JPH01111737A - ガラス成形体の成形型 - Google Patents
ガラス成形体の成形型Info
- Publication number
- JPH01111737A JPH01111737A JP27090587A JP27090587A JPH01111737A JP H01111737 A JPH01111737 A JP H01111737A JP 27090587 A JP27090587 A JP 27090587A JP 27090587 A JP27090587 A JP 27090587A JP H01111737 A JPH01111737 A JP H01111737A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- surface layer
- glass
- nickel
- platinum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B11/00—Pressing molten glass or performed glass reheated to equivalent low viscosity without blowing
- C03B11/06—Construction of plunger or mould
- C03B11/08—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses
- C03B11/084—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor
- C03B11/086—Construction of plunger or mould for making solid articles, e.g. lenses material composition or material properties of press dies therefor of coated dies
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2215/00—Press-moulding glass
- C03B2215/02—Press-mould materials
- C03B2215/08—Coated press-mould dies
- C03B2215/14—Die top coat materials, e.g. materials for the glass-contacting layers
- C03B2215/26—Mixtures of materials covered by more than one of the groups C03B2215/16 - C03B2215/24, e.g. C-SiC, Cr-Cr2O3, SIALON
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ガラスをプレス成形するための成形型に関し
、特に、プレス成形後に研磨を必要としない高精度のガ
ラス成形体に成形するための成形型に関する。
、特に、プレス成形後に研磨を必要としない高精度のガ
ラス成形体に成形するための成形型に関する。
（従来の技術）
一般に、プレス成形によるガラスの成形では、所定の表
面形状（例えば球面または非球面）に仕上げた表面層を
有する成形型内に、予め軟化させた被成形ガラスを入れ
（または被成形ガラスを成形型に入れてから加熱・軟化
させ）、この成形型に所定の圧力を加えることによって
、成形型の表面層が被成形ガラスに転写される。したが
って、成形型は、その表面層の形状がガラス成形体の表
面形状としてそのまま転写されることから、その表面層
に気孔等の欠陥がなく、緻密で鏡面状に精密加工するこ
とができ、かつ高温において十分な硬度および強度を保
てる等の要件を満たすことが求められる。
面形状（例えば球面または非球面）に仕上げた表面層を
有する成形型内に、予め軟化させた被成形ガラスを入れ
（または被成形ガラスを成形型に入れてから加熱・軟化
させ）、この成形型に所定の圧力を加えることによって
、成形型の表面層が被成形ガラスに転写される。したが
って、成形型は、その表面層の形状がガラス成形体の表
面形状としてそのまま転写されることから、その表面層
に気孔等の欠陥がなく、緻密で鏡面状に精密加工するこ
とができ、かつ高温において十分な硬度および強度を保
てる等の要件を満たすことが求められる。
このような成形型の材料としては、従来、シリコンカー
バイド（Ｓ ｉ Ｃ）やシリコンナイトライド（Ｓｉ：
＋Ｎ４）（特開昭５２−４５６１３号公報）、タングス
テンカーバイド（特開昭５６−５９６４１号公報）、ジ
ルコニウムオキサイド（ＺｒＯ□）を基盤材料とし、そ
の上に白金−ロジウム（Ｐｔ−Ｒｈ）合金または白金−
イリジウム（ｐｔ−１ｒ）合金のコーテイング膜を形成
したもの（特開昭６０−１７６９３０号公報）が提案さ
れている。
バイド（Ｓ ｉ Ｃ）やシリコンナイトライド（Ｓｉ：
＋Ｎ４）（特開昭５２−４５６１３号公報）、タングス
テンカーバイド（特開昭５６−５９６４１号公報）、ジ
ルコニウムオキサイド（ＺｒＯ□）を基盤材料とし、そ
の上に白金−ロジウム（Ｐｔ−Ｒｈ）合金または白金−
イリジウム（ｐｔ−１ｒ）合金のコーテイング膜を形成
したもの（特開昭６０−１７６９３０号公報）が提案さ
れている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、シリコンカーバイドやシリコンナイトライドを
表面層とする成形型は、緻密で、かつ硬度および強度の
点ですぐれているものの、被成形ガラスに鉛を多量に含
有する重フリント系光学ガラスを使用した場合、鉛との
化学反応性が高く、高精度のガラス成形体に成形するこ
とが困難となる。
表面層とする成形型は、緻密で、かつ硬度および強度の
点ですぐれているものの、被成形ガラスに鉛を多量に含
有する重フリント系光学ガラスを使用した場合、鉛との
化学反応性が高く、高精度のガラス成形体に成形するこ
とが困難となる。
次に、タングステンカーバイドの成形型は、加工性にす
ぐれるが、高温下で酸化しやすく、型表面が肌荒れを起
こし、光学表面を保持することができない。また、被成
形ガラスと反応しやすい問題もあった。
ぐれるが、高温下で酸化しやすく、型表面が肌荒れを起
こし、光学表面を保持することができない。また、被成
形ガラスと反応しやすい問題もあった。
また、百合−ロジウムまたは白金−イリジウムの合金の
コーテイング膜を形成したものは、被成形ガラスとの化
学作用を起こさないことが利点として挙げられているが
、本発明者らの実験によれば、ガラス成形体との離型性
がプレス成形開始当初から悪いという問題があった。
コーテイング膜を形成したものは、被成形ガラスとの化
学作用を起こさないことが利点として挙げられているが
、本発明者らの実験によれば、ガラス成形体との離型性
がプレス成形開始当初から悪いという問題があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明によるガラス成形体の成形型は、成形型の表面層
を白金（Ｐｔ）とニッケル（Ｎｉ）の少なくとも２成分
からなる物質に窒化物、炭化物、ホウ素化合物、酸化物
のなかから選択された少な（とも２つの化合物が分散さ
れて形成されているものである。
を白金（Ｐｔ）とニッケル（Ｎｉ）の少なくとも２成分
からなる物質に窒化物、炭化物、ホウ素化合物、酸化物
のなかから選択された少な（とも２つの化合物が分散さ
れて形成されているものである。
なお、好ましくは白金（Ｐｔ）とニッケル（Ｎｉ）の少
なくとも２成分から成る前記物質がニッケル（Ｎｉ）を
５〜４５ｗｔ％含み、前記窒化物、炭化物、ホウ素化合
物、酸化物から選ばれた少なくとも二つの化合物が０．
０２〜３０ｖｏｌ％分散され、また前記窒化物がＴｉＮ
、ＴａＮ、ＡＡＮ、ＢＮ、Ｓ １ｔＮ４、ＨｆＮ、Ｎｂ
Ｎ、ＺｒＮ、炭化物がＴｉＣ１Ｔａ Ｃ，、Ｂ４Ｃ％
Ｓ ｉ ０％ Ｈｆ Ｃ，、Ｚ ｒ Ｃ。
なくとも２成分から成る前記物質がニッケル（Ｎｉ）を
５〜４５ｗｔ％含み、前記窒化物、炭化物、ホウ素化合
物、酸化物から選ばれた少なくとも二つの化合物が０．
０２〜３０ｖｏｌ％分散され、また前記窒化物がＴｉＮ
、ＴａＮ、ＡＡＮ、ＢＮ、Ｓ １ｔＮ４、ＨｆＮ、Ｎｂ
Ｎ、ＺｒＮ、炭化物がＴｉＣ１Ｔａ Ｃ，、Ｂ４Ｃ％
Ｓ ｉ ０％ Ｈｆ Ｃ，、Ｚ ｒ Ｃ。
ＶＣ、ホウ素化合物がＴｉＢ２、ＺｒＢ２、ＶＢ２、Ｎ
ｂ Ｂ ２、ＴａＢ２、Ｍ ｎ Ｂ ％ Ｎ ｉ
Ｂ ％ Ｆ ｅ Ｂ −。
ｂ Ｂ ２、ＴａＢ２、Ｍ ｎ Ｂ ％ Ｎ ｉ
Ｂ ％ Ｆ ｅ Ｂ −。
Ｃｒ Ｂ ２、ＣｏＢ、酸化物がＡ／ｚｏｉ、Ｚ ｒ
Ｏ２、Ｙ ２Ｏ ｘであり、さらに表面層と下地の基盤
との間に、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（ＭＯ）、コバルト（ＣＯ）、チ
タンナイトライド（ＴｉＮ）、チタンカーバイド（Ｔｉ
Ｃ）、シリコンカーバイド（Ｓ ｉ Ｃ）およびこれら
の混合物のうちから選択された少なくとも一つを含む中
間層を介在させたものである。
Ｏ２、Ｙ ２Ｏ ｘであり、さらに表面層と下地の基盤
との間に、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム
（Ｃｒ）、モリブデン（ＭＯ）、コバルト（ＣＯ）、チ
タンナイトライド（ＴｉＮ）、チタンカーバイド（Ｔｉ
Ｃ）、シリコンカーバイド（Ｓ ｉ Ｃ）およびこれら
の混合物のうちから選択された少なくとも一つを含む中
間層を介在させたものである。
これらの表面層や中間層は、所定形状に加工された基盤
上にスパッタリング法、イオンブレーティング法などに
より形成される。膜厚は０．０５〜１０μｍ程度が好ま
しい。薄すぎると均一な膜が得に＜（、厚すぎると成膜
時間を長くするのみならず、膜の表面状態が荒れてくる
。
上にスパッタリング法、イオンブレーティング法などに
より形成される。膜厚は０．０５〜１０μｍ程度が好ま
しい。薄すぎると均一な膜が得に＜（、厚すぎると成膜
時間を長くするのみならず、膜の表面状態が荒れてくる
。
なお、表面層材料として、ニッケルの他に、イリジウム
（Ｉ ｒ） 、ロジウム（Ｒｈ）、および金（Ａｕ）な
どを加えた白金合金に窒化物、炭化物、ホウ素化合物、
酸化物のなかから選択された少なくとも二つの化合物を
分散させれば、−層高基のプレスでの使用に耐えるよう
になる。
（Ｉ ｒ） 、ロジウム（Ｒｈ）、および金（Ａｕ）な
どを加えた白金合金に窒化物、炭化物、ホウ素化合物、
酸化物のなかから選択された少なくとも二つの化合物を
分散させれば、−層高基のプレスでの使用に耐えるよう
になる。
成形型の基盤材料については、基盤として一般に要求さ
れる硬度、強度および耐熱性等を満足するものであれば
特に限定されず、スヂンレス鋼、タングステンカーバイ
ド（ＷＣ）、ジルコニウムオキサイド（ＺｒＯｚ）、サ
ーメット、シリコンカーバイド（Ｓ ｉ Ｃ）およびシ
リコンナイトライド（Ｓｉ、Ｎ４）などが使用可能であ
る。また、プレス成形時の圧力が基盤の変形に問題にな
らない程度であれば、この基盤材料は、上述した表面層
や中間層の各物質と同一の合金等を用いてもよい。
れる硬度、強度および耐熱性等を満足するものであれば
特に限定されず、スヂンレス鋼、タングステンカーバイ
ド（ＷＣ）、ジルコニウムオキサイド（ＺｒＯｚ）、サ
ーメット、シリコンカーバイド（Ｓ ｉ Ｃ）およびシ
リコンナイトライド（Ｓｉ、Ｎ４）などが使用可能であ
る。また、プレス成形時の圧力が基盤の変形に問題にな
らない程度であれば、この基盤材料は、上述した表面層
や中間層の各物質と同一の合金等を用いてもよい。
（作用）
本発明の成形型の表面層は、緻密性、硬度、強度、加工
性および耐化学反応性のそれぞれにおいて良好であるば
かりでなく、プレス成形されたガラス成形体との離型性
も良好になり、さらに結晶成長を抑え膜の荒れを抑える
。すなわち、白金−ニッケル合金（白金５０ｗｔ％以上
、ニッケル５〜４５ｗｔ％）中に窒化物、炭化物、ホウ
素化合物、酸化物具体的には窒化物ＴｉＮ、ＴａＮ、Ａ
ＩＮ。
性および耐化学反応性のそれぞれにおいて良好であるば
かりでなく、プレス成形されたガラス成形体との離型性
も良好になり、さらに結晶成長を抑え膜の荒れを抑える
。すなわち、白金−ニッケル合金（白金５０ｗｔ％以上
、ニッケル５〜４５ｗｔ％）中に窒化物、炭化物、ホウ
素化合物、酸化物具体的には窒化物ＴｉＮ、ＴａＮ、Ａ
ＩＮ。
Ｂ Ｎ、 Ｓ １ ：ｌＮ４、ＨｆＮ、ＮｂＮ、ＺｒＮ
、炭化物Ｔ ｒ ＣＳＴ ａ ＣＳＢ ａ ＣＳＳ ｉ
ＣＳＨｆ Ｃ％ＺｒＣ，ＶＣ，ホウ素化合物Ｔ ｉ Ｂ
２、ＺｒＢｚｌＶＢ２、Ｎｔ）Ｂｘ、Ｔ ａ Ｂ ２
、ＭｎＢ５Ｎ１Ｂ。
、炭化物Ｔ ｒ ＣＳＴ ａ ＣＳＢ ａ ＣＳＳ ｉ
ＣＳＨｆ Ｃ％ＺｒＣ，ＶＣ，ホウ素化合物Ｔ ｉ Ｂ
２、ＺｒＢｚｌＶＢ２、Ｎｔ）Ｂｘ、Ｔ ａ Ｂ ２
、ＭｎＢ５Ｎ１Ｂ。
ＦｅＢＳＣｒＢ２、ＣｏＢ、酸化物Ａ ｌ ｔ Ｏ３、
ＺｒＯ，、Ｙ２Ｏ３のなかから選択された少なくとも２
つの化合物などを分散させることにより、特にガラス成
形体との離型性を向上させるとともに面精度を保持する
ことができる。その分散を０．０２〜３０ｖｏｌ％とし
たのは、窒化物、炭化物、ホウ素化合物、酸化物のなか
から選択された少なくとも二つの化合物が０．０２ｖｏ
ｌ％未満では硬度が低くなり傷が発生しやすく、また分
散効果により結晶成長を抑え、膜の荒れを抑える効果が
十分に得られにくり、一方、３０ｖｏｌ％を越えると、
ガラス成形体との離型性が悪くなるためである。
ＺｒＯ，、Ｙ２Ｏ３のなかから選択された少なくとも２
つの化合物などを分散させることにより、特にガラス成
形体との離型性を向上させるとともに面精度を保持する
ことができる。その分散を０．０２〜３０ｖｏｌ％とし
たのは、窒化物、炭化物、ホウ素化合物、酸化物のなか
から選択された少なくとも二つの化合物が０．０２ｖｏ
ｌ％未満では硬度が低くなり傷が発生しやすく、また分
散効果により結晶成長を抑え、膜の荒れを抑える効果が
十分に得られにくり、一方、３０ｖｏｌ％を越えると、
ガラス成形体との離型性が悪くなるためである。
また、中間層は基盤と表面層との親和性を高め、型寿命
を長くする作用を有する。
を長くする作用を有する。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示す成形型の断面図である
。成形型は、上型１と下型２とから構成される。上型ｌ
と下型２とは、それぞれその外周面が案内型３の内周面
上を滑動するように、案内型３の内部に配置されている
。これらの上型１および下型２は、それぞれ基盤１ａと
表面層１ｂおよび基盤２ａと表面層２ｂからなり、表面
層１ｂ。
。成形型は、上型１と下型２とから構成される。上型ｌ
と下型２とは、それぞれその外周面が案内型３の内周面
上を滑動するように、案内型３の内部に配置されている
。これらの上型１および下型２は、それぞれ基盤１ａと
表面層１ｂおよび基盤２ａと表面層２ｂからなり、表面
層１ｂ。
２ｂを相互に対向させて配置しである。
基盤１ａ、２ａは、焼結時にＨＩ Ｐ処理を施して緻密
にしたタングステンカーバイドを用い、これを円柱状（
直径１８１１Ｉ、高さ２８酊）に加工し、その一端面を
凹球面状に研削し、最終仕上げとしてダイヤモンド砥石
により高精度の光学鏡面に研磨し、それぞれ所定の曲率
半径（３ｈｎ）の凹球面に加工した。この凹球面の面粗
さは１００Å以下であった。
にしたタングステンカーバイドを用い、これを円柱状（
直径１８１１Ｉ、高さ２８酊）に加工し、その一端面を
凹球面状に研削し、最終仕上げとしてダイヤモンド砥石
により高精度の光学鏡面に研磨し、それぞれ所定の曲率
半径（３ｈｎ）の凹球面に加工した。この凹球面の面粗
さは１００Å以下であった。
この基盤１ａ、２ａの凹球面に対し、スパッタリング装
置を用い、表に示した実施例１〜２１の物質組成のター
ゲットを使用し、所定の成膜条件で所定の厚さの表面層
１ｂ、２ｂを形成した。なお、その際、基盤１ａ’、２
ａと表面層１ｂ、２ｂとの密着性を一層強固にするため
に、表面１’Ｗ１ｂ、２ｂの成膜に先立って、逆スパツ
タリングにより基盤１ａ、２ａの各表面を清浄化するこ
とは有効である。
置を用い、表に示した実施例１〜２１の物質組成のター
ゲットを使用し、所定の成膜条件で所定の厚さの表面層
１ｂ、２ｂを形成した。なお、その際、基盤１ａ’、２
ａと表面層１ｂ、２ｂとの密着性を一層強固にするため
に、表面１’Ｗ１ｂ、２ｂの成膜に先立って、逆スパツ
タリングにより基盤１ａ、２ａの各表面を清浄化するこ
とは有効である。
例えば、実施例１ではターゲットが白金（９５ｗｔ％）
−ニッケル（５ｗｔ％）、ジルコニウムナイトライド、
チタンカーバイド、膜厚が０．５μｍであり、その時の
成膜条件はアルゴンガス圧ｌＸｌ０−’Ｔｏ ｒ ｒ、
成膜速度が各々８００人／ｍｉｎ ｓ ４人／ｍｉｎ
、４人／ｍｉｎで分散１ｖｏｌ％、電極間距離１００龍
、回転数２Ｏｒｐｍで行った。
−ニッケル（５ｗｔ％）、ジルコニウムナイトライド、
チタンカーバイド、膜厚が０．５μｍであり、その時の
成膜条件はアルゴンガス圧ｌＸｌ０−’Ｔｏ ｒ ｒ、
成膜速度が各々８００人／ｍｉｎ ｓ ４人／ｍｉｎ
、４人／ｍｉｎで分散１ｖｏｌ％、電極間距離１００龍
、回転数２Ｏｒｐｍで行った。
また、本実施例では白金−ニッケル、ジルコニウムナイ
トライド、チタンカーバイド別々のターゲットを同時に
スパッタを行う三元スパッタリングについて述べたが３
種のターゲットをモザイク状に配置してその面積比によ
り分散を調整する複合ターゲットを使用したり、またタ
ーゲットそのものが白金−ニッケルージルコニウムナイ
トライド−チタンカーバイド分散型になっているもので
もかまわない。いずれにしても各々のスパッタ率を考慮
して組合わせる。
トライド、チタンカーバイド別々のターゲットを同時に
スパッタを行う三元スパッタリングについて述べたが３
種のターゲットをモザイク状に配置してその面積比によ
り分散を調整する複合ターゲットを使用したり、またタ
ーゲットそのものが白金−ニッケルージルコニウムナイ
トライド−チタンカーバイド分散型になっているもので
もかまわない。いずれにしても各々のスパッタ率を考慮
して組合わせる。
なお、案内型３は本実施例では上型・下型の基盤１ａ、
２ａと同様のタングステンカーバイドで構成されている
。
２ａと同様のタングステンカーバイドで構成されている
。
第２図は、本発明の他の実施例を示す成形型の断面図で
ある。本実施例の上型１′および下型２′は、それぞれ
基盤１ａと表面ｊｉｌｂとの間およグ基盤２ａと表面層
２ｂとの間に、第１中間層１ｃと第２中間層１ｄおよび
第１中間１！！ ２ ｃと第２中間層２ｄが介在させで
ある点で、第１図の上型１および下型２と相違するが、
その他は構造上同一である。中間層は、２層図示したが
、１層のみまたは３１１以上にしてもよい。表に、中間
層を１層のみとした例を実施例１１〜１３．１６〜１９
および２１として示し、中間層を２層とした例を実施例
１４．１５および２Ｏとして示した。
ある。本実施例の上型１′および下型２′は、それぞれ
基盤１ａと表面ｊｉｌｂとの間およグ基盤２ａと表面層
２ｂとの間に、第１中間層１ｃと第２中間層１ｄおよび
第１中間１！！ ２ ｃと第２中間層２ｄが介在させで
ある点で、第１図の上型１および下型２と相違するが、
その他は構造上同一である。中間層は、２層図示したが
、１層のみまたは３１１以上にしてもよい。表に、中間
層を１層のみとした例を実施例１１〜１３．１６〜１９
および２１として示し、中間層を２層とした例を実施例
１４．１５および２Ｏとして示した。
これらの中間層および表面層は、例えば実施例１１では
、基盤１ａ、２ａをイオンエツチングした後、イオンブ
レーティング法により、所定の成膜条件（真空度５ ｘ
ｌｏ−”ｒ ｏ ｒ ｒ 、成膜速度３００ 人／ｍｉ
ｎ、基盤電圧−３００Ｖ ”）でチタンからなる第１中
間ＪＷ１ｃ、２ｃ （膜厚０．０５μｍ）を成膜した後
、その上にスパッタリング法により白金（９５ｗｔ％）
−ニッケル５ｗｔ％とジルコニウムカーバイドとタンタ
ルナイトライドをターゲットとし、所定の成膜条件（前
記）で表面層１ｂ、２ｂ（膜厚３．０μｍ）を成膜する
ことにより形成した。
、基盤１ａ、２ａをイオンエツチングした後、イオンブ
レーティング法により、所定の成膜条件（真空度５ ｘ
ｌｏ−”ｒ ｏ ｒ ｒ 、成膜速度３００ 人／ｍｉ
ｎ、基盤電圧−３００Ｖ ”）でチタンからなる第１中
間ＪＷ１ｃ、２ｃ （膜厚０．０５μｍ）を成膜した後
、その上にスパッタリング法により白金（９５ｗｔ％）
−ニッケル５ｗｔ％とジルコニウムカーバイドとタンタ
ルナイトライドをターゲットとし、所定の成膜条件（前
記）で表面層１ｂ、２ｂ（膜厚３．０μｍ）を成膜する
ことにより形成した。
また、実施例２Ｏにおいては、基盤１ａ、２ａをイオン
エツチングした後、その凹球面上にイオンブレーティン
グ法により、所定の成膜条件（チッ素ガス圧５ ｘｔｏ
−”ｒ ｏ ｒ ｒ 、成膜速度３００人／ｍｉｎ、基
盤電圧−３００Ｖ ）でチタンナイトライドからなる第
２中間ＩＷｌｄ、２ｄ （膜厚０．３μｍ）を成膜した
。次いで、スパッタリング法により所定の成膜条件（ア
ルゴンガス圧１ ｘｌｏ−３Ｔｏ ｒ ｒ 、成膜速度
４００人／ｍ１ｎ）でニッケルからなる第１中間層ｌｃ
、２ｃ （膜厚０．０５μｍ）を成膜し、引続き同様
の方法により、白金（８０ｗ ｔ％）−ニッケル（１０
ｗｔ％）−イリジウム（１０ｗｔ％）合金とジルコニウ
ムオキサイドとチタンボーライドをターゲットとし、所
定の成膜条件（前記）で表面１１ｂ、２ｂ（膜厚１．Ｏ
ｌｌｍ）を成膜した。
エツチングした後、その凹球面上にイオンブレーティン
グ法により、所定の成膜条件（チッ素ガス圧５ ｘｔｏ
−”ｒ ｏ ｒ ｒ 、成膜速度３００人／ｍｉｎ、基
盤電圧−３００Ｖ ）でチタンナイトライドからなる第
２中間ＩＷｌｄ、２ｄ （膜厚０．３μｍ）を成膜した
。次いで、スパッタリング法により所定の成膜条件（ア
ルゴンガス圧１ ｘｌｏ−３Ｔｏ ｒ ｒ 、成膜速度
４００人／ｍ１ｎ）でニッケルからなる第１中間層ｌｃ
、２ｃ （膜厚０．０５μｍ）を成膜し、引続き同様
の方法により、白金（８０ｗ ｔ％）−ニッケル（１０
ｗｔ％）−イリジウム（１０ｗｔ％）合金とジルコニウ
ムオキサイドとチタンボーライドをターゲットとし、所
定の成膜条件（前記）で表面１１ｂ、２ｂ（膜厚１．Ｏ
ｌｌｍ）を成膜した。
その他の実施例もこれらとほぼ同様の方法により中間層
および表面層を形成した。
および表面層を形成した。
（以下余白）
次にこのような成形型の使用方法を、第１図の成形型を
例に説明する。
例に説明する。
第３図は、プレス成形機の主要部を示す断面図である。
このプレス成形機は上述した上型１．下型２および案内
型３を備え、下型２の上に被成形ガラス４が置かれる。
型３を備え、下型２の上に被成形ガラス４が置かれる。
これらの型１．２．３は、断面Ｈ字状のステンレス鋼か
らなる保持具５を介して、同じくステンレス鋼からなる
支持台６で支持されている。７はステンレス鋼からなる
押し棒で、これらを石英管８の内部に収容し、外周に配
置した誘導加熱コイル９により型１，２．３および被成
形ガラス４を加熱し、押し棒７を上型１の頭部に下降さ
せて、被成形ガラス４をプレス成形する。温度制御は、
下型２の内部に配設した熱電対１０により型温度を測定
して行なう。次に、その具体例を説明する。
らなる保持具５を介して、同じくステンレス鋼からなる
支持台６で支持されている。７はステンレス鋼からなる
押し棒で、これらを石英管８の内部に収容し、外周に配
置した誘導加熱コイル９により型１，２．３および被成
形ガラス４を加熱し、押し棒７を上型１の頭部に下降さ
せて、被成形ガラス４をプレス成形する。温度制御は、
下型２の内部に配設した熱電対１０により型温度を測定
して行なう。次に、その具体例を説明する。
被成形ガラス４として、ガラス組成がｗｔ％でＳ ｉ
Ｏｚ：２７．８． Ａ ｊ！ ２Ｏ３：２．０１ Ｎ
ａ ｔｏ ：１．８． ＫｚＯ：１．２． Ｐ ｂ Ｏ
：６５．２． Ｔ ｉ Ｏ□：２．０である重フリント
系光学ガラス（転移温度４３５℃）を直径１０ｖｍの球
状のガラス塊に加工したものを使用し、Ｎ２ガス雰囲気
中、型温度５００℃で圧力４０ｋｇ／ａｄを３０秒間加
えた。その後、圧力を解き、プレス成形されたガラス成
形体を、上型１および下型２と接触させた状態のまま上
記転移温度まで徐冷し、次いで室温まで急冷して、両凸
球面レンズに成形されたガラス成形体を成形型から取出
す。
Ｏｚ：２７．８． Ａ ｊ！ ２Ｏ３：２．０１ Ｎ
ａ ｔｏ ：１．８． ＫｚＯ：１．２． Ｐ ｂ Ｏ
：６５．２． Ｔ ｉ Ｏ□：２．０である重フリント
系光学ガラス（転移温度４３５℃）を直径１０ｖｍの球
状のガラス塊に加工したものを使用し、Ｎ２ガス雰囲気
中、型温度５００℃で圧力４０ｋｇ／ａｄを３０秒間加
えた。その後、圧力を解き、プレス成形されたガラス成
形体を、上型１および下型２と接触させた状態のまま上
記転移温度まで徐冷し、次いで室温まで急冷して、両凸
球面レンズに成形されたガラス成形体を成形型から取出
す。
以上のプレス成形法は、第２図は示した成形型でも同様
に行なわれる。そして、第３図のプレス成形機において
、実施例１〜２１の表面層ないし中間層を有する上・下
型を用いて、上述したと同様の条件で上記重フリント系
ガラスの成形をそれぞれ１０００回ずつ繰り返して行な
った。その結果、いずれの実施例の型についても、ガラ
ス成形体は型との離型性が良好で、型との接触面におい
て化学反応した様子が認められず、ガラス成形体と上・
下型表面層の面精度および鏡面は当初の状態が維持され
、ガラス成形体の面精度は１００Å以下であり、透明度
も良好であった。
に行なわれる。そして、第３図のプレス成形機において
、実施例１〜２１の表面層ないし中間層を有する上・下
型を用いて、上述したと同様の条件で上記重フリント系
ガラスの成形をそれぞれ１０００回ずつ繰り返して行な
った。その結果、いずれの実施例の型についても、ガラ
ス成形体は型との離型性が良好で、型との接触面におい
て化学反応した様子が認められず、ガラス成形体と上・
下型表面層の面精度および鏡面は当初の状態が維持され
、ガラス成形体の面精度は１００Å以下であり、透明度
も良好であった。
比較のため、表面層として白金−ロジウムおよび白金−
イリジウムの各合金のコーテイング膜をそれぞれ形成し
た成形型を使用し、上述した実施例と同様にプレス成形
を行なったところ、最初のプレス成形時からガラス成形
体と成形型との離型性が悪く、相互の接触面において化
学反応した様子がｊ忍められた。
イリジウムの各合金のコーテイング膜をそれぞれ形成し
た成形型を使用し、上述した実施例と同様にプレス成形
を行なったところ、最初のプレス成形時からガラス成形
体と成形型との離型性が悪く、相互の接触面において化
学反応した様子がｊ忍められた。
以上、成形型の表面層形状が凹球面のものについて示し
たが、本発明はこのような形状に制限を加えるものでは
なく、凸球面、非球面、平面等、何でもよい。
たが、本発明はこのような形状に制限を加えるものでは
なく、凸球面、非球面、平面等、何でもよい。
また、中間層は、上述した各実施例において用いた物質
を主成分とするものであれば、その効果を奏し、他の物
質として例えば白金、イリジウム、ロジウム、金、モリ
ブデンもしくはニッケル等を含有したものであってもよ
い。
を主成分とするものであれば、その効果を奏し、他の物
質として例えば白金、イリジウム、ロジウム、金、モリ
ブデンもしくはニッケル等を含有したものであってもよ
い。
さらに、被成形ガラスとしては、比較的化学反応を起こ
しやすい重フリント系光学ガラスを使用して良好な結果
が得られたことから、他の光学ガラスについても、本発
明の型を用いた成形が行なえることはいうまでもない。
しやすい重フリント系光学ガラスを使用して良好な結果
が得られたことから、他の光学ガラスについても、本発
明の型を用いた成形が行なえることはいうまでもない。
なお、本発明の型の表面層は成膜およびプレス成形時に
おいて酸化されることがあるが、酸化されても使用に支
障はない。
おいて酸化されることがあるが、酸化されても使用に支
障はない。
また、表面層上にさらに何らかの被覆層を形成し、表面
層と被成形ガラスとの間に被覆層を介在させるようにし
てもよい。
層と被成形ガラスとの間に被覆層を介在させるようにし
てもよい。
（発明の効果）
本発明によれば、成形型の表面層を、白金とニッケルの
少なくとも２成分からなる物質に窒化物、炭化物、ホウ
素化合物、酸化物のなかから選択された少なくとも二つ
の化合物が分散されて形成されていることにより、緻密
性、硬度および強度、耐化学反応性ならびに、結晶成長
を抑える事による面精度の保持性のそれぞれにおいて良
好な結果が得られるとともに、ガラス成形体との離型性
も向上する。
少なくとも２成分からなる物質に窒化物、炭化物、ホウ
素化合物、酸化物のなかから選択された少なくとも二つ
の化合物が分散されて形成されていることにより、緻密
性、硬度および強度、耐化学反応性ならびに、結晶成長
を抑える事による面精度の保持性のそれぞれにおいて良
好な結果が得られるとともに、ガラス成形体との離型性
も向上する。
第１図は本発明の一実施例を示す成形型の断面図、第２
図は本発明の他の実施例を示す断面図、第３図はプレス
成形機の構成例を示す断面図である。 １．１’−−・上型、ｌａ、２ａ−基盤、■ｂ、２ｂ−
・表面層、ｌｃ、ｌｄ、’ｌｃ、’１ｃｌ−中間層、２
．２′・・・下型。 出願人 田中貴金属工業株式会社 ホーヤ株式会社 第１９ 第２図 第３図
図は本発明の他の実施例を示す断面図、第３図はプレス
成形機の構成例を示す断面図である。 １．１’−−・上型、ｌａ、２ａ−基盤、■ｂ、２ｂ−
・表面層、ｌｃ、ｌｄ、’ｌｃ、’１ｃｌ−中間層、２
．２′・・・下型。 出願人 田中貴金属工業株式会社 ホーヤ株式会社 第１９ 第２図 第３図
Claims (5)
- （１）基盤および表面層を備え、表面層の形状がプレス
成形により被成形ガラスに転写されてガラス成形体を成
形する成形型において、表面層が、白金（Ｐｔ）とニッ
ケル（Ｎｉ）の少なくとも２成分からなる物質に窒化物
、炭化物、ホウ素化合物、酸化物のなかから選択された
少なくとも二つの化合物が分散されて形成されているこ
とを特徴とするガラス成形体の成形型。 - （２）表面層が白金（Ｐｔ）を主成分とし、ニッケル（
Ｎｉ）を５〜４５ｗｔ％含有する少なくとも２成分から
成る物質に窒化物、炭化物、ホウ素化合物、酸化物のな
かから選択された少なくとも二つの化合物が分散されて
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の成形型。 - （３）窒化物、炭化物、ホウ素化合物、酸化物より選ば
れた少なくとも二つの化合物が０．０２〜３０ｖｏｌ％
分散されて形成されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項または第２項に記載の成形型。 - （４）窒化物がＴｉＮ、ＴａＮ、ＡｌＮ、ＢＮ、Ｓｉ＿
３Ｎ＿４、ＨｆＮ、ＮｂＮ、ＺｒＮ、炭化物がＴｉＣ、
ＴａＣ、Ｂ＿４Ｃ、ＳｉＣ、ＨｆＣ、ＺｒＣ、ＶＣ、ホ
ウ素化合物がＴｉＢ＿２、ＺｒＢ＿２、ＶＢ＿２、Ｎｂ
Ｂ＿２、ＴａＢ＿２、ＭｎＢ、ＮｉＢ、ＦｅＢ、ＣｒＢ
＿２、ＣｏＢ、酸化物がＡｌ＿２Ｏ＿３、ＺｒＯ＿２、
Ｙ＿２Ｏ＿３である特許請求の範囲第１項〜第３項に記
載の成形型。 - （５）基盤と表面層との間に中間層を備え、その中間層
が、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ
）、モリブデン（Ｍｏ）、コバルト（Ｃｏ）、チタンナ
イトライド（ＴｉＮ）、チタンカーバイド（ＴｉＣ）、
シリコンカーバイド（ＳｉＣ）およびこれらの混合物か
ら選ばれた少なくとも一つを含む物質で形成されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第４項に記載
の成形型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27090587A JPH01111737A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | ガラス成形体の成形型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27090587A JPH01111737A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | ガラス成形体の成形型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01111737A true JPH01111737A (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=17492617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27090587A Pending JPH01111737A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | ガラス成形体の成形型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01111737A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5700307A (en) * | 1993-07-28 | 1997-12-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Die for press-molding optical elements |
| US5759221A (en) * | 1993-07-28 | 1998-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of press molding glass optical elements |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP27090587A patent/JPH01111737A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5700307A (en) * | 1993-07-28 | 1997-12-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Die for press-molding optical elements |
| US5759221A (en) * | 1993-07-28 | 1998-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of press molding glass optical elements |
| US6009728A (en) * | 1993-07-28 | 2000-01-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Die for press-molding optical elements |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01111737A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JP3630375B2 (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01115839A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01111738A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01111743A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01115833A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01115837A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JP2820728B2 (ja) | 光学部品成形用複合モールド | |
| JPH01111741A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01115830A (ja) | ガラスの成形体の成形型 | |
| JP2785888B2 (ja) | 光学素子成形用型 | |
| JPH01115831A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01111742A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01115836A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH0424294B2 (ja) | ||
| JPH01111739A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01111733A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01111734A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01115835A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01115829A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01115838A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01115840A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JP2583581B2 (ja) | 光学素子成形用型 | |
| JPH01115832A (ja) | ガラス成形体の成形型 | |
| JPH01153542A (ja) | ガラス成形体の成形型 |