JPH01113815A - メモリバックアップ装置 - Google Patents

メモリバックアップ装置

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Publication number
JPH01113815A
JPH01113815A JP62272483A JP27248387A JPH01113815A JP H01113815 A JPH01113815 A JP H01113815A JP 62272483 A JP62272483 A JP 62272483A JP 27248387 A JP27248387 A JP 27248387A JP H01113815 A JPH01113815 A JP H01113815A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
main power
memory
resistor
whose
Prior art date
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Pending
Application number
JP62272483A
Other languages
English (en)
Inventor
Akito Shibata
明人 柴田
Nobutoshi Maruyama
丸山 信敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP62272483A priority Critical patent/JPH01113815A/ja
Publication of JPH01113815A publication Critical patent/JPH01113815A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Power Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、記憶したデータを保持するためにバックアッ
プ電源を必要とするメモリに利用するメモリバックアッ
プ装置に関する。
従来の技術 第2図は、従来のメモリバックアップ装置を示し、この
メモリバックアップ装置は、主電源の+端子とメモリ1
の間に接続されて主電源がオフになったときにバックア
ップ電源からの逆流を防止するためのダイオード11よ
り成るメインブロックと、バックアップ電源からメモリ
1に印加する電圧を安定化させるために、M■型のトラ
ンジスタ8、トランジスタ8のベース電流制限用の抵抗
9、ツェナダイオード10より成るバックアップブロッ
クより構成されている。
尚、主電源は、このメモリバックアップ装置が搭載され
る電子機器の電源回路より構成されて電子機器がオフに
なると同様にオフになり、バックアップ電源は、電気機
器に搭載された電池等より構成されて常時オン状態であ
る。
第3図は、他の従来のメモリバックアップ装置を示し、
このメモリバックアップ装置は、第2図に示すダイオー
ド11の代わりに、 PNP型のトランジスタ2と、こ
のトランジスタ2のベース電流制限用の抵抗7より成る
メインブロックと、第2図に示すバックアップブロック
と同一の構成のバックアップブロックより構成されてい
る。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、第2図に示す従来のメモリバックアップ
装置では、主電源がオンのときにメインブロックのダイ
オード11により電圧降下(例えば0.7V以上)が生
じ、したがって、メモリ1が誤動作するという問題点が
ある。
他方、第3図に示す従来のメモリバックアップ装置では
、上記問題点を解決することができるが、主電源がオフ
になるとPNP型のトランジスタ2のコレクターエミッ
タ間に逆電流が流れ、バックアップ電源の電力を無駄に
消費するという問題点がある。
特に、バックアップ電源は、電池等より構成されている
ために、バックアップ電源の電力を無駄に消費するとメ
モリ1に安定した電力を供給す名ことができないという
問題点がある。
本発明は上記問題点に鑑み、主電源からメモリに対する
電力の電圧降下やバックアップ電源の電力損失を防止す
ることができるメモリバックアップ装置を提供すること
を目的とする。
問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するために、一端が主電源の
子端子に接続された第1の抵抗と、カソードが前記第1
の抵抗の他端に接続されたツェナダイオードと、一端が
前記ツェナダイオードのアノードに接続され、他端が接
地された第2の抵抗と、エミッタが主電源の子端子に接
続され、コレクタがメモリに接続され、ベースが第3の
抵抗の一端に接続されたPNP型トランジスタと、コレ
クタが前記第3の抵抗の他端に接続され、エミッタが接
地され、ベースが前記ツェナダイオードのアノードに接
続されたNPN型トランジスタとを備えたものである。
作    用 本発明は上記構成により、主電源がオンのときは、PN
P型トランジスタの電圧降下が少ないために、主電源か
らメモリに対する電力の電圧降下な防止することができ
、また、主電源がオフのときは、NPN型トランジスタ
によりPNP型トランジスタが完全にオフになるために
、バックアップ電源の電流が主電源側に逆流することを
防止することができ、したがって、バックアップ電源の
電力損失を防止することができる。
実施例 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。第1図
は、本発明に係るメモリバックアップ装置の一実施例を
示す回路図であり、第2図、第3図に示す構成部材と同
一の構成部材には同一の参照符号を付す。
第1図において、1は、このメモリバックアップ装置が
搭載される電子機器のメモリであり、図示左方に示す主
電源は、この電子機器の電源回路より構成されて電子機
器がオフになると同様にオフになり、図示右方に示すバ
ックアップ電源は、電気機器に搭載された電池等より構
成されて常時オン状態である。
4は、一端が主電源の子端子に接続され、他端がツェナ
ダイオード5のカソードに接続された電流制限用抵抗で
あり、ツェナダイオード5のアノードは、リーク電流制
限用抵抗6の一端に接続され、リーク電流制限用抵抗6
の他端は、主電源の一端子(接地側)に接続されている
2は、エミッタが主電源の子端子に接続され、コレクタ
がメモリ1の一端に接続され、ベースが電流制限用抵抗
7の一端に接続されたPNP型トランジスタであり、電
流制限用抵抗7の他端は、NPN型トランジスタ3のコ
レクタに接続されている。メモリ1の他端は、主電源の
一端子に接続されている。
NPN型トランジスタ3のベースは、ツェナダイオード
5とリーク電流制限用抵抗6の間に接続され、エミッタ
は、主電源の一端子に接続されている。したがって、リ
ーク電流制限用抵抗6は、NPN型トランジスタ3のベ
ース−エミッタ間に接続されている。
これら抵抗4.6.7、ツェナダイオード5、トランジ
スタ2.3は、主電源からメモリ1に対し安定した電力
を供給するためのメインブロックを構成している。
8は、コレクタがバックアップ電源の子端子に接続され
、エミッタがメモリ1の一端に接続され、ベースが電流
制限用抵抗9の一端とツェナダイオードのカソードに接
続されたNPN型のトランジスタである。
電流制限用抵抗9の他端は、バックアップ電源の子端子
に接続され、ツェナダイオードのアノードは、バックア
ップ電源の一端子とメモリ1の他端に接続されている。
これらNPN型のトランジスタ8、抵抗9、ツェナダイ
オード10は、バックアップ電源からメモリ1に印加す
る電圧を安定化させるためのバックアップブロックを構
成している。
次に、上記構成に係る実施例の動作を説明する。
第1図において、主電源がオンのときは、主電源の電圧
がツェナダイオード5のツェナ電圧以上のときのみ、電
流制限用抵抗4を介してツェナダイオード5にツェナ電
流が流れる。
NPN型トランジスタ3は、ツェナダイオード5にツェ
ナ電流が流れると、ベース−エミッタ間のリーク電流制
限用抵抗6によりオンになり、PNP型トランジスタ2
は、ベース電流制限用抵抗7こよりオンになる。
ここで、 NPN型トランジスタ2がオンになったとき
の主電源からメモリに対する電力の電圧降下は、通常約
0.1 V以下であり、したがって、NPN型トランジ
スタ2による電圧降下が殆どなく主電源の電力がメモリ
1に供給される。
他方、主電源の電圧が下がってツェナダイオード5のツ
ェナ電圧以下になると、NPN型トランジスタ3、PN
P型トランジスタ2が完全にオフになる。
主電源がオフになるとメモリ1は主電源から切り離され
てバックアップ電源から主電源に対する逆流が発生しな
くなり、したがって、バックアップ電源の電力損失を防
止することができる。
発明の詳細 な説明したように、本発明は、一端が主電源の子端子に
接続された第1の抵抗と、カソードが前記第1の抵抗の
他端に接続されたツェナダイオードと、一端が前記ツェ
ナダイオードのアノードに接続され、他端が接地された
第2の抵抗と、エミッタが主電源の子端子に接続され、
コレクタがメモリに接続され、ベースが第3の抵抗の一
端に接続されたPNP型トランジスタと、コレクタが前
記第3の抵抗の他端に接続され、エミッタが接地され、
ベースが前記ツェナダイオードのアノードに接続された
NPN型トランジスタとを備えたので、主電源がオンの
ときは、PNP型トランジスタの電圧降下が少ないため
に、主電源からメモリに対する電力の電圧降下を防止す
ることができ、また、主電源がオフのときは、N′PN
型トランジスタによりPNP型トランジスタが完全にオ
フになるために、バックアップ電源の電流が主電源側C
二進流することを防止することができ、したがって、バ
ックアップ電源の電力損失を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係るメモリバックアップ装置の一実
施例を示す回路図、第2図は、従来例のメモリバックア
ップ装置を示す回路図、第3図は、他の従来例のメモリ
バックアップ装置を示す回路図である。 1・・・メモリ、2・・・PNP型トランジスタ、3・
・・NPN型トランジスタ、4.6.7・・・抵抗、5
・・・ツェナダイオード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はか1名ヤ脂

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 一端が主電源の+端子に接続された第1の抵抗と、カソ
    ードが前記第1の抵抗の他端に接続されたツェナダイオ
    ードと、一端が前記ツェナダイオードのアノードに接続
    され、他端が接地された第2の抵抗と、エミッタが主電
    源の+端子に接続され、コレクタがメモリに接続され、
    ベースが第3の抵抗の一端に接続されたPNP型トラン
    ジスタと、コレクタが前記第3の抵抗の他端に接続され
    、エミッタが接地され、ベースが前記ツェナダイオード
    のアノードに接続されたNPN型トランジスタとを有す
    るメモリバックアップ装置。
JP62272483A 1987-10-28 1987-10-28 メモリバックアップ装置 Pending JPH01113815A (ja)

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JP62272483A JPH01113815A (ja) 1987-10-28 1987-10-28 メモリバックアップ装置

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JP62272483A JPH01113815A (ja) 1987-10-28 1987-10-28 メモリバックアップ装置

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JPH01113815A true JPH01113815A (ja) 1989-05-02

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