JP7849703B2 - 音響発生部 - Google Patents

音響発生部

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Description

本明細書は、音響の分野に関し、特に音響発生部に関する。
［参照による援用］
本願は、２０２２年１０月２８日に提出された、出願番号が２０２２１１３３６９１８．４である中国特許出願の優先権、２０２２年１２月１日に提出された、出願番号が２０２２２３２３９６２８．６である中国特許出願の優先権、２０２２年１２月３０日に提出された、出願番号がＰＣＴ／ＣＮ２０２２／１４４３３９である国際出願の優先権を主張するものであり、その全ての内容は、参照により本願に組み込まれるものである。
音響出力技術の発展に伴い、音響発生部（例えば、イヤホン）は、人々の日常生活に広く応用され、携帯電話、コンピュータなどの電子機器と共に使用することにより、ユーザーは、聴覚の饗宴を楽しむことができる。音響発生部の出力性能は、ユーザーの使用快適度に大きな影響を与える。音響発生部における振動膜の構造と、振動膜と協働する支持構造とは、通常、音響発生部の出力性能に影響を与える。
したがって、高い出力性能を有する音響発生部を提出する必要がある。
本明細書の実施例に係る音響発生部は、振動膜と、磁気回路アセンブリと、コイルと、前記磁気回路アセンブリを取り囲んで設置された支持フレームとを含み、前記コイルは、前記振動膜に接続され、少なくとも一部が前記磁気回路アセンブリによって形成された磁気ギャップに位置し、前記コイルは、通電により、前記振動膜を振動させて音声を発生させ、前記振動膜は、本体領域と、本体領域を取り囲んだエッジ領域とを含み、前記支持フレームの第１の部分は、前記エッジ領域に接続され、前記第１の部分の厚さは、０．３ｍｍ～３ｍｍの範囲内にあり、前記第１の部分の厚さは、振動膜の振動方向において、支持フレームとエッジ領域との接続領域と、支持フレームの磁気回路アセンブリに直接貼り合わされた領域との間の最小距離である。
いくつかの実施例では、前記本体領域は、第１の傾斜部と、前記コイルに接続された第１の接続部とを含み、前記第１の傾斜部は、前記エッジ領域の一部の領域に貼り合わされ、かつ前記第１の傾斜部は、前記第１の接続部に対して前記コイルから離れる方向に傾斜する。
いくつかの実施例では、前記エッジ領域は、第２の傾斜部を含み、前記第２の傾斜部は、少なくとも一部が前記第１の傾斜部に貼り合わされる。
いくつかの実施例では、前記第２の傾斜部は、前記第１の傾斜部の前記コイルから離れる側に位置する。
いくつかの実施例では、前記エッジ領域は、弧状部を含み、前記弧状部の高さと前記弧状部のスパンとの比は、０．３５～０．４の範囲内にある。
いくつかの実施例では、前記第１の接続部に対する前記第１の傾斜部の傾斜角度は、５°～３０°の範囲内にあり、前記第１の接続部は、振動膜の振動方向に垂直である。
いくつかの実施例では、前記本体領域は、前記第１の接続部の第１の傾斜部から離れる一端に位置するドームを含み、前記ドームのスパンは、２ｍｍ～８ｍｍの範囲内にあり、前記ドームの高さは、０．７ｍｍ～１．２ｍｍの範囲内にある。
いくつかの実施例では、前記ドームの高さとスパンとの比は、０．１～０．３の範囲内にある。
いくつかの実施例では、高周波分割振動が現れる周波数は、２０ｋＨｚ以上である。
いくつかの実施例では、前記磁気回路アセンブリは、収容部材を含み、０．１Ｖ～０．７Ｖの入力電圧及び２０Ｈｚ～６．１ｋＨｚの周波数範囲内で、前記コイルの底部から収容部材の底部までの距離は、０．８ｍｍ～０．９ｍｍの範囲内にある。
いくつかの実施例では、前記音響発生部は、前記磁気回路アセンブリを取り囲んで設置された支持フレームをさらに含み、前記支持フレームの第１の部分は、前記エッジ領域の第２の接続部に接続される。
いくつかの実施例では、前記エッジ領域の前記第２の接続部は、固定リングにより前記支持フレームの前記第１の部分に接続される。
いくつかの実施例では、前記音響発生部は、減圧孔が設置されたハウジングをさらに含み、前記減圧孔と前記振動膜の背面との間にバックキャビティが形成され、前記バックキャビティの共振周波数は、３．３ｋＨｚ以上である。
いくつかの実施例では、前記バックキャビティの体積は、６０ｍｍ３～１１０ｍｍ３の範囲内にある。
いくつかの実施例では、前記音響発生部は、減圧孔が設置されたハウジングをさらに含み、前記支持フレームに複数の通気孔が形成され、前記振動膜の背面の音声は、前記複数の通気孔を介して前記減圧孔に伝達され、前記複数の通気孔は、少なくとも第１の通気孔と第２の通気孔を含み、前記第１の通気孔の中心から減圧孔の中心までの距離は、前記第２の通気孔の中心から減圧孔の中心までの距離よりも大きく、かつ前記第１の通気孔の面積は、前記第２の通気孔の面積よりも大きい。
いくつかの実施例では、前記音響発生部は、減圧孔が設置されたハウジングをさらに含み、前記支持フレームに複数の通気孔が形成され、前記振動膜の背面の音声は、前記複数の通気孔を介して減圧孔に伝達され、振動膜の振動方向において、前記複数の通気孔の総面積と振動膜の投影面積との比は、０．００８～０．３の範囲内にある。
いくつかの実施例では、振動膜の振動方向において、前記振動膜の投影面積は、９０ｍｍ２～５６０ｍｍ２の範囲内にあり、前記複数の通気孔の総面積は、４．５４ｍｍ２～１２．９６ｍｍ２の範囲内にある。
いくつかの実施例では、前記音響発生部は、ハウジングをさらに含み、振動膜の振動方向において、前記振動膜の投影面積とハウジングの投影面積との比は、０．５以上である。
いくつかの実施例では、振動膜の振動方向において、前記振動膜の投影面積とハウジングの投影面積との比は、０．８～０．９５の範囲内にある。
いくつかの実施例では、前記振動膜は、長軸寸法が１３ｍｍ～２５ｍｍの範囲内にあり、短軸寸法が４ｍｍ～１３ｍｍの範囲内にある。
いくつかの実施例では、前記磁気回路アセンブリの収容部材の底壁又は前記支持フレームに貼り合わされた側壁には、複数の通気孔が形成される。
いくつかの実施例では、前記ドームは、炭素繊維を交錯させて織成され、少なくとも一部の炭素繊維は、４５°～９０°の範囲内にある第１の角度で交錯する。
いくつかの実施例では、振動膜の振動方向において、前記ドームの厚さは、８０μｍ未満である。
いくつかの実施例では、前記コイルから前記第１の傾斜部までの最小距離は、０．３ｍｍ以上である。
いくつかの実施例では、前記磁気回路アセンブリは、透磁板及び磁石を含み、前記透磁板は、磁石と振動膜との間に位置し、かつ磁石の表面に貼り付けられ、振動膜の振動方向において、コイルの中心と透磁板の中心との間の距離は、０．３ｍｍ未満である。
いくつかの実施例では、振動膜の振動方向において、前記ドームの最低点から前記透磁板の上表面までの距離は、０．８ｍｍよりも大きい。
いくつかの実施例では、前記磁気回路アセンブリは、収容部材を含み、振動膜の振動方向において、前記コイルの底部と前記収容部材の底壁との間の距離は、０．２ｍｍ～４ｍｍの範囲内にある。
いくつかの実施例では、前記コイルと前記収容部材の側壁との間の距離は、０．１ｍｍ～０．５ｍｍの範囲内にある。
例示的な実施例によって本明細書をさらに説明し、これらの例示的な実施例を、図面を参照して詳細に説明する。これらの実施例は、限定的なものではなく、これらの実施例では、同じ符号は同じ構造を示す。
本願のいくつかの実施例に係る例示的な耳の概略図である。 本明細書のいくつかの実施例に係る開放型イヤホンの例示的な概略装着図である。 本明細書のいくつかの実施例に係る開放型イヤホンの例示的な概略装着図である。 本明細書のいくつかの実施例に係る別の開放型イヤホンの例示的な装着図である。 本明細書のいくつかの実施例に係る、二重音源のうちの１つの音源の周囲にキャビティ構造が設置される場合の例示的な概略分布図である。 本明細書のいくつかの実施例に係る音響発生部の例示的な内部構造の概略図である。 本明細書のいくつかの実施例に係るトランスジューサの例示的な外観図である。 本明細書のいくつかの実施例に係るトランスジューサの例示的な分解図である。 本明細書のいくつかの実施例に係る音響発生部の例示的な内部構造図である。 本明細書のいくつかの実施例に係る振動膜の例示的な構造図である。 本明細書のいくつかの実施例に係る音響発生部の例示的な高周波数帯域幅の概略図である。 本明細書のいくつかの実施例に係る例示的な炭素繊維の織り構造の概略図である。 本明細書のいくつかの実施例に係る異なる駆動電圧での音響発生部の振幅の概略図である。 本明細書のいくつかの実施例に係るバックキャビティの例示的な構造図である。 本明細書のいくつかの実施例に係る、第１の部分の異なる厚さに対応するバックキャビティの周波数応答曲線図である。 本明細書のいくつかの実施例に係る、異なる駆動電圧での音響発生部の周波数応答曲線図である。 本明細書のいくつかの実施例に係る、支持フレームと、第１の減圧孔と、第２の減圧孔との例示的な概略位置図である。 本明細書のいくつかの実施例に係る、通気孔の異なる総面積に対応するバックキャビティの周波数応答曲線である。
本明細書の実施例の技術手段をより明確に説明するために、以下、実施例の説明に必要な図面を簡単に説明する。明らかに、以下に説明される図面は、本明細書の例又は実施例の一部に過ぎず、当業者であれば、創造的な労力を要することなく、これらの図面に基づいて本明細書を他の類似するシナリオに適用することができる。言語環境から明らかではないか又は別に説明しない限り、図中の同じ符号は、同じ構造又は操作を表す。
本明細書で使用される「システム」、「装置」、「ユニット」、及び／又は「モジュール」が、レベルの異なる様々なアセンブリ、素子、部材、部分又は組立体を区別する方法であることを理解されたい。しかしながら、他の用語が同じ目的を達成することができれば、上記用語の代わりに他の表現を用いることができる。
本明細書及び特許請求の範囲で使用されるように、文脈が明確に別段の指示をしない限り、「１つ」、「１個」、「１種」及び／又は「該」などの用語は、特に単数形を指すものではなく、複数形を含んでもよい。一般的には、用語「含む」及び「含有」は、明確に特定されたステップ及び要素を含むことを提示するものに過ぎず、これらのステップ及び要素は、排他的な羅列ではなく、方法又は機器は、他のステップ又は要素を含む可能性がある。
なお、本明細書の説明では、用語「第１」、「第２」、「第３」、「第４」などは、説明のためのものに過ぎず、相対的な重要性を示したり示唆したりするか、又は示された技術的特徴の数量を黙示的に示すと理解すべきではない。そのため、「第１」、「第２」、「第３」、「第４」で限定される特徴は、少なくとも１つの該特徴を含むことを明示的又は黙示的に示すことができる。本明細書の説明において、別に明確かつ具体的な限定がない限り、「複数」は、少なくとも２つを意味し、例えば２つ、３つなどである。
本明細書において、別に明確な規定及び限定がない限り、用語「接続」、「固定」などは、広義に理解されるべきである。例えば、別に明確な限定がない限り、用語「接続」は、固定接続、取り外し可能な接続、又は一体的な接続であってもよく、機械的な接続、又は電気的な接続であってもよく、直接的な接続であってもよく、中間媒体を介した間接的な接続であってもよく、２つの素子の内部の連通又は２つの素子の相互作用関係であってもよい。当業者であれば、具体的な状況に応じて本明細書における上記用語の具体的な意味を理解することができる。
本明細書では、フローチャートを使用して本明細書の実施例に係るシステムが実行する操作を説明する。先行及び後続の操作が必ずしも順序に従って正確に実行されるとは限らないことを理解されたい。その代わりに、各ステップを逆の順序で、又は同時に処理してもよい。また、他の操作をこれらのプロセスに追加してもよく、これらのプロセスから１つ以上の操作を除去してもよい。
図１は、本願のいくつかの実施例に係る例示的な耳の概略図である。図１に示すように、耳１００は、外耳道１０１、耳甲介腔１０２、耳甲介舟１０３、三角窩１０４、対耳輪１０５、舟状窩１０６、耳輪１０７、耳たぶ１０８及び耳輪脚１０９を含んでもよい。いくつかの実施例では、耳１００の１つ以上の部位により音響装置の装着及び安定性を実現することができる。いくつかの実施例では、外耳道１０１、耳甲介腔１０２、耳甲介舟１０３、及び三角窩１０４などの部位は、三次元空間において一定の深さ及び容積を有し、音響装置の装着ニーズを実現することができる。例えば、音響装置（例えば、インナーイヤ式イヤホン）は、外耳道１０１に装着されてもよい。いくつかの実施例では、耳１００における外耳道１０１以外の他の部位により、音響装置の装着を実現することができる。例えば、耳甲介舟１０３、三角窩１０４、対耳輪１０５、舟状窩１０６、及び耳輪１０７などの部位又はそれらの組み合わせにより音響装置の装着を実現することができる。いくつかの実施例では、音響装置の装着快適さ及び信頼性を向上させるために、ユーザーの耳たぶ１０８などの部位をさらに利用してもよい。耳１００における外耳道１０１以外の他の部位により、音響装置の装着及び音声の伝播を実現し、ユーザーの外耳道１０１を「解放」し、ユーザーの耳の健康に対する音響装置の影響を低減することができる。ユーザーが道路で音響装置を装着している場合、音響装置は、ユーザーの外耳道１０１を塞がず、ユーザーは、音響装置からの音声を聞き取るとともに、環境からの音声（例えば、クラクション音、自転車のベル音、周りの人の声、交通整理の声など）を聞き取ることができ、それにより交通事故の発生確率を低減することができる。例えば、ユーザーが音響装置を装着している場合、音響装置の全体又は一部の構造は、耳輪脚１０９の前側（例えば、図１における破線で囲まれた領域Ｊ）に位置してもよい。また、例えば、ユーザーが音響装置を装着している場合、音響装置の全体又は一部の構造は、外耳道１０１の上部（例えば、耳輪脚１０９、耳甲介舟１０３、三角窩１０４、対耳輪１０５、舟状窩１０６、及び耳輪１０７などの１つ以上の部位の位置）に接触してもよい。さらに、例えば、ユーザーが音響装置を装着している場合、音響装置の全体又は一部の構造は、耳の１つ以上の部位（例えば、耳甲介腔１０２、耳甲介舟１０３、及び三角窩１０４など）内（例えば、図１における破線で囲まれた領域Ｍ１及びＭ２）に位置してもよい。
さらに、異なるユーザーには、個人差が存在する可能性があるため、耳には異なる形状、大きさなどの寸法差が存在する。説明及び理解を容易にするために、特に指定しない限り、本明細書では、主に「標準」の形状及び寸法を有する耳モデルを基準として、異なる実施例における音響装置の該耳モデルへの装着方式をさらに説明する。例えば、ＡＮＳＩ：Ｓ３．３６、Ｓ３．２５及びＩＥＣ：６０３１８－７規格に基づいて製造された頭部及びその（左、右）耳を含むシミュレータ、例えばＧＲＡＳ ＫＥＭＡＲ、ＨＥＡＤ Ａｃｏｕｓｔｉｃｓ、Ｂ＆Ｋ ４１２８シリーズ又はＢ＆Ｋ ５１２８シリーズを、音響装置を装着する参照物として使用することができ、これにより、ほとんどのユーザーが音響装置を正常に装着するシーンを示す。ＧＲＡＳ ＫＥＭＡＲを例として、耳のシミュレータは、ＧＲＡＳ ４５ＡＣ、ＧＲＡＳ ４５ＢＣ、ＧＲＡＳ ４５ＣＣ又はＧＲＡＳ ４３ＡＧなどのうちのいずれであってもよい。ＨＥＡＤ Ａｃｏｕｓｔｉｃｓを例として、耳のシミュレータは、ＨＭＳ ＩＩ．３、ＨＭＳ ＩＩ．３ ＬＮ、ＨＭＳ ＩＩ．３ＬＮ ＨＥＣなどのうちのいずれであってもよい。なお、本明細書の実施例では、測定されたデータ範囲は、ＧＲＡＳ ４５ＢＣ ＫＥＭＡＲに基づいて測定されたものであるが、異なる頭部モデルと耳モデルとの間に差異が存在する可能性があり、他のモデルでは、関連データ範囲に±１０％の変動が存在する可能性があることを理解されたい。単なる例として、基準となる耳は、耳介の矢状面への投影の垂直軸方向の寸法が４９．５ｍｍ～７４．３ｍｍの範囲内であってもよく、耳介の矢状面への投影の矢状軸方向の寸法が３６．６ｍｍ～５５ｍｍであってもよいという特徴を有してもよい。耳介の矢状面への投影とは、耳介の縁部の矢状面への投影であり。耳介の縁部は、少なくとも、耳輪の外輪郭、耳たぶの輪郭、耳珠の輪郭、珠間切痕、対珠尖、対珠耳輪切痕などからなる。したがって、本願における「ユーザーが装着する」、「装着状態にある」及び「装着状態において」という説明は、本願に記載の音響装置が前述のシミュレータの耳に装着されることを指してもよい。当然のことながら、異なるユーザーに個人差が存在することを考慮すると、耳１００における１つ以上の部位の構造、形状、大きさ、厚さなどは、異なる形状及び寸法の耳に応じて差別化設計を行うことができ、これらの差別化設計は、音響装置における１つ以上の部位（例えば、以下の音響発生部、耳掛けなど）の特徴パラメータが異なる範囲の数値を有することで、異なる耳に適応するように表現することができる。
なお、医学、解剖学などの分野において、人体の矢状面（Ｓａｇｉｔｔａｌ Ｐｌａｎｅ）、冠状面（Ｃｏｒｏｎａｌ Ｐｌａｎｅ）及び水平面（Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ Ｐｌａｎｅ）の３つの基本的な切断面と、矢状軸（Ｓａｇｉｔｔａｌ Ａｘｉｓ）、冠状軸（Ｃｏｒｏｎａｌ Ａｘｉｓ）及び垂直軸（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｘｉｓ）の３つの基本的な軸を定義することができる。矢状面は、身体の前後方向に沿って切った地面に垂直な切断面であり、人体を左右の２つの部分に分け、冠状面は、身体の左右方向に沿って切った地面に垂直な切断面であり、人体を前後の２つの部分に分け、水平面は、身体に垂直な上下方向に沿って切った地面に平行な切断面であり、人体を上下の２つの部分に分ける。それに応じて、矢状軸は、身体の前後方向に沿って冠状面に垂直な軸であり、冠状軸は、身体の左右方向に沿って矢状面に垂直な軸であり、垂直軸は、身体の上下方向に沿って水平面に垂直な軸である。さらに、本願に記載の「耳の前側」は、矢状軸方向に沿って、かつ耳の人体顔領域に向かう側に位置することを指す。人体の冠状軸が位置する方向から上記シミュレータの耳を見て、図１に示す耳の前側輪郭の概略図が得られる。
上記耳１００についての説明は、説明を目的としたものに過ぎず、本願の範囲を限定することを意図しない。当業者であれば、本願の説明に基づいて様々な変更及び修正を行うことができる。例えば、音響装置の一部の構造は、外耳道１０１の一部又は全部を遮蔽してもよい。これらの変化及び修正は、依然として本願の保護範囲内にある。
図２は、本明細書のいくつかの実施例に係る開放型イヤホンの例示的な概略装着図であり、図３は、本明細書のいくつかの実施例に係る開放型イヤホンの例示的な概略装着図であり、図４は、本明細書のいくつかの実施例に係る別の開放型イヤホンの例示的な装着図である。いくつかの実施例では、開放型イヤホン１０は、空気伝導イヤホン及び骨伝導イヤホンなどを含んでもよいが、それらに限定されない。いくつかの実施例では、開放型イヤホン１０は、メガネ、ヘッドホン、ヘッドマウントディスプレイ、ＡＲ／ＶＲヘルメットなどの製品と組み合わせられてもよい。図２～図４に示すように、開放型イヤホン１０は、音響発生部１１及び耳掛け１２を含んでもよい。いくつかの実施例では、開放型イヤホン１０は、耳掛け１２により音響発生部１１をユーザーの身体（例えば、人体の頭部、頸部又は上部胴体）に装着してもよい。
いくつかの実施例では、開放型イヤホン１０が装着状態にあるとき、耳掛け１２の第１の部分は、ユーザーの耳介と頭部との間に掛けられ、第２の部分は、耳介の頭部から離れる側に延在して音響発生部１１に接続され、音響発生部１１を耳道付近の耳道を塞がない位置に固定する。いくつかの実施例では、耳掛け１２は、ユーザーの上耳介に吊り下げられるように、ユーザーの耳介に適合する弧状構造であってもよい。いくつかの実施例では、耳掛け１２は、ユーザーの耳介に挟持されるように、ユーザーの耳介に適合する挟持構造であってもよい。いくつかの実施例では、耳掛け１２は、開放型イヤホン１０をユーザーの身体によりよく固定し、ユーザーの使用中に落下することを防止できるように、フック構造、弾性バンドなどを含んでもよいが、それらに限定されない。
いくつかの実施例では、音響発生部１１は、ユーザーの身体に装着されてもよく、音響発生部１１内には、音声を発生してユーザーの耳１００に入力するためのトランスジューサ（例えば、トランスジューサ１１２）が設けられてもよい。いくつかの実施例では、開放型イヤホン１０は、メガネ、ヘッドホン、ヘッドマウントディスプレイ、ＡＲ／ＶＲヘルメットなどの製品と組み合わせられてもよく、この場合に、音響発生部１１は、吊り下げ又は挟持の方式でユーザーの耳１００の付近に装着されてもよい。いくつかの実施例では、音響発生部１１は、ユーザーの耳１００に直接掛けることができるように、円環形、楕円形、（規則的又は不規則的な）多角形、Ｕ字形、Ｖ字形、半円形などであってもよい。
図１及び図２に示すように、いくつかの実施例では、ユーザーが開放型イヤホン１０を装着するとき、音響発生部１１の少なくとも一部は、図１に示したユーザーの耳１００の耳珠前側の領域Ｊ又は耳介内の領域Ｍ１及びＭ２に位置してもよい。以下に、音響発生部１１の異なる装着位置（図２に示した１１Ａ、１１Ｂ及び１１Ｃ）について例示的に説明する。なお、本明細書の実施例で言及された耳介の前外側表面は、耳介の冠状軸方向に沿って頭部から離れる側であり、それに対応して、耳介の後内側表面は、耳介の冠状軸方向に沿って人の頭部に向かう側である。いくつかの実施例では、音響発生部１１が１１Ａに位置することは、音響発生部１１がユーザーの耳１００の矢状軸方向に沿って人体の顔領域に向かう側に位置することであり、すなわち、音響発生部１１が耳１００の前側の領域Ｊに位置することである。
さらに、音響発生部１１のハウジング内部にトランスジューサ（例えば、トランスジューサ１１２）が設けられ、音響発生部１１のハウジング（例えば、ハウジング１１１）に少なくとも１つの放音孔（例えば、放音孔１１１ａ、図２では示されない）が設置されてもよく、放音孔は、音響発生部のハウジングのユーザーの外耳道１０１に向かうか又は近接する側壁に位置してもよく、トランスジューサは、放音孔を介してユーザーの外耳道１０１に音声を出力してもよい。トランスジューサは、電気信号を受信し、音声信号に変換して出力することができる素子である。いくつかの実施例では、周波数に応じて区別すると、トランスジューサ１１２のタイプは、低周波（例えば、３０Ｈｚ～１５０Ｈｚ）スピーカー、中低周波（例えば、１５０Ｈｚ～５００Ｈｚ）スピーカー、中高周波（例えば、５００Ｈｚ～５ｋＨｚ）スピーカー、高周波（例えば、５ｋＨｚ～１６ｋＨｚ）スピーカー、又はワイドバンド（例えば、３０Ｈｚ～１６ｋＨｚ）スピーカー、又はそれらの任意の組み合わせを含んでもよい。ここでの低周波、高周波などは、周波数のほぼ範囲のみを表し、異なる適用シナリオでは、異なる区別方式を有してもよい。例えば、クロスオーバー周波数を決定し、低周波数は、クロスオーバー周波数以下の周波数範囲を表し、高周波数は、クロスオーバー周波数以上の周波数を表す。該クロスオーバー周波数は、５００Ｈｚ、６００Ｈｚ、７００Ｈｚ、８００Ｈｚ、１０００Ｈｚなどの人の耳の可聴範囲内の任意の値であってもよい。
いくつかの実施例では、トランスジューサは、振動膜（例えば、振動膜１１２１）を含んでもよい。振動膜が振動すると、音声は、それぞれ、該振動膜の前側と後側から発する。音響発生部１１のハウジング内部のキャビティは、振動膜により少なくとも振動膜の前側に位置するフロントキャビティ（例えば、フロントキャビティ１１４）と振動膜の後側に位置するバックキャビティ（例えば、バックキャビティ１１６）とに仕切られ、放音孔は、フロントキャビティに音響的に結合され、振動膜は、振動してフロントキャビティの空気を振動させて空気伝導音声を発生させ、フロントキャビティに発生した空気伝導音声が放音孔を介して外部に伝播される。いくつかの実施例では、音響発生部１１のハウジングには、１つ以上の減圧孔（例えば、第１の減圧孔１１１ｃ及び第２の減圧孔１１１ｄ）がさらに含まれてもよく、減圧孔は、ハウジングにおける放音孔が位置する側壁に隣接又は対向する側壁に位置してもよく、減圧孔は、バックキャビティに音響的に結合され、振動膜が振動するとともに、バックキャビティの空気を振動させて空気伝導音声を発生させ、バックキャビティで発生した空気伝導音声は、減圧孔を介して外部に伝達されてもよい。例示的に、いくつかの実施例では、音響発生部１１内のトランスジューサは、放音孔及び減圧孔を介して位相差を有する（例えば、位相が逆である）音声を出力することができ、放音孔は、音響発生部１１のハウジングのユーザーの外耳道１０１に向かう側壁に位置してもよく、減圧孔は、音響発生部１１のハウジングのユーザーの外耳道１０１から離れる側に位置してもよく、このとき、ハウジングは、バッフルとして機能し、放音孔と減圧孔との外耳道１０１までの音響距離の差を大きくして、外耳道１０１における音声の強度を大きくするとともに、遠距離場音漏れの音量を低減することができる。
いくつかの実施例では、音響発生部１１は、厚さ方向Ｘに垂直で互いに直交する長軸方向Ｙ及び短軸方向Ｚを有してもよい。長軸方向Ｙは、音響発生部１１の二次元投影面（例えば、音響発生部１１の外側面が位置する平面への投影、又は矢状面への投影）の形状において最も大きい延在寸法を有する方向（例えば、投影形状が長方形又は略長方形である場合、長軸方向は、長方形又は略長方形の長手方向である）と定義されてもよく、短軸方向Ｚは、音響発生部１１の矢状面への投影の形状において長軸方向Ｙに垂直な方向（例えば、投影形状が長方形又は略長方形である場合、短軸方向は、長方形又は略長方形の幅方向である）と定義されてもよい。厚さ方向Ｘは、二次元投影面に垂直な方向と定義されてもよく、例えば、冠状軸の方向と一致し、いずれも身体の左右方向を向く。いくつかの実施例では、装着状態で音響発生部１１が傾斜状態にある場合、長軸方向Ｙ及び短軸方向Ｚは、依然として矢状面に平行又は略平行であり、長軸方向Ｙは、矢状軸の方向と一定の夾角を有してもよく、すなわち、長軸方向Ｙもそれに応じて傾斜して設置され、短軸方向Ｚは、垂直軸の方向と一定の夾角を有してもよく、すなわち、短軸方向Ｚも傾斜して設置され、例えば、図２に示した音響発生部１１が１１Ｂに装着される状況及び図４に示した音響発生部１１の装着状況のようである。いくつかの実施例では、音響発生部１１の全体又は一部の構造が耳甲介腔に挿入されてもよく、つまり、音響発生部１１の矢状面への投影と耳甲介腔の矢状面への投影とは、重なる部分を有する。音響発生部１１が１１Ｂに装着される状況に関する具体的な内容について、本明細書の他の内容、例えば、図３及びその関連説明を参照することができる。いくつかの実施例では、装着状態にある音響発生部１１は、水平状態又は略水平状態にあってもよく、例えば、図２において音響発生部１１が１１Ｃに装着される状況、及び図３に示した音響発生部１１のように、長軸方向Ｙは、矢状軸の方向と一致又は略一致して、いずれも身体の前後方向に向いてもよく、短軸方向Ｚは、垂直軸の方向と一致又は略一致して、いずれも身体の上下方向に向いてもよい。なお、装着状態で、音響発生部１１が略水平状態にあることは、図２に示した音響発生部１１の長軸方向と矢状軸との夾角が特定の範囲（例えば、２０°以下）内にあることであってもよい。また、音響発生部１１の装着位置が図２に示した１１Ａ、１１Ｂ及び１１Ｃに限定されず、図１に示した領域Ｊ、領域Ｍ１又は領域Ｍ２を満たしていればよい。例えば、音響発生部１１の全体又は一部の構造は、図１における破線で囲まれた領域Ｊに位置してもよい。また、例えば、音響発生部１１の全体又は一部の構造は、外耳道１０１の耳輪脚１０９、耳甲介舟１０３、三角窩１０４、対耳輪１０５、舟状窩１０６、及び耳輪１０７などの１つ以上の部位の位置に接触してもよい。さらに、例えば、音響発生部１１の全体又は一部の構造は、耳１００の１つ以上の部位（例えば、耳甲介腔１０２、耳甲介舟１０３、及び三角窩１０４など）により形成されたキャビティ内（例えば、図１における破線で囲まれた少なくとも耳甲介舟１０３、三角窩１０４を含む領域Ｍ１と少なくとも耳甲介腔１０２を含む領域Ｍ２）に位置してもよい。
いくつかの実施例では、開放型イヤホン１０の装着状態での安定性を向上させるために、開放型イヤホン１０は、以下の方式のいずれか又はそれらの組み合わせを用いることができる。例えば、耳掛け１２の少なくとも一部は、耳の後側及び頭部の少なくとも一方に貼り合わされた倣い構造として設置されて、耳掛け１２と耳及び／又は頭部との接触面積を増加させることにより、開放型イヤホン１０が耳から脱落する抵抗を増加させる。例えば、耳掛け１２の少なくとも一部は、装着状態において一定の変形量を有するように弾性構造として設置されて、耳掛け１２の耳及び／又は頭部に対する正圧力を増加させることにより、開放型イヤホン１０が耳から脱落する抵抗を増加させる。例えば、耳掛け１２の少なくとも一部は、装着状態において頭部に当接して、耳を押圧する反力を発生させるように設置されて、音響発生部１１を耳の前側に押圧することにより、開放型イヤホン１０が耳から脱落する抵抗を増加させる。例えば、音響発生部１１及び耳掛け１２は、装着状態において耳の前後両側から対耳輪が位置する領域、耳甲介腔が位置する領域などの生理部位を挟持するように設置され、それにより開放型イヤホン１０が耳から脱落する抵抗を増加させる。さらに、例えば、音響発生部１１又はそれに接続された補助構造は、少なくとも一部が耳甲介腔、耳甲介舟、三角窩及び舟状窩などの生理部位内に挿入されるように設置され、それにより開放型イヤホン１０が耳から脱落する抵抗を増加させる。
音響発生部１１は、耳掛け１２に接続された接続端ＣＥと、耳掛け１２に接続されていない自由端ＦＥと、を有してもよい。例示的に、図４に示すように、装着状態で、音響発生部１１の自由端ＦＥは、耳甲介腔内に挿入されてもよい。好ましくは、音響発生部１１及び耳掛け１２は、耳甲介腔に対応する耳領域の前後両側から共に前述の耳領域を挟持するように設置され、それにより開放型イヤホン１０が耳から脱落する抵抗を増加させ、さらに開放型イヤホン１０の装着状態での安定性を向上させることができる。例えば、音響発生部１１の自由端ＦＥは、厚さ方向Ｘにおいて耳甲介腔内に押圧される。また、例えば、自由端ＦＥは、長軸方向Ｙ及び／又は短軸方向Ｚにおいて耳甲介腔内に当接している（例えば、耳甲介腔の自由端ＦＥに対向する内壁に当接している）。音響発生部１１の自由端ＦＥは、音響発生部１１において耳掛け１２に接続された固定端に対向して設置された端部である。音響発生部１１は、規則的又は不規則的な構造体であってもよく、ここでは、音響発生部１１の自由端ＦＥをさらに説明するために例示的に説明する。例えば、音響発生部１１が直方体構造である場合、音響発生部１１の端部壁面は、平面であり、この場合、音響発生部１１の自由端ＦＥは、音響発生部１１において耳掛け１２に接続された固定端に対向して設置された端部側壁である。また、例えば、音響発生部１１が球体、楕円体又は不規則的な構造体である場合、音響発生部１１の自由端ＦＥは、Ｙ－Ｚ平面（短軸方向Ｚ及び長軸方向Ｙによって形成された平面）に沿って音響発生部１１を切断して得られた固定端から離れた特定の領域であってもよい。なお、装着状態において、音響発生部１１の自由端ＦＥは、耳甲介腔内に挿入される以外に、正投影が対耳輪に収まってもよく、正投影が頭部の左右両側、かつ人体の矢状軸において耳の前側に位置する位置に収まってもよい。言い換えれば、耳掛け１２は、音響発生部１１を耳甲介腔、対耳輪、耳の前側などの装着位置に装着するように支持することができる。
以下に、図４に示した開放型イヤホン１０を例として、開放型イヤホン１０を詳細に説明する。なお、対応する音響原理に反しないという前提で、図４に示した開放型イヤホン１０の構造及びそれに対応するパラメータは、上述の他の構成の開放型イヤホンにも同様に適用することができる。
音響発生部１１の少なくとも一部を耳甲介腔に挿入することにより、聴音位置（特に耳道口）での聴音音量、特に中低周波数の聴音音量を向上させることができるとともに、優れた遠方場での音漏れ音量を低減するという効果を依然として維持することができる。単に例示的な説明として、音響発生部１１の全体又は一部の構造が耳甲介腔に挿入されると、音響発生部１１と耳甲介腔がキャビティに類似する構造（以下、類似キャビティと略称される）を形成し、明細書の実施例では、類似キャビティは、音響発生部１１の側壁と耳甲介腔構造とによって囲まれた半密閉構造として理解されてもよく、該半密閉構造は、内部と外部環境とを完全に密閉して遮断するのではなく、外部環境と音響的に連通する漏れ構造（例えば、開口、隙間、管路など）を有する。ユーザーが開放型イヤホン１０を装着するとき、音響発生部１１のハウジングのユーザーの耳道に近接するか又は向かう側に１つ以上の放音孔が設置されてもよく、音響発生部１１のハウジングの他の側壁（例えば、ユーザーの耳道から離れる側壁）に１つ以上の減圧孔が設置され、放音孔は、開放型イヤホン１０のフロントキャビティに音響的に結合され、減圧孔は、開放型イヤホン１０のバックキャビティに音響的に結合される。音響発生部１１が１つの放音孔及び１つの減圧孔を含むことを例として、放音孔から出力された音声と減圧孔から出力された音声とは、近似的に２つの音源と見なすことができ、該２つの音源の音波の位相が逆であり、音響発生部１１と耳甲介腔に対応する内壁とは、類似キャビティ構造を形成し、放音孔に対応する音源は、類似キャビティ構造内に位置し、減圧孔に対応する音源は、類似キャビティ構造外に位置し、図５に示した音響モデルを形成する。
図５は、本明細書のいくつかの実施例に係る、二重音源のうちの１つの音源の周囲にキャビティ構造が設置される場合の例示的な概略分布図である。図５に示すように、類似キャビティ構造５０２は、聴音位置及び少なくとも１つの音源５０１Ａを含んでもよい。ここでの「含む」は、聴音位置及び音源５０１Ａの少なくとも一方が類似キャビティ構造５０２の内部にあることを示してもよく、聴音位置及び音源５０１Ａの少なくとも一方が類似キャビティ構造５０２の内部の縁部に位置することを示してもよい。聴音位置は、耳の耳道入口と等価であってもよく、耳の音響基準点、例えば、耳基準点（ｅａｒ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｐｏｉｎｔ、ＥＲＰ）、鼓膜基準点（ｅａｒ－ｄｒｕｍ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｐｏｉｎｔ、ＤＲＰ）などであってもよく、聴音者にガイドする入口構造などであってもよい。音源５０１Ａが類似キャビティ構造５０２に包まれているため、放射された音声の大部分は、直射又は反射の方式によって聴音位置に到達する。これに対して、類似キャビティ構造５０２がない場合、音源５０１Ａから放射された音声の大部分は、聴音位置に到達しない。したがって、キャビティ構造を設置することにより、聴音位置に到達する音声音量を顕著に上げることができる。同時に、類似キャビティ構造５０２の外部の逆位相音源５０１Ｂから放射された逆位相の音声のごく一部のみが類似キャビティ構造５０２の漏れ構造５０３を介して類似キャビティ構造５０２に入る。これは、漏れ構造５０３において２次音源５０１Ｂ’が生成されることに相当し、２次音源５０１Ｂ’の強度が音源５０１Ｂよりも著しく低く、また、音源５０１Ａよりも著しく低い。２次音源５０１Ｂ’により発生した音声は、キャビティ内で音源５０１Ａから発生した音を相殺する効果が弱く、それにより聴音位置の聴音音量を大幅に増加させ得る。音漏れに対して、音源５０１Ａがキャビティの漏れ構造５０３を介して音声を外部に放射することは、漏れ構造５０３において２次音源５０１Ａ’が生成されたことに相当し、音源５０１Ａから放射されたほぼ全ての音声がいずれも漏れ構造５０３から出力され、かつ類似キャビティ構造５０２の構造スケールが音漏れを評価する空間スケールよりも遥かに小さい（少なくとも１桁違う）ため、２次音源５０１Ａ’の強度が音源５０１Ａに相当すると考えられる。外部空間に対して、２次音源５０１Ａ’と音源５０１Ｂにより二重音源が形成されて相殺して音漏れを低減する。
具体的な適用シナリオにおいて、音響発生部１１のハウジングの外壁面は、通常、平面又は曲面であり、ユーザーの耳甲介腔１０２の輪郭は、凹凸構造であり、音響発生部１１の一部又は全体の構造を耳甲介腔に挿入することで、音響発生部１１と耳甲介腔の輪郭との間で外部と連通する類似キャビティ構造を形成し、さらに、音響発生部１１のハウジングのユーザーの耳道口に向かって耳甲介腔１０２の縁部に近接する位置に放音孔を設置し、かつ音響発生部１１の耳道口から離れる位置に減圧孔を設置することにより、図５に示した音響モデルを構成することができ、それによりユーザーが開放型イヤホン１０を装着するときにユーザーの耳口における聴音音量を上げ、遠距離場の音漏れを低減することができる。
図６は、本明細書のいくつかの実施例に係る音響発生部の例示的な内部構造の概略図である。図６に示すように、いくつかの実施例では、音響発生部１１は、トランスジューサ１１２と、トランスジューサ１１２を収容するハウジング１１１とを含んでもよく、トランスジューサ１１２は、振動膜１１２１を含んでもよい。振動膜１１２１とハウジング１１１との間には、振動膜１１２１の前側に位置するフロントキャビティ１１４と振動膜１１２１の後側に位置するバックキャビティ１１６とが形成されてもよい。ハウジング１１１には、フロントキャビティ１１４に音響的に結合された放音孔１１１ａと、バックキャビティ１１６に音響的に結合された減圧孔（例えば、第１の減圧孔１１１ｃ、及び図６において示されない第２の減圧孔１１１ｄ）が設けられてもよい。ハウジング１１１内には、接続フレーム１１５が設置されてもよい。接続フレーム１１５には、第１の減圧孔１１１ｃ及びバックキャビティ１１６を連通させるための音響通路１１５１が設置され、バックキャビティ１１６と外部環境との連通を容易にし、すなわち、空気がバックキャビティ１１６に自由に出入りすることができ、それによりトランスジューサ１１２の振動膜の振動過程における抵抗を低減することに役立つ。
図７は、本明細書のいくつかの実施例に係るトランスジューサの例示的な外観図であり、図８は、本明細書のいくつかの実施例に係るトランスジューサの例示的な分解図である。図７及び図８に示すように、いくつかの実施例では、音響発生部１１は、振動膜１１２１、コイル１１２２、支持フレーム１１２３、端子１１２４及び磁気回路アセンブリ１１２５を含んでもよい。支持フレーム１１２３は、取付固定プラットフォームを提供し、音響発生部１１は、支持フレーム１１２３によりハウジング１１１に接続されてもよく、端子１１２４は、支持フレーム１１２３に固定されて、回路接続（例えば、リード線の接続など）に用いられてもよい。コイル１１２２は、振動膜１１２１に接続され、少なくとも一部が磁気回路アセンブリ１１２５によって形成された磁気ギャップに位置し、磁気回路アセンブリ１１２５は、通電されたコイル１１２２に作用力を発生させることにより、振動膜１１２１を駆動して機械的振動を発生させ、さらに空気などの媒体の伝播により音声を発生させる。磁気回路アセンブリ１１２５は、透磁板１１２５１、磁石１１２５２及び収容部材１１２５３を含んでもよい。透磁板１１２５１は、磁石１１２５２と振動膜１１２１との間に位置し、かつ磁石１１２５２の表面に貼り付けられる。
図９は、本明細書のいくつかの実施例に係る音響発生部の例示的な内部構造図であり、図１０は、本明細書のいくつかの実施例に係る振動膜の例示的な構造図である。音響発生部１１は、振動膜１１２１、コイル１１２２、支持フレーム１１２３及び磁気回路アセンブリ１１２５を含む。支持フレーム１１２３は、振動膜１１２１、コイル１１２２及び磁気回路アセンブリ１１２５を取り囲んで設置され、取付固定プラットフォームを提供する。音響発生部１１は、支持フレーム１１２３によりハウジング１１１に接続されてもよく、コイル１１２２は、磁気回路アセンブリ１１２５に挿入されて振動膜１１２１に接続され、磁気回路アセンブリ１１２５は、通電されたコイル１１２２に作用力を発生させることにより、振動膜１１２１を駆動して機械的振動を発生させ、さらに空気などの媒体の伝播により音声を発生させ、音声は、放音孔を介して出力される。いくつかの実施例では、磁気回路アセンブリ１１２５は、透磁板１１２５１、磁石１１２５２及び収容部材１１２５３を含み、透磁板１１２５１と磁石１１２５２とは、互いに接続され、磁石１１２５２の透磁板１１２５１から離れる側は、収容部材１１２５３の底壁に取り付けられ、磁石１１２５２の周側と収容部材１１２５３の周側の内側壁との間には、隙間がある。いくつかの実施例では、収容部材１１２５３の周側の外側壁は、支持フレーム１１２３に接続されて固定される。いくつかの実施例では、収容部材１１２５３及び透磁板１１２５１は、いずれも透磁材質（例えば、鉄など）を用いることができる。いくつかの実施例では、振動膜１１２１の周側は、固定リング１１５５により支持フレーム１１２３に接続されてもよい。いくつかの実施例では、固定リング１１５５の材質は、振動膜１１２１の加工製造プロセスに適応するように、ステンレス材質又は他の金属材質を含んでもよい。図８に示すように、磁気回路アセンブリ１１２５は、透磁板１１２５１、磁石１１２５２及び収容部材１１２５３を含んでもよい。収容部材１１２５３及び透磁板１１２５１は、いずれも透磁材質（例えば、鉄など）を用いることができる。いくつかの実施例では、収容部材１１２５３は、収容部材の底部１１２５３ａと、周側の側壁１１２５３ｂとを含む。収容空間は、収容部材の底部１１２５３ａ及び側壁１１２５３ｂによって囲まれ、透磁板１１２５１及び磁石１１２５２は、該収容空間内に収容される。透磁板１１２５１と磁石１１２５２とは、互いに接続され、磁石１１２５２の透磁板１１２５１から離れる側は、収容部材の底部１１２５３ａに取り付けられ、磁石１１２５２の周側と収容部材１１２５３の周側の側壁１１２５３ｂとの間には、隙間がある。いくつかの実施例では、コイル１１２２は、磁石１１２５２と側壁１１２５３ｂとの間の隙間に挿入されてもよい。
いくつかの実施例では、振動膜１１２１が上下に振動する過程において、少なくとも一部のコイル１１２２が磁気回路アセンブリ１１２５内の磁束密度が高い領域に位置して、磁気回路アセンブリ１１２５の磁界利用効率を向上させるために、振動膜１１２１の振動方向において、コイル１１２２の中心点Ｊと透磁板１１２５１の中心点Ｋとの間の距離ｄｄが０．３ｍｍ未満である。例えば、コイル１１２２の中心点Ｊと透磁板１１２５１の中心点Ｋとは、ほぼ同一の水平線に位置してもよく、それにより磁気回路アセンブリ１１２５がコイル１１２２に対してより大きな作用力を発生させ、振動膜１１２１の振動に動力を提供する。
図９及び図１０に示すように、いくつかの実施例では、振動膜１１２１は、本体領域１１２１１と、本体領域１１２１１を取り囲んで設置されたエッジ領域１１２１２とを含んでもよい。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１は、第１の傾斜部１１２１１ａと、コイル１１２２に接続された第１の接続部１１２１１ｂとを含む。図９に示すように、第１の接続部１１２１１ｂは、コイル１１２２を接続することに用いられ、上記第１の接続部１１２１１ｂは、短軸方向Ｚに平行に設置され、かつ振動膜の振動方向に垂直である。第１の傾斜部１１２１１ａは、エッジ領域１１２１２の一部の領域に貼り合わされる。いくつかの実施例では、第１の傾斜部１１２１１ａは、第１の接続部１１２１１ｂに対してコイル１１２２から離れる方向に傾斜する。図９及び図１０に示すように、コイル１１２２は、第１の接続部１１２１１ｂの下側に位置し、第１の傾斜部１１２１１ａは、第１の接続部１１２１１ｂに対して上向きに（すなわち、コイル１１２２から離れる方向に）傾斜する。上述した設置により、コイル１１２２が振動膜１１２１に接着されるときに接着用の接着剤がエッジ領域１１２１２に溢れて、接着剤がエッジ領域１１２１２を腐食し、振動膜１１２１の振動性能に影響を与えることを回避することができる。
いくつかの実施例では、磁気回路アセンブリ１１２５は、主に、透磁板１１２５１、磁石１１２５２及び収容部材１１２５３を含み、透磁板１１２５１と磁石１１２５２とは、互いに接続され、磁石１１２５２の透磁板１１２５１から離れる側は、収容部材１１２５３の底壁に取り付けられ、磁石１１２５２の周側と収容部材１１２５３の周側の内側壁との間には、隙間がある。コイル１１２２は、磁石１１２５２と収容部材１１２５３との間の隙間に挿入されてもよい。コイル１１２２と収容部材１１２５３の側壁との間の距離が大きすぎると、コイルが磁気回路アセンブリ１１２５の磁束密度が大きい領域に位置しなくなり、磁気回路アセンブリ１１２５から振動膜１１２１に提供された動力を弱め、距離が小さすぎると、コイル１１２２が収容部材１１２５３に衝突するリスクがある。したがって、コイル１１２２の衝突を回避し、磁界から振動膜１１２１に提供された動力を確保するために、いくつかの実施例では、上述した隙間において、コイル１１２２と磁石１１２５２の側壁との間の距離ｗｔは、０．１ｍｍ～０．２５ｍｍであってもよく、コイル１１２２と収容部材１１２５３の周側の内側壁との間の距離ｗｗは、０．１ｍｍ～０．５ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、コイル１１２２と磁石１１２５２の側壁との間の距離ｗｔは、０．１２ｍｍ～０．２４ｍｍであってもよく、コイル１１２２と収容部材１１２５３の周側の内側壁との間の距離ｗｗは、０．１５ｍｍ～０．３ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、上述した隙間において、コイル１１２２と磁石１１２５２の側壁との間の距離ｗｔは、０．１７ｍｍ～０．２１ｍｍであってもよく、コイル１１２２と収容部材１１２５３の周側の内側壁との間の距離ｗｗは、０．１９ｍｍ～０．２３ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、コイル１１２２と磁石１１２５２の側壁との間の距離ｗｔは、０．２ｍｍであってもよく、コイル１１２２と収容部材１１２５３の周側の内側壁との間の距離ｗｗは、０．２ｍｍであってもよい。コイル１１２２と収容部材１１２５３の底部１１２５３ａとの間の距離ｈ３が大きすぎると、音響発生部１１の全体の体積が大きくなり、振動膜１１２１の振動方向において、コイル１１２２と収容部材１１２５３の底部１１２５３ａとの間の距離ｈ３が小さすぎると、コイル１１２２が収容部材１１２５３に衝突するリスクがある。したがって、音響発生部１１の体積が大きすぎることを回避するとともに、コイル１１２２の衝突を回避するために、いくつかの実施例では、コイル１１２２と収容部材１１２５３の底部１１２５３ａとの間の距離ｈ３（すなわち、コイル１１２２の振動膜１１２１から離れる一端と収容部材１１２５３の底壁との間の距離）は、０．２ｍｍ～４ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、コイル１１２２と収容部材１１２５３の底壁との間の距離ｈ３は、０．６ｍｍ～３ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、コイル１１２２と収容部材１１２５３の底壁との間の距離ｈ３は、１ｍｍ～２ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、コイル１１２２と収容部材１１２５３の底壁との間の距離ｈ３は、１．４ｍｍ～１．６ｍｍであってもよい。
いくつかの実施例では、第１の接続部１１２１１ｂに対する第１の傾斜部１１２１１ａの傾斜角度βを設計することにより、コイル１１２２と磁気回路アセンブリ１１２５との相対位置を変更することができ、それにより、コイル１１２２が受ける推力をほぼ一致させ、さらに音響発生部１１の低周波歪みを調整し、低周波聴感をより豊かにする。また、第１の接続部１１２１１ｂに対する第１の傾斜部１１２１１ａの傾斜角度βを設計することにより、コイル１１２２の原因により接着剤がエッジ領域１１２１２に溢れて、エッジ領域１１２１２を腐食し、エッジ領域１１２１２の振動に影響を与えることを回避することができる。図１０に示すように、第１の接続部１１２１１ｂに対する第１の傾斜部１１２１１ａの傾斜角度βは、第１の接続部１１２１１ｂから離れる方向において、第１の傾斜部１１２１１ａと第１の接続部１１２１１ｂが位置する直線との夾角である。
いくつかの実施例では、音響発生部１１の歪み程度を低下させ、エッジ領域１１２１２を腐食してエッジ領域１１２１２の振動に影響を与えることを回避するために、第１の接続部１１２１１ｂに対する第１の傾斜部１１２１１ａの傾斜角度βは、５°～３０°の範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、音響発生部１１の歪み程度をさらに低下させるために、第１の接続部１１２１１ｂに対する第１の傾斜部１１２１１ａの傾斜角度βは、１０°～２５°の範囲内にあってもよい。例えば、第１の接続部１１２１１ｂに対する第１の傾斜部１１２１１ａの傾斜角度βは、１５°であってもよい。また、例えば、第１の接続部１１２１１ｂに対する第１の傾斜部１１２１１ａの傾斜角度βは、２２°であってもよい。
いくつかの実施例では、コイル１１２２から第１の傾斜部１１２１１ａまでの最小距離は、０．３ｍｍ以上であり、すなわち、第１の傾斜部１１２１１ａと第１の接続部１１２１１ｂとの接続点と、コイル１１２２と第１の接続部１１２１１ｂとの接続領域との間の距離は、０．３ｍｍ以上であり、それにより、エッジ領域１１２１２とコイル１１２２の取付位置との安全な距離を維持し、コイル１１２２を取り付けるための接着剤がエッジ領域１１２１２に溢れることを回避する。
いくつかの実施例では、エッジ領域１１２１２は、第２の傾斜部１１２１２ａを含み、第２の傾斜部１１２１２ａは、少なくとも一部が第１の傾斜部１１２１１ａに貼り合わされる。本体領域１１２１１とエッジ領域１１２１２とは、第１の傾斜部１１２１１ａ及び第２の傾斜部１１２１２ａにより接続される。いくつかの実施例では、貼り付けプロセスを簡略化するために、第１の傾斜部１１２１１ａと第２の傾斜部１１２１２ａとは、接着剤により接続されてもよい。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１とエッジ領域１１２１２との接続を実現するために、第２の傾斜部１１２１２ａは、第１の傾斜部１１２１１ａのコイル１１２２に近い側に設置されてもよい。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１とエッジ領域１１２１２との接続を実現するとともに、コイル１１２２を接着するときに接着剤によるエッジ領域１１２１２の腐食を低減するために、第２の傾斜部１１２１２ａは、第１の傾斜部１１２１１ａのコイル１１２２から離れる側に設置されてもよい。
低周波数における振動膜１１２１の振幅が大きいため、エッジ領域１１２１２が平面構造を用いると、その変形能力が低く、振動膜１１２１の振動時の振幅に影響を与える。したがって、振動膜１１２１に優れた変形能力を持たせるようにするために、いくつかの実施例では、エッジ領域１１２１２は、弧状部１１２１２ｃを含んでもよい。
いくつかの実施例では、弧状部１１２１２ｃの高さｈ１とスパンｗ１との比は、弧状部１１２１２ｃの変形能力に影響を与えることができる。弧状部１１２１２ｃの高さは、振動膜１１２１の振動方向において、弧状部１１２１２ｃの最高点と弧状部の最低点との間の距離である。図１０に示すように、弧状部１１２１２ｃの高さをｈ１と記す。弧状部１１２１２ｃのスパンは、弧状部１１２１２ｃにおいて２点間の最大距離である。図１０に示すように、弧状部１１２１２ｃのスパンをｗ１と記す。弧状部１１２１２ｃの高さｈ１とスパンｗ１との比が小さすぎると、弧状部１１２１２ｃの突起程度が小さすぎるため、形状が平面構造に近くなり、変形能力が低下する可能性がある。弧状部１１２１２ｃの高さｈ１とスパンｗ１との比が大きすぎると、弧状部１１２１２ｃの突起程度が大きすぎるため、振動膜１１２１が振動する際に受ける抵抗が大きく、音響発生部１１の出力に影響を与える。したがって、いくつかの実施例では、音響発生部１１に優れた出力と低い歪みを持たせるために、弧状部１１２１２ｃの高さｈ１とスパンｗ１との比は、０．３５～０．４の範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、音響発生部１１の出力をさらに向上させるために、弧状部１１２１２ｃの高さｈ１とスパンｗ１との比は、０．３６～０．３９の範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、音響発生部１１の歪みをさらに低下させるために、弧状部１１２１２ｃの高さｈ１とスパンｗ１との比は、０．３７～０．３８であってもよい。例えば、弧状部１１２１２ｃの高さｈ１とスパンｗ１との比は、０．３８であってもよい。
いくつかの実施例では、弧状部１１２１２ｃの高さｈ１は、０．５ｍｍ～０．７ｍｍの範囲内にあってもよい。例えば、弧状部１１２１２ｃの高さｈ１は、０．５５ｍｍ～０．６５ｍｍの範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、弧状部１１２１２ｃの高さｈ１は、０．６ｍｍであってもよい。誤差寸法を考慮して、いくつかの実施例では、弧状部１１２１２ｃの高さｈ１は、０．６ｍｍ±０．０５ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、エッジ領域１１２１２の弧状部１１２１２ｃのスパン（幅）ｗ１は、曲率半径ｒ１の２倍より小さくてもよい。いくつかの実施例では、エッジ領域１１２１２の弧状部１１２１２ｃの曲率半径ｒ１は、０．７ｍｍ～０．９ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、エッジ領域１１２１２の弧状部１１２１２ｃの曲率半径ｒ１は、０．７５ｍｍ～０．８８ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、エッジ領域１１２１２の弧状部１１２１２ｃの曲率半径ｒ１は、０．８ｍｍ～０．８３ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、エッジ領域１１２１２の弧状部１１２１２ｃのスパンｗ１は、１．２ｍｍ～１．７ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、エッジ領域１１２１２の弧状部１１２１２ｃのスパンｗ１は、１．３ｍｍ～１．６５ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、エッジ領域１１２１２の弧状部１１２１２ｃのスパンｗ１は、１．５ｍｍ～１．６ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、エッジ領域１１２１２の弧状部１１２１２ｃの曲率半径ｒ１は、０．８２ｍｍであってもよく、エッジ領域１１２１２の弧状部１１２１２ｃのスパンｗ１は、１．５８ｍｍであってもよい。誤差寸法を考慮して、いくつかの実施例では、エッジ領域１１２１２の弧状部１１２１２ｃの曲率半径ｒ１は、０．８２ｍｍ±０．０５ｍｍであってもよく、エッジ領域１１２１２の弧状部１１２１２ｃのスパンｗ１は、１．５８ｍｍ±０．１ｍｍであってもよい。
いくつかの実施例では、エッジ領域１１２１２は、複数の弧状部１１２１２ｃからなる波状構造を含んでもよく、任意の２つの隣接する弧状部１１２１２ｃの向きは、反対である。波状構造の設置により、振動膜１１２１の振動過程における上向きの振動と下向きの振動に対する抵抗の程度をできるだけ対称にし、音響発生部１１の歪みの程度を低下させ、音響発生部１１の低周波数出力を向上させることができる。いくつかの実施例では、複数の弧状部１１２１２ｃのうちの各弧状部１１２１２ｃの高さとスパンとの比は、上述した単一の弧状部１１２１２ｃの高さとスパンとの比と一致してもよい。いくつかの実施例では、複数の弧状部１１２１２ｃのうちの各弧状部１１２１２ｃの高さとスパンとの比は、異なってもよい。例えば、振動膜１１２１の径方向において、複数の弧状部１１２１２ｃのうちの各弧状部１１２１２ｃの高さは、振動膜１１２１の中心から縁部まで徐々に低くなってもよく、各弧状部１１２１２ｃのスパンは、同じである。
振動膜１１２１が大幅に振動するときに振動膜１１２１を拘束して、コイル１１２２が磁気回路アセンブリ１１２５に衝突することを回避するために、いくつかの実施例では、本体領域１１２１１は、第１の接続部１１２１１ｂの第１の傾斜部１１２１１ａから離れる一端に位置するアーチ状のドーム１１２１１ｃを含んでもよく、アーチ状のドーム１１２１１ｃと弧状部１１２１２ｃとは、アーチ方向が同じであり、すなわち、アーチ状のドーム１１２１１ｃがコイル１１２２から離れる側に向かって突起する。アーチ状のドーム１１２１１ｃは、振動膜１１２１が大幅に振動するときに揺れることを回避し、コイル１１２２と磁気回路アセンブリ１１２５とが衝突しないことを確保することができる。同時に、アーチ状のドーム１１２１１ｃも高い強度と剛性を有し、本体領域１１２１１の分割振動をある程度抑制することで、トランスジューサ１１２の高周波振動特性を向上させる。フロントカバーがない場合、ドームのアスペクト比（すなわち、高さとスパンとの比）が増加し、高周波数帯域幅が増加するが、ドームのアスペクト比が高すぎると、不均一度が増加し、全体の寸法が増加する。
いくつかの実施例では、ドーム１１２１１ｃの高さｈ２とドーム１１２１１ｃのアーチ延在方向における寸法（すなわち、スパン寸法ｗ２）に関連する。ドーム１１２１１ｃの高さは、振動膜１１２１の振動方向において、ドーム１１２１１ｃの最高点とドーム１１２１１ｃの最低点（すなわち、第１の接続部１１２１１ｂと接続された端点）との間の距離である。図１０に示すように、ドーム１１２１１ｃの高さは、ｈ２である。ドーム１１２１１ｃのスパンは、ドーム１１２１１ｃにおいて２点間の最大距離である。図１０に示すように、ドーム１１２１１ｃのスパンは、ｗ２である。ドーム１１２１１ｃのスパン寸法ｗ２が大きくなるほど、ドーム１１２１１ｃのアーチ構造を維持するために（例えば、ドーム１１２１１ｃに対応する弧度を予め設定された弧度範囲内に維持するために）、ドーム１１２１１ｃの高さｈ２も大きくなり、トランスジューサ１１２の全体の厚さ寸法が大きくなりすぎる可能性がある。トランスジューサ１１２の全体的な厚さ及び構造設計を総合的に考慮すると、いくつかの実施例では、振動膜１１２１の本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃに対応する予め設定された弧度範囲は、０．５２６３ｒａｄ～３．１４１６ｒａｄであってもよい。いくつかの実施例では、振動膜１１２１の本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃに対応する予め設定された弧度範囲は、０．７８６９ｒａｄ～３．１４１６ｒａｄであってもよい。いくつかの実施例では、振動膜１１２１の本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃに対応する予め設定された弧度範囲は、１．０５２６ｒａｄ～３．１４１６ｒａｄであってもよい。いくつかの実施例では、振動膜１１２１の本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃに対応する予め設定された弧度範囲は、１．５７８９ｒａｄ～３．１４１６ｒａｄであってもよい。いくつかの実施例では、振動膜１１２１の本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃに対応する予め設定された弧度範囲は、２．１０５３ｒａｄ～３．１４１６ｒａｄであってもよい。いくつかの実施例では、振動膜１１２１の本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃに対応する予め設定された弧度範囲は、２．６３１６ｒａｄ～３．１４１６ｒａｄであってもよい。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃの幅寸法ｗ２は、２ｍｍ～８ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃの幅寸法ｗ２は、３ｍｍ～７ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃの幅寸法ｗ２は、４ｍｍ～６ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃの幅寸法ｗ２は、４．８ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃの高さｈ２（すなわち、振動膜の振動方向において、ドーム１１２１１ｃの最高点と最低点との間の距離）の範囲は、０．７ｍｍ～１．２ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃの高さｈ２は、０．９ｍｍ～１．１ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃの高さｈ２は、１ｍｍ～１．０５ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃの高さｈ２は、０．８ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、加工誤差が存在するため、本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃの高さｈ２は、０．８ｍｍ±０．０８ｍｍであってもよい。
いくつかの実施例では、ドーム１１２１１ｃの高さｈ２とスパンｗ２との比は、音響発生部１１の全体寸法及び振動膜１１２１の振動に影響を与える可能性がある。ドーム１１２１１ｃの高さｈ２とスパンｗ２との比が小さすぎると、ドーム１１２１１ｃの突起程度が小さすぎるため、ドーム１１２１１ｃの形状が平面構造に近くなり、ドーム１１２１１ｃの強度及び剛性が低く、ドーム１１２１１ｃに分割振動が現れやすく、高周波領域に多くのピーク及びボトムが現れ、トランスジューサ１１２の高周波振動特性に影響を与える。ドーム１１２１１ｃの高さｈ２とスパンｗ２との比が大きすぎると、ドーム１１２１１ｃの突起程度が大きすぎるため、トランスジューサ１１２の全体の厚さ寸法が大きすぎる可能性があり、不均一度及び全体の寸法も増加する。したがって、音響発生部１１の全体が適切な厚さ寸法を有し、音響発生部１１の高周波振動特性を向上させるために、ドーム１１２１１ｃの高さｈ２とスパンｗ２との比は、０．１～０．６の範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、トランスジューサ１１２の高周波振動特性をさらに向上させるために、ドーム１１２１１ｃの高さｈ２とスパンｗ２との比は、０．１～０．４の範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、トランスジューサ１１２の高周波振動特性をさらに向上させるために、ドーム１１２１１ｃの高さｈ２とスパンｗ２との比は、０．１～０．３の範囲内にあってもよい。
いくつかの実施例では、構造強度、プロセスの実現難しさ及び音響発生部１１の全体の厚さの制限を総合的に考慮するとともに、振動膜１１２１の最大振幅を満たして、振動膜１１２１が振動中に透磁板１１２５１に衝突しないようにするために、振動膜の振動方向において、振動膜１１２１の本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃの最低点から磁気回路アセンブリ１１２５における透磁板１１２５１の頂部までの距離（図９に示した距離ｈｄ）は、０．８ｍｍよりも大きくてもよい。いくつかの実施例では、振動膜１１２１の本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃの最低点から磁気回路アセンブリ１１２５における透磁板１１２５１の頂部までの距離ｈｄは、０．８５ｍｍ～０．９５ｍｍであってもよく、すなわち、０．９ｍｍ±０．０５ｍｍであってもよい。０．９ｍｍは、構造寸法であり、０．０５ｍｍは、誤差範囲寸法である。いくつかの実施例では、振動膜１１２１の本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃの最低点から磁気回路アセンブリ１１２５における透磁板１１２５１の頂部までの距離ｈｄは、０．８６ｍｍ～０．９３ｍｍであってもよい。いくつかの実施例では、振動膜１１２１の本体領域１１２１１のドーム１１２１１ｃの最低点から磁気回路アセンブリ１１２５における透磁板１１２５１の頂部までの距離ｈｄは、０．８８ｍｍ～０．９２ｍｍであってもよい。
図１１Ａは、本明細書のいくつかの実施例に係る音響発生部の例示的な高周波数帯域幅の概略図である。図１１Ａに示すように、音響発生部１１の周波数応答曲線において、低周波領域に１番目の変曲点ｆ０があり、ｆ０は、約３００Ｈｚ付近にある。ｆ０は、振動膜１１２１のエッジ領域１１２１２の硬軟度及び振動重量（主に本体領域１１２１１の重量）に関連する。２番目の変曲点ｆｈは、２５ｋＨｚ付近にあり、ｆｈは、周波数応答曲線の全体的な傾向に基づいて決定されてもよい。ｆｈ＝２５ｋＨｚ以降では、曲線に局所的に小さなピークがあるが、全体的に低下傾向となる。ｆ０とｆｈとの間（すなわち、３００Ｈｚ～２５ｋＨｚの間）の周波数帯域のピーク値を選択して平均値を取り、第１の基準線Ｌｍを形成し、すなわち、図１１Ａにおける上方の直線であり、この基準直線から１０ｄＢ下げ、第２の直線Ｌｎ（図１１Ａにおける下方の直線）を形成し、すなわち、選択された帯域幅は１００Ｈｚ～４５ｋＨｚである。
いくつかの実施例では、振動膜１１２１の高周波分割振動の周波数は、Ｅ／ρに比例する。Ｅは、振動膜１１２１のヤング率であり、ρは、振動膜１１２１の等価密度である。したがって、Ｅ／ρにより高周波帯域幅を決定することができる。Ｅが一定である場合、振動膜１１２１の質量が小さいほど、振動膜１１２１の等価密度ρが小さくなり、Ｅ／ρが大きくなり、高周波数帯域幅が広くなる。ρが一定である場合、振動膜１１２１のヤング率Ｅが大きいほど、Ｅ／ρが大きくなり、振動膜１１２１の高周波分割振動の周波数が大きくなり、高周波数帯域幅が広くなる。
いくつかの実施例では、音響発生部１１の高周波分割振動領域は、周波数応答曲線が最も高いピークに達した後、周波数応答が急激に低下してピーク値とボトム値が交互に現れる領域である。図１１Ａに示すように、周波数応答曲線が最も高いピーク（すなわち、ｆｈに対応する音圧レベル）に達した後、周波数応答が急激に低下してピーク値とボトム値が交互に現れる、ｆｈの右側の領域は、高周波分割振動領域である。対応する曲線が最も高いピークに達する周波数は、高周波分割振動が現れる周波数（図１１Ａに示すｆｈ）である。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１内の異なる部分の振動が大きく異なり、高周波効果が低いことを回避するために、本体領域１１２１１（ドーム１１２１１ｃ）の高周波分割振動の周波数を設計して、振動膜１１２１が広い高周波数帯域幅を有するとともに、帯域幅領域内の高周波分割振動の現れ回数を低減することができる。いくつかの実施例では、ドーム１１２１１ｃの高周波分割振動の周波数は、２０ｋＨｚ以上であってもよい。例えば、ドーム１１２１１ｃの高周波分割振動の周波数は、２５ｋＨｚ以上であってもよい。いくつかの実施例では、有効周波数帯域において本体領域１１２１１の出力が高いことを確保ために、本体領域１１２１１の質量を小さくする必要があり、それにより有効周波数帯域において本体領域１１２１１の振動難しさを低下する。したがって、本体領域１１２１１の材質は、密度が小さく、強度が高い材料及び構造を選択することができる。したがって、ドーム１１２１１ｃのヤング率は、６ＧＰａ以上であってもよい。いくつかの実施例では、ドーム１１２１１ｃのヤング率は、６ＧＰａ～７ＧＰａの範囲内にあってもよい。例えば、ドーム１１２１１ｃのヤング率は、６．５ＧＰａであってもよい。ドーム１１２１１ｃのヤング率は、静的方法又は動的方法（例えば、パルス加振法、音響共鳴法、音速法など）によって測定することができる。
いくつかの実施例では、本体領域１１２１１は、炭素繊維材料によって製造されてもよい。図１１Ｂは、本明細書のいくつかの実施例に係る例示的な炭素繊維の織り構造の概略図である。炭素繊維材料は、密度が小さく、強度が高く、スピーカー１１２の高次モードを弱めることに役立つ。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１の強度をさらに向上させ、本体領域１１２１１の等価密度を低下させるために、本体領域１１２１１は、炭素繊維を交錯させて織成されてもよく、少なくとも一部の炭素繊維は、第１の角度で交錯する。いくつかの実施例では、上記第１の角度は、４５°～９０°で範囲内にある。例えば、複数本の独立した炭素繊維を織る場合に、４５°、６０°、９０°などの任意の角度で縦糸と横糸を交錯させて織ることができる。図１１Ｂに示すように、複数本の炭素繊維１１２１１１と複数本の炭素繊維１１２１１２とは、９０°に近い角度で交錯して織られてもよい。いくつかの実施例では、炭素繊維が非常に細いため、複数本の炭素繊維１１２１１１と複数本の炭素繊維１１２１１２とは、９０°に近い角度で敷設され、かつ接着により接続されてもよい。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１は、炭素繊維を交錯させて織られる構造を複数層（例えば、２層、３層など）含んでもよい。炭素繊維を交錯させて織ることを容易にするために、いくつかの実施例では、単本の炭素繊維の長さは、５ｍｍ以上である。いくつかの実施例では、単本の炭素繊維の長さは、５ｍｍ～１０ｍｍの範囲内にあってもよい。例えば、単本の炭素繊維の長さは、７ｍｍであってもよい。単本の炭素繊維が細すぎるため、１本ずつ織れば難しく、実現しにくい。いくつかの実施例では、複数本の炭素繊維を敷設して接続し（例えば、接着により接続を実現するなど）、複数組の炭素繊維を形成することができ、複数組の炭素繊維の間は、縦糸と横糸が交錯して織られる。
いくつかの実施例では、本体領域１１２１１の重量を低減するために、非常に滑らかに整列された炭素繊維構造を用いる本体領域１１２１１の厚さを設計して、選択された高周波数帯域幅を取得することができる。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１の厚さは、８０μｍ未満であってもよい。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１の厚さは、１０μｍ～６０μｍの範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、本体領域１１２１１の厚さは、２５μｍであってもよい。
図１２は、本明細書のいくつかの実施例に係る異なる駆動電圧で音響発生部の振幅の概略図である。図１２に示すように、同じ電圧で、トランスジューサ１１２の振動膜１１２１が２つの反対方向（図６に示した厚さ方向Ｘの正負方向、すなわち、図１２における縦座標軸の正負方向）に振動する振幅が異なり、これは、振動膜１１２１の非対称性によるものである。図１２において、単位Ｖｒｍｓは、正弦交流信号の実効電圧値を示し、例えば、０．７Ｖｒｍｓは、入力される正弦交流信号の実効電圧値が０．７Ｖであることを示す。図１２に示すように、入力電圧が０．４Ｖ～０．７Ｖの範囲において、振動膜１１２１が下向き（縦座標軸の負方向）に振動する振幅（約０．８ｍｍ）は、上向き（縦座標軸の正方向）に振動する振幅（約０．６ｍｍ）よりも大きい。振動膜１１２１が上向きに振動することは、振動膜１１２１がフロントキャビティ１１４に向かって振動することであり、振動膜１１２１が下向きに振動することは、振動膜１１２１がバックキャビティ１１６に向かって（磁気回路アセンブリ１１２５に向かって）振動することである。図１２に示すように、入力電圧が増加し続ける（例えば、０．７Ｖから１Ｖに増加する）に連れて、振動膜１１２１の振幅変化幅が徐々に小さくなり、最終的に閾値に近づき、振動膜１１２１の下向きに振動する振幅は、第１の閾値（約０．９ｍｍ）に近づき、上向きに振動する振幅は、第２の閾値（約０．８ｍｍ）に近づく。振動膜１１２１の下向きに振動する振幅が上向きに振動する振幅よりも大きいため、本明細書における振動膜１１２１の振幅は、いずれも振動膜１１２１の、下向きに振動する大きい振幅である。いくつかの実施例では、振動膜１１２１が振動するときにコイル１１２２が磁気回路アセンブリ１１２５に衝突することを回避するために、振動膜１１２１の最大振幅が０．８ｍｍを超えないように設計してもよく、すなわち、振動膜１１２１の振幅は、０ｍｍ～０．８ｍｍの範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、振動膜１１２１の振幅は、０ｍｍ～０．７５ｍｍの範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、振動膜１１２１の振幅は、０ｍｍ～０．７ｍｍの範囲内にあってもよい。
いくつかの実施例では、０ｍｍ～０．８ｍｍの振幅範囲内において、振動膜１１２１が２つの反対方向に振動する（すなわち、上向き振動と下向き振動）振幅の差は、０．０５ｍｍ未満であってもよく、それにより、トランスジューサ１１２の歪み程度を低減する。いくつかの実施例では、トランスジューサ１１２の歪み程度をさらに低減するために、振動膜１１２１が２つの反対方向に振動する（すなわち、上向き振動と下向き振動）振幅の差は、０．０４ｍｍ未満であってもよい。いくつかの実施例では、トランスジューサ１１２の歪み程度をさらに低減するために、振動膜１１２１が２つの反対方向に振動する（すなわち、上向き振動と下向き振動）振幅の差は、０．０３ｍｍ未満であってもよい。
図８及び図９に示すように、いくつかの実施例では、支持フレーム１１２３は、磁気回路アセンブリ１１２５を取り囲んで設置される。図９に示すように、振動膜の振動方向において、支持フレーム１１２３は、第１の部分１１２３１１、第２の部分１１２３２及び第３の部分１１２３３を含んでもよい。第１の部分１１２３１１は、振動膜１１２１の振動方向において、支持フレーム１１２３と振動膜１１２１との接続領域の最高点Ｄと、支持フレーム１１２３と収容部材１１２５３との接続領域の最高点との間の部分である。第２の部分１１２３２は、支持フレーム１１２３に通気孔が形成された領域であり、図９に示すように、第２の部分１１２３２は、振動膜１１２１の振動方向において、支持フレーム１１２３と収容部材１１２５３との接続領域の最高点と、支持フレーム１１２３の通気孔の底部が位置する側壁（すなわち、収容部材１１２５３の底部１１２５３ａに向かう）との間の部分である。第３の部分１１２３３は、支持フレーム１１２３の通気孔の底部が位置する側壁と、支持フレーム１１２３の磁気回路アセンブリ１１２５に近い（すなわち、収容部材１１２５３の底部１１２５３ａに近い）底部との間の部分である。図１０に示すように、エッジ領域１１２１２の本体領域１１２１１から離れる一端には、支持フレーム１１２３を接続するための第２の接続部１１２１２ｂが設置される。上記第２の接続部１１２１２ｂは、短軸方向Ｚに平行に設置され、振動膜の振動方向に垂直である。いくつかの実施例では、支持フレーム１１２３の第１の部分１１２３１１は、エッジ領域１１２１２の第２の接続部１１２１２ｂに接続される。いくつかの実施例では、エッジ領域１１２１２の第２の接続部１１２１２ｂは、固定リング１１５５により支持フレーム１１２３の第１の部分１１２３１１に接続され、それにより、振動膜１１２１と支持フレーム１１２３との固定を実現する。
図１３は、本明細書のいくつかの実施例に係るバックキャビティの部分構造の例示的な構造図である。図６及び図１３に示すように、いくつかの実施例では、ハウジング１１１内に接続フレーム１１５が設置されてもよく、第２の音響キャビティが接続フレーム１１５とトランスジューサ１１２の支持フレーム１１２３によって囲まれてもよく、第２の音響キャビティは、バックキャビティ１１６として機能してもよい。バックキャビティ１１６とハウジング１１１内の他の構造（例えば、主制御回路基板など）から隔てられ、これにより、音響発生部１１の音響表現力の向上に役立つ。ハウジング１１１内には、減圧孔（例えば、第１の減圧孔１１１ｃ及び／又は第２の減圧孔１１１ｄ）が設置され、接続フレーム１１５には、減圧孔及びバックキャビティ１１６を連通させるための音響通路１１５１が設置され、バックキャビティ１１６と外部環境との連通を容易にし、すなわち、空気がバックキャビティ１１６に自由に出入りすることができ、それによりトランスジューサ１１２の振動膜１１２１の振動過程における抵抗を低減することに役立つ。
いくつかの実施例では、バックキャビティ１１６の断面は、２つの垂直な辺と１つの湾曲辺からなってもよく、湾曲辺の２つの端点を接続し、該断面（例えば、断面ＡＢＣ）をほぼ三角形とみなしてもよい。斜辺ＡＣは、接続フレーム１１５に形成された曲面と支持フレーム１１２３の２つの直辺とが接触して形成された２つの端点を結ぶ線からなる。いくつかの実施例では、支持フレーム１１２３の第１の部分１１２３１１の振動膜１１２１の振動方向における厚さｈ４は、バックキャビティ１１６の体積に影響を与えることができる。第１の部分１１２３１１の厚さｈ４が厚くなると、音響発生部１１全体の体積が変化しない場合、バックキャビティ１１６の体積が小さくなり、それに応じて、第１の部分１１２３１１の厚さｈ４が小さくなると、バックキャビティ１１６の体積が大きくなる。いくつかの実施例では、支持フレーム１１２３の第１の部分１１２３１１の厚さは、バックキャビティ１１６の体積に影響を与えることができ、それにより、バックキャビティ１１６の共振周波数に影響を与える。いくつかの実施例では、バックキャビティ１１６は、振動膜の後側に構成されたキャビティであってもよく、この場合、支持フレーム１１２３の第１の部分１１２３１１の厚さｈ４が厚くなると、音響発生部１１全体の体積が変化しない場合、バックキャビティ１１６の体積が大きくなり、それに応じて、第１の部分１１２３１１の厚さｈ４が小さくなると、バックキャビティ１１６の体積が小さくなる。
いくつかの実施例では、バックキャビティ１１６とハウジング１１１に設置された減圧孔（例えば、第１の減圧孔１１１ｃ及び／又は第２の減圧孔１１１ｄ）との組み合わせは、ヘルムホルツ共振キャビティモデルと見なすことができる。バックキャビティ１１６は、ヘルムホルツ共振キャビティモデルのキャビティとして機能することができ、減圧孔は、ヘルムホルツ共振キャビティモデルの頸部として機能することができ、このとき、ヘルムホルツ共振キャビティモデルの共振周波数は、バックキャビティ１１６の共振周波数ｆ２である。ヘルムホルツ共振キャビティモデルにおいて、キャビティ（例えば、バックキャビティ１１６）の体積は、キャビティ（例えば、バックキャビティ１１６）の共振周波数ｆに影響を与えることができ、具体的な関係は、式（１）に示すとおりである。
ここで、ｃは、音速を表し、Ｓは、頸部（例えば、減圧孔）の断面積を表し、Ｖは、キャビティ（例えば、バックキャビティ１１６）の体積を表し、Ｌは、頸部（例えば、減圧孔）の深さを表す。
式（１）から分かるように、減圧孔（例えば、第１の減圧孔１１１ｃ及び／又は第２の減圧孔１１１ｄ）の断面積Ｓ、減圧孔の深さＬが変化しない場合、バックキャビティ１１６の体積が大きくなると、バックキャビティ１１６の共振周波数ｆ２が小さくなり、すなわち、低周波に移動する。
図１４は、本明細書のいくつかの実施例に係る、第１の部分１１２３１１の異なる厚さに対応するバックキャビティの周波数応答曲線図である。図１４から分かるように、支持フレーム１１２３の第１の部分１１２３１１の厚さｈ４が０．３ｍｍから３ｍｍまで徐々に厚くなるに連れて、バックキャビティ１１６の体積が徐々に大きくなり、バックキャビティ１１６の共振ピークが徐々に低周波に移動し、周波数応答曲線の平坦範囲が減少し、音響発生部１１の出力性能に影響を与える。
第１の部分１１２３１１の厚さｈ４が小さすぎると、振動膜１１２１の振幅が支持フレーム１１２３によって制限され、第１の部分１１２３１１の厚さｈ４が大きすぎると、音響発生部１１全体の寸法が大きすぎ、バックキャビティ１１６の共振ピークが低周波に移動し、バックキャビティ１１６の周波数応答曲線の平坦領域の範囲が減少し、音響発生部１１の音質に影響を与える。第１の部分１１２３１１の厚さは、振動膜１１２１の振動方向において、支持フレーム１１２３とエッジ領域１１２１２との接続領域と、磁気回路アセンブリ１１２５に直接貼り合わされた領域との間の最小距離である。
いくつかの実施例では、音響発生部１１に高い低周波出力を持たせ、バックキャビティ１１６の周波数応答曲線の平坦領域の範囲を大きくするために、支持フレーム１１２３の第１の部分１１２３１１の厚さｈ４は、０．３ｍｍ～３ｍｍの範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、音響発生部１１の低周波出力をさらに向上させるために、第１の部分１１２３１１の厚さｈ４は、０．５ｍｍ～２ｍｍの範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、バックキャビティ１１６の周波数応答曲線の平坦領域をさらに大きくするために、第１の部分１１２３１１の厚さｈ４は、０．８ｍｍ～１ｍｍの範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、第１の部分１１２３１１の厚さｈ４は、０．９ｍｍであってもよく、このとき、バックキャビティ１１６の共振ピークは、６．１ｋＨｚ付近にあり、音響発生部１１は、優れた低周波出力を有し、バックキャビティ１１６の周波数応答曲線は、広い平坦領域を有する。
いくつかの実施例では、トランスジューサ１１２の重量は、主に、支持フレーム１１２３及び磁気回路アセンブリ１１２５に関係し、磁気回路アセンブリ１１２５の重量が大きな割合を占める。いくつかの実施例では、支持フレーム１１２３の材質が変化しない場合、支持フレーム１１２３の重量が増加することは、支持フレーム１１２３の寸法が増加することを意味し、振動膜１１２１の面積の増加に対応してもよい。いくつかの実施例では、磁気回路アセンブリ１１２５の重量が増加すると、コイル１１２２付近の磁気誘導強度が増加し、コイルに対して発生する駆動力が大きくなり、振動膜１１２１の振幅がより大きくなり、トランスジューサ１１２がより高い感度とより優れた低周波効果を有するようになる。しかしながら、トランスジューサ１１２の重量が大きすぎると、音響発生部１１の重量が大きくなりすぎて、開放型イヤホン１０の装着安定性及び快適性に影響を与える。
上記図３に示す音響発生部１１の少なくとも一部が対耳輪領域を被覆すること、図４に示す音響発生部１１の全体又は一部が耳甲介腔に挿入されることという２種類の装着状況を総合的に考慮すると、耳１００に聞こえる音量が大きくなる（音響発生効率がより高くなることに相当する）ため、振動膜１１２１の寸法又は磁気回路アセンブリ１１２５の重量を小さくすることなどによってトランスジューサ１１２の重量を小さくすることができ、それにより、トランスジューサ１１２が高い感度と低周波出力を有するとともに、開放型イヤホン１０が高い装着安定性及び快適性を有する。いくつかの実施例では、トランスジューサ１１２の重量は、１．１ｇ～３．３ｇの範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、トランスジューサ１１２の感度及び低周波出力をさらに向上させるために、トランスジューサ１１２の重量は、１．５ｇ～３ｇの範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、開放型イヤホン１０の装着安定性及び快適性をさらに向上させるために、トランスジューサ１１２の重量は、２ｇ～２．５ｇの範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、トランスジューサ１１２の重量は、２．２ｇであってもよい。
図１５は、本明細書のいくつかの実施例に係る、異なる駆動電圧での音響発生部の周波数応答曲線図である。スピーカー１１２の振動膜の表面を測定マイクに正対させ、距離を４ｍｍにし、スピーカー１１２に０．１Ｖ～０．７Ｖの範囲内の電圧を印加し、測定の周波数範囲を２０Ｈｚ～２００００Ｈｚに設定すると、スピーカー１１２の異なる駆動電圧での周波数応答曲線（図１５に示す）が得られる。図１２及び図１５に示すように、入力電圧が０．１Ｖ～０．７Ｖの範囲内にあり、周波数が２０Ｈｚ～６．１ｋＨｚの範囲内にある場合、振動膜１１２１の振幅は、０ｍｍ～０．８ｍｍの範囲内にある。この場合、コイル１１２２が振動中に収容部材の底部１１２５３ａに接触することを防止するために、コイル１１２２の底部と収容部材の底部１１２５３ａとの距離ｈ３（図９に示す）は、０．８ｍｍよりも大きくてもよい。いくつかの実施例では、音響発生部１１の寸法を小さくして、ユーザーの装着時の快適性を向上させるために、コイル１１２２の底部と収容部材の底部１１２５３ａとの距離ｈ３（図９に示す）は、０．９ｍｍ以下であってもよい。したがって、０．１Ｖ～０．７Ｖの入力電圧及び２０Ｈｚ～６．１ｋＨｚの範囲内で、上記コイル１１２２の底部から収容部材の底部１１２５３ａまでの距離ｈ３（図９に示す）は、０．８ｍｍ～０．９ｍｍの範囲内にあってもよい。
図１５に示すように、入力電圧が１００ｍＶから７００ｍＶまで徐々に増大するにつれて、音響発生部１１の出力が徐々に増加し、感度が徐々に増大するが、共振ピークの周波数がほとんど変化せず、６．１ｋＨｚ付近に位置する。上記図３に示す音響発生部１１の少なくとも一部が対耳輪領域を被覆すること、図４に示す音響発生部１１の全体又は一部が耳甲介腔に挿入されることという２種類の装着状況を総合的に考慮すると、コイル１１２２の底部から収容部材の底部１１２５３ａまでの距離ｈ３（図９に示す）を０．８ｍｍ～０．９ｍｍの範囲内に制御することで、音響発生部１１は、高い感度を有する。図１５に示すように、入力電圧が１００ｍＶ～７００ｍＶである場合、１ｋＨｚの周波数で、音響発生部１１の音圧レベル（ＳＰＬ）は、８５ｄＢ～１０３ｄＢの範囲内にある。
いくつかの実施例では、上記内容から分かるように、支持フレーム１１２３の第１の部分１１２３１１の厚さｈ４は、０．３ｍｍ～３ｍｍの範囲内にある。第１の部分１１２３１１の厚さｈ４が３ｍｍまで大きくなると、対応するバックキャビティ１１６の共振周波数ｆ２が３．３ｋＨｚまで小さくなり、平坦領域の範囲が減少し、音質に影響を与える。いくつかの実施例では、平坦領域の範囲を大きくし、音響発生部１１の音質を向上させるために、第１の部分１１２３１１の厚さｈ４は、３ｍｍ未満であってもよく、バックキャビティ１１６の共振周波数ｆ２は、３．３ｋＨｚ以上であってもよい。いくつかの実施例では、音響発生部１１の音質をさらに向上させるために、バックキャビティ１１６の共振周波数ｆ２は、３．５ｋＨｚ以上であってもよい。いくつかの実施例では、音響発生部１１の音質をさらに向上させるために、バックキャビティ１１６の共振周波数ｆ２は、４ｋＨｚ以上であってもよい。いくつかの実施例では、音響発生部１１の音質をさらに向上させるために、バックキャビティ１１６の共振周波数ｆ２は、６ｋＨｚ以上であってもよい。
いくつかの実施例では、式（１）によれば、バックキャビティ１１６の体積は、バックキャビティ１１６の共振周波数ｆ２に影響を与えることができる。バックキャビティ１１６の体積は、支持フレーム１１２３の第１の部分１１２３１１の厚さｈ４の影響を受ける。第１の部分１１２３１１の厚さｈ４の値の範囲とバックキャビティ１１６の共振周波数ｆ２の値の範囲とに基づいて、バックキャビティ１１６の体積の値の範囲を決定することができる。いくつかの実施例では、バックキャビティ１１６の体積は、６０ｍｍ３～１１０ｍｍ３であってもよい。
図１６は、本明細書のいくつかの実施例に係る、支持フレームと、第１の減圧孔と、第２の減圧孔との例示的な概略位置図である。図１６に示すように、いくつかの実施例では、支持フレーム１１２３には、複数の通気孔１１２３１が形成される。通気孔１１２３１の設置により、振動膜１１２１の背面の音声は、複数の通気孔１１２３１を介してバックキャビティ１１６及び減圧孔に伝達されて外部に伝播され、振動膜１１２１の両側に音声を放射するための良好な通路を提供することができる。
いくつかの実施例では、気流をよりよくバランスさせ、バックキャビティ１１６内の気圧をバランスさせるために、複数の通気孔１１２３１は、非対称に設計されてもよい。例えば、支持フレーム１１２３の短軸を中心として、複数の通気孔１１２３１は、非対称に設置されてもよい。具体的には、支持フレーム１１２３には、第１の通気孔１１２３１ａと第２の通気孔１１２３１ｂが形成される。図１６に示すように、第１の通気孔１１２３１ａの中心と第２の減圧孔１１１ｄの中心との距離Ｌａは、第２の通気孔１１２３１ｂの中心と第２の減圧孔１１１ｄの中心との距離Ｌｂよりも大きい。いくつかの実施例では、第２の減圧孔１１１ｄからより遠い位置では、バックキャビティ１１６の気圧が高いため、バックキャビティ１１６内の気圧をバランスさせるために、第１の通気孔１１２３１ａの面積は、第２の通気孔１１２３１ｂの面積よりも大きい。つまり、バックキャビティ１１６内の気圧をバランスさせるために、第２の減圧孔１１１ｄ（又は第１の減圧孔１１１ｃ）に近いほど通気孔の面積が小さくなり、第２の減圧孔１１１ｄ（又は第１の減圧孔１１１ｃ）から遠いほど通気孔の面積が大きくなる。通気孔１１２３１と減圧孔との距離は、通気孔１１２３１の中心と、対応する減圧孔の中心との間の距離である。本明細書では、通気孔又は減圧孔の中心は、孔状構造の幾何学的中心である。
バックキャビティ１１６において、第１の減圧孔１１１ｃ及び／又は第２の減圧孔１１１ｄから遠い位置では、気圧が高いため、通気孔１１２３１の面積を大きく設定することができる。第１の減圧孔１１１ｃ及び／又は第２の減圧孔１１１ｄに近い位置では、気圧が低いため、通気孔１１２３１の面積を小さく設定することができる。複数の通気孔１１２３１の面積が同じであれば、バックキャビティ１１６において第１の減圧孔１１１ｃ及び／又は第２の減圧孔１１１ｄから遠い位置では、気圧が高く、ここでの通気孔１１２３１の面積が小さいため、バックキャビティ１１６の気圧をよくバランスさせることができず、ここでの振動膜１１２１が振動するときに受ける空気抵抗が大きくなる。同様に、バックキャビティ１１６において第１の減圧孔１１１ｃ及び／又は第２の減圧孔１１１ｄに近い位置では、振動膜１１２１が振動するときに受ける抵抗が小さい。それにより、振動膜１１２１が受ける力が不均一になり、振動膜１１２１の振動が不安定になる。したがって、通気孔１１２３１の面積の大きさを調整することにより、音響発生部１１の低周波の振動をより安定させることができる。
いくつかの実施例では、通気孔１１２３１は、バックキャビティ１１６内の気圧をバランスさせることができ、振動膜１１２１が振動するときに受ける空気抵抗の均一性に影響を与えるため、通気孔１１２３１の総面積は、音響発生部１１の出力性能に影響を与えることができる。複数の通気孔１１２３１の総面積と振動膜１１２１の振動方向への投影面積との比は、振動膜１１２１が振動するときに空気抵抗に影響を与えることができる。複数の通気孔１１２３１の総面積と振動膜１１２１の振動方向への投影面積との比が小さすぎると、バックキャビティ１１６内の気圧が大きくなり、振動膜１１２１が振動するときに受ける空気抵抗が大きくなり、振動膜１１２１の低周波出力性能に影響を与える。複数の通気孔１１２３１の総面積と振動膜１１２１の振動方向への投影面積との比が一定の閾値に達した後、該比をさらに増加させると、振動膜１１２１の振動に対するバックキャビティ１１６内の空気の影響の変化が小さくなるとともに、支持フレームの構造強度に影響を与える。したがって、いくつかの実施例では、振動膜１１２１が振動するときに均一で小さい空気抵抗を受け、音響発生部１１の優れた出力性能を確保するために、複数の通気孔１１２３１の総面積と振動膜１１２１の振動方向への投影面積との比は、０．００８～０．３の範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、振動膜１１２１が振動するときに受けた空気抵抗をさらに低下させるために、複数の通気孔１１２３１の総面積と振動膜１１２１の振動方向への投影面積との比は、０．１～０．２５の範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、振動膜１１２１が振動するときに受けた空気抵抗をさらに低下させるために、複数の通気孔１１２３１の総面積と振動膜１１２１の振動方向への投影面積との比は、０．１１～０．２３の範囲内にあってもよい。
図１７は、本明細書のいくつかの実施例に係る、通気孔の異なる総面積に対応するバックキャビティの周波数応答曲線である。通気孔１１２３１の異なる総面積は、ゴム粘土を用いて通気孔１１２３１を塞ぐ操作によって実現することができる。スピーカー１１２の振動膜の表面を測定マイクに正対させ、距離を４ｍｍにし、スピーカー１１２に０．４Ｖの電圧を印加し、測定の周波数範囲を２０Ｈｚ～２００００Ｈｚに設定すると、スピーカー１１２の異なる通気孔面積での周波数応答曲線（図１７に示す）が得られる。０ｍｍ２は、通気孔１１２３１が完全に塞がれていること、すなわち、支持フレームに孔が形成されないことである。図１７に示すように、通気孔１１２３１の総面積が０ｍｍ２から４．５４ｍｍ２まで徐々に増大するに連れて、バックキャビティ１１６の周波数応答曲線は、低周波（例えば、１００Ｈｚ～１０００Ｈｚ）領域で徐々に上向きに移動し、すなわち、バックキャビティ１１６の低周波応答が徐々に増大する。通気孔１１２３１の総面積が４．５４ｍｍ２から１２．９６ｍｍ２まで徐々に増大する過程において、バックキャビティ１１６の低周波応答の変化が明らかではない。これは、通気孔１１２３１の総面積が一定の面積（例えば、４．５４ｍｍ２）まで増加した後、低周波振動において、振動膜１１２１の振動に対するバックキャビティ１１６内の空気の影響が徐々に弱くなるため、通気孔１１２３１の総面積をさらに増加させても、バックキャビティ１１６の低周波領域の周波数応答曲線に対する影響が大きくないからである。
図１７に示すように、通気孔１１２３１の総面積が０ｍｍ２から１２．９６ｍｍ２まで増大するに連れて、バックキャビティ１１６の共振ピークは、徐々に高周波数へ移動し、低周波領域（例えば、１００Ｈｚ～１０００Ｈｚ）での周波数応答曲線は、徐々に平坦になる。いくつかの実施例では、バックキャビティ１１６に優れた低周波応答を持たせるために、通気孔１１２３１の総面積は、４．５４ｍｍ２～１２．９６ｍｍ２の範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、バックキャビティ１１６に優れた低周波応答を持たさるために、通気孔１１２３１の総面積は、５ｍｍ２～１１ｍｍ２の範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、バックキャビティ１１６に優れた低周波応答を持たせるために、通気孔１１２３１の総面積は、７ｍｍ２～１０ｍｍ２の範囲内にあってもよい。いくつかの実施例では、バックキャビティ１１６に優れた低周波応答を持たせるために、通気孔１１２３１の総面積は、８ｍｍ２～１０ｍｍ２の範囲内にあってもよい。
いくつかの実施例では、構造強度を向上させるために、支持フレーム１１２３に複数の通気孔１１２３１が形成されてもよく、複数の通気孔１１２３１の間の接続部分は、補強リブが形成される。いくつかの実施例では、通気孔１１２３１の総面積を満たす場合、孔を形成するためのプロセスを簡略化するために、通気孔１１２３１の数量は、１つのみに設定されてもよい。
いくつかの実施例では、磁気回路アセンブリ１１２５の収容部材１１２５３の底部１１２５３ａ又は側壁１１２５３ｂにも複数の通気孔が形成されてもよい。振動膜１１２１の背面の音声は、複数の通気孔を介してバックキャビティ１１６及び減圧孔に伝達されてもよく、通気孔は、振動膜１１２１の両側に音声を放射するための良好な通路を提供する。
いくつかの実施例では、振動膜１１２１の振動方向への投影面積は、振動膜１１２１が振動するときに押し流される空気量に影響を与え、振動膜１１２１が振動して音声を発生させる効率に影響を与え、音響発生部１１の音響出力効果に影響を与える。振動膜１１２１の振動方向への投影面積が小さすぎると、振動膜１１２１が振動するときに押し流される空気量が少なくなり、音響発生部１１の音響出力効果が低い。振動膜１１２１の振動方向への投影面積が大きすぎると、支持フレーム１１２３の寸法が大きくなりすぎ、支持フレーム１１２３の重量が増加し、音響発生部１１の重量が大きくなり、音響発生部１１の構造と重量に影響を与え、装着の快適性と安定性に影響を与える。図３に示す音響発生部１１の少なくとも一部が対耳輪領域を被覆すること、図４に示す音響発生部１１の全体又は一部が耳甲介腔に挿入されることという２種類の装着状況を総合的に考慮すると、耳１００に聞こえる音量が大きくなる（放音効率がより高くなることに相当する）ため、振動膜１１２１の寸法が大きすぎなくてもよい。いくつかの実施例では、放音孔１１１ａは、音響発生部１１のハウジング１１１のユーザーの耳に近い側壁に設置され、放音孔１１１ａは、振動膜１１２１の前側に設置され、フロントキャビティ１１４と連通し、振動膜１１２１の振動方向は、音響発生部１１の厚さ方向Ｘであるか又はそれと略等価であり、振動膜１１２１の振動方向への投影面積は、振動膜１１２１の矢状面への投影面積であるか又はそれと略等価であり、振動膜１１２１の振動方向への投影面積は、音響発生部１１のユーザーの矢状面への投影面積に影響を与える。音響発生部１１のユーザーの矢状面への投影面積と耳甲介腔の矢状面への投影面積との重なり割合は、音響発生部１１が耳甲介腔に挿入されて形成された類似キャビティ構造に影響を与え、それにより、音響発生部１１の音響出力効果に影響を与える。さらに、振動膜１１２１の長軸寸法と短軸寸法は、音響発生部１１の矢状面への投影の長軸寸法と短軸寸法に影響を与えることができる。
いくつかの実施例では、上記図３に示す音響発生部１１の少なくとも一部が対耳輪領域を被覆すること、図４に示す音響発生部１１の全体又は一部が耳甲介腔に挿入されることという２種類の状況を総合的に考慮すると、音響発生部１１が優れた音響出力を有し、音響発生部１１の矢状面への投影が適切な面積を有するか又は音響発生部１１が適切な厚さを有するようにするために、振動膜１１２１の振動方向への投影面積は、９０ｍｍ２～５６０ｍｍ２であってもよい。好ましくは、振動膜１１２１の振動方向への投影面積は、１２０ｍｍ２～３００ｍｍ２であってもよい。より好ましくは、振動膜１１２１の振動方向への投影面積は、１５０ｍｍ２～２００ｍｍ２であってもよい。
上記図３に示す音響発生部１１の少なくとも一部が対耳輪領域を被覆すること、図４に示す音響発生部１１の全体又は一部が耳甲介腔に挿入されることという２種類の状況を総合的に考慮すると、音響発生部１１の限られた寸法内で、振動膜１１２１ができるだけ大きい面積を有するようにして、音響発生部１１の音響出力性能を向上させるために、いくつかの実施例では、振動膜１１２１の振動方向が音響発生部１１の厚さ方向Ｘと平行である場合、振動膜１１２１の振動膜の振動方向への投影面積（すなわち、振動膜１１２１の矢状面への投影面積）とハウジング１１１の振動膜の振動方向への投影面積（すなわち、ハウジング１１１の矢状面への投影面積）との比は、０．５以上であってもよい。いくつかの実施例では、音響発生部１１の限られた寸法内で、振動膜１１２１ができるだけ大きい面積を有するようにして、音響発生部１１の音響出力性能を向上させるために、振動膜１１２１の振動膜の振動方向への投影面積とハウジング１１１の振動膜の振動方向への投影面積との比は、０．８以上であってもよい。いくつかの実施例では、振動膜１１２１ができるだけ大きい面積を有するようにして、音響発生部１１の音響出力性能を向上させるために、振動膜１１２１の振動膜の振動方向への投影面積とハウジング１１１の振動膜の振動方向への投影面積との比は、０．８～０．９５の範囲内にあってもよい。
いくつかの実施例では、上記図３に示す音響発生部１１の少なくとも一部が対耳輪領域を被覆するという装着方式と組み合わせて、振動膜１１２１の長軸寸法は、１３ｍｍ～２５ｍｍの範囲内にあってもよく、振動膜の短軸寸法は、４ｍｍ～１３ｍｍの範囲内にあってもよい。図４に示す音響発生部１１の全体又は一部が耳甲介腔に挿入されるという装着方式と組み合わせて、音響発生部１１の全体又は一部が耳甲介腔に挿入されて効果的な類似キャビティを形成することを容易にするために、振動膜１１２１の短軸寸法は、４ｍｍ～１３ｍｍの範囲内にあってもよい。上記短軸寸法に基づいて、振動膜１１２１の投影面積（例えば、振動膜１１２１の振動方向への投影面積は、５２ｍｍ２～３２５ｍｍ２の範囲内にある）に基づいて、さらに、振動膜１１２１の長軸寸法が１３ｍｍ～２５ｍｍの範囲内にあることが決定される。例えば、振動膜１１２１の長軸寸法は、１５ｍｍ～２０ｍｍの範囲内にあってもよく、振動膜の短軸寸法は、５ｍｍ～１０ｍｍの範囲内にあってもよい。また、例えば、振動膜１１２１の長軸寸法は、１７ｍｍ～１８ｍｍの範囲内にあってもよく、振動膜の短軸寸法は、７ｍｍ～８ｍｍの範囲内にあってもよい。
以上、基本概念を説明してきたが、当業者にとっては、上記詳細な開示は、単なる例として示されているものに過ぎず、本願を限定するものではないことは明らかである。本明細書において明確に記載されていないが、当業者は、本願に対して様々な変更、改良及び修正を行うことができる。これらの変更、改良及び修正は、本願によって示唆されることが意図されているため、依然として本願の例示的な実施例の精神及び範囲内にある。
さらに、本願の実施例を説明するために、本願において特定の用語が使用されている。例えば、「１つの実施例」、「一実施例」、及び／又は「いくつかの実施例」は、本願の少なくとも１つの実施例に関連した特定の特徴、構造又は特性を意味する。したがって、本明細書の様々な部分における「一実施例」又は「１つの実施例」又は「１つの代替的な実施例」の２つ以上の言及は、必ずしも全てが同一の実施例を指すとは限らないことを強調し、理解されたい。また、本願の１つ以上の実施例における特定の特徴、構造又は特性は、適切に組み合わせることができる。
さらに、当業者には理解されるように、本願の各態様は、任意の新規かつ有用なプロセス、機械、製品又は物質の組み合わせ、又はそれらへの任意の新規かつ有用な改善を含む、いくつかの特許可能なクラス又はコンテキストで、例示及び説明され得る。よって、本願の各態様は、完全にハードウェアによって実行されてもよく、完全にソフトウェア（ファームウェア、常駐ソフトウェア、マイクロコードなどを含む）によって実行されてもよく、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせによって実行されてもよい。以上のハードウェア又はソフトウェアは、いずれも「データブロック」、「モジュール」、「エンジン」、「ユニット」、「アセンブリ」又は「システム」と呼ばれてもよい。また、本願の各態様は、コンピュータ可読プログラムコードを含む１つ以上のコンピュータ可読媒体に具現化されたコンピュータプログラム製品の形態を取ることができる。
コンピュータ記憶媒体は、コンピュータプログラムコードを搬送するための、ベースバンド上で伝播されるか又は搬送波の一部として伝播される伝播データ信号を含んでもよい。該伝播信号は、電磁気信号、光信号又は適切な組み合わせ形態などの様々な形態を含んでもよい。コンピュータ記憶媒体は、コンピュータ可読記憶媒体以外の任意のコンピュータ可読媒体であってもよく、該媒体は、命令実行システム、装置又は機器に接続されることにより、使用されるプログラムの通信、伝播又は伝送を実現することができる。コンピュータ記憶媒体上のプログラムコードは、無線、ケーブル、光ファイバケーブル、ＲＦ若しくは類似の媒体、又は上記媒体の任意の組み合わせを含む任意の適切な媒体を介して伝播することができる。
本願の各部分の操作に必要なコンピュータプログラムコードは、Ｊａｖａ、Ｓｃａｌａ、Ｓｍａｌｌｔａｌｋ、Ｅｉｆｆｅｌ、ＪＡＤＥ、Ｅｍｅｒａｌｄ、Ｃ＋＋、Ｃ＃、ＶＢ．ＮＥＴ、Ｐｙｔｈｏｎなどのオブジェクト指向プログラミング言語、Ｃ言語、Ｖｉｓｕａｌ Ｂａｓｉｃ、Ｆｏｒｔｒａｎ ２００３、Ｐｅｒｌ、ＣＯＢＯＬ ２００２、ＰＨＰ、ＡＢＡＰなどの従来の手続き型プログラミング言語、Ｐｙｔｈｏｎ、Ｒｕｂｙ及びＧｒｏｏｖｙなどの動的プログラミング言語、又は他のプログラミング言語などを含む１つ以上のプログラミング言語でコーディングしてもよい。該プログラムコードは、完全にユーザコンピュータ上で実行されてもよく、独立したソフトウェアパッケージとしてユーザコンピュータ上で実行されてもよく、部分的にユーザコンピュータ上で部分的にリモートコンピュータ上で実行されてもよく、完全にリモートコンピュータ又は処理デバイス上で実行されてもよい。後者の場合、リモートコンピュータは、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）又はワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）などの任意のネットワーク形態でユーザコンピュータに接続されてもよく、（例えば、インターネットを介して）外部コンピュータに接続されてもよく、クラウドコンピューティング環境にあってもよく、ソフトウェア・アズ・ア・サービス（ＳａａＳ）などのサービスとして使用されてもよい。
また、特許請求の範囲に明確に記載されていない限り、本願に記載の処理要素又はシーケンスの列挙した順序、英数字の使用、又は他の名称の使用は、本願の手順及び方法の順序に限定されない。上記開示において、発明の様々な有用な実施例であると現在考えられるものを様々な例を通して説明しているが、そのような詳細は、単に説明のためのものであり、添付の特許請求の範囲は、開示される実施例のみに限定されないが、逆に、本願の実施例の趣旨及び範囲内にある全ての修正及び同等の組み合わせをカバーするように意図されることを理解されたい。例えば、上述したシステムアセンブリは、ハードウェアデバイスにより実装されてもよいが、ソフトウェアのみのソリューション、例えば、既存のサーバ又はモバイルデバイスに説明されたシステムをインストールすることにより実装されてもよい。
同様に、本願の実施例の前述の説明では、本願の開示の説明を簡略化して、１つ以上の発明の実施例への理解を助ける目的で、様々な特徴が１つの実施例、図面又はその説明にまとめられることがある。しかしながら、このような開示方法は、本願の主題が各請求項で列挙されるよりも多くの特徴を必要とするという意図を反映するものと解釈されるべきではない。むしろ、特許請求される主題は、前述の単一の開示された実施例のすべての特徴より少ない場合がある。
いくつかの実施例では、成分及び属性の数を説明する数字が使用されており、このような実施例を説明するための数字は、いくつかの例において修飾語「約」、「ほぼ」又は「概ね」によって修飾されるものであることを理解されたい。特に明記しない限り、「約」、「ほぼ」又は「実質的」は、上記数字が説明する値の±２０％の変動が許容されることを示す。それに応じて、いくつかの実施では、明細書及び特許請求の範囲において使用されている数値パラメータは、いずれも特定の実施例に必要な特性に応じて変化し得る近似値である。いくつかの実施例では、数値パラメータについては、規定された有効桁数を考慮すると共に、通常の丸め手法を適用するべきである。本願のいくつかの実施例では、その範囲を決定するための数値範囲及びパラメータは、近似値であるが、具体的な実施例では、このような数値は、可能な限り正確に設定される。
本願において参照される全ての特許、特許出願、公開特許公報、及び、論文、書籍、仕様書、刊行物、文書などの他の資料は、本願の内容と一致しないか又は矛盾する出願経過文書、及び（現在又は後に本願に関連する）本願の請求項の最も広い範囲に関して限定的な影響を有し得る文書を除いて、その全体が参照により本願に組み込まれる。なお、本願の添付資料における説明、定義、及び／又は用語の使用が本願に記載の内容と一致しないか又は矛盾する場合、本願における説明、定義、及び／又は用語の使用を優先するものとする。
最後に、本願に記載の実施例は、単に本願の実施例の原理を説明するものであることを理解されたい。他の変形例も本願の範囲にある可能性がある。したがって、限定するものではなく、例として、本願の実施例の代替構成は、本願の教示と一致するように見なされてもよい。それに応じて、本願の実施例は、本願において明確に紹介して説明された実施例に限定されない。
１１ 音響発生部
１１２ トランスジューサ
１１２１１ 本体領域
１１２１２ エッジ領域
１１２２ コイル
１１２３ 支持フレーム
１１２４ 端子
１１２５ 磁気回路アセンブリ
１１２５１ 透磁板
１１２５２ 磁石
１１２５３ 収容部材
１１５５ 固定リング
１１１ ハウジング
１１１ａ 放音孔
１１１ｃ 第１の減圧孔
１１１ｄ 第２の減圧孔
１１４ フロントキャビティ
１１５ 接続フレーム
１１５１ 音響通路
１１６ バックキャビティ
１２ 耳掛け

Claims (14)

  1. 振動膜と、
    磁気回路アセンブリと、コイルと、前記磁気回路アセンブリを取り囲んで設置された支持フレームとを含み、
    前記コイルは、前記振動膜に接続され、少なくとも一部が前記磁気回路アセンブリによって形成された磁気ギャップに位置し、前記コイルは、通電により、前記振動膜を振動させて音声を発生させ、前記振動膜は、本体領域と、本体領域を取り囲んだエッジ領域とを含み、
    前記支持フレームの第１の部分は、前記エッジ領域に接続され、前記第１の部分の厚さは、０．５ｍｍ～２ｍｍの範囲内にあり、前記第１の部分の厚さは、前記振動膜の振動方向において、前記支持フレームと前記エッジ領域との接続領域と、前記支持フレームの前記磁気回路アセンブリに直接貼り合わされた領域との間の最小距離であり、
    減圧孔が設置されたハウジングをさらに含み、
    前記ハウジングの内部には接続フレームが配置され、前記ハウジング内の空間は、前記振動膜の後側に設けられたバックキャビティを含み、前記バックキャビティは、前記振動膜、前記支持フレームおよび前記磁気回路アセンブリによって囲まれる第１のキャビティ部と、前記接続フレーム、前記支持フレームおよび前記磁気回路アセンブリによって囲まれる第２のキャビティ部とを含み、前記第１のキャビティ部と前記第２のキャビティ部とは、前記支持フレームに設けられた通気孔により連通しており、前記バックキャビティの共振周波数は、３．３ｋＨｚ以上である、ことを特徴とする、音響発生部。
  2. 前記本体領域は、第１の傾斜部と、前記コイルに接続された第１の接続部とを含み、前記第１の傾斜部は、前記エッジ領域の一部の領域に貼り合わされ、かつ前記第１の傾斜部は、前記第１の接続部に対して前記コイルから離れる方向に傾斜する、ことを特徴とする、請求項１に記載の音響発生部。
  3. 前記エッジ領域は、弧状部を含み、前記弧状部の高さと前記弧状部のスパンとの比は、０．３５～０．４の範囲内にある、ことを特徴とする、請求項２に記載の音響発生部。
  4. 前記第１の接続部に対する前記第１の傾斜部の傾斜角度は、５°～３０°の範囲内にあり、前記第１の接続部は、前記振動膜の振動方向に垂直である、ことを特徴とする、請求項２に記載の音響発生部。
  5. 前記本体領域は、前記第１の接続部の前記第１の傾斜部から離れる一端に位置するドームを含み、前記ドームのスパンは、２ｍｍ～８ｍｍの範囲内にあり、前記ドームの高さは、０．７ｍｍ～１．２ｍｍの範囲内にある、ことを特徴とする、請求項２に記載の音響発生部。
  6. 前記ドームの高さとスパンとの比は、０．１～０．３の範囲内にある、ことを特徴とする、請求項５に記載の音響発生部。
  7. 前記支持フレームの前記第１の部分は、前記エッジ領域の第２の接続部に接続され、前記支持フレームに複数の通気孔が形成され、前記振動膜の背面の音声は、前記複数の通気孔を介して前記減圧孔に伝達され、前記複数の通気孔は、少なくとも第１の通気孔と第２の通気孔を含み、前記第１の通気孔の中心から前記減圧孔の中心までの距離は、前記第２の通気孔の中心から前記減圧孔の中心までの距離よりも大きく、かつ前記第１の通気孔の面積は、前記第２の通気孔の面積よりも大きい、ことを特徴とする、請求項１に記載の音響発生部。
  8. 前記振動膜の振動方向において、前記振動膜の投影面積と前記ハウジングの投影面積との比は、０．５以上である、ことを特徴とする、請求項１に記載の音響発生部。
  9. 前記振動膜の振動方向において、前記振動膜の投影面積と前記ハウジングの投影面積との比は、０．８～０．９５の範囲内にある、ことを特徴とする、請求項８に記載の音響発生部。
  10. 前記支持フレームの前記第１の部分は、前記エッジ領域の第２の接続部に接続され、前記磁気回路アセンブリは、収容部材を含み、前記磁気回路アセンブリの収容部材の底壁又は前記支持フレームに貼り合わされた側壁には、複数の通気孔が形成される、ことを特徴とする、請求項１に記載の音響発生部。
  11. 前記コイルから前記第１の傾斜部までの最小距離は、０．３ｍｍ以上である、ことを特徴とする、請求項２に記載の音響発生部。
  12. 前記磁気回路アセンブリは、透磁板及び磁石を含み、前記透磁板は、前記磁石と前記振動膜との間に位置し、かつ前記磁石の表面に貼り付けられ、前記振動膜の振動方向において、前記コイルの中心と前記透磁板の中心との間の距離は、０．３ｍｍ未満である、ことを特徴とする、請求項１に記載の音響発生部。
  13. 前記磁気回路アセンブリは、収容部材を含み、前記振動膜の振動方向において、前記コイルの底部と前記収容部材の底壁との間の距離は、０．２ｍｍ～４ｍｍの範囲内にある、ことを特徴とする、請求項１に記載の音響発生部。
  14. 前記コイルと前記収容部材の側壁との間の距離は、０．１ｍｍ～０．５ｍｍの範囲内にある、ことを特徴とする、請求項１３に記載の音響発生部。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN220254651U (zh) * 2022-10-28 2023-12-26 深圳市韶音科技有限公司 一种开放式耳机
WO2024088224A1 (zh) * 2022-10-28 2024-05-02 深圳市韶音科技有限公司 一种耳机
EP4611394A3 (en) * 2023-05-12 2025-10-08 Shenzhen Shokz Co., Ltd. Wearing component and earphone
WO2024243762A1 (zh) * 2023-05-29 2024-12-05 瑞声光电科技(常州)有限公司 扬声器箱
CN222169984U (zh) * 2023-12-11 2024-12-13 深圳市韶音科技有限公司 一种耳机
DE212023000471U1 (de) * 2023-12-15 2026-03-12 Shenzhen Shokz Co., Ltd. Akustische Ausgabevorrichtung
CN121334579A (zh) * 2024-07-12 2026-01-13 深圳市韶音科技有限公司 一种开放式助听器
WO2026016616A1 (zh) * 2024-07-17 2026-01-22 深圳市韶音科技有限公司 一种开放式耳机
WO2026040064A1 (zh) * 2024-08-22 2026-02-26 深圳市韶音科技有限公司 一种声学装置
WO2026040055A1 (zh) * 2024-08-22 2026-02-26 深圳市韶音科技有限公司 耳机
USD1060314S1 (en) * 2024-09-14 2025-02-04 Shenzhen Cantianshu Information Technology Co., Ltd. Earphones with charging case
CN119584011B (zh) * 2025-02-06 2025-06-20 东莞市金文华数码科技有限公司 一种ows穿戴式耳机

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007235427A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Star Micronics Co Ltd 電気音響変換器

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3057731B2 (ja) * 1990-08-21 2000-07-04 ソニー株式会社 電気音響変換器及び音響再生システム
JP2001326986A (ja) * 2000-05-15 2001-11-22 Audio Technica Corp ヘッドホン
US7050598B1 (en) * 2002-12-06 2006-05-23 Plantronics, Inc. Self-adjusting earloop for an over-the-ear headset
DE10303030A1 (de) 2003-01-25 2004-08-05 Norman Gerkinsmeyer Treiber
WO2005048651A1 (ja) * 2003-11-13 2005-05-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 高音用スピーカ
KR100783683B1 (ko) * 2007-05-02 2007-12-07 한만대 마이크로스피커
WO2009104264A1 (ja) * 2008-02-21 2009-08-27 東北パイオニア株式会社 スピーカ装置
JP5262818B2 (ja) * 2009-02-20 2013-08-14 株式会社Ｊｖｃケンウッド 耳掛け式イヤホン装置、イヤホン装置用耳掛けアーム
JP5358390B2 (ja) * 2009-10-15 2013-12-04 株式会社オーディオテクニカ ダイナミックヘッドホン
US9025782B2 (en) * 2010-07-26 2015-05-05 Qualcomm Incorporated Systems, methods, apparatus, and computer-readable media for multi-microphone location-selective processing
US9288580B2 (en) 2012-12-20 2016-03-15 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Speaker device, audio visual equipment, mobile information processing apparatus, vehicle, and earphone
JP6450313B2 (ja) * 2013-07-18 2019-01-09 北陸電気工業株式会社 圧電発音素子
JP6107581B2 (ja) * 2013-09-30 2017-04-05 株式会社Ｊｖｃケンウッド 耳掛け式ヘッドホン
WO2020220719A1 (zh) * 2019-04-30 2020-11-05 深圳市韶音科技有限公司 一种声学输出装置
WO2022022618A1 (zh) * 2020-07-29 2022-02-03 深圳市韶音科技有限公司 一种耳机
US10244328B2 (en) * 2016-04-06 2019-03-26 Innovation Sound Technology Co., Ltd. Moving-coil speaker
KR101865347B1 (ko) * 2016-06-10 2018-06-07 주식회사 모다이노칩 음향 출력 장치
US10182287B2 (en) * 2016-08-16 2019-01-15 Bose Corporation Earphone having damped ear canal resonance
KR101760754B1 (ko) * 2016-08-23 2017-07-25 주식회사 이엠텍 방수 기능 사이드 진동판 및 이를 구비하는 마이크로스피커
WO2018132996A1 (zh) * 2017-01-19 2018-07-26 声电电子科技(惠州)有限公司 一种微型扬声器
JP6903933B2 (ja) * 2017-02-15 2021-07-14 株式会社Ｊｖｃケンウッド 収音装置、及び収音方法
DE102018001770A1 (de) * 2017-03-15 2018-09-20 Sound Solutions International Co., Ltd. Dynamischer Lautsprecher mit einem Magnetsystem
WO2019017036A1 (ja) * 2017-07-21 2019-01-24 ソニー株式会社 音響出力装置
CN107277718A (zh) * 2017-07-28 2017-10-20 常州市润蒙声学科技有限公司 扬声器
CN207926857U (zh) * 2017-12-21 2018-09-28 歌尔科技有限公司 发声装置单体、耳机以及电子设备
KR101952909B1 (ko) * 2018-01-24 2019-05-23 부전전자 주식회사 압력평형구조를 가진 이어폰
US20200107106A1 (en) * 2018-09-28 2020-04-02 Apple Inc. Hybrid retention and sensor shunt for wireless listening devices
CN209201336U (zh) 2018-12-12 2019-08-02 瑞声科技(新加坡)有限公司 一种扬声器
CN109769186A (zh) * 2019-03-28 2019-05-17 深圳市吸铁石科技有限公司 一种入耳式骨导助听装置
GB2584535B (en) * 2019-04-02 2021-12-01 Tymphany Acoustic Tech Huizhou Co Ltd In-ear headphone device with active noise control
US11122353B2 (en) * 2019-04-23 2021-09-14 Sectio Aurea As Earpiece
CN210053540U (zh) * 2019-08-02 2020-02-11 深圳新锐芯科技有限公司 一种固定功能的耳挂式蓝牙耳机
US11122351B2 (en) * 2019-08-28 2021-09-14 Bose Corporation Open audio device
US11240591B2 (en) * 2019-09-26 2022-02-01 Apple Inc. Internal control leak integrated in a driver frame
CN110708642B (zh) * 2019-09-28 2022-07-12 歌尔科技有限公司 声学装置及电子设备
DE112020004373T5 (de) * 2019-10-15 2022-06-02 Foster Electric Company, Limited Dünner Lautsprecher
KR102209486B1 (ko) * 2019-10-29 2021-01-29 주식회사 이엠텍 리시버의 진동판 부착 구조
CN110958526A (zh) * 2019-12-19 2020-04-03 歌尔科技有限公司 耳机
CN113542956B (zh) * 2020-04-22 2024-04-09 耳一号声学科技(深圳)有限公司 一种入耳式耳机及耳机固持结构
WO2021212702A1 (zh) * 2020-04-24 2021-10-28 万魔声学科技有限公司 耳机
CN113573215B (zh) 2020-04-29 2025-05-16 华为技术有限公司 一种扬声器振膜、扬声器及音频设备
KR20210134193A (ko) * 2020-04-30 2021-11-09 부전전자 주식회사 커널형 무선 이어폰
CN211744715U (zh) * 2020-05-29 2020-10-23 捷普电子(新加坡)公司 振膜
GB2595971B (en) * 2020-06-12 2022-09-21 Tymphany Acoustic Tech Ltd Earphone body with tuned vents
CN113810812B (zh) * 2020-06-17 2024-10-15 耳一号声学科技(深圳)有限公司 一种耳机及其耳撑
CN111654790A (zh) * 2020-06-29 2020-09-11 歌尔股份有限公司 发声器件及电子设备
CN111654789A (zh) * 2020-06-29 2020-09-11 歌尔股份有限公司 发声器件及电子设备
CN111698608B (zh) * 2020-07-02 2022-02-01 立讯精密工业股份有限公司 一种骨传导耳机
CN114286243B (zh) * 2020-07-29 2025-04-11 深圳市韶音科技有限公司 一种耳机
US11395060B2 (en) * 2020-07-31 2022-07-19 Em-Tech Co., Ltd. Receiver having pressure equilibrium structure
CN212909891U (zh) 2020-08-13 2021-04-06 深圳市信维声学科技有限公司 一种微型扬声器
CN212850985U (zh) * 2020-09-03 2021-03-30 歌尔股份有限公司 发声单体和发声器件
CN214429681U (zh) * 2020-11-15 2021-10-19 深圳市大十科技有限公司 一种挂夹耳开放式耳机
CN116325788B (zh) * 2020-11-24 2025-11-18 深圳市韶音科技有限公司 一种声学装置
CN217159965U (zh) * 2020-12-23 2022-08-09 深圳市韶音科技有限公司 一种耳机
CN113316054B (zh) * 2021-02-03 2025-08-19 深圳市大十未来科技有限公司 一种声音私密保护装置
CN113301463B (zh) * 2021-02-03 2025-03-14 深圳市大十未来科技有限公司 一种用于耳机的夹耳结构
US11336983B1 (en) 2021-03-18 2022-05-17 Em-Tech Co., Ltd. Receiver module having pressure equilibrium structure
CN115209288B (zh) * 2021-04-09 2025-03-07 深圳市韶音科技有限公司 一种耳机
CN115209285B (zh) * 2021-04-09 2025-04-04 深圳市韶音科技有限公司 一种耳机
CN115209276B (zh) * 2021-04-09 2025-04-11 深圳市韶音科技有限公司 一种耳机
CN115209267B (zh) * 2021-04-09 2025-03-07 深圳市韶音科技有限公司 一种耳机
CN115209268B (zh) * 2021-04-09 2025-03-07 深圳市韶音科技有限公司 一种耳机
CN115209294B (zh) * 2021-04-09 2025-09-23 深圳市韶音科技有限公司 耳挂组件及耳机
CN115209283B (zh) * 2021-04-09 2025-03-07 深圳市韶音科技有限公司 一种耳机
CN115209264B (zh) * 2021-04-09 2025-05-09 深圳市韶音科技有限公司 一种耳机
CN116918350A (zh) * 2021-04-25 2023-10-20 深圳市韶音科技有限公司 声学装置
US11140469B1 (en) * 2021-05-03 2021-10-05 Bose Corporation Open-ear headphone
CN113473335A (zh) * 2021-07-16 2021-10-01 浙江旗声电子科技股份有限公司 一种小尺寸高驱动力扬声器
CN113365187B (zh) * 2021-07-20 2025-06-27 深圳市三省声学技术服务有限公司 降噪耳机
CN215835556U (zh) * 2021-07-30 2022-02-15 东莞市翊鸣电子科技有限公司 一种无弹波支片扬声器结构
CN215818549U (zh) * 2021-08-25 2022-02-11 深圳市冠旭电子股份有限公司 可旋转开放式tws耳机
CN215682610U (zh) * 2021-09-17 2022-01-28 深圳市科奈信科技有限公司 开放式耳机
CN216217487U (zh) * 2021-10-21 2022-04-05 深圳市大十科技有限公司 一种开放式耳挂型可穿戴发声装置
CN216600066U (zh) * 2021-10-29 2022-05-24 华为技术有限公司 扬声器以及声音输出装置
CN216357224U (zh) * 2021-11-01 2022-04-19 东莞市猎声电子科技有限公司 一种耳机
CN113905304B (zh) * 2021-11-01 2025-09-05 东莞市猎声电子科技有限公司 一种耳机及其定向出声的方法
CN216437446U (zh) * 2021-11-03 2022-05-03 东莞市先超声学科技有限公司 一种调音耳机
CN217011123U (zh) * 2021-12-20 2022-07-19 深圳市科奈信科技有限公司 骨传导耳机
CN114390394B (zh) * 2022-02-24 2025-06-13 听智慧(南京)科技有限公司 定制无线耳机
CN114760554B (zh) * 2022-03-28 2024-10-25 广东小天才科技有限公司 一种夹耳式耳机的麦克风管理方法、装置及夹耳式耳机
CN114666714B (zh) * 2022-04-02 2023-08-29 歌尔股份有限公司 发声装置和电子设备
CN114928800B (zh) * 2022-05-10 2025-05-30 歌尔股份有限公司 发声装置和电子设备
CN114886925B (zh) 2022-05-25 2023-10-13 兰州大学 羊胎盘提取物在制备预防或治疗癌症恶病质药物中的应用
CN114866925B (zh) * 2022-05-31 2025-01-21 歌尔股份有限公司 发声装置和发声设备
CN115240244B (zh) * 2022-06-23 2025-11-28 湖南盈准科技有限公司 耳机出声口定位方法、系统、计算机设备和存储介质
CN217643682U (zh) * 2022-06-24 2022-10-21 深圳市韶音科技有限公司 一种开放式耳机
CN115175069A (zh) 2022-07-06 2022-10-11 美律电子(深圳)有限公司 动圈式扬声器
CN115460496A (zh) * 2022-09-15 2022-12-09 深圳市冠旭电子股份有限公司 耳挂连接结构及蓝牙耳机
CN218352706U (zh) * 2022-09-30 2023-01-20 东莞市猎声电子科技有限公司 符合人体工学以提高佩戴舒适度的耳机
CN115550783B (zh) * 2022-09-30 2023-10-31 东莞市猎声电子科技有限公司 一种开放式耳机
WO2024088224A1 (zh) * 2022-10-28 2024-05-02 深圳市韶音科技有限公司 一种耳机
CN118830261A (zh) * 2022-10-28 2024-10-22 深圳市韶音科技有限公司 一种开放式耳机
CN220254651U (zh) * 2022-10-28 2023-12-26 深圳市韶音科技有限公司 一种开放式耳机
CN117956357A (zh) * 2022-10-28 2024-04-30 深圳市韶音科技有限公司 一种耳机
EP4475559A4 (en) * 2022-10-28 2025-08-06 Shenzhen Shokz Co Ltd OPEN EAR HEADPHONES
CN220067679U (zh) * 2022-12-30 2023-11-21 深圳市韶音科技有限公司 一种发声部

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007235427A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Star Micronics Co Ltd 電気音響変換器

Also Published As

Publication number Publication date
CN221575566U (zh) 2024-08-20
TW202418842A (zh) 2024-05-01
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