JPH01108506A - 埋込式二重屈折形光導波路またはその構造体および製法 - Google Patents
埋込式二重屈折形光導波路またはその構造体および製法Info
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- JPH01108506A JPH01108506A JP63238665A JP23866588A JPH01108506A JP H01108506 A JPH01108506 A JP H01108506A JP 63238665 A JP63238665 A JP 63238665A JP 23866588 A JP23866588 A JP 23866588A JP H01108506 A JPH01108506 A JP H01108506A
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- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/126—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind using polarisation effects
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、埋込式二重屈折形光導波路またはこのような
導波路から成る構造体およびこのような導波路または構
造体の製造方法に関する。
導波路から成る構造体およびこのような導波路または構
造体の製造方法に関する。
到着信号の偏光に依存せずにコヒーレントな光ヘテロゲ
イン受信を行うためには、信号を直角な偏光成分に分割
する能動的光学デバイスが必要である。充分強く二重屈
折する集積光導波路またはこのような導波路から成る構
造体を製造することができて、それにより、任意に偏光
された光を２つの互いに直角に偏光された成分に分割す
ることができる場合には、光学デバイスは集積光学要素
として実施することが出来る。
イン受信を行うためには、信号を直角な偏光成分に分割
する能動的光学デバイスが必要である。充分強く二重屈
折する集積光導波路またはこのような導波路から成る構
造体を製造することができて、それにより、任意に偏光
された光を２つの互いに直角に偏光された成分に分割す
ることができる場合には、光学デバイスは集積光学要素
として実施することが出来る。
従って、本発明は、充分強く二重屈折するように作成す
ることができ、それゆえ任意に偏光された光を互いに直
角に偏光された成分に分割することのできるような、埋
込式二重屈折形光導波路またはこのような導波路から成
る構造体およびこのような導波路または構造体の製造方
法を提供することを課題とする。
ることができ、それゆえ任意に偏光された光を互いに直
角に偏光された成分に分割することのできるような、埋
込式二重屈折形光導波路またはこのような導波路から成
る構造体およびこのような導波路または構造体の製造方
法を提供することを課題とする。
この課題を解決するために、本発明による埋込式二重屈
折形光導波路またはこのような導波路から成る構造体は
、所定の屈折率を持つ１つまたは複数のガラス層内に所
定の屈折率に比較してより大きい屈折率を持つ材料から
成るストライプ導波路またはこのようなストライプ導波
路から成る構造体が形成され、スートライプ導波路に対
して垂直な成分を持つ機械応力を所定の屈折率を持つ１
つまたは複数のガラス層に与える少なくとも１つの層が
設けられることを特徴とする。
折形光導波路またはこのような導波路から成る構造体は
、所定の屈折率を持つ１つまたは複数のガラス層内に所
定の屈折率に比較してより大きい屈折率を持つ材料から
成るストライプ導波路またはこのようなストライプ導波
路から成る構造体が形成され、スートライプ導波路に対
して垂直な成分を持つ機械応力を所定の屈折率を持つ１
つまたは複数のガラス層に与える少なくとも１つの層が
設けられることを特徴とする。
本発明による導波路または構造体の優れた有利な実施態
様は請求項２またば３に記載されている。
様は請求項２またば３に記載されている。
本発明による埋込式二重屈折形光導波路または構造体の
製造方法は、基板上に、所定の屈折率を持つ１つまたは
複数のガラス層と、所定の屈折率を持つ１つまたは複数
のガラスＨに比較して異なった熱膨張係数および異なっ
た弾性光学係数を有する少なくとも１つの別のガラス層
とが生成され、前記所定の屈折率を持つ１つまたは複数
のガラス層の生成後にストライプ導波路またはこのよう
なストライプ導波路から成る構造体が作成され、そして
生成されたガラス層は比較的高温度から比較的低温度へ
迅速に冷却されることを特徴とする。
製造方法は、基板上に、所定の屈折率を持つ１つまたは
複数のガラス層と、所定の屈折率を持つ１つまたは複数
のガラスＨに比較して異なった熱膨張係数および異なっ
た弾性光学係数を有する少なくとも１つの別のガラス層
とが生成され、前記所定の屈折率を持つ１つまたは複数
のガラス層の生成後にストライプ導波路またはこのよう
なストライプ導波路から成る構造体が作成され、そして
生成されたガラス層は比較的高温度から比較的低温度へ
迅速に冷却されることを特徴とする。
本発明による導波路または構造体の製造方法の優れた有
利な実施態様は請求項５ないし８に記載されている。
利な実施態様は請求項５ないし８に記載されている。
〔作用および発明の効果］
本発明による導波路および本発明による製造方法を用い
ると、例えば、分岐器、光方向性結合器、光方向性結合
器から成るカスケード、導波路交差体、およびこれらの
要素のコンビネーションの如き、集積光学要素の公知の
構造体を製造することが出来る。
ると、例えば、分岐器、光方向性結合器、光方向性結合
器から成るカスケード、導波路交差体、およびこれらの
要素のコンビネーションの如き、集積光学要素の公知の
構造体を製造することが出来る。
本発明は、ガラス内での充分な二重屈折は例えば異なっ
た熱膨張係数および弾性光学係数を持つ相互に結合され
たガラス、特に異なった組成のガラスが共に高温度から
冷却される場合に発生する機械応力によって惹き起こす
ことが出来るという事実に基づいている。
た熱膨張係数および弾性光学係数を持つ相互に結合され
たガラス、特に異なった組成のガラスが共に高温度から
冷却される場合に発生する機械応力によって惹き起こす
ことが出来るという事実に基づいている。
次に、本発明を図面に示された実施例に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第１図に示した導波路構造体は光方向性結合器ＲＫ１、
ＲＫ２、ＲＫ３から成るカスケードを有しており、その
内の結合器ＲＫＩは両扉波路ＬＷ１、ＬＷ２のそれぞれ
一方内を案内される両固有モード用の従来の３ｄＢ結合
器である。結合器ＲＫ２、ＲＫ３は偏光感知結合器であ
り、当該導波路ＬＷ１、ＬＷ２に導入された互いに直角
な両固有モードの完全分離を可能にする。一方の固有モ
ードは導波路ＬＷ１、ＬＷ２を通ってフォトダイオード
ＰＤ２、ＰＤ３に導入され、他方、方向性結合器ＲＫ２
、ＲＫ３にて導波路ＬＷ１、ＬＷ２から分離されたそれ
らに対して直角な固有モードは導波ＩＩ！ＬＷ２１、Ｌ
Ｗ３２を通ってフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ４に導入
される。
ＲＫ２、ＲＫ３から成るカスケードを有しており、その
内の結合器ＲＫＩは両扉波路ＬＷ１、ＬＷ２のそれぞれ
一方内を案内される両固有モード用の従来の３ｄＢ結合
器である。結合器ＲＫ２、ＲＫ３は偏光感知結合器であ
り、当該導波路ＬＷ１、ＬＷ２に導入された互いに直角
な両固有モードの完全分離を可能にする。一方の固有モ
ードは導波路ＬＷ１、ＬＷ２を通ってフォトダイオード
ＰＤ２、ＰＤ３に導入され、他方、方向性結合器ＲＫ２
、ＲＫ３にて導波路ＬＷ１、ＬＷ２から分離されたそれ
らに対して直角な固有モードは導波ＩＩ！ＬＷ２１、Ｌ
Ｗ３２を通ってフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ４に導入
される。
第１図に示した構造体は光ダイパーシティ受信器に通し
、その場合、一方の導波路ＬＷＩ （またはＬＷ２）内
には例えば伝送ファイバを通って受信器に導入されて楕
円偏光された光信号ＦＳが入射し、他方の導波路ＬＷ２
（またはＬＷ１）内には受信器の局部発振器の平面偏
光された光信号ＬＯが入射する。
、その場合、一方の導波路ＬＷＩ （またはＬＷ２）内
には例えば伝送ファイバを通って受信器に導入されて楕
円偏光された光信号ＦＳが入射し、他方の導波路ＬＷ２
（またはＬＷ１）内には受信器の局部発振器の平面偏
光された光信号ＬＯが入射する。
光方向性結合器ＲＫ１、ＲＫ２、ＲＫ３は、公知のよう
に、両扉波路ＬＷＩとＬＷ２、ＬＷＩとＬＷ２１、およ
びＬＷ２とＬＷ３２がそれぞれ結合区間Ｌ１、Ｌ２およ
びＬ３においては両者間に光の過結合を生じるように互
いに狭い間隔にて接近して案内され、−力結合区間Ｌ１
、Ｌ２およびＬ３以外においては光の過結合を生じない
ように互いに広い間隔にて案内されるように、形成され
ている。
に、両扉波路ＬＷＩとＬＷ２、ＬＷＩとＬＷ２１、およ
びＬＷ２とＬＷ３２がそれぞれ結合区間Ｌ１、Ｌ２およ
びＬ３においては両者間に光の過結合を生じるように互
いに狭い間隔にて接近して案内され、−力結合区間Ｌ１
、Ｌ２およびＬ３以外においては光の過結合を生じない
ように互いに広い間隔にて案内されるように、形成され
ている。
方向性結合器ＲＫ２、ＲＫ３は、既に述べたように、こ
れらが偏光を感知しそして供給されて互いに直角に偏光
された両固有モードを互いに分離するという点で、方向
性結合器ＲＫＩとは異なっている。そのためにこの方向
性結合器ＲＫ２、ＲＫ３の領域では、即ち、少なくとも
その結合区間Ｌ２、Ｌ３では、両扉波路ＬＷＩとＬＷ２
１、およびＬＷ２とＬＷ３２は強二重屈折形ストライプ
導波路によって構成される。
れらが偏光を感知しそして供給されて互いに直角に偏光
された両固有モードを互いに分離するという点で、方向
性結合器ＲＫＩとは異なっている。そのためにこの方向
性結合器ＲＫ２、ＲＫ３の領域では、即ち、少なくとも
その結合区間Ｌ２、Ｌ３では、両扉波路ＬＷＩとＬＷ２
１、およびＬＷ２とＬＷ３２は強二重屈折形ストライプ
導波路によって構成される。
このような二重屈折形ストライプ導波路を製造するため
の例は第１図および第２図に示されている。基板Ｓｕｂ
上には第１図の領域Ｂ（この領域には方向性結合器ＲＫ
２、ＲＫ３が存在し、方向性結合器ＲＫＩは存在しない
）にガラス層ＧＳＩが生成される。このガラス層ＧＳＩ
は所定の屈折率を持つ導波路の外被ガラスとは異なった
熱膨張係数および異なった弾性光学係数を有する。ガラ
ス層ＧＳＩ上には外被ガラスから成るガラスＮＧＳ２が
生成される。ガラス＠ＧＳ２上には外被ガラスの屈折率
に比較してより大きい屈折率を有するガラス層が生成さ
れる。このガラス層は外被ガラスとできる限り同じ熱膨
張係数と同じ弾性光学係数とを持たなければならない。
の例は第１図および第２図に示されている。基板Ｓｕｂ
上には第１図の領域Ｂ（この領域には方向性結合器ＲＫ
２、ＲＫ３が存在し、方向性結合器ＲＫＩは存在しない
）にガラス層ＧＳＩが生成される。このガラス層ＧＳＩ
は所定の屈折率を持つ導波路の外被ガラスとは異なった
熱膨張係数および異なった弾性光学係数を有する。ガラ
ス層ＧＳＩ上には外被ガラスから成るガラスＮＧＳ２が
生成される。ガラス＠ＧＳ２上には外被ガラスの屈折率
に比較してより大きい屈折率を有するガラス層が生成さ
れる。このガラス層は外被ガラスとできる限り同じ熱膨
張係数と同じ弾性光学係数とを持たなければならない。
このガラス層は公知のエツチング技術およびマスク技術
によってエツチング除去され、その結果、導波路ＬＷ１
、ＬＷ２、ＬＷ２１、ＬＷ３２だけが周囲よりも浮き出
たストライプとしてガラス層ＧＳ２上に残される。ガラ
ス層ＧＳ２およびその上に存在する導波路ＬＷ１、ＬＷ
２、ＬＷ２１、ＬＷ３２は外被ガラスから成るガラス層
ＧＳ３によって覆われる。
によってエツチング除去され、その結果、導波路ＬＷ１
、ＬＷ２、ＬＷ２１、ＬＷ３２だけが周囲よりも浮き出
たストライプとしてガラス層ＧＳ２上に残される。ガラ
ス層ＧＳ２およびその上に存在する導波路ＬＷ１、ＬＷ
２、ＬＷ２１、ＬＷ３２は外被ガラスから成るガラス層
ＧＳ３によって覆われる。
ガラス層ＧＳａ上にはガラス層ＧＳ４が生成される。こ
のガラス＠ＧＳ４は同様に外被ガラスとは異なった熱膨
張係数および異なった弾性光学係数を有する。
のガラス＠ＧＳ４は同様に外被ガラスとは異なった熱膨
張係数および異なった弾性光学係数を有する。
全ての層の生成後、これらは高温度に加熱されて共に迅
速に冷却される。
速に冷却される。
導波路は同様に外被ガラスから成る１つまたは複数の生
成された層内に、公知の技術である電界誘導式イオン交
換法によって、拡散法および（または）イオン注入法に
よって作成することもできる。
成された層内に、公知の技術である電界誘導式イオン交
換法によって、拡散法および（または）イオン注入法に
よって作成することもできる。
ガラス層の生成は蒸気相から、例えばＣＶＤ法にて、ま
たはスパッタリング法によって行うことが出来る。
たはスパッタリング法によって行うことが出来る。
１つの具体的な実施例では、基板Ｓｕｂはシリコン、ガ
ラス層ＧＳ１、ＧＳ４はＡ１．Ｏ，ｌをドープされたＳ
ｉＯ□、ガラス層ＧＳ２、ＧＳ３は５ｉｆ２、導波路Ｌ
Ｗ１、ＬＷ２、ＬＷ２１、ＬＷ３２はＧ ｅ Ｏｚまた
はＴｉＯ□をドープされた５ｉ０２によって形成される
。これらのガラス層は７００°Ｃに加熱され、その後迅
速に室温に冷却される。その際に、導波路ＬＷ１、ＬＷ
２、ＬＷ２１、ＬＷ３２に対して垂直な成分ｓｐを持つ
機械応力が発生し、上記導波路の１つ内を案内されて互
いに直角に偏光された両固有モードの伝播係数の相対差
ｄβ／β（約１０−４の値）が生じる。
ラス層ＧＳ１、ＧＳ４はＡ１．Ｏ，ｌをドープされたＳ
ｉＯ□、ガラス層ＧＳ２、ＧＳ３は５ｉｆ２、導波路Ｌ
Ｗ１、ＬＷ２、ＬＷ２１、ＬＷ３２はＧ ｅ Ｏｚまた
はＴｉＯ□をドープされた５ｉ０２によって形成される
。これらのガラス層は７００°Ｃに加熱され、その後迅
速に室温に冷却される。その際に、導波路ＬＷ１、ＬＷ
２、ＬＷ２１、ＬＷ３２に対して垂直な成分ｓｐを持つ
機械応力が発生し、上記導波路の１つ内を案内されて互
いに直角に偏光された両固有モードの伝播係数の相対差
ｄβ／β（約１０−４の値）が生じる。
【図面の簡単な説明】
第１図は基板上に設けられた光方向性結合器から成るカ
スケード形態の導波路構造体の正面図、第２図は第１図
における切断線■−■に沿った第１図の構造体の断面図
である。 Ｓｕｂ・・・基板 ＬＷ１、ＬＷ２・・・ストライプ導波路ＬＷ２１、ＬＷ
３２・・・ストライプ導波路ＧＳ１、ＧＳ２・・・ガラ
ス層 ＧＳ３、ＧＳ４・・・ガラス層 ＲＫ１、ＲＫ２、ＲＫ３・・・光方向性結合器Ｌ１、Ｌ
２、Ｌ３・・・結合区間 ＰＤ１、ＰＤ２・・・フォトダイオードＰＤ３、ＰＤ４
・・・フォトダイオード′９．″ｆ ＩＧ Ｉ ＩＧ ２
スケード形態の導波路構造体の正面図、第２図は第１図
における切断線■−■に沿った第１図の構造体の断面図
である。 Ｓｕｂ・・・基板 ＬＷ１、ＬＷ２・・・ストライプ導波路ＬＷ２１、ＬＷ
３２・・・ストライプ導波路ＧＳ１、ＧＳ２・・・ガラ
ス層 ＧＳ３、ＧＳ４・・・ガラス層 ＲＫ１、ＲＫ２、ＲＫ３・・・光方向性結合器Ｌ１、Ｌ
２、Ｌ３・・・結合区間 ＰＤ１、ＰＤ２・・・フォトダイオードＰＤ３、ＰＤ４
・・・フォトダイオード′９．″ｆ ＩＧ Ｉ ＩＧ ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）所定の屈折率を持つ１つまたは複数のガラス層（Ｇ
Ｓ２、ＧＳ３）内に前記所定の屈折率に比較してより大
きい屈折率を持つ材料から成るストライプ導波路（ＬＷ
１、ＬＷ２、ＬＷ２１、ＬＷ３２）またはこのようなス
トライプ導波路から成る構造体が形成され、ストライプ
導波路（ＬＷ１、ＬＷ２、ＬＷ２１、ＬＷ３２）に対し
て垂直な成分（Ｓｐ）を持つ機械応力を前記所定の屈折
率を持つ１つまたは複数のガラス層（ＧＳ２、ＧＳ３）
に与える少なくとも１つの層（ＧＳ１、ＧＳ２）が設け
られることを特徴とする埋込式二重屈折形光導波路また
はこのような導波路から成る構造体。 ２）１つまたは複数のガラス層（ＧＳ２、ＧＳ３）は、
ストライプ導波路に垂直な成分（Ｓｐ）を持つ機械応力
を１つまたは複数のガラス層（ＧＳ２、ＧＳ３）にそれ
ぞれ与える２つの層（ＧＳ１、ＧＳ４）の間に配置され
ることを特徴とする請求項１記載の導波路または構造体
。 ３）１つまたは複数のストライプ導波路（ＬＷ１、ＬＷ
２、ＬＷ２１、ＬＷ３２）に対して垂直な成分（Ｓｐ）
を持つ機械応力を所定の屈折率の１つまたは複数のガラ
ス層（ＧＳ２、ＧＳ３）に与える層（ＧＳ１、ＧＳ４）
は、所定の屈折率の１つまたは複数のガラス層（ＧＳ２
、ＧＳ３）に隣接しその１つまたは複数のガラス層に比
較して異なった熱膨張係数および異なった弾性光学係数
を有する別のガラス層によって構成されることを特徴と
する請求項１または２記載の導波路または構造体。 ４）基板（Ｓｕｂ）上に、所定の屈折率を持つ１つまた
は複数のガラス層（ＧＳ２、ＧＳ３）と、前記所定の屈
折率を持つ１つまたは複数のガラス層（ＧＳ２、ＧＳ３
）に比較して異なった熱膨張係数および異なった弾性光
学係数を有する少なくとも１つの別のガラス層（ＧＳ１
、ＧＳ４）とが生成され、前記所定の屈折率を持つ１つ
または複数のガラス層の生成後にストライプ導波路（Ｌ
Ｗ１、ＬＷ２、ＬＷ２１、ＬＷ３２）またはこのような
ストライプ導波路から成る構造体が作成され、生成され
たガラス層（ＧＳ１、ＧＳ２、ＧＳ３、ＧＳ４）は比較
的高温度から比較的低温度へ迅速に冷却されることを特
徴とする請求項１ないし３の１つに記載の二重屈折形光
導波路またはこのような導波路から成る構造体の製造方
法。 ５）ストライプ導波路（ＬＷ１、ＬＷ２、ＬＷ２１、Ｌ
Ｗ３２）またはこのようなストライプ導波路から成る構
造体は所定の屈折率を持つ１つまたは複数のガラス層（
ＧＳ２、ＧＳ３）内に電界誘導式イオン交換法によって
、拡散法および（または）イオン注入法によって作成さ
れることを特徴とする請求項４記載の方法。 ６）所定の屈折率を持つ生成ガラス層（ＧＳ２）上にそ
のガラス層に比較してより大きい屈折率を持つガラス層
が生成され、比較的大きい屈折率を持つこのガラス層か
ら、このガラス層の除去によってストライプ導波路（Ｌ
Ｗ１、ＬＷ２、ＬＷ２１、ＬＷ３２）またはこのような
ストライプ導波路から成る構造体が作成され、その後前
記ストライプ導波路（ＬＷ１、ＬＷ２、ＬＷ２１、ＬＷ
３２）または構造体は所定の屈折率を持つガラス層（Ｇ
Ｓ１）と同じ屈折率ならびに同じ熱膨張係数および同じ
弾性光学係数を有するガラス層（ＧＳ３）によって覆わ
れることを特徴とする請求項４または５記載の方法。 ７）ガラス層（ＧＳ１、ＧＳ２、ＧＳ３、ＧＳ４）は蒸
気相からまたはスパッタリングによって生成されること
を特徴とする請求項４ないし６の１つに記載の方法。 ８）ガラス層（ＧＳ１、ＧＳ２、ＧＳ３、ＧＳ４）はＣ
ＶＤ法によって生成されることを特徴とする請求項７記
載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3732407 | 1987-09-25 | ||
| DE3732407.1 | 1987-09-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108506A true JPH01108506A (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=6336914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63238665A Pending JPH01108506A (ja) | 1987-09-25 | 1988-09-22 | 埋込式二重屈折形光導波路またはその構造体および製法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4889401A (ja) |
| EP (1) | EP0308602A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01108506A (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2658307A1 (fr) * | 1990-02-13 | 1991-08-16 | Thomson Csf | Guide d'onde optique integre et procede de realisation. |
| CH683648A5 (fr) * | 1990-07-06 | 1994-04-15 | Suisse Electronique Microtech | Dispositif optique intégré séparateur de polarisation et système optique intégré interférométrique comprenant le dispositif. |
| US5243677A (en) * | 1990-09-20 | 1993-09-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Quartz optical waveguide and method for producing the same |
| US5076654A (en) * | 1990-10-29 | 1991-12-31 | At&T Bell Laboratories | Packaging of silicon optical components |
| US5365538A (en) * | 1992-10-29 | 1994-11-15 | The Charles Stark Draper Laboratory Inc. | Slab waveguide pumped channel waveguide laser |
| US5467415A (en) * | 1994-04-22 | 1995-11-14 | At&T Corp. | Method for making polarization independent silica optical circuits |
| IN190212B (ja) * | 1996-07-23 | 2003-07-05 | Samsung Electronics Co Ltd | |
| JP3425843B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2003-07-14 | 富士写真フイルム株式会社 | 光導波路素子の電極の形成方法 |
| AUPP716698A0 (en) | 1998-11-12 | 1998-12-10 | University Of Sydney, The | Birefringence compensation in planar waveguides using negative index changes |
| US6389209B1 (en) * | 1999-09-07 | 2002-05-14 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Strain free planar optical waveguides |
| GB2355079A (en) | 1999-10-07 | 2001-04-11 | Kymata Ltd | Multi-core waveguide |
| GB2355078A (en) * | 1999-10-07 | 2001-04-11 | Kymata Ltd | Waveguide with composite cladding layer |
| EP1240503B1 (de) * | 1999-12-24 | 2018-01-17 | Roche Diabetes Care GmbH | Teststreifen-analysesystem, medizinischer teststreifen, und verfahren zur analytischen untersuchung einer probe mit hilfe eines teststreifen-analysesystems |
| US6418261B1 (en) * | 2000-07-24 | 2002-07-09 | Corning Incorporated | Method to reduce warpage and polarization sensitivity of planar devices |
| US6603916B1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-08-05 | Lightwave Microsystems Corporation | Lightwave circuit assembly having low deformation balanced sandwich substrate |
| US6778319B2 (en) * | 2001-09-10 | 2004-08-17 | Np Photonics, Inc. | Side-pumped multi-port optical amplifier and method of manufacture using fiber drawing technologies |
| FR2834400A1 (fr) * | 2002-01-03 | 2003-07-04 | Cit Alcatel | Filtre optique et procede de filtrage |
| US8682119B2 (en) * | 2011-05-09 | 2014-03-25 | Alcatel Lucent | High performance optical polarization diversity circuit |
| US11307352B2 (en) * | 2016-07-15 | 2022-04-19 | Corning Incorporated | Optical waveguide article with laminate structure and method for forming the same |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4179189A (en) * | 1978-01-13 | 1979-12-18 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Single polarization optical fibers and methods of fabrication |
| US4400052A (en) * | 1981-03-19 | 1983-08-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method for manufacturing birefringent integrated optics devices |
| US4549781A (en) * | 1983-06-01 | 1985-10-29 | Corning Glass Works | Polarization-retaining single-mode optical waveguide |
| US4561718A (en) * | 1983-08-22 | 1985-12-31 | Sperry Corporation | Photoelastic effect optical waveguides |
| US4733927A (en) * | 1984-11-14 | 1988-03-29 | Hughes Aircraft Company | Stress waveguides in bulk crystalline materials |
| GB2181861B (en) * | 1985-10-16 | 1989-09-13 | Zeiss Stiftung | Method of making a planar lightwave guide |
| DE3630741A1 (de) * | 1986-09-10 | 1988-03-17 | Philips Patentverwaltung | Optischer polarisationsregler mit einer wellenleiterstruktur |
| DE3641285A1 (de) * | 1986-12-03 | 1988-06-09 | Schott Glaswerke | Verfahren zur messung von (alpha) und ss-strahlen geringer intensitaet |
-
1988
- 1988-07-13 EP EP88111252A patent/EP0308602A3/de not_active Withdrawn
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| EP0308602A3 (de) | 1990-01-10 |
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