JP7813541B2 - 有機エレクトロルミネッセント化合物、複数のホスト材料及びそれを含む有機エレクトロルミネッセントデバイス - Google Patents
有機エレクトロルミネッセント化合物、複数のホスト材料及びそれを含む有機エレクトロルミネッセントデバイスInfo
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Description
式1中、
Aは、*-L1-HArを表し、
L1は、単結合、置換若しくは非置換(C1~C30)アルキレン、置換若しくは非置換(C6~C30)アリーレン又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリーレンを表し、
HArは、置換又は非置換窒素含有(3~30員)ヘテロアリールを表し、
Bは、以下の式1-a:
R1~R8は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換若しくは非置換(C1~C30)アルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルケニル、置換若しくは非置換(3~7員)ヘテロシクロアルキル、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリールを表し、ただし、R1~R8の少なくとも1つは、以下の式1-b:
Xは、O、S、CR21R22、SiR23R24又はNR25を表し、
R11~R18は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換若しくは非置換(C1~C30)アルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルケニル、置換若しくは非置換(3~7員)ヘテロシクロアルキル、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリールを表し、ただし、R11~R18の少なくとも1つは、式1-aに連結され、
R21~R25は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換若しくは非置換(C1~C30)アルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルケニル、置換若しくは非置換(3~7員)ヘテロシクロアルキル、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリールを表すか、或いは隣接する置換基に連結されて環を形成し得る)
によって表される)
によって表され、
[A]Dn1及び[B]Dn2は、それぞれAがn1個のジュウテリウムで置換されること及びBがn2個のジュウテリウムで置換されることを表し、n1及びn2は、それぞれ独立して、0~50の整数を表し、ただし、式1がジュウテリウムを含有するとき、n1及びn2の少なくとも1つは、5以上の整数であり、及び
A及びBは、*の位置で互いに連結される。
R1~R8及びR11~R18は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換若しくは非置換(C1~C30)アルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルケニル、置換若しくは非置換(3~7員)ヘテロシクロアルキル、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリールを表し、
R5~R8のいずれか1つは、R11~R14のいずれか1つに連結されて単結合を形成し、ただし、R1~R8及びR11~R18の少なくとも5つは、ジュウテリウムであり、及び
L1、HAr及びXは、上記の式1に定義される通りである。
A1及びA2は、それぞれ独立して、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール、置換若しくは非置換ジベンゾフラニル、置換若しくは非置換ジベンゾチオフェニル又は置換若しくは非置換カルバゾリルを表し、
X11~X26は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリールを表すか、或いは隣接する置換基に連結されて環を形成し得、及び
X11~X18のいずれか1つは、X19~X26のいずれか1つに連結されて単結合を形成し、
ただし、式2がジュウテリウムを含有するとき、X11~X26の少なくとも4つは、ジュウテリウムであり、且つX11、X18、X19及びX26の少なくとも1つは、ジュウテリウムである。
A1及びA2は、それぞれ独立して、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール、置換若しくは非置換ジベンゾフラニル、置換若しくは非置換ジベンゾチオフェニル又は置換若しくは非置換カルバゾリルを表し、
X11~X26は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリールを表し、及び
X11~X18のいずれか1つは、X19~X26のいずれか1つに連結されて単結合を形成し、
ただし、X11~X26の少なくとも4つは、ジュウテリウムであり、且つX11、X18、X19及びX26の少なくとも1つは、ジュウテリウムである。
本開示に係る有機エレクトロルミネッセント化合物は、有機エレクトロルミネッセントデバイスに使用するのに好適な性能を呈する。加えて、本開示に係る複数のホスト材料を含むことにより、従来の有機エレクトロルミネッセントデバイスと比較してより低い駆動電圧、より高い発光効率、より高いパワー効率及び/又は改善された寿命性を有する有機エレクトロルミネッセントデバイスを提供することが可能であり、且つそれを用いたディスプレイシステム又は照明システムを製造することが可能である。
からなる群から選択されるいずれか1つによって表され得る。
[反応スキーム1]
[反応スキーム2]
R104~R107は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、非置換の若しくはジュウテリウム及び/若しくはハロゲンで置換された(C1~C30)アルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルキル、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール、置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリール、シアノ又は置換若しくは非置換(C1~C30)アルコキシを表すか、或いは隣接する置換基に連結されて、環、例えばベンゼンと一緒になって置換若しくは非置換の、ナフタレン環、フルオレン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、インデノピリジン環、ベンゾフロピリジン環又はベンゾチエノピリジン環を形成し得、
R201~R220は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、非置換の若しくはジュウテリウム及び/若しくはハロゲンで置換された(C1~C30)アルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルキル又は置換若しくは非置換(C6~C30)アリールを表すか、或いは隣接する置換基に連結されて環を形成し得、及び
sは、1~3の整数を表す。
フラスコ中に2-(ジベンゾ[b,d]チオフェン-4-イル)-9H-カルバゾール(15.0g、42.9mmol)及びベンゼン-D6(1.0kg、11.88mol)を添加して、混合物を還流下で撹拌した。トリフル酸(50.7g、337.8mmol)を70℃で混合物に添加した。4時間後、混合物を室温に冷却した。それに30mLのD2Oを添加して、混合物を10分間撹拌した。水性K3PO4溶液で混合物を中和して、エチルアセテートで有機層を抽出した。硫酸マグネシウムで残留湿分を除去した後、残渣を減圧蒸留し、カラムクロマトグラフィーにより分離して化合物1-1-D14(12g、収率:77.0%)を得た。
フラスコ中に化合物1-1-D14(4g、11.05mmol)、化合物1-2(5.15g、13.26mmol)、Pd(OAc)2(0.12g、0.55mmol)、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシビフェニル(S-phos)(0.45g、1.105mmol)、NaOt-bu(2.65g、27.62mmol)及び150mLのo-キシレンを添加して、混合物を180℃で4時間加熱した。その後、混合物を室温に冷却して、それにメタノールを添加した。生じた固体を減圧濾過した。得られた固体をカラムクロマトグラフィーにより分離して化合物H1-235-D14(4.9g、収率:66.2%)を得た。
フラスコ中に2-(ジベンゾ[b,d]チオフェン-4-イル)-9H-カルバゾール(15.0g、42.9mmol)及びベンゼン-D6(1.2kg、14.26mol)を添加して、混合物を還流下で撹拌した。トリフル酸(50.7g、337.8mmol)を70℃で混合物に添加した。4時間後、混合物を室温に冷却した。それに30mLのD2Oを添加して、混合物を10分間撹拌した。水性K3PO4溶液で混合物を中和して、エチルアセテートで有機層を抽出した。硫酸マグネシウムで残留湿分を除去した後、残渣を減圧蒸留し、カラムクロマトグラフィーにより分離して化合物1-1-D12(11g、収率:71.1%)を得た。
フラスコ中に化合物1-1-D12(4g、11.05mmol)、化合物3-2(5.15g、13.26mmol)、Pd(OAc)2(0.12g、0.55mmol)、S-phos(0.45g、1.105mmol)、NaOt-bu(2.65g、27.62mmol)及び150mLのo-キシレンを添加して、混合物を185℃に4時間加熱した。その後、混合物を室温に冷却して、それにメタノールを添加した。生じた固体を減圧濾過した。得られた固体をカラムクロマトグラフィーにより分離して化合物H1-211-D12(4.8g、収率:64.7%)を得た。
本開示に係るOLEDを作製した。OLED用ガラス基材上の透明電極酸化インジウムスズ(ITO)薄膜(10Ω/sq)(日本国のジオマテック株式会社)をアセトン及びイソプロピルアルコールによる逐次超音波洗浄に付し、次いでイソプロピルアルコール中に貯蔵した。次いで、ITO基材を真空気相堆積装置の基材ホルダーに取り付けた。真空気相堆積装置のセルに化合物HI-1を導入し、且つ真空気相堆積装置の他のセルに化合物HT-1を導入した。2種の材料を異なる速度で蒸発させ、且つ化合物HI-1及び化合物HT-1の合計量を基準にして3wt%のドーピング量で化合物HI-1を堆積させて、ITO基材上において、10nmの厚さを有する正孔注入層を形成した。次に、正孔注入層上に化合物HT-1を堆積させて、80nmの厚さを有する第1の正孔輸送層を形成した。次いで、真空気相堆積装置の他のセルに化合物HT-2を導入してセルに電流を印加することにより蒸発させ、それにより、第1の正孔輸送層上において、30nmの厚さを有する第2の正孔輸送層を形成した。正孔注入層及び正孔輸送層を形成した後、その上に次のように発光層を形成した。すなわち、下記の表1に示される第1のホスト化合物及び第2のホスト化合物をホストとして真空気相堆積装置の2つのセルに導入し、且つ化合物D-130をドーパントとして他のセルに導入した。2種のホスト材料を2:1(第1のホスト:第2のホスト)の速度で蒸発させ、且つドーパント材料を異なる速度で同時に蒸発させ、且つホスト及びドーパントの合計量を基準にして10wt%のドーピング量でドーパントを堆積させて、第2の正孔輸送層上において、40nmの厚さを有する発光層を形成した。その後、化合物ETL-1及び化合物EIL-1を2つの他のセルの各々で40:60の重量比で蒸発させて、発光層上において、35nmの厚さを有する電子輸送層を堆積させた。2nmの厚さを有する電子注入層として化合物EIL-1を電子輸送層上に堆積させた後、他の真空気相堆積装置により、電子注入層上において、80nmの厚さを有するAlカソードを堆積させた。こうしてOLEDを作製した。OLEDの作製に使用した材料は、すべて10-6torrで真空昇華により精製された。デバイス実施例1及び2に使用した化合物は、以下の通りである。
下記の表1に示されるホスト化合物を発光層のホストとして使用した以外、デバイス実施例1及び2と同様にOLEDを作製した。
第2の正孔輸送層として化合物HT-2の代わりに化合物HT-3を使用し、且つ発光層のホストとして下記の表2に示される第1及び第2のホスト化合物を使用した以外、デバイス実施例1及び2と同様にOLEDを作製した。
下記の表2に示されるホスト化合物を発光層のホストとして使用した以外、デバイス実施例3と同様にOLEDを作製した。
下記の表3に示される第1及び第2のホスト化合物を発光層のホストとして使用し、且つ2種のホスト材料を1:2(第1のホスト:第2のホスト)の異なる速度で蒸発させた以外、デバイス実施例3と同様にOLEDを作製した。
化合物H2-33を発光層の第2のホストとして使用した以外、デバイス実施例5と同様にOLEDを作製した。
本開示に係る青色OLEDを作製した。OLED用ガラス基材上の透明電極酸化インジウムスズ(ITO)薄膜(10Ω/sq)(日本国のジオマテック株式会社)をアセトン及びイソプロピルアルコールによる逐次超音波洗浄に付し、次いでイソプロピルアルコール中に貯蔵した。次いで、ITO基材を真空気相堆積装置の基材ホルダーに取り付けた。真空気相堆積装置のセルに化合物HI-1を導入し、且つ真空気相堆積装置の他のセルに化合物HT-1を導入した。2種の材料を異なる速度で蒸発させ、且つ化合物HI-1及び化合物HT-1の合計量を基準にして3wt%のドーピング量で化合物HI-1を堆積させて、ITO基材上において、10nmの厚さを有する正孔注入層を形成した。次に、化合物HT-1を堆積させて、正孔注入層上において、75nmの厚さを有する第1の正孔輸送層を形成した。次いで、真空気相堆積装置の他のセルに化合物HT-4を導入してセルに電流を印加することにより蒸発させ、それにより、第1の正孔輸送層上において、5nmの厚さを有する第2の正孔輸送層を形成した。正孔注入層及び正孔輸送層を形成した後、その上に次のように発光層を形成した。すなわち、化合物H-aをホストとして真空気相堆積装置のセルに導入し、且つ化合物D-aをドーパントとして他のセルに導入した。ホスト材料及びドーパント材料を異なる速度で蒸発させ、且つホスト及びドーパントの合計量を基準にして2wt%のドーピング量でドーパントを堆積させて、第2の正孔輸送層上において、20nmの厚さを有する発光層を形成した。次いで、真空気相堆積装置のセルに化合物H1-235-D14を導入して蒸発させて、発光層上において、5nmの厚さを有する電子バッファー層を形成した。化合物ETL-1及び化合物EIL-1を2つの他のセルの各々で4:6の重量比で蒸発させて、電子バッファー層上に30nmの厚さを有する電子輸送層を堆積させた。2nmの厚さを有する電子注入層として化合物EIL-1を電子輸送層上に堆積させた後、他の真空気相堆積装置により、電子注入層上において、80nmの厚さを有するAlカソードを堆積させた。こうしてOLEDを作製した。OLEDの作製に使用した材料は、すべて10-6torrで真空昇華により精製された。
化合物H1’-265を電子バッファー層の材料として使用した以外、デバイス実施例7と同様にOLEDを作製した。
本開示に係るOLEDを作製した。OLED用ガラス基材上の透明電極酸化インジウムスズ(ITO)薄膜(10Ω/sq)(日本国のジオマテック株式会社)をアセトン及びイソプロピルアルコールによる逐次超音波洗浄に付し、次いでイソプロピルアルコール中に貯蔵した。次いで、ITO基材を真空気相堆積装置の基材ホルダーに取り付けた。真空気相堆積装置のセルに化合物HI-1を導入し、且つ真空気相堆積装置の他のセルに化合物HT-1を導入した。2種の材料を異なる速度で蒸発させ、且つ化合物HI-1及び化合物HT-1の合計量を基準にして3wt%のドーピング量で化合物HI-1を堆積させて、ITO基材上において、10nmの厚さを有する正孔注入層を形成した。次に、正孔注入層上に化合物HT-1を堆積させて、80nmの厚さを有する第1の正孔輸送層を形成した。次いで、真空気相堆積装置の他のセルに化合物HT-2を導入してセルに電流を印加することにより蒸発させ、それにより、第1の正孔輸送層上において、30nmの厚さを有する第2の正孔輸送層を形成した。正孔注入層及び正孔輸送層を形成した後、その上に次のように発光層を形成した。すなわち、化合物H2-83-D25をホストとして真空気相堆積装置のセルに導入し、且つ化合物D-50をドーパントとして他のセルに導入した。ホスト及びドーパントの合計量を基準にして10wt%のドーピング量でドーパントを堆積させて、第2の正孔輸送層上において、30nmの厚さを有する発光層を形成した。その後、真空気相堆積装置のセルに化合物HBL-1を導入して蒸発させ、発光層上において、10nmの厚さを有する正孔ブロッキング層を堆積させた。化合物ETL-1及び化合物EIL-1を2つの他のセルの各々で4:6の重量比で蒸発させて、正孔ブロッキング層上において、35nmの厚さを有する電子輸送層を堆積させた。2nmの厚さを有する電子注入層として化合物EIL-1を電子輸送層上に堆積させた後、他の真空気相堆積装置により、電子注入層上において、80nmの厚さを有するAlカソードを堆積した。こうしてOLEDを作製した。OLEDの作製に使用した材料は、すべて10-6torrで真空昇華により精製された。デバイス実施例8に使用した化合物は、以下の通りである。
下記の表4に示される化合物を発光層のホストとして使用した以外、デバイス実施例8と同様にOLEDを作製した。
V0H 非ジュウテリウム化化合物の零点振動エネルギー
V0D ジュウテリウム化化合物の零点振動エネルギー
Claims (15)
- 少なくとも1種の第1のホスト化合物と少なくとも1種の第2のホスト化合物とを含む複数のホスト材料であって、
前記第1のホスト化合物は、以下の式1:
[A]Dn1-[B]Dn2 - (1)
(式1中、
Aは、*-L1-HArを表し、
L1は、単結合、置換若しくは非置換(C1~C30)アルキレン、置換若しくは非置換(C6~C30)アリーレン又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリーレンを表し、
HArは、置換又は非置換窒素含有(3~30員)ヘテロアリールを表し、
Bは、以下の式1-a:
(式1-a中、
R1~R8は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換若しくは非置換(C1~C30)アルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルケニル、置換若しくは非置換(3~7員)ヘテロシクロアルキル、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリールを表し、ただし、R1~R8の少なくとも1つは、以下の式1-b:
(式1-b中、
Xは、O、S、CR21R22、SiR23R24又はNR25を表し、
R11~R18は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換若しくは非置換(C1~C30)アルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルケニル、置換若しくは非置換(3~7員)ヘテロシクロアルキル、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリールを表し、ただし、R11~R18のいずれか1つは、式1-aに連結され、
R21~R25は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換若しくは非置換(C1~C30)アルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルケニル、置換若しくは非置換(3~7員)ヘテロシクロアルキル、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリールを表すか、或いは隣接する置換基に連結されて環を形成し得る)
によって表される)
によって表され、
[A]Dn1及び[B]Dn2は、それぞれAがn1個のジュウテリウムで置換されること及びBがn2個のジュウテリウムで置換されることを表し、n1及びn2は、それぞれ独立して、0~50の整数を表し、ただし、式1がジュウテリウムを含有するとき、n1及びn2の少なくとも1つは、5以上の整数であり、及び
A及びBは、*の位置で互いに連結される)
によって表され、且つ
前記第2のホスト化合物は、以下の式2:
(式2中、
A1及びA2は、それぞれ独立して、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール、置換若しくは非置換ジベンゾフラニル、置換若しくは非置換ジベンゾチオフェニル又は置換若しくは非置換カルバゾリルを表し、
X11~X26は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリールを表すか、或いは隣接する置換基に連結されて環を形成し得、
X11~X18のいずれか1つは、X19~X26のいずれか1つに連結されて単結合を形成し、
ただし、式2がジュウテリウムを含有するとき、X11~X26の少なくとも4つは、ジュウテリウムであり、且つX11、X18、X19及びX26の少なくとも1つは、ジュウテリウムである)
によって表され、
式1及び式2の少なくとも1つは、ジュウテリウムを含有し、且つ
前記第1のホスト化合物及び前記第2のホスト化合物は、互いに異なる、複数のホスト材料。 - 式1は、ジュウテリウムを含有し、且つn1及びn2の和は、5~50の整数である、請求項1に記載の複数のホスト材料。
- 式1は、ジュウテリウムを含有せず、且つ式2は、ジュウテリウムを含有する、請求項1に記載の複数のホスト材料。
- 前記置換アルキル(レン)、前記置換アリール(レン)、前記置換ヘテロアリール(レン)、前記置換窒素含有ヘテロアリール、前記置換シクロアルキル、前記置換シクロアルケニル、前記置換ヘテロシクロアルキル、前記置換ジベンゾフラニル、前記置換ジベンゾチオフェニル及び前記置換カルバゾリルの置換基は、それぞれ独立して、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、カルボキシル、ニトロ、ヒドロキシル、ホスフィンオキシド、(C1~C30)アルキル、ハロ(C1~C30)アルキル、(C2~C30)アルケニル、(C2~C30)アルキニル、(C1~C30)アルコキシ、(C1~C30)アルキルチオ、(C3~C30)シクロアルキル、(C3~C30)シクロアルケニル、(3~7員)ヘテロシクロアルキル、(C6~C30)アリールオキシ、(C6~C30)アリールチオ、非置換の又はジュウテリウム及び(C6~C30)アリールの少なくとも1つで置換された(3~30員)ヘテロアリール、非置換の又はジュウテリウム及び(3~30員)ヘテロアリールの少なくとも1つで置換された(C6~C30)アリール、トリ(C1~C30)アルキルシリル、トリ(C6~C30)アリールシリル、ジ(C1~C30)アルキル(C6~C30)アリールシリル、(C1~C30)アルキルジ(C6~C30)アリールシリル、(C3~C30)脂肪族環と(C6~C30)芳香環との縮合環基、アミノ、モノ-又はジ-(C1~C30)アルキルアミノ、モノ-又はジ-(C2~C30)アルケニルアミノ、非置換の又は(C1~C30)アルキルで置換されたモノ-又はジ-(C6~C30)アリールアミノ、モノ-又はジ-(3~30員)ヘテロアリールアミノ、(C1~C30)アルキル(C2~C30)アルケニルアミノ、(C1~C30)アルキル(C6~C30)アリールアミノ、(C1~C30)アルキル(3~30員)ヘテロアリールアミノ、(C2~C30)アルケニル(C6~C30)アリールアミノ、(C2~C30)アルケニル(3~30員)ヘテロアリールアミノ、(C6~C30)アリール(3~30員)ヘテロアリールアミノ、(C1~C30)アルキルカルボニル、(C1~C30)アルコキシカルボニル、(C6~C30)アリールカルボニル、(C6~C30)アリールホスフィン、ジ(C6~C30)アリールボロニル、ジ(C1~C30)アルキルボロニル、(C1~C30)アルキル(C6~C30)アリールボロニル、(C6~C30)アリール(C1~C30)アルキル及び(C1~C30)アルキル(C6~C30)アリールからなる群から選択される少なくとも1つである、請求項1に記載の複数のホスト材料。
- Bは、以下の式B-1~B-16:
(式B-1~B-16中、
R1~R8、R11~R18及びXは、請求項1に定義される通りである)
の少なくとも1つによって表される、請求項1に記載の複数のホスト材料。 - 式1のHArは、置換若しくは非置換トリアジニル、置換若しくは非置換ピリジル、置換若しくは非置換ピリミジニル、置換若しくは非置換キナゾリニル、置換若しくは非置換ベンゾキナゾリニル、置換若しくは非置換キノキサリニル、置換若しくは非置換ベンゾキノキサリニル、置換若しくは非置換キノリル、置換若しくは非置換ベンゾキノリル、置換若しくは非置換イソキノリル、置換若しくは非置換ベンゾイソキノリル、置換若しくは非置換トリアゾリル、置換若しくは非置換ピラゾリル、置換若しくは非置換ナフチリジニル、置換若しくは非置換トリアザナフチル、置換若しくは非置換ベンゾフロピリミジニル又は置換若しくは非置換ベンゾチエノピリミジニルを表す、請求項1に記載の複数のホスト材料。
- 式1のL 1 は、単結合を表すか、又は以下:
(式中、
Xi~Xpは、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換若しくは非置換(C1~C30)アルキル、置換若しくは非置換(C2~C30)アルケニル、置換若しくは非置換(C2~C30)アルキニル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルキル、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール、置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリール、-NR26R27又は-SiR28R29R30を表すか、或いは隣接する置換基に連結されて環を形成し得、及び
R26~R30は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換若しくは非置換(C1~C30)アルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルケニル、置換若しくは非置換(3~7員)ヘテロシクロアルキル、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリールを表すか、或いは隣接する置換基に連結されて環を形成し得る)
からなる群から選択されるいずれか1つによって表される、請求項1に記載の複数のホスト材料。 - 式2は、以下の式2-1~2-8:
(式中、
A1、A2及びX11~X26は、請求項1に定義される通りである)
の少なくとも1つによって表される、請求項1に記載の複数のホスト材料。 - 式2のA1及びA2は、それぞれ独立して、置換若しくは非置換フェニル、置換若しくは非置換ビフェニル、置換若しくは非置換テルフェニル、置換若しくは非置換ナフチル、置換若しくは非置換フルオレニル、置換若しくは非置換ベンゾフルオレニル、置換若しくは非置換トリフェニレニル、置換若しくは非置換フルオランテニル、置換若しくは非置換フェナントレニル、置換若しくは非置換ジベンゾフラニル、置換若しくは非置換カルバゾリル又は置換若しくは非置換ジベンゾチオフェニルを表す、請求項1に記載の複数のホスト材料。
- 前記式1によって表される化合物は、以下の化合物:
(式中、Dnは、n個の水素がジュウテリウムで置き換えられていることを表し、且つnは、5~50の整数を表す)
から選択される少なくとも1つである、請求項1に記載の複数のホスト材料。 - 前記式2によって表される化合物は、以下の化合物:
(式中、Dnは、n個の水素がジュウテリウムで置き換えられていることを表し、且つnは、4~50の整数を表す)
から選択される少なくとも1つである、請求項1に記載の複数のホスト材料。 - アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間の少なくとも1つの発光層とを含む有機エレクトロルミネッセントデバイスであって、前記発光層の少なくとも1つは、請求項1に記載の複数のホスト材料を含む、有機エレクトロルミネッセントデバイス。
- 以下の式1’:
(式中、
L1は、単結合、置換若しくは非置換(C1~C30)アルキレン、置換若しくは非置換(C6~C30)アリーレン又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリーレンを表し、
HArは、置換又は非置換窒素含有(3~30員)ヘテロアリールを表し、
R1~R8及びR11~R18は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換若しくは非置換(C1~C30)アルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルケニル、置換若しくは非置換(3~7員)ヘテロシクロアルキル、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリールを表し、
R5~R8のいずれか1つは、R11~R14のいずれか1つに連結されて単結合を形成し、
Xは、O、S、CR21R22、SiR23R24又はNR25を表し、及び
R21~R25は、それぞれ独立して、水素、ジュウテリウム、ハロゲン、シアノ、置換若しくは非置換(C1~C30)アルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルキル、置換若しくは非置換(C3~C30)シクロアルケニル、置換若しくは非置換(3~7員)ヘテロシクロアルキル、置換若しくは非置換(C6~C30)アリール又は置換若しくは非置換(3~30員)ヘテロアリールを表すか、或いは隣接する置換基に連結されて環を形成し得、
ただし、R1~R8及びR11~R18の少なくとも5つは、ジュウテリウムである)
によって表される有機エレクトロルミネッセント化合物。 - 以下の化合物:
(式中、Dnは、n個の水素がジュウテリウムで置き換えられていることを表し、且つnは、5~50の整数を表す)
から選択される、請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセント化合物。 - 請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセント化合物を含む有機エレクトロルミネッセントデバイス。
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