JPH01106427A - マスクとウエハの位置ずれ検出方法 - Google Patents
マスクとウエハの位置ずれ検出方法Info
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- JPH01106427A JPH01106427A JP62264599A JP26459987A JPH01106427A JP H01106427 A JPH01106427 A JP H01106427A JP 62264599 A JP62264599 A JP 62264599A JP 26459987 A JP26459987 A JP 26459987A JP H01106427 A JPH01106427 A JP H01106427A
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- JP
- Japan
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- wafer
- mask
- detector
- laser beams
- signal
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスクとウェハの位置ずれ検出方法、〔技術環
境〕 近年の半導体はＤＲＡＭに代表されるように高集化が進
む傾向にあり、超ＬＳＩのパターンの最小線幅もミクロ
ンからサブミクロンの領域へ突入しようとしている。こ
のような状況において、従来の紫外線のＦＭ、１ｉｌｉ
ｌｔ用いた光学式の半導体露光製蓋では、光の波長によ
る解像度の限界が０．５μｍ程度と言われているので、
０．５μｍ以下のパターンに対応できる次世代の露光装
置が強く望まれている。この次世代の露光装置として、
現在ｘｍｇ光装置が有望視されておシ、研究、開発が進
められている。
境〕 近年の半導体はＤＲＡＭに代表されるように高集化が進
む傾向にあり、超ＬＳＩのパターンの最小線幅もミクロ
ンからサブミクロンの領域へ突入しようとしている。こ
のような状況において、従来の紫外線のＦＭ、１ｉｌｉ
ｌｔ用いた光学式の半導体露光製蓋では、光の波長によ
る解像度の限界が０．５μｍ程度と言われているので、
０．５μｍ以下のパターンに対応できる次世代の露光装
置が強く望まれている。この次世代の露光装置として、
現在ｘｍｇ光装置が有望視されておシ、研究、開発が進
められている。
従来の技術としては、例えば１日経マイクロデバイス１
９８６年４月号等に紹介されている米マイクロニクス社
のＸ線ステッパ［ＭＸ−１６００４がある。
９８６年４月号等に紹介されている米マイクロニクス社
のＸ線ステッパ［ＭＸ−１６００４がある。
β［Ｘ−１６００４におけるマスクとウェハのアライメ
ントは、マスク用マークとしてリニアフレネルゾーンプ
レー） （ＬＦＺＰ）と呼ばれる°光の回折を利用した
集光Ｖアズを用い、ウェハ用マークとして線状回折格子
を用いて行う。このアライメント方法についてはＢ、Ｆ
ａｙ等によ５ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＶａｃｕｕｍ ８ｃ
ｉｅｎｃｅ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＶｏｌ。
ントは、マスク用マークとしてリニアフレネルゾーンプ
レー） （ＬＦＺＰ）と呼ばれる°光の回折を利用した
集光Ｖアズを用い、ウェハ用マークとして線状回折格子
を用いて行う。このアライメント方法についてはＢ、Ｆ
ａｙ等によ５ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＶａｃｕｕｍ ８ｃ
ｉｅｎｃｅ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＶｏｌ。
１６（６）ｐｌ）、１９５４−１９５８．Ｎｏｖ／Ｄｅ
ｃ １９７９の０ｐｔｉｃａｌ Ａｌｇｎｍｅｎｔ
Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｓｕ −ｂｍｉｃｒｏｎ
Ｘ−ｒａｙ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”に報告されて
いる。ここでその原理について図面を参照して説明する
。
ｃ １９７９の０ｐｔｉｃａｌ Ａｌｇｎｍｅｎｔ
Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｓｕ −ｂｍｉｃｒｏｎ
Ｘ−ｒａｙ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”に報告されて
いる。ここでその原理について図面を参照して説明する
。
第５図はＬＰＺＰ ｔ−用いたアライメント方法を示す
説明図である。ウェハ１６には回折格子１７が刻印され
ていて、ウェハ１６の上には所定のギャップだけ離れて
マスク１８が対向している。マスク１８には焦点距離が
マスクとウェハのギャップ量に等しいＬＦＺＰ１９が描
かれている。第６図（ａ）はマスク用マークのＬＦＺＰ
の構造を示す平面図である。ＬＦＺＰはいろいろ女幅や
間隔の縞が並んだの縞は透明であるが、その反対の構成
も可能である。また、第６図（ｂ）はウェハ用マークの
回折格子を示す平面図である０回折格子は大きさの等し
い長刀形が等間隔に並んだ構造になっていて、回折格子
のピッチＰによって回折角度が決まる。
説明図である。ウェハ１６には回折格子１７が刻印され
ていて、ウェハ１６の上には所定のギャップだけ離れて
マスク１８が対向している。マスク１８には焦点距離が
マスクとウェハのギャップ量に等しいＬＦＺＰ１９が描
かれている。第６図（ａ）はマスク用マークのＬＦＺＰ
の構造を示す平面図である。ＬＦＺＰはいろいろ女幅や
間隔の縞が並んだの縞は透明であるが、その反対の構成
も可能である。また、第６図（ｂ）はウェハ用マークの
回折格子を示す平面図である０回折格子は大きさの等し
い長刀形が等間隔に並んだ構造になっていて、回折格子
のピッチＰによって回折角度が決まる。
第５図においてマスク１８の上方から入射された平行レ
ーザビーム２０はＬＦＺＰ１９にょシ集光され、ウェハ
１６面上で焦点を結びスリット状の像をつくる。この績
像したスリットとウニへ面上の回折格子１７が一直線上
に重なると、レーザビームは回折し、再びＬＦＺＰ１９
ｔ−通〕平行光となってアライメント信号として検出さ
れる。
ーザビーム２０はＬＦＺＰ１９にょシ集光され、ウェハ
１６面上で焦点を結びスリット状の像をつくる。この績
像したスリットとウニへ面上の回折格子１７が一直線上
に重なると、レーザビームは回折し、再びＬＦＺＰ１９
ｔ−通〕平行光となってアライメント信号として検出さ
れる。
第７図は、特開昭５５−４３５９８に示されている従来
のＬＦＺＰによるアライメント法を用いた自動重ね合せ
装置を示す斜視図である。
のＬＦＺＰによるアライメント法を用いた自動重ね合せ
装置を示す斜視図である。
第７図に示す自動重ね合せ装置は、テーブル２１と、テ
ーブル２１ｔ−ｘ方向に移動させる圧電変換器２２と、
テーブル２１に搭載され予め回折格子１７が刻印されて
いるウェハ１ｇとりウェハ１６に数１０μｍ隔て０．向
して配置され予めＬＦＺＰ１９・１ が描かれているマスク１８とを含んでいる。
ーブル２１ｔ−ｘ方向に移動させる圧電変換器２２と、
テーブル２１に搭載され予め回折格子１７が刻印されて
いるウェハ１ｇとりウェハ１６に数１０μｍ隔て０．向
して配置され予めＬＦＺＰ１９・１ が描かれているマスク１８とを含んでいる。
レーザ光源２３から放出された平行レーザビームはレン
ズ２４によシ集光され、ジェネレータ２５によフ励起さ
れるモータ２６によって駆動される振動ミラー２７によ
って反射され、レンズ２８ｔ−通過し、マスク１８上の
ＬＦＺＰ１９を照射する。
ズ２４によシ集光され、ジェネレータ２５によフ励起さ
れるモータ２６によって駆動される振動ミラー２７によ
って反射され、レンズ２８ｔ−通過し、マスク１８上の
ＬＦＺＰ１９を照射する。
レンズ２８に関して振動ミラー２７上での照射位置とマ
スク１８上での照射位置は対になっている。さらに、レ
ンズ２４とレンズ２８は無限焦点光学系を構成している
。したがって、振動ミラー２７はよってマスク１８への
レーザビームの入射角を変えることができ、第５図に示
すように、ＬＰ−ＺＰ１９によって集光されたビームは
ウェハ１６上を走査する。
スク１８上での照射位置は対になっている。さらに、レ
ンズ２４とレンズ２８は無限焦点光学系を構成している
。したがって、振動ミラー２７はよってマスク１８への
レーザビームの入射角を変えることができ、第５図に示
すように、ＬＰ−ＺＰ１９によって集光されたビームは
ウェハ１６上を走査する。
ウェハ１６上の回折格子１７からの回折光は入射光とは
空間的に分離され、検出器２９によって検出される。
空間的に分離され、検出器２９によって検出される。
検出器２９からの信号とジェネレータ２５からの信号は
位相検波器３０に入力され、２つの信号の位相差を検出
するヒ）によ）位置ずれ信号ｈｔ−１−人） 得る。この位置ずれ信号りは圧電変換器の電力源３１に
入力され、位置ずれに従ってステージを移動させ、マス
ク１８とウェハ１６の重ね合せを行う。
位相検波器３０に入力され、２つの信号の位相差を検出
するヒ）によ）位置ずれ信号ｈｔ−１−人） 得る。この位置ずれ信号りは圧電変換器の電力源３１に
入力され、位置ずれに従ってステージを移動させ、マス
ク１８とウェハ１６の重ね合せを行う。
以上のような、光学系および制御系を構成することによ
り、閉ループ自動重ね合せ装置が実現できる。前述のＸ
線ステッパｒＭＸ １６００Ｊでは、このような光学系
が４チャンネル備えられていて、３チヤンネルでｘｙθ
方向ずれ量の検出を行い、残〕の１チヤンネルで転写倍
率の補正全行っている。
り、閉ループ自動重ね合せ装置が実現できる。前述のＸ
線ステッパｒＭＸ １６００Ｊでは、このような光学系
が４チャンネル備えられていて、３チヤンネルでｘｙθ
方向ずれ量の検出を行い、残〕の１チヤンネルで転写倍
率の補正全行っている。
上述した従来のマスクとウェハの位置ずれ検出方法は、
２枚のレンズと振動ミラーを含む光学系が必要なので高
価になるという欠点があった。また、検出器からの信号
と振励ミラーの駆動信号を位相検波して位置ずれ信号を
得るため、位置ずれ信号のサンプリング周波数は振動ミ
ラーの周波数によって決ってしまうので、サンプリング
周波数が低くなるという欠点がちった。 ゛〔問題点
を解決するための手段〕 本発明のマスクとウェハの位置ずれ検出方法は、マスク
とウェハを対向して設置し、前記マスク上にリニアフレ
ネルゾーンプレートを設け、前記ウェハ上に線状回折格
子を設け、前記リニアフレネルゾーンプレートに互いに
入射角度の異なる２光束の平行レーザ光を照射し、前記
線状回折格子からの反射回折光を第１と第２の検出器で
検出し。
２枚のレンズと振動ミラーを含む光学系が必要なので高
価になるという欠点があった。また、検出器からの信号
と振励ミラーの駆動信号を位相検波して位置ずれ信号を
得るため、位置ずれ信号のサンプリング周波数は振動ミ
ラーの周波数によって決ってしまうので、サンプリング
周波数が低くなるという欠点がちった。 ゛〔問題点
を解決するための手段〕 本発明のマスクとウェハの位置ずれ検出方法は、マスク
とウェハを対向して設置し、前記マスク上にリニアフレ
ネルゾーンプレートを設け、前記ウェハ上に線状回折格
子を設け、前記リニアフレネルゾーンプレートに互いに
入射角度の異なる２光束の平行レーザ光を照射し、前記
線状回折格子からの反射回折光を第１と第２の検出器で
検出し。
前記第１と第２の検出器の出力の差を求めることとを含
んで構成される。
んで構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
第１図に示すマスクとウェハの位置ずれ検出万一法は、
マスク１とウェハ２を所定のギャップＳだけ隔てて設置
し、マスク１上に焦点距離がギャップ３に等しいＩ、Ｆ
ＺＰ３ を設け、ウェハ２上に回折格子４を設ける。レ
ーザ光源５から放出された平行−ム７およびレーザビー
ム８に分け、前記第１のレーザビーム７と前記＠２のレ
ーザビーム８を互いに共役な入射角度θでマスク１上の
ＬＦＺＰ３に照射し、ウェハ２上の回折格子４によって
反射回折され九レーザビーム７を検出器９で検出し、ウ
ェハ２上の回折格子４によって反射回折されたレーザビ
ーム８を検出器１ｏで検出し、検出器９および検出器ｌ
Ｏの出力の差を求めることを含んで構成される。
マスク１とウェハ２を所定のギャップＳだけ隔てて設置
し、マスク１上に焦点距離がギャップ３に等しいＩ、Ｆ
ＺＰ３ を設け、ウェハ２上に回折格子４を設ける。レ
ーザ光源５から放出された平行−ム７およびレーザビー
ム８に分け、前記第１のレーザビーム７と前記＠２のレ
ーザビーム８を互いに共役な入射角度θでマスク１上の
ＬＦＺＰ３に照射し、ウェハ２上の回折格子４によって
反射回折され九レーザビーム７を検出器９で検出し、ウ
ェハ２上の回折格子４によって反射回折されたレーザビ
ーム８を検出器１ｏで検出し、検出器９および検出器ｌ
Ｏの出力の差を求めることを含んで構成される。
第２図は第１図に示すマスクとウェハの位置ずれ検出方
法におけるＬＦＺＰ３によって集光されたレーザビーム
を示す断面図である。
法におけるＬＦＺＰ３によって集光されたレーザビーム
を示す断面図である。
入射角θでマスクｌ上のＬＦＺＰ３に照射されたレーザ
ビーム７は、マスク１からギャップ３だけ離れたところ
にあるウェハ２上に集光されスポット金形成する。同様
にレーザビーム７と共役な入射角で前記ＬＦＺＰ３に照
射されたレーザビーム８はウェハ２に結像スポラトラ形
成する。この両者の結像スポット間の距離ΔＤは、ΔＤ
＝２８ ｓ ｉ ｎ＃で表わされる。
ビーム７は、マスク１からギャップ３だけ離れたところ
にあるウェハ２上に集光されスポット金形成する。同様
にレーザビーム７と共役な入射角で前記ＬＦＺＰ３に照
射されたレーザビーム８はウェハ２に結像スポラトラ形
成する。この両者の結像スポット間の距離ΔＤは、ΔＤ
＝２８ ｓ ｉ ｎ＃で表わされる。
回折格子４０幅ｄと結像スポット間の距離ΔＤはほぼ等
しくなるように回折格子４の幅ｄや入射角θを設計する
。
しくなるように回折格子４の幅ｄや入射角θを設計する
。
第３図は第１図に示すマスクとウェハの位置ずれ検出方
法における信号処理系を示すブロック図であ）、ウェハ
２上の回折格子４により反射回折されたレーザビーム７
を検出する検出器９と、ウェハ２上の回折格子４によフ
反射回折されたレーザビーム８を検出する検出器１０と
、検出器の出力ａｆ増幅しセンス信号Ｃを発生するアン
プ１１と、検出器１０の出力ｂｆｔ増幅し七ンス信号ｄ
ｔ−発生するアンプ１２と、センス信号ｄから第１のセ
ンス信号Ｃを減算し位置ずれ信号ｅを発生する減算器１
３と、センス信号Ｃとのセンス信号ｄを加算し参照信号
ｆを発生する加算器１４と１位置ずれ信号ｅｆ参照信号
ｆで除算し正規化された位置ずれ信号ｇを発生する除算
器１５を含んで構成第４図（ａ） ｌｊ：マスク１とウ
ェハ２の軸Ｘの方向の位置ずれと検出器９の出力ａおよ
び検出器１０の出力すの関係を示すグラフである。
法における信号処理系を示すブロック図であ）、ウェハ
２上の回折格子４により反射回折されたレーザビーム７
を検出する検出器９と、ウェハ２上の回折格子４によフ
反射回折されたレーザビーム８を検出する検出器１０と
、検出器の出力ａｆ増幅しセンス信号Ｃを発生するアン
プ１１と、検出器１０の出力ｂｆｔ増幅し七ンス信号ｄ
ｔ−発生するアンプ１２と、センス信号ｄから第１のセ
ンス信号Ｃを減算し位置ずれ信号ｅを発生する減算器１
３と、センス信号Ｃとのセンス信号ｄを加算し参照信号
ｆを発生する加算器１４と１位置ずれ信号ｅｆ参照信号
ｆで除算し正規化された位置ずれ信号ｇを発生する除算
器１５を含んで構成第４図（ａ） ｌｊ：マスク１とウ
ェハ２の軸Ｘの方向の位置ずれと検出器９の出力ａおよ
び検出器１０の出力すの関係を示すグラフである。
マスク１上のＬＦＺＰ３によって集光されたレーザビー
ムがウェハ２上の回折格子４に重なるとき反射回折光強
度は最大となり検出器の出力も最大となるが、検出器９
によって検出されるレーザビーム７がウェハ２上に形成
するスポットと検出器１０によって検出されるレーザビ
ーム８がウェハ２上に形成するスポットは軸Ｘの方向に
距離ΔＤだけ離れているため、検出器９の出力ａと検出
器１０の出力すは空間的に位相差ΔＤｔ−生じる。
ムがウェハ２上の回折格子４に重なるとき反射回折光強
度は最大となり検出器の出力も最大となるが、検出器９
によって検出されるレーザビーム７がウェハ２上に形成
するスポットと検出器１０によって検出されるレーザビ
ーム８がウェハ２上に形成するスポットは軸Ｘの方向に
距離ΔＤだけ離れているため、検出器９の出力ａと検出
器１０の出力すは空間的に位相差ΔＤｔ−生じる。
したがって、検出器９の出力ａと検出器１０の出力すは
位相差ΔＤ＝ｉもって相等しい波形を描き、位置すれが
Ｏになったとき２つの波形は交叉する。
位相差ΔＤ＝ｉもって相等しい波形を描き、位置すれが
Ｏになったとき２つの波形は交叉する。
検出器９の出力ａ〉よび検出器１０の出力すはアンプ１
１：ｔ？よびアンプ１２によって必要な信号強度まで増
幅される。
１：ｔ？よびアンプ１２によって必要な信号強度まで増
幅される。
状の波形が得られ、位置ずれの０点近傍では直線性が良
く、マスク１とウェハ２の位置ずれ士に比例した信号に
なっているので、閉ループ自動重ね合せのサーボ系が構
成できる。位置ずれの検出範囲は最大でスポット間距離
ΔＤに等しい。
く、マスク１とウェハ２の位置ずれ士に比例した信号に
なっているので、閉ループ自動重ね合せのサーボ系が構
成できる。位置ずれの検出範囲は最大でスポット間距離
ΔＤに等しい。
検出器９の出力ａおよび検出器１０の出力すの信号強度
はマスク１とウェハ２のギャップずれやレジスト等の影
響によって変化するが、減算器１３で得られた位置ずれ
信号ｅｔ−除算器１５で正規化しているので、位置ずれ
信号の０点近傍での傾き、すなわち位置ずれに対する惑
星が変化することはない。
はマスク１とウェハ２のギャップずれやレジスト等の影
響によって変化するが、減算器１３で得られた位置ずれ
信号ｅｔ−除算器１５で正規化しているので、位置ずれ
信号の０点近傍での傾き、すなわち位置ずれに対する惑
星が変化することはない。
したがって、本信号処理系で得られる正規化された位置
ずれ信号ｇを用いてサーボ系１に構成することにより、
ギャップずれやレジスト等の影響による信号強度の変動
によるサーボゲインの変化がなく碌）、安定したサーボ
系が実現できる。まえ、ボし１いる。 ／ 〔発明の効果〕 本発明のマスクとウェハの位置ずれ検出方法は、２枚の
レンズと振動ミラーを用いてレーザビームを走査し位置
ずれ信号を得る代りに、２方向からレーザビームを照射
しそれぞれの反射回折光強度の差をとって位置ずれ信号
を得ることによ）、２枚のレンズと振動ミラーを含む光
学系が不要になるため、装置が簡単になり、安価になる
という効果がある。
ずれ信号ｇを用いてサーボ系１に構成することにより、
ギャップずれやレジスト等の影響による信号強度の変動
によるサーボゲインの変化がなく碌）、安定したサーボ
系が実現できる。まえ、ボし１いる。 ／ 〔発明の効果〕 本発明のマスクとウェハの位置ずれ検出方法は、２枚の
レンズと振動ミラーを用いてレーザビームを走査し位置
ずれ信号を得る代りに、２方向からレーザビームを照射
しそれぞれの反射回折光強度の差をとって位置ずれ信号
を得ることによ）、２枚のレンズと振動ミラーを含む光
学系が不要になるため、装置が簡単になり、安価になる
という効果がある。
また、振動ミ２−の周波数に影響されずに、位置ずれ検
出のサンプリング周波数を上げることができるという効
果がある。
出のサンプリング周波数を上げることができるという効
果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は第１
図に示すマスクとウェハの位置ずれ検出方法におけるＬ
ＦＺＰによって集光されたレーザビームを示す断面図、
第３図は信号処理系を示すブー′／ 示すグラフ、第５図は従来の７２イメント方法を示す説
明図、第６図（ａ）はＬＦＺＰの構造を示す平面図、第
６図（ｂ）は回折格子の構造を示す平面図、第７図は従
来のアライメント方法を用いた自動重ね合せ装置を示す
斜視図である。 １．１８・・・・・・マスク、２，１．１６・・・・・
・ウェハ。 ３．１９・・・・・・ＬＦＺＰ、４．１７・・・・・・
回折格子、５゜２３・・・・・・レーザ光源、６・・・
・・・ハーフミラ−１７・・・・・・レーザビーム、８
・・・・・・レーザビーム、９・・・・・・検出器、１
０・・・・・・検出器、１３・・・・・・減算器、１４
・・・・・・加算器、１５・・・・・・除算器、２４・
・・・・・レンズ。 ２５・・・・・・ジェネレータ、２７・・・・・・振動
ミラー、公・・・・・・レンズ、３０・・・・・・位相
検波器。 代理人 弁理士 内 原 音 万１回 ４日Ｍｒ格ｊ 箭３回 肩！５回 第２＠ （（１） ’（の′！Ｊ７回
図に示すマスクとウェハの位置ずれ検出方法におけるＬ
ＦＺＰによって集光されたレーザビームを示す断面図、
第３図は信号処理系を示すブー′／ 示すグラフ、第５図は従来の７２イメント方法を示す説
明図、第６図（ａ）はＬＦＺＰの構造を示す平面図、第
６図（ｂ）は回折格子の構造を示す平面図、第７図は従
来のアライメント方法を用いた自動重ね合せ装置を示す
斜視図である。 １．１８・・・・・・マスク、２，１．１６・・・・・
・ウェハ。 ３．１９・・・・・・ＬＦＺＰ、４．１７・・・・・・
回折格子、５゜２３・・・・・・レーザ光源、６・・・
・・・ハーフミラ−１７・・・・・・レーザビーム、８
・・・・・・レーザビーム、９・・・・・・検出器、１
０・・・・・・検出器、１３・・・・・・減算器、１４
・・・・・・加算器、１５・・・・・・除算器、２４・
・・・・・レンズ。 ２５・・・・・・ジェネレータ、２７・・・・・・振動
ミラー、公・・・・・・レンズ、３０・・・・・・位相
検波器。 代理人 弁理士 内 原 音 万１回 ４日Ｍｒ格ｊ 箭３回 肩！５回 第２＠ （（１） ’（の′！Ｊ７回
Claims (1)
- マスクとウェハを対向して設置し、前記マスク上にリ
ニアフレネルゾーンプレートを設け、前記ウェハ上に線
状回折格子を設け、前記リニアフレネルゾーンプレート
に互いに入射角度の異なる２光束の平行レーザ光を照射
し、前記線状回折格子からの反射回折光を第１と第２の
検出器で検出し、前記第１と第２の検出器の出力の差を
求めることを特徴とするマスクとウェハの位置ずれ検出
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264599A JPH01106427A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マスクとウエハの位置ずれ検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264599A JPH01106427A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マスクとウエハの位置ずれ検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106427A true JPH01106427A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17405549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62264599A Pending JPH01106427A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マスクとウエハの位置ずれ検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01106427A (ja) |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP62264599A patent/JPH01106427A/ja active Pending
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