JP7844005B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

一対の基板と、これら基板の間の液晶層とを備える表示装置が知られている。一般に、一対の基板は、画素を含む表示領域を囲うシール材によって接着されている。

この種の表示装置に振動、衝撃または圧力が加えられると、一対の基板にずれが生じることがある。このよう基板のずれによって液晶層に含まれる液晶分子の配向乱れが生じると、表示装置の表示品位が低下する。

特開２０２０－１１２７７１号公報 特開２００４－２７９９８３号公報

本発明は、表示品位の向上が可能な表示装置を提供することを目的の一つとする。

一実施形態に係る表示装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板を接着するシール材と、前記第１基板と前記第２基板の間の液晶層と、を備えている。

一つの観点によれば、前記シール材は、複数の画素を含む表示領域を囲う第１シール材と、前記第１シール材と同じ材料で形成され、前記表示領域に配置された第２シール材と、を含む。さらに、前記第１基板は、前記複数の画素の境界のうち、平面視において前記第２シール材と重ならない部分に配置され、前記液晶層に突出する第１絶縁層と、前記第１絶縁層と同じ材料で形成され、前記第１絶縁層よりも大きい幅を有し、平面視において前記第２シール材と重なる第２絶縁層と、を備えている。他の例として、前記第１基板は、前記液晶層に突出する絶縁層を備え、前記絶縁層は、前記複数の画素の境界のうち、平面視において前記第２シール材と重ならない部分に配置され、前記複数の画素の境界のうち、平面視において前記第２シール材と重なる部分には前記絶縁層が配置されていない。

他の観点によれば、前記シール材は、複数の画素を含む表示領域を囲う第１シール材と、前記画素よりも大きい幅を有し、前記表示領域に配置された第２シール材と、を含む。さらに、前記第１基板は、前記複数の画素の境界のうち、平面視において前記第２シール材と重ならない部分に配置され、前記液晶層に突出する第１絶縁層と、前記第１絶縁層と同じ材料で形成され、前記第１絶縁層よりも大きい幅を有し、平面視において前記第２シール材と重なる第２絶縁層と、を備えている。他の例として、前記第１基板は、前記液晶層に突出する絶縁層を備え、前記絶縁層は、前記複数の画素の境界のうち、平面視において前記第２シール材と重ならない部分に配置され、前記複数の画素の境界のうち、平面視において前記第２シール材と重なる部分には前記絶縁層が配置されていない。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。 図２は、第１実施形態に係る表示装置の概略的な断面図である。 図３は、第１実施形態に係る表示パネルの概略的な断面図である。 図４は、第１実施形態に係る表示装置の概略的な平面図である。 図５は、図４におけるＡ－Ｂ線に沿う表示パネルの概略的な断面図である。 図６は、第２実施形態に係る表示装置の概略的な断面図である。 図７は、第３実施形態に係る表示装置の概略的な断面図である。 図８は、第３実施形態において走査線に印加される電圧の一例を示す図である。 図９は、第３実施形態において信号線に印加される電圧の一例を示す図である。 図１０は、第４実施形態に係る表示装置の概略的な平面図である。 図１１は、第５実施形態に係る表示装置の概略的な平面図である。 図１２は、図１１におけるＣ－Ｄ線に沿う表示パネルの概略的な断面図である。 図１３は、第６実施形態に係る表示装置の概略的な断面図である。 図１４は、第７実施形態に係る表示装置の概略的な平面図である。 図１５は、第８実施形態に係る表示装置の概略的な平面図である。 図１６は、第８実施形態に係る第２シール材の一部を拡大して示す概略的な平面図である。 図１７は、図１６におけるＥ－Ｆ線に沿う表示パネルの概略的な断面図である。 図１８は、第９実施形態に係る表示装置の概略的な断面図である。 図１９は、第１０実施形態に係る表示装置の概略的な断面図である。 図２０は、第２シール材の第１変形例を示す平面図である。 図２１は、第２シール材の第２変形例を示す平面図である。 図２２は、第２シール材の第３変形例を示す平面図である。 図２３は、第２シール材の第４変形例を示す平面図である。

いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と呼び、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と呼び、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と呼ぶ。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視と呼ぶ。

各実施形態においては、表示装置の一例として、高分子分散型液晶を適用した透光性の高い液晶表示装置（いわゆる透明ディスプレイ）を開示する。ただし、各実施形態にて開示する構成、特に一対の基板を接着するシール材に関する構成は、高分子分散型液晶ではない一般的な液晶層を備える表示装置などにも適用可能である。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、第１光源ユニットＬＵ１とを備えている。

図１の例において、表示パネルＰＮＬ１は、平面視における形状が第１方向Ｘに長尺な矩形状であり、第１方向Ｘに沿う第１側面Ｆ１１と、第１方向Ｘに沿う第２側面Ｆ１２と、第２方向Ｙに沿う第３側面Ｆ１３と、第２方向Ｙに沿う第４側面Ｆ１４とを有している。なお、表示パネルＰＮＬの形状は矩形状に限られない。

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の周辺領域ＳＡとを有している。表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。

表示パネルＰＮＬは、液晶層ＬＣを備えている。図１の下方に拡大して模式的に示すように、液晶層ＬＣは、ポリマー３１と、液晶分子３２とを含む高分子分散型液晶によって構成されている。一例では、ポリマー３１は液晶性ポリマーである。ポリマー３１は、第１方向Ｘに沿って延出した筋状に形成され、第２方向Ｙに並んでいる。液晶分子３２は、ポリマー３１の隙間に分散され、その長軸が第１方向Ｘに沿うように配向される。

ポリマー３１および液晶分子３２の各々は、光学異方性あるいは屈折率異方性を有している。ポリマー３１の電界に対する応答性は、液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。一例では、ポリマー３１の配向方向は、電界の有無にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子３２の配向方向は、液晶層ＬＣに印加される電圧に応じて変化する。

液晶層ＬＣに電圧が印加されていない状態においては、ポリマー３１および液晶分子３２のそれぞれの光軸は互いに平行であり、液晶層ＬＣに入射する光が液晶層ＬＣ内でほとんど散乱されることなく透過する（透明状態）。

液晶層ＬＣに電圧が印加された状態においては、ポリマー３１および液晶分子３２のそれぞれの光軸は互いに交差し、液晶層ＬＣに入射する光が液晶層ＬＣ内で散乱される（散乱状態）。

図１の上方に拡大して示すように、表示領域ＤＡには、複数の走査線Ｇと、複数の信号線Ｓとが配置されている。複数の走査線Ｇは、第１方向Ｘに延びるとともに、第２方向Ｙに並んでいる。複数の信号線Ｓは、第２方向Ｙに延びるとともに、第１方向Ｘに並んでいる。

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷと、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥと、容量ＣＳとを備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇおよび信号線Ｓと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、例えば複数の画素電極ＰＥと対向している。

液晶層ＬＣ（特に、液晶分子３２）は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって駆動される。容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極と、画素電極ＰＥと同電位の電極との間に形成される。

第１光源ユニットＬＵ１は、第１方向Ｘに並ぶ複数の第１光源ＬＳ１を備えている。各第１光源ＬＳ１は、第１側面Ｆ１１と対向し、第１側面Ｆ１１に光を照射する。各第１光源ＬＳ１と第１側面Ｆ１１の間にレンズなどの光学素子が配置されてもよい。

図２は、表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。この図においては表示パネルＰＮＬの構造を模式的に示し、走査線Ｇ、信号線Ｓおよびスイッチング素子ＳＷなどの要素は省略している。

図２の例において、第１光源ＬＳ１は、赤色の光を放つ発光素子ＬＤＲと、緑色の光を放つ発光素子ＬＤＧと、青色の光を放つ発光素子ＬＤＢとを含む。これら発光素子ＬＤＲ，ＬＤＧ，ＬＤＢとしては、例えば発光ダイオードを用いることができる。

表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２を接着するシール材ＳＥとを備えている。シール材ＳＥは、図２に示す第１シール材ＳＥ１と、後述する第２シール材ＳＥ２とを含む。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の間に位置し、第１シール材ＳＥ１によって封止されている。

第１基板ＳＵＢ１は、第１透明基板１０と、上述の複数の画素電極ＰＥと、液晶層ＬＣに接する第１配向膜ＡＬ１とを備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第２透明基板２０と、上述の共通電極ＣＥと、液晶層ＬＣに接する第２配向膜ＡＬ２とを備えている。第１透明基板１０および第２透明基板２０は、例えばガラスやプラスチックで形成することができる。

図２に示すように、第１光源ＬＳ１が放つ光Ｌ１は第１側面Ｆ１１から表示パネルＰＮＬに入射する。第１側面Ｆ１１は、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２の少なくとも一方の側面を含む。表示パネルＰＮＬに入射した光Ｌ１は、第１透明基板１０と空気の界面や第２透明基板２０と空気の界面で繰り返し全反射されながら主に第２方向Ｙに導光される。

透明状態の画素ＰＸの近傍においては、光Ｌ１が液晶層ＬＣでほとんど散乱されない。そのため、光Ｌ１は第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２からほとんど漏れ出すことはない。

一方、散乱状態の画素ＰＸの近傍においては、光Ｌ１が液晶層ＬＣで散乱される。この散乱光ＳＬは、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２から出射し、表示画像として視認される。画素電極ＰＥに印加する電圧を所定範囲で段階的に規定することにより、散乱度（輝度）の階調表現を実現することも可能である。

なお、透明状態の画素ＰＸの近傍において、第１基板ＳＵＢ１または第２基板ＳＵＢ２に入射する外光は、ほとんど散乱されることなくこれら基板を透過する。すなわち、第２基板ＳＵＢ２側から表示パネルＰＮＬを見た場合には第１基板ＳＵＢ１側の背景が視認可能であり、第１基板ＳＵＢ１側から表示パネルＰＮＬを見た場合には第２基板ＳＵＢ２側の背景が視認可能である。

画像表示の方式としては、例えば、発光素子ＬＤＲを点灯させて赤色の画像を表示する第１サブフレーム、発光素子ＬＤＧを点灯させて緑色の画像を表示する第２サブフレーム、発光素子ＬＤＢを点灯させて青色の画像を表示する第３サブフレームを繰り返すフィールドシーケンシャル方式を用い得る。

図３は、表示パネルＰＮＬの概略的な断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、上述の第１透明基板１０、第１配向膜ＡＬ１、走査線Ｇ、信号線Ｓおよび画素電極ＰＥに加え、絶縁層１１，１２，１３および容量電極ＣＮを備えている。

絶縁層１１は、第１透明基板１０の上に設けられている。絶縁層１１は、スイッチング素子ＳＷの半導体層、走査線Ｇおよび信号線Ｓを隔てる複数の無機膜を含み得る。信号線Ｓは、絶縁層１１の上に設けられている。

絶縁層１２は、信号線Ｓを覆い、液晶層ＬＣに突出している。図３の断面には表れていないが、絶縁層１２は、走査線Ｇの上方にも設けられている。すなわち、絶縁層１２は、平面視において、走査線Ｇとともに第１方向Ｘに延びる部分と、信号線Ｓとともに第２方向Ｙに延びる部分とを有する格子状である。各画素ＰＸにおいては、絶縁層１２で囲われた開口部ＯＰが形成されている。

容量電極ＣＮは、絶縁層１１，１２の上に設けられ、絶縁層１３によって覆われている。画素電極ＰＥは、開口部ＯＰにおいて絶縁層１３の上に設けられ、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥは、絶縁層１３を挟んで容量電極ＣＮと対向し、画素ＰＸの容量ＣＳを形成している。

第２基板ＳＵＢ２は、上述の第２透明基板２０、共通電極ＣＥおよび第２配向膜ＡＬ２に加え、ブラックマトリクスＢＭ（遮光層）および絶縁層２１を備えている。ブラックマトリクスＢＭは、第２透明基板２０の主面に設けられている。例えば、ブラックマトリクスＢＭは、第３方向Ｚにおいて信号線Ｓ、走査線Ｇおよびスイッチング素子ＳＷと重畳する格子状である。

共通電極ＣＥは、第２透明基板２０の主面に設けられ、ブラックマトリクスＢＭを覆っている。絶縁層２１は、共通電極ＣＥを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、絶縁層２１を覆っている。共通電極ＣＥは、複数の画素電極ＰＥと対向している。また、共通電極ＣＥは、容量電極ＣＮと同電位である。

絶縁層１１，１３，２１は、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの透明な無機材料で形成されている。絶縁層１２は、例えば、アクリル樹脂などの透明な有機材料で形成されている。容量電極ＣＮ、画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成されている。ブラックマトリクスＢＭは、例えば可視光の反射率が低い金属や黒色樹脂などの遮光性を有する材料で形成されている。

液晶層ＬＣは、上述の筋状のポリマー３１および液晶分子３２を含む。図３に示す液晶分子３２は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間に電位差が形成されていない状態に相当し、ダイレクタ（液晶分子３２の長軸）がポリマー３１の延伸方向と略平行となるように配向されている。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間に電位差が形成されると、液晶分子３２はダイレクタが電界の方向に近づくように回転する。

図４は、表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。シール材ＳＥは、図２にも示した第１シール材ＳＥ１に加え、第２シール材ＳＥ２を含む。第１シール材ＳＥ１および第２シール材ＳＥ２は、透光性に優れた同じ材料で形成されている。

第１シール材ＳＥ１は、周辺領域ＳＡに配置され、表示領域ＤＡを囲っている。すなわち、第１シール材ＳＥ１は、平面視において、第１側面Ｆ１１に沿う部分と、第２側面Ｆ１２に沿う部分と、第３側面Ｆ１３に沿う部分と、第４側面Ｆ１４に沿う部分とを有する矩形状である。

第２シール材ＳＥ２は、大部分が表示領域ＤＡに配置されている。図４の例において、第２シール材ＳＥ２は、第１方向Ｘと平行に延びる１本の第１部分ＳＥ２ｘと、第２方向Ｙと平行に延びる２本の第２部分ＳＥ２ｙとを有している。第２シール材ＳＥ２が有する第１部分ＳＥ２ｘおよび第２部分ＳＥ２ｙの数は、この例に限られない。

第１部分ＳＥ２ｘと第２部分ＳＥ２ｙは、互いに交差している。第１部分ＳＥ２ｘと第２部分ＳＥ２ｙの両端部は、それぞれ第１シール材ＳＥ１に接続されている。すなわち、第２シール材ＳＥ２は、第１シール材ＳＥ１の内側を複数の領域に区切っている。図４の例においては、第１シール材ＳＥ１および第２シール材ＳＥ２で囲われた矩形状の６つの第１領域Ａ１が形成されている。第１領域Ａ１は、第２シール材ＳＥ２と重ならない領域に相当する。図４の例においては、各第１領域Ａ１が同じ形状を有しているが、この例に限られない。

第１シール材ＳＥ１は、幅Ｗｓ１を有している。第２シール材ＳＥ２（第１部分ＳＥ２ｘおよび第２部分ＳＥ２ｙ）は、幅Ｗｓ２を有している。例えば、幅Ｗｓ１は第１シール材ＳＥ１の幅の平均値であり、幅Ｗｓ２は第２シール材ＳＥ２の幅の平均値である。一例として、幅Ｗｓ１，Ｗｓ２は実質的に同じである。ただし、幅Ｗｓ１，Ｗｓ２が異なってもよい。

図５は、図４におけるＡ－Ｂ線に沿う表示パネルＰＮＬの概略的な断面図である。この図においては、図３に示した絶縁層１１，１３，２１および容量電極ＣＮを省略している。以下の説明においては、表示領域ＤＡのうち、第２シール材ＳＥ２と平面視において重なる領域を第２領域Ａ２と呼ぶ。

第２シール材ＳＥ２は、第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２の双方に接触している。第２シール材ＳＥ２は、一対の側面ＳＦを有している。これら側面ＳＦは、いずれも液晶層ＬＣと接触している。

画素ＰＸは、第１方向Ｘにおいて幅Ｗｐｘを有している。例えば、幅Ｗｐｘは、１つの画素ＰＸを間に挟む２本の信号線Ｓの中心間の距離である。幅Ｗｐｘは、画素ＰＸの第１方向Ｘにおけるピッチと言うこともできる。第２シール材ＳＥ２の幅Ｗｓ２は、幅Ｗｐｘよりも大きい（Ｗｓ２＞Ｗｐｘ）。同様に、画素ＰＸの第２方向Ｙにおける幅（隣り合う２本の走査線Ｇの中心間の距離）も幅Ｗｓ２より大きい。

本実施形態においては、第１領域Ａ１だけでなく、第２領域Ａ２にも画素ＰＸが配置されている。すなわち、第２シール材ＳＥ２は、幅方向（図５の例では第１方向Ｘ）に並ぶ複数の画素ＰＸと重なっている。なお、図５においては第２シール材ＳＥ２が２つの画素ＰＸと重なる例を示しているが、第２シール材ＳＥ２はより多くの画素ＰＸ（例えば５つ以上の画素ＰＸ）と重なってもよい。

表示装置ＤＳＰの製造時において、第１シール材ＳＥ１および第２シール材ＳＥ２は、例えば同じディスペンサから吐出される同じ材料によって第１基板ＳＵＢ１または第２基板ＳＵＢ２に描画される。その後、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２が貼り合わされる。

液晶層ＬＣを第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の間に導入する方法としては、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の貼り合わせの後に第１シール材ＳＥ１に設けられた注入口から液晶材料を真空環境下で注入する注入方式、または、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の貼り合わせ前にこれら基板の一方に液晶材料を滴下し、真空環境下でこれら基板を貼り合わせる滴下方式を採用し得る。

本実施形態においては、第１シール材ＳＥ１の内側が第２シール材ＳＥ２によって複数の第１領域Ａ１に区画されている。このような場合、注入方式では各第１領域Ａ１に通じる注入口を設ける必要が生じることから、滴下方式を採用することが製造工程の簡略化の観点からは好ましい。

表示パネルＰＮＬが振動、衝撃または圧力などに起因した応力によって変形すると、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２がずれ、ポリマー３１と液晶分子３２の配向が乱れて表示画像にむらが発生する。当該むらが発生すると、表示の均一性が損なわれるとともに、コントラスト比も低下し得る。表示パネルＰＮＬのサイズが小さい場合には、仮に第２シール材ＳＥ２が設けられていない場合でも周辺領域ＳＡの第１シール材ＳＥによって変形量が低減されるが、サイズが大きい場合には変形量も大きくなり、むらが顕著となる。

これに対し、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰにおいては、第１シール材ＳＥ１に加え、表示領域ＤＡに第２シール材ＳＥ２が設けられている。これにより、応力が加わった場合でも第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２がずれにくくなり、ポリマー３１と液晶分子３２の配向の乱れを抑制できる。結果として、上記むらの発生が抑制され、表示装置ＤＳＰの表示品位を高めることができる。このような効果は、表示パネルＰＮＬのサイズが大きいほど顕著となる。

本実施形態においては、第１シール材ＳＥ１と第２シール材ＳＥ２が同じ材料で形成されている。この場合、これらシール材ＳＥ１，ＳＥ２を同じ製造装置で描画することが可能となる。

本実施形態においては、第２シール材ＳＥ２の幅Ｗｓ２が画素ＰＸの幅Ｗｐｘよりも大きい。この場合、第２シール材ＳＥ２による良好な接着力が期待でき、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２のずれを効果的に抑制可能である。

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。特に言及しない表示装置ＤＳＰの構成については第１実施形態と同様のものを適用できる。

図６は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰ（表示パネルＰＮＬ）の概略的な断面図である。本実施形態においては、第２シール材ＳＥ２と重なる第２領域Ａ２に画素ＰＸが配置されていない。すなわち、第２シール材ＳＥ２と第１透明基板１０の間には、画素電極ＰＥやスイッチング素子ＳＷが設けられていない。

図６の断面においては、信号線Ｓ、絶縁層１２およびブラックマトリクスＢＭも第２領域Ａ２に配置されていない。なお、信号線Ｓは、平面視において図４に示した第１部分ＳＥ２ｘと交差する。すなわち、信号線Ｓは、平面視において第１部分ＳＥ２ｘとは部分的に重なるが、第２部分ＳＥ２ｙとは重ならない。

走査線Ｇと第２シール材ＳＥ２の関係も、信号線Ｓと第２シール材ＳＥ２の関係と同様である。すなわち、走査線Ｇは、平面視において第１部分ＳＥ２ｘとは重ならないが、第２部分ＳＥ２ｙとは部分的に重なる。

本実施形態のように第２シール材ＳＥ２と重なる第２領域Ａ２に画素ＰＸを配置しない場合、表示領域ＤＡに表示される画像の部分的な欠損を抑制することができる。

［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。特に言及しない表示装置ＤＳＰの構成については第１実施形態と同様のものを適用できる。

図７は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰ（表示パネルＰＮＬ）の概略的な断面図である。本実施形態においては、第２シール材ＳＥ２と重なる第２領域Ａ２にダミー画素ＤＰが配置されている。

ダミー画素ＤＰは、画像を表示しない画素（画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間に電位差を形成しない画素）である。ダミー画素ＤＰは、画素ＰＸと同様にスイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥを備えてもよいし、スイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥの少なくとも一方を備えなくてもよい。また、ダミー画素ＤＰは、画素ＰＸと同様にスイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥを備えるが、これらが電気的に接続されていなくてもよい。

ダミー画素ＤＰは、図７のように第２シール材ＳＥ２の第２部分ＳＥ２ｙと重なる領域だけでなく、第１部分ＳＥ２ｘと重なる領域にも配置されている。ダミー画素ＤＰのサイズは、例えば画素ＰＸと同じである。

ダミー画素ＤＰに対しても、信号線Ｓ、走査線ＧおよびブラックマトリクスＢＭが設けられている。すなわち、表示パネルＰＮＬが備える複数の信号線Ｓは、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２のいずれにおいても一定のピッチで配列されている。また、表示パネルＰＮＬが備える複数の走査線Ｇは、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２のいずれにおいても一定のピッチで配列されている。

本実施形態のように第２領域Ａ２にダミー画素ＤＰを配置すれば、表示領域ＤＡの開口率を全体的に均一化することができる。これにより、表示領域ＤＡの透明性も全体的に均一化される。

また、第２実施形態のように第２領域Ａ２に画素ＰＸやダミー画素ＤＰを配置しない場合に比べ、走査線Ｇおよび信号線Ｓの容量や負荷の変化が抑制される。これにより、表示装置ＤＳＰの電気的な安定性を得ることができる。

図８は、走査線Ｇに印加される電圧の一例を示す図である。図９は、信号線Ｓに印加される電圧の一例を示す図である。図８中の複数のダミー画素ＤＰは、走査線Ｇと平行な第１部分ＳＥ２ｘと重なるものであり、第１方向Ｘに並んでいる。図９中の複数のダミー画素ＤＰは、信号線Ｓと平行な第２部分ＳＥ２ｙと重なるものであり、第２方向Ｙに並んでいる。

以下の説明においては、画素ＰＸに配置される画素電極ＰＥおよびスイッチング素子ＳＷをそれぞれ第１画素電極ＰＥ１および第１スイッチング素子ＳＷ１と呼び、ダミー画素ＤＰに配置される画素電極ＰＥおよびスイッチング素子ＳＷをそれぞれ第２画素電極ＰＥ２および第２スイッチング素子ＳＷ２と呼ぶ。

また、図８に示すように第１部分ＳＥ２ｘと重ならない画素ＰＸの第１スイッチング素子ＳＷ１に接続された走査線Ｇを第１走査線Ｇ１と呼び、第１部分ＳＥ２ｘと重なるダミー画素ＤＰの第２スイッチング素子ＳＷ２に接続された走査線Ｇを第２走査線Ｇ２と呼ぶ。さらに、図９に示すように第２部分ＳＥ２ｙと重ならない画素ＰＸの第１スイッチング素子ＳＷ１に接続された信号線Ｓを第１信号線Ｓ１と呼び、第２部分ＳＥ２ｙと重なるダミー画素ＤＰの第２スイッチング素子ＳＷ２に接続された信号線Ｓを第２信号線Ｓ２と呼ぶ。

各走査線Ｇ１，Ｇ２は、図８に示すゲートドライバＧＤに接続されている。ゲートドライバＧＤは、各第１走査線Ｇ１に対し、低電位ＶＬと高電位ＶＨが交互に繰り返す波形のゲート電圧Ｖｇ１を印加する。低電位ＶＬは、第１スイッチング素子ＳＷ１をオフするための電位である。高電位ＶＨは、第１スイッチング素子ＳＷ１をオンするための電位である。

一方、ゲートドライバＧＤは、各第２走査線Ｇ２に対し、低電位ＶＬで一定の波形のゲート電圧Ｖｇ２を印加する。ゲート電圧Ｖｇ２によっては第２スイッチング素子ＳＷ２がオンされない。

各信号線Ｓ１，Ｓ２は、図９に示すソースドライバＳＤに接続されている。ソースドライバＳＤは、各第１信号線Ｓ１に対し、第２方向Ｙに並ぶ複数の画素ＰＸの第１画素電極ＰＥ１にそれぞれ供給すべき表示電圧Ｖｓｉｇを順次印加する。表示電圧Ｖｓｉｇは、共通電極ＣＥに印加される共通電圧Ｖｃｏｍとは異なる電位を有している。

一方、ソースドライバＳＤは、各第２信号線Ｓ２に対し、共通電極ＣＥと同じ共通電圧Ｖｃｏｍを印加する。共通電圧Ｖｃｏｍは、図９中の（ａ）に示すように一定であってもよい。また、図９中の（ｂ）に示すようにフレーム毎に反転されてもよい。

図８の例のように、各第２走査線Ｇ２に一定のゲート電圧Ｖｇ２を印加する場合、第２走査線Ｇ２を駆動するための回路をゲートドライバＧＤに設ける必要がない。したがって、ゲートドライバＧＤの構成を簡略化できる。また、ゲート電圧Ｖｇ２を低電位ＶＬとすることで、各第２走査線Ｇ２の電位が殆どの第１走査線Ｇ１と同じとなり、電気的に安定した駆動を実現できる。

図９の例のように、各第２信号線Ｓ２に共通電圧Ｖｃｏｍを印加する場合、第２信号線Ｓ２と共通電極ＣＥや上述の容量電極ＣＮとの間に電位差が生じない。これによっても電気的に安定した駆動を実現できるとともに、液晶層ＬＣに不所望な電界が作用することを抑制できる。

［第４実施形態］
第４実施形態について説明する。特に言及しない表示装置ＤＳＰの構成については上述の各実施形態と同様のものを適用できる。

図１０は、第４実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。本実施形態において、表示装置ＤＳＰは、第２光源ユニットＬＵ２をさらに備えている。第２光源ユニットＬＵ２は、第２側面Ｆ１２に沿って並ぶ複数の第２光源ＬＳ２を含む。

第２光源ＬＳ２は、第２側面Ｆ１２に光を照射する。第２側面Ｆ１２は、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２の少なくとも一方の側面を含む。例えば図２に示した第１光源ＬＳ１と同じく、第２光源ＬＳ２は、赤色の光を放つ発光素子ＬＤＲと、緑色の光を放つ発光素子ＬＤＧと、青色の光を放つ発光素子ＬＤＢとを含む。

第１光源ＬＳ１が放つ光Ｌ１の一部は、第２シール材ＳＥ２の第１部分ＳＥ２ｘによって吸収および散乱される。そのため、光Ｌ１の強度が第１部分ＳＥ２ｘの通過前後で変化する。このことから、上述の各実施形態の構成においては、表示領域ＤＡに表示される画像の輝度の均一性が損なわれ得る。

これに対し、本実施形態においては、第２光源ＬＳ２が放つ光Ｌ２が第２側面Ｆ１２から第１側面Ｆ１１に向けて導光される。光Ｌ２の一部も第１部分ＳＥ２ｘで吸収および散乱される。結果として、光Ｌ１と光Ｌ２を合わせた強度が表示領域ＤＡにおいて概ね一様となり、表示される画像の輝度が均一化される。

［第５実施形態］
第５実施形態について説明する。特に言及しない表示装置ＤＳＰの構成については上述の各実施形態と同様のものを適用できる。

図１１は、第５実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。本実施形態において、表示装置ＤＳＰは、各第１領域Ａ１の内面に沿って配置された壁部ＰＴを備えている。壁部ＰＴは、例えば有機材料で形成されている。

図１１の例においては、壁部ＰＴが第１シール材ＳＥ１および第２シール材ＳＥ２の双方に沿う矩形枠状である。他の例として、壁部ＰＴは、第２シール材ＳＥ２に沿ってのみ設けられてもよい。

図１２は、図１１におけるＣ－Ｄ線に沿う表示パネルＰＮＬの概略的な断面図である。壁部ＰＴは、第２シール材ＳＥ２の側面ＳＦを覆っている。図１２の断面には表れていないが、第１シール材ＳＥ１の側面も壁部ＰＴによって覆われている。

図１２の例においては、壁部ＰＴが第２基板ＳＵＢ２に設けられており、その先端が第１配向膜ＡＬ１に接触している。他の例として、壁部ＰＴが第１基板ＳＵＢ１に設けられ、その先端が第２配向膜ＡＬ２に接触してもよい。また、壁部ＰＴが第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の双方に設けられ、これらの先端、あるいはこれらの先端に形成された配向膜ＡＬ１，ＡＬ２が接触してもよい。壁部ＰＴが第１基板ＳＵＢ１に設けられる場合、このような壁部ＰＴは、絶縁層１２と同じ材料で形成されてもよい。

上述の滴下方式で液晶層ＬＣを形成する場合、未硬化の第１シール材ＳＥ１および第２シール材ＳＥ２に液晶層ＬＣが接触すると、これらシール材ＳＥ１，ＳＥ２が液晶層ＬＣに溶出する可能性がある。これに対し、本実施形態のように壁部ＰＴを設けていれば、未硬化の第１シール材ＳＥ１，ＳＥ２と液晶層ＬＣの接触を抑制することができる。

［第６実施形態］
第６実施形態について説明する。特に言及しない表示装置ＤＳＰの構成については上述の各実施形態と同様のものを適用できる。

図１３は、第６実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。本実施形態においては、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２が可撓性を有している。このような第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２は、例えば第１透明基板１０および第２透明基板２０をポリイミドなどの可撓性を有するプラスチックで形成することにより実現できる。

図１３の例では、第１方向Ｘおよび第３方向Ｚと平行なＸ－Ｚ平面に沿う断面において表示パネルＰＮＬが曲がっている。表示パネルＰＮＬは、第２方向Ｙおよび第３方向Ｚと平行なＹ－Ｚ平面に沿う断面において曲がってもよい。

表示パネルＰＮＬは、外力が加えられていない状態においては第１方向Ｘおよび第２方向Ｙと平行な平板状であり、外力が加えられたときに曲がってもよい。他の例として、表示パネルＰＮＬは、予め曲がった状態で固定されてもよい。

表示パネルＰＮＬが曲げられた際に、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２にずれが生じ得る。このようなずれが生じると、各基板に平行なずり応力や各基板に垂直な圧縮応力のような力により液晶層ＬＣに含まれるポリマーと液晶分子の配向が乱れ、表示画像にむらが発生する。

これに対し、第２シール材ＳＥ２が配置されていれば、第１シール材ＳＥ１のみで第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２が接着されている場合に比べ、表示領域ＤＡにおける基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２のずれを抑制できる。結果として、表示画像のむらが抑制され、表示装置ＤＳＰの表示品位が向上する。

［第７実施形態］
第７実施形態について説明する。特に言及しない表示装置ＤＳＰの構成については上述の各実施形態と同様のものを適用できる。

図１４は、第７実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。本実施形態においては、第１領域Ａ１における開口率と、第２領域Ａ２における開口率とが同等である。

ここで、開口率とは、単位面積あたりに含まれる光の透過領域の割合に相当する。光の透過領域は、例えば、ブラックマトリクスＢＭや配線（走査線Ｇおよび信号線Ｓなど）のような遮光部と重ならない領域に相当する。

図１４の例においては、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２のそれぞれにおけるブラックマトリクスＢＭの形状が同じである。すなわち、第１領域Ａ１におけるブラックマトリクスＢＭの第１方向Ｘの開口幅Ｗｂｘ１と、第２領域Ａ２におけるブラックマトリクスＢＭの第１方向Ｘの開口幅Ｗｂｘ２が同じである。また、第１領域Ａ１におけるブラックマトリクスＢＭの第２方向Ｙの開口幅Ｗｂｙ１と、第２領域Ａ２におけるブラックマトリクスＢＭの第２方向Ｙの開口幅Ｗｂｙ２が同じである。走査線Ｇおよび信号線Ｓなどの配線はブラックマトリクスＢＭと重なっており、実質的にブラックマトリクスＢＭの形状によって第１領域Ａ１および第２領域Ａ２の開口率が定まっている。

仮に、第２領域Ａ２にブラックマトリクスＢＭなどの遮光部を設けない場合には、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とで透過率の均一性が損なわれ、表示品位も低下し得る。一方、第１領域Ａ１の開口率と第２領域Ａ２の開口率とが同等であれば、表示領域ＤＡの全体において表示パネルＰＮＬの透過率が均一化され、表示品位も向上する。

［第８実施形態］
第８実施形態について説明する。特に言及しない表示装置ＤＳＰの構成については上述の各実施形態と同様のものを適用できる。

図１５は、第８実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。図１６は、第２シール材ＳＥ２の一部を拡大して示す概略的な平面図である。図１５に示す表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと第１光源ユニットＬＵ１とを備えている。表示装置ＤＳＰは、図１０の例と同じく第２光源ユニットＬＵ２をさらに備えてもよい。

液晶層ＬＣ（ポリマーおよび液晶分子）と第２シール材ＳＥ２は、屈折率が互いに異なる。そのため、第１光源ＬＳ１からの光Ｌ１の一部が液晶層ＬＣと第２シール材ＳＥ２の界面で反射され得る。この反射光Ｌ１ａが表示パネルＰＮＬから出射すると、不要な光漏れが生じ、表示品質が低下する。

そこで、本実施形態においては、図１６に示すように遮光部ＳＬＤを配置する。遮光部ＳＬＤは、液晶層ＬＣと第２シール材ＳＥ２の界面、すなわち第１部分ＳＥ２ｘおよび第２部分ＳＥ２ｙの側面ＳＦと平面視において重なっている。

遮光部ＳＬＤは、第１部分ＳＥ２ｘの側面ＳＦに沿って第１方向Ｘに延びる部分と、第２部分ＳＥ２ｙの側面ＳＦに沿って第２方向Ｙに延びる部分とを有している。一例として、遮光部ＳＬＤは、第１領域Ａ１を囲う枠状である。

図１６の例においては、遮光部ＳＬＤの幅が第１部分ＳＥ２ｘおよび第２部分ＳＥ２ｙの幅よりも小さい。さらに、遮光部ＳＬＤは、第２方向Ｙにおける第１部分ＳＥ２ｘの中央部や、第１方向Ｘにおける第２部分ＳＥ２ｙの中央部とは重なっていない。

図１７は、図１６におけるＥ－Ｆ線に沿う表示パネルＰＮＬの概略的な断面図である。例えば、遮光部ＳＬＤは、第１基板ＳＵＢ１に配置された第１遮光部ＳＬＤ１と、第２基板ＳＵＢ２に配置された第２遮光部ＳＬＤ２とを含む。

第１遮光部ＳＬＤ１は、例えば第１透明基板１０と絶縁層１１の間に配置されている。第２遮光部ＳＬＤ２は、例えば第２透明基板２０と共通電極ＣＥの間に配置されている。第１遮光部ＳＬＤ１および第２遮光部ＳＬＤ２は、可視光の反射率が低い金属や黒色樹脂などの遮光性を有する材料で形成されている。第２遮光部ＳＬＤ２は、ブラックマトリクスＢＭと同じ材料で形成されてもよい。この場合において、第２遮光部ＳＬＤ２とブラックマトリクスＢＭとが接続されてもよい。

第１遮光部ＳＬＤ１と第２遮光部ＳＬＤ２は、第３方向Ｚにおいて対向している。第２シール材ＳＥ２の側面ＳＦは、第１遮光部ＳＬＤ１と第２遮光部ＳＬＤ２の間に位置している。第１遮光部ＳＬＤ１と第２遮光部ＳＬＤ２の平面形状は、例えば互いに一致する。ただし、これら遮光部ＳＬＤ１，ＳＬＤ２の平面形状が少なくとも一部において異なってもよい。

図１７の例においては、光Ｌ１の一部が側面ＳＦ（液晶層ＬＣと第２シール材ＳＥ２の界面）で反射され、反射光Ｌ１ａが生じている。このような反射光Ｌ１ａは、第１遮光部ＳＬＤ１または第２遮光部ＳＬＤ２で吸収される。そのため、光漏れの発生が抑制される。

なお、遮光部ＳＬＤは、第１遮光部ＳＬＤ１および第２遮光部ＳＬＤ２のいずれか一方を備えなくてもよい。この場合であっても、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２のうち、遮光部が設けられた基板の側への光漏れを低減する効果が得られる。

［第９実施形態］
第９実施形態について説明する。特に言及しない表示装置ＤＳＰの構成については上述の各実施形態と同様のものを適用できる。

図１８は、第９実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。本実施形態においては、第２領域Ａ２に絶縁層１２が設けられていない。すなわち、複数の画素ＰＸの境界のうち平面視において第２シール材ＳＥ２と重ならない部分には絶縁層１２が配置され、複数の画素ＰＸの境界のうち平面視において第２シール材ＳＥ２と重なる部分には絶縁層１２が配置されていない。

これにより、第２領域Ａ２における第１配向膜ＡＬ１の表面が、第１領域Ａ１における第１配向膜ＡＬ１の表面よりも平坦になる。なお、第２領域Ａ２に配置される画素は、第１実施形態と同じく通常の画素ＰＸであってもよいし、第３実施形態と同じくダミー画素ＤＰであってもよい。

図１８には第２部分ＳＥ２ｙを含む断面を示したが、第１部分ＳＥ２ｘを含む断面にも同様の構成を適用できる。すなわち、第２領域Ａ２においては、走査線Ｇと重なる絶縁層１２が設けられていなくてもよい。

本実施形態の構成においては、第２シール材ＳＥ２の下地が比較的平坦となるため、第２シール材ＳＥ２の形状を安定させることが可能となる。

［第１０実施形態］
第１０実施形態について説明する。特に言及しない表示装置ＤＳＰの構成については上述の各実施形態と同様のものを適用できる。

図１９は、第１０実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。本実施形態において、絶縁層１２は、第１領域Ａ１に配置された第１絶縁層１２ａと、第２領域Ａ２に配置された第２絶縁層１２ｂとを含む。第１絶縁層１２ａおよび第２絶縁層１２ｂは、同じ材料で形成され、いずれも第１配向膜ＡＬ１で覆われている。

第１絶縁層１２ａは、上述の各実施形態における絶縁層１２と同じく走査線Ｇおよび信号線Ｓの上方に設けられ、液晶層ＬＣに突出している。すなわち、第１絶縁層１２ａは、複数の画素ＰＸの境界のうち、平面視において第２シール材ＳＥ２と重ならない部分に配置されている。

第２絶縁層１２ｂは、第１絶縁層１２ａよりも大きい幅を有し、第２シール材ＳＥ２と第１透明基板１０の間に全体的に設けられている。図１９の例においては、第２絶縁層１２ｂの幅が第２シール材ＳＥ２の幅よりも大きい。

なお、図１９には第２部分ＳＥ２ｙを含む断面を示したが、第１部分ＳＥ２ｘを含む断面にも同様の構成を適用できる。第１シール材ＳＥ１の下方にも同様に第２絶縁層１２ｂが配置されてもよい。

第２領域Ａ２に配置される画素は、第１実施形態と同じく通常の画素ＰＸであってもよいし、第３実施形態と同じくダミー画素ＤＰであってもよい。第２絶縁層１２ｂは、これらの画素ＰＸまたはダミー画素ＤＰを覆っている。

本実施形態の構成であれば、第２シール材ＳＥ２の高さが安定する。これにより、表示領域ＤＡの各所において、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２の間のセルギャップを均一化することが可能となる。

［第２シール材ＳＥ２の変形例］
第２シール材ＳＥ２の形状は、第１乃至第１０実施形態にて開示したものに限られない。以下に、第２シール材ＳＥ２に適用し得る他の構成を例示する。

図２０は、第２シール材ＳＥ２の第１変形例を示す平面図である。図２０の例においては、２本の第２シール材ＳＥ２が表示領域ＤＡに配置されている。これら第２シール材ＳＥ２は、上述の第２部分ＳＥ２ｙと同じく、第２方向Ｙと平行に延びている。なお、第２シール材ＳＥ２の数は２本に限られず、１本であってもよいし、３本以上であってもよい。

図２０の例においては、第２シール材ＳＥ２が第１方向Ｘに延びる部分を有していない。この場合、第１光源ＬＳ１からの光の導光が第２シール材ＳＥ２によって妨げられにくい。

図２１は、第２シール材ＳＥ２の第２変形例を示す平面図である。図２１の例においては、１本の第２シール材ＳＥ２が表示領域ＤＡに配置されている。この第２シール材ＳＥ２は、上述の第１部分ＳＥ２ｘと同じく、第１方向Ｘと平行に延びている。図２０の例においては、第２シール材ＳＥ２が第２方向Ｙに延びる部分を有していない。

図２１の例においては、第２方向Ｙに並ぶ２つの第１領域Ａ１が表示領域ＤＡに形成される。この場合、各第１領域Ａ１における輝度を均一化するために、図１０の例と同様の第２光源ユニットＬＵ２が配置されてもよい。

図２２は、第２シール材ＳＥ２の第３変形例を示す平面図である。図２２の例において、第２シール材ＳＥ２は、第１シール材ＳＥ１の内側に配置された複数の島部ＩＬＤを有している。これら島部ＩＬＤは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに間隔を空けて配置されている。図２２の例においては、島部ＩＬＤが第１方向Ｘに延びる部分と第２方向Ｙに延びる部分とを有する十字形である。

図２３は、第２シール材ＳＥ２の第４変形例を示す平面図である。図２３の例においても、第２シール材ＳＥ２は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに間隔を空けて配置された複数の島部ＩＬＤを有している。ただし、図２３の例においては、島部ＩＬＤが円形である。このような島部ＩＬＤの直径は、例えば、第１シール材ＳＥ１や画素ＰＸの幅より大きい。

図２２および図２３の例においては、第１シール材ＳＥ１の内側が第２シール材ＳＥ２によって複数の領域に区切られない。そのため、液晶層ＬＣの形成が容易である。

すなわち、上述の滴下方式を用いる場合、滴下された液晶材料の拡がりが第２シール材ＳＥ２によって阻害されにくい。また、上述の注入方式を用いる場合、１か所の注入口から液晶材料を注入すれば、当該液晶材料が第１シール材ＳＥ１の内側の全体に拡がる。

図２２および図２３の例においては、液晶材料の注入口４０が第１シール材ＳＥ１のうち第２方向Ｙと平行な部分に設けられ、この注入口４０が封止材４１で塞がれている。このような部分に注入口４０および封止材４１を設ければ、第１光源ＬＳ１からの光の導光が注入口４０および封止材４１によって阻害されにくい。

第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２には、例えばラビング処理によって配向規制力が付与される。このようなラビング処理が施される配向処理方向ＡＤは、第１光源ＬＳ１からの光の導光方向と直交することが好ましい。すなわち、図２２および図２３の例においては、配向処理方向ＡＤが第１方向Ｘと平行である。この場合、図２２および図２３に示す位置に注入口４０が設けられると、注入される液晶材料が配向処理方向ＡＤに沿って良好に拡がる。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＬＵ１…第１光源ユニット、ＬＳ１…第１光源、ＬＵ２…第２光源ユニット、ＬＳ２…第２光源、ＳＵＢ１…第１基板、１０…第１透明基板、ＰＥ…画素電極、ＡＬ１…第１配向膜、ＳＵＢ２…第２基板、２０…第２透明基板、ＣＥ…共通電極、ＡＬ２…第２配向膜、ＬＣ…液晶層、ＳＥ…シール材、ＳＥ１…第１シール材、ＳＥ２…第２シール材。

Claims (18)

1. 第１基板と、
   前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板を接着するシール材と、
   前記第１基板と前記第２基板の間の液晶層と、
   を備え、
   前記シール材は、
   複数の画素を含む表示領域を囲う第１シール材と、
   前記第１シール材と同じ材料で形成され、前記表示領域に配置された第２シール材と、
   を含み、
   前記第１基板は、
   前記複数の画素の境界のうち、平面視において前記第２シール材と重ならない部分に配置され、前記液晶層に突出する第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層と同じ材料で形成され、前記第１絶縁層よりも大きい幅を有し、平面視において前記第２シール材と重なる第２絶縁層と、
   を備える、表示装置。
2. 第１基板と、
   前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板を接着するシール材と、
   前記第１基板と前記第２基板の間の液晶層と、
   を備え、
   前記シール材は、
   複数の画素を含む表示領域を囲う第１シール材と、
   前記画素よりも大きい幅を有し、前記表示領域に配置された第２シール材と、
   を含み、
   前記第１基板は、
   前記複数の画素の境界のうち、平面視において前記第２シール材と重ならない部分に配置され、前記液晶層に突出する第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層と同じ材料で形成され、前記第１絶縁層よりも大きい幅を有し、平面視において前記第２シール材と重なる第２絶縁層と、
   を備える、表示装置。
3. 前記第２シール材は、平面視において少なくとも１つの前記画素と重なっている、
   請求項１または２に記載の表示装置。
4. 平面視において前記第２シール材と重なる領域に前記画素が配置されていない、
   請求項１または２に記載の表示装置。
5. 前記表示領域は、画像を表示しないダミー画素を備え、
   前記第２シール材は、前記ダミー画素と重なっている、
   請求項１または２に記載の表示装置。
6. 前記第１基板は、
   前記画素に配置され、平面視において前記液晶層と重なる第１画素電極と、
   前記ダミー画素に配置され、平面視において前記第２シール材と重なる第２画素電極と、
   前記第１画素電極に接続された第１スイッチング素子と、
   前記第２画素電極に接続された第２スイッチング素子と、
   前記第１スイッチング素子に接続された第１走査線と、
   前記第２スイッチング素子に接続された第２走査線と、
   前記第１スイッチング素子に接続された第１信号線と、
   前記第２スイッチング素子に接続された第２信号線と、
   を備える、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第１走査線および前記第２走査線に接続されたゲートドライバをさらに備え、
   前記ゲートドライバは、低電位と高電位が交互に繰り返す波形の電圧を前記第１走査線に印加し、前記低電位で一定の波形の電圧を前記第２走査線に印加する、
   請求項６に記載の表示装置。
8. 共通電圧が印加される共通電極と、
   前記第１信号線および前記第２信号線に接続されたソースドライバと、
   をさらに備え、
   前記ソースドライバは、前記共通電圧と異なる表示電圧を前記第１信号線に印加し、前記共通電圧を前記第２信号線に印加する、
   請求項６に記載の表示装置。
9. 前記第１基板または前記第２基板の第１側面に光を照射する第１光源をさらに備え、
   前記液晶層は、高分子分散型液晶により構成されている、
   請求項１または２に記載の表示装置。
10. 前記第１基板または前記第２基板の第２側面に光を照射する第２光源をさらに備える、
    請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第２シール材の側面を覆う壁部をさらに備える、
    請求項１または２に記載の表示装置。
12. 前記第１基板および前記第２基板は、可撓性を有している、
    請求項１または２に記載の表示装置。
13. 前記表示領域は、平面視において前記第２シール材と重ならない第１領域と、平面視において前記第２シール材と重なる第２領域と、を有し、
    前記第１領域における開口率と、前記第２領域における開口率とが同等である、
    請求項１または２に記載の表示装置。
14. 平面視において前記第２シール材の側面と重なり、かつ当該側面に沿って延びる遮光部をさらに備える、
    請求項１または２に記載の表示装置。
15. 前記第２シール材は、前記第１シール材の内側を複数の領域に区切っている、
    請求項１または２に記載の表示装置。
16. 前記第２シール材は、前記第１シール材の内側に互いに間隔を空けて配置された複数の島部を有している、
    請求項１または２に記載の表示装置。
17. 第１基板と、
    前記第１基板に対向する第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板を接着するシール材と、
    前記第１基板と前記第２基板の間の液晶層と、
    を備え、
    前記シール材は、
    複数の画素を含む表示領域を囲う第１シール材と、
    前記第１シール材と同じ材料で形成され、前記表示領域に配置された第２シール材と、
    を含み、
    前記第１基板は、前記液晶層に突出する絶縁層を備え、
    前記絶縁層は、前記複数の画素の境界のうち、平面視において前記第２シール材と重ならない部分に配置され、
    前記複数の画素の境界のうち、平面視において前記第２シール材と重なる部分には前記絶縁層が配置されていない、表示装置。
18. 第１基板と、
    前記第１基板に対向する第２基板と、
    前記第１基板と前記第２基板を接着するシール材と、
    前記第１基板と前記第２基板の間の液晶層と、
    を備え、
    前記シール材は、
    複数の画素を含む表示領域を囲う第１シール材と、
    前記画素よりも大きい幅を有し、前記表示領域に配置された第２シール材と、
    を含み、
    前記第１基板は、前記液晶層に突出する絶縁層を備え、
    前記絶縁層は、前記複数の画素の境界のうち、平面視において前記第２シール材と重ならない部分に配置され、
    前記複数の画素の境界のうち、平面視において前記第２シール材と重なる部分には前記絶縁層が配置されていない、表示装置。