JPH01100849A - 同軸マグネトロン - Google Patents

同軸マグネトロン

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Publication number
JPH01100849A
JPH01100849A JP25582787A JP25582787A JPH01100849A JP H01100849 A JPH01100849 A JP H01100849A JP 25582787 A JP25582787 A JP 25582787A JP 25582787 A JP25582787 A JP 25582787A JP H01100849 A JPH01100849 A JP H01100849A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mode
anode
restrainer
suppressor
soldering
Prior art date
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Pending
Application number
JP25582787A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsumi Hirose
廣瀬 克己
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は同軸マグネトロンに関し、特に不要モード抑制
器の取付は方法に関する。
〔従来の技術〕
周知の通り同軸マグネトロンは、第5図に示すように中
央部に陰極4があり、その外周に円筒状陽極2と陽極ベ
イン11から成る内部共振器3とこれと同軸的に配置さ
れた外部共振空胴5とを有している。そして内部共振器
3と外部共振空胴5とはスロット列1により高周波的に
結合されている。かかる同軸マグネトロンにおいて、ス
ロット列の周期性tこ基づく不要モード(以下スロット
モードと呼ぶ)と、外部共振空胴に存在する代表的な不
要モードであるTE121モードを十分減衰する必要が
ある。
このスロットモードを減衰させるため、スロット列1の
端部で且つ円筒状陽極2の内側部分に第1のモード抑制
器8が取付けられている。又、TE121モードを減衰
させるため円ffJ状@極2の端部外側で且つ外部共振
空胴5に小間隙9を介して高周波的に結合した部分に第
2のモード抑制器10が取付けられている。
従来、これらのモード抑制器の取付方法は1、第5図の
B部を拡大して示した第6図に示すようにかしめによる
ものや専用の固定部品14を用いて取付けるもの等であ
り、十分強固に取付面と接合あるいは密着してはいなか
った。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述したモード抑制器の取付方法では、十分強固に円筒
状陽極等の相手部品取付面と接合あるいは密着している
ために熱の逃げが不十分であり不要モードの高周波エネ
ルギーを抑制器が減衰させる際に発生する熱は抑制器自
体の温度を上昇させる結果高温となりガス放出が多くな
る原因となった。又、熱ストレスや振動・衝撃により抑
制器と相手部品取付面との接触部位が変化し抑制器自体
の高周波減衰量の変化や抑制器内に収蔵されたガスが新
たに放出されマグネトロンの真空度が悪化するという問
題があり、マグネトロンの寿命が短くなるという欠点が
あった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、゛陰極と、同軸上に配置された円筒状陽極と
複数個の陽極ベインから成る内部共振器と、この内部共
振器の外周に配置した外部共振空胴とを備え、円筒状陽
極の内側部分に第1のモード抑制器を設け、円筒状陽極
の端部外側に外部共振器と結合する第2のモード抑制器
を設けて成る同軸マグネトロンにおいて、第1および第
2のモード抑制器の少なくとも一方をろう付により取付
けたことを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の断面図であり、第2図
は第1図のA部の拡大図、第3図は第1のモード抑制器
の拡大図である。中央に陰極4があり、その周囲に同軸
的に内部共振器3と外部共振空胴5が設けられている点
は従来と変りない、第2図に示す通り第1のモード抑制
器8は円筒状陽[12に内接する位置に有る。第1のモ
ード抑制器8は第3図に示す通り外周上端部にメタライ
ズ部分13を設けており、円筒状qI極2にろう付12
により取付けられる。なお、メタライズは外周状端部に
限らず抑制器の上面に施してもよい、このように本実施
例では第1のモード抑制器がろう付によって取付けられ
ているので機械的。
熱的に安定している。
第4図は本発明の第2の実施例の第1のモード抑制器の
斜視図である。大出力のマグネトロンでは発生する熱損
失も大きいなめ、円筒状陽極と第1の抑制器との間に熱
膨張差が生じる。これにより発生する応力を分散させる
ため第1の抑制器8′は適当な数に分割されている。な
お、この実施例では4分割の状態を示しているが、分割
数は円筒状陽極の大きさや高周波出力の大きさ等により
適宜最適に決定する必要がある。
なお、上記実施例では第1のモード抑制器について述べ
たが第2の抑制器についても同様の効果が得られること
は明らかである。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明では不要モード抑制器の一
部に゛メタライズ部分を設は円筒状陽極にろう付するこ
とにより機械的、熱的に安定でしかも高周波ロスが安定
な不要モード抑制器を得ることができ、結果として安定
した同軸マグネトロンを得ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による同軸マグネトロンの第1の実施例
の縦断面図、第2図は第1図のA部の拡大図、第3図は
本発明による第1のモード抑制器の拡大斜視図、第4図
は本発明の第2の実施例による第1のモード抑制器の斜
視図、第5図は従来技術による同軸マグネトロンの縦断
面図、第6図は第5図のB部拡大図である。 1・・・スロット列、2・・・円筒状陽極、3・・・内
部共振器、4・・・陰極、5・・・外部共振空胴、6,
7・・・磁極、8・・・第1のモード抑制器、9・・・
小間隙、10・・・第2のモード抑制器、11・・・陽
極ベイン、12・・・ろう付部分、13・・・メタライ
ズ部分、14モ一ド抑制器固定部品。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 陰極と、同軸上に配置された円筒状陽極と複数個の陽極
    ベインから成る内部共振器と、その外周に配置した外部
    共振空胴とを備え、前記円筒状陽極の内側部分に第1の
    モード抑制器を設け、前記円筒状陽極の端部外側で且つ
    前記外部共振空胴に小間隙を介して高周波的に結合する
    第2のモード抑制器を設けて成る同軸マグネトロンにお
    いて、前記第1のモード抑制器及び第2のモード抑制器
    の少なくとも一方をろう付により取付けたことを特徴と
    する同軸マグネトロン。
JP25582787A 1987-10-09 1987-10-09 同軸マグネトロン Pending JPH01100849A (ja)

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