JPH01114780A - Ｘ線検出装置 - Google Patents
Ｘ線検出装置Info
- Publication number
- JPH01114780A JPH01114780A JP62272640A JP27264087A JPH01114780A JP H01114780 A JPH01114780 A JP H01114780A JP 62272640 A JP62272640 A JP 62272640A JP 27264087 A JP27264087 A JP 27264087A JP H01114780 A JPH01114780 A JP H01114780A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＸ線検出装置に関する。
［従来の技術］
第２図は、従来のＸ線検出装置の縦断面図である。１０
ａはアクリル材にてなる厚さ３〜４■の基板であり、該
基板１０ａ上には基板１０ａと平面形状が同じＡＱ薄膜
１１ａが設けられる。該Ａｆ２薄＠１１ａの基板１０ａ
と反対方向の上表面全面には、基板１０ａと平面形状を
同じくしポリイミドフィルムにてなる基材１２を用いた
光電変換部３０が設けられる。該基材１２の基板１０ａ
と反対方向の上表面にＡＱ、Ａｇ、Ｃｒ等にてなる下地
電極１３が形成され、さらに、該下地電極１３の基板ｌ
Ｏａと反対方向の上表面にｐ −ｉ −ｎ型非晶質半導
体ダイオードの光電変換素子１４が形成され、さらに該
光電変換素子１４の基板１０ａと反対方向の上表面にＳ
ｎｏ ｔ＋ Ｉ Ｔ Ｏ等にてなる透明電極膜１５が
形成される。前記ＡＱ薄膜１１ａ上に形成された構成物
１２，１３，１４．１５にて総括して光電変換部３０が
形成される。さらに、該光電変換部３０の基板１０ａと
反対方向の上表面全面に基板ｌＯａと平面形状を同じ（
１，ＺｎＳ等にてなるＸ線を可視光に変換する蛍光体が
塗布されたＸ線画視光変換手段ｔ６が接着され、該Ｘ線
可視光変換手段１６の基板１０ａと反対方向の上表面全
面に基板１０ａと平面形状を同じくしＡＱ薄膜１１ｂを
設け、最後に前記の全構成物１０ａ、ｌ Ｉａ、１２，
１３．＋４．１５，１６．１ ｌｂをはさみ込む形とな
るように、基板１０ａと同様のアクリル材にてなる基板
１０ｂがＡ１２薄膜１１ｂの上表面全面に接着される。
ａはアクリル材にてなる厚さ３〜４■の基板であり、該
基板１０ａ上には基板１０ａと平面形状が同じＡＱ薄膜
１１ａが設けられる。該Ａｆ２薄＠１１ａの基板１０ａ
と反対方向の上表面全面には、基板１０ａと平面形状を
同じくしポリイミドフィルムにてなる基材１２を用いた
光電変換部３０が設けられる。該基材１２の基板１０ａ
と反対方向の上表面にＡＱ、Ａｇ、Ｃｒ等にてなる下地
電極１３が形成され、さらに、該下地電極１３の基板ｌ
Ｏａと反対方向の上表面にｐ −ｉ −ｎ型非晶質半導
体ダイオードの光電変換素子１４が形成され、さらに該
光電変換素子１４の基板１０ａと反対方向の上表面にＳ
ｎｏ ｔ＋ Ｉ Ｔ Ｏ等にてなる透明電極膜１５が
形成される。前記ＡＱ薄膜１１ａ上に形成された構成物
１２，１３，１４．１５にて総括して光電変換部３０が
形成される。さらに、該光電変換部３０の基板１０ａと
反対方向の上表面全面に基板ｌＯａと平面形状を同じ（
１，ＺｎＳ等にてなるＸ線を可視光に変換する蛍光体が
塗布されたＸ線画視光変換手段ｔ６が接着され、該Ｘ線
可視光変換手段１６の基板１０ａと反対方向の上表面全
面に基板１０ａと平面形状を同じくしＡＱ薄膜１１ｂを
設け、最後に前記の全構成物１０ａ、ｌ Ｉａ、１２，
１３．＋４．１５，１６．１ ｌｂをはさみ込む形とな
るように、基板１０ａと同様のアクリル材にてなる基板
１０ｂがＡ１２薄膜１１ｂの上表面全面に接着される。
以上のように構成されたＸ線検出装置においてＸ線が入
射した場合、該Ｘ線は、Ｘ線検出装置を構成する種々の
素子を通過し、直接又は間接にＸ線可視光変換手段１６
に入射する。これによってＸ線は可視光に変換され、該
可視光は透明電極膜１５を通過し、直接光電変換素子１
４に入射したり、光電変換素子１４をはさむ位置に設け
られるＡＱ薄膜１１ａ、ｌｌｂに反射し、光電変換素子
１４に入射したりする。これにより光電変換素子１４を
はさむ下地電極１３と透明電極膜１５間に電位差が生じ
る。該電位差を測定することにより本Ｘ線検出装置に照
射されたｘｍｍを測定するものである。
射した場合、該Ｘ線は、Ｘ線検出装置を構成する種々の
素子を通過し、直接又は間接にＸ線可視光変換手段１６
に入射する。これによってＸ線は可視光に変換され、該
可視光は透明電極膜１５を通過し、直接光電変換素子１
４に入射したり、光電変換素子１４をはさむ位置に設け
られるＡＱ薄膜１１ａ、ｌｌｂに反射し、光電変換素子
１４に入射したりする。これにより光電変換素子１４を
はさむ下地電極１３と透明電極膜１５間に電位差が生じ
る。該電位差を測定することにより本Ｘ線検出装置に照
射されたｘｍｍを測定するものである。
［発明が解決しようとする問題点］
ところが、上述の従来のＸ線検出装置においては、Ｘ線
検出装置に加わる外力に対して強度を保つため、３〜４
門の厚さを有するアクリル材の基板１０ａ、ｊｏｂを光
電変換部３０の両面に設けていたので、Ｘ線検出装置全
体の厚さが厚くなり、従って、該装置の重量も重（なる
という問題があった。また、前記基板１０ａ又は１０ｂ
の厚さが厚いゆえ、照射されたＸ線が前記基板１０ａ、
ＩＯｂを通過する際の減衰率が高く、正確なＸ線の照射
線量を検知できないという問題があった。
検出装置に加わる外力に対して強度を保つため、３〜４
門の厚さを有するアクリル材の基板１０ａ、ｊｏｂを光
電変換部３０の両面に設けていたので、Ｘ線検出装置全
体の厚さが厚くなり、従って、該装置の重量も重（なる
という問題があった。また、前記基板１０ａ又は１０ｂ
の厚さが厚いゆえ、照射されたＸ線が前記基板１０ａ、
ＩＯｂを通過する際の減衰率が高く、正確なＸ線の照射
線量を検知できないという問題があった。
さらに、光電変換部３０の構成物である、基材１２の材
質のポリイミドフィルムは、吸湿性に富み、従来のＸ線
検出装置において基材１２が他の構成要素と接していな
い四面は、直接外気と接しているので、基材１２は空気
中の水分を吸い込み、剥離するおそれがあり、Ｘ線検出
装置としての寿命が短くするという問題があった。
質のポリイミドフィルムは、吸湿性に富み、従来のＸ線
検出装置において基材１２が他の構成要素と接していな
い四面は、直接外気と接しているので、基材１２は空気
中の水分を吸い込み、剥離するおそれがあり、Ｘ線検出
装置としての寿命が短くするという問題があった。
本発明の目的は、以上の問題点を解決し、薄くかつ強度
のある基板を使用することで、Ｘ線検出装置を薄くかつ
軽くし、またＸ線検出装置の基板におけるＸ線の減衰を
減少させ、しかも、光電変換部の基材であるポリイミド
フィルムを外気より密閉することにより、Ｘ線検出装置
の寿命を長くしたＸ線検出装置を提供することを目的と
する。
のある基板を使用することで、Ｘ線検出装置を薄くかつ
軽くし、またＸ線検出装置の基板におけるＸ線の減衰を
減少させ、しかも、光電変換部の基材であるポリイミド
フィルムを外気より密閉することにより、Ｘ線検出装置
の寿命を長くしたＸ線検出装置を提供することを目的と
する。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、少なくとも、ポリイミドフィルムを基材とす
る非晶質半導体光電変換手段、Ｘ線可視光変換手段、ア
ルミ箔はさみ込みフッ素樹脂、１層以上の透光性防湿性
の粘着層で覆ったことを特徴とする。
る非晶質半導体光電変換手段、Ｘ線可視光変換手段、ア
ルミ箔はさみ込みフッ素樹脂、１層以上の透光性防湿性
の粘着層で覆ったことを特徴とする。
［作用］
上記のように構成することにより、Ｘ線がＸ線可視光変
換部に入射したとき、該Ｘ線可視光変換部により可視光
に変換されて上記光電変換部に入射する。このとき、光
電変換部は前記可視光を電気信号に変換して出力する。
換部に入射したとき、該Ｘ線可視光変換部により可視光
に変換されて上記光電変換部に入射する。このとき、光
電変換部は前記可視光を電気信号に変換して出力する。
従って、入射されたＸ線を電気信号として検出すること
ができる。尚、基板材に薄くても強度を保つことができ
る材料を使用することにより、従来例のように厚い基板
における入射Ｘ線の減衰が減少し、Ｘ線検出装置を薄く
することができる。又、光電変換部を透光性防湿性粘着
層で密閉し、外気と遮断することにより光電変換部の基
材が吸湿性の高い材質であっても、Ｘ線検出装置の性能
を劣化させず、Ｘ線検出装置の寿命を延ばすことができ
る。
ができる。尚、基板材に薄くても強度を保つことができ
る材料を使用することにより、従来例のように厚い基板
における入射Ｘ線の減衰が減少し、Ｘ線検出装置を薄く
することができる。又、光電変換部を透光性防湿性粘着
層で密閉し、外気と遮断することにより光電変換部の基
材が吸湿性の高い材質であっても、Ｘ線検出装置の性能
を劣化させず、Ｘ線検出装置の寿命を延ばすことができ
る。
［実施例］
以下に、この発明の一実施例を図面とともに説明する。
第１図は、この発明のＸ線検出装置の縦断面図である。
ｌはＸ線吸収力が弱くかつ軽量強靭な材質である炭素繊
維・エポキシ複合材よりなる厚さ０ 、４ ｒｔｒｙ、
３５０１Ｒ平方の正方形基板であり、該基板ｌの上表面
には基板ｌと平面形状は同じで厚さ１７μ次の、後述す
るＸ線可視光変換部８にて生ずる可視光を反射させるた
めと、外部より電気ノイズをシールドするためのＡＱ薄
膜２を設ける。該ＡＱ薄膜２のほぼ中央部には１２５■
角で厚さ１２５μ肩のＸ線吸収力の弱いポリイミドフィ
ルム３を基材とし、該ポリイミドフィルム３のＡＱ薄膜
２と反対の上表面全面にＡＱ／Ｃｒにてなる厚さ１００
０人の下地電極４がポリイミドフィルム３と同じ平面形
状にて均一に真空蒸着される。該下地電極４の基板ｌと
反対方向の上表面全面に非晶質シリコンにてなる厚さｔ
ｏｏｏｏ人のｐ−１−ｎ型半導体ダイオードの光電変
換素子５が例えばグロー放電法により均一に形成され、
該光電変換素子５の基板ｌと反対方向の上表面に■ＴＯ
透明電極膜６が下地電極４と同じ平面形状にて均一に形
成される。前記構成物３，４，５．６は総括して光電変
換部２０を構成し、ＡＱ薄＠２のほぼ中央部に接着剤に
て接着される。ＡＱ薄膜２の表面に設けられた光電変換
部２０は透光性防湿性粘着層７ａにより覆われる。この
透光性防湿性粘着層７ａの厚さはたとえば最大０ 、２
ｍｍでＥＶＡ（エチレン・ビニル・アセテート）にて
なる。これにより光電変換部２０は透光性防湿性粘着層
７ａにより完全に外気から密閉される。さらに、該透光
性防湿性粘着層７ａの基板１と反対方向の上表面全面に
、Ｘ線を可視光に変換するＸ線可視光変換部８が前記基
板ｌと同じ平面形状にて積層される。Ｘ線可視光変換部
８はＧｄ、Ｏ，Ｓ：Ｔｂにてなる蛍光体を紙あるいは合
成樹脂フィルムに塗布してなる。さらに、Ｘ線可視光変
換部８の基板Ｉと反対方向の上表面全面に、前記透光性
防湿性粘着層７ａと同様の透光性防湿性粘着層７ ｂｈ
４ Ｘ線画視光変換部８上面に、前記基板ｌと同じ平面
形状にて積層後の上表面が基板１と平行になるように均
一に積層され、さらに、この透光性防湿性粘着層７ｂの
基板ｌと反対方向の上表面全面に前記基板１と同じ平面
形状にてテドラフィルム９（ＡＱ箔はさみ込みフッ素樹
脂フィルム）が接着剤等にて接着される。
維・エポキシ複合材よりなる厚さ０ 、４ ｒｔｒｙ、
３５０１Ｒ平方の正方形基板であり、該基板ｌの上表面
には基板ｌと平面形状は同じで厚さ１７μ次の、後述す
るＸ線可視光変換部８にて生ずる可視光を反射させるた
めと、外部より電気ノイズをシールドするためのＡＱ薄
膜２を設ける。該ＡＱ薄膜２のほぼ中央部には１２５■
角で厚さ１２５μ肩のＸ線吸収力の弱いポリイミドフィ
ルム３を基材とし、該ポリイミドフィルム３のＡＱ薄膜
２と反対の上表面全面にＡＱ／Ｃｒにてなる厚さ１００
０人の下地電極４がポリイミドフィルム３と同じ平面形
状にて均一に真空蒸着される。該下地電極４の基板ｌと
反対方向の上表面全面に非晶質シリコンにてなる厚さｔ
ｏｏｏｏ人のｐ−１−ｎ型半導体ダイオードの光電変
換素子５が例えばグロー放電法により均一に形成され、
該光電変換素子５の基板ｌと反対方向の上表面に■ＴＯ
透明電極膜６が下地電極４と同じ平面形状にて均一に形
成される。前記構成物３，４，５．６は総括して光電変
換部２０を構成し、ＡＱ薄＠２のほぼ中央部に接着剤に
て接着される。ＡＱ薄膜２の表面に設けられた光電変換
部２０は透光性防湿性粘着層７ａにより覆われる。この
透光性防湿性粘着層７ａの厚さはたとえば最大０ 、２
ｍｍでＥＶＡ（エチレン・ビニル・アセテート）にて
なる。これにより光電変換部２０は透光性防湿性粘着層
７ａにより完全に外気から密閉される。さらに、該透光
性防湿性粘着層７ａの基板１と反対方向の上表面全面に
、Ｘ線を可視光に変換するＸ線可視光変換部８が前記基
板ｌと同じ平面形状にて積層される。Ｘ線可視光変換部
８はＧｄ、Ｏ，Ｓ：Ｔｂにてなる蛍光体を紙あるいは合
成樹脂フィルムに塗布してなる。さらに、Ｘ線可視光変
換部８の基板Ｉと反対方向の上表面全面に、前記透光性
防湿性粘着層７ａと同様の透光性防湿性粘着層７ ｂｈ
４ Ｘ線画視光変換部８上面に、前記基板ｌと同じ平面
形状にて積層後の上表面が基板１と平行になるように均
一に積層され、さらに、この透光性防湿性粘着層７ｂの
基板ｌと反対方向の上表面全面に前記基板１と同じ平面
形状にてテドラフィルム９（ＡＱ箔はさみ込みフッ素樹
脂フィルム）が接着剤等にて接着される。
上述のように構成されたＸ線検出装置において、たとえ
ばＡＱ薄膜２が形成されていない基板ｌの表面よりＸ線
が入射した場合、Ｘ線は基板１．ＡＱ薄膜２、光電変換
部２０、透光性防湿性粘着層７ａ等のＸ線検出装置の構
成物にはほとんど吸収されず、Ｘ線可視光変換部８に入
射し、可視光に変換される。変換された可視光は、透光
性防湿性粘着層７ａを透過し、光電変換部２０の構成物
である光電変換素子５に入射する。尚、Ｘ線がＸ線可視
光変換部８にて変換された可視光が、光電変換部２０の
位置する方向と逆方向に放射された場合、又、光電変換
部２０の位置する方向に放射されたにもかかわらず、光
電変換素子５を通過しなかった場合は、各々テドラフィ
ルム９内のＡＣ箔及びＡＱ薄膜２により可視光は反射さ
れ、光電変換素子５に入射することができる。このよう
に、Ｘ線の可視光への変換効率が良くなる様、本Ｘ線検
出装置は構成されている。光電変換素子５に可視光が入
射することにより、光電変換素子５をはさむ透明電極膜
６と下地電極４の間に電位差が生じる。この電位差を測
定することにより、被照射体へのＸ線照射量を測定する
ことができる。
ばＡＱ薄膜２が形成されていない基板ｌの表面よりＸ線
が入射した場合、Ｘ線は基板１．ＡＱ薄膜２、光電変換
部２０、透光性防湿性粘着層７ａ等のＸ線検出装置の構
成物にはほとんど吸収されず、Ｘ線可視光変換部８に入
射し、可視光に変換される。変換された可視光は、透光
性防湿性粘着層７ａを透過し、光電変換部２０の構成物
である光電変換素子５に入射する。尚、Ｘ線がＸ線可視
光変換部８にて変換された可視光が、光電変換部２０の
位置する方向と逆方向に放射された場合、又、光電変換
部２０の位置する方向に放射されたにもかかわらず、光
電変換素子５を通過しなかった場合は、各々テドラフィ
ルム９内のＡＣ箔及びＡＱ薄膜２により可視光は反射さ
れ、光電変換素子５に入射することができる。このよう
に、Ｘ線の可視光への変換効率が良くなる様、本Ｘ線検
出装置は構成されている。光電変換素子５に可視光が入
射することにより、光電変換素子５をはさむ透明電極膜
６と下地電極４の間に電位差が生じる。この電位差を測
定することにより、被照射体へのＸ線照射量を測定する
ことができる。
尚、この実施例において、下地電極４の材質はＡＱ／Ｃ
ｒであるが、Ａ（！、Ａｇ、Ｃｒ、Ａ（！／Ａｇ、Ｃｒ
／Ａｇ等であってもよい。透光性防湿性粘着層７ａ。
ｒであるが、Ａ（！、Ａｇ、Ｃｒ、Ａ（！／Ａｇ、Ｃｒ
／Ａｇ等であってもよい。透光性防湿性粘着層７ａ。
７ｂの材質はＥＶＡ（エチレン・ビニル・アセテート）
であるが、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）でもよい。
であるが、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）でもよい。
Ｘ線−光変換部８の材質はＧａ２Ｏ，Ｓ：Ｔｂであるが
、ＣａＷＯ，、ＢａＰＣ１２：Ｅｕであっても良い。又
、透光性防湿性粘着層を基板１とＡＱ薄膜２の間、又は
、ＡＱ薄膜２とポリイミドフィルム基材３の間にはさみ
込むことは、さらに防湿効果を上げる上で効果的である
。
、ＣａＷＯ，、ＢａＰＣ１２：Ｅｕであっても良い。又
、透光性防湿性粘着層を基板１とＡＱ薄膜２の間、又は
、ＡＱ薄膜２とポリイミドフィルム基材３の間にはさみ
込むことは、さらに防湿効果を上げる上で効果的である
。
［発明の効果］
以上詳述した様にこの発明によれば、Ｘ線検出装置の基
板にＸ線減衰が少なくかつ薄くても強度が大きい炭素繊
維板を用いることにより、従来と同様の強度を保ちつつ
Ｘ線検出装置全体の厚さを薄く、かつ該Ｘ線検出装置の
重量を軽くすることができる。又、Ｘ線が変換された可
視光により電気信号を出力する光電変換部が外気と接触
しない様に透明で防湿性のある粘着層で密閉することに
より、光電変換部の吸湿による機能の劣化を防ぐことが
でき、Ｘ線検出装置の寿命を延ばすことができる。又、
光電変換部を前記ＡＱ薄膜で密閉することは、光電変換
部より出力される電気信号をＸ線検出装置外部から作用
する電気ノイズより防護でき、Ｘ線量の誤検知を防ぐこ
とにも寄与する。
板にＸ線減衰が少なくかつ薄くても強度が大きい炭素繊
維板を用いることにより、従来と同様の強度を保ちつつ
Ｘ線検出装置全体の厚さを薄く、かつ該Ｘ線検出装置の
重量を軽くすることができる。又、Ｘ線が変換された可
視光により電気信号を出力する光電変換部が外気と接触
しない様に透明で防湿性のある粘着層で密閉することに
より、光電変換部の吸湿による機能の劣化を防ぐことが
でき、Ｘ線検出装置の寿命を延ばすことができる。又、
光電変換部を前記ＡＱ薄膜で密閉することは、光電変換
部より出力される電気信号をＸ線検出装置外部から作用
する電気ノイズより防護でき、Ｘ線量の誤検知を防ぐこ
とにも寄与する。
第１図は本発明の一実施例であるＸ線検出装置の縦断面
図、第２図は従来のＸ線検出装置の−実施例である縦断
面図である。 ｌ・・・基板、 ３・・・基材、 ４・・下地電極、５
・・・光電変換素子、 ６・・・透明電極膜、７・・・
透光性防湿性粘着層、 ８・・・Ｘ線可視光変換部、
２０・・・光電変換部。 特許出願人鐘淵化学工業株式会社 代理人 弁理士前出 葆 外１名 第１図 第２図
図、第２図は従来のＸ線検出装置の−実施例である縦断
面図である。 ｌ・・・基板、 ３・・・基材、 ４・・下地電極、５
・・・光電変換素子、 ６・・・透明電極膜、７・・・
透光性防湿性粘着層、 ８・・・Ｘ線可視光変換部、
２０・・・光電変換部。 特許出願人鐘淵化学工業株式会社 代理人 弁理士前出 葆 外１名 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）少なくとも、ポリイミドフィルムを基材とする非
晶質半導体光電変換手段、Ｘ線可視光変換手段、アルミ
ハクはさみ込みフッ素樹脂フィルム、１層以上の透光性
防湿性の粘着層で構成されたことを特徴とするＸ線検出
装置。 - （２）上記透光性防湿性の粘着層がＰＶＢ（ポリビニル
ブチラール）又はＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ
線検出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272640A JPH01114780A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | Ｘ線検出装置 |
| US07/299,103 US5066861A (en) | 1987-07-22 | 1989-01-19 | X ray detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272640A JPH01114780A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | Ｘ線検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01114780A true JPH01114780A (ja) | 1989-05-08 |
Family
ID=17516739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62272640A Pending JPH01114780A (ja) | 1987-07-22 | 1987-10-28 | Ｘ線検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01114780A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05301086A (ja) * | 1992-04-23 | 1993-11-16 | Risaikuru Kyodo Kumiai | コンクリ−ト及びアスファルト廃棄物からの骨材の調製法 |
| EP0943931A3 (en) * | 1998-03-16 | 2000-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging apparatus |
| WO2001051952A1 (fr) * | 2000-01-13 | 2001-07-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Capteur d'image radiologique et panneau de scintillateurs |
| JP2001264442A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像記録媒体 |
| WO2002012919A1 (fr) * | 2000-08-03 | 2002-02-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Détecteur de rayonnement radioactif et procédé de fabrication |
| WO2002012920A1 (fr) * | 2000-08-03 | 2002-02-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Detecteur de rayonnement et panneau scintillateur et leurs procedes de fabrication |
| US6717152B2 (en) | 2000-11-27 | 2004-04-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electromagnetic wave detecting device and manufacturing method thereof |
| US6891164B2 (en) | 2000-01-13 | 2005-05-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image sensor and scintillator panel |
| TWI500926B (zh) * | 2012-11-23 | 2015-09-21 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | Ｘ光平板偵測裝置 |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP62272640A patent/JPH01114780A/ja active Pending
Cited By (13)
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