JPH01102435A - 光変調器 - Google Patents
光変調器Info
- Publication number
- JPH01102435A JPH01102435A JP26039087A JP26039087A JPH01102435A JP H01102435 A JPH01102435 A JP H01102435A JP 26039087 A JP26039087 A JP 26039087A JP 26039087 A JP26039087 A JP 26039087A JP H01102435 A JPH01102435 A JP H01102435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor
- extra
- high frequencies
- optical modulator
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光変調器に関し、特に進行波型先方向性結合
器を用いた高速光変調器に関するものである。
器を用いた高速光変調器に関するものである。
第２図は例えば、アイイーイーイー ジャーナル オブ
クワオンタム エレクトロニクス（ＩＨＲＩ！ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｉ！１ｅｃｔｒｏ
ｎｉｃａ ） Ｑｆ！−１６巻、７５４真に示された従
来の進行波型光変調器の構成図であり、図において、ｌ
はＬｉＮｂＯ５誘電体基板、２ａ、 ２ｂは基板１に
Ｔｉ拡散することにより形成された光導波路、３は光導
波路２ａ、２ｂ上に形成されたＡＪＩ電極、４ａ、４ｂ
はそれぞれマイクロ波進行波の入力リード線、出力リー
ド線、５ａ、５ｂはそれぞれ入力光、出力光である。
クワオンタム エレクトロニクス（ＩＨＲＩ！ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｉ！１ｅｃｔｒｏ
ｎｉｃａ ） Ｑｆ！−１６巻、７５４真に示された従
来の進行波型光変調器の構成図であり、図において、ｌ
はＬｉＮｂＯ５誘電体基板、２ａ、 ２ｂは基板１に
Ｔｉ拡散することにより形成された光導波路、３は光導
波路２ａ、２ｂ上に形成されたＡＪＩ電極、４ａ、４ｂ
はそれぞれマイクロ波進行波の入力リード線、出力リー
ド線、５ａ、５ｂはそれぞれ入力光、出力光である。
次に動作について説明する。
入力光５ａは常に一定強度の連続（ｃｗ）光であり、進
行波マイクロ波信号がない時にはｃｗ光が入射された光
導波路２ａの出力端にそのまま送り出される。マイクロ
波進行波が入力リード線４ａから入力されたとき、この
マイクロ波と同期して進行する入射光の一部が、誘電体
基板１の電気光学効果により他の光導波路２ｂ側に結合
される。
行波マイクロ波信号がない時にはｃｗ光が入射された光
導波路２ａの出力端にそのまま送り出される。マイクロ
波進行波が入力リード線４ａから入力されたとき、この
マイクロ波と同期して進行する入射光の一部が、誘電体
基板１の電気光学効果により他の光導波路２ｂ側に結合
される。
つまり、マイクロ波信号に対応した変調光が光導波路２
ｂの出力として得られる。
ｂの出力として得られる。
従来の光変調器は以上のように構成されているので、変
調速度はマイクロ波の進行するＡｊｌ電極の周波数分散
特性によって律則されるため、変調周波数は最高５〜１
０ＧＨｚに制限されていた。
調速度はマイクロ波の進行するＡｊｌ電極の周波数分散
特性によって律則されるため、変調周波数は最高５〜１
０ＧＨｚに制限されていた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、超高速の光変調を行うことのできる光変調器
を得ることを目的とする。
たもので、超高速の光変調を行うことのできる光変調器
を得ることを目的とする。
この発明に係る光変調器は、マイクロ波伝幡用電橿とし
て、超伝導電極を用いたものである。
て、超伝導電極を用いたものである。
この発明における光変調器は、マイクロ波伝幡用電極と
して、超伝導電極を用いたので、周波数分散を非常に小
さくでき、超高周波数（ＴＨｚオーダ）まで変調が可能
となる。
して、超伝導電極を用いたので、周波数分散を非常に小
さくでき、超高周波数（ＴＨｚオーダ）まで変調が可能
となる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による光変調器の構成図で
ある０図において、２１は電気光学効果ををするペロブ
スカイト型構造の強誘電体基板、２ａ、２ｂはこの基板
２１上にＴｉ拡散等で形成された光導波路、２３は超伝
導電極、４ ａ ＊ ４ ｂはそれぞれマイクロ波の
入力リード線、出力リード線、５ａ、５ｂはそれぞれ入
力光、出力光である。
ある０図において、２１は電気光学効果ををするペロブ
スカイト型構造の強誘電体基板、２ａ、２ｂはこの基板
２１上にＴｉ拡散等で形成された光導波路、２３は超伝
導電極、４ ａ ＊ ４ ｂはそれぞれマイクロ波の
入力リード線、出力リード線、５ａ、５ｂはそれぞれ入
力光、出力光である。
動作原理は従来例で述べた、進行波型光方向性結合器を
用いた進行波型光変調器と同様である。
用いた進行波型光変調器と同様である。
本発明の本質は、光変調器の一部を構成するマイクロ波
ストリップ線路２３として、従来の常伝導Ｂａ−Ｃｕ−
０系酸化物超伝導体はペロブスカイト型誘電体基板（例
えば５ｒＴｉＯ＊やＬｉＮｂ０り等）上に単結晶成長す
る。また、超伝導体で形成されたマイクロ波ストリップ
線路２３は超伝導体固有のギャップエネルギー以下の周
波数に対して周波数分散が非常に小さく、超高周波の伝
送線としての能力に優れている０例えば、上記Ｙ−Ｂａ
−Ｃｕ−０系酸化物趨伝導体のギャップエネルギーは３
０ｍｅＶもあり、約ＴＨｚ （１０”Ｈｚ）までの超高
周波の伝送が可能であり、このため、ＴＨｚオーダにお
ける超高周波による光変調が可能となる。
ストリップ線路２３として、従来の常伝導Ｂａ−Ｃｕ−
０系酸化物超伝導体はペロブスカイト型誘電体基板（例
えば５ｒＴｉＯ＊やＬｉＮｂ０り等）上に単結晶成長す
る。また、超伝導体で形成されたマイクロ波ストリップ
線路２３は超伝導体固有のギャップエネルギー以下の周
波数に対して周波数分散が非常に小さく、超高周波の伝
送線としての能力に優れている０例えば、上記Ｙ−Ｂａ
−Ｃｕ−０系酸化物趨伝導体のギャップエネルギーは３
０ｍｅＶもあり、約ＴＨｚ （１０”Ｈｚ）までの超高
周波の伝送が可能であり、このため、ＴＨｚオーダにお
ける超高周波による光変調が可能となる。
以上のように、この発明の光変調器によれば、マイクロ
波ストリップ線路電極として超伝導体を用いたので、Ｔ
ｌ１ｚオーダにおける超高周波による光変調が可能とな
る効果がある。
波ストリップ線路電極として超伝導体を用いたので、Ｔ
ｌ１ｚオーダにおける超高周波による光変調が可能とな
る効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による光変調器の構成図、
第２図は従来の光変調器の構成図である。 １は誘電体基板、２ａ、２ｂは光導波路、３は電極、４
ａ、４ｂはそれぞれマイクロ波の人、出力リード線、５
ａ、５ｂはそれぞれ人、出力光、２１はペロブスカイト
型結晶構造を有する誘電体基板、２３はマイクロ波スト
リップ線路としての高温超伝導薄膜電極である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
第２図は従来の光変調器の構成図である。 １は誘電体基板、２ａ、２ｂは光導波路、３は電極、４
ａ、４ｂはそれぞれマイクロ波の人、出力リード線、５
ａ、５ｂはそれぞれ人、出力光、２１はペロブスカイト
型結晶構造を有する誘電体基板、２３はマイクロ波スト
リップ線路としての高温超伝導薄膜電極である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）誘電体基板と、該誘電体基板上に形成された２つ
の光導波路と、該２つの光導波路間の結合定数を進行波
によって変化させる進行波型光方向性結合器とを備えた
光変調器において、上記２つの光導波路間の結合定数を
電気光学効果により変化させるための電極材料として、
超伝導体を使用したことを特徴とする光変調器。 - （２）上記誘電体基板として、ＬｉＮｂＯ＿３、ＳｒＴ
ｉＯ＿３等のペロブスカイト型構造を有する結晶を用い
、上記超伝導電極としてＬａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系あるい
はＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物超伝導体を使用したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26039087A JPH01102435A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26039087A JPH01102435A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 光変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102435A true JPH01102435A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=17347254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26039087A Pending JPH01102435A (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 | 光変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01102435A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6498358B1 (en) | 2001-07-20 | 2002-12-24 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating an electro-optic system having an electrochromic diffraction grating |
| US6855992B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-02-15 | Motorola Inc. | Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same |
| US6885065B2 (en) | 2002-11-20 | 2005-04-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Ferromagnetic semiconductor structure and method for forming the same |
| US6965128B2 (en) | 2003-02-03 | 2005-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices |
| US6992321B2 (en) | 2001-07-13 | 2006-01-31 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing piezoelectric materials |
| US7045815B2 (en) | 2001-04-02 | 2006-05-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure exhibiting reduced leakage current and method of fabricating same |
| US7342276B2 (en) | 2001-10-17 | 2008-03-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP26039087A patent/JPH01102435A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045815B2 (en) | 2001-04-02 | 2006-05-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure exhibiting reduced leakage current and method of fabricating same |
| US6992321B2 (en) | 2001-07-13 | 2006-01-31 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing piezoelectric materials |
| US6498358B1 (en) | 2001-07-20 | 2002-12-24 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating an electro-optic system having an electrochromic diffraction grating |
| US6855992B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-02-15 | Motorola Inc. | Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same |
| US7342276B2 (en) | 2001-10-17 | 2008-03-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator |
| US6885065B2 (en) | 2002-11-20 | 2005-04-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Ferromagnetic semiconductor structure and method for forming the same |
| US6965128B2 (en) | 2003-02-03 | 2005-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices |
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