１は、第１面５１ａ側に位置する。第２凹部５３２は、第２面５１ｂ側に位置する。第１凹部５３１は、金属板５１の厚み方向において第２凹部５３２に接続されている。

平面視において、第２凹部５３２の寸法ｒ２は、第１凹部５３１の寸法ｒ１よりも大きくてもよい。第１凹部５３１は、金属板５１を第１面５１ａ側からエッチングなどで加工することによって形成されてもよい。第２凹部５３２は、金属板５１を第２面５１ｂ側からエッチングなどで加工することによって形成されてもよい。第１凹部５３１と第２凹部５３２とは接続部５３３において接続されている。

符号５３４は、貫通部を表す。平面視における貫通孔５３の開口面積は、貫通部５３４において最小になる。貫通部５３４は接続部５３３によって画定されてもよい。

マスク５０を用いた蒸着法においては、第２面５１ｂ側から第１面５１ａ側へ貫通孔５３の貫通部５３４を通過した蒸着材料７が基板１１０に付着することによって、基板１１０に上述の第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ、第３層１４０Ｃなどの層が形成される。基板１１０に形成される層の、基板１１０の面内方向における輪郭は、平面視における貫通部５３４の輪郭によって定まる。後述する図１６～図２０などの平面図において示されている貫通孔５３の輪郭は、貫通部５３４の輪郭である。貫通孔５３の面積は、貫通部５３４の面積であってもよい。平面視における貫通孔５３の寸法は、貫通部５３４の寸法ｒであってもよい。

貫通部５３４以外の金属板５１の領域は、基板１１０に向かう蒸着材料７を遮蔽することができる。貫通部５３４以外の金属板５１の領域のことを、遮蔽領域５４とも称する。図１３、図１４、図１６、図１７などのマスク５０の平面図においては、遮蔽領域５４に斜線の網掛けが施されている。
マスク第４領域Ｍ４の遮蔽領域５４は、金属板５１を貫通しない凹部を含んでいてもよい。マスク第４領域Ｍ４に凹部を設けることにより、マスク第４領域Ｍ４の剛性を低下させることができる。これにより、マスク第４領域Ｍ４の剛性とマスク第３領域Ｍ３の剛性との間の差を低減できる。このため、剛性の差に起因してマスク５０に皺が生じることを抑制できる。皺は、例えば、マスク５０に張力を加える時に生じやすい。

マスク５０の厚みＴは、例えば、５μｍ以上でもよく、１０μｍ以上でもよく、１５μｍ以上でもよく、２０μｍ以上でもよい。マスク５０の厚みＴは、例えば、２５μｍ以下でもよく、３０μｍ以下でもよく、５０μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、５μｍ、１０μｍ、１５μｍ及び２０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２５μｍ、３０μｍ、５０μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、マスク５０の厚みＴは、５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、５μｍ以上１５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、２５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、２５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、２５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下でもよい。

マスク５０の厚みＴを測定する方法としては、接触式の測定方法を採用することができる。接触式の測定方法としては、ボールブッシュガイド式のプランジャーを備える、ハイデンハイン社製の長さゲージHEIDENHAIM-METROの「MT1271」を用いることができる。

貫通孔５３の断面形状は、図１５に示す形状には限られない。また、貫通孔５３の形成方法は、エッチングに限られることはなく、様々な方法を採用可能である。例えば、貫通孔５３が生じるようにめっきを行うことによってマスク５０を形成してもよい。

マスク５０を構成する材料としては、例えば、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを更に含んでいてもよい。例えば、マスク５０の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ５４質量％以下であり、且つコバルトの含有量が０質量％以上且つ６質量％以下である鉄合金を用いることができる。ニッケル若しくはニッケル及びコバルトを含む鉄合金としては、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ－Ｎｉ系めっき合金などを用いることができる。このような鉄合金を用いることにより、マスク５０の熱膨張係数を低くすることができる。例えば、基板１１０としてガラス基板が用いられる場合に、マスク５０の熱膨張係数を、ガラス基板と同等の低い値にすることができる。これにより、蒸着工程の際、基板１１０に形成される蒸着層の寸法精度や位置精度がマスク５０と基板１１０との間の熱膨張係数の差に起因して低下することを抑制することができる。

次に、第１マスク５０Ａについて詳細に説明する。図１６は、第１マスク５０Ａのマスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４を拡大して示す平面図である。第１マスク５０Ａは、第１貫通孔５３Ａ及び第１遮蔽領域５４Ａを備える。

第１マスク５０Ａは、マスク第１方向Ｄ１、マスク第２方向Ｄ２、マスク第３方向Ｄ３及びマスク第４方向Ｄ４を有する。マスク第１方向Ｄ１は、蒸着工程において、素子第１方向Ｇ１に平行であってもよい。マスク第２方向Ｄ２は、蒸着工程において、素子第２方向Ｇ２に平行であってもよい。マスク第３方向Ｄ３は、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２の両方に対して交差する方向である。マスク第３方向Ｄ３がマスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に対してなす角度は、例えば２０°以上７０°以下である。マスク第４方向Ｄ４は、マスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２の両方に対して交差する方向である。マスク第４方向Ｄ４がマスク第１方向Ｄ１及びマスク第２方向Ｄ２に対してなす角度は、例えば２０°以上７０°以下である。マスク第３方向Ｄ３は、マスク第４方向Ｄ４に対して交差している。例えば、マスク第３方向Ｄ３は、マスク第４方向Ｄ４に直交していてもよい。

マスク第３領域Ｍ３において、第１貫通孔５３Ａは、マスク第３方向Ｄ３に沿って第３５周期Ｐ３５で並んでいてもよい。マスク第３領域Ｍ３において、第１貫通孔５３Ａは、マスク第４方向Ｄ４に沿って第４５周期Ｐ４５で並んでいてもよい。

符号Ｇ３５は、マスク第３領域Ｍ３に位置し、マスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第１貫通孔５３Ａの間の間隔を表す。間隔Ｇ３５は、例えば、５μｍ以上でもよく、１０μｍ以上でもよく、１５μｍ以上でもよい。間隔Ｇ３５は、例えば、３０μｍ以下でもよく、４０μｍ以下でもよく、５０μｍ以下でもよい。間隔Ｇ３５の範囲は、５μｍ、１０μｍ及び１５μｍからなる第１グループ、及び／又は、３０μｍ、４０μｍ及び５０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。間隔Ｇ３５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ３５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。間隔Ｇ３５の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、間隔Ｇ３５は、５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５μｍ以上４０μｍ以下でもよく、５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、５μｍ以上１５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上４０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上４０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上４０μｍ以下でもよく、４０μｍ以上５０μｍ以下でもよい。

符号Ｇ４５は、マスク第４領域Ｍ４に位置し、マスク第４方向Ｄ４において隣り合う２つの第１貫通孔５３Ａの間の間隔を表す。間隔Ｇ４５の範囲としては、上述の間隔Ｇ３５の範囲を採用できる。

図１６に示すように、マスク第４領域Ｍ４において、第１貫通孔５３Ａは、マスク第３方向Ｄ３に沿って並んでいてもよい。マスク第４領域Ｍ４において、マスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第１貫通孔５３Ａの中心点の間の距離Ｋ３５は、第３５周期Ｐ３５のＮ１倍であってもよい。Ｎ１は、１以上の数であってもよい。Ｎ１は、１以上の整数であってもよい。Ｎ１の値は位置に応じて異なっていてもよい。

Ｎ１の平均値は、例えば、１．１以上でもよく、１．２以上でもよく、１．５以上でもよい。Ｎ１の平均値は、例えば、２．０以下でもよく、２．５以下でもよく、３．０以下でもよい。Ｎ１の平均値の範囲は、１．１、１．２及び１．５からなる第１グループ、及び／又は、２．０、２．５及び３．０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｎ１の平均値の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｎ１の平均値の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｎ１の平均値の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、Ｎ１の平均値は、１．１以上３．０以下でもよく、１．１以上２．５以下でもよく、１．１以上２．０以下でもよく、１．１以上１．５以下でもよく、１．１以上１．２以下でもよく、１．２以上３．０以下でもよく、１．２以上２．５以下でもよく、１．２以上２．０以下でもよく、１．２以上１．５以下でもよく、１．５以上３．０以下でもよく、１．５以上２．５以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよく、２．０以上２．５以下でもよく、２．５以上３．０以下でもよい。

Ｎ１の平均値に対するＮ１の標準偏差の比は、例えば、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。Ｎ１の平均値に対するＮ１の標準偏差の比は、例えば、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８以下でもよい。Ｎ１の平均値に対するＮ１の標準偏差の比の範囲は、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．７及び０．８からなる第２グループによって定められてもよい。Ｎ１の平均値に対するＮ１の標準偏差の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｎ１の平均値に対するＮ１の標準偏差の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｎ１の平均値に対するＮ１の標準偏差の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、Ｎ１の平均値に対するＮ１の標準偏差の比は、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよい。

マスク第４領域Ｍ４において、第１貫通孔５３Ａは、マスク第４方向Ｄ４に沿って並んでいてもよい。マスク第４領域Ｍ４において、マスク第４方向Ｄ４において隣り合う２つの第１貫通孔５３Ａの中心点の間の距離Ｋ４５は、第４５周期Ｐ４５のＮ２倍であってもよい。Ｎ２は、１以上の数であってもよい。Ｎ２は、１以上の整数であってもよい。Ｎ２の値は位置に応じて異なっていてもよい。Ｎ２の平均値の範囲としては、上述のＮ１の平均値の範囲を採用できる。Ｎ２の平均値に対するＮ２の標準偏差の比の範囲としては、上述の「Ｎ１の平均値に対するＮ１の標準偏差の比」の範囲を採用できる。

図１７を参照して、第２マスク５０Ｂについて説明する。第１マスク５０Ａと同様に構成される第２マスク５０Ｂの部分については、重複する説明を省略する場合がある。

第２マスク５０Ｂは、第２貫通孔５３Ｂ及び第２遮蔽領域５４Ｂを備える。マスク第３領域Ｍ３において、第２貫通孔５３Ｂは、第１貫通孔５３Ａと同様に、マスク第３方向Ｄ３に沿って第３６周期Ｐ３６で並んでいてもよい。第３６周期Ｐ３６は、第１マスク５０Ａにおける第３５周期Ｐ３５と同一であってもよい。マスク第３領域Ｍ３において、第２貫通孔５３Ｂは、第１貫通孔５３Ａと同様に、マスク第４方向Ｄ４に沿って第４５周期Ｐ４５で並んでいてもよい。第４６周期Ｐ４６は、第１マスク５０Ａにおける第４５周期Ｐ４５と同一であってもよい。

符号Ｇ３６は、マスク第３領域Ｍ３に位置し、マスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第２貫通孔５３Ｂの間の間隔を表す。間隔Ｇ３６の範囲としては、上述の間隔Ｇ３５の範囲を採用できる。

符号Ｇ４６は、マスク第３領域Ｍ３に位置し、マスク第４方向Ｄ４において隣り合う２つの第２貫通孔５３Ｂの間の間隔を表す。間隔Ｇ４６の範囲としては、上述の間隔Ｇ３５の範囲を採用できる。

マスク第４領域Ｍ４において、第２貫通孔５３Ｂは、マスク第３方向Ｄ３に沿って並んでいてもよい。マスク第４領域Ｍ４において、マスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第２貫通孔５３Ｂの中心点の間の距離Ｋ３６は、第３６周期Ｐ３６のＮ３倍であってもよい。Ｎ３は、１以上の数であってもよい。Ｎ３は、１以上の整数であってもよい。Ｎ３の値は位置に応じて異なっていてもよい。Ｎ３の平均値の範囲としては、上述のＮ１の平均値の範囲を採用できる。Ｎ３の平均値に対するＮ３の標準偏差の比の範囲としては、上述の「Ｎ１の平均値に対するＮ１の標準偏差の比」の範囲を採用できる。

マスク第４領域Ｍ４において、第２貫通孔５３Ｂは、マスク第４方向Ｄ４に沿って並んでいてもよい。マスク第４領域Ｍ４において、マスク第４方向Ｄ４において隣り合う２つの第２貫通孔５３Ｂの中心点の間の距離Ｋ４６は、第４６周期Ｐ４６のＮ４倍であってもよい。Ｎ４は、１以上の数であってもよい。Ｎ４は、１以上の整数であってもよい。Ｎ４の値は位置に応じて異なっていてもよい。Ｎ４の平均値の範囲としては、上述のＮ１の平均値の範囲を採用できる。Ｎ４の平均値に対するＮ４の標準偏差の比の範囲としては、上述の「Ｎ１の平均値に対するＮ１の標準偏差の比」の範囲を採用できる。

各マスク５０Ａ～５０Ｂの貫通孔５３Ａ～５３Ｂの形状及び配置を測定する方法においては、各マスクの法線方向に沿って平行光を第１面５１ａ又は第２面５１ｂの一方に入射させる。平行光は、第１面５１ａ又は第２面５１ｂの他方から出射される。出射した光が占める領域の形状を、貫通孔５３の形状として測定する。

Ｎ１の算出方法を説明する。まず、マスク第４領域Ｍ４に位置する全ての第１貫通孔５３Ａの配置及び形状を、ＳＯＫＩＡ製寸法測定機ＡＭＩＣ－７０１を用いて測定し、解析する。これによって、マスク第４領域Ｍ４に位置する全ての第１貫通孔５３Ａに関して距離Ｋ３５を算出する。また、マスク第３領域Ｍ３に位置する第１貫通孔５３Ａの配置及び形状を同様に測定し解析する。これによって、第３５周期Ｐ３５を算出する。続いて、距離Ｋ３５を第３５周期Ｐ３５で割る。これにより、マスク第４領域Ｍ４に位置する全ての第１貫通孔５３Ａに関するＮ１を算出できる。Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４も同様に算出される。マスクを製造するための設計図や設計値を基にＮ１、Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４を算出しても良い。

次に、第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂの位置関係を説明する。図１８は、マスク積層体５５を示す平面図である。マスク積層体５５は、重ねられた２枚以上のマスク５０を備える。図１８に示すマスク積層体５５は、重ねられた第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを備える。

マスク積層体５５においては、各マスク５０Ａ～５０Ｂのアライメントマーク５０Ｍが重なっていてもよい。若しくは、各マスク５０Ａ～５０Ｂのセル５２の配置に基づいて、各マスク５０Ａ～５０Ｂが重ねられていてもよい。若しくは、各マスク５０Ａ～５０Ｂの貫通孔５３Ａ～５３Ｂ及び遮蔽領域５４Ａ～５４Ｂの配置に基づいて、各マスク５０Ａ～５０Ｂが重ねられていてもよい。各マスク５０Ａ～５０Ｂを重ねる際、各マスク５０Ａ～５０Ｂには張力が加えられていてもよく、張力が加えられていなくてもよい。

なお、２枚以上のマスク５０を重ねた状態の図は、各マスク５０の画像データを重ねることによって得られてもよい。例えば、まず、撮影装置を用いて、各マスク５０Ａ～５０Ｂの貫通孔５３Ａ～５３Ｂの輪郭に関する画像データをそれぞれ取得する。続いて、画像処理装置を用いて、各マスク５０Ａ～５０Ｂの画像データを重ねる。これにより、図１８のような図を作製できる。画像データを取得する際、各マスク５０Ａ～５０Ｂには張力が加えられていてもよく、張力が加えられていなくてもよい。２枚以上のマスク５０を重ねた状態の図は、各マスク５０Ａ～５０Ｃを製造するための設計図面を重ねることによって得られても良い。

図１８に示すように、マスク積層体５５は、貫通領域５５Ａ、重なり領域５８及び孔重なり領域５９を備える。

貫通領域５５Ａは、平面視において、マスク積層体５５に含まれるマスク５０の貫通孔５３の少なくとも１つを含む。図１８に示す例において、貫通領域５５Ａは、各マスク５０Ａ～５０Ｂの貫通孔５３Ａ～５３Ｂの少なくとも１つを含む。すなわち、貫通領域５５Ａは、平面視において、各マスク５０Ａ～５０Ｂの貫通孔５３Ａ～５３Ｂの少なくともいずれかに重なる。従って、蒸着工程において、貫通領域５５Ａに対応する基板１１０の領域には、少なくとも１層の第２電極１４０が形成される。

孔重なり領域５９は、平面視において、２以上のマスク５０の貫通孔５３が重なっている領域である。すなわち、孔重なり領域５９は、平面視において、マスク積層体５５に含まれる２以上のマスク５０の貫通孔５３の少なくとも２つを含む。図１８に示す例において、孔重なり領域５９は、平面視において、第１貫通孔５３Ａと第２貫通孔５３Ｂとが重なっている領域である。すなわち、孔重なり領域５９は、第１貫通孔５３Ａ及び第２貫通孔５３Ｂを含む。従って、蒸着工程において、孔重なり領域５９に対応する基板１１０の領域には、少なくとも２層の第２電極１４０が形成される。

重なり領域５８は、平面視において、各マスク５０の全ての遮蔽領域５４が重なっている領域である。すなわち、重なり領域５８は、平面視において、各マスク５０の全ての遮蔽領域５４を含む。言い換えると、重なり領域５８は、平面視において、各マスクの貫通孔５３のいずれとも重ならない。図１８に示す例において、重なり領域５８は、平面視において、第１遮蔽領域５４Ａと第２遮蔽領域５４Ｂとが重なっている領域である。すなわち、重なり領域５８は、第１遮蔽領域５４Ａ及び第２遮蔽領域５４Ｂを含む。従って、蒸着工程において、孔重なり領域５９に対応する基板１１０の領域には、第２電極１４０が形成されない。すなわち、蒸着工程において、重なり領域５８に対応する基板１１０の領域には透過領域１０４が形成される。

平面視において、マスク積層体５５は、マスク第１領域Ｍ１及びマスク第２領域Ｍ２を備える。マスク第１領域Ｍ１は、有機デバイス１００の第１表示領域１０１に対応している。マスク第２領域Ｍ２は、有機デバイス１００の第２表示領域１０２に対応している。

マスク第１領域Ｍ１において、貫通領域５５Ａは第１開口率を有する。第１開口率は、マスク第１領域Ｍ１に位置する貫通領域５５Ａの面積の合計を、マスク第１領域Ｍ１の面積で割ることによって算出される。マスク第２領域Ｍ２において、貫通領域５５Ａは第２開口率を有する。第２開口率は、マスク第２領域Ｍ２に位置する貫通領域５５Ａの面積の合計を、マスク第２領域Ｍ２の面積で割ることによって算出される。第２開口率は、第１開口率よりも小さくてもよい。

第１開口率に対する第２開口率の比は、例えば、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。第１開口率に対する第２開口率の比は、例えば、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８以下でもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．７及び０．８からなる第２グループによって定められてもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１開口率に対する第２開口率の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１開口率に対する第２開口率の比は、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよい。

マスク第１領域Ｍ１において、第１貫通孔５３Ａ及び第２貫通孔５３Ｂがマスク第１方向Ｄ１に交互に並んでいてもよい。第１貫通孔５３Ａは、マスク第１方向Ｄ１において第２貫通孔５３Ｂに接続されていてもよい。この場合、マスク第１領域Ｍ１において、孔重なり領域５９がマスク第１方向Ｄ１に沿って第１７周期Ｐ１７で並んでいてもよい。

マスク第１領域Ｍ１において、第１貫通孔５３Ａ及び第２貫通孔５３Ｂがマスク第２方向Ｄ２に交互に並んでいてもよい。第１貫通孔５３Ａは、マスク第２方向Ｄ２において第２貫通孔５３Ｂに接続されていてもよい。この場合、マスク第１領域Ｍ１において、孔重なり領域５９がマスク第２方向Ｄ２に沿って第２７周期Ｐ２７で並んでいてもよい。

孔重なり領域５９の面積は、第１貫通孔５３Ａの面積よりも小さくてもよい。第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比は、例えば、０．０２以上でもよく、０．０５以上でもよく、０．１０以上でもよい。第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比は、例えば、０．２０以下でもよく、０．３０以下でもよく、０．４０以下でもよい。第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、０．０１、０．０５及び０．１０からなる第１グループ、及び／又は、０．２０、０．３０及び０．４０からなる第２グループによって定められてもよい。第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比は、０．０１以上０．４０以下でもよく、０．０１以上０．３０以下でもよく、０．０１以上０．２０以下でもよく、０．０１以上０．１０以下でもよく、０．０１以上０．０５以下でもよく、０．０５以上０．４０以下でもよく、０．０５以上０．３０以下でもよく、０．０５以上０．２０以下でもよく、０．０５以上０．１０以下でもよく、０．１０以上０．４０以下でもよく、０．１０以上０．３０以下でもよく、０．１０以上０．２０以下でもよく、０．２０以上０．４０以下でもよく、０．２０以上０．３０以下でもよく、０．３０以上０．４０以下でもよい。

孔重なり領域５９の面積は、第２貫通孔５３Ｂの面積よりも小さくてもよい。第２貫通孔５３Ｂの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比の範囲としては、上述の「第１貫通孔５３Ａの面積に対する孔重なり領域５９の面積の比」の範囲を採用できる。

図１８に示すように、マスク第２領域Ｍ２において、重なり領域５８は不規則に配置されていてもよい。これにより、重なり領域５８に対応する透過領域１０４が、不規則な形状を有することができる。

不規則な形状の例を説明する。図１８に示すように、重なり領域５８は、第１重なり領域５８１及び第２重なり領域５８２を含んでいてもよい。第２重なり領域５８２は、貫通領域５５Ａを挟んで第１重なり領域５８１に隣接している。第１重なり領域５８１は、第１マスク形状を有する。第２重なり領域５８２は、第１マスク形状とは異なる第２マスク形状を有していてもよい。第１マスク形状と第２マスク形状との間の具体的な相違点は任意である。例えば、第２マスク形状の面積が、第１マスク形状の面積と異なっていてもよい。

「第１重なり領域５８１」は、特定の重なり領域５８を表す用語ではなくてもよい。例えば、図１９に示すように、図１８の場合とは異なる重なり領域５８が第１重なり領域５８１に該当してもよい。図１９の貫通領域５５Ａ及び重なり領域５８の形状は、図１８の貫通領域５５Ａ及び重なり領域５８の形状と同一である。図１９の例においても、貫通領域５５Ａを挟んで第１重なり領域５８１に隣接し、且つ第１重なり領域５８１とは異なる形状を有する重なり領域５８が存在している。すなわち、図１９の例においても、第１重なり領域５８１との関係で第２重なり領域５８２に該当する重なり領域５８が存在している。このように、貫通領域５５Ａを挟んで隣接する２つの重なり領域５８が互いに異なる形状を有する場合、一方の重なり領域５８は、第１重なり領域５８１と称されることができ、他方の重なり領域５８は、第２重なり領域５８２と称されることができる。

マスク第２領域Ｍ２は、第１１該当率を有していてもよい。第１１該当率は、重なり領域５８の個数の合計に対する、第１１該当数の百分率である。第１１該当数は、第２重なり領域５８２との関係で第１重なり領域５８１と称されることができる重なり領域５８の個数である。第１１該当率は、例えば、８０％以上でもよく、８５％以上でもよく、９０％以上でもよい。第１１該当率は、例えば、９５％以下でもよく、９７％以下でもよく、９９％以下でもよい。第１１該当率の範囲は、８０％、８５％及び９０％からなる第１グループ、及び／又は、９５％、９７％及び９９％からなる第２グループによって定められてもよい。第１１該当率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１１該当率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１１該当率の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１１該当率は、８０％以上９９％以下でもよく、８０％以上９７％以下でもよく、８０％以上９５％以下でもよく、８０％以上９０％以下でもよく、８０％以上８５％以下でもよく、８５％以上９９％以下でもよく、８５％以上９７％以下でもよく、８５％以上９５％以下でもよく、８５％以上９０％以下でもよく、９０％以上９９％以下でもよく、９０％以上９７％以下でもよく、９０％以上９５％以下でもよく、９５％以上９９％以下でもよく、９５％以上９７％以下でもよく、９７％以上９９％以下でもよい。

図１８及び図１９に示すように、重なり領域５８は、第３重なり領域５８３を含んでいてもよい。第３重なり領域５８３は、貫通領域５５Ａを挟んで第１重なり領域５８１及び第２重なり領域５８２に隣接している。第３重なり領域５８３は、第１マスク形状及び第２マスク形状とは異なる第３マスク形状を有していてもよい。例えば、第３マスク形状の面積が、第１マスク形状の面積及び第２マスク形状の面積と異なっていてもよい。

マスク第２領域Ｍ２は、第１２該当率を有していてもよい。第１２該当率は、重なり領域５８の個数の合計に対する、第１２該当数の百分率である。第１２該当数は、第２重なり領域５８２及び第３重なり領域５８３との関係で第１重なり領域５８１と称されることができる重なり領域５８の個数である。第１２該当率の範囲としては、上述の第１１該当率の範囲を採用できる。

図１８及び図１９に示すように、重なり領域５８は、第４重なり領域５８４を含んでいてもよい。第４重なり領域５８４は、貫通領域５５Ａを挟んで第１重なり領域５８１及び第２重なり領域５８２に隣接している。第４重なり領域５８４は、第１マスク形状及び第２マスク形状とは異なる第４マスク形状を有していてもよい。例えば、第４マスク形状の面積が、第１マスク形状の面積及び第２マスク形状の面積と異なっていてもよい。第４マスク形状は、第３マスク形状とも異なっていてもよい。

マスク第２領域Ｍ２は、第１３該当率を有していてもよい。第１３該当率は、重なり領域５８の個数の合計に対する、第１３該当数の百分率である。第１３該当数は、第２重なり領域５８２、第３重なり領域５８３及び第４重なり領域５８４との関係で第１重なり領域５８１と称されることができる重なり領域５８の個数である。第１３該当率の範囲としては、上述の第１１該当率の範囲を採用できる。

図１８及び図１９に示すように、重なり領域５８は、第５重なり領域５８５を含んでいてもよい。第５重なり領域５８５は、貫通領域５５Ａを挟んで第１重なり領域５８１に隣接している。第５重なり領域５８５は、貫通領域５５Ａを挟んで第４重なり領域５８４に隣接していてもよい。第５重なり領域５８５は、第１マスク形状とは異なる第５マスク形状を有していてもよい。例えば、第５マスク形状の面積が、第１マスク形状の面積と異なっていてもよい。第５マスク形状は、第２マスク形状、第３マスク形状及び第４マスク形状とも異なっていてもよい。

マスク第２領域Ｍ２は、第１４該当率を有していてもよい。第１４該当率は、重なり領域５８の個数の合計に対する、第１４該当数の百分率である。第１４該当数は、第２重なり領域５８２、第３重なり領域５８３、第４重なり領域５８４及び第５重なり領域５８５との関係で第１重なり領域５８１と称されることができる重なり領域５８の個数である。第１４該当率の範囲としては、上述の第１１該当率の範囲を採用できる。

図１８及び図１９に示すように、重なり領域５８は、第６重なり領域５８６を含んでいてもよい。第６重なり領域５８６は、貫通領域５５Ａを挟んで第１重なり領域５８１に隣接している。第６重なり領域５８６は、第１マスク形状とは異なる第６マスク形状を有していてもよい。例えば、第６マスク形状の面積が、第１マスク形状の面積と異なっていてもよい。第６マスク形状は、第２マスク形状、第３マスク形状、第４マスク形状及び第５マスク形状とも異なっていてもよい。

マスク第２領域Ｍ２は、第１５該当率を有していてもよい。第１５該当率は、重なり領域５８の個数の合計に対する、第１５該当数の百分率である。第１５該当数は、第２重なり領域５８２、第３重なり領域５８３、第４重なり領域５８４、第５重なり領域５８５及び第６重なり領域５８６との関係で第１重なり領域５８１と称されることができる重なり領域５８の個数である。第１５該当率の範囲としては、上述の第１１該当率の範囲を採用できる。

次に、貫通領域５５Ａについて説明する。図１８及び図１９に示すように、貫通領域５５Ａは、接続端５５Ｚを含んでいてもよい。接続端５５Ｚは、マスク第２領域Ｍ２の貫通領域５５Ａをマスク第１領域Ｍ１の貫通領域５５Ａに接続する。接続端５５Ｚは、マスク第１領域Ｍ１とマスク第２領域Ｍ２の境界に位置する貫通領域５５Ａである。接続端５５Ｚは、上述の第２電極１４０の電極接続端１４０Ｚと同様に、第１接続端、第２接続端、第３接続端、及び第４接続端を含んでいてもよい。第１接続端は、マスク第１方向Ｄ１における一方の境界に位置する。第２接続端は、マスク第１方向Ｄ１における他方の境界に位置する。第３接続端は、マスク第２方向Ｄ２における一方の境界に位置する。第４接続端は、マスク第２方向Ｄ２における他方の境界に位置する。

第２表示領域１０２の第２電極１４０Ｙと同様に、マスク第２領域Ｍ２の貫通領域５５Ａは、１つの接続端からその他の１つの接続端まで続く領域を含んでいてもよい。例えば、貫通領域５５Ａは、下記の領域を含んでいてもよい。各領域は、互いに重複していてもよい。貫通領域５５Ａは、下記のタイプの領域の全てを含んでいてもよい。貫通領域５５Ａは、下記のタイプの領域の一部を含んでいてもよい。
・第１接続端から第２接続端まで続く領域
・第１接続端から第３接続端まで続く領域
・第１接続端から第４接続端まで続く領域
・第２接続端から第３接続端まで続く領域
・第２接続端から第４接続端まで続く領域
・第３接続端から第４接続端まで続く領域

図１８及び図１９に示すように、マスク第２領域Ｍ２の貫通領域５５Ａは、幹領域５６及び枝領域５７を含んでいてもよい。幹領域５６は、１つの接続端からその他の１つの接続端まで続く経路を構成している。枝領域５７は、幹領域５６に接続されている。

図２０は、枝領域５７の一例を示す平面図である。枝領域５７は、第１枝領域５７Ａであってもよく、第２枝領域５７Ｂであってもよい。

第１枝領域５７Ａは、２つの第１領域端５７１及び１つの第２領域端５７２を含んでいる。第１領域端５７１は、マスク第５方向Ｄ５における枝領域５７の端である。２つの第１領域端５７１は、マスク第５方向Ｄ５に直交する方向において対向している。マスク第５方向Ｄ５は、マスク第１方向Ｄ１と平行であってもよい。図示はしないが、マスク第５方向Ｄ５は、マスク第１方向Ｄ１と平行でなくてもよい。第２領域端５７２は、マスク第６方向Ｄ６における枝領域５７の端である。マスク第６方向Ｄ６は、マスク第５方向Ｄ５に交差している。マスク第６方向Ｄ６は、マスク第５方向Ｄ５に直交していてもよい。２つの第１領域端５７１及び１つの第２領域端５７２は、重なり領域５８に接している。

第２枝領域５７Ｂは、１つの第１領域端５７１及び２つの第２領域端５７２を含んでいる。２つの第２領域端５７２は、マスク第６方向Ｄ６に直交する方向において対向している。１つの第１領域端５７１及び２つの第２領域端５７２は、重なり領域５８に接している。

第１領域端５７１の幅Ｗ５５は、第２７周期Ｐ２７に対して一定の比率を有していてもよい。第２７周期Ｐ２７に対する幅Ｗ５５の比は、例えば、０．４以上でもよく、０．６以上でもよく、０．８以上でもよい。第２７周期Ｐ２７に対する幅Ｗ５５の比は、例えば、１．２以下でもよく、１．４以下でもよく、１．６以下でもよい。第２７周期Ｐ２７に対する幅Ｗ５５の比の範囲は、０．４、０．６及び０．８からなる第１グループ、及び／又は、１．２、１．４及び１．６からなる第２グループによって定められてもよい。第２７周期Ｐ２７に対する幅Ｗ５５の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２７周期Ｐ２７に対する幅Ｗ５５の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２７周期Ｐ２７に対する幅Ｗ５５の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第２７周期Ｐ２７に対する幅Ｗ５５の比は、０．４以上１．６以下でもよく、０．４以上１．４以下でもよく、０．４以上１．２以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上１．６以下でもよく、０．６以上１．４以下でもよく、０．６以上１．２以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．８以上１．６以下でもよく、０．８以上１．４以下でもよく、０．８以上１．２以下でもよく、１．２以上１．６以下でもよく、１．２以上１．４以下でもよく、１．４以上１．６以下でもよい。

第２領域端５７２の幅Ｗ６５は、第１７周期Ｐ１７に対して一定の比率を有していてもよい。第１７周期Ｐ１７に対する幅Ｗ６５の比は、例えば、０．４以上でもよく、０．６以上でもよく、０．８以上でもよい。第１７周期Ｐ１７に対する幅Ｗ６５の比は、例えば、１．２以下でもよく、１．４以下でもよく、１．６以下でもよい。第１７周期Ｐ１７に対する幅Ｗ６５の比の範囲は、０．４、０．６及び０．８からなる第１グループ、及び／又は、１．２、１．４及び１．６からなる第２グループによって定められてもよい。第１７周期Ｐ１７に対する幅Ｗ６５の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１７周期Ｐ１７に対する幅Ｗ６５の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１７周期Ｐ１７に対する幅Ｗ６５の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、第１７周期Ｐ１７に対する幅Ｗ６５の比は、０．４以上１．６以下でもよく、０．４以上１．４以下でもよく、０．４以上１．２以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上１．６以下でもよく、０．６以上１．４以下でもよく、０．６以上１．２以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．８以上１．６以下でもよく、０．８以上１．４以下でもよく、０．８以上１．２以下でもよく、１．２以上１．６以下でもよく、１．２以上１．４以下でもよく、１．４以上１．６以下でもよい。

貫通領域５５Ａが枝領域５７を含むことにより、貫通領域５５Ａを不規則に配置しやすくなる。このため、第２電極１４０Ｙを不規則に形成できる。これにより、透過領域１０４を透過するときに回折される光が互いに強め合うことをさらに抑制できる。

次に、有機デバイス１００を製造する方法の一例について説明する。

まず、第１電極１２０が形成されている基板１１０を準備する。第１電極１２０は、例えば、第１電極１２０を構成する導電層をスパッタリング法などによって基板１１０に形成した後、フォトリソグラフィー法などによって導電層をパターニングすることによって形成される。平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０が基板１１０に形成されていてもよい。

続いて、図８に示すように、第１有機層１３０Ａ及び第２有機層１３０Ｂを含む有機層１３０を第１電極１２０上に形成する。第１有機層１３０Ａは、例えば、第１有機層１３０Ａに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。例えば、マスクを介して第１有機層１３０Ａに対応する第１電極１２０上に有機材料などを蒸着させることにより、第１有機層１３０Ａを形成することができる。第２有機層１３０Ｂも、第２有機層１３０Ｂに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。

続いて、第２電極形成工程を実施してもよい。第２電極形成工程においては、上述のマスク群を用いて有機層１３０上に第２電極１４０を形成する。まず、第１マスク５０Ａを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する工程を実施してもよい。例えば、第１マスク５０Ａを介して金属などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させる。これにより、第１層１４０Ａを形成できる。続いて、第２マスク５０Ｂを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する工程を実施してもよい。例えば、第２マスク５０Ｂを介して金属などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させる。これにより、第２層１４０Ｂを形成できる。このようにして、図７に示すように、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含む第２電極１４０を形成できる。

なお、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを形成する順序は特には限定されない。例えば、第２層１４０Ｂ、第１層１４０Ａの順に蒸着工程が実施されてもよい。

本開示の形態の効果についてまとめる。

有機デバイス１００の第２表示領域１０２が、透過領域１０４を含む場合、有機デバイス１００に到達した光が、透過領域１０４を透過して基板の裏側の光学部品などに到達できる。従って、第２表示領域１０２は、光を検出し、且つ映像を表示できる。このため、カメラ、指紋センサなどのセンサの機能を第２表示領域１０２に実現できる。

透過領域１０４の形状が一定でない場合、透過領域１０４を透過するときに回折される光が互いに強め合うことを抑制できる。従って、高い強度を有する回折光がセンサに入射することを抑制できる。これにより、例えば、センサによって生成される画像がぼやけることを抑制できる。

図２１は、参考の形態に係る第２表示領域１０２の一例を拡大して示す平面図である。図２１に示す例において、透過領域１０４の形状は一定である。具体的には、透過領域１０４は平面視において正方形である。この場合、透過領域１０４を透過するときに回折される光は、特定の方向で強め合うことがある。このため、第２表示領域１０２に設けられているセンサによって生成される画像がぼやけることがある。

これに対して、上述の図３の例によれば、透過領域１０４の形状が一定でないので、透過領域１０４を透過するときに回折される光が互いに強め合うことを抑制できる。従って、高い強度を有する回折光がセンサに入射することを抑制できる。これにより、例えば、センサによって生成される画像がぼやけることを抑制できる。

なお、上述した一実施形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、その他の実施形態について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果がその他の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

上述の一実施形態においては、第１表示領域１０１の有機層１３０と第２表示領域１０２の有機層１３０とが同一の寸法を有する例を示した。しかしながら、第２表示領域１０２の有機層１３０は、第１表示領域１０１の有機層１３０とは異なる寸法を有していてもよい。例えば図２２に示すように、第２表示領域１０２の有機層１３０は、第１表示領域１０１の有機層１３０よりも大きい寸法を有していてもよい。

図２２に示す第１表示領域１０１は、図３及び図７に示す上述の第１表示領域１０１と同一の構成を有する。具体的には、第１表示領域１０１において、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃを含む有機層１３０は、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に並んでいる。第２電極１４０Ｘは、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃを含んでいる。平面視において、１つの第１層１４０Ａ又は１つの第２層１４０Ｂが、１つの有機層１３０に重なっている。

第２表示領域１０２において、第２電極１４０Ｙは、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃを含んでいてもよい。第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃはそれぞれ、後述する第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃを用いる蒸着法によって形成される。

第３層１４０Ｃは、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃを含む有機層１３０に重なっていてもよい。第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂは、有機層１３０に重なっていなくてもよい。

図２２の例においても、第２電極１４０Ｙは不規則に配置されていてもよい。これにより、第２電極１４０Ｙによって囲まれている透過領域１０４が、不規則な形状を有することができる。例えば、図３の例と同様に、透過領域１０４は、第１透過領域１０４１及び第２透過領域１０４２を含んでいてもよい。透過領域１０４は、第３透過領域１０４３を含んでいてもよい。透過領域１０４は、第４透過領域１０４４を含んでいてもよい。透過領域１０４は、第５透過領域１０４５を含んでいてもよい。透過領域１０４は、第６透過領域１０４６を含んでいてもよい。

図２４は、第１マスク５０Ａの一例を示す平面図である。図２５は、第２マスク５０Ｂの一例を示す平面図である。図２６は、第３マスク５０Ｃの一例を示す平面図である。

図２４に示すように、第１マスク５０Ａは、第１貫通孔５３Ａ及び第１遮蔽領域５４Ａを備える。図１６に示す例と同様に、マスク第４領域Ｍ４において、マスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第１貫通孔５３Ａの中心点の間の距離Ｋ３５は、第３５周期Ｐ３５のＮ１倍であってもよい。マスク第４領域Ｍ４において、マスク第４方向Ｄ４において隣り合う２つの第１貫通孔５３Ａの中心点の間の距離Ｋ４５は、第４５周期Ｐ４５のＮ２倍であってもよい。

図２５に示すように、第２マスク５０Ｂは、第２貫通孔５３Ｂ及び第２遮蔽領域５４Ｂを備える。図１７に示す例と同様に、マスク第４領域Ｍ４において、マスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第２貫通孔５３Ｂの中心点の間の距離Ｋ３６は、第３６周期Ｐ３６のＮ３倍であってもよい。マスク第４領域Ｍ４において、マスク第４方向Ｄ４において隣り合う２つの第２貫通孔５３Ｂの中心点の間の距離Ｋ４６は、第４６周期Ｐ４６のＮ４倍であってもよい。

図２６に示すように、第３マスク５０Ｃは、マスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４を含む。第３マスク５０Ｃは、マスク第４領域Ｍ４において、第３貫通孔５３Ｃ及び第３遮蔽領域５４Ｃを備えていてもよい。第３貫通孔５３Ｃは、マスク第１方向Ｄ１において、第１８周期Ｐ１８で並んでいてもよい。第３貫通孔５３Ｃは、マスク第２方向Ｄ２において、第２８周期Ｐ２８で並んでいてもよい。第３マスク５０Ｃは、マスク第３領域Ｍ３において、第３遮蔽領域５４Ｃを含む。第３マスク５０Ｃは、マスク第３領域Ｍ３において、第３貫通孔５３Ｃを含んでいなくてもよい。

図２３は、マスク積層体５５を示す平面図である。マスク積層体５５は、重ねられた第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃを備える。マスク積層体５５において、第１貫通孔５３Ａ及び第２貫通孔５３Ｂは、マスク第１方向Ｄ１において第３貫通孔５３Ｃに接続されていてもよい。第１貫通孔５３Ａ及び第２貫通孔５３Ｂは、マスク第２方向Ｄ２において第３貫通孔５３Ｃに接続されていてもよい。

マスク積層体５５は、貫通領域５５Ａ、重なり領域５８及び孔重なり領域５９を備える。図１８の例と同様に、マスク第２領域Ｍ２において、重なり領域５８は不規則に配置されていてもよい。これにより、重なり領域５８に対応する透過領域１０４が、不規則な形状を有することができる。例えば、図１８の例と同様に、重なり領域５８は、第１重なり領域５８１及び第２重なり領域５８２を含んでいてもよい。重なり領域５８は、第３重なり領域５８３を含んでいてもよい。重なり領域５８は、第４重なり領域５８４を含んでいてもよい。重なり領域５８は、第５重なり領域５８５を含んでいてもよい。重なり領域５８は、第６重なり領域５８６を含んでいてもよい。

第２電極形成工程においては、第１マスク５０Ａ、第２マスク５０Ｂ及び第３マスク５０Ｃを含むマスク群を用いて第２電極１４０を形成する。まず、第１マスク５０Ａを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する工程を実施してもよい。続いて、第２マスク５０Ｂを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する工程を実施してもよい。続いて、第３マスク５０Ｃを用いる蒸着法によって第２電極１４０の第３層１４０Ｃを形成してもよい。このようにして、図２２に示すように、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ及び第３層１４０Ｃを含む第２電極１４０を形成できる。

上述の実施形態においては、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層１３０Ｃを含む有機層１３０が、平面視において、第２電極１４０の１つの層と重なる例を示した。しかしながら、有機層１３０は、第２電極１４０の２つ以上の層と重なっていてもよい。例えば図２７に示すように、第１有機層１３０Ａ及び第３有機層１３０Ｃが、第２電極１４０の１つの層に重なり、第２有機層１３０Ｂが、第２電極１４０のその他の１つの層に重なっていてもよい。

図２７に示すように、第２電極１４０は、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含んでいてもよい。第１層１４０Ａは、第１１層１４０Ａ１及び第１２層１４０Ａ２を含んでいてもよい。第１２層１４０Ａ２は、第１１層１４０Ａ１よりも大きい面積を有していてもよい。第２層１４０Ｂは、第２１層１４０Ｂ１及び第２２層１４０Ｂ２を含んでいてもよい。第２２層１４０Ｂ２は、第２１層１４０Ｂ１よりも大きい面積を有していてもよい。

第１１層１４０Ａ１は、素子第１方向Ｇ１において第２２層１４０Ｂ２に接続されていてもよい。第１１層１４０Ａ１は、素子第２方向Ｇ２において第２１層１４０Ｂ１に接続されていてもよい。第２１層１４０Ｂ１は、素子第１方向Ｇ１において第１２層１４０Ａ２に接続されていてもよい。第２２層１４０Ｂ２は、素子第２方向Ｇ２において第１２層１４０Ａ２に接続されていてもよい。

１つの第１有機層１３０Ａ及び１つの第３有機層１３０Ｃは、平面視において、１つの第１２層１４０Ａ２又は１つの第２２層１４０Ｂ２に重なっていてもよい。１つの第２有機層１３０Ｂは、平面視において、１つの第１１層１４０Ａ１又は１つの第２１層１４０Ｂ１に重なっていてもよい。

図２７の例においても、第２電極１４０Ｙは不規則に配置されていてもよい。これにより、第２電極１４０Ｙによって囲まれている透過領域１０４が、不規則な形状を有することができる。例えば、図３の例と同様に、透過領域１０４は、第１透過領域１０４１及び第２透過領域１０４２を含んでいてもよい。透過領域１０４は、第３透過領域１０４３を含んでいてもよい。透過領域１０４は、第４透過領域１０４４を含んでいてもよい。透過領域１０４は、第５透過領域１０４５を含んでいてもよい。透過領域１０４は、第６透過領域１０４６を含んでいてもよい。

図２９は、第１マスク５０Ａの一例を示す平面図である。図３０は、第２マスク５０Ｂの一例を示す平面図である。

図２９に示すように、第１マスク５０Ａは、第１貫通孔５３Ａ及び第１遮蔽領域５４Ａを備える。図１６に示す例と同様に、マスク第４領域Ｍ４において、マスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第１貫通孔５３Ａの中心点の間の距離Ｋ３５は、第３５周期Ｐ３５のＮ１倍であってもよい。マスク第４領域Ｍ４において、マスク第４方向Ｄ４において隣り合う２つの第１貫通孔５３Ａの中心点の間の距離Ｋ４５は、第４５周期Ｐ４５のＮ２倍であってもよい。

図３０に示すように、第２マスク５０Ｂは、第２貫通孔５３Ｂ及び第２遮蔽領域５４Ｂを備える。図１７に示す例と同様に、マスク第４領域Ｍ４において、マスク第３方向Ｄ３において隣り合う２つの第２貫通孔５３Ｂの中心点の間の距離Ｋ３６は、第３６周期Ｐ３６のＮ３倍であってもよい。マスク第４領域Ｍ４において、マスク第４方向Ｄ４において隣り合う２つの第２貫通孔５３Ｂの中心点の間の距離Ｋ４６は、第４６周期Ｐ４６のＮ４倍であってもよい。

図２８は、マスク積層体５５を示す平面図である。マスク積層体５５は、重ねられた第１マスク５０Ａ及び第２マスク５０Ｂを備える。

マスク積層体５５は、貫通領域５５Ａ、重なり領域５８及び孔重なり領域５９を備える。図１８の例と同様に、マスク第２領域Ｍ２において、重なり領域５８は不規則に配置されていてもよい。これにより、重なり領域５８に対応する透過領域１０４が、不規則な形状を有することができる。例えば、図１８の例と同様に、重なり領域５８は、第１重なり領域５８１及び第２重なり領域５８２を含んでいてもよい。重なり領域５８は、第３重なり領域５８３を含んでいてもよい。重なり領域５８は、第４重なり領域５８４を含んでいてもよい。重なり領域５８は、第５重なり領域５８５を含んでいてもよい。重なり領域５８は、第６重なり領域５８６を含んでいてもよい。

図３８及び図３９を参照して、有機デバイス１００の一例を説明する。

図３８は、有機デバイス１００の一例を示す平面図である。第１表示領域１０１に位置する素子１１５を、素子１１５Ｘとも表す。第２表示領域１０２に位置する素子１１５を、素子１１５Ｙとも表す。

第１表示領域１０１において、素子１１５Ｘの有機層は、素子第１方向Ｇ１に沿って第１１周期Ｐ１１で並んでいてもよい。第２表示領域１０２において、素子１１５Ｙの有機層は、素子第１方向Ｇ１に沿って第１２周期Ｐ１２で並んでいてもよい。第１２周期Ｐ１２は、第１１周期Ｐ１１と同一であってもよい。第１２周期Ｐ１２が第１１周期Ｐ１１と同一であることにより、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間に視覚的な差が生じることを抑制できる。

第１表示領域１０１において、素子１１５Ｘの有機層は、素子第２方向Ｇ２に沿って第２１周期Ｐ２１で並んでいてもよい。第２表示領域１０２において、素子１１５Ｙの有機層は、素子第２方向Ｇ２に沿って第２２周期Ｐ２２で並んでいてもよい。第２２周期Ｐ２２は、第２１周期Ｐ２１と同一であってもよい。第２２周期Ｐ２２が第２１周期Ｐ２１と同一であることにより、第１表示領域１０１と第２表示領域１０２の間に視覚的な差が生じることを抑制できる。

図３９は、図３８の第２表示領域１０２の一例を示す平面図である。図３８においては、第２電極１４０によって覆われている第１電極１２０が点線で示されている。第１電極１２０は、第１Ａ電極１２０Ａ、第１Ｂ電極１２０Ｂ及び第１Ｃ電極１２０Ｃを含んでもよい。第１Ａ電極１２０Ａは、平面視において上述の第１有機層に重なる。第１Ｂ電極１２０Ｂは、平面視において上述の第２有機層に重なる。第１Ｃ電極１２０Ｃは、平面視において上述の第３有機層に重なる。

素子１１５Ｘは、少なくとも１つの第１Ａ電極１２０Ａと、少なくとも１つの第１Ｂ電極１２０Ｂと、少なくとも１つの第１Ｃ電極１２０Ｃと、を含んでもよい。例えば、素子１１５Ｘは、１つの第１Ａ電極１２０Ａと、１つの第１Ｂ電極１２０Ｂと、２つの第１Ｃ電極１２０Ｃと、を含んでもよい。素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における素子１１５Ｘの周期は、第１Ａ電極１２０Ａ又は第１Ｂ電極１２０Ｂのいずれかの周期に基づいて決定されてもよい。

素子１１５Ｙも、素子１１５Ｘと同様に、少なくとも１つの第１Ａ電極１２０Ａと、少なくとも１つの第１Ｂ電極１２０Ｂと、少なくとも１つの第１Ｃ電極１２０Ｃと、を含んでもよい。例えば、素子１１５Ｙは、素子１１５Ｘと同様に、１つの第１Ａ電極１２０Ａと、１つの第１Ｂ電極１２０Ｂと、２つの第１Ｃ電極１２０Ｃと、を含んでもよい。素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における素子１１５Ｙの周期は、第１Ａ電極１２０Ａ又は第１Ｂ電極１２０Ｂのいずれかの周期に基づいて決定されてもよい。

第２表示領域１０２の素子１１５Ｙの面積は、第１表示領域１０１の素子１１５Ｘの面積よりも小さくてもよい。例えば、第２表示領域１０２の素子１１５Ｙの有機層の面積は、第１表示領域１０１の素子１１５Ｘの有機層の面積よりも小さくてもよい。例えば、第２表示領域１０２の素子１１５Ｙの第１電極の面積は、第１表示領域１０１の素子１１５Ｘの第１電極の面積よりも小さくてもよい。素子１１５Ｙの面積を素子１１５Ｘの面積よりも小さくすることにより、図３９に示すように、第２表示領域１０２に、第１透過領域１０４１、第２透過領域１０４２、第３透過領域１０４３などの透過領域１０４を形成できる。図３９に示す例において、素子１１５Ｘの第１電極の面積は、１つの第１Ａ電極１２０Ａの面積、１つの第１Ｂ電極１２０Ｂの面積、及び２つの第１Ｃ電極１２０Ｃの面積の和である。図３９に示す例において、素子１１５Ｙの第１電極の面積は、１つの第１Ａ電極１２０Ａの面積、１つの第１Ｂ電極１２０Ｂの面積、及び２つの第１Ｃ電極１２０Ｃの面積の和である。

素子１１５Ｘの第１電極の面積に対する素子１１５Ｙの第１電極の面積の比は、例えば、０．１以上でもよく、０．２以上でもよく、０．３以上でもよい。素子１１５Ｘの第１電極の面積に対する素子１１５Ｙの第１電極の面積の比は、例えば、０．５以下でもよく、０．７以下でもよく、０．９以下でもよい。素子１１５Ｘの第１電極の面積に対する素子１１５Ｙの第１電極の面積の比の範囲は、０．１、０．２及び０．３からなる第１グループ、及び／又は、０．５、０．７及び０．９からなる第２グループによって定められてもよい。素子１１５Ｘの第１電極の面積に対する素子１１５Ｙの第１電極の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。素子１１５Ｘの第１電極の面積に対する素子１１５Ｙの第１電極の面積の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。素子１１５Ｘの第１電極の面積に対する素子１１５Ｙの第１電極の面積の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、素子１１５Ｘの第１電極の面積に対する素子１１５Ｙの第１電極の面積の比は、０．１以上０．９以下でもよく、０．１以上０．７以下でもよく、０．１以上０．５以下でもよく、０．１以上０．３以下でもよく、０．１以上０．２以下でもよく、０．２以上０．９以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．５以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．９以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．５以下でもよく、０．５以上０．９以下でもよく、０．５以上０．７以下でもよく、０．７以上０．９以下でもよい。

異なる形状を有する２つの透過領域１０４は、複数の第１電極１２０が規則的に並ぶ方向において、第１電極１２０及び第２電極１４０Ｙを挟んで隣接していてもよい。図３９に示す例において、複数の第１電極１２０は、素子第３方向Ｇ３及び素子第４方向Ｇ４においても規則的に並んでいる。図３９に示す例においては、素子第３方向Ｇ３において、第１透過領域１０４１と第３透過領域１０４３とが第１電極１２０及び第２電極１４０Ｙを挟んで隣接している。図３９に示す例において、素子第３方向Ｇ３が素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に対してなす角度は、４５°である。図３９に示す例において、素子第４方向Ｇ４は、素子第３方向Ｇ３に直交している。

図４０乃至図４３を参照して、透過領域１０４を形成する方法の一例を説明する。具体的には、第２電極１４０を形成する工程の前に、基板１１０上に抑制層を形成する例を説明する。抑制層は、第２電極１４０を構成する導電性材料が付着しにくいという特性を有する。

図４０は、抑制層を形成するためのマスク６０の一例を示す平面図である。マスク６０は、少なくとも１つのセル６２を含む。セル６２は、貫通孔６３及び遮蔽領域６４を含む。マスク６０は、２つ以上のセル６２を含んでいてもよい。１つのセル６２は、１つの有機ＥＬ表示装置の表示領域に、すなわち１つの画面に対応していてもよい。

マスク６０は、上述のマスク５０と同様に、マスク第３領域Ｍ３及びマスク第４領域Ｍ４を備える。マスク第３領域Ｍ３は、有機デバイス１００の第１表示領域１０１に対応している。マスク第４領域Ｍ４は、有機デバイス１００の第２表示領域１０２に対応している。

マスク第３領域Ｍ３は、遮蔽領域６４を含む。マスク第３領域Ｍ３は、貫通孔６３を含んでいなくてもよい。すなわち、マスク第３領域Ｍ３の全域が遮蔽領域６４によって構成されていてもよい。

マスク第４領域Ｍ４は、貫通孔６３及び遮蔽領域６４を含む。マスク第４領域Ｍ４の貫通孔６３は、透過領域１０４に対応している。遮蔽領域６４は不規則に配置されていてもよい。これにより、遮蔽領域６４によって囲まれている貫通孔６３が、不規則な形状を有することができる。例えば、マスク第４領域Ｍ４は、異なる形状を有し、遮蔽領域６４を挟んで隣接する２つの貫通孔６３を含んでもよい。例えば、マスク第４領域Ｍ４は、上述の第１透過領域１０４１～第６透過領域１０４６に対応する第１貫通孔～第６貫通孔を含んでもよい。

図４１は、抑制層１７０を形成する抑制層形成工程の一例を示す断面図である。抑制層形成工程は、有機層１３０を形成する工程の後であって、第２電極１４０を形成する工程の前に実施される。

抑制層形成工程は、マスク６０を介して抑制層１７０の材料を基板１１０に蒸着させる工程を含んでいてもよい。図４１に示すように、貫通孔６３に重なる基板１１０の領域に抑制層１７０が形成される。

図４２は、第２電極１４０を形成するためのマスク５０の一例を示す平面図である。マスク５０は、少なくとも１つのセル５２を含む。セル５２は、貫通孔５３によって構成されている。セル５２は、遮蔽領域５４によって囲まれている。

図４３は、第２電極１４０を形成する工程の一例を示す断面図である。第２電極１４０は、図４２のマスク５０を介して第２電極１４０の材料を基板１１０に蒸着させることによって形成される。上述のように、抑制層１７０は、第２電極１４０を構成する導電性材料が付着しにくいという特性を有する。図４３に示すように、抑制層１７０上に第２電極１４０が形成されることを抑制できる。このため、抑制層１７０が形成されている領域が、透過領域１０４として機能できる。

抑制層１７０は、透明性を有する。例えば、基板１１０及び抑制層１７０を含む積層体の透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。基板１１０及び抑制層１７０を含む積層体の透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３６１－１に準ずるプラスチック－透明材料の全光透過率の試験方法により測定できる。

抑制層１７０の材料は、WO2017072678A1又はWO2019150327A1に記載されている核生成抑制コーティング(nucleation inhibiting coating)の材料であってもよい。例えば、抑制層１７０の材料は、低分子有機材料および有機ポリマーなどの有機材料を含んでいてもよい。有機材料は、例えば、多環芳香族化合物であってもよい。多環芳香族化合物は、コア部分と、コア部分に結合した少なくとも1つの末端部分と、を含む有機分子を含む。有機分子は、窒素、硫黄、酸素、リン、アルミニウムなどの1つまたは複数のヘテロ原子を含んでいてもよい。末端部分の数は、1以上であってもよく、２以上であってもよく、３以上であってもよく、４以上であってもよい。有機分子が２つ以上の末端部分を含む場合、２つ以上の末端部位は、同一であってもよく、異なっていてもよい。

末端部分は、以下の化学構造（ｌ－ａ）、（ｌ－ｂ）および（ｌ－ｃ）のいずれかで表されるビフェニリル部分を含んでいてもよい。

置換基ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立に、重水素、フッ素、Ｃ_１～Ｃ_４アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、フルオロアルキル、およびこれらの任意の組み合わせから選択されてもよい。

図４４及び図４５を参照して、透過領域１０４を形成する方法の一例を説明する。具体的には、第２電極１４０を部分的に除去することによって透過領域１０４を形成する例を説明する。

図４４は、第２電極１４０を形成する工程の一例を示す断面図である。図４４の第２電極１４０は、例えば、図４２に示すマスク５０を介して第２電極１４０の材料を基板１１０に蒸着させることによって形成される。この場合、第２電極１４０は、第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２の全域にわたって形成される。

第２電極１４０を形成する工程の後に、第２電極１４０を部分的に除去する工程が実施される。例えば、図４５に示すように、第２表示領域１０２の第２電極１４０に部分的にレーザーＬを照射する。レーザーＬが照射された第２電極１４０が飛散することにより、透過領域１０４が形成される。

図示はしないが、レーザーＬは、レーザーマスクを介して第２電極１４０に照射されてもよい。レーザーマスクは、透過領域１０４に対応する貫通孔を含む。

次に、本開示の実施形態を実施例により更に具体的に説明するが、本開示の実施形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

例１
透過領域１０４を通過した光に生じる回折を、シミュレーションにより検証した。

図３１に示す基板１１０及び第２電極１４０を設計した。第２電極１４０は、不規則に配置されていている。このため、第２電極１４０によって囲まれている透過領域１０４が、不規則な形状を有することができる。

図３２に示す構成に基づいて、透過領域１０４を通過してスクリーン１１３に到達する光の強度分布をシミュレーションによって算出した。まず、基板１１０の法線方向に沿って光Ｌ１を基板１１０に入射させた。続いて、第２電極１４０によって生じる光の回折をシミュレーションによって算出した。符号Ｌ２は、回折されることなく直進してスクリーン１１３に到達する光を表す。符号Ｐｃは、スクリーン１１３上の光Ｌ３の到達点を表す。符号Ｌ３は、第２電極１４０によって回折される光を表す。光Ｌ１の波長は５５０ｎｍである。第２電極１４０とスクリーン１１３との間の距離は５０００ｍｍである。基板１１０に起因する光の屈折は無視した。

シミュレーションの結果を図３３及び図３４に示す。横軸は、点Ｐｃからの距離を表す。縦軸は、スクリーン１１３に到達した光の強度を表す。図３３は、第２電極１４０の透過率を０％に設定した場合のシミュレーション結果である。図３４は、第２電極１４０の透過率を６０％に設定した場合のシミュレーション結果である。

例２
図３５に示す基板１１０及び第２電極１４０を設計した。第２電極１４０は、規則的に格子状に配置されている。このため、第２電極１４０によって囲まれている透過領域１０４は正方形である。

透過領域１０４を通過してスクリーン１１３に到達する光の強度分布をシミュレーションによって算出した。シミュレーションの結果を図３６及び図３７に示す。図３６は、第２電極１４０の透過率を０％に設定した場合のシミュレーション結果である。図３７は、第２電極１４０の透過率を６０％に設定した場合のシミュレーション結果である。

図３３と図３６の比較、及び図３４と図３７の比較から分かるように、透過領域１０４が不規則な形状を有することにより、高い強度を有する回折光Ｌ３がスクリーン１１３に到達することを抑制できた。

例３
図４６に示す第１Ａ電極１２０Ａ、第１Ｂ電極１２０Ｂ、第１Ｃ電極１２０Ｃ及び第２電極１４０を設計した。複数の透過領域１０４は、いずれも十字形を有する。複数の透過領域１０４は、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に沿って規則的に並んでいる。

例１の場合と同様に、透過領域１０４を通過してスクリーン１１３に到達する光の強度分布をシミュレーションによって算出した。シミュレーションの設定条件は下記の通りである。
・透過領域１０４の透過率：１００％
・第２電極１４０の透過率：６０％
・第１Ａ電極１２０Ａ、第１Ｂ電極１２０Ｂ、第１Ｃ電極１２０Ｃの透過率：０％

強度分布に現れる回折光の強度の最大値は、９．５％であった。回折光の強度は、スクリーン１１３上の点Ｐｃにおける光の強度で規格化されている。

例４
図４７に示す第１Ａ電極１２０Ａ、第１Ｂ電極１２０Ｂ、第１Ｃ電極１２０Ｃ及び第２電極１４０を設計した。素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における素子１１５の周期は、例３の場合と同一である。複数の透過領域１０４は、いずれも長方形を有する。複数の透過領域１０４は、素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に沿って規則的に並んでいる。

例３の場合と同様に、透過領域１０４を通過してスクリーン１１３に到達する光の強度分布をシミュレーションによって算出した。強度分布に現れる回折光の強度の最大値は、９．５％であった。

例５
図４８に示す第１Ａ電極１２０Ａ、第１Ｂ電極１２０Ｂ、第１Ｃ電極１２０Ｃ及び第２電極１４０を設計した。素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における素子１１５の周期は、例３の場合と同一である。

例５の第２電極１４０Ｙは不規則に配置されている。このため、第２電極１４０Ｙによって囲まれている透過領域１０４は、不規則な形状を有する。透過領域１０４は、素子第１方向Ｇ１において隣り合う２つの素子１１５の間、及び、素子第２方向Ｇ２において隣り合う２つの素子１１５の間に位置する。一部の透過領域１０４は、円形を有する。一部の透過領域１０４は、四角形を有する。一部の四角形の透過領域１０４は、隣接する透過領域１０４に接続されている。

例５は、素子第３方向Ｇ３において１つの素子１１５を挟んで隣接する２つの円形の透過領域１０４を含む。例５は、素子第４方向Ｇ４において１つの素子１１５を挟んで隣接する２つの円形の透過領域１０４を含む。例５において、素子第３方向Ｇ３が素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２に対してなす角度は、４５°である。例５において、素子第４方向Ｇ４は、素子第３方向Ｇ３に直交している。例５において、２つの円形の透過領域１０４が１つの素子１１５を挟んで隣接する確率は、１／１６である。確率は、第１の組み合わせの数に対する、第２の組み合わせの数の比率である。第１の組み合わせの数は、素子第３方向Ｇ３又は素子第４方向Ｇ４において１つの素子１１５を挟んで隣接する２つの透過領域１０４の組み合わせの数である。第２の組み合わせの数は、素子第３方向Ｇ３又は素子第４方向Ｇ４において１つの素子１１５を挟んで隣接する２つの円形の透過領域１０４の組み合わせの数である。

例３の場合と同様に、透過領域１０４を通過してスクリーン１１３に到達する光の強度分布をシミュレーションによって算出した。強度分布に現れる回折光の強度の最大値は、５．５％であった。

例６
図４９に示す第１Ａ電極１２０Ａ、第１Ｂ電極１２０Ｂ、第１Ｃ電極１２０Ｃ及び第２電極１４０を設計した。素子第１方向Ｇ１及び素子第２方向Ｇ２における素子１１５の周期は、例３の場合と同一である。

例６の第２電極１４０Ｙは、例５の場合と同様に、不規則に配置されている。このため、第２電極１４０Ｙによって囲まれている透過領域１０４は、不規則な形状を有する。透過領域１０４は、素子第１方向Ｇ１において隣り合う２つの素子１１５の間、及び、素子第２方向Ｇ２において隣り合う２つの素子１１５の間に位置する。一部の透過領域１０４は、円形を有する。一部の透過領域１０４は、四角形を有する。一部の四角形の透過領域１０４は、隣接する透過領域１０４に接続されている。

例６は、例５の場合と同様に、素子第３方向Ｇ３において１つの素子１１５を挟んで隣接する２つの円形の透過領域１０４を含む。例６は、例５の場合と同様に、素子第４方向Ｇ４において１つの素子１１５を挟んで隣接する２つの円形の透過領域１０４を含む。例５において、２つの円形の透過領域１０４が１つの素子１１５を挟んで隣接する確率は、１／４である。

例３の場合と同様に、透過領域１０４を通過してスクリーン１１３に到達する光の強度分布をシミュレーションによって算出した。強度分布に現れる回折光の強度の最大値は、５．３％であった。

Claims (9)

1. 有機デバイスであって、
   基板と、
   前記基板上に位置する第１電極と、
   前記第１電極上に位置する有機層と、
   前記有機層上に位置する第２電極と、を備え、
   前記基板の法線方向に沿って見た場合、前記有機デバイスは、第１占有率を有する前記第２電極を含む第１表示領域と、前記第１占有率よりも小さい第２占有率を有する前記第２電極を含む第２表示領域と、を備え、
   前記第２表示領域は、前記第２電極と、平面視において前記第２電極によって囲まれている透過領域と、を含み、
   前記透過領域は、第１透過領域と、前記第２電極を挟んで前記第１透過領域に隣接する第２透過領域と、を含み、
   前記第１透過領域は、第１形状を有し、
   前記第２透過領域は、前記第１形状とは異なる第２形状を有する、有機デバイス。
2. 前記第１透過領域の面積は、前記第２透過領域の面積とは異なる、請求項１に記載の有機デバイス。
3. 前記透過領域は、前記第２電極を挟んで前記第１透過領域及び前記第２透過領域に隣接する第３透過領域を含み、
   前記第３透過領域は、前記第１形状及び前記第２形状とは異なる第３形状を有する、請求項１又は２に記載の有機デバイス。
4. 前記透過領域は、前記第２電極を挟んで前記第１透過領域及び第２透過領域に隣接する第４透過領域を含み、
   前記第４透過領域は、前記第１形状及び前記第２形状とは異なる第４形状を有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機デバイス。
5. ８０％以上の前記透過領域が、前記第１透過領域に該当する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機デバイス。
6. 前記第２表示領域は、８０％以上の第１分断率を有し、
   前記第１分断率は、４つの前記有機層を含む画素群の個数の合計に対する、第１分断数の百分率であり、
   前記第１分断数は、分断画素群の個数であり、
   前記分断画素群の４つの前記有機層を結ぶ経路は、前記透過領域を部分的に含んでいる、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機デバイス。
7. 前記第２表示領域において、前記第２電極は、幹電極と、前記幹電極に接続されている枝電極と、を含み、
   前記枝電極は、電極第１方向における２つの第１電極端と、前記電極第１方向に交差する電極第２方向における１つの第２電極端と、を含み、
   前記２つの第１電極端及び前記１つの第２電極端は前記透過領域に接している、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機デバイス。
8. 前記第２電極は、第１層及び第２層を含み、
   前記第１表示領域は、素子第２方向に沿って第２３周期で並ぶ電極重なり領域を含み、
   前記電極重なり領域は、平面視において前記第１層及び前記第２層を含み、
   前記第１電極端の幅は、前記第２３周期の０．４倍以上である、請求項７に記載の有機デバイス。
9. 前記第２電極は、第１層及び第２層を含み、
   前記第１表示領域は、素子第１方向に沿って第１３周期で並ぶ電極重なり領域を含み、
   前記電極重なり領域は、平面視において前記第１層及び前記第２層を含み、
   前記第２電極端の幅は、前記第１３周期の０．４倍以上である、請求項７又は８に記載の有機デバイス。