JPH01112767A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH01112767A JPH01112767A JP62270692A JP27069287A JPH01112767A JP H01112767 A JPH01112767 A JP H01112767A JP 62270692 A JP62270692 A JP 62270692A JP 27069287 A JP27069287 A JP 27069287A JP H01112767 A JPH01112767 A JP H01112767A
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- JP
- Japan
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- image sensor
- semiconductor image
- substrate
- sensor chip
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
童業上の利用分野
本発明は、ファクシミリやデジタル複写機などの画像入
力装置に用いられる密着型イメージセンサに関するもの
である。
力装置に用いられる密着型イメージセンサに関するもの
である。
従来の技術
ファクシミリやデジタル複写機などの画像入力装置に用
いられる密着型イメージセンナには。
いられる密着型イメージセンナには。
ＣＯＤ、ＭＯ＋３．バイポーラＩＣ型センサ等の単結晶
シリコンからなる半導体イメージセンナチップを用いる
ものと、アモルファスシリコンやＣｄ５−８ｅ等の半導
体薄膜を用いたものがある。従来半導体イメージセンサ
チップを用いた密着型イメージセンサは、第３図ム及Ｂ
に示すようにアルミナやガラス等の基板１表面に金や鍋
−白金などの貴金属により所望する回路導体層２を形成
した回路基板上に、ＣＯＤ、ＭＯＳ、バイポーラＩＣ型
センサ等の単結晶シリコンからなる半導体イメージセン
サチップ３を複数個直線状に高清度に配列してエポキシ
系やシアノアクリレート系の導電性接着剤４により回路
基板上に接着固定し、ダイボンド後各半導体イメージセ
ンサチップ３の電極端子と回路導体層とをワイヤーボン
ド法により金やアルミニウムなどの金属細線６で接続し
、しかる後カバーガラス６をかぶせて対土用接着剤７で
固定するハーメチック構造を有していた。
シリコンからなる半導体イメージセンナチップを用いる
ものと、アモルファスシリコンやＣｄ５−８ｅ等の半導
体薄膜を用いたものがある。従来半導体イメージセンサ
チップを用いた密着型イメージセンサは、第３図ム及Ｂ
に示すようにアルミナやガラス等の基板１表面に金や鍋
−白金などの貴金属により所望する回路導体層２を形成
した回路基板上に、ＣＯＤ、ＭＯＳ、バイポーラＩＣ型
センサ等の単結晶シリコンからなる半導体イメージセン
サチップ３を複数個直線状に高清度に配列してエポキシ
系やシアノアクリレート系の導電性接着剤４により回路
基板上に接着固定し、ダイボンド後各半導体イメージセ
ンサチップ３の電極端子と回路導体層とをワイヤーボン
ド法により金やアルミニウムなどの金属細線６で接続し
、しかる後カバーガラス６をかぶせて対土用接着剤７で
固定するハーメチック構造を有していた。
発明が解決しようとする問題点
このような密着型イメージセンサでは、半導体イメージ
センサチップ３を複数個直線状に高精度に配列しなけれ
ばならないが、エポキシ系やシアノアクリレート系の導
電性接着剤４で半導体イメージセンサチップ３をダイボ
ンドした場合、回路基板が反ったシ半導体イメージセン
ナチップ３が初期の位置からずれてしまう。またワイヤ
ーポンデイン工程や、封止用接着剤７でカバーガラス６
を封止接着する工程などで８０〜４００℃加熱処理する
と、よシ回路基板が反ったシ半導体イメージセンサチッ
プ３がずれたシ剥れたシする。第４図ム、Ｂに加熱温度
処理に対する半導体イメージセンサの継ぎ日変化−着と
回路基板の反り変化を曲線［１ａ、［ｌｂに示す。曲線
Ｉｉ＆はガラス基板を用いたもので１曲線１１１ｂはア
ルミナ基板を用いたものである。回路基板が反ると半導
体イメージセンサチップ３の高さが変わるため、光学系
たとえば集束性ロッドレンズアレイなどを用いた場合に
は、焦点がボケて解像度が落ちてしまう。また半導体イ
メージセンサチップ３が初期の位置からずれることによ
り半導体イメージセンナチップ３の継ぎ目が広がったり
、直進性が悪くなったりすると原稿画像を歪んだシ一部
が抜けたシした状態で読み取ってしまうという問題点が
あった。
センサチップ３を複数個直線状に高精度に配列しなけれ
ばならないが、エポキシ系やシアノアクリレート系の導
電性接着剤４で半導体イメージセンサチップ３をダイボ
ンドした場合、回路基板が反ったシ半導体イメージセン
ナチップ３が初期の位置からずれてしまう。またワイヤ
ーポンデイン工程や、封止用接着剤７でカバーガラス６
を封止接着する工程などで８０〜４００℃加熱処理する
と、よシ回路基板が反ったシ半導体イメージセンサチッ
プ３がずれたシ剥れたシする。第４図ム、Ｂに加熱温度
処理に対する半導体イメージセンサの継ぎ日変化−着と
回路基板の反り変化を曲線［１ａ、［ｌｂに示す。曲線
Ｉｉ＆はガラス基板を用いたもので１曲線１１１ｂはア
ルミナ基板を用いたものである。回路基板が反ると半導
体イメージセンサチップ３の高さが変わるため、光学系
たとえば集束性ロッドレンズアレイなどを用いた場合に
は、焦点がボケて解像度が落ちてしまう。また半導体イ
メージセンサチップ３が初期の位置からずれることによ
り半導体イメージセンナチップ３の継ぎ目が広がったり
、直進性が悪くなったりすると原稿画像を歪んだシ一部
が抜けたシした状態で読み取ってしまうという問題点が
あった。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決する手段として本発明は、導電性接着
剤にシリコーン系の接着剤を用いて回路基板と半導体イ
メージセンサチップを接着固定しダイボンドする構成と
したものである。
剤にシリコーン系の接着剤を用いて回路基板と半導体イ
メージセンサチップを接着固定しダイボンドする構成と
したものである。
作用
上述のように半導体イメージセンサチップを導電性シリ
コーン接着剤で接着固定することによりダイボンド工程
やワイヤーボンド工程、封止工程で回路基板が反ったり
半導体イメージセンサチップが初期の位置からずれなく
なるために、焦点がボケて解像度が落ちたり、原稿画像
を歪んだり一部が抜けたシした状態で読み取ってしまう
と込う問題点が無くなった。
コーン接着剤で接着固定することによりダイボンド工程
やワイヤーボンド工程、封止工程で回路基板が反ったり
半導体イメージセンサチップが初期の位置からずれなく
なるために、焦点がボケて解像度が落ちたり、原稿画像
を歪んだり一部が抜けたシした状態で読み取ってしまう
と込う問題点が無くなった。
実施例
以下本発明の実施例による密着イメージセンサについて
、図面を用いて説明する。第１図は本発明の実施例１に
おける密着イメージセンサの断面図でるる。第２図は本
発明の実施例２における密着型イメージセンサの断面図
である。第１図、第２図において１１は基板、１２は回
路導体層、１３は半導体イメージセンナチップ、１４は
導電性シリコーン接着剤、１８は導電性エポキシ又はシ
アノアクリレート接着剤、１５は金属細線、１６はカバ
ーガラス、１７は封止用接着剤である。
、図面を用いて説明する。第１図は本発明の実施例１に
おける密着イメージセンサの断面図でるる。第２図は本
発明の実施例２における密着型イメージセンサの断面図
である。第１図、第２図において１１は基板、１２は回
路導体層、１３は半導体イメージセンナチップ、１４は
導電性シリコーン接着剤、１８は導電性エポキシ又はシ
アノアクリレート接着剤、１５は金属細線、１６はカバ
ーガラス、１７は封止用接着剤である。
以下、第１図、第２図に基すいて詳細に述べる。
実施例１
半導体プロセスを用いて単結晶シリコン基板上に、フォ
トトランジスタやフォトダイオード等の光検知素子アレ
ーとＭＯＳ（’−ＣＯＤ、バイポーラＩＣ等のスイッチ
ング素子等で構成した半導体イメージセンサを作り、こ
の単結晶シリコン基板から高精度ダイシング技術を駆使
して切断加工することによシ半導体イメージセンサチッ
プ１３を作成する。次にアルミナ基板又はガラス基板な
ど基板１１の上に金や銀−白金等の貴金属によシスク＼
リーン印刷法または薄膜形成法と７オトリソ法を用いて
所望する回路導体層１２を形成した回路基板の所定の位
置に導電性シリコーン接着剤１４をスクリーン印刷やデ
イスペンサー等で所定の膜厚だけ塗布し、その上に半導
体イメージセンサチップ１３を複数個直線状に配列した
後、空気中で１６０℃、２時間で硬化固定してダイボン
ドする。
トトランジスタやフォトダイオード等の光検知素子アレ
ーとＭＯＳ（’−ＣＯＤ、バイポーラＩＣ等のスイッチ
ング素子等で構成した半導体イメージセンサを作り、こ
の単結晶シリコン基板から高精度ダイシング技術を駆使
して切断加工することによシ半導体イメージセンサチッ
プ１３を作成する。次にアルミナ基板又はガラス基板な
ど基板１１の上に金や銀−白金等の貴金属によシスク＼
リーン印刷法または薄膜形成法と７オトリソ法を用いて
所望する回路導体層１２を形成した回路基板の所定の位
置に導電性シリコーン接着剤１４をスクリーン印刷やデ
イスペンサー等で所定の膜厚だけ塗布し、その上に半導
体イメージセンサチップ１３を複数個直線状に配列した
後、空気中で１６０℃、２時間で硬化固定してダイボン
ドする。
その後ワイヤーボンディング法で金線やアルミ線の金属
Ｉｔｌｌｌ線１ｓを基板温度３ｏｏ℃の状態で半導体イ
メージセンサチップ１３と回路導体層１２を接続し、し
かる後に半導体イメージセンナチップ１３の上面に透光
性に擾れたカバーガラス１６をかぶぜ１周辺にエポキシ
樹脂などの接着性や附湿性に憂れた封止用′接着剤１７
で真空中または不活性ガヌや空気中１６０℃、１時間の
条件で回路基板とカバーガラス１６を接着して半導体イ
メージセンサチップ１３をハーメチック封止する。
Ｉｔｌｌｌ線１ｓを基板温度３ｏｏ℃の状態で半導体イ
メージセンサチップ１３と回路導体層１２を接続し、し
かる後に半導体イメージセンナチップ１３の上面に透光
性に擾れたカバーガラス１６をかぶぜ１周辺にエポキシ
樹脂などの接着性や附湿性に憂れた封止用′接着剤１７
で真空中または不活性ガヌや空気中１６０℃、１時間の
条件で回路基板とカバーガラス１６を接着して半導体イ
メージセンサチップ１３をハーメチック封止する。
実施例２
実施例１において回路基板の所定の位置に導電性シリコ
ーン接着剤１４をスクリーン印刷やディスペンサー等で
所定の膜厚だけ塗布し、その上にエポキシ系やシアノア
クリレート系の導電性接着剤１８を所定の膜厚だけ塗布
した後、半導体イメージセンサチップ１３を複数個直線
状に配列し。
ーン接着剤１４をスクリーン印刷やディスペンサー等で
所定の膜厚だけ塗布し、その上にエポキシ系やシアノア
クリレート系の導電性接着剤１８を所定の膜厚だけ塗布
した後、半導体イメージセンサチップ１３を複数個直線
状に配列し。
空気中で１６０℃、２時間で硬化固定してダイボンドし
たものである。
たものである。
本発明による密着型イメージセンサの加熱温度処理に対
する半導体イメージセンサの継ぎ目変化量と回路基板の
反シ変化を第４図ム、Ｂの曲線ｌａ、ｌｂ、ｆｉａに示
す。曲線１１Ｌ、ｌｂは実施例１のガラス基板とアルミ
ナ基板を用いたもので、曲線■ａは実施例２のガラス基
板を用いたものである。
する半導体イメージセンサの継ぎ目変化量と回路基板の
反シ変化を第４図ム、Ｂの曲線ｌａ、ｌｂ、ｆｉａに示
す。曲線１１Ｌ、ｌｂは実施例１のガラス基板とアルミ
ナ基板を用いたもので、曲線■ａは実施例２のガラス基
板を用いたものである。
基板としてアルミナ基板を用いたが、ガラス基板にする
とより効果的であり、ｔたポリイミドなどのフィルム基
板、絶縁処理を施した樹脂や金属基板を使用してもよい
。尚、ダイボンド剤に導電性シリコーン接着剤１４を用
いたが、絶縁性のシリコーン接着剤を用いてもよい。
とより効果的であり、ｔたポリイミドなどのフィルム基
板、絶縁処理を施した樹脂や金属基板を使用してもよい
。尚、ダイボンド剤に導電性シリコーン接着剤１４を用
いたが、絶縁性のシリコーン接着剤を用いてもよい。
発明の効果
以上の説明からもわかるように本発明は、半導体イメー
ジセンサチップ複数個を回路導体層付基板上に導電性シ
リコーン接着剤で直線状に配列固定したあとで、各半導
体イメージセンサチップと回路導体層を電気的に接続し
てから半導体イメージセンサチップをハーメチック封止
したものであり、ダイボンド剤に導電性シリコーン接着
剤を用いることによシダイボンド工程やワイヤーボンド
工程、封止工程で温度が上昇しても１回路基板が反った
り半導体イメージセンナチップの位置がずれたり剥れな
くなるために、半導体イメージセンサチップを精度良く
直線状に配列することができ。
ジセンサチップ複数個を回路導体層付基板上に導電性シ
リコーン接着剤で直線状に配列固定したあとで、各半導
体イメージセンサチップと回路導体層を電気的に接続し
てから半導体イメージセンサチップをハーメチック封止
したものであり、ダイボンド剤に導電性シリコーン接着
剤を用いることによシダイボンド工程やワイヤーボンド
工程、封止工程で温度が上昇しても１回路基板が反った
り半導体イメージセンナチップの位置がずれたり剥れな
くなるために、半導体イメージセンサチップを精度良く
直線状に配列することができ。
しかも歩留まりよく密着イメージセンサを作成できる。
第１図は本発明の実施例１における密着イメージセンナ
の断面図、第２図は本発萌の実施例２における密着型イ
メージセンナの断面図、第３図ムは従来の密着イメージ
センサの斜視図、Ｂはその断面図、第４図ムは加熱温度
処理に対する回路基板の反シ変化を、Ｂは半導体イメー
ジセンサの継ぎ目変化量を示す特性図である。 １１・・・・・・基板、１２・・・・・・回路導体層、
１３・・・・・・半導体イメージセンサチップ、１４・
・・・・・導電性シリコーン接着剤、１８・・・・・・
導電性エポキシ又はシアノアクリレート接着剤、１６・
・・・・金属細線。 １６・・・・・・カバーガラス、１７・・・・・・封止
用接着剤。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
−基 披 １７一−−封止肩接着串ｊ 富 ２ 図 １−一一基 植 ７一−−肘止肩状層１Ｊ （Ａ） 第４図 （Ａ） 加９！！、！虜 じＣ） 加へ：Ｘ濾（０ｃ）
の断面図、第２図は本発萌の実施例２における密着型イ
メージセンナの断面図、第３図ムは従来の密着イメージ
センサの斜視図、Ｂはその断面図、第４図ムは加熱温度
処理に対する回路基板の反シ変化を、Ｂは半導体イメー
ジセンサの継ぎ目変化量を示す特性図である。 １１・・・・・・基板、１２・・・・・・回路導体層、
１３・・・・・・半導体イメージセンサチップ、１４・
・・・・・導電性シリコーン接着剤、１８・・・・・・
導電性エポキシ又はシアノアクリレート接着剤、１６・
・・・・金属細線。 １６・・・・・・カバーガラス、１７・・・・・・封止
用接着剤。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
−基 披 １７一−−封止肩接着串ｊ 富 ２ 図 １−一一基 植 ７一−−肘止肩状層１Ｊ （Ａ） 第４図 （Ａ） 加９！！、！虜 じＣ） 加へ：Ｘ濾（０ｃ）
Claims (2)
- （１）回路導体層付基板上に半導体イメージセンサチッ
プを複数個直線状にシリコーン接着剤で配列固定し、前
記半導体イメージセンサチップと回路導体層を電気的に
接続し、半導体イメージセンサチップをハーメチック封
止してなる密着型イメージセンサ。 - （２）基板としてガラス基板を使用したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の密着型イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62270692A JPH01112767A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62270692A JPH01112767A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01112767A true JPH01112767A (ja) | 1989-05-01 |
Family
ID=17489626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62270692A Pending JPH01112767A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01112767A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0623245U (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-25 | 松下電工株式会社 | センサ用チップの実装構造 |
| US9160910B2 (en) * | 2007-09-05 | 2015-10-13 | Gvbb Holdings S.A.R.L. | System and method for fixing an image sensor to a beamsplitter |
| JP2022523718A (ja) * | 2019-01-29 | 2022-04-26 | トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光検出器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764939A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-20 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS62230048A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサの組立方法 |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP62270692A patent/JPH01112767A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764939A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-20 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS62230048A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサの組立方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0623245U (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-25 | 松下電工株式会社 | センサ用チップの実装構造 |
| US9160910B2 (en) * | 2007-09-05 | 2015-10-13 | Gvbb Holdings S.A.R.L. | System and method for fixing an image sensor to a beamsplitter |
| JP2022523718A (ja) * | 2019-01-29 | 2022-04-26 | トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光検出器 |
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