JPH01115686A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPH01115686A JPH01115686A JP62274333A JP27433387A JPH01115686A JP H01115686 A JPH01115686 A JP H01115686A JP 62274333 A JP62274333 A JP 62274333A JP 27433387 A JP27433387 A JP 27433387A JP H01115686 A JPH01115686 A JP H01115686A
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光によって情報を記録、再生および消去可能
な光ディスク、光カードなどの書き換え可能型光記録媒
体に関する。
な光ディスク、光カードなどの書き換え可能型光記録媒
体に関する。
［従来の技術］
従来、非晶質状態と結晶状態あるいは、複数の結晶状態
間の光学的変化を利用して情報の記゛録、消去を行なう
光記録媒体としては、次のものがある。
間の光学的変化を利用して情報の記゛録、消去を行なう
光記録媒体としては、次のものがある。
非晶質状態と結晶状態の２つの状態間の可逆的な転移に
より記録、消去を行なうものとしては、Ｔｅを主成分と
するＴｅ８１Ｇｅ１５Ｓｂ２３２薄膜を記録層としたも
の（特公昭４７−２６８９７） 、丁ｅ−Ｇｅ−３ｎ合
金薄膜を記録層としたもの（特開昭６１−３３２４など
）、Ｔｅを主成分とするＴ ｅ ８０３ ｂ１０３ ｅ
１０膜を記録層としたもの（特開昭６１−１４５７３
７など）、５ｂ２Ｓｅなどの組成の５ｂ−３ｅ合金を記
録層とするもの（特開昭６０−１５５４９など）、Ｉ
ｎＳｂ化合物半導体に少量のＴｅを添加し記録層とした
もの（ＳＰＩＥ Ｖｏｌ、 ５２９ Ｐ５１ ） 、Ｔ
ｅ−８ｂ２元合金を記録層としたもの（８６年応用物理
学会学術講演集 ２９ａ−ＺＥ−３，４） 、Ｔ ｅ低
酸化物を主成分とする薄膜を記録層とするもの（特開昭
５９−１８５０４８） 、またＴｅ−Ｇｅ合金を主成分
とするＴｅ−０−３ｎ−Ｇｅ−Ａｕ （特開昭ｆ３１−
２５９５）、Ｔｅ−０−Ｉ ｎ−Ｇｅ−Ａ＋Ｊ （特開
昭１３１−２５９２ ）、Ｔｅ−０−Ｂ ｉ −Ｇｅ−
ＡＬＪ （特開昭６ｌ−２５９３）、Ｔｅ０８ｂＧｅＡ
ｕ （特開昭６１−２５９５ ’）を記録層としたもの
がある。また、可逆的に転移可能な異なる結晶状態間の
光学的変化により記録、消去を行なうものとしては、Ｉ
ｎ−３ｂなどの２元合金を主成分とする薄膜を記録層と
したもの（特開昭６ｌ−２２７２３８）がある。
より記録、消去を行なうものとしては、Ｔｅを主成分と
するＴｅ８１Ｇｅ１５Ｓｂ２３２薄膜を記録層としたも
の（特公昭４７−２６８９７） 、丁ｅ−Ｇｅ−３ｎ合
金薄膜を記録層としたもの（特開昭６１−３３２４など
）、Ｔｅを主成分とするＴ ｅ ８０３ ｂ１０３ ｅ
１０膜を記録層としたもの（特開昭６１−１４５７３
７など）、５ｂ２Ｓｅなどの組成の５ｂ−３ｅ合金を記
録層とするもの（特開昭６０−１５５４９など）、Ｉ
ｎＳｂ化合物半導体に少量のＴｅを添加し記録層とした
もの（ＳＰＩＥ Ｖｏｌ、 ５２９ Ｐ５１ ） 、Ｔ
ｅ−８ｂ２元合金を記録層としたもの（８６年応用物理
学会学術講演集 ２９ａ−ＺＥ−３，４） 、Ｔ ｅ低
酸化物を主成分とする薄膜を記録層とするもの（特開昭
５９−１８５０４８） 、またＴｅ−Ｇｅ合金を主成分
とするＴｅ−０−３ｎ−Ｇｅ−Ａｕ （特開昭ｆ３１−
２５９５）、Ｔｅ−０−Ｉ ｎ−Ｇｅ−Ａ＋Ｊ （特開
昭１３１−２５９２ ）、Ｔｅ−０−Ｂ ｉ −Ｇｅ−
ＡＬＪ （特開昭６ｌ−２５９３）、Ｔｅ０８ｂＧｅＡ
ｕ （特開昭６１−２５９５ ’）を記録層としたもの
がある。また、可逆的に転移可能な異なる結晶状態間の
光学的変化により記録、消去を行なうものとしては、Ｉ
ｎ−３ｂなどの２元合金を主成分とする薄膜を記録層と
したもの（特開昭６ｌ−２２７２３８）がある。
「発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記従来技術の場合、次のような問題が
あった。
あった。
すなわち、Ｔｅ８１Ｇｅ１５Ｓｂ２８２薄膜を記録層と
したもの、および１ｅ（３ｅ３ｎを記録層としたもので
は、記録の高速消去機能と半導体レーザで記録可能な実
用的記録感度を両立させることができず実用性に乏しか
った。またＴ ｅ ８０８ ｂ ｌ０８ｅ１０膜を記録
層としたもの、および５ｂ２Ｓｅ等の組成の５ｂ−８ｅ
合金を記録層とするもの、■ｎＳｂ化合物半導体に１０
％程度の少量のＴｅを添加し記録層としたもの、Ｔｅ−
８ｂ２元合金を記録層としたものなどでは、耐酸化性の
点では、比較的優れているが、以下の問題があった。
したもの、および１ｅ（３ｅ３ｎを記録層としたもので
は、記録の高速消去機能と半導体レーザで記録可能な実
用的記録感度を両立させることができず実用性に乏しか
った。またＴ ｅ ８０８ ｂ ｌ０８ｅ１０膜を記録
層としたもの、および５ｂ２Ｓｅ等の組成の５ｂ−８ｅ
合金を記録層とするもの、■ｎＳｂ化合物半導体に１０
％程度の少量のＴｅを添加し記録層としたもの、Ｔｅ−
８ｂ２元合金を記録層としたものなどでは、耐酸化性の
点では、比較的優れているが、以下の問題があった。
すなわち、Ｔｅ８０ＳｂｌＯ３ｅｌＯ膜などのＴｅ−８
ｂ−８ｅ合金膜では、レーザービームによる記録消去に
２０μｓｅｃ程度の時間を要し、消去速度が遅く実用性
に欠けていた。一方、５ｂ２Ｓｅ等の組成の５ｂ−３ｅ
合金を記録層とするものは、記録、消去を繰り返すとノ
イズが急激に増加し記録信号の品位が低下する問題があ
った。ざらにＩｎＳｂ化合物半導体に少量のＴｅを添加
し記録層としたものでは、非晶化に要する記録レーザパ
ワーが大きく、また、記録時の反射率変化が小さく実用
的ではなかった。さらに、この組成の記録層は、−旦結
晶化した後は非晶化することが著しく困難であるという
欠点がある。また、Ｓｂ２Ｔｅ３合金を記録層とする場
合には、結晶化温度が低く信頼性に乏しく、また消去に
要する時間が長く実用的でなかった。
ｂ−８ｅ合金膜では、レーザービームによる記録消去に
２０μｓｅｃ程度の時間を要し、消去速度が遅く実用性
に欠けていた。一方、５ｂ２Ｓｅ等の組成の５ｂ−３ｅ
合金を記録層とするものは、記録、消去を繰り返すとノ
イズが急激に増加し記録信号の品位が低下する問題があ
った。ざらにＩｎＳｂ化合物半導体に少量のＴｅを添加
し記録層としたものでは、非晶化に要する記録レーザパ
ワーが大きく、また、記録時の反射率変化が小さく実用
的ではなかった。さらに、この組成の記録層は、−旦結
晶化した後は非晶化することが著しく困難であるという
欠点がある。また、Ｓｂ２Ｔｅ３合金を記録層とする場
合には、結晶化温度が低く信頼性に乏しく、また消去に
要する時間が長く実用的でなかった。
丁ｅ低酸化物を主成分とする薄膜を記録層とするもの（
特開昭５９−１８５０４８＞ 、Ｔ ｅ −Ｇ ｅ合金
を主成分とするＴｅ−０−８ｎ−Ｇｅ−Ａｕ （特開昭
６１−２５９５＞ 、Ｔｅ−０−Ｉ ｎ−Ｇｅ−ＡＬＪ
（特開昭８ｌ−２５９２） 、Ｔｅ−ｏ−Ｂ ｉ −
（３ｅ−Ａｕ（特開昭Ｅ）１−２５９３＞ 、Ｔｅ−０
−８ｂ−Ｇｅ−ＡＵ（特開昭６ｌ−２５９５）を記録層
としたものでは、記録の消去に要する時間が長いという
欠点があった。また、異なる結晶状態間の転移に伴なう
光学的性質の差異を利用して記録を行なう、Ｉ ｎ−８
ｂなどの２元合金を主成分とする記録層の場合には、記
録層を予めオーブンなどで結晶状態に初期化する必要が
あること１、記録時の光ビーム走査速度が速い場合、記
録状態が悪くなることなどの実用上の欠点があった。
特開昭５９−１８５０４８＞ 、Ｔ ｅ −Ｇ ｅ合金
を主成分とするＴｅ−０−８ｎ−Ｇｅ−Ａｕ （特開昭
６１−２５９５＞ 、Ｔｅ−０−Ｉ ｎ−Ｇｅ−ＡＬＪ
（特開昭８ｌ−２５９２） 、Ｔｅ−ｏ−Ｂ ｉ −
（３ｅ−Ａｕ（特開昭Ｅ）１−２５９３＞ 、Ｔｅ−０
−８ｂ−Ｇｅ−ＡＵ（特開昭６ｌ−２５９５）を記録層
としたものでは、記録の消去に要する時間が長いという
欠点があった。また、異なる結晶状態間の転移に伴なう
光学的性質の差異を利用して記録を行なう、Ｉ ｎ−８
ｂなどの２元合金を主成分とする記録層の場合には、記
録層を予めオーブンなどで結晶状態に初期化する必要が
あること１、記録時の光ビーム走査速度が速い場合、記
録状態が悪くなることなどの実用上の欠点があった。
本発明はかかる問題点を改善し、記録層の毒性が低く、
記録に要するパワーが低く、かつ記録の高速消去が可能
な、信頼性の高い光記録媒体を提供することを目的とす
る。
記録に要するパワーが低く、かつ記録の高速消去が可能
な、信頼性の高い光記録媒体を提供することを目的とす
る。
かかる本発明の目的は、基板上に記録層を備え、該記録
層に光を照射することによって、情報の記録、再生およ
び消去が可能である光記録媒体において、上記記録層の
組成が、下記の一般式で表わされる範囲にあることを特
徴とする光記録媒体により達成される。
層に光を照射することによって、情報の記録、再生およ
び消去が可能である光記録媒体において、上記記録層の
組成が、下記の一般式で表わされる範囲にあることを特
徴とする光記録媒体により達成される。
（ＳｂＸ Ｔｅ１ＯＯ−Ｘ ） １００−Ｙ Ｉ ｎＹ
ここでＸは、７０＞Ｘ＞６５゜ Ｙは、 ７≧Ｙ≧１ 。
ここでＸは、７０＞Ｘ＞６５゜ Ｙは、 ７≧Ｙ≧１ 。
括弧内のＸと１００−Ｘは、それぞれアンチモン（Ｓｂ
）とテルル（Ｔｅ）の原子数比を示す。
）とテルル（Ｔｅ）の原子数比を示す。
また、括弧外の１００−ＹとＹは、それぞれＴｅとＳｂ
の原子％の合計と、インジウム（Ｉｎ）の合計の原子％
を示す。すなわち、Ｙ＝１００Ｘ（Ｉｎの原子数）／（
一般式で示した全組成の原子数＞、１００−Ｙ＝１００
ｘ （ＳｂとＴｅ１７）原子数の和）／（一般式で示し
た全組成の原子数）である。
の原子％の合計と、インジウム（Ｉｎ）の合計の原子％
を示す。すなわち、Ｙ＝１００Ｘ（Ｉｎの原子数）／（
一般式で示した全組成の原子数＞、１００−Ｙ＝１００
ｘ （ＳｂとＴｅ１７）原子数の和）／（一般式で示し
た全組成の原子数）である。
上記組成範囲においては、おおよそ５００ｎｓｅＣ〜４
０ｎｓｅｃの光パルスによって、結晶状態の記録層に非
晶化マークを形成し情報を記録することができる。また
、−旦形成した前記の非晶化マークを、おおよそ１００
０ｎＳｅＣ〜２００ｎｓｅｃの光照射により結晶状態に
復帰させ、記録を消去することができる。
０ｎｓｅｃの光パルスによって、結晶状態の記録層に非
晶化マークを形成し情報を記録することができる。また
、−旦形成した前記の非晶化マークを、おおよそ１００
０ｎＳｅＣ〜２００ｎｓｅｃの光照射により結晶状態に
復帰させ、記録を消去することができる。
本発明の記録層の主成分は一般式の括弧内に示した、３
ｂを主とする３ｂ−Ｔｅ合金である。この５ｂ−Ｔｅ合
金は（ＳｂとＳｂ２Ｔｅ３の共晶組成に近く、Ｓｂ、Ｓ
ｂ２ Ｔｅ３化合物に比べても融点が低く、非晶化によ
る記録ハ容易である。
ｂを主とする３ｂ−Ｔｅ合金である。この５ｂ−Ｔｅ合
金は（ＳｂとＳｂ２Ｔｅ３の共晶組成に近く、Ｓｂ、Ｓ
ｂ２ Ｔｅ３化合物に比べても融点が低く、非晶化によ
る記録ハ容易である。
本発明の記録層に含まれるＳｂは、記録層の組成を示す
一般式においてＳｂを示すＸ（原子数比）が、７０＞Ｘ
＞６５の範囲とすることが好ましい。
一般式においてＳｂを示すＸ（原子数比）が、７０＞Ｘ
＞６５の範囲とすることが好ましい。
Ｘか７０以上の場合には、記録層に不可逆的な相分離が
起き易く、記録再生時のノイズが著しく大きくなると共
に、記録、消去の繰返しが困難になる。加えて、記録信
号のコントラストも低下し実用的ではない。一方、Ｘが
６５以下の場合には、記録の消去に要する光の照射時間
が長くなること、記録マークの熱安定性が低くなること
などの欠点が生じる。
起き易く、記録再生時のノイズが著しく大きくなると共
に、記録、消去の繰返しが困難になる。加えて、記録信
号のコントラストも低下し実用的ではない。一方、Ｘが
６５以下の場合には、記録の消去に要する光の照射時間
が長くなること、記録マークの熱安定性が低くなること
などの欠点が生じる。
また記録層に添加したＩｎは、前記の５ｂ−Ｔｅ合金に
７≧Ｙ≧１の範囲で添加することが好ましく、これによ
り、結晶化による消去に要する時間を低減し、非晶化さ
れた記録マークの高速消去を可能とする効果を有すると
共に、記録マーク消去後の消し残りを低減する効果があ
る。さらに記録層の結晶化温度を高め、熱的安定性を改
善する効果がある。Ｉｎを含まない場合には、非晶化し
た記録マークの消去性が悪く、また再生信号のコントラ
ストも低いため、実用性がない。このＩｎの原子％の合
計Ｙが、７原子％より多い場合には、記録の消去に要す
る光の照射時間が長くなると共に、記録層が変形し易く
、記録、消去の繰返し可能回数が減するなどの現象が発
生し、実用的ではない。また、Ｙが１原子％未溝の場合
には、消去速度向上、消し残り低減の効果が８２められ
ない。
７≧Ｙ≧１の範囲で添加することが好ましく、これによ
り、結晶化による消去に要する時間を低減し、非晶化さ
れた記録マークの高速消去を可能とする効果を有すると
共に、記録マーク消去後の消し残りを低減する効果があ
る。さらに記録層の結晶化温度を高め、熱的安定性を改
善する効果がある。Ｉｎを含まない場合には、非晶化し
た記録マークの消去性が悪く、また再生信号のコントラ
ストも低いため、実用性がない。このＩｎの原子％の合
計Ｙが、７原子％より多い場合には、記録の消去に要す
る光の照射時間が長くなると共に、記録層が変形し易く
、記録、消去の繰返し可能回数が減するなどの現象が発
生し、実用的ではない。また、Ｙが１原子％未溝の場合
には、消去速度向上、消し残り低減の効果が８２められ
ない。
記録の高速消去が可能であり、記録再生時の信号強度が
大きく、良好なキャリア対ノイズ比の得られる良好な組
成は、Ｘが６６〜６８であり、かつ、Ｙが１〜５原子％
である。
大きく、良好なキャリア対ノイズ比の得られる良好な組
成は、Ｘが６６〜６８であり、かつ、Ｙが１〜５原子％
である。
特に、Ｘが６６〜６８であり、かつＹが１〜２原子％で
ある組成では、レーザビームスポットの走査速度を結晶
化が可能な速度に選べば、再生パワーレベルより高い強
度の結晶化パワーレベルのレーザ光にそれよりも強度の
高い非晶化パワーレベルの信号を畳重する３値記録方式
によって単一ビームによるオーバライドも可能である。
ある組成では、レーザビームスポットの走査速度を結晶
化が可能な速度に選べば、再生パワーレベルより高い強
度の結晶化パワーレベルのレーザ光にそれよりも強度の
高い非晶化パワーレベルの信号を畳重する３値記録方式
によって単一ビームによるオーバライドも可能である。
本発明の記録層は、厚さ１０〜１１０００ｎとして基
板上に形成されている。特に光ディスクとして高い感度
を得るためには、１００ｍ以上５Ｑｎｍ以下とすること
が好ましく、ざらに良好な記録再生信号のキャリア対ノ
イズ比を得るためには、６０ｎｍ〜１５０ｎｍとするこ
とが好ましい。
板上に形成されている。特に光ディスクとして高い感度
を得るためには、１００ｍ以上５Ｑｎｍ以下とすること
が好ましく、ざらに良好な記録再生信号のキャリア対ノ
イズ比を得るためには、６０ｎｍ〜１５０ｎｍとするこ
とが好ましい。
また、本発明の記録層に隣接して、保護層を積層しても
よい。この場合には、記録時の記録層のに変形が起りに
くく、記録の消去、−書き換えの回数を改善することが
できる。前記の保護層としては、８１０２などの無機薄
膜、ポリイミド樹脂などの耐熱性高分子薄膜などが好ま
しい。特に、Ｓｉ。
よい。この場合には、記録時の記録層のに変形が起りに
くく、記録の消去、−書き換えの回数を改善することが
できる。前記の保護層としては、８１０２などの無機薄
膜、ポリイミド樹脂などの耐熱性高分子薄膜などが好ま
しい。特に、Ｓｉ。
Ｑｅ、Ｔ ｉ、ｚｒ、 Ｔｅなどの金属酸化物薄膜が、
耐熱性が高いこと、記録層の酸化を防止できることから
好ましい。
耐熱性が高いこと、記録層の酸化を防止できることから
好ましい。
本発明に用いられる基板としては、プラスチック、ガラ
ス、アルミニウムなど従来の記録媒体と同様なものでよ
い。収束光により基板側から記録することによってごみ
の影響を避ける目的からは、基板として透明材料を用い
ることが好ましい。上記のような材料としては、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネイト、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、
ガラスが好ましい。ざらに好ましくは、複屈折が小さい
こと、形成が容易であることから、ポリメチルメタクリ
レート、ポリカーボネイト、エポキシ樹脂がよい。基板
の厚さは、特に限定するものではないが、１０ミクロン
以上、５ミリメートル以下が実用的である。１０ミクロ
ン未満では基板側から収束光で記録する場合でもごみの
影響を受けやすくなり、５ミリメートルを越える場合に
は、収束光で記録する場合、対物レンズの開口数を大き
くすることができなくなり、ピットサイズが大きくなる
ため記録密度を上げることが困難になる。
ス、アルミニウムなど従来の記録媒体と同様なものでよ
い。収束光により基板側から記録することによってごみ
の影響を避ける目的からは、基板として透明材料を用い
ることが好ましい。上記のような材料としては、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネイト、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、
ガラスが好ましい。ざらに好ましくは、複屈折が小さい
こと、形成が容易であることから、ポリメチルメタクリ
レート、ポリカーボネイト、エポキシ樹脂がよい。基板
の厚さは、特に限定するものではないが、１０ミクロン
以上、５ミリメートル以下が実用的である。１０ミクロ
ン未満では基板側から収束光で記録する場合でもごみの
影響を受けやすくなり、５ミリメートルを越える場合に
は、収束光で記録する場合、対物レンズの開口数を大き
くすることができなくなり、ピットサイズが大きくなる
ため記録密度を上げることが困難になる。
基板はフレキシブルなものであっても良いし、リジッド
なものであっても良い。フレキシブルな基板は、テープ
状、あるいはシート状で用いることができる。リジット
な基板は、カード状、あるいは円形ディスク状で用いる
ことができる。また必要に応じて、２枚の基板を用いて
エアーサンドイッチ構造、エアーインシデント構造、密
着張り合わせ構造などとすることもできる。
なものであっても良い。フレキシブルな基板は、テープ
状、あるいはシート状で用いることができる。リジット
な基板は、カード状、あるいは円形ディスク状で用いる
ことができる。また必要に応じて、２枚の基板を用いて
エアーサンドイッチ構造、エアーインシデント構造、密
着張り合わせ構造などとすることもできる。
本発明の光記録媒体の記録に用いる光としては、レーザ
光やストロボ光のごとき光であり、とりわけ、半導体レ
ーザを用いることは、光源が小型でかつ消費電力が小さ
く、変調が容易であることから好ましい。
光やストロボ光のごとき光であり、とりわけ、半導体レ
ーザを用いることは、光源が小型でかつ消費電力が小さ
く、変調が容易であることから好ましい。
記録層および保護層は、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、
電子ビーム加熱蒸着法お計びイオンブレーティング法な
どの真空中での薄膜形成法により形成することができる
。特に、スパッタ法は、欠陥の少ない記録層、保護層を
形成できることから好ましい。
電子ビーム加熱蒸着法お計びイオンブレーティング法な
どの真空中での薄膜形成法により形成することができる
。特に、スパッタ法は、欠陥の少ない記録層、保護層を
形成できることから好ましい。
記録は、結晶状態の記録層をレーザ光照射により非晶化
マークを形成して行なうことができる。
マークを形成して行なうことができる。
また、記録速度が遅くなる場合があるが、非晶質状態の
記録層にレーザ光を照射することによって、非晶質マー
クを結晶化するか、結晶化マークを非晶化して行なうこ
とができる。
記録層にレーザ光を照射することによって、非晶質マー
クを結晶化するか、結晶化マークを非晶化して行なうこ
とができる。
結晶状態の記録層にレーザ光を照射し、非晶化マークを
形成して記録を行ない、消去の場合には、レーザ光照射
により非晶化マークを結晶化して行なう方法が、記録速
度を高くできること、記録層の変形が起り難いことから
好ましい。
形成して記録を行ない、消去の場合には、レーザ光照射
により非晶化マークを結晶化して行なう方法が、記録速
度を高くできること、記録層の変形が起り難いことから
好ましい。
結晶状態の記録層に非晶化マークを形成して記録を行な
う場合には、記録層を予め、レーザ光などの光照射、あ
るいは、温風などにより加熱し、結晶化しておくくこと
が好ましい。
う場合には、記録層を予め、レーザ光などの光照射、あ
るいは、温風などにより加熱し、結晶化しておくくこと
が好ましい。
［実施例］
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
なお実施例中の特性は以下の方法で評価したちのである
。
。
記録層の組成
形成した記録層の組成はＩＣＰ発光分析（セイコー電子
工業（株）製ＦＴＳ−１１，００型）によって確認した
。
工業（株）製ＦＴＳ−１１，００型）によって確認した
。
また、記録再生信号のキャリア対ノイズ比は、スペクト
ル・アナライザを用いて測定した。
ル・アナライザを用いて測定した。
実施例１
厚さ１．２ｍｍ、直径１３ｃｍ、 １．６μｍピッチの
スパイラル状のグループ付きポリカーボネイト製基板を
毎分３０回転させながら、スパッタ法により保護層と記
録層を形成した。
スパイラル状のグループ付きポリカーボネイト製基板を
毎分３０回転させながら、スパッタ法により保護層と記
録層を形成した。
まず、基板上に１１００ｎのＳｉＯ２保護層を形成し、
さらに真空度５Ｘ１０−３↑ｏｒｒの条件下で、Ｊｅ、
３ｂおよびＩｎを水晶振動子膜厚計でモニターしながら
、同時スパッタして、（５ｂ６６Ｔｅ３４） ９９１
ｎ １ の元素組成比の厚さ９０ｎｍの記録層を形成
した。さらにこの記録層上に厚さ１ｏｏｎｍのＳｉＯ２
保護層を形成し、本発明の光記録媒体を構成した。
さらに真空度５Ｘ１０−３↑ｏｒｒの条件下で、Ｊｅ、
３ｂおよびＩｎを水晶振動子膜厚計でモニターしながら
、同時スパッタして、（５ｂ６６Ｔｅ３４） ９９１
ｎ １ の元素組成比の厚さ９０ｎｍの記録層を形成
した。さらにこの記録層上に厚さ１ｏｏｎｍのＳｉＯ２
保護層を形成し、本発明の光記録媒体を構成した。
この光記録媒体を線速度１．５ｍ／秒で回転させ、基板
側から開口数０．５の対物レンズで集光した波長８３０
ｎｍの半導体レーザ光を膜面強度３．０ｍＷの条件で照
射しながらトラック上走査し記録層を結晶化した。この
とき結晶化によって記録層の反射率は、上昇した。その
後、同一の光学系を使用して、線速度４ｍ／ｓｅｃの条
件で、周波数１．７５Ｍ）ｌｚ、デユーティ比５０％に
変調した１０ｍＷの半導体レーザ光により記録を行なっ
た。
側から開口数０．５の対物レンズで集光した波長８３０
ｎｍの半導体レーザ光を膜面強度３．０ｍＷの条件で照
射しながらトラック上走査し記録層を結晶化した。この
とき結晶化によって記録層の反射率は、上昇した。その
後、同一の光学系を使用して、線速度４ｍ／ｓｅｃの条
件で、周波数１．７５Ｍ）ｌｚ、デユーティ比５０％に
変調した１０ｍＷの半導体レーザ光により記録を行なっ
た。
記録後、半導体レーザの強度を０．９ｍＷとじとて、記
録部分を走査し、記録の再生を行なったところ記録マー
ク部分の反射率が低下し記録が行なわれていることが確
認できた。この再生信号のＣ／Ｎ比をバンド幅３０ｋＨ
ｚの条件で、測定したところ、デジタル記録が可能な４
１ ’ｄ Ｂの値が得られた。ざらに記録部分を５．５
ｍＷの半導体レーザ光により１回走査したところ、記録
は消去され、その消去率は一３３ｄＢであった。このと
きノイズレベルの上昇はほとんどなかった。ざらに、こ
の消去部分に記録、消去を繰返し行なうことが可能であ
った。
録部分を走査し、記録の再生を行なったところ記録マー
ク部分の反射率が低下し記録が行なわれていることが確
認できた。この再生信号のＣ／Ｎ比をバンド幅３０ｋＨ
ｚの条件で、測定したところ、デジタル記録が可能な４
１ ’ｄ Ｂの値が得られた。ざらに記録部分を５．５
ｍＷの半導体レーザ光により１回走査したところ、記録
は消去され、その消去率は一３３ｄＢであった。このと
きノイズレベルの上昇はほとんどなかった。ざらに、こ
の消去部分に記録、消去を繰返し行なうことが可能であ
った。
また、記録部分の非晶質マークは、通風オーブン中でこ
の光記録媒体を７０℃に３０分間加熱した後も安定に存
在した。
の光記録媒体を７０℃に３０分間加熱した後も安定に存
在した。
実施例２
実施例１の記録層を（Ｓｂ７０Ｔｅ３０） ９９１ ｎ
１ の組成の記録層とした他は、実施例１と同様に
して光記録媒体を製作した。この光記録媒体の記録、再
生を実施例１と同じ条件で行なったところ、記録再生信
号のＣ／Ｎ比は４０ｄＢであった。また、この記録部分
を線速度３ｍ／ＳｅＣ，レーザ光パワー４．０ｍＷの条
件でトラックあたり１回の照射により消去することが可
能であった。消去後のＣ／Ｎ比は１０ｄＢであった。
１ の組成の記録層とした他は、実施例１と同様に
して光記録媒体を製作した。この光記録媒体の記録、再
生を実施例１と同じ条件で行なったところ、記録再生信
号のＣ／Ｎ比は４０ｄＢであった。また、この記録部分
を線速度３ｍ／ＳｅＣ，レーザ光パワー４．０ｍＷの条
件でトラックあたり１回の照射により消去することが可
能であった。消去後のＣ／Ｎ比は１０ｄＢであった。
実施例３
実施例１の記録層を（５ｂ６９丁ｅ３１＞ ９８Ｉ ｎ
２および（５ｂ６９丁ｅ３１） ９５Ｉ ｎ５ とし
た光記録媒体をそれぞれ作製した。これらの光記録媒体
は、いずれも、記録レーザパワー１０ｍＷ、記録周波数
１゜７ＭＨ２，線速度４ｍ／ＳｅＣの条件で記録が可能
であり、また、ビーム走査速度、線速度１．５ｍ／Ｓｅ
Ｃ，レーザパワー３〜４ｍＷの条件でトラックあたり１
回の照射により消去可能であった。
２および（５ｂ６９丁ｅ３１） ９５Ｉ ｎ５ とし
た光記録媒体をそれぞれ作製した。これらの光記録媒体
は、いずれも、記録レーザパワー１０ｍＷ、記録周波数
１゜７ＭＨ２，線速度４ｍ／ＳｅＣの条件で記録が可能
であり、また、ビーム走査速度、線速度１．５ｍ／Ｓｅ
Ｃ，レーザパワー３〜４ｍＷの条件でトラックあたり１
回の照射により消去可能であった。
比較例１
実施例１において、記録層の、組成を下記（イ）〜（ニ
）に変更した以外は実施例１と同様にして光記録媒体を
それぞれ作製した。
）に変更した以外は実施例１と同様にして光記録媒体を
それぞれ作製した。
（イ） （Ｓｂｓｏｒｅｓｏ） ９ａ■ｎ２（ロ） （
Ｓｂ８０Ｔｅ２０） ９８Ｉ ｎ２（ハ） ５ｂＢ６
Ｔｅ３４ （ニ） （Ｓｂ６５Ｔｅ３５） ８０Ｉ ｎ２０組成（
イ）の光記録媒体の場合には、記録後非晶化マークの消
去に要する時間が長く、線速度１゜５／ｓｅｃで回転さ
せた状態では、１回の半導体レーザ光照射では、消去が
困難であった。
Ｓｂ８０Ｔｅ２０） ９８Ｉ ｎ２（ハ） ５ｂＢ６
Ｔｅ３４ （ニ） （Ｓｂ６５Ｔｅ３５） ８０Ｉ ｎ２０組成（
イ）の光記録媒体の場合には、記録後非晶化マークの消
去に要する時間が長く、線速度１゜５／ｓｅｃで回転さ
せた状態では、１回の半導体レーザ光照射では、消去が
困難であった。
（ロ）の組成の場合には、非晶化マーク形成に要する記
録パワーが大きく、１０ｍＷの半導体レーザ光では、記
録が困難であった。
録パワーが大きく、１０ｍＷの半導体レーザ光では、記
録が困難であった。
（ハ）の組成の場合には、記録、消去は可能であるが、
実施例１と同様の記録条件でテストしたところ、Ｃ／Ｎ
比は３６ｄＢと低く実用的な水準に達しなかった。また
非晶質部分の結晶化温度も実施例１に比べ約１０’Ｃ低
く熱安定性も劣っていた。
実施例１と同様の記録条件でテストしたところ、Ｃ／Ｎ
比は３６ｄＢと低く実用的な水準に達しなかった。また
非晶質部分の結晶化温度も実施例１に比べ約１０’Ｃ低
く熱安定性も劣っていた。
（ニ）の組成の場合には、（イ）と同様に消去が困難で
あった。
あった。
実施例４
実施例１の光記録媒体を、室内通常環境に６力月放置し
たのち、実施例１と同様に記録、再生、消去を行なった
が、特に劣化は認められなかった。
たのち、実施例１と同様に記録、再生、消去を行なった
が、特に劣化は認められなかった。
また、６０’Ｃ１８０％相対湿度中に２０日間放置した
後も同様に異常は認められなかった。
後も同様に異常は認められなかった。
実施例５
実施例１の光記録媒体を実施例１と同様に予め結晶化し
、その後、記録周波数１．８ＭＨ２，１ｏｍｗ、線速度
４ｍ／ＳｅＣの記録条件で記録した。このとき再生信号
のＣ／Ｎ比は４２ｄＢであった。その後、消去パワーレ
ベル５ｍＷ、記録パワーレベル１０ｍＷ１記録周波数１
．６ＭＨ２（７）条件で記録を行ない、記録後０．９ｍ
Ｗの半導体レーザ光で再生したところ、１．８ＭＨ２の
記録信号は、１．６Ｍ１−１ｚに書き換えられた。この
ときのＣ／Ｎ比は４０ｄＢであり、１．８ＭＨ２の信号
の強度は、２５ｄＢ減少した。
、その後、記録周波数１．８ＭＨ２，１ｏｍｗ、線速度
４ｍ／ＳｅＣの記録条件で記録した。このとき再生信号
のＣ／Ｎ比は４２ｄＢであった。その後、消去パワーレ
ベル５ｍＷ、記録パワーレベル１０ｍＷ１記録周波数１
．６ＭＨ２（７）条件で記録を行ない、記録後０．９ｍ
Ｗの半導体レーザ光で再生したところ、１．８ＭＨ２の
記録信号は、１．６Ｍ１−１ｚに書き換えられた。この
ときのＣ／Ｎ比は４０ｄＢであり、１．８ＭＨ２の信号
の強度は、２５ｄＢ減少した。
［発明の効果］
本発明は光記録媒体の記録層を３ｂ、ＨｅおよびＩｎか
らなる特定の組成で構成したので、次のごとき優れた効
果を奏するものである。
らなる特定の組成で構成したので、次のごとき優れた効
果を奏するものである。
（１） 記録に要するパワーが低く、記録の高速消去
が可能であり、かつ記録マークの熱的安定性の高い光記
録媒体とすることができた。
が可能であり、かつ記録マークの熱的安定性の高い光記
録媒体とすることができた。
（２）耐湿熱性に優れた光記録媒体とすることができた
。
。
Claims (1)
- （１）基板上に記録層を備え、該記録層に光を照射する
ことによって、情報の記録、再生および消去が可能であ
る光記録媒体において、上記記録層の組成が、下記の一
般式で表わされる範囲にあることを特徴とする光記録媒
体。 （ＳｂＸＴｅ１００−Ｘ）１００−ＹＩｎＹここでＸは
、７０＞Ｘ＞６５、 Ｙは、７≧Ｙ≧１ 括弧内のＸと１００−Ｘは、それぞれアンチモン（Ｓｂ
）とテルル（Ｔｅ）の原子数比を示す。 また、括弧外の１００−ＹとＹは、それぞれＴｅとＳｂ
の原子％の合計と、インジウム（Ｉｎ）の合計の原子％
を示す。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62274333A JP2798247B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62274333A JP2798247B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01115686A true JPH01115686A (ja) | 1989-05-08 |
| JP2798247B2 JP2798247B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=17540194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62274333A Expired - Fee Related JP2798247B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2798247B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01100748A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-19 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP62274333A patent/JP2798247B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01100748A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-19 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2798247B2 (ja) | 1998-09-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |