JPH01105443A

JPH01105443A - Ｘ線イメージインテンシファイア

Info

Publication number: JPH01105443A
Application number: JP62261707A
Authority: JP
Inventors: Hideo Abu; 秀郎阿武
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-07-16
Filing date: 1987-10-19
Publication date: 1989-04-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）この発明はＸ線イメージインテンシファイアに係り、特
にその入力面の改良に関する。

（従来の技術）一般に、Ｘ線イメージインテンシファイアは第１９図に
示すように構成され、主としてガラスよりなる真空外囲
器１の入力側内部には、入力面２が配設され、出力側内
部には、陽極３が配設されると共に、出力面４が配設さ
れている。更に、真空外囲器１内の側壁に沿って集束電
極５が配設されている。そして、動作時には、Ｘ線源か
ら放射されたＸ線は被写体を透過後、Ｘ線蛍光増倍管の
入力面２に入射する。この入力面２により、被写体によ
る透過Ｘ線像は光電子像に変換され、更にこの光電子像
は陽極３と集束電極５により加速・集束され、出力面４
に入射して出力蛍光像に変換される。

ところで、上記入力面２は入力基板に蛍光層と光電面が
順次形成されてなっているが、以下に従来の入力面につ
き４つの例を挙げて説明することにする。

（その１）先ず、最初の従来例は第２０図に示すように構成され、
表面が平滑な入力基板１１１と、　この入力基板１１１
上に蒸着法で形成されナトリウムで活性化された沃化セ
シウムを母体とする蛍光層１１４と、この蛍光層１１４
上に形成された光電面１１６とからなっている。そして
、蒸着法で形成された蛍光層−３＝１１４は、５ミクロン乃至１００ミクロンの平均直径を
有し、且つ入力基板１１１に対してほぼ垂直に成長はした柱状結晶の集合体であり、代表的な膜厚な約２００
ミクロンである。

上記のように隣接し合った沃化セシウムの柱状結晶は、
その内部でＸ線により励起されて発光した光の一部を光
電面へと導くライトガイドの役割を、不完全ながら果た
している。即ち、隣の柱状結晶との界面に空隙部が存在
する場合には、発光した光のうち、　この界面に臨界角
θ。よりも大きい入射角で入射した光は、界面で全反射
を繰返し、光電面へと導かれる。臨界角θ。は、沃化セ
シウムの屈折率１．７８を使って θ。＝ｓｉｎ−”（１／１．７８）句３４．２”と計算
される。しかしながら、実際には柱状結晶は、互いに完
全には空隙部によって区画されておらず、一部互いに融
合し合う部分を有するため、臨界角θ。よりも大きい角
度で界面に入射した発光も、大部分は隣接し合う柱状結
晶へと拡散してしまう。この拡散の度合いは、蛍光層の
膜厚が増す程、大きくなる。

上記の作用により、入力面の解像度の低下が引起こされ
ているため、第２０図に示される入力面を使用したＸ線
蛍光増倍管の解像度も、不十分な値しか得られなかった
。この欠点は、沃化セシウム蛍光層の膜厚が増す程、深
刻になるため、従来は実用上４００ミクロン程度の膜厚
までしか採用出来なかった。

（その２）上記従来の問題点を解決するため、特公昭５２−４９３
０７号公報に記載されたものは、入力基板の蛍光層が形
成される側に、互いに独立した多数の突起部が周期的に
配設し、この入力基板の表面に蛍光体を柱状結晶として
形成することを提案している。この突起部を形成した入
力基板の表面を上から見た図を、第２１図に示す。

適切な沃化セシウム蛍光体の蒸着条件を選ぶことにより
、　このモザイク構造の微小島部１３２の間の溝１３１
が、第２２図に示すように、入力基板１２１上に被着さ
れる沃化セシウム蛍光層１２４内部の隙間に連なるよう
に、沃化セシウム蛍光層１２４の成長を進行させること
が出来る。従って、沃化セシウイＬム蛍光層１２４の層面に平行となる方向の訳意断面は、
予め形成された入力基板１２１上のモザイク構造とほぼ
同一の形状を持っている。

この従来例では、蛍光層１２４を構成する柱状結晶体は
、（その１）で述べた入力面の蛍光層１１４を構成する
柱状結晶体に比べて、内部で発光した光に対するライト
ガイドとしてより完全な役割を果たす。

しかしながら、沃化セシウム蛍光層１２４が完全に分離
したモザイク状に区画されているため、蛍光層１２４上
に形成される光電面１２６も同様に完全に分離した微小
島状に区画されてしまい、光電面１２６の面に平行な方
向の電気的な導通が得られない。その結果、光電面１２
６から放出される光電子の数の増加に伴い、光電面１２
６電位を一定に保つことが出来なくなり、Ｘ線イメージ
インテンシファイアの電子光学的な均一性が著しく損な
われ、出力像の歪みや解像特性の劣化が引起される。従
って、このような入力面をＸ線イメージインテンシファ
イアに採用することは、不可能であった。

そこで、特公昭５２−４９３０７号公報には、蛍光層と
光電面との間に透明導電膜を形成すれば、上記問題点が
解決されることが示唆されている。しかし、本発明者の
追試によれば、第２２図に示されるように、深い空隙部
によって完全に区画された蛍光層１２４の表面に連続と
なるように、透明導電膜を被着させることは不可能であ
り、その結果、蛍光層１２４と光電面１２６との間に透
明導電膜を形成することによって、上記問題点を解決す
ることは出来なかった。

（その３）特開昭５１−１３１２６４号公報には、上記の光電面の
面抵抗不良の問題点を解決するために、沃化セシウム蛍
光体の蒸着条件をコントロールすることにより、蛍光層
中の空隙部を膜厚方向の途中で消失させ、蛍光層の表面
で隣接する蛍光層のモザイク同士が一体化した構造とす
ることを提案している。

この技術をモザイクパターンを有する久方基板１５１に
蒸着したＣｓＩ蛍光層１５４に応用した例を第２３図に
示す。

この第２３図に示す蛍光層１５４上に形成される光電面
１５６は、連続性が優れる結果、上記の（その２）に述
べたような光電面の面抵抗不良の問題は起り難くなる。

しかしながら、本発明者の追試によれば、第２３図に示
すような入力面を使用したＸ線イメージインテンシファ
イアは、（その１）の場合に比べて解像特性は実質上向
上しなかった。

（その４）文献Ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
　ａｎｄ　ＥｌｅｃｔｒｏｎＰｈｙｓｉｃｓ　ＶｏＱ５
２　ＰＰ２０１〜２０７（１９７９）によれば基板の蛍
光層を形成される側に、堤状に突起部によって区画され
た微細領域の集合からなる凹凸パターンを形成し、この
基板の表面に蛍光体を柱状結晶として形成させることに
より、上記従来例の問題点が解決されることが示されて
いる。上記突起部を形成した基板の表面を上から見た図
を第２４図に示す。

適切な沃化セシウム蛍光体の蒸着条件を選ぶことにより
、このモザイク構造の微小領域１３２の間の堤１３１が
、基板上に被着される沃化セシウム蒸着層内部の隙間に
連なる様に沃化セシウム蒸着膜の成長を進行させること
ができる（第２５図）。従って、沃化セシウム蛍光層の
層面に平行となる方向の任意断面は、あらかじめ形成さ
れた基板上のモザイク構造とほぼ同一の形状を持つ。

この蛍光層を構成する柱状の結晶体は、（その１）で述
べた入力面の蛍光層を構成する柱状結晶体に比べて、内
部で発光した光に対する”ライトガイドとして完全な役
割を果たす。

しかしながら、沃化セシウム蛍光層が完全に分離したモ
ザイク状に区画されているため、蛍光層の上に形成され
る光電面も同様に完全に分離した微小島状に区画されて
しまい、光電面の面に平行な方向の電気的な導通が得ら
れない。その結果、光電面から放出される光電子の数の
倍加に伴ない光電面の電位を一定に保つことができなく
なり、Ｘ線イメージインテンシファイアの電子光学的な
均一性が著しく損なわれ、出力像の歪みや解像特性の劣
化が引き起こされる。従って、この様な入力面をＸ線イ
メージインテンシファイアに採用することは不可能であ
った。

（発明が解決しようとする問題点）上記のように従来の技術では、Ｘ線イメージインテンシ
ファイアの解像特性をより向上させるために、入力基板
の上に互いに分離した突起部からなるモザイクパターン
を形成させ、その上に蛍光層を蒸着法により形成させて
いたが、解像特性の向上が認められる場合には、光電面
の面抵抗が高くなり、実用化出来なかった。

この発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、従来に
比べ解像特性と画像ノイズ特性が共に著しく優れたＸ線
イメージインテンシファイアを提供することを目的とす
る。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段）この発明では、入力基板上の凹凸パターンの凸部が凹部
によって完全には区画されない凹凸パターンが形成され
ている。そして、この凹凸パターン上に、蛍光層が溝状
の凹部又は堤状の凸部に対応して隙間が出来るように形
成されている。

その結果、蛍光層は互いに僅かな部分だけ連結し合った
柱状結晶体の集合した構造となっている。

（作　　用）この発明によれば、蛍光層を構成する柱状結晶体は、そ
の内部でＸ線により励起された発光の大半を光電面へと
導くライトガイドの役割を持つ。

その結果、入力面の解像特性が向上する。

又、蛍光層の表面は、上記凹凸パターンの凸部又は凹部
に対応して、どの場所においても、入力面の周辺部と連
続しているため、蛍光層の上に形　　　　　□成される
光電面の面抵抗は、実用上問題ない小さな値となる。

更に、蛍光層の膜厚が従来に比べて増加しても、上記２
つの作用が働くため、蛍光層によるＸ線の吸収効率が増
大する。例えば沃化セシウムを母体とする蛍光層の場合
には、従来の膜厚である２００ミクロンから２０００ミ
クロンまでの膜厚まで、実用可能である。

（実　施　例）以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。

この発明は、上記従来の問題点を解決するために、人力
面を改良したもので、入力面についてのみ述べることに
する。

即ち、この発明のＸ線イメージインテンシファイアにお
ける入力面は、第１図及び第２図に示すように構成され
、第１図は断面図であり、第２図は平面図である。

図示のように、アルミニウムからなる入力基板２１上に
は、ニッケルからなる凹凸パターン２２が形成されてい
る。この場合、溝状の凹部の深さは約１０ミクロンにし
て、この凹凸パターン２２を上から見ると、第３図に示
すようになっている。この第２図から明らかなように、
約１０ミクロンの幅を有する溝３１によって約９０ミク
ロン角の凸部が不完全に区画されている。即ち、約９０
ミクロン角の凸部が互いにその一部を連結し合った集合
体３２から構成されている。

このような凹凸パターン２２つまりニッケルコーティン
グは、フォトファブリケーション法によって実現するこ
とが出来る。例えば、フォトエレクトロンオーミンク法
により上記構造のニッケルメッキを形成したり、又は−
様にニッケルメッキを行なった後に、フォトエツチング
法により上記構造の凹部を形成する方法が最適である。

更に、上記凹凸パターン２２の凸部上には、アルミニウ
ムの蒸着により約０．２ミクロンの厚さの光反射層２３
が形成されている。この光反射層２３上には、沃化セシ
ウムを母体としナトリウムにより活性化された蛍光層２
４が、蒸着法によって３００ミクロン乃至２０００ミク
ロンの厚さで形成されている。

この蛍光層２４上には、光電面２６が形成されて、入力
面が構成されている。

この入力面を上から見た平面図を第２図に示すが、この
第２図から明らかなように、約９５ミクロン角のブロッ
クが一部連結し合った集合体４２となっており、はぼ第
３図に示される凹凸パターンの溝部３１に対応した隙間
４１が形成されている６さて、動作時には、第１図に示
すように、互いに僅かな部分だけ連結し合った約９０ミ
クロン角の断面を有する蛍光体ブロックは、各ブロック
内で発光した光の大半を、丁度オプティカルファイバー
と同じ原理に従って、ブロックの端面へと導く。

そして、入力基板２１側の端面に導かれた光は、光反射
層２３で反射され、再びブロックによって光電面２６側
の端面へと導かれる。ブロック同士を連結する部分に入
射した一部の光は、隣のブロックへと拡散した光の大半
は隣のブロックにより、光電面２６側の端面へと導かれ
るため、解像度は殆ど劣化することはない。

又、代表的な従来の蛍光層の膜厚が２００ミクロンであ
るのに対して、この発明の蛍光層の膜厚は３００　ミク
ロン乃至２０００ミクロンであるため、医学診断に用い
られるＸ線に対する吸収率は、従来の約４０％という値
に対して、６０％乃至９５％まで向上する。

又、第２図に示されるように、入力面の表面は連続して
いるため、この上に形成されている光電面２６も連続膜
となっており、光電面２６の面に平行となる方向の導通
が得られる。

尚、上記実施例では、入力基板２１の凹凸パターン２２
の材質がニッケルの場合について述べたが、Ｍｏ、　Ａ
ｕ、　Ｃｕ等の金属や、Ａら０２．　Ｃｕｂ、　ＭｇＦ
２．　ＣｓＩ等の非金属からなる単一層又はこれらの複
合層を用いても、上記実施例と全く同様の効果かえられ
る。

又、上記実施例では、入力基板２１の凹凸パターン２２
の表面にアルミニウムを蒸着して光反射層２３を形成し
たが、この光反射層２３は他の材質や製造方法を用いて
形成することも可能である。

又、入力基板２１の凹凸パターン２２と蛍光層２４との
間に光反射層２３がない場合でも、上記実施例と同様に
この発明の目的を達成することが出来る。

又、第４図に、アルミニウムの入力基板５１の表面をフ
ォトエツチング法により上記実施例とほぼ同一の形状を
有する凹凸パターンを形成し、その後、上記実施例と同
一の方法により蛍光層５４と光電面５６を形成した入力
、面の断面を示す。この入力面を用いても、上記実施例
と同一の効果が得られる。

又、入力基板２１上の凹凸パターン２２を上から見た形
状は、上記実施例の第３図に示すものに限定されるもの
ではなく、例えば第５図から第８図に示されるような様
々な形状を採用することが出来、上記実施例と同一の効
果が得られる５尚、各回の６１．７１．８１．９１は溝
を示し、６２．７２．８２．９２は集合体を示している
。

又、以上述べた実施例では、蛍光層の表面に直接光電面
が形成されているが、第９図に示すように蛍光層１０４
と光電面１０６の間に透明導電膜１０５が形成されても
良い。透明導電膜１０５を使用することにより、光電面
１０６自身の抵抗が高い場合でも、この発明の目的を達
成することが可能となる。尚、第９図中の１０１は入力
基板、１０２は凹凸パターン、１０３は光反射層である
。

又、上記実施例では、蛍光層の材質として沃化セシウム
を母体とし、ナトリウムにより活性化された蛍光体を使
用し、蛍光層の膜形成手段とじて＝１６− 蒸着法を使用した場合について述べた。しかし、この発
明は、蛍光層の材質、蛍光層の膜形成手段として上記し
たものに限定されないのは、言うまでもない。

（他の実施例）第１０図は本発明のＸ線イメージインテンシファイアの
他の実施例に適用される入力面の構造を示す断面図であ
る。第１Ｏ図において１．アルミニウムからなる基板２
０１の上にニッケルからなる堤状の凸状パターン２０２
が形成されている。堤状の凸部の深さは約１０声である
。凹凸パターンを上から見た図を第１１図に示す。約１
０μｓの幅を有する堤３０１によって約９０声角の凹部
が不完全に区画されている。即ち、約９０μｓ角の凹部
が互いにその一部分を連結し合った集合体３０２から構
成されている。この様な構造の凹凸パターンはフォトフ
ァプリケージ五ンによって実現することができる。例え
ばフォトエレクトロフォーミング法により上記構造のニ
ッケルメッキを形成したり、又は−様にニッケルメッキ
を行なった後に、フォトエツチング法により上記堤状の
凸部を形成する方法が最適である。

第１０図において上記凹凸パターンの上に、約０．２ミ
クロンの厚みでアルミニウムの蒸着層２０３が形成され
ている。上記基板の上に沃化セシウムを母体とし、ナト
リウムにより活性化された蛍光層２０４が蒸着法によっ
て３００ミクロン乃至２０００ミクロンの厚さに形成さ
れている。　この蛍光層２０４上の光電面２０６が形成
される。上記入力面を上から見た図を第１２図に示す。

約９５ミクロン角のブロックが一部連結し合った集合体
となっており、はぼ第１１図に示される凹凸パターンの
凸部３０１に対応した隙間４０１が形成されている。

第１Ｏ図に示す様に、互いにわずかな部分だけ連結し合
った約９０ミクロン角の断面を有する蛍光体ブロック２
０４は、各ブロック内で発光した光の大半を、ちょうど
オプティカルファイバーと同じ原理に従ってブロックの
端面へと導く。基板２０１側の端面に導かれた光は、ア
ルミニウムの蒸着層２０３で反射され、再びブロックに
よって光電面側の端面へと導かれる。ブロック同志を連
結する部分に入射した一部の光は隣りのブロックへと拡
散するが、拡散した光の大半は隣りのブロックにより光
電面側の端面へと導かれるため、解像度はほとんど劣化
することはない。

又、代表的な従来の蛍光層の膜厚が２００ミクロンであ
るのに対して、この入力蛍光層の膜厚は３００ミクロン
乃至２０００ミクロンであるため、　医学診断に用いら
れるＸ線に対する吸収率は、従来の約４０％という値に
対して６０％乃至９５％まで向上する。

又、第１１図に示される様に入力面の表面は連続してい
るため、この上に形成されている光電面も連続膜となっ
ており、光電面の面に平行となる方向の導通が得られる
。

第１０図に示される入力面を採用したＸ線イメージテン
シファイアは、光電面の面抵抗不良に寄因する出力画像
の歪みやぼけは全く生じなかった。

又、入力蛍光層の膜厚が３００ミクロンである場合、こ
のＸ線イメージインテンシファイアのＭＴＦは従来に比
べて２０ｆｆｐ／ｃｍでは４０％向上し、４０ｇｐ／ｃ
ｍでは８０％も向上した。

入力蛍光層の膜厚が増加するに伴なってＭＴＦの向上率
は低くなったが、膜厚が２０００ミクロンの場合でも従
来と同程度のＭＴＦ特性が得られた。

又、Ｘ線に対する入力膜の吸収効率が向上した結果、Ｘ
線イメージインテンシファイアの画像のノイズは著しく
減少した。

尚、上記の他の実施例では基板の凹凸パターンの材質が
ニッケルである場合について述べたが、Ｍｏ、　Ａｕ、
　Ｃｕ等の金属や、Ａｌｌ、Ｏ，、Ｃｕｂ、　ＭｇＦ２
．　ＣｓＩ等の非金属からなる単一層又はこれらの複合
層を用いても上記実施例と全く同様の作用、効果が得ら
れる。

又、上記の他の実施例では、基板の凹凸パターンの表面
の光反射層としてアルミニウムの蒸着膜を使用したが、
他の材質や製造法を用いて光反射層を形成することも可
能である。

更に、基板の凹凸パターンと蛍光層との間に光反射層が
ない場合でも、上記他の実施例と同様に本発明の目的を
達成することができる。

更に、第１３図にアルミニウムの基板５０１の表面を、
フォトエツチング法により上記他の実施例とほぼ同一の
形状を有する凹凸パターンを形成し、その後上記他の実
施例と同一の方法により蛍光層５０４と光電面５０６を
形成した入力面の断面を示す。

第１３図の入力面を用いても上記実施例と同一の作用、
効果が得られる。

更に基板上の凹凸パターンを上から見た形状は、上記他
の実施例の第１１図に示すものに限定されるものではな
く、例えば第１４図から第１７図に示される様な様々な
形状を採用することができ、上記実施例と同様の作用、
効果を得ることが可能である。

尚、３０１．４０１，６０１，７０１，８０１，９０１
は堤を示し、３０２．４０２．６０２．７０２．８０２
．９０２は集合体を示している。

以上述べた他の実施例では、蛍光層の表面に直接光電面
が形成されているが、第１８図に示す様に、蛍光層１０
４と光電面１０６の間に透明導電膜１０５が形成されて
いても良い。透明導電膜を使用することにより、光電面
自身の抵抗が高い場合でも、本発明の目的を達成するこ
とが可能となる。

又、上記他の実施例では、蛍光層の材質として、沃化セ
シウムを母体としナトリウムにより活性化された蛍光体
を使用し、蛍光層の膜形成手段として蒸着法を使用した
場合について述べた。しかし、本発明は、蛍光層の材質
、蛍光層の膜形成手段として上記したものに限定されな
い。

［発明の効果〕この発明によれば、入力基板の蛍光層側の表面が、不連
続な微細な凹凸パターンに形成されてなり、且つこの凹
凸パターンの凸部が溝状の四部又は堤状の凸部によって
完全には区画されていないので、この発明の入力面を採
用したＸ線イメージインテンシファイアでは、光電面の
面抵抗不良に起因する出力画像の歪みやぼけは、全く生
じなかった。又、蛍光層の膜厚が３００ミクロンである
場合、このＸ線イメージインテンシファイアのＭＴＦは
従来に比べて２０１ｐ／Ｃｍでは４０％向上し、４０１
ｐ／ｃｍでは８０％も向上した。蛍光層の膜厚が増加す
るに伴って、ＭＴＦの向上率は低くなったが、膜厚が２
０００ミクロンの場合でも、従来と同程度のＭＴＦ特性
が得られた。

又、Ｘ線に対する入力面の吸収効率が向上した結果、Ｘ
線イメージインテンシファイアの画像のノイズは著しく
減少した。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はこの発明の一実施例に係るＸ線イメ
ージインテンシファイアにおける入力面を示す断面図と
平面図、第３図は第１図の入力面における凹凸パターン
を示す平面図、第４図乃至第９図はこの発明の変形例を
示す平面図と断面図、第１０図及び第１１図はこの発明
の他の実施例に係るＸ線イメージインテンシファイアに
おける入力面を示す断面図と平面図、第１２図は第１Ｏ
図の入力面における凹凸パターンを示す平面図、第１３
図乃至第１８図は他の実施例の変形例を示す平面図と概
略断面図、第１９図は一般的なＸ線イメージインテンシ
ファイアを示す概略断面図、第２０図乃至第２５図は従
来のＸ線イメージインテンシファイアにおける入力面を
示す断面図と平面図である。２１、１０１・・・入力基板、２２、１０２・・・凹凸パターン、２３、１０３・・・光反射層、　　２４．１０４・・・
蛍光層、２６、１０６・・・光電面、３１、４１．６１．７１．８１．９１・・・溝３２、４
２．４０２．６０２．７０２．８０２．９０２・・・隙
間、４０１、６０１．７０１．８０１．９０１・・・堤
。代理人　弁理士　則　近　憲　佑同　　　　竹　花　喜久男一詞一第１４図第１５図第　１６図第１７図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）真空外囲器内の入力側に、入力基板に蛍光層と光
電面を順次形成した入力面が設けられてなるＸ線イメー
ジインテンシフアイアにおいて、上記入力基板の上記蛍
光層側の表面が、不連続な微細な凹凸パターンに形成さ
れてなり、且つこの凹凸パターンの凸部が凹部によって
完全には区画されていないことを特徴とするＸ線イメー
ジインテンシフアイア。
（２）上記凹凸パターンの凸部が溝状の凹部によって形
成してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のＸ線イメージインテンシフアイア。
（３）上記蛍光層は、上記凹凸パターンの凹部に対応し
て形成された隙間を有することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のＸ線イメージインテンシフアイア。
（４）上記蛍光層は、上記凹凸パターンの凹部に対応し
、且つ上記蛍光層の全膜厚に亙って隙間が形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線イ
メージインテンシフアイア。
（５）上記凹凸パターンの凹部が堤状の凸部によって形
成してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のＸ線イメージインテンシフアイア。
（６）上記蛍光層は前記凹凸パターンの堤状の凸部に対
応して形成された隙間を有することを特徴とする特許請
求の範囲第５項記載のＸ線イメージインテンシフアイア
。
（７）上記蛍光層は前記凹凸パターンの堤状の凸部に対
応し且つ、前記蛍光層の全膜厚に亙って、隙間が形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の
Ｘ線イメージインテンシフアイア。
（８）上記蛍光層と上記光電面との間に透明導電膜が形
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のＸ線イメージインテンシフアイア。
（９）上記凹凸パターンと上記蛍光層の間に光反射コー
ティング層を有することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のＸ線イメージインテンシフアイア。
（１０）上記蛍光層は沃化セシウムを母体とする蛍光層
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ
線イメージインテンシフアイア。
（１１）上記蛍光層の膜厚は２００ミクロン乃至２００
０ミクロンの範囲にあることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のＸ線イメージインテンシフアイア。