JPH01101363A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は熱応力の発生が少ない半導体封止用エポキシ樹
脂系成形材料組成物及び当該組成物を用いた＃ｌｌｌｌ
上封止導体装置に関する。

〔従来の技術〕

トランジスｆｉ、ＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬ８Ｉ等の半導体装
置の外装には、金属、ガラス、セラミックス等°を用い
るハーメチック型と、エポキシ樹脂を主流とする樹脂封
止型の二種類がある。

前者に気密性の点では極めて優れているが非常に高価で
ある。一方、後者は大量生産によって極めて安価に生産
でさる上に、近年半導体素子、封止用樹脂等の材料や製
造技術の進歩によシ裏品の信頼性が著しく同上し、最近
では半導体製品の８０チ以上がエポキシ樹脂を主流とす
る熱硬化性樹脂を用いたトランスファ成形による樹脂封
止型になっている。

しかし、半導体の集積度に年々向上し、それに伴ってチ
ップサイズが大型化し、配線の微細化並びに多層化等が
進んでいる。一方、外装（）（ツケージ）に付いてみる
と、実装の高密度化、自動化等のために、パッケージサ
イズは小型薄型化の方向にアリ、パッケージの形状も従
来のＤＩＰ（デュアル　インライン　パッケージ（Ｄｕ
ａｌ　ＩｎｌｉｎｅＰａｃｋａｇｅ　）　）で代表され
るビン挿入塁からＱＦＰ〔クアド　フラット　パッケー
ジ（Ｑｕａａ　ｐｘａｔＰａｃｋａｇｅ　）　〕、５ｏ
ｐ（スモール　アウトラインゴーペンデッド　パッケー
ジ（Ｓｍａｌｌ　０ｕｔｌｉｎｅ　Ｊ−ｂｅｎｄｅｄ　
Ｐａｃｋａｇｅ　）　］　、ＰＬＣＣ［プラスチックリ
ーデツド　チップ　キャリヤ（Ｐｌａｓｔｉｃ　Ｌｅａ
ｄｅｄＣｈｉｐ　Ｃａｒｒｉｅｒ　）　　等の表面実装
塑パッケージに移行している。

このような集積度の同上、パッケージサイズやパッケー
ジ形状、実装方式等の変遷に伴い、チップの表向は繊細
にな夛、パッケージの封止ａｍＩ曽に著しく薄肉化して
いる。まｔ１パッケージは実装時こ九までよりも高温に
さらされるようになっている。そのため、封止品が熱的
ストレスを受けた場合、半導体装ｗＬＫ−構成する封止
樹脂、チップ、フレーム等の熱膨張係数の違いによって
発生する熱応力により、封止樹脂にクラックが発生した
り、めるいはチップやチップ表面に形成されているパッ
シベーション膜にクラックを生じ九り、チップ表向の配
線の切Ｉｆｆ、短絡、位置ずれ等を生じ、素子特性の変
動や信頼性の低下を起こすことが問題になっている。こ
の間＠は、パッケージの実装方式がビン挿入方式から表
面実装方式に移行し、実装時パッケージがこれまでより
も高温にさらされる様になったことによシー層重要な問
題になっている〇 樹脂封止型半導体装置に発生する熱応力は上述の工うに
各構成材料の熱膨張係数の違いによって発生する。／？
！ｒ構取材書取材料特に封止樹脂の熱形・張係数を小さ
くすることができれば熱応力は大幅に低減することがで
きる。

一般に封止用樹脂には熱膨張係数の低減を目的として樹
脂よりも熱膨張係数が小さな無機質充てん剤が配合され
ており、熱膨張係数をよフ小さくするためには充てん剤
の配合ｔｔ−更に増やせば良い。しかし、充てん剤の配
合１ｉ−ｔ−増やすと樹脂組成物の粘度が上昇して流動
性が低下し封止作業が困難になるという問題がある。そ
の対策として特公昭５０−１８５２０号及び同５Ｍ−２
０５４１号各公報に記載されているように、特定の粒度
分布を有する無機質充てん剤を用い、樹脂組成物の粘度
上昇をあまり起こさずに充てん剤の配合ｔｔ−増やす方
法が提案されている。しかし、このような方法を用いて
も、現在半導体の樹脂封止に広く用いられているフェノ
ール硬化型エポキシ樹脂組成物においては、ペース樹脂
自体の粘度が高いために充てん剤の配合址を飛隋的に増
やすことに困難であり、熱膨張係数を大幅に低減するこ
とはできなかった。その理由は従来このような用途には
充てん剤として原石を機械的に粉砕した形状的に角ばっ
た充てん剤が使用されＣ，＠た友め最密光てん率が低く
、樹脂組成物の粘度上昇や流動性の低下が起こシやすか
った友めと推定される。

この問題を解決するには一般に充てん剤の形状を球状に
すれば良いことが仰られている。しかし、従来半導体封
止用樹脂に広く用いられてきた溶融シリカを球状化し次
ものは工業的に生産されておらず、この方法は実際には
採用されていなかつ友。

しかし、特公昭６０−２６５０５号及び同６〇−４０１
８８号各公報に開示されているように、最近、浴融シリ
カのようなｑ！ｒａ！の無機質充てん剤を工業的に球状
化する技術が確立され、樹脂組成物の粘度上昇や流動性
の低下を起こさずに充てん剤を増欺して、封止・用樹脂
の熱膨張係数をかなシ低減することができるようになっ
た。しかし、封止用樹脂の熱膨張係数をシリコーンチッ
プと全く同じにすることは難しく、また、充てん剤の装
置によって封止樹脂の弾性率が大きくＩｙ、り封止品に
熱的ストレスを加えるとパッケージ内部には熱応力が発
生するため、熱応力を一段と小さくすることが強く望ま
れている。

このような熱応力を小さくするもう１つの手段としては
、特公昭４Ｂ−２５７５９号、同６０−１１９７５号、
同６０−１８１４５号、同６１−５４３２７号等あるい
はＩＥＥＥ　　トランザクシヨンズ　オン　コンポーネ
ンツ、ハイプリツズ、アンド　マニュファクチュアリン
グ　テクノロジー（ＩＥＥＥ　　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏ
ｎｓ　Ｏｎ　ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ　、　Ｈｙｂｒｉｄ
ｓ。

ａｎｔ　ＭａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ　）第ＣＨＭＴ　−８巻、第４号、’１１４４８６
〜４８９頁（１９８５）及び第６回　アニュアル　１０
シーデイング　オプジ　インターナショナル　エレクト
ロニクス　パッケージング　コンファランス（６ｔｈ　
ＡｎｎｕａｌＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｎａｌ　ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＰａ
ｃｋａｇｉｎｇ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　）　ｇｆ、　
２９４　＝　５１２頁（１９８６，）等に開示されてい
るように封止樹脂中ニシリコーンゴムやポリブタジェン
ゴム成分’に配合し、ペース樹脂をいわゆる海島構造に
して硬化物の弾性率を小さくする方法がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、この方法は半導体装置を構成する各材料間の熱
膨張係数の差にそのままにして封止樹脂の弾性率を小さ
くすることによって熱応力を低減することを目的とする
ものであり、チップサイズが小さな半導体装置やパッケ
ージのレジン層が浮い半導体装置等においては効果があ
るが、チップサイズが大きな半導体装置やパッケージの
レジン層が著しく薄い半導体装置等においてにあまシ効
来がない。したがって、このような半導体装置において
は熱膨張係数が小さく、しがも弾性率も小さな封止樹脂
が望まれていた。

本発明はこのような状況にかんがみなされ次ものでろシ
、その目的とするところは、熱膨張係数が小さくしかも
弾性率も小さな封止用樹脂組成物並びに当該樹脂組成物
を用いた半導体装置を提供することにある。

〔問題点ｔ−解決するための手段〕

本発明を概説すれば、本発明の第１の発Ｆ！Ａは樹脂組
成物に関する発明であって、エポキシ樹脂に゛無機質充
てん剤を配合し次樹脂組成物において、当該充てん剤に
、表面にシラン系カップリング剤、チタネート系カップ
リング剤、アルミキレート系カップリング剤及びジルコ
アルミネート系カップリング剤よりなる群から選択した
少なくとも１棟のカップリング剤からなる第一のコーテ
ィング層と二ヂ、キシ樹脂よりも弾性率が低いニジスト
マーからなる第二のコーティング層を形成した無機質充
てん剤であることを特徴とする。

そして、本発明の＠２の発明に、樹脂封止型半導体装置
に関する発明であって、第１の発明の樹脂組成物で半導
体が封止されていることを特徴とする。

前記問題点は無機質充てん剤の配合量を増やしても封止
樹脂の弾性率が上昇しないようにすることができれば解
決が可能である。

そこで、本発明者らは充てん剤の表面処理方法並びにこ
れら充てん剤の配合量と樹脂ｍ放物の諸物性の関係、更
にこれらの樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導体の谷櫨
信頼注との関係について檀々検討を行った。

その結果、表面ｔカップリング剤で処理し、更にその表
向にエポキシ樹脂よりも弾性率が低いエラストマーから
なる第二の処理層を設けた無機質充てん剤を封止用樹脂
に配合すると、通常の充てん剤を配合した場合に比べて
成形品の弾性率上昇をかなり少なくすることができ、し
かも、充てんの形状や粒径、粒度分布を最適化すれば充
てん剤を増量した場合のレジンの粘度上昇や流動性の低
を ７幅に抑えることができることを見出した。そして、こ
のような充てん剤を多量に配合することによって封止用
樹脂の線膨張係数と弾性率を共に小さくすることができ
る九めに封止品に発生する熱応力が大幅に低減され樹脂
封止型半導体装置の谷榎信頓ｉ！ｌＩ：を向上できるこ
とが明かになった。

エポキシ樹脂に無機質充てん剤を配合した場合に成形品
の弾性率が上昇するのは、エポキシ樹脂に比べて無機質
充てん剤の弾性率が著しく大きいためであり、充てん剤
の衣圓にエポキシ樹脂よりも弾性率が低いニジストマー
鳩をコーティングすてん剤を用いた場合よりも成形品の
弾性率を大幅に低減することができる。

本発明において、充てん剤の表面？Ｉ−あらかじめカッ
プリング剤でコーティング処理しておくのは充てん剤と
エラストマー間を化学的に強固に接着しておくためであ
る。

このような目的に用いるカップリング剤としては、周知
のシラン系、チタネート系、アルミキレート系或いはジ
ルコアルミネート系の谷独カップリング剤金使用できる
。具体的には、ビニルトＩＪエトキシシラン、ビニルト
リメトギシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキ
シ）シラン、γ−メタクリルオキシグロビルトリメトキ
シシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル〕エ
チルトリメトキシシラン、ｒ−グリシドキシグロビルト
リメトキシシラン、ｒ−メルカプトグロビルトリメトキ
シシラン、ｒ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−（βニアミノエチル）−ｒ−アミノプロピルトリメト
キシシラン、γ−ウレイドグロビルトリエトキシシラン
、イングロビルトリドデシルベンゼンスルホニルテタネ
ート、テトライングロビルビス（ジオクチルホスファイ
ト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホ
スファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオ
キシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスフ
ァイトチタネート、アルミニウムトリスアセチルアセト
ネート、アルミニウムイソプロピレート、モノ−５ｅｃ
−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニ
ウムー５ｅｃ−ブチレート、エチルアセトアセテートア
ルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（
エチルアセトアセテート）及びジルコアルミネート骨格
にアミノ基、カルボキシル基、メタクリルオキシ基等の
各ｍ有機官能基を結合させたジルコアルミネート化合物
等である。

また、本発明でいうエポキシ樹脂よりも弾性率が低いエ
ラストマーとは、分子中にポリアルキレンやポリアルキ
ルエーテル、ポリジメチルシロキサン、ポリメチルフェ
ニルシロキサン骨格＋ｘし：しかも両末端あるいに側鎖
にエポキシ基、アミノ基、カルボキシル基あるいはビニ
ル基等カップリング剤やエポキシ樹脂との化学反応性？
！する各種有機官能基を持った化合物である。

無機質充てん剤としては溶融シリカを始め、結晶性シリ
カ、アルミナ、水酸化アルミニウム、ケイ酸ジルコニウ
ム、マイカ、タルク、クレー、炭酸カルシウム、ケイ酸
カルシウム、水曖化マグネシウム等が挙げられるが、封
止樹脂の線膨張係数を大幅に低減するためには、充てん
剤自身の熱膨張係数が小さな浴融シリカを用いることが
望ましい。更に、充てん剤を配合した封止樹脂の溶融粘
度や流動性は充てん剤の形状や粒径、粒度分布が影響し
、形状的には角よりも球状の方が溶融粘度の上昇や流動
性の低下が少ないため、充てん剤を多量に配合する場合
には球状の充てん剤を用いることが望ましい。また、充
てん剤の粒径は９５重量％以上が（Ｌ５から１００μｍ
の範囲内にあることが望ましい。これは、α５μｍ未満
の充てん剤が多くなると充てん剤の配合ｔ’を増やした
場合に封止樹脂の溶融粘度が著しく上昇し、１００μｍ
よシ大きな充てん剤が多くなると半導体素子を封止する
際にボンディングワイヤの変形や切断等の成形不良が発
生するためでおる。充てん剤を多量に配合した場合封止
樹脂の溶融粘度の上昇や流動性の低下をなるべく少なく
するためには、使用する光てん剤が敗シうる最大光てん
率をできるだけ大きくなるようにする必要があり、その
ためには充てん剤の粒度分布をなるべく広くする必要が
ある。そのためには充てん剤の粒度分布をロジンーラム
ラ−（Ｒｏθｉｎ　−Ｒａｍｍ／１θｒ）の粒度分布式
で表した場合に粒度分布の広が９を示す勾配（ｎ）が［
Ｌ５〜１．５の範囲で直線性を示すことが望ましい。

ここで、勾配（ｎ）が０５′に下限とするのは充てん剤
の粒径をα５〜１００μｍの範囲とした場合に得られる
最小の値であるからである。一方、（ｎ）を１．５より
も小さくするのは、（ｎ）が１．５よりも大きくなると
充てん剤の粒度分布が極端に狭くな９、すなわち最大光
てん率が小さくなって、充てん剤を配合した封止樹脂の
′＃融粘度の上昇や流動性の低下を起こすためでるる。

次に、本発明に用いるエポキシ樹脂に棉在半尋体封止用
成形材料に広く用いられているエポキシ樹脂組成物であ
シ、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、〇−タレゾールノボラック型エ
ポキシ樹１１′ｒＩ＊に硬化剤としてフェノールノボラ
ック樹脂、酸無水物、ポリアミン、硬化促進剤としてイ
ミダゾール−アミン、オルガノホスフィ／などを配合し
た組成物であり、これらの組成物には必要に応じ可とう
化剤、カップリング剤、着色剤、難燃剤、離形剤などが
配合される。

本発明で用いる表面をカップリング剤やエラストマーで
処理した充てん剤の製法は特に限定するものではないが
例えば次のようにして得ることができる。すなわち、カ
ップリング剤やエラストマーを水や各徳有機溶剤に溶か
した溶液を用意しておき、この溶液を充てん剤に”Ｊｇ
したり、この浴液中に充てん剤を浸した後減圧乾燥によ
って溶剤を除去したり、ドライスプレー法で溶剤を除去
しても良い。コーティング層の厚みは溶液の濃度や充て
ん剤と溶液の混合割合を変えることによってＶ＠製する
ことが可能である。

本発明の封止材料は従来の封止用成形材料と全く同様の
方法で作製することができ、封止作業も同様に行える。

すなわち、各素材はあらかじめ７０〜１００℃に加熱さ
れた二軸ロールや押出機で混練することができ、また、
トランスファブレスを用いて金型温度１６０〜２００℃
成形圧力３０〜１００　’に９ｆ／ｃｙ？、硬化時間１
〜３　ｍｉｎで成形を行うことができる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例によシ更に詳細に説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されない。

実施例１ ｒ−アミノ１０ピルトリエトキシシラン６ｆｔ−テトラ
ヒドロフラン６００ｔに溶解し、これに最大粒径が４４
μｍ以下で、平均粒径が１２μｍ１、ロジンーラムラー
の粒度分布式の勾配（ｎ）が１．０の球形の溶融シリカ
６８０ｆを加え、この混合物。

を６０℃で１時間放置した後、この混合物ｔ−濾過し、
漏斗に残った充てん剤ｔ−１２００ｇのテトラヒドロフ
ランで洗浄した。その後、この混合’＊ｔ−金ｘ喪バッ
トに移し１昼夜風乾後、１５０℃の恒温槽中で３時間加
熱し表面にカップリング剤層を形成した充てん剤を得た
〇 次に、側鎖にエポキシ基を有する分子１ｆｆＪ５万のポ
リジメチルシロキサン１０ｆｔ−テトラヒドロフラン５
００ｆに溶解し、これに上記の表面にカップリング剤層
を形成した充てん剤６００ｆｔ′加え６０℃で１時間放
置した０その後、減圧乾燥器を用いテトラヒドロフラン
を除去し、表面にポリジメチルシロキサンＮＩＩｔ−有
する充てん剤を得た。

実施例２ ｒ−グリシドキシグロビルトリメトキシシラン６ｆをテ
トラヒドロフラン６００ｔに溶解し°、これに上記実施
例１に用いた充てん剤と同じ種類の充てん剤６８０ｆｔ
−加え同様の方法で充てん剤表面にカップリング剤層を
形成した０ 次に、両末端にアミノ基を有する分子量１５万のポリジ
メチルシロキサンｔｏｙ’ｓテトラヒドロフラン５００
ｔに溶解し、この中に上記光てん剤を入れ上記同様の方
法で表面にポリジメチルシロキサン層を有する充てん剤
を作製した０実施例３ テトラインプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チ
タネート１０ｇをトルエン６ｏｏｔｒｃ’ｔｔｘ解し、
この中に実施例１に用いたものと同一種類の球形の溶融
シリカ６８０ｆｔ−混ぜ、８０℃で１時間放置した。混
合物ｔ−濾過後漏斗上に残った充てん剤を１２０Ｏｆの
トルエンを用いて３回洗浄し、た後、残存するトルエン
を減圧乾燥器を用いて除去し最終的に１５０℃まで加熱
した。

次に、両末端にエポキシ基を有するポリジメテに’／Ｃ
１ｄＦｆン１０Ｆをテトラヒドロフラン５００ｆに溶解
させた溶液と上記光てん剤を混合し６０℃に１時間放置
した。その後、減圧乾燥器を用いてテトラヒドロフラン
を除去し表面にポリジメチルシロキサン層を形成した充
てん４１　’に得ｆｃ。

実施ルす４ モノ−５ｅｃ−プトキシアルミニクムジイングロビレー
ト５ｆ’ｉイングロビルアルコール５ｈｏｆに溶解し、
この中に実施例１で用いた充てん剤と四じ棟類の充てん
剤６８０ｔを加え８０℃で１時間加熱した０その後この
混合物ｋ濾過、漏斗の上に残った充てん剤１１２００ｆ
のイソプロピルアルコールで洗浄後残存するイソプロピ
ルアルコールを減圧乾燥器で除去し、最終的に充てん剤
’ｉ　１５０℃まで加熱した。

次に、分子置駒４０００の１，４−ポリブタジェンｌ０
ＩＦをトルエン５００ｇに溶解しておき、これに上記光
てん剤を加えて８０℃で３時間加熱した後減圧乾燥器を
用いてトルエンを除去、最終的に１５０℃まで加熱して
表面に１，４−ポリブタジェン層を形成した充てん剤を
得九〇 実施例５ 官能基としてカルボキシル基を有するジルコアルミネー
ト５２をイン１０ビルアルコール５００ｆＫ溶解し、こ
の溶販中に実施例１で用いた充てん剤と同じ種類の充て
ん剤６８０ｆを加え８０℃で３時間加熱した。その後こ
の混合物を濾過し漏斗上に残り次光てん剤’１ｉ−１５
０Ｏｆのイソプロピルアルコールで洗浄し７’ｊ＆残存
するイソプロピルアルコールを減圧乾燥器を用いて除去
し、最終的に充てん剤を１５０℃まで加熱した。

次に、アクリロニトリル変性−１，４−ポリブタジェン
（アクリロニトリル変性率１０％、分子量約５万）　１
０　ｆ　ｔ−トルｘ７５００　ｔｆ／Ｃ溶解しておき、
この中に上記光てん剤を加え全体を８５℃で１時間加熱
した。その後、減圧乾燥器でトルエンを除去し表面にア
クリロニトリル変性−１，４−ポリブタジェンｍｔ−有
する充てん剤ｆｔ得几。

こうして得られ九谷充てん剤を用い後記第１表に示す組
成の成形材料を２軸ロールを用いて作製した〇 比較９１１１〜５ 実施例１〜５で用いた％種カップリング剤やエラストマ
ーの組合せを同じにし、第１表に示す組成の成形材料を
インテグラルブレンド方式により作成し九〇 このようにして炸裂した各成形材料を用いてφｌ　Ｏｘ
　１００■の丸棒をトランスファプレスで成形し、１８
０℃／６時間の後硬化を行った＆　ＡｓＴＭ−Ｃ６９６
−４４に準じて線膨張係数及びガラス転移！度ｔ−測足
し次０ま几、ＩＬ７ｘ１２７ｘ５■の角棒を成形し、Ａ
８ＴＭ−Ｄ７９０−６６に準じた曲げ試験を行い、室温
における強度、弾性率、歪みを求めた０更に、各成形材
料を用いて表面にアルミニウムのジグザグ配ａｔ−有す
る半導体素子（チップサイズｔｏｘｌａｏ■ンを３００
　ｍ１ｄＤＩＰに封止し、冷熱サイクル試験（−５５℃
７５０　ｍ１ｎ−１５０℃７３０　Ｗｉｎン時のパッケ
ージの耐クラツク性及び封止品１に２６０℃のはんだ浴
中に３０秒間浸した後１２１℃、２気圧のＰＣＴ〔プレ
ッシャー　クツカー　テスト（ＰｒｅｓｕｒｅＣｏｏｋ
ｅｒ　Ｔｅ５ｔ　）　）にかけ次場合のアルミニウム配
線の腐食不良発生時間（５０％不良到達時間ンを求めた
。これらの結果を第２表にまとめて示す。

第２表より不発明の樹脂組成物に比較例に比べて成形品
の弾性率が低く、この組ｇ’ｓを用いた封止品に冷熱サ
イクル試ｌＩＲ時のパッケージの耐クラツク性が優れ、
また、耐湿試験時のアルミニウム配線の腐食不良が発生
しにくく信頼性が良好でめる０ 〔発明の効果〕 本発明の樹脂組成物を用いると、成形品の線膨張係数と
弾性率を共に小さくすることができる次めに封止品に発
生する熱応力が大幅に低減される。

それにより、その樹脂封止型半導体装置の耐クラツク性
及び耐湿性が優れたものとなるので、各種信頼性を向上
することができる。

特許出願人　株式会社　日立製作所 向　　　日立化成工業株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、エポキシ樹脂に無機質充てん剤を配合した樹脂組成
   物において、当該充てん剤は、表面にシラン系カップリ
   ング剤、チタネート系カップリング剤、アルミキレート
   系カップリング剤及びジルコアルミネート系カップリン
   グ剤よりなる群から選択した少なくとも１種のカップリ
   ング剤からなる第一のコーティング層とエポキシ樹脂よ
   りも弾性率が低いエラストマーからなる第二のコーティ
   ング層を形成した無機質充てん剤であることを特徴とす
   る樹脂組成物。 ２、該エラストマーが、分子量５０００以上のオルガノ
   ポリシロキサンである特許請求の範囲第１項記載の樹脂
   組成物。 ３、該エラストマーが、末端あるいは側鎖にアミノ基を
   有する分子量５０００以上のオルガノポリシロキサンで
   ある特許請求の範囲第１項又は第２項記載の樹脂組成物
   。 ４、該エラストマーが、０．０１μｍ以上の厚さを有す
   る特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれか１項に記載
   の樹脂組成物。 ５、該充てん剤が溶融シリカである特許請求の範囲第１
   項〜第４項のいずれか１項に記載の樹脂組成物。 ６、該充てん剤の溶融シリカは、その９５重量％以上が
   粒径０．１〜１００μｍの範囲にあり、しかもその粒度
   分布をロジン−ラムラーの粒度式で表した場合に勾配（
   ｎ）が０．５〜１．５の範囲で直線性を示す特許請求の
   範囲第１項〜第５項のいずれか１項に記載の樹脂組成物
   。 ７、該エポキシ樹脂が、硬化剤としてフェノールノボラ
   ック樹脂を用いたｏ−クレゾールノボラック型エポキシ
   樹脂である特許請求の範囲第１項〜第６項のいずれか１
   項に記載の樹脂組成物。 ８、表面にシラン系カップリング剤、チタネート系カッ
   プリング剤、アルミキレート系カップリング剤及びジル
   コアルミネート系カップリング剤よりなる群から選択し
   た少なくとも１種のカップリング剤からなる第一のコー
   ティング層とエポキシ樹脂よりも弾性率が低いエラスト
   マーからなる第二のコーティング層を形成した無機質充
   てん剤をエポキシ樹脂に配合した樹脂組成物で半導体素
   子が封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体
   装置。