JPH01109714A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH01109714A JPH01109714A JP26779387A JP26779387A JPH01109714A JP H01109714 A JPH01109714 A JP H01109714A JP 26779387 A JP26779387 A JP 26779387A JP 26779387 A JP26779387 A JP 26779387A JP H01109714 A JPH01109714 A JP H01109714A
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 36
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- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 5
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- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、気相成長装置に関し、特に縦型の反応管内に
多数枚のウェーハを任意の間隔でほぼ水平にして、積み
重ねるように設置する気相成長装置に関する。
多数枚のウェーハを任意の間隔でほぼ水平にして、積み
重ねるように設置する気相成長装置に関する。
従来、この種の気相成長装置は、第２図に示すように、
管壁に多数のガス放出細孔７のあいたノズル管１１を設
置して、ガスをウェーハ面にほぼ平行にガス放出細孔７
から放出し、ウェーハ表面上に新期の膜を成長させる構
造になっている。この際、ノズル管１１は長さ方向には
連続した一本の管になっていた。
管壁に多数のガス放出細孔７のあいたノズル管１１を設
置して、ガスをウェーハ面にほぼ平行にガス放出細孔７
から放出し、ウェーハ表面上に新期の膜を成長させる構
造になっている。この際、ノズル管１１は長さ方向には
連続した一本の管になっていた。
上述した、従来の気相成長装置は、ノズル管ｌｌ内の圧
力損失のため、ガス放出細孔７から放出されるガス流量
は下流すなわち、ウェーハポートの上方に行くほど少な
くなる。このため、ノズル管１１が長くなるとウェーハ
ボートに搭載さｈたウェーハ３上に成長する膜厚は、上
方に行くほど薄くなる。この結果、ウェーハ間の膜厚差
を小さくするために一度に成長できるウェーハの枚数が
少なくなるという欠点がある。
力損失のため、ガス放出細孔７から放出されるガス流量
は下流すなわち、ウェーハポートの上方に行くほど少な
くなる。このため、ノズル管１１が長くなるとウェーハ
ボートに搭載さｈたウェーハ３上に成長する膜厚は、上
方に行くほど薄くなる。この結果、ウェーハ間の膜厚差
を小さくするために一度に成長できるウェーハの枚数が
少なくなるという欠点がある。
本発明によれば、縦型の反応管内に複数枚のウェーハを
任意の間隔でほぼ水平に積み重ねるように設置し、ウェ
ーハ近傍にほぼ垂直に立てて設置したノズル管を有し、
ガスをノズル管にあけら−れた多数の細孔から放出して
、ウェーハ上に成膜する気相成長装置において、ノズル
管が長さ方向で複数に分割されていて、分割されたノズ
ル管には、それぞれ独立してガスが供給されることを特
徴とする気相成長装置が得られる。
任意の間隔でほぼ水平に積み重ねるように設置し、ウェ
ーハ近傍にほぼ垂直に立てて設置したノズル管を有し、
ガスをノズル管にあけら−れた多数の細孔から放出して
、ウェーハ上に成膜する気相成長装置において、ノズル
管が長さ方向で複数に分割されていて、分割されたノズ
ル管には、それぞれ独立してガスが供給されることを特
徴とする気相成長装置が得られる。
本発明によれば、ウェーハポートのウェーハ搭載部分の
長さが一定の場合、分割数を多くするほど、各ノズルの
ガス放出細孔からでるガス流量の差は少なくできウェー
ハ間の膜厚差を小さくすることができる。
長さが一定の場合、分割数を多くするほど、各ノズルの
ガス放出細孔からでるガス流量の差は少なくできウェー
ハ間の膜厚差を小さくすることができる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の気相成長装置の縦′断面図
であり、この装置を用いてシリコンエピタキシャル成長
を実施した場合について説明する。
であり、この装置を用いてシリコンエピタキシャル成長
を実施した場合について説明する。
反応管は外管１と内管２の２重構造になっている。
直径１５０ｍｍのウェーハ３はウェーハボード４にほぼ
水平になるように約６ｍｍの間隔で７０枚搭載した。本
発明に係るノズル管については、長さ方向に分割したガ
ス供給ノズル管５及び６にそれぞれ独立して、Ｓ ｉ
ＨｉＣｊ２２とＨ２ガスがマスクローコントローラ（Ｍ
Ｆ）１０を通して供給されるようになっている。それぞ
れのノズル管に供給されたガスは、それぞれガス放出細
孔７，８からウェーハ面にほぼ平行に放出される。
水平になるように約６ｍｍの間隔で７０枚搭載した。本
発明に係るノズル管については、長さ方向に分割したガ
ス供給ノズル管５及び６にそれぞれ独立して、Ｓ ｉ
ＨｉＣｊ２２とＨ２ガスがマスクローコントローラ（Ｍ
Ｆ）１０を通して供給されるようになっている。それぞ
れのノズル管に供給されたガスは、それぞれガス放出細
孔７，８からウェーハ面にほぼ平行に放出される。
シリコンエピタキシャル成長実験の一例を以下に示す。
電気炉加熱によって反応管内の温度を１１００℃とした
。ノズル管５より反応ガスＳｉＨ２ＣＩＩ ２を０．３
ｕ／ｍｉｎ、キャリアガスＨ２を２０Ａ／ｍｉｎ、また
ノズル管６より同様にＳｉＨ２ＣＲ２０，３ｊ７／ｍｉ
ｎ、 Ｈ２２０β／ ｍ ｉ ｎを流した。ウェーハポ
ートは１分間に１０回転の回転速度（１０ｒｐｍ）で回
転した。その結果、ウェーハポート４の下半分と上半分
に設置したウェーハ３は、はとんど同じ膜厚分布を示し
、全ウェーハに対してウェーハ間の膜厚差を±５％以内
に抑えることができた。
。ノズル管５より反応ガスＳｉＨ２ＣＩＩ ２を０．３
ｕ／ｍｉｎ、キャリアガスＨ２を２０Ａ／ｍｉｎ、また
ノズル管６より同様にＳｉＨ２ＣＲ２０，３ｊ７／ｍｉ
ｎ、 Ｈ２２０β／ ｍ ｉ ｎを流した。ウェーハポ
ートは１分間に１０回転の回転速度（１０ｒｐｍ）で回
転した。その結果、ウェーハポート４の下半分と上半分
に設置したウェーハ３は、はとんど同じ膜厚分布を示し
、全ウェーハに対してウェーハ間の膜厚差を±５％以内
に抑えることができた。
一方、第２図に示した従来方式の一本のノズルによって
成長した場合は、ウェーハ間膜厚差は±１２％と大きか
った。
成長した場合は、ウェーハ間膜厚差は±１２％と大きか
った。
次に、ノズルを３分割することによりて、同様に搭載ウ
ェーハ数７０枚にシリコンエピタキシャル成長を試みた
。各分割ノズル管にそれぞれ、Ｓ ｉ Ｈ２Ｃｊ２２を
０．３Ａ／ｍｉｎ、キャリアガスＨ２を２０ｊ７／ｍｉ
ｎ流した。その結果、ウェーハ間の膜厚分布を±３％以
下に抑えることがでた。すなわち、分割数を多くすれば
、ガス供給系などの装置は複雑化するが、膜厚の均一性
は向上する。
ェーハ数７０枚にシリコンエピタキシャル成長を試みた
。各分割ノズル管にそれぞれ、Ｓ ｉ Ｈ２Ｃｊ２２を
０．３Ａ／ｍｉｎ、キャリアガスＨ２を２０ｊ７／ｍｉ
ｎ流した。その結果、ウェーハ間の膜厚分布を±３％以
下に抑えることがでた。すなわち、分割数を多くすれば
、ガス供給系などの装置は複雑化するが、膜厚の均一性
は向上する。
本発明は、縦型の反応管内に任意の間隔をもたせて、は
ぼ水平にウェーハな積み重ねて設置し、はぼ垂直に立て
たノズル管の管壁にあけられたガス放出細孔からウェー
ハ面にほぼ水平にガスを供給する気相成長装置で、ノズ
ル管を長さ方向に分割し各分割部分に独立にガスを供給
することによって、各ガス放出細孔管のガス流量の差を
小さくすることができる。その結果、各ウェーハ上に成
長する膜のウェーハ間の膜厚差を小さくできて、成膜の
均一性を著しく向上する効果がある。
ぼ水平にウェーハな積み重ねて設置し、はぼ垂直に立て
たノズル管の管壁にあけられたガス放出細孔からウェー
ハ面にほぼ水平にガスを供給する気相成長装置で、ノズ
ル管を長さ方向に分割し各分割部分に独立にガスを供給
することによって、各ガス放出細孔管のガス流量の差を
小さくすることができる。その結果、各ウェーハ上に成
長する膜のウェーハ間の膜厚差を小さくできて、成膜の
均一性を著しく向上する効果がある。
また、以上はシリコンエピタキシャル成長を例に説明し
てきたが、各種の酸化膜、窒化膜、ポリシリコン膜、ア
モルファスシリコン膜ナトの成膜にも適用できるもので
あり、その応用価値は、きわめて大きい。
てきたが、各種の酸化膜、窒化膜、ポリシリコン膜、ア
モルファスシリコン膜ナトの成膜にも適用できるもので
あり、その応用価値は、きわめて大きい。
第１図は本発明の一実施例の気相成長装置の断面図、第
２図は従来の気相成長装置の縦断面図である。 １・・・・・・反応管（外管）、２・・・・・・反応管
（内管）、３・・・・・・ウェーハ、４・旧・・ウェー
ハポー）、５゜６・・・・・・ガス供給ノズル管、７，
８・・・・・・ガス放出細孔、９・・・・・・排気口、
１０・・・・・・マスクローコントローラー、１１・旧
・・ノズル管。 代理人 弁理士 内 原 晋 竿 １ 図 ＄ ２ 圏
２図は従来の気相成長装置の縦断面図である。 １・・・・・・反応管（外管）、２・・・・・・反応管
（内管）、３・・・・・・ウェーハ、４・旧・・ウェー
ハポー）、５゜６・・・・・・ガス供給ノズル管、７，
８・・・・・・ガス放出細孔、９・・・・・・排気口、
１０・・・・・・マスクローコントローラー、１１・旧
・・ノズル管。 代理人 弁理士 内 原 晋 竿 １ 図 ＄ ２ 圏
Claims (1)
- 縦型の反応管内に複数枚のウェーハを任意の間隔でほ
ぼ水平に積み重ねるように設置し、前記ウェーハ近傍に
ほぼ垂直に立てて設置したノズル管を有し、ガスを前記
ノズル管にあけられた多数の細孔から放出して、前記ウ
ェーハ上に成膜する気相成長装置において、前記ノズル
管が長さ方向で複数に分割されていて、該分割されたノ
ズル管には、それぞれ独立してガスが供給されることを
特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62267793A JPH0682626B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62267793A JPH0682626B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01109714A true JPH01109714A (ja) | 1989-04-26 |
| JPH0682626B2 JPH0682626B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=17449670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62267793A Expired - Lifetime JPH0682626B2 (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682626B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220434A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Tel Sagami Ltd | 熱処理炉 |
| US5925188A (en) * | 1995-10-30 | 1999-07-20 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus |
| US6444262B1 (en) | 1999-04-14 | 2002-09-03 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing unit and thermal processing method |
| JP2009200298A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US8361274B2 (en) * | 2004-01-13 | 2013-01-29 | Samsung Electronics Co., Ltd | Etching apparatus and etching method |
| CN108085658A (zh) * | 2016-11-21 | 2018-05-29 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50118671A (ja) * | 1974-03-01 | 1975-09-17 | ||
| JPS6171625A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-12 | Fujitsu Ltd | 縦型ｃｖｄ装置 |
| JPS61199629A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-04 | Hitachi Ltd | 半導体のエピタキシヤル成長装置 |
| JPS6212945U (ja) * | 1986-03-20 | 1987-01-26 | ||
| JPS6276529U (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-16 |
-
1987
- 1987-10-22 JP JP62267793A patent/JPH0682626B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
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| JPS6276529U (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-16 | ||
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| KR20180057537A (ko) * | 2016-11-21 | 2018-05-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
| JP2018085392A (ja) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682626B2 (ja) | 1994-10-19 |
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