JP7819663B2 - 情報処理装置、情報処理方法および情報処理プログラム - Google Patents
情報処理装置、情報処理方法および情報処理プログラムInfo
- Publication number
- JP7819663B2 JP7819663B2 JP2023043501A JP2023043501A JP7819663B2 JP 7819663 B2 JP7819663 B2 JP 7819663B2 JP 2023043501 A JP2023043501 A JP 2023043501A JP 2023043501 A JP2023043501 A JP 2023043501A JP 7819663 B2 JP7819663 B2 JP 7819663B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- information processing
- frequency
- corrosion
- processing device
- abnormality
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)
Description
本発明は、情報処理装置、情報処理方法および情報処理プログラムに関する。
近年、プラント制御システムを構成するセンサ機器、通信機器、制御機器等の電子機器は、より高精度な測定、より高度な通信や制御、かつより安定性の高い稼働が求められている。
ところで、上記電子機器には、様々な電子部品が取り付けられて電子回路を構成するプリント基板が搭載される。このプリント基板の電子部品は、例えば大気中の腐食ガス、粉塵等の外部環境により劣化することがあり、このような劣化が電子機器の故障の原因となり、プラント制御システムの停止、さらにはプラントの停止等を誘発させることがある。しかしながら、電子機器の内部に搭載されるプリント基板の電子部品が外部環境により劣化することを検知することが難しい。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、大気中の腐食ガス、粉塵等の外部環境による電子機器の故障を予測することができる。
本発明は、基板に搭載された発振回路であって、導電性を有する金属により形成された電子素子を含む前記発振回路から出力される信号の周波数を取得する取得部と、前記周波数の変動に基づき、前記基板の異常を検知する検知部と、を備える情報処理装置を提供する。
また、本発明は、コンピュータが、基板に搭載された発振回路であって、導電性を有する金属により形成された電子素子を含む前記発振回路から出力される信号の周波数を取得し、前記周波数の変動に基づき、前記基板の異常を検知する、処理を実行する情報処理方法を提供する。
また、本発明は、コンピュータに、基板に搭載された発振回路であって、導電性を有する金属により形成された電子素子を含む前記発振回路から出力される信号の周波数を取得し、前記周波数の変動に基づき、前記基板の異常を検知する、処理を実行させる情報処理プログラムを提供する。
本発明によれば、外部環境による電子機器の故障を予測することができるという効果がある。
以下に、本発明の一実施形態に係る情報処理装置、情報処理方法および情報処理プログラムを、図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明は、以下に説明する実施形態により限定されるものではない。
〔実施形態〕
以下に、実施形態に係る情報処理システムの構成および処理、情報処理装置等の構成および処理、各処理の流れを順に説明し、最後に実施形態の効果を説明する。
以下に、実施形態に係る情報処理システムの構成および処理、情報処理装置等の構成および処理、各処理の流れを順に説明し、最後に実施形態の効果を説明する。
〔１．情報処理システム１００の構成および処理〕
図１を用いて、実施形態に係る情報処理システム１００の構成および処理を詳細に説明する。図１は、実施形態に係る情報処理システム１００の構成例および処理例を示す図である。以下では、情報処理システム１００全体の構成例、情報処理システム１００の処理例、腐食センサＳの具体例、情報処理システム１００の効果について説明する。なお、実施形態では、プラントの大気中の腐食ガスＧによる異常を検知する情報処理装置１０を一例にして説明するが、大気中の粉塵や湿気による異常を検知してもよく、対象物や利用分野を限定するものではない。
図１を用いて、実施形態に係る情報処理システム１００の構成および処理を詳細に説明する。図１は、実施形態に係る情報処理システム１００の構成例および処理例を示す図である。以下では、情報処理システム１００全体の構成例、情報処理システム１００の処理例、腐食センサＳの具体例、情報処理システム１００の効果について説明する。なお、実施形態では、プラントの大気中の腐食ガスＧによる異常を検知する情報処理装置１０を一例にして説明するが、大気中の粉塵や湿気による異常を検知してもよく、対象物や利用分野を限定するものではない。
（１－１．情報処理システム１００全体の構成例）
情報処理システム１００は、情報処理装置１０を有する。また、図１の例では、情報処理装置１０がデスクトップＰＣ（Personal Computer）である場合を示したが、サーバ装置、センサ機器、ネットワークスイッチ等、プリント基板Ｐを有するものであればよい。
情報処理システム１００は、情報処理装置１０を有する。また、図１の例では、情報処理装置１０がデスクトップＰＣ（Personal Computer）である場合を示したが、サーバ装置、センサ機器、ネットワークスイッチ等、プリント基板Ｐを有するものであればよい。
情報処理装置１０は、腐食検出回路Ｄを含むプリント基板Ｐを有する。腐食検出回路Ｄは、後述する腐食センサＳ（Ｓ－Ｃ、Ｓ－Ｌ）を含む発振回路Ｏによって構成される。
（１－２．情報処理システム１００の処理例）
上記のような情報処理システム１００の処理例として、プラントに設置される情報処理装置１０が実行する処理について説明する。以下では、回路信号取得処理、腐食異常検知処理の順に説明する。なお、下記の処理は、異なる順序で実行することもできる。また、下記の処理のうち、省略される処理があってもよい。
上記のような情報処理システム１００の処理例として、プラントに設置される情報処理装置１０が実行する処理について説明する。以下では、回路信号取得処理、腐食異常検知処理の順に説明する。なお、下記の処理は、異なる順序で実行することもできる。また、下記の処理のうち、省略される処理があってもよい。
（１－２－１．回路信号取得処理）
情報処理装置１０は、腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号を取得する（図１（１）参照）。例えば、情報処理装置１０は、銅箔が対向したコンデンサ様の腐食センサＳ－Ｃを含む腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号の周波数ＦＣを取得し、腐食検出回路信号をモニタリングする。
情報処理装置１０は、腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号を取得する（図１（１）参照）。例えば、情報処理装置１０は、銅箔が対向したコンデンサ様の腐食センサＳ－Ｃを含む腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号の周波数ＦＣを取得し、腐食検出回路信号をモニタリングする。
上記の腐食センサＳ－Ｃは、銅箔を対向させることにより形成され、一定のキャパシタンス値（電気容量）Ｃを示す電子素子である。上記の腐食センサＳ－Ｃは、大気中の硫化水素等の腐食ガスＧによって腐食する。このとき、腐食センサＳ－Ｃの銅箔が腐食することによってキャパシタンス値Ｃが変化し、腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号の周波数ＦＣも変化する（図１（２）参照）。
また、銅箔が螺旋状または渦巻き状に設置されたインダクタ様の腐食センサＳ－Ｌを含む腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号の周波数ＦＬを取得し、腐食検出回路信号をモニタリングしてもよい。上記の腐食センサＳ－Ｌは、銅箔を螺旋状または渦巻き状に設置させることにより形成され、一定のインダクタンス値（誘導係数）Ｉを示す電子素子である。上記の腐食センサＳ－Ｌは、大気中の硫化水素等の腐食ガスＧによって腐食する。このとき、腐食センサＳ－Ｌの銅箔が腐食することによってインダクタンス値Ｉが変化し、腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号の周波数ＦＬも変化する。
（１－２－２．腐食異常検知処理）
情報処理装置１０は、モニタリングしている腐食検出回路信号に基づいて、プリント基板Ｐの腐食に起因する異常（腐食異常）を検知する（図１（３）参照）。例えば、情報処理装置１０は、腐食センサＳ－Ｃを含む腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号の周波数ＦＣから周波数ＦＣの偏差等の周波数変動値ΔＦＣを算出し、周波数変動値ΔＦＣが閾値ＸＣ以上となった場合には、プリント基板Ｐの腐食異常の発生を検知する。
情報処理装置１０は、モニタリングしている腐食検出回路信号に基づいて、プリント基板Ｐの腐食に起因する異常（腐食異常）を検知する（図１（３）参照）。例えば、情報処理装置１０は、腐食センサＳ－Ｃを含む腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号の周波数ＦＣから周波数ＦＣの偏差等の周波数変動値ΔＦＣを算出し、周波数変動値ΔＦＣが閾値ＸＣ以上となった場合には、プリント基板Ｐの腐食異常の発生を検知する。
また、情報処理装置１０は、上述した腐食センサＳ－Ｃと同様の機能を有する腐食センサＳである腐食センサＳ－Ｌに基づいて、腐食異常を検知してもよい。すなわち、情報処理装置１０は、腐食センサＳ－Ｌを含む腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号の周波数ＦＬから周波数ＦＬの偏差等の周波数変動値ΔＦＬを算出し、周波数変動値ΔＦＬが閾値ＸＬ以上となった場合には、プリント基板Ｐの腐食異常の発生を検知してもよい。
情報処理装置１０は、プリント基板Ｐの腐食異常を検知した場合には、プラントの管理者にアラームを通知する。このとき、情報処理装置１０は、プラントの管理者に、プリント基板Ｐが故障するかもしれない旨を通知してもよいし、自動でバックアップ機器への切替を実行してもよい。
（１－３．腐食センサＳの具体例）
図２～図５を用いて、情報処理システム１００において使用される腐食センサＳの具体例について説明する。図２～図４は、実施形態に係る腐食センサＳの具体例１（１－１、１－２、１－３）を示す図である。図５は、実施形態に係る腐食センサＳの具体例２を示す図である。以下では、コンデンサ様の腐食センサＳ－Ｃの具体例１、インダクタ様の腐食センサＳ－Ｌの具体例２、腐食センサＳの接続方式、金属の材質、検出可能な腐食ガスＧの順に説明する。
図２～図５を用いて、情報処理システム１００において使用される腐食センサＳの具体例について説明する。図２～図４は、実施形態に係る腐食センサＳの具体例１（１－１、１－２、１－３）を示す図である。図５は、実施形態に係る腐食センサＳの具体例２を示す図である。以下では、コンデンサ様の腐食センサＳ－Ｃの具体例１、インダクタ様の腐食センサＳ－Ｌの具体例２、腐食センサＳの接続方式、金属の材質、検出可能な腐食ガスＧの順に説明する。
（１－３－１．具体例１）
図２～図４を用いて、コンデンサ様の腐食センサＳ－Ｃの具体例１について説明する。図２に示すように、腐食センサＳ－Ｃは、プリント基板Ｐ上の腐食検出回路Ｄの一部として形成される。なお、図２の例では、腐食センサＳ－Ｃに対応する部分のみを図示し、腐食検出回路Ｄの詳細を省略している。このとき、腐食センサＳ－Ｃは、銅箔が対向するように、発振回路Ｏのプリント回路上の配線パターンとして露出されることによって設置される。また、腐食センサＳ－Ｃは、銅箔を基盤として使用するプリント基板Ｐ表面を、銅箔部分を対向するように露出させることによって形成されてもよい。このとき、腐食センサＳ－Ｃは、図２斜線部で示すようなレジスト（保護膜）で覆うことなくむき出しの状態で露出させる。
図２～図４を用いて、コンデンサ様の腐食センサＳ－Ｃの具体例１について説明する。図２に示すように、腐食センサＳ－Ｃは、プリント基板Ｐ上の腐食検出回路Ｄの一部として形成される。なお、図２の例では、腐食センサＳ－Ｃに対応する部分のみを図示し、腐食検出回路Ｄの詳細を省略している。このとき、腐食センサＳ－Ｃは、銅箔が対向するように、発振回路Ｏのプリント回路上の配線パターンとして露出されることによって設置される。また、腐食センサＳ－Ｃは、銅箔を基盤として使用するプリント基板Ｐ表面を、銅箔部分を対向するように露出させることによって形成されてもよい。このとき、腐食センサＳ－Ｃは、図２斜線部で示すようなレジスト（保護膜）で覆うことなくむき出しの状態で露出させる。
図３（１）に示すように、腐食センサＳ－Ｃは、銅箔が対向するように形成され、腐食検出回路Ｄにおいてキャパシタンス値Ｃ（１）を示す。このとき、腐食センサＳ－Ｃを含む発振回路Ｏは、キャパシタンス値Ｃ（１）に対応する周波数ＦＣ（１）の信号を出力する。一方、図３（２）に示すように、腐食センサＳ－Ｃは、時間経過とともに腐食ガスＧによって腐食され銅箔が細くなった場合には、腐食検出回路Ｄにおいてキャパシタンス値Ｃ（１）より小さいキャパシタンス値Ｃ（２）を示す。このとき、腐食センサＳ－Ｃを含む発振回路Ｏは、キャパシタンス値Ｃ（２）に対応する、周波数ＦＣ（１）より大きい周波数ＦＣ（２）の信号を出力する。以上のように、図３の例では、腐食センサＳ－Ｃのキャパシタンス値Ｃは、腐食ガスＧによる腐食によってキャパシタンス値Ｃ（１）からＣ（２）に減少し、腐食センサＳ－Ｃを含む発振回路Ｏの周波数ＦＣは、周波数ＦＣ（１）からＦＣ（２）に増加する。
また、腐食センサＳ－Ｃに粉塵（ゴミ）等が付着した場合には、腐食センサＳ－Ｃのキャパシタンス値Ｃは、粉塵等の付着前と比較して減少し、腐食センサＳ－Ｃを含む発振回路Ｏの周波数ＦＣは、粉塵等の付着前と比較して増加する。
また、図４に示すように、腐食センサＳ－Ｃは、複数に分岐した銅箔が対向するように、発振回路Ｏのプリント回路上の配線パターンとして露出されることによって設置されてもよい。また、腐食センサＳ－Ｃは、銅箔を基盤として使用するプリント基板Ｐ表面を、複数に分岐した銅箔が対向するように露出させることによって形成されてもよい。なお、図４の例では、プリント基板Ｐ上の腐食検出回路Ｄの一部として形成される腐食センサＳ－Ｃに対応する部分のみを図示し、腐食検出回路Ｄの詳細を省略している。このとき、腐食センサＳ－Ｃは、図４斜線部で示すようなレジストで覆うことなくむき出しの状態で露出させる。
（１－３－２．具体例２）
図５を用いて、インダクタ様の腐食センサＳ－Ｌの具体例２について説明する。図５に示すように、腐食センサＳ－Ｌは、プリント基板Ｐ上の腐食検出回路Ｄの一部として形成される。なお、図５の例では、腐食センサＳ－Ｃに対応する部分のみを図示し、腐食検出回路Ｄの詳細を省略している。このとき、腐食センサＳ－Ｌは、銅箔が螺旋状または渦巻き状に形成されるように、発振回路Ｏのプリント回路上の配線パターンとして露出されることによって設置される。また、腐食センサＳ－Ｌは、銅箔を基盤として使用するプリント基板Ｐ表面を、銅箔部分を螺旋状または渦巻き状に露出させることによって形成されてもよい。なお、腐食センサＳ－Ｌは、腐食検出回路Ｄを形成する必須の電子素子であるインダクタとして設置されてもよいし、腐食を検出する専用の電子素子として設置されてもよい。
図５を用いて、インダクタ様の腐食センサＳ－Ｌの具体例２について説明する。図５に示すように、腐食センサＳ－Ｌは、プリント基板Ｐ上の腐食検出回路Ｄの一部として形成される。なお、図５の例では、腐食センサＳ－Ｃに対応する部分のみを図示し、腐食検出回路Ｄの詳細を省略している。このとき、腐食センサＳ－Ｌは、銅箔が螺旋状または渦巻き状に形成されるように、発振回路Ｏのプリント回路上の配線パターンとして露出されることによって設置される。また、腐食センサＳ－Ｌは、銅箔を基盤として使用するプリント基板Ｐ表面を、銅箔部分を螺旋状または渦巻き状に露出させることによって形成されてもよい。なお、腐食センサＳ－Ｌは、腐食検出回路Ｄを形成する必須の電子素子であるインダクタとして設置されてもよいし、腐食を検出する専用の電子素子として設置されてもよい。
腐食センサＳ－Ｌは、銅箔が螺旋状または渦巻き状に形成され、腐食検出回路Ｄにおいてインダクタンス値Ｉ（１）を示す。このとき、腐食センサＳ－Ｌを含む発振回路Ｏは、インダクタンス値Ｉ（１）に対応する周波数ＦＬ（１）の信号を出力する。一方、腐食センサＳ－Ｌは、時間経過とともに腐食ガスＧによって腐食され銅箔が細くなった場合には、腐食検出回路Ｄにおいてインダクタンス値Ｉ（１）より小さいインダクタンス値Ｉ（２）を示す。このとき、腐食センサＳ－Ｌを含む発振回路Ｏは、インダクタンス値Ｉ（２）に対応する、周波数ＦＬ（１）より大きい周波数ＦＬ（２）の信号を出力する。以上のように、図５の例では、腐食センサＳ－Ｌのインダクタンス値Ｉは、腐食ガスＧによる腐食によってインダクタンス値Ｉ（１）からＩ（２）に減少し、腐食センサＳ－Ｌを含む発振回路Ｏの出力周波数は、周波数ＦＬ（１）からＦＬ（２）に増加する。
また、腐食センサＳ－Ｌに粉塵等が付着した場合には、腐食センサＳ－Ｌのインダクタンス値Ｉは、粉塵等の付着前と比較して減少し、腐食センサＳ－Ｌを含む発振回路Ｏの周波数ＦＬは、粉塵等の付着前と比較して増加する。
（１－３－３．腐食センサＳの接続方式）
実施形態に係る腐食センサＳの接続方式は、特に限定されない。例えば、発振回路Ｏにおいて、腐食センサＳ－Ｃを並列で接続、腐食センサＳ－Ｌを直列で接続するが、特に限定されない。
実施形態に係る腐食センサＳの接続方式は、特に限定されない。例えば、発振回路Ｏにおいて、腐食センサＳ－Ｃを並列で接続、腐食センサＳ－Ｌを直列で接続するが、特に限定されない。
（１－３－４．金属の材質）
実施形態に係る腐食センサＳを形成する金属の材質は、一般的にプリント基板Ｐで使用される銅が好ましいが、特に限定されない。例えば、腐食センサＳを形成する金属の材質は、銀でもよい。また、腐食センサＳを形成する金属の材質は、複数の金属によって生成される合金やメッキであってもよい。
実施形態に係る腐食センサＳを形成する金属の材質は、一般的にプリント基板Ｐで使用される銅が好ましいが、特に限定されない。例えば、腐食センサＳを形成する金属の材質は、銀でもよい。また、腐食センサＳを形成する金属の材質は、複数の金属によって生成される合金やメッキであってもよい。
（１－３－５．検出可能な腐食ガスＧ）
実施形態に係る検出可能な腐食ガスＧは、硫化水素について説明してきたが、特に限定されない。例えば、検出可能な腐食ガスＧは、アンモニア、塩素、二酸化硫黄でもよい。
実施形態に係る検出可能な腐食ガスＧは、硫化水素について説明してきたが、特に限定されない。例えば、検出可能な腐食ガスＧは、アンモニア、塩素、二酸化硫黄でもよい。
（１－３－６．その他）
実施形態に係る腐食センサＳは、腐食ガスＧによる腐食以外も検出することができる。例えば、腐食センサＳは、大気中の粉塵の付着、大気中の水蒸気の付着、大気中の酸素による酸化等の劣化も検出することができる。
実施形態に係る腐食センサＳは、腐食ガスＧによる腐食以外も検出することができる。例えば、腐食センサＳは、大気中の粉塵の付着、大気中の水蒸気の付着、大気中の酸素による酸化等の劣化も検出することができる。
（１－４．情報処理システム１００の効果）
以下では、情報処理システム１００の背景および概要を説明した上で、情報処理システム１００の効果について説明する。
以下では、情報処理システム１００の背景および概要を説明した上で、情報処理システム１００の効果について説明する。
（１－４－１．情報処理システム１００の背景）
プラント等のプリント基板Ｐを含むシステムを稼働させる際に、プリント基板Ｐが故障するとシステムの稼働が停止してしまう。特に、プリント基板Ｐが腐食ガスＧに曝露される場合、腐食ガスＧがプリント基板Ｐ上の電子部品を腐食させ突然故障する。プリント基板Ｐが故障すると、その電子回路が機能しなくなるので、システム全体が停止してしまう。情報処理システム１００は、上記のようなプリント基板Ｐを含むシステムであって、プリント基板Ｐが腐食ガスＧの雰囲気に曝露される可能性があるシステムに適用することができる。
プラント等のプリント基板Ｐを含むシステムを稼働させる際に、プリント基板Ｐが故障するとシステムの稼働が停止してしまう。特に、プリント基板Ｐが腐食ガスＧに曝露される場合、腐食ガスＧがプリント基板Ｐ上の電子部品を腐食させ突然故障する。プリント基板Ｐが故障すると、その電子回路が機能しなくなるので、システム全体が停止してしまう。情報処理システム１００は、上記のようなプリント基板Ｐを含むシステムであって、プリント基板Ｐが腐食ガスＧの雰囲気に曝露される可能性があるシステムに適用することができる。
（１－４－２．情報処理システム１００の概要）
情報処理システム１００では、情報処理装置１０は、腐食センサＳを含む腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号の周波数Ｆを取得し、腐食検出回路信号をモニタリングする。このとき、腐食センサＳの金属が腐食することによってキャパシタンス値Ｃやインダクタンス値Ｉが変化し、腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号の周波数Ｆも変化する。そして、情報処理装置１０は、腐食センサＳを含む腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号の周波数Ｆが閾値Ｘ以上となった場合には、プリント基板Ｐの腐食異常の発生を検知する。また、情報処理装置１０は、プリント基板Ｐの腐食異常を検知した場合には、プラントの管理者にアラームを通知したり、バックアップ機器への切替を実行したりする。
情報処理システム１００では、情報処理装置１０は、腐食センサＳを含む腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号の周波数Ｆを取得し、腐食検出回路信号をモニタリングする。このとき、腐食センサＳの金属が腐食することによってキャパシタンス値Ｃやインダクタンス値Ｉが変化し、腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号の周波数Ｆも変化する。そして、情報処理装置１０は、腐食センサＳを含む腐食検出回路Ｄが出力する腐食検出回路信号の周波数Ｆが閾値Ｘ以上となった場合には、プリント基板Ｐの腐食異常の発生を検知する。また、情報処理装置１０は、プリント基板Ｐの腐食異常を検知した場合には、プラントの管理者にアラームを通知したり、バックアップ機器への切替を実行したりする。
（１－４－３．情報処理システム１００の効果）
情報処理システム１００では、以下の効果が期待できる。第１に、情報処理システム１００は、腐食センサＳを発振回路Ｏで周波数Ｆとしてモニタリングすることにより、キャパシタンス値Ｃやインダクタンス値Ｉの変動を検知することができる。このとき、情報処理システム１００は、自身が使用している高精度なクロック信号と比較する事で、腐食やゴミ等によるキャパシタンス値Ｃやインダクタンス値Ｉの小さな変動を検知することができる。第２に、参考技術において、単純な銅配線をプリント基板Ｐ上にむき出しにし、その配線の電気抵抗を測定することで腐食ガスＧを検知することも可能であるが、情報処理システム１００は、銅箔に電流を流して電気抵抗を測定するＡＤ（Analog-to-Digital）コンバータ等の高価な電子素子を必要とすることなく、キャパシタンス値Ｃやインダクタンス値Ｉの変動をデジタル信号として処理できるので、低コストで腐食ガスＧの検出を実現することができる。
情報処理システム１００では、以下の効果が期待できる。第１に、情報処理システム１００は、腐食センサＳを発振回路Ｏで周波数Ｆとしてモニタリングすることにより、キャパシタンス値Ｃやインダクタンス値Ｉの変動を検知することができる。このとき、情報処理システム１００は、自身が使用している高精度なクロック信号と比較する事で、腐食やゴミ等によるキャパシタンス値Ｃやインダクタンス値Ｉの小さな変動を検知することができる。第２に、参考技術において、単純な銅配線をプリント基板Ｐ上にむき出しにし、その配線の電気抵抗を測定することで腐食ガスＧを検知することも可能であるが、情報処理システム１００は、銅箔に電流を流して電気抵抗を測定するＡＤ（Analog-to-Digital）コンバータ等の高価な電子素子を必要とすることなく、キャパシタンス値Ｃやインダクタンス値Ｉの変動をデジタル信号として処理できるので、低コストで腐食ガスＧの検出を実現することができる。
上述してきたように、情報処理システム１００では、外部環境による電子機器の故障を予測することができる。
〔２．情報処理システム１００の情報処理装置１０の構成および処理〕
図６を用いて、図１に示した情報処理システム１００が有する情報処理装置１０の構成および処理について説明する。図６は、実施形態に係る情報処理システム１００の情報処理装置１０の構成例を示すブロック図である。以下では、実施形態に係る情報処理システム１００全体の構成例を説明した上で、実施形態に係る情報処理装置１０の構成例および処理例について詳細に説明する。
図６を用いて、図１に示した情報処理システム１００が有する情報処理装置１０の構成および処理について説明する。図６は、実施形態に係る情報処理システム１００の情報処理装置１０の構成例を示すブロック図である。以下では、実施形態に係る情報処理システム１００全体の構成例を説明した上で、実施形態に係る情報処理装置１０の構成例および処理例について詳細に説明する。
（２－１．情報処理システム１００全体の構成例）
図６に示すように、情報処理システム１００は、情報処理装置１０を有する。情報処理装置１０は、デスクトップＰＣ、サーバ装置、センサ機器、ネットワークスイッチ等、プリント基板Ｐを有するものであればよい。なお、情報処理システム１００は、複数の情報処理装置１０を有し、互いをバックアップ機器として使用できるように、所定の通信網によって通信可能に接続されていてもよい。
図６に示すように、情報処理システム１００は、情報処理装置１０を有する。情報処理装置１０は、デスクトップＰＣ、サーバ装置、センサ機器、ネットワークスイッチ等、プリント基板Ｐを有するものであればよい。なお、情報処理システム１００は、複数の情報処理装置１０を有し、互いをバックアップ機器として使用できるように、所定の通信網によって通信可能に接続されていてもよい。
（２－２．情報処理装置１０の構成例）
図６を用いて、情報処理装置１０の構成例および処理例について説明する。情報処理装置１０は、通信部１１、記憶部１２、制御部１３および腐食検出回路Ｄを有する。なお、情報処理装置１０は、情報処理装置１０の管理者等から各種操作を受け付ける入力部（例えば、キーボードやマウス等）や、各種情報を表示するための表示部（例えば、液晶ディスプレイ等）を有してもよい。
図６を用いて、情報処理装置１０の構成例および処理例について説明する。情報処理装置１０は、通信部１１、記憶部１２、制御部１３および腐食検出回路Ｄを有する。なお、情報処理装置１０は、情報処理装置１０の管理者等から各種操作を受け付ける入力部（例えば、キーボードやマウス等）や、各種情報を表示するための表示部（例えば、液晶ディスプレイ等）を有してもよい。
（２－２－１．通信部１１）
通信部１１は、他の装置との間でのデータ通信を司る。例えば、通信部１１は、ルータ等を介して、各通信装置との間でデータ通信を行う。また、通信部１１は、図示しないオペレータの端末との間でデータ通信を行うことができる。
通信部１１は、他の装置との間でのデータ通信を司る。例えば、通信部１１は、ルータ等を介して、各通信装置との間でデータ通信を行う。また、通信部１１は、図示しないオペレータの端末との間でデータ通信を行うことができる。
（２－２－２．記憶部１２）
記憶部１２は、制御部１３が動作する際に参照する各種情報や、制御部１３が動作した際に取得した各種情報を記憶する。ここで、記憶部１２は、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスク等の記憶装置等で実現され得る。なお、図６の例では、記憶部１２は、情報処理装置１０の内部に設置されているが、情報処理装置１０の外部に設置されてもよいし、複数の記憶部が設置されていてもよい。
記憶部１２は、制御部１３が動作する際に参照する各種情報や、制御部１３が動作した際に取得した各種情報を記憶する。ここで、記憶部１２は、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスク等の記憶装置等で実現され得る。なお、図６の例では、記憶部１２は、情報処理装置１０の内部に設置されているが、情報処理装置１０の外部に設置されてもよいし、複数の記憶部が設置されていてもよい。
（２－２－３．制御部１３）
制御部１３は、当該情報処理装置１０全体の制御を司る。制御部１３は、取得部１３ａおよび検知部１３ｂを有する。ここで、制御部１３は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＭＰＵ（Micro Processing Unit）等の電子回路やＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）やＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等の集積回路により実現され得る。なお、制御部１３は、腐食検出回路Ｄが含まれるプリント基板Ｐに設置されてもよいし、腐食検出回路Ｄが含まれないプリント基板Ｐに設置されてもよい。
制御部１３は、当該情報処理装置１０全体の制御を司る。制御部１３は、取得部１３ａおよび検知部１３ｂを有する。ここで、制御部１３は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＭＰＵ（Micro Processing Unit）等の電子回路やＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）やＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等の集積回路により実現され得る。なお、制御部１３は、腐食検出回路Ｄが含まれるプリント基板Ｐに設置されてもよいし、腐食検出回路Ｄが含まれないプリント基板Ｐに設置されてもよい。
（２－２－３－１．取得部１３ａ）
取得部１３ａは、腐食検出回路信号を取得する。例えば、取得部１３ａは、プリント基板Ｐに搭載された発振回路Ｏであって、導電性を有する金属により形成された電子素子である腐食センサＳを含む発振回路Ｏから出力される腐食検出回路信号の周波数Ｆを取得する。なお、取得部１３ａは、取得した周波数Ｆを記憶部１２に格納してもよい。
取得部１３ａは、腐食検出回路信号を取得する。例えば、取得部１３ａは、プリント基板Ｐに搭載された発振回路Ｏであって、導電性を有する金属により形成された電子素子である腐食センサＳを含む発振回路Ｏから出力される腐食検出回路信号の周波数Ｆを取得する。なお、取得部１３ａは、取得した周波数Ｆを記憶部１２に格納してもよい。
周波数Ｆについて説明すると、例えば、取得部１３ａは、腐食センサＳ－Ｃの示すキャパシタンス値Ｃをもとに、発振回路Ｏとしてコルピッツ発振回路によって出力された腐食検出回路信号の周波数ＦＣを取得する。また、取得部１３ａは、腐食センサＳ－Ｌの示すインダクタンス値Ｉをもとに、発振回路Ｏとしてコルピッツ発振回路によって出力された腐食検出回路信号の周波数ＦＬを取得する。
腐食センサＳ－Ｃをもとに出力される腐食検出回路信号の周波数ＦＣについて具体的な例を説明すると、取得部１３ａは、キャパシタンス値Ｃ（１）に対応する周波数ＦＣ（１）、キャパシタンス値Ｃ（２）に対応する周波数ＦＣ（２）、キャパシタンス値Ｃ（３）に対応する周波数ＦＣ（３）、・・・を取得し、記憶部１２に格納する。なお、Ｃ（１）、Ｃ（２）、Ｃ（３）、・・・は、所定の時間におけるキャパシタンス値Ｃを示し、ＦＣ（１）、ＦＣ（２）、ＦＣ（３）、・・・は、所定の時間におけるキャパシタンス値Ｃに対応する周波数ＦＣを示す。
腐食センサＳ－Ｌをもとに出力される腐食検出回路信号の周波数ＦＬについて具体的な例を説明すると、取得部１３ａは、インダクタンス値Ｉ（１）に対応する周波数ＦＬ（１）、インダクタンス値Ｉ（２）に対応する周波数ＦＬ（２）、インダクタンス値Ｉ（３）に対応する周波数ＦＬ（３）、・・・を取得し、記憶部１２に格納する。なお、Ｉ（１）、Ｉ（２）、Ｉ（３）、・・・は、所定の時間におけるインダクタンス値Ｉを示し、ＦＬ（１）、ＦＬ（２）、ＦＬ（３）、・・・は、所定の時間におけるインダクタンス値Ｉに対応する周波数ＦＬを示す。
取得部１３ａは、プリント基板Ｐ上にあるＣＰＵやＦＰＧＡ等のロジック系の部品が使用する、水晶発振器が生成する高精度のクロック信号、およびカウンタを用いて、腐食を検知する。具体的な例を挙げて説明すると、取得部１３ａは、水晶からの高精度クロック信号を１００万回カウントする時間で、腐食センサＳから出力された信号が何回トグルするかをカウントして、そのカウント数で、腐食具合を判断する。ここで、取得部１３ａは、水晶発振器から出力される１０ＭＨｚのクロック信号を、分周器を介して１ＭＨｚの基準信号に変換し、カウンタを用いてカウントする。一方、取得部１３ａは、腐食センサＳから出力される信号を腐食検出回路信号としてカウンタを用いてカウントする。そして、取得部１３ａは、１ＭＨｚの基準信号に変換されたクロック信号の１秒間に、何回の腐食検出回路信号がトグルされるかをカウントすることによって、周波数Ｆを取得する。
（２－２－３－２．検知部１３ｂ）
検知部１３ｂは、以下に示すように、異常発生検知処理および異常アラーム通知処理を実行する。
検知部１３ｂは、以下に示すように、異常発生検知処理および異常アラーム通知処理を実行する。
（異常発生検知処理）
検知部１３ｂは、周波数Ｆの変動に基づき、プリント基板Ｐの異常を検知する。例えば、検知部１３ｂは、取得部１３ａによって取得された周波数Ｆを用いてプリント基板Ｐの異常の発生を検知する。このとき、検知部１３ｂは、取得された周波数Ｆから周波数変動値ΔＦを算出し、周波数変動値ΔＦが閾値Ｘ以上となった場合に、プリント基板Ｐの異常の発生を検知する。なお、検知部１３ｂは、算出した周波数変動値ΔＦを記憶部１２格納してもよい。また、検知部１３ｂは、プリント基板Ｐの異常の発生を示す閾値Ｘを記憶部１２から取得してもよい。
検知部１３ｂは、周波数Ｆの変動に基づき、プリント基板Ｐの異常を検知する。例えば、検知部１３ｂは、取得部１３ａによって取得された周波数Ｆを用いてプリント基板Ｐの異常の発生を検知する。このとき、検知部１３ｂは、取得された周波数Ｆから周波数変動値ΔＦを算出し、周波数変動値ΔＦが閾値Ｘ以上となった場合に、プリント基板Ｐの異常の発生を検知する。なお、検知部１３ｂは、算出した周波数変動値ΔＦを記憶部１２格納してもよい。また、検知部１３ｂは、プリント基板Ｐの異常の発生を示す閾値Ｘを記憶部１２から取得してもよい。
ここで、初期値との差分を用いた周波数変動値ΔＦについて説明する。例えば、検知部１３ｂは、発振回路Ｏによって出力された初期状態（ｔ＝０）での腐食検出回路信号の周波数ＦＣの初期周波数ＦＣ（０）と、時間ｔにおける周波数ＦＣとの差分を時間ｔにおける周波数変動値ΔＦＣ（ｔ）として算出する。ここで、周波数変動値ΔＦＣ（ｔ）＝｜ＦＣ（ｔ）－ＦＣ（０）｜と表わされる。そして、検知部１３ｂは、ΔＦＣ（ｔ）≧ＸＣである場合には、時間ｔにおいて腐食センサＳ－Ｃに起因する異常の発生があると判断する。
また、検知部１３ｂは、発振回路Ｏによって出力された初期状態（ｔ＝０）での腐食検出回路信号の周波数ＦＬの初期周波数ＦＬ（０）と、時間ｔにおける周波数ＦＬとの差分を時間ｔにおける周波数変動値ΔＦＬ（ｔ）として算出する。ここで、周波数変動値ΔＦＬ（ｔ）＝｜ＦＬ（ｔ）－ＦＬ（０）｜と表わされる。そして、検知部１３ｂは、ΔＦＬ（ｔ）≧ＸＬである場合には、時間ｔにおいて腐食センサＳ－Ｌに起因する異常の発生があると判断する。
また、平均値との差分を用いた周波数変動値ΔＦについて説明する。例えば、検知部１３ｂは、正常稼働中と判断される１日分のＮ個の周波数ＦＣを用いて、周波数平均値ＦＣ（Ａｖｅ）＝ΣＦＣ（ｉ）／Ｎを算出し、算出した周波数平均値ＦＣ（Ａｖｅ）と、時間ｔにおける周波数ＦＣとの差分である平均偏差を時間ｔにおける周波数変動値ΔＦＣ（ｔ）として算出する。ここで、周波数変動値ΔＦＣ（ｔ）＝｜ＦＣ（ｔ）－ＦＣ（Ａｖｅ）｜と表わされる。そして、検知部１３ｂは、ΔＦＣ（ｔ）≧ＸＣである場合には、時間ｔにおいて腐食センサＳ－Ｃに起因する異常の発生があると判断する。
また、検知部１３ｂは、正常稼働中と判断される１日分のＮ個の周波数ＦＬを用いて、周波数平均値ＦＬ（Ａｖｅ）＝ΣＦＬ（ｉ）／Ｎを算出し、算出した周波数平均値ＦＬ（Ａｖｅ）と、時間ｔにおける周波数ＦＬとの差分である平均偏差を時間ｔにおける周波数変動値ΔＦＬ（ｔ）として算出する。ここで、周波数変動値ΔＦＬ（ｔ）＝｜ＦＬ（ｔ）－ＦＬ（Ａｖｅ）｜と表わされる。そして、検知部１３ｂは、ΔＦＬ（ｔ）≧ＸＬである場合には、時間ｔにおいて腐食センサＳ－Ｌに起因する異常の発生があると判断する。
（異常アラーム通知処理）
検知部１３ｂは、異常の発生を検知した場合に、異常アラームを通知する。例えば、検知部１３ｂは、算出した周波数変動値ΔＦが閾値Ｘ以上である場合には、プラントの管理者が使用する端末に異常アラームを通知する。
検知部１３ｂは、異常の発生を検知した場合に、異常アラームを通知する。例えば、検知部１３ｂは、算出した周波数変動値ΔＦが閾値Ｘ以上である場合には、プラントの管理者が使用する端末に異常アラームを通知する。
異常アラームについて説明すると、例えば、検知部１３ｂは、算出した周波数変動値ΔＦＣが閾値ＸＣ以上、または算出した周波数変動値ΔＦＬが閾値ＸＬ以上である場合には、プラントの管理者が使用する端末に異常アラームを通知するとともに、周波数平均値ＦＣ（Ａｖｅ）または周波数平均値ＦＬ（Ａｖｅ）の変化率から推定される異常の発生時期を通知する。また、検知部１３ｂは、プラントの管理者が使用する端末に異常アラームを通知するとともに、バックアップ機器への切替を実行することもできる。
（２－２－４．腐食検出回路Ｄ）
腐食検出回路Ｄは、腐食センサＳを含む発振回路Ｏを有する。
腐食検出回路Ｄは、腐食センサＳを含む発振回路Ｏを有する。
（２－２－４－１．発振回路Ｏ）
発振回路Ｏは、コルピッツ発振回路によって実現される。発振回路Ｏは、コルピッツ発振回路に限定されず、例えば、ハートレー発振回路、クラップ発振回路等であってもよい。
発振回路Ｏは、電子素子である腐食センサＳが示す数値をもとに周波数Ｆの信号を出力する。例えば、発振回路Ｏは、腐食センサＳ－Ｃの示すキャパシタンス値Ｃをもとに、対応する周波数ＦＣの信号を１秒ごとに出力する。なお、出力する間隔は、１秒に限定されず任意の時間を設定できる。また、発振回路Ｏは、腐食センサＳ－Ｌの示すインダクタンス値Ｉをもとに、対応する周波数ＦＬの信号を１秒ごとに出力する。なお、出力する間隔は、１秒に限定されず任意の時間を設定できる。
（２－２－４－２．腐食センサＳ）
腐食センサＳは、導電性を有する金属により形成された電子素子である。例えば、腐食センサＳは、銅により形成された電子素子である。腐食センサＳは、銅に限定されず、例えば、銀、銅の合金、銀の合金、銅メッキ金属、銀メッキ金属等であってもよい。
腐食センサＳは、導電性を有する金属により形成された電子素子である。例えば、腐食センサＳは、銅により形成された電子素子である。腐食センサＳは、銅に限定されず、例えば、銀、銅の合金、銀の合金、銅メッキ金属、銀メッキ金属等であってもよい。
腐食センサＳは、コンデンサ様の腐食センサＳ－Ｃ、およびインダクタ様の腐食センサＳ－Ｌのうち少なくとも１つによって実現される。腐食センサＳ－Ｃは、金属により生成された少なくとも２枚の金属箔を対向させて形成することで所定のキャパシタンス値Ｃを示す電子素子である。なお、腐食センサＳ－Ｃは、金属板、金属線を用いて形成することもできる。また、腐食センサＳ－Ｌは、発振回路Ｏを形成するインダクタ（コイル）であって、金属により生成された金属箔を螺旋状または渦巻き状に形成することで所定のインダクタンス値Ｉを示す電子素子である。なお、腐食センサＳ－Ｌは、金属板、金属線を用いて形成することもできる。
（２－２－４－３．腐食検出回路Ｄの具体例）
図７を用いて、発振回路Ｏおよび腐食センサＳを有する腐食検出回路Ｄの具体例について説明する。図７は、実施形態に係る腐食検出回路Ｄの構成例を示す回路図である。図７の例では、発振回路Ｏは、コルピッツ発振回路で構成される（図７一点破線）。また、腐食センサＳは、１つの腐食センサＳ－Ｃおよび１つの腐食センサＳ－Ｌで構成される（図７破線）。図７で示すように、腐食検出回路Ｄは、発振回路Ｏを介して、腐食センサＳ－Ｃが示すキャパシタンス値Ｃおよび腐食センサＳ－Ｌが示すインダクタンス値Ｉに対応する周波数Ｆの腐食検出回路信号を出力する。
図７を用いて、発振回路Ｏおよび腐食センサＳを有する腐食検出回路Ｄの具体例について説明する。図７は、実施形態に係る腐食検出回路Ｄの構成例を示す回路図である。図７の例では、発振回路Ｏは、コルピッツ発振回路で構成される（図７一点破線）。また、腐食センサＳは、１つの腐食センサＳ－Ｃおよび１つの腐食センサＳ－Ｌで構成される（図７破線）。図７で示すように、腐食検出回路Ｄは、発振回路Ｏを介して、腐食センサＳ－Ｃが示すキャパシタンス値Ｃおよび腐食センサＳ－Ｌが示すインダクタンス値Ｉに対応する周波数Ｆの腐食検出回路信号を出力する。
〔３．情報処理システム１００の処理の流れ〕
図８を用いて、実施形態に係る情報処理システム１００の処理の流れについて説明する。図８は、実施形態に係る情報処理全体の流れを示すフローチャートである。なお、下記のステップＳ１０１～Ｓ１０５の処理は、異なる順序で実行することもできる。また、下記のステップＳ１０１～Ｓ１０５の処理のうち、省略される処理があってもよい。
図８を用いて、実施形態に係る情報処理システム１００の処理の流れについて説明する。図８は、実施形態に係る情報処理全体の流れを示すフローチャートである。なお、下記のステップＳ１０１～Ｓ１０５の処理は、異なる順序で実行することもできる。また、下記のステップＳ１０１～Ｓ１０５の処理のうち、省略される処理があってもよい。
（３－１．回路信号取得処理）
第１に、情報処理装置１０は、回路信号取得処理を実行する（ステップＳ１０１）。例えば、情報処理装置１０は、腐食センサＳを含む腐食検出回路Ｄが出力する周波数Ｆの腐食検出回路信号を取得し、腐食検出回路信号をモニタリングする。
第１に、情報処理装置１０は、回路信号取得処理を実行する（ステップＳ１０１）。例えば、情報処理装置１０は、腐食センサＳを含む腐食検出回路Ｄが出力する周波数Ｆの腐食検出回路信号を取得し、腐食検出回路信号をモニタリングする。
（３－２．回路信号判定処理）
第２に、情報処理装置１０は、回路信号判定処理を実行する（ステップＳ１０２）。例えば、情報処理装置１０は、取得した腐食検出回路信号の周波数Ｆ、すなわち一定時間あたりの腐食検出信号のカウント数を算出し、周波数変動値ΔＦを算出し、閾値Ｘと比較する。このとき、情報処理装置１０は、ΔＦ≧Ｘの場合（ステップＳ１０２：Ｙｅｓ）、ステップＳ１０３の処理に移行する。一方、情報処理装置１０は、ΔＦ＜Ｘの場合（ステップＳ１０２：Ｎｏ）、ステップＳ１０１の処理に戻る。
第２に、情報処理装置１０は、回路信号判定処理を実行する（ステップＳ１０２）。例えば、情報処理装置１０は、取得した腐食検出回路信号の周波数Ｆ、すなわち一定時間あたりの腐食検出信号のカウント数を算出し、周波数変動値ΔＦを算出し、閾値Ｘと比較する。このとき、情報処理装置１０は、ΔＦ≧Ｘの場合（ステップＳ１０２：Ｙｅｓ）、ステップＳ１０３の処理に移行する。一方、情報処理装置１０は、ΔＦ＜Ｘの場合（ステップＳ１０２：Ｎｏ）、ステップＳ１０１の処理に戻る。
（３－３．腐食異常検知処理）
第３に、情報処理装置１０は、腐食異常検知処理を実行する（ステップＳ１０３）。例えば、情報処理装置１０は、腐食検出回路Ｄが搭載されているプリント基板Ｐに腐食による異常が発生していると検知する。
第３に、情報処理装置１０は、腐食異常検知処理を実行する（ステップＳ１０３）。例えば、情報処理装置１０は、腐食検出回路Ｄが搭載されているプリント基板Ｐに腐食による異常が発生していると検知する。
（３－４．腐食異常通知処理）
第４に、情報処理装置１０は、腐食異常通知処理を実行する（ステップＳ１０４）。例えば、情報処理装置１０は、腐食異常を検知した場合には、プリント基板Ｐに腐食による異常の発生をプラントの管理者の端末に通知する。
第４に、情報処理装置１０は、腐食異常通知処理を実行する（ステップＳ１０４）。例えば、情報処理装置１０は、腐食異常を検知した場合には、プリント基板Ｐに腐食による異常の発生をプラントの管理者の端末に通知する。
（３－５．バックアップ機器切替処理）
第５に、情報処理装置１０は、バックアップ機器切替処理を実行し（ステップＳ１０５）、処理を終了する。例えば、情報処理装置１０は、腐食異常を検知した場合には、異なる情報処理装置であるバックアップ機器に自動的に切り替える。
第５に、情報処理装置１０は、バックアップ機器切替処理を実行し（ステップＳ１０５）、処理を終了する。例えば、情報処理装置１０は、腐食異常を検知した場合には、異なる情報処理装置であるバックアップ機器に自動的に切り替える。
〔４．実施形態の効果〕
最後に、実施形態の効果について説明する。以下では、実施形態に係る処理に対応する効果１～５について説明する。
最後に、実施形態の効果について説明する。以下では、実施形態に係る処理に対応する効果１～５について説明する。
（４－１．効果１）
第１に、上述した実施形態に係る処理では、情報処理装置１０は、プリント基板Ｐに搭載された発振回路Ｏであって、導電性を有する金属により形成された電子素子である腐食センサＳを含む発振回路Ｏから出力される腐食検出回路信号の周波数Ｆを取得し、周波数Ｆの変動に基づき、プリント基板Ｐの異常を検知する。このため、本処理では、外部環境による電子機器の故障を予測することができる。
第１に、上述した実施形態に係る処理では、情報処理装置１０は、プリント基板Ｐに搭載された発振回路Ｏであって、導電性を有する金属により形成された電子素子である腐食センサＳを含む発振回路Ｏから出力される腐食検出回路信号の周波数Ｆを取得し、周波数Ｆの変動に基づき、プリント基板Ｐの異常を検知する。このため、本処理では、外部環境による電子機器の故障を予測することができる。
（４－２．効果２）
第２に、上述した実施形態に係る処理では、情報処理装置１０は、発振回路Ｏとして、金属により生成された少なくとも２枚の金属箔を対向させて設置することで所定のキャパシタンス値Ｃを示す電子素子である腐食センサＳ－Ｃを含む。このため、本処理では、コンデンサ様の電子素子を用いて、外部環境による電子機器の故障を予測することができる。
第２に、上述した実施形態に係る処理では、情報処理装置１０は、発振回路Ｏとして、金属により生成された少なくとも２枚の金属箔を対向させて設置することで所定のキャパシタンス値Ｃを示す電子素子である腐食センサＳ－Ｃを含む。このため、本処理では、コンデンサ様の電子素子を用いて、外部環境による電子機器の故障を予測することができる。
（４－３．効果３）
第３に、上述した実施形態に係る処理では、情報処理装置１０は、発振回路Ｏを形成するインダクタとして、金属により生成された金属箔を螺旋状または渦巻き状に形成することで所定のインダクタンス値Ｉを示す電子素子である腐食センサＳ－Ｌを含む。このため、本処理では、発振回路Ｏに形成されるインダクタを用いて、外部環境による電子機器の故障を予測することができる。
第３に、上述した実施形態に係る処理では、情報処理装置１０は、発振回路Ｏを形成するインダクタとして、金属により生成された金属箔を螺旋状または渦巻き状に形成することで所定のインダクタンス値Ｉを示す電子素子である腐食センサＳ－Ｌを含む。このため、本処理では、発振回路Ｏに形成されるインダクタを用いて、外部環境による電子機器の故障を予測することができる。
（４－４．効果４）
第４に、上述した実施形態に係る処理では、情報処理装置１０は、電子素子である腐食センサＳの金属として、銅を用いる。このため、本処理では、安価かつ簡便に、外部環境による電子機器の故障を予測することができる。
第４に、上述した実施形態に係る処理では、情報処理装置１０は、電子素子である腐食センサＳの金属として、銅を用いる。このため、本処理では、安価かつ簡便に、外部環境による電子機器の故障を予測することができる。
（４－５．効果５）
第５に、上述した実施形態に係る処理では、情報処理装置１０は、発振回路Ｏから出力される信号の周波数Ｆの周波数変動値ΔＦを算出し、算出した周波数変動値ΔＦが閾値Ｘ以上となった場合に、プリント基板Ｐに異常が発生したと検知する。このため、本処理では、外部環境による電子機器の故障の発生を即座に予測するとともに、通知することができる。
第５に、上述した実施形態に係る処理では、情報処理装置１０は、発振回路Ｏから出力される信号の周波数Ｆの周波数変動値ΔＦを算出し、算出した周波数変動値ΔＦが閾値Ｘ以上となった場合に、プリント基板Ｐに異常が発生したと検知する。このため、本処理では、外部環境による電子機器の故障の発生を即座に予測するとともに、通知することができる。
〔システム〕
上記文書中や図面中で示した処理手順、制御手順、具体的名称、各種のデータやパラメータを含む情報については、特記する場合を除いて任意に変更することができる。
上記文書中や図面中で示した処理手順、制御手順、具体的名称、各種のデータやパラメータを含む情報については、特記する場合を除いて任意に変更することができる。
また、図示した各装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各装置の分散や統合の具体的形態は図示のものに限られない。つまり、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することができる。
さらに、各装置にて行なわれる各処理機能は、その全部または任意の一部が、ＣＰＵおよび当該ＣＰＵにて解析実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現され得る。
〔ハードウェア〕
次に、情報処理装置１０のハードウェア構成例を説明する。なお、その他の装置も同様のハードウェア構成とすることができる。図９は、ハードウェア構成例を説明する図である。図９に示すように、情報処理装置１０は、通信装置１０ａ、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）１０ｂ、メモリ１０ｃ、プロセッサ１０ｄを有する。また、図９に示した各部は、バス等で相互に接続される。
次に、情報処理装置１０のハードウェア構成例を説明する。なお、その他の装置も同様のハードウェア構成とすることができる。図９は、ハードウェア構成例を説明する図である。図９に示すように、情報処理装置１０は、通信装置１０ａ、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）１０ｂ、メモリ１０ｃ、プロセッサ１０ｄを有する。また、図９に示した各部は、バス等で相互に接続される。
通信装置１０ａは、ネットワークインタフェースカード等であり、他のサーバとの通信を行う。ＨＤＤ１０ｂは、図６に示した機能を動作させるプログラムやＤＢを記憶する。
プロセッサ１０ｄは、図６に示した各処理部と同様の処理を実行するプログラムをＨＤＤ１０ｂ等から読み出してメモリ１０ｃに展開することで、図６等で説明した各機能を実行するプロセスを動作させる。例えば、このプロセスは、情報処理装置１０が有する各処理部と同様の機能を実行する。具体的には、プロセッサ１０ｄは、取得部１３ａ、検知部１３ｂ等と同様の機能を有するプログラムをＨＤＤ１０ｂ等から読み出す。そして、プロセッサ１０ｄは、取得部１３ａ、検知部１３ｂ等と同様の処理を実行するプロセスを実行する。
このように、情報処理装置１０は、プログラムを読み出して実行することで各種処理方法を実行する装置として動作する。また、情報処理装置１０は、媒体読取装置によって記録媒体から上記プログラムを読み出し、読み出された上記プログラムを実行することで上記した実施形態と同様の機能を実現することもできる。なお、この他の実施形態でいうプログラムは、情報処理装置１０によって実行されることに限定されるものではない。例えば、他のコンピュータまたはサーバがプログラムを実行する場合や、これらが協働してプログラムを実行するような場合にも、本発明を同様に適用することができる。
このプログラムは、インターネットなどのネットワークを介して配布することができる。また、このプログラムは、ハードディスク、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ－ＲＯＭ、ＭＯ（Magneto－Optical disk）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）などのコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録され、コンピュータによって記録媒体から読み出されることによって実行することができる。
〔その他〕
開示される技術特徴の組合せのいくつかの例を以下に記載する。
開示される技術特徴の組合せのいくつかの例を以下に記載する。
（１）基板に搭載された発振回路であって、導電性を有する金属により形成された電子素子を含む前記発振回路から出力される信号の周波数を取得する取得部と、前記周波数の変動に基づき、前記基板の異常を検知する検知部と、を備える情報処理装置。
（２）前記発振回路は、前記金属により生成された少なくとも２枚の金属箔を対向させて形成することで所定のキャパシタンス値を示す前記電子素子を含む、（１）に記載の情報処理装置。
（３）前記発振回路を形成するインダクタは、前記金属により生成された金属箔を螺旋状または渦巻き状に形成することで所定のインダクタンス値を示す前記電子素子を含む、（１）または（２）に記載の情報処理装置。
（４）前記金属は、銅である、（１）～（３）のいずれか１つに記載の情報処理装置。
（５）前記検知部は、前記発振回路から出力される信号の周波数の変動値を算出し、算出した前記変動値が閾値以上となった場合に、前記基板に異常が発生したと検知する、（１）～（４）のいずれか１つに記載の情報処理装置。
（６）コンピュータが、基板に搭載された発振回路であって、導電性を有する金属により形成された電子素子を含む前記発振回路から出力される信号の周波数を取得し、前記周波数の変動に基づき、前記基板の異常を検知する、処理を実行する情報処理方法。
（７）コンピュータに、基板に搭載された発振回路であって、導電性を有する金属により形成された電子素子を含む前記発振回路から出力される信号の周波数を取得し、前記周波数の変動に基づき、前記基板の異常を検知する、処理を実行させる情報処理プログラム。
１０ 情報処理装置
１１ 通信部
１２ 記憶部
１３ 制御部
１３ａ 取得部
１３ｂ 検知部
１００ 情報処理システム
１１ 通信部
１２ 記憶部
１３ 制御部
１３ａ 取得部
１３ｂ 検知部
１００ 情報処理システム
Claims (7)
- 基板に搭載された発振回路であって、導電性を有する金属により形成された電子素子を含む前記発振回路から出力される信号の周波数を取得する取得部と、
前記周波数の変動値を算出し、算出した前記変動値が閾値以上となった場合に、前記基板に異常が発生したと検知するとともに、前記周波数の平均値の変化率から推定される異常の発生時期を通知する検知部と、
を備える情報処理装置。 - 前記発振回路は、
前記金属により生成された少なくとも２枚の金属箔を対向させて形成することで所定のキャパシタンス値を示す前記電子素子を含む、
請求項１に記載の情報処理装置。 - 前記発振回路を形成するインダクタは、
前記金属により生成された金属箔を螺旋状または渦巻き状に形成することで所定のインダクタンス値を示す前記電子素子を含む、
請求項１に記載の情報処理装置。 - 前記金属は、銅である、
請求項１から３のいずれか１項に記載の情報処理装置。 - 前記情報処理装置は、プラントに設置される複数の情報処理装置であって、
前記検知部は、
前記基板に異常が発生したと検知した場合には、自装置から他装置への切替を実行する、
請求項１から３のいずれか１項に記載の情報処理装置。 - コンピュータが、
基板に搭載された発振回路であって、導電性を有する金属により形成された電子素子を含む前記発振回路から出力される信号の周波数を取得し、
前記周波数の変動値を算出し、算出した前記変動値が閾値以上となった場合に、前記基板に異常が発生したと検知するとともに、前記周波数の平均値の変化率から推定される異常の発生時期を通知する、
処理を実行する情報処理方法。 - コンピュータに、
基板に搭載された発振回路であって、導電性を有する金属により形成された電子素子を含む前記発振回路から出力される信号の周波数を取得し、
前記周波数の変動値を算出し、算出した前記変動値が閾値以上となった場合に、前記基板に異常が発生したと検知するとともに、前記周波数の平均値の変化率から推定される異常の発生時期を通知する、
処理を実行させる情報処理プログラム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023043501A JP7819663B2 (ja) | 2023-03-17 | 2023-03-17 | 情報処理装置、情報処理方法および情報処理プログラム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023043501A JP7819663B2 (ja) | 2023-03-17 | 2023-03-17 | 情報処理装置、情報処理方法および情報処理プログラム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024132647A JP2024132647A (ja) | 2024-10-01 |
| JP7819663B2 true JP7819663B2 (ja) | 2026-02-25 |
Family
ID=92909081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023043501A Active JP7819663B2 (ja) | 2023-03-17 | 2023-03-17 | 情報処理装置、情報処理方法および情報処理プログラム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7819663B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001099777A (ja) | 1999-07-29 | 2001-04-13 | Hitachi Ltd | 腐食環境監視装置 |
| JP2003315254A (ja) | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Hitachi Ltd | 腐食環境監視装置 |
| JP2007059878A (ja) | 2005-07-27 | 2007-03-08 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、及び発振器 |
| US20070120572A1 (en) | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Weiguo Chen | Smart coupon for realtime corrosion detection |
| US20200408670A1 (en) | 2019-06-26 | 2020-12-31 | Micross Advanced Interconnect Technology Llc | Corrosion sensor and method and computerized system for using the same |
-
2023
- 2023-03-17 JP JP2023043501A patent/JP7819663B2/ja active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001099777A (ja) | 1999-07-29 | 2001-04-13 | Hitachi Ltd | 腐食環境監視装置 |
| JP2003315254A (ja) | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Hitachi Ltd | 腐食環境監視装置 |
| JP2007059878A (ja) | 2005-07-27 | 2007-03-08 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、及び発振器 |
| US20070120572A1 (en) | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Weiguo Chen | Smart coupon for realtime corrosion detection |
| US20200408670A1 (en) | 2019-06-26 | 2020-12-31 | Micross Advanced Interconnect Technology Llc | Corrosion sensor and method and computerized system for using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2024132647A (ja) | 2024-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112136161B (zh) | 用于智能报警分组的系统和方法 | |
| US8340923B2 (en) | Predicting remaining useful life for a computer system using a stress-based prediction technique | |
| US7191096B1 (en) | Multi-dimensional sequential probability ratio test for detecting failure conditions in computer systems | |
| EP3795975B1 (en) | Abnormality sensing apparatus, abnormality sensing method, and abnormality sensing program | |
| US11175215B2 (en) | Methods, systems, and apparatus for progressive corrosion detection | |
| WO2008024699A2 (en) | Method and apparatus for proactive fault monitoring in interconnects | |
| US11099219B2 (en) | Estimating the remaining useful life of a power transformer based on real-time sensor data and periodic dissolved gas analyses | |
| US8450984B2 (en) | Diagnosis and prognosis of rotor thermal sensitivity | |
| US20200272140A1 (en) | Adaptive sequential probability ratio test to facilitate a robust remaining useful life estimation for critical assets | |
| US10884054B2 (en) | Detecting deterioration of an electrical circuit in an aggressive environment | |
| JP2017187347A (ja) | プリント基板の劣化検出装置 | |
| Duan et al. | An integrated cumulative transformation and feature fusion approach for bearing degradation prognostics | |
| CN104596564A (zh) | 传感器故障判断的系统及方法 | |
| CN110858072B (zh) | 设备运行状态的确定方法及装置 | |
| US7751910B2 (en) | High-accuracy virtual sensors for computer systems | |
| JP7819663B2 (ja) | 情報処理装置、情報処理方法および情報処理プログラム | |
| CN116203384A (zh) | 使用加速可靠性模型和传感器数据的电路的寿命终止预测 | |
| US7085681B1 (en) | Symbiotic interrupt/polling approach for monitoring physical sensors | |
| CN118332439B (zh) | 基于融合特征的电路板可靠性分析方法及系统 | |
| Xie et al. | Statistical models for monitoring the high-quality processes | |
| JP2009216391A (ja) | 障害検出回路、障害検出システムおよび障害検出方法 | |
| CN110133539A (zh) | Ups的健康度预测方法、系统和计算机可读存储介质 | |
| CN113740760B (zh) | 用于对交流电源进行快速故障检测的方法和装置 | |
| US11119126B2 (en) | Slope detector for voltage droop monitoring | |
| KR20210117706A (ko) | 진단 회로 기판 및 진단 회로 기판의 진단 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20241206 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20251021 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20251104 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20251225 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20260113 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20260126 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7819663 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |