JPH01101630A - X線露光装置における位置検出装置 - Google Patents

X線露光装置における位置検出装置

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JPH01101630A
JPH01101630A JP62260559A JP26055987A JPH01101630A JP H01101630 A JPH01101630 A JP H01101630A JP 62260559 A JP62260559 A JP 62260559A JP 26055987 A JP26055987 A JP 26055987A JP H01101630 A JPH01101630 A JP H01101630A
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JP
Japan
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objective lens
wafer
mask
chromatic aberration
alignment
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JP62260559A
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Tsutomu Miyatake
勤 宮武
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Sumitomo Heavy Industries Ltd
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Sumitomo Heavy Industries Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体の製造に使用するX線露光装置にお
いて、露光X線とは干渉せずにアライメントパターンを
検出するX線露光装置における位n検出装置に関する。
[従来の技術] X IJi M光装詮では、スルーブツトとアライメン
ト精度の向上がその課題として挙げられているが、これ
を満足するアライメント方式としては、露光フィールド
内のアライメントパターンを検出しながら露光可使な検
出が一番望ましい。
現在公表されているアライメント方式は大別すれば次の
2つに分類される。即ち、 (1)!光中もアライメントマークが検出可能て露光中
もサーボが可能となっている。
(2)露光中はアライメントマークの検出が不可源で、
カートリッジ方式や露光中に検出系の対物レンズを露光
エリアから後退させる。
上記(1)の方式が(2)の方式に比べて優れている点
をスルーブツトとアライメント精度の点から説明する。
上記(2)の場合、X線露光時にはカートリッジや対物
レンズの検出装置かウェハー露光領域から退避させなけ
ればならず、その移動時間によるタイムラグが必ず必要
となり、このため当然スルーブツトの低下の原因となる
また、上記(2)の場合、露光中にアライメントマーク
の検出かてきないということは、検出装置の退避時間と
露光時間中にはマスクとウェハーの位置関係は補償され
ておらず、この時間の長さに比例してマスクとウェハー
の位置は振動や環境条件の変化により当初アライメント
により補償された位置から変動していってしまう。
現在、X線による露光時間は最も強力なシンクロトロン
放射光(SOR)を使用した場合であっても10秒前後
必要とされており、光露光の場合に比べてかなり長いも
のとなっている。その間にマスクとウェハーの位置関係
を一定に保つことは、機構的にも制御的にも極めて困難
である。これに加えて、検出装置の駆動装置は振動源と
なるため、さらに精度を低下させる原因となっている。
このように、露光中においてもアライメントマークを検
出するということは、スルーブツトとアライメント精度
の向上という点からX線露光装置においては必要不可欠
な条件となりつつある。
また、上記(1)の方式においては、■回折格子法(リ
ニアフレネル、円形フレネル、回折格子)と■パターン
計測法(2重焦点光学WJ微鏡。
斜方検出)か挙げられる。
この発明は、上記■のパターン計測法に関するものであ
るので、以下、この検出方法について詳しく説明する。
a、斜方検出方法(例えば、特開昭61−193448
号公報参照) これは、検出系の対物レンズをウェハーの露光領域外に
その光軸をウェハー面に斜めに配置して検出を行なうも
ので、次の2つの問題点を解決している優れたものであ
る。即ち、■マスクとウェハーのギャップの克服、■露
光XMと干渉せずに露光中においてもアライメントマー
クを検出することができる。
b、二重焦点光学顕微鏡による検出方法(精密機械 V
ol 、 51. No、 5 (1985) PP。
156〜162) これは、複屈折を利用した2重焦点を有する対物レンズ
をウェハーの露光領域に近接させてマスクとウェハーの
位置を同時に検出する方法である。
[発明が解決しようとする問題点] ところで、上記すの2重焦点光学顕微鏡を使用する検出
系では、アライメントマークの位置が露光領域からかな
り離れてしまい、ウェハーの露光領域に不必要に余分な
スペースが必要となってしまう。そのスペースの幅ζよ
基本的には次式で表わされる。
例えば、対物レンズ鏡筒の直径を30mmとすると、余
分スペースは15mmと非常に大きなものになる。一方
、ウェハーの露光エリアは最大でも現在のところ25 
m m角であることから、如何に余分スペースが過大で
あるものかが分る。半導体の生産においてはこの余分ス
ペースはスルーブツトの低下に対して最大の障害となる
次に、aの斜方検出方法は、露光X線と干渉することな
しにアライメントマークを検出することがてきる点にお
いて優れたちのであるか、アライメント精度の点におい
て技術的に極めて困難な問題をかかえている。即ち、原
理的に斜方結像方式なので、像ボケの問題か常に生じて
しまう。第2図に示すように、ウェハーの露光面20に
対して垂直にX線で照射する露光装置において、対物レ
ンズObが角度θの斜め方向から検出するものであると
し、対物レンズの焦点深度をagmとすると、結像範囲
はウェハー上のマーク面において2asinOであって
非常に狭く、アライメントに十分な映像情報を得ること
は極めて困難である。特にプロセス形成マークを検出す
る場合には、S/N比を高くとるためにてきるたけ多く
の情報を得る必要があるが、レジスト形成マークで得ら
れる精度と同程度の検出精度では不十分であると推測さ
れる。
ちなみに、対物レンズの開口比N、A=0.32とすれ
ば、その焦点深度はレーリーの式より約±3pmであり
、斜方角度θを25度とすれば結像範囲は2×3ルmX
s i n25” =2.5終mと極めて狭い範囲とな
る。
次に、第S図に示すように、ウェハーまたはマスク面A
Bに対し結像面A”B=は傾斜して生じるためA−+A
′の倍率βA、B→B′の倍率3日とすると、1βA 
1〈1βn1の関係か常に生し、この関係を十分考慮し
てウェハーまたはマスク上のパターンを作成しなければ
ならない繁雑さがある。
そして、ウェハー上のX線露光領域の外方斜めの位置に
検出用の対物レンズを配置しなければならず、必然的に
対物レンズの焦点距離が長くなり、したかって開口数N
Aが低下しがちになるので、ウェハーまたはマスク面上
のパターンを十分精細に検出することができにくいこと
になる。
また、検出用の対物レンズの設計上から、マスクとウェ
ハー間の設定回部なギャップは限定されてしまうことに
なる。
このように、通常の対物レンズを斜めに配置するという
極めて単純なアイデアだけではアライメント精度の向上
は克服できない不利な条件を持っている。
[問題点を解決するための手段] この発明ては1位置検出装置の検出用光学系として色収
差対物レンズと反射プリズムの組合せを使用し、上記反
射プリズムはX * 露光領域の境界に極めて近接した
位置でかつマスクからの高さか極めて近接して配設され
、同反射プリズムの反射面で斜め上方に反射した光束を
L配色収差対物レンズに入射させるようにしだものであ
る。
[作 用] したがって、ウェハーをX線て露光中においてもアライ
メントが可1走であり、色収差対物レンズによりマスク
およびウェハー上のアライメントマークを同時に垂直に
検出することが可能となる。
[実 施 例] まず、この発明のX線露光装置における位置検出装置に
ついて説明する。対物レンズは波長の異なる光線に対し
、色収差を有し、例えばg線(入=435nm)、e線
(入= 546 n m )の2種の光線に対し異なる
焦点距離をもっている。したかって、同一物点上にある
マークをgmを使用して結像させた像点とe線を使用し
たときに生ずる像点は異なることになる。例えば、開口
数NA±0.49倍率n=10倍の対物レンズの焦点距
離はe線9g線に対しそれぞれFe==12.5mm。
Fg=12.741mmとなり、物点距離Sを13.7
5mmとしたときに生ずる像点距離S″はそれぞれS”
 gm137.5mm、S” e=173.615mm
となる。このような対物レンズを使用して微小間隔Sf
aれた物点、例えばマスクとウェハーが第3図に示すよ
うにそれぞれM。
M′にあるとすると、g線、e線の焦点距離Fg、Fe
が異なるため、二つの光線によるマスク上のマークの像
はり、B点に生じ、ウェハー上のマークの像はB、C点
にそれぞれ生じることになる。つまり対物レンズ系の色
収差によってB点にはマスク上のマークとウェハー上の
マークの像が同−位置に生じている。ただし、マスク上
のマークはg線により形成された像であり、ウェハー上
のマークはe線により形成された像である。
今、B点に例えばテレビカメラ等の検出系を置いて観察
するとすると、マスク上のマークとウェハー上のマーク
を同時に観察することがてきるか、色収差のためにそれ
ぞれにじみの像を伴って観察される。このにじみの像を
g線をカットしてe線を透過するフィルタおよび逆にg
線を透過しe線をカットするフィルタを組み合せたフィ
ルタを使用することにより、それぞれの色収差のにじみ
を除去することによって同一のB点においてそれぞれ異
なった位置におけるマスクとウェハー上のアライメント
マークの像を観察することが可能となる。(特開昭62
−196174号参照)この発明で使用する対物レンズ
は、このように色収差な接極的に生じさせ、かつ収差を
よく補正した色収差対物レンズである。以下、その光学
系スペックの一例を第1表に示す。
(以下余白) 第1−”  −・!′、a3−1(対物レンズ。
フィールドレンズ、リレーレンズを含む)以下、第1図
に基づいてこの発明の詳細な説明する。第1図は位置検
出装置の一部を拡大して示した側面図て、色収差対物レ
ンズlはウェハー2のX線露光領域2a外に斜めに配設
される。このウェハー2のX線露光領域2aの境界線の
やや外側に一稜面3aが垂直になるように頂角θを有す
るプリズム3かウェハー2に近接して配置される。この
プリズム3は例えば頂角か30°。
60” 、90”の直角プリズムで、その頂点Qは・ウ
ェハー2の面から0.4mmfi間され、斜面3bか反
射面を形成する。
色収差対物レンズ1は、開口比NA=0.35、作動距
離WD = 13 、9 mmの仕様のもので、ウェハ
ー2上のアライメントマークPは25mm角のX線露光
領域2aの境界から1−4mm離れた位置に1箇所以上
1例えば4箇所の四隅に配置されている。
したかって、この例の場合には検出のために必要なウェ
ハー2上のスペースは、アライメントマークPの大きさ
を0.1mm前後とした場合、1.5mm@がウェハー
2のX線露光領域外の1辺に対して必要となるだけであ
る。ただし1.5mmの幅は一例であって、必要に応じ
てさらに短くすることは可能である。
以上の説明は、ウェハー2のアライメントマークPを測
定する例について説明したが、ウェハー2上に載置され
るマスクについても同様に行なわれる。
この発明では、ウェハーおよびマスク上のアライメント
マークはX線露光領域外に配設された反射プリズムと色
収差対物レンズによりて検出を行なうので、反射プリズ
ムの反射光軸上に配置される色収差対物レンズは斜方検
出方式のものと違い光軸に平行にアライメントマークを
観察することかできるので、従来の技術において説明し
た像ボケを生じることもなく、倍率誤差を考慮した補正
を考えることもなく、シャープなアライメントマーク等
を鮮明に検出することが可能となる。
[発明の効果] 以上説明したように、この発明によればマスクおよびウ
ェハーに設けるスクライブスペースを従来のものよりは
るかに少なくすることかでき、かっ色収差対物レンズに
よりX線露光領域外からマスクおよびウェハー上のアラ
イメントマーク等を同時に観察することか可能であり、
露光中においてもサーボ制御を行なうことが可能となる
。また、斜方検出方式に比べ像ボケおよび倍率誤差を発
生させず鮮明で広い範囲を検出することか可能となり、
正確な位置合せを行なうことかてきる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明野実施例のX線露光装置の位置検出
装置の一部を拡大して示した側面図、第2図は、斜方検
出法における焦点深度の説明図、 第3図は、像ボケおよび倍率誤差の説明図、第4図は、
色収差対物レンズの説明図である。 l・・・・・・色収差対物レンズ 2・・・・・・マスク、ヤエハ− 3−・・・・・プリズム P・・・−・・アライメントマーク 特許出願人  住友重機械工業株式会社復代理人   
小 山 1)光 失 策1図 第2図 第3図 第4図 手 続 補 正 書 (自発) を 昭和63年2月20日 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  X線露光装置におけるマスクとウエハーとの位置検出
    装置において、 検出用光学系として色収差対物レンズと反射プリズムの
    組合せを使用し、上記反射プリズムはX線露光領域の境
    界に極めて近接した位置でかつマスクからの高さが極め
    て近接して配設され、同反射プリズムの反射面で斜め上
    方に反射した光束を上記色収差対物レンズに入射させる
    ようにしたことを特徴とするX線露光装置における位置
    検出装置。
JP62260559A 1987-10-14 1987-10-14 X線露光装置における位置検出装置 Pending JPH01101630A (ja)

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JP62260559A JPH01101630A (ja) 1987-10-14 1987-10-14 X線露光装置における位置検出装置

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JP62260559A JPH01101630A (ja) 1987-10-14 1987-10-14 X線露光装置における位置検出装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5440394A (en) * 1991-05-01 1995-08-08 Canon Kabushiki Kaisha Length-measuring device and exposure apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6055624A (ja) * 1983-09-07 1985-03-30 Hitachi Ltd X線露光装置

Patent Citations (1)

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