JPH01108382A - プラズマ気相成長装置 - Google Patents
プラズマ気相成長装置Info
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- JPH01108382A JPH01108382A JP26608187A JP26608187A JPH01108382A JP H01108382 A JPH01108382 A JP H01108382A JP 26608187 A JP26608187 A JP 26608187A JP 26608187 A JP26608187 A JP 26608187A JP H01108382 A JPH01108382 A JP H01108382A
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- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマエネルギーを用いた気相成長装置に関
し、特に均一性の優れた気相成長装置に関する。
し、特に均一性の優れた気相成長装置に関する。
従来、この種のプラズマ気相成長装置の電極は形状が固
定化されていた。プラズマを利用して膜を形成するプラ
ズマ気相成長装置であっても、電極形状が固定化されて
いるために、プラズマ電力の分布、即ち電極内プラズマ
電力密度を任意に調整することはできない。
定化されていた。プラズマを利用して膜を形成するプラ
ズマ気相成長装置であっても、電極形状が固定化されて
いるために、プラズマ電力の分布、即ち電極内プラズマ
電力密度を任意に調整することはできない。
上述した従来のプラズマ気相成長装置では、成膜特性が
バラツキを生じた場合、成膜のバラツキに合せて反応ガ
スの流量、流速、ガス流方向などを変え、また必要に応
じて成長温度等を変化させ。
バラツキを生じた場合、成膜のバラツキに合せて反応ガ
スの流量、流速、ガス流方向などを変え、また必要に応
じて成長温度等を変化させ。
成膜特性の均一化を図るのが一般的に行われている。し
かし、プラズマ電力の電極内密塵、分布自体は調節でき
ないために、成膜特性の均一化は手段が限られ、必ずし
も十分な均一性は得られないという欠点がある。
かし、プラズマ電力の電極内密塵、分布自体は調節でき
ないために、成膜特性の均一化は手段が限られ、必ずし
も十分な均一性は得られないという欠点がある。
本発明の目的は前記問題点を解消したプラズマ気相成長
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
電極間距離の短い部分は一般に電力密度が高く、電極間
距離゛の長い部分では一般に電力密度が低くなる。上述
した従来のプラズマ気相成長装置では、電極間距離は電
極全面にわたり一定であり、電力密度を電極内で変化す
ることはできないのに対し、本発明のプラズマ気相成長
装置では、電極間距離を電極内で所望の値に変化さセる
ごとができ、したがって、電力密度を電極内で所望の値
に変化させることができるという相違点を有する。
距離゛の長い部分では一般に電力密度が低くなる。上述
した従来のプラズマ気相成長装置では、電極間距離は電
極全面にわたり一定であり、電力密度を電極内で変化す
ることはできないのに対し、本発明のプラズマ気相成長
装置では、電極間距離を電極内で所望の値に変化さセる
ごとができ、したがって、電力密度を電極内で所望の値
に変化させることができるという相違点を有する。
本発明は一対の対向電極を有するプラズマ気相成長装置
において、少なくとも一方の対向電極は分割した複数の
電極ピースの組からなり、各電極ピースをそれぞれ個別
に電極間距離を調整可能に配設したことを特徴とするプ
ラズマ気相成長装置である。
において、少なくとも一方の対向電極は分割した複数の
電極ピースの組からなり、各電極ピースをそれぞれ個別
に電極間距離を調整可能に配設したことを特徴とするプ
ラズマ気相成長装置である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の第１の実施例の説明図である。
サセプタ１１は接地されている０円盤状電極１２は同芯
円上に３つの電極ピース１２Ｂ、１２ｂ、’１２ｃに分
割し、各電極ピース１２ａ、１２ｂ、１２ｅはサセプタ
１１（電極）に対する電極間距離を調整するように上下
動可能に設置し、それぞれＲＦ電源１３に接続しである
。サセプタｌｌ上にはシリコンウェーハ１４が載置され
る。
円上に３つの電極ピース１２Ｂ、１２ｂ、’１２ｃに分
割し、各電極ピース１２ａ、１２ｂ、１２ｅはサセプタ
１１（電極）に対する電極間距離を調整するように上下
動可能に設置し、それぞれＲＦ電源１３に接続しである
。サセプタｌｌ上にはシリコンウェーハ１４が載置され
る。
ウェーハ温度３００℃、成長圧力０．３Ｔｏｒｒ、モノ
シラン流、ｉｉｌｏｏｓｅｃｍ、アンモニア流量４００
ｇｃｃ＋ｍ、 ＲＦ周波数１３．５ＭＨｚ、 ＲＦ電流
２Ａでシリコン窒化膜が形成される。ガス流の反応チャ
ンバー内流速、分布などにもよるが、シリコン窒化膜の
膜厚は±５％程度の均一性は確保されるのが普通であり
、それ以上の均一性を維持することは困難である。最も
典型的なバラツキとしては、電極の内側の膜厚が厚く、
外側が簿い場合がある。
シラン流、ｉｉｌｏｏｓｅｃｍ、アンモニア流量４００
ｇｃｃ＋ｍ、 ＲＦ周波数１３．５ＭＨｚ、 ＲＦ電流
２Ａでシリコン窒化膜が形成される。ガス流の反応チャ
ンバー内流速、分布などにもよるが、シリコン窒化膜の
膜厚は±５％程度の均一性は確保されるのが普通であり
、それ以上の均一性を維持することは困難である。最も
典型的なバラツキとしては、電極の内側の膜厚が厚く、
外側が簿い場合がある。
この場合、ガス流制御だけでは膜厚制御は因業である０
本発明の場合には、例えば内側電極ピース１２ａの電極
間距離を５２ｍ、中心な極ピース１２ｂの電極間距離を
５０■、外側電極ピース１２ｃの電極間距離を４８ｍ５
とすると、外側の電極ピース１２ｃ部分の電力密度は高
くなり、一方向側の電極ピース１２８部分の電力密度は
低くなる。電力密度の増減にともない成膜速度も増減す
る。電極間距離を調節することにより、容易に成膜特性
の均一化を図れる。
本発明の場合には、例えば内側電極ピース１２ａの電極
間距離を５２ｍ、中心な極ピース１２ｂの電極間距離を
５０■、外側電極ピース１２ｃの電極間距離を４８ｍ５
とすると、外側の電極ピース１２ｃ部分の電力密度は高
くなり、一方向側の電極ピース１２８部分の電力密度は
低くなる。電力密度の増減にともない成膜速度も増減す
る。電極間距離を調節することにより、容易に成膜特性
の均一化を図れる。
本実施例ではＲＦが印加される側の電極を移動して電極
間距離を調節したが、接地側の電極（実施例ではサセプ
タ１１）を細分化し、電極間距離を調節してもよい、ま
た、対向電極の双方を細分化し、距離を調節してもよい
のはいうまでもない。
間距離を調節したが、接地側の電極（実施例ではサセプ
タ１１）を細分化し、電極間距離を調節してもよい、ま
た、対向電極の双方を細分化し、距離を調節してもよい
のはいうまでもない。
（実施例２）
第２図は本発明の第２の実施例の説明図である。
第２図（ａ）はＲＦ印加側電極の断面図であり、第２図
（ｂ）は同じく平面図である。第１の実施例では電極形
状は円形であったが１本実施例は四角形の場合の例を示
すものである。
（ｂ）は同じく平面図である。第１の実施例では電極形
状は円形であったが１本実施例は四角形の場合の例を示
すものである。
２１は電極であり、２１ａ、２１ｂ、２１ｅは電極２１
をそれぞれ内側、中間部、外側の部分に分割した電極ピ
ースである。これらの電極ピース２１ａ、２１ｂ、 ２
１ｅは全て同一のＲＦ電源２２に接続され、しかも各電
極ピース２１ａ、 ２１ｂ、 ２１ｅがそれぞれ独立に
移動して電極間距離を調節できる構造となっている。
をそれぞれ内側、中間部、外側の部分に分割した電極ピ
ースである。これらの電極ピース２１ａ、２１ｂ、 ２
１ｅは全て同一のＲＦ電源２２に接続され、しかも各電
極ピース２１ａ、 ２１ｂ、 ２１ｅがそれぞれ独立に
移動して電極間距離を調節できる構造となっている。
（実施例３）
第３図は本発明の第３の実施例の説明図である。
第１，２の実施例が内側、中間部、外側と電極の細分化
を行っていたのに対し、本実施例では電極３１をそれぞ
れ左側、中央部、右側（あるいは手前、中間、奥でもよ
い）の３つの電極ピース３１ａ、 ３１ｂ。
を行っていたのに対し、本実施例では電極３１をそれぞ
れ左側、中央部、右側（あるいは手前、中間、奥でもよ
い）の３つの電極ピース３１ａ、 ３１ｂ。
３１ｃに細分化したものであり、各電極ピース３１ａ。
３１ｂ、 ３１ｃはＲＦ電源３２に接続したものである
。
。
電極の細分化は、必要に応じて細分化の程度を決定すれ
ばよい、電極を２分化するだけでよい場合もあり、また
４分割以上の複雑な細分化が必要とされる場合もある。
ばよい、電極を２分化するだけでよい場合もあり、また
４分割以上の複雑な細分化が必要とされる場合もある。
以上は電極関係についてだけ言及したが、ガス供給系、
排気系、搬送系等他の要素が組み合わされて装置が構成
されることはいうまでもない。
排気系、搬送系等他の要素が組み合わされて装置が構成
されることはいうまでもない。
また、成膜される物質も、シリコン酸化膜、高融点金属
膜、金属シリサイド膜など他の物質でもよいことはいう
までもない。
膜、金属シリサイド膜など他の物質でもよいことはいう
までもない。
以上説明したように本発明は電極間距離を最適に調節す
ることができ、成膜特性の均一化を容易に実現できる。
ることができ、成膜特性の均一化を容易に実現できる。
また、均一な成膜可能領域が拡大するため、処理能力の
向上と経費の節減が期待できる。また。
向上と経費の節減が期待できる。また。
成膜特性の安定化は、本発明の装置を用いて作られた素
子の製造安定化、良品率向上をもたらすなどの効果を有
する。
子の製造安定化、良品率向上をもたらすなどの効果を有
する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を示す断面図、第
１図（ｂ）は開平面図、第２図ωは本発明の第２の実施
例を示す断面図、第２図（ｂ）は同平面図、第３図（ａ
）は本発明の第３の実施例を示す断面図、第３図（ｂ）
は同平面図である。 １１・・・サセプタ
１図（ｂ）は開平面図、第２図ωは本発明の第２の実施
例を示す断面図、第２図（ｂ）は同平面図、第３図（ａ
）は本発明の第３の実施例を示す断面図、第３図（ｂ）
は同平面図である。 １１・・・サセプタ
Claims (1)
- （１）一対の対向電極を有するプラズマ気相成長装置に
おいて、少なくとも一方の対向電極は分割した複数の電
極ピースの組からなり、各電極ピースをそれぞれ個別に
電極間距離を調整可能に配設したことを特徴とするプラ
ズマ気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26608187A JPH01108382A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | プラズマ気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26608187A JPH01108382A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | プラズマ気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108382A true JPH01108382A (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=17426078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26608187A Pending JPH01108382A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | プラズマ気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108382A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007184A3 (en) * | 2000-07-13 | 2002-06-20 | Tokyo Electron Ltd | Adjustable segmented electrode apparatus and method |
| JP2002359203A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 成膜装置、プラズマｃｖｄ装置、成膜方法及びスパッタ装置 |
| EP1122337A3 (en) * | 2000-01-31 | 2003-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming deposited film |
| KR100450978B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2004-10-02 | 주성엔지니어링(주) | 정전척 |
| JP2006165129A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100862686B1 (ko) * | 2007-01-17 | 2008-10-10 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 플라즈마 조절기 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치 |
| US10707059B2 (en) * | 2014-05-09 | 2020-07-07 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Method and device for plasma treatment of substrates |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP26608187A patent/JPH01108382A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1122337A3 (en) * | 2000-01-31 | 2003-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for forming deposited film |
| WO2002007184A3 (en) * | 2000-07-13 | 2002-06-20 | Tokyo Electron Ltd | Adjustable segmented electrode apparatus and method |
| US6916401B2 (en) | 2000-07-13 | 2005-07-12 | Tokyo Electron Limited | Adjustable segmented electrode apparatus and method |
| JP2002359203A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 成膜装置、プラズマｃｖｄ装置、成膜方法及びスパッタ装置 |
| KR100450978B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2004-10-02 | 주성엔지니어링(주) | 정전척 |
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| US10707059B2 (en) * | 2014-05-09 | 2020-07-07 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Method and device for plasma treatment of substrates |
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