JPH01106390A - メモリーカートリッジ - Google Patents

メモリーカートリッジ

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Publication number
JPH01106390A
JPH01106390A JP62263430A JP26343087A JPH01106390A JP H01106390 A JPH01106390 A JP H01106390A JP 62263430 A JP62263430 A JP 62263430A JP 26343087 A JP26343087 A JP 26343087A JP H01106390 A JPH01106390 A JP H01106390A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
memory
external connection
electrode
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62263430A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuji Kondo
修司 近藤
Yoshihisa Takase
高瀬 喜久
Daizo Ando
安藤 大蔵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP62263430A priority Critical patent/JPH01106390A/ja
Publication of JPH01106390A publication Critical patent/JPH01106390A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はメモリーLSI等の半導体チップを用いて構成
した半導体記録媒体、所謂メモリーカートリッジに関す
るものである。
従来の技術 メモリーカートリッジと通称させる。メモリー半導体素
子を用いた記録媒体が、従来の磁気ディスクあるいは磁
気テープを用いた記録媒体に比較して、外部環境条件か
ら受ける影響が少ないなど信頼性が高く、小型化が容易
であることから、近年新しい記録媒体として注目されて
いる。
このメモリーカートリッジは、フラットパッケージなど
小型パッケージを用いたメモリーLSI(スタティクR
AM、マスクROM、1!:FROM。
ICICPROM等)をプリント基板などの配線基板上
に実装する、あるいはメモリーLSIチップを直接配線
基板上に搭載した所謂COB (Chip 0nBoa
rd )法等で実装後、一般にICカードサイズと呼ば
れる寸法(85,618X5411B、厚さは3編前後
)の、接続用電極端子(コネクター)を持ったケースに
収納した構成とすることが多い。
発明が解決しようとする問題点 このようなメモリーカートリッジの大容量メモリー化は
、メモリーLSIを極数側カートリッジ内に収納した構
成としているが、メモリーLSIの発展に伴い大容量メ
モリーLSIの開発がなされており、メモリーカートリ
ッジにおいても1チップあるいは1パツケージのメモリ
ーLSIのみを搭載した構成のカートリッジに対する要
望も多く、用途も拡大している。
また前記メモリーカートリッジのうち、スタティクRA
Mを用いたメモリーカートリッジについては、その機能
上メモリー保持用のバッテリーをカートリッジでは、よ
りコンパクトで堅牢な構造のものが求められている。
しかし従来のメモリーカートリッジの基本構成は、 (1)  プリント基板等の配線基板にメモリーLSI
を搭載実装する。
(2)配線基板の一端に外部接続用端子(コネクター)
を形成する。
(3)上記配線基板をケース内に実装収納する。
からなる構成のため、製造工数が多くまたカートリッジ
自体を小型化することに対しても制約があった。
本発明は1チツプ型メモリーカートリツジの構造であり
、従来の1チツプ(1パツケージ)搭載型メモリーカー
トリッジに比較して、小型堅ヰな構造を有すると共に、
簡素な構造とすることにより製造が容易なメモリーカー
トリッジを提供することを目的としたものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明は、メモリーLSI
を電極配線金属板(通常リードフレームと呼ばれている
もの、以下リードフレーム称す)上に搭載し、メモリー
LSIの電極端子とリードフレームの一端とを電気的に
接続し、リードフレームの他端部の一面のみを露出させ
、メモリーLSIを含むリードフレームの他の部位全域
を樹脂成型し、リードフレームの露出面を外部接続用電
極端子とする構造としたものである。
作用 上述のように本発明のメモリーカートリッジはその構成
がシンプルで、また製造工程が通常のIC。
LSIの組み立て製造工程と概略同一であり、製造工程
の自動化が容易にできるなど、低コストなメモリーカー
トリッジの提供が可能となる。
実施例 以下、本発明の実施例を添付の図面を用いて説明する。
第1図a、bは本発明のメモリーカートリッジの全体構
造及び局部的に内部構造を示した斜視図、及び開部分拡
大図、第2図、第3図は同平面図、第4図は側断面図で
ある。なお各図面はいずれも説明の都合上任意な寸法比
で示しである。また第3図はこれも説明の都合上内部の
配線パターン等を透過図で示している。
本発明のメモリーカートリッジは従来のメモリーカート
リッジの構成とは異なり1通常IO。
し LSIの組み立て実装に用でいるリードフレームと、基
本的には同一構造のリードフレームを用いた構成である
即ち第1図、第2図に示すように、メモリーLSIチッ
プ(以下単にLSIチップとする)1を載置するグイパ
ッド2の周辺には、LSIチップ1の電極端子(図示せ
ず)と電気的に接続するためのリードフレーム電極端子
3,3′が設けてあり、LSIチップ1の電極端子とは
接続ワイヤー4.4’等で電極間の相互接続を行ってい
る。
なお、本発明の図ではLSIチップ1の電極端子とリー
ドフレーム電極端子3の接続は、接続ワイヤー4を用い
た所謂ワイヤーボンド法による接続例で示しているが、
同接続は図示例に限定されるものではなく、LSIチッ
プの電極上に突起電極を予め形成しておき、同突起電極
とリードフレムの電極端子を直接接続する。所謂ダイレ
クトボンディング法による接続、あるいはLSIチップ
の電極端子と、リードフレームの電極端子間に導電性材
料(例えば異方導電性ゴムなど)を介在させ、LSIチ
ップをリードフレームの電極端子に圧接固定させて電極
端子間を接続する方法などで接続を行ってもよい。
リードフレーム電極端子3.3′の他端は図示するよう
に外部接続用電極リード6.6′として一方向に整列配
置した構造になっている。
第3図はLSIチップを搭載、電極接続後のリードフレ
ームの樹脂モールド成型後の平面略図であシ、また第4
図は樹脂モールド成型後の本発明のメモリーカートリッ
ジの断面構造を示す略図である。
第3図、第4図および第1図の斜視図に示すように、外
部接続用電極リード6.6′以外のリードフレーム及び
LSIチップをモールド樹脂6で樹脂成型することによ
シ、メモリーカートリッジのパッケージ7を構成する。
この時、リードフレームの外部接続用電極リード5.5
′は外部機器(図示せず)との接続接触面8.8′のみ
を表面に露出させ、外部接続用電極リード6.5′の他
の三辺面9,10.11はモールド樹脂6内に埋設固定
した構造で形成して有り、外部接続用電極リード6.5
′群の相対位置を固定保持している。
以上の構成によりLSIチップ1をモールド樹脂6内に
埋設保護したパッケージとすると共に、同パッケージの
一端には同LSIチップ1に接続されたリードフレーム
の一部である。外部接続用電極リード6.5′群の接続
接触面8.8′が外部接続用電極端子群12.12’と
して露出形成した構造のメモリーカートリッジとするこ
とができる。
発明の効果 以上のように本発明の1チツプ型のメモリーカートリッ
ジは、その構造がシンプルであり、またメモリー用LS
Iチップをカートリッジ中央部に樹脂成型で埋設した強
固構造を有しているなど、信頼性の高いメモリーカート
リッジを容易に量産できるため、高品質のメモリーカー
トリッジを安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図a、bは本発明のメモリーカートリッジの全体構
造及び局部的に内部構造を示した斜視図、及び同部分拡
大図、第2図は本発明に用いたリードフレーム形状の平
面図、第3図は本発明の平面図、第4図は側断面図であ
る。 1・・・・・・メモリーLSIチップ、2・・・・・・
LSIチップ搭載用ダイパッド、3.3′・・・・・・
リードフレーム電極端子、4.4′・・・・・・電極間
相互接続用ワイヤー、5.5’・・・・・・リードフレ
ームの外部接続電極リード、6・・・・・・成型用モー
ルド樹脂、7・・・・・・パッケージ本体、8.8′・
・・・・・外部接続用接触電極面、9,10.11・・
・・・・外部接続用電極リードの他辺面、12.12’
・・・・・・外部接続用電極端子群。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第4

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  メモリーLSI等の半導体チップの電極と電気的な接
    続結合を行ったリードフレームと、上記半導体チップ及
    びリードフレームをモールド樹脂内に埋設成型し、上記
    半導体チップの電極と電気的に接続結合したリードフレ
    ームの他端部を整列配置するとともに、その一主面のみ
    を局部的に前記モールド樹脂の表面部に露出させて、外
    部接続用電極としたメモリーカートリッジ。
JP62263430A 1987-10-19 1987-10-19 メモリーカートリッジ Pending JPH01106390A (ja)

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JP62263430A JPH01106390A (ja) 1987-10-19 1987-10-19 メモリーカートリッジ

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JPH01106390A true JPH01106390A (ja) 1989-04-24

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