JPH01101680A - 歪検出器における磁性層の製造方法 - Google Patents
歪検出器における磁性層の製造方法Info
- Publication number
- JPH01101680A JPH01101680A JP62259937A JP25993787A JPH01101680A JP H01101680 A JPH01101680 A JP H01101680A JP 62259937 A JP62259937 A JP 62259937A JP 25993787 A JP25993787 A JP 25993787A JP H01101680 A JPH01101680 A JP H01101680A
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- magnetic field
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は歪検出器における磁性層の製造方法に関する
ものである。
ものである。
〔従来の技術］
第２図は従来の歪検出器の検出原理を示し、受動軸１に
トルクＴを印加すると、中心軸２に対して±４５°方向
に応カグが生じる。即ち、＋４５゜の角度に引張応力σ
が発生し、−４５°の角度に圧縮応力−σが生じる。従
って、受動軸１の外周に高磁歪材から成る磁性層を固着
し、トルクが加わったとき引張応力によって磁性層の透
磁率が増加し、圧縮応力によって透磁率が減少するので
、この磁気歪効果によりトルク及び歪を検出することが
できる。
トルクＴを印加すると、中心軸２に対して±４５°方向
に応カグが生じる。即ち、＋４５゜の角度に引張応力σ
が発生し、−４５°の角度に圧縮応力−σが生じる。従
って、受動軸１の外周に高磁歪材から成る磁性層を固着
し、トルクが加わったとき引張応力によって磁性層の透
磁率が増加し、圧縮応力によって透磁率が減少するので
、この磁気歪効果によりトルク及び歪を検出することが
できる。
そして、上記磁性層の製造に際しては、例えばアモルフ
ァス磁性合金の薄帯に、その製造時に発生する転位、格
子欠陥や格子歪などの残留熱応力を除去するとともに、
異方性を付与して磁気特性を改善する（透磁率μを大き
く、保磁力Ｈｃを小さくする。）ために、直流磁界中で
焼鈍を施すことが行われていた（特開昭５９−６１７３
２号公報）。
ァス磁性合金の薄帯に、その製造時に発生する転位、格
子欠陥や格子歪などの残留熱応力を除去するとともに、
異方性を付与して磁気特性を改善する（透磁率μを大き
く、保磁力Ｈｃを小さくする。）ために、直流磁界中で
焼鈍を施すことが行われていた（特開昭５９−６１７３
２号公報）。
しかしながら、上記したように直流磁界中で焼鈍を行っ
た場合には、第３図に示すようにＢ−Ｈ曲線が磁界Ｈの
小さい範囲で磁束密度Ｂが大きくなり、立った状態にな
る。第４図はＢ−Ｈカーブの焼鈍温度依存性を示し、焼
鈍温度は（ａ）が１５０℃、（ｂ）が２００ ’Ｃ１（
Ｃ）が２５０°Ｃ１（ｄ）が３００ ”Ｃ１（ｅ）が３
５０ ’Ｃである。焼鈍温度が高くなるとＢ−Ｈ曲線が
次第に立った状態となり、応力変化に応じてあまり変化
しなくなる。従って、Ｂ−Ｈ曲線が立った状態になると
歪検出器としての感度が低下する。
た場合には、第３図に示すようにＢ−Ｈ曲線が磁界Ｈの
小さい範囲で磁束密度Ｂが大きくなり、立った状態にな
る。第４図はＢ−Ｈカーブの焼鈍温度依存性を示し、焼
鈍温度は（ａ）が１５０℃、（ｂ）が２００ ’Ｃ１（
Ｃ）が２５０°Ｃ１（ｄ）が３００ ”Ｃ１（ｅ）が３
５０ ’Ｃである。焼鈍温度が高くなるとＢ−Ｈ曲線が
次第に立った状態となり、応力変化に応じてあまり変化
しなくなる。従って、Ｂ−Ｈ曲線が立った状態になると
歪検出器としての感度が低下する。
又、第５図は受動軸１の周囲に長方形の磁性層３を４５
°の方向で固着したもので、矢印イは磁化容易軸即ち異
方性の方向、口は応力作用軸を示し、異方性の方向イと
応力作用軸口は方向が一致するとＢ−Ｈ曲線が立った状
態となって好ましくないので、はぼ直交する位置関係と
するが、このような位置関係を得るために製造上手間が
かかるという問題点があった。
°の方向で固着したもので、矢印イは磁化容易軸即ち異
方性の方向、口は応力作用軸を示し、異方性の方向イと
応力作用軸口は方向が一致するとＢ−Ｈ曲線が立った状
態となって好ましくないので、はぼ直交する位置関係と
するが、このような位置関係を得るために製造上手間が
かかるという問題点があった。
なお、磁界を印加しない状態で焼鈍を行っても地磁気に
より直流磁界を印加した場合と同様になる。
より直流磁界を印加した場合と同様になる。
この発明は上記のような問題点を解決するために成され
たものであり、感度が良く製造も容易な歪検出器におけ
る磁性層の製造方法を得ることを目的とする。
たものであり、感度が良く製造も容易な歪検出器におけ
る磁性層の製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る歪検出器における磁性層の製造方法は、
高磁歪材の薄帯を交番磁界中で焼鈍する工程を備えたも
のである。
高磁歪材の薄帯を交番磁界中で焼鈍する工程を備えたも
のである。
この発明における磁性層は交番磁界中で焼鈍されており
、異方性を持たず、磁歪定数が大きくなる。
、異方性を持たず、磁歪定数が大きくなる。
以下、この発明の実施例を図面とともに説明する。第１
図はこの発明に係る歪検出器の構成を示し、４．５は受
動軸１を回転自在に支持する軸受、６．７は受動軸１の
外周面上に固着された第１及び第２の磁性層で、各磁性
層６．７はアモルファス合金などの高磁歪材の薄帯で形
成されており、第１の磁性層６は中心軸２に対して＋４
５度方向に、第２の磁性層７は中心軸２に対して一４５
度方向にそれぞれ細長く複数条形成されている。８は各
磁性層６．７の外周に受動軸１と同軸状に設けられた円
筒状のコイルボビンで、その外周には第１及び第２の磁
性層６，７と対応して第１及び第２の検出コイル９．１
０が巻装され、各検出コイル９．１０は図示しない検出
回路に接続される。
図はこの発明に係る歪検出器の構成を示し、４．５は受
動軸１を回転自在に支持する軸受、６．７は受動軸１の
外周面上に固着された第１及び第２の磁性層で、各磁性
層６．７はアモルファス合金などの高磁歪材の薄帯で形
成されており、第１の磁性層６は中心軸２に対して＋４
５度方向に、第２の磁性層７は中心軸２に対して一４５
度方向にそれぞれ細長く複数条形成されている。８は各
磁性層６．７の外周に受動軸１と同軸状に設けられた円
筒状のコイルボビンで、その外周には第１及び第２の磁
性層６，７と対応して第１及び第２の検出コイル９．１
０が巻装され、各検出コイル９．１０は図示しない検出
回路に接続される。
上記構成において、受動軸ｌに外部から応力が印加され
ると、各磁性層６，７の一方に引張力が発生すると他方
に圧縮力が発生し、歪が生じる。
ると、各磁性層６，７の一方に引張力が発生すると他方
に圧縮力が発生し、歪が生じる。
この歪が生じると透磁率が変化し、引張力による場合と
圧縮力による場合では透磁率が逆方向に変化する。検出
コイル９，１０は透磁率の変化を磁気的インピーダンス
の変化として検出し、図示しない検出回路は各検出コイ
ル９．１０出力を入力され、受動軸１の歪量に応じた検
出電圧Ｖを出力する。
圧縮力による場合では透磁率が逆方向に変化する。検出
コイル９，１０は透磁率の変化を磁気的インピーダンス
の変化として検出し、図示しない検出回路は各検出コイ
ル９．１０出力を入力され、受動軸１の歪量に応じた検
出電圧Ｖを出力する。
磁性層６．７の製造に際しては、アモルファス磁性材な
どの高磁歪材の薄帯を１０〜１００ＫＨｚの高周波の交
番磁界中で焼鈍し、この焼鈍された薄帯を受動軸１の周
囲に接着剤などを介して図示のようなシェブロン形状に
固着する。
どの高磁歪材の薄帯を１０〜１００ＫＨｚの高周波の交
番磁界中で焼鈍し、この焼鈍された薄帯を受動軸１の周
囲に接着剤などを介して図示のようなシェブロン形状に
固着する。
上記した磁性層５．６は交番磁界中での焼鈍により微結
晶化し、保磁力Ｈｅが低下し、磁区及びその磁化ベクト
ルの向きが無秩序となり、異方性を持たず、低磁場下で
の磁歪定数が大きくなる。
晶化し、保磁力Ｈｅが低下し、磁区及びその磁化ベクト
ルの向きが無秩序となり、異方性を持たず、低磁場下で
の磁歪定数が大きくなる。
従って、Ｂ−Ｈ曲線は第３図に示すように寝た状態とな
り、感度が上昇する。このことは高周波磁界の印加によ
り顕著となる。又、感度の上昇により交番磁界の印加効
率も上昇し、検出コイル９゜１０の印加電流も小さくな
り、検出コイル９．１０及び検出回路に設けられたトラ
ンジスタ、コンデンサ、砥抗などの発熱が減り、パワー
オンドリフト、経時変化、経年変化が小さくなり、信頼
性も向上する。
り、感度が上昇する。このことは高周波磁界の印加によ
り顕著となる。又、感度の上昇により交番磁界の印加効
率も上昇し、検出コイル９゜１０の印加電流も小さくな
り、検出コイル９．１０及び検出回路に設けられたトラ
ンジスタ、コンデンサ、砥抗などの発熱が減り、パワー
オンドリフト、経時変化、経年変化が小さくなり、信頼
性も向上する。
又、各磁性層６．７は異方性を持たないために応力作用
軸との関係で固着方向を定める必要がなく、製作が容易
となる。
軸との関係で固着方向を定める必要がなく、製作が容易
となる。
以上のようにこの発明によれば、歪検出器の磁性層を、
高磁歪材の薄帯を交番磁界中で焼鈍した後受動軸の周囲
に固着するようにしており、磁性層は異方性を持たず、
磁歪常数が大きくなり、感度が上昇する。又、異方性を
持たないために応力作用軸との方向関係を考慮する必要
がなく、製作が容易となる。
高磁歪材の薄帯を交番磁界中で焼鈍した後受動軸の周囲
に固着するようにしており、磁性層は異方性を持たず、
磁歪常数が大きくなり、感度が上昇する。又、異方性を
持たないために応力作用軸との方向関係を考慮する必要
がなく、製作が容易となる。
第１図はこの発明による歪検出器の断面図、第２図は歪
検出器の検出原理図、第３図は従来及びこの発明による
磁性層のＢ−Ｈ曲線、第４図はアモルファス磁性材の各
焼鈍温度におけるＢ−Ｈ曲線図、第５図は従来の磁性層
の配向図、第６図はこの発明による磁性層の配向図であ
る。 ■・・・受動軸、６．７・・・磁性層、９．１０・・・
検出コイル。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第４図 （ｅ） ３５０’Ｃ 第１図 ９、ＩＱ：検出コイル 第３図 第５図 第６図
検出器の検出原理図、第３図は従来及びこの発明による
磁性層のＢ−Ｈ曲線、第４図はアモルファス磁性材の各
焼鈍温度におけるＢ−Ｈ曲線図、第５図は従来の磁性層
の配向図、第６図はこの発明による磁性層の配向図であ
る。 ■・・・受動軸、６．７・・・磁性層、９．１０・・・
検出コイル。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第４図 （ｅ） ３５０’Ｃ 第１図 ９、ＩＱ：検出コイル 第３図 第５図 第６図
Claims (1)
- （１）応力を受ける受動軸と、この受動軸の外周上に固
着された高磁歪材の薄帯から成る磁性層と、磁性層の周
囲にギャップを隔てて配設され、磁性層の上記応力に応
じた歪による透磁率変化を検出する検出コイルを備えた
歪検出器において、高磁歪材の薄帯を交番磁界中で焼鈍
する工程と、焼鈍された高磁歪材の薄帯を受動軸の周囲
に固着する工程を備えたことを特徴とする歪検出器にお
ける磁性層の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259937A JPH01101680A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 歪検出器における磁性層の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259937A JPH01101680A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 歪検出器における磁性層の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01101680A true JPH01101680A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17340995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62259937A Pending JPH01101680A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 歪検出器における磁性層の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01101680A (ja) |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62259937A patent/JPH01101680A/ja active Pending
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