JPH01115934A - 樹脂成形品の架橋方法 - Google Patents

樹脂成形品の架橋方法

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JPH01115934A
JPH01115934A JP27446387A JP27446387A JPH01115934A JP H01115934 A JPH01115934 A JP H01115934A JP 27446387 A JP27446387 A JP 27446387A JP 27446387 A JP27446387 A JP 27446387A JP H01115934 A JPH01115934 A JP H01115934A
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JP
Japan
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crosslinking
resin
irradiation
article
molded resin
Prior art date
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Pending
Application number
JP27446387A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinori Sakamoto
坂本 良憲
Koji Nakai
康二 中井
Sadayoshi Mukai
向井 貞喜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin High Voltage Co Ltd
Original Assignee
Nissin High Voltage Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nissin High Voltage Co Ltd filed Critical Nissin High Voltage Co Ltd
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  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、例えば電子部品であるコンデンサ、IC1
抵抗などの電気要素や押ボタン、スライドスイッチ、端
子、コネクターなどの構成要素からなる部品本体あるい
は各部品部分を、熱可塑性樹脂をもって成形してなる樹
脂成形品の架橋方法に関する。
(従来の技術) この種樹脂成形品の耐熱性を向上するために、例えば特
開昭61−243604号公報には、電子線を照射する
ことによって樹脂の分子どうしを結合して三次元網目構
造を形成する放射線架橋方法が提案されており、これに
よれば無処理のものに比べ、その架橋度が増し、耐熱性
が向上しているっ(発明が解決しようとする問題点) ところで、最近に至り、この種技術分骨において、樹脂
成形品のより耐熱性の向上が強く望まれている。
(問題点を解決するための手段) この発明は、樹脂成形品に電子線を照射直後に、ガラス
転移点以上で融点以下の温度に保持することを特徴とす
る。
(作用) 電子線を照射直後に、ガラス転移点以上で融点以下の温
度に保持しているので、樹脂はゴム状になっており、電
子線照射によって生じたラジカルが動き易く、架橋効率
が向上すると推察される。
なお、ガラス転移点より低い温度では、樹脂そのものが
ガラス状であり、電子線照射によって生じたラジカルが
動き難く、又融点を超える温度では、成形品の形状が変
形してしまい、所望の樹脂成形品が得られなくなる。
(樹脂について) 熱可塑性樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート樹
脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂などの飽和ポリエ
ステル樹脂や、ナイロンなどのポリアミド樹脂や、ポリ
エチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン樹脂な
どが利用できる。又、その用途に応じてガラス繊維から
なる補強助材やカーボンブラックなどからなる顔料など
の充填物を適当量混入してもよいのは勿論である。
又、樹脂に1〜10%(wt )の架橋剤を添加するの
が好ましく、この架橋剤としては、放射線官能性の不飽
和結合を有する化合物を用いることができ、これを例示
すれば、ジアリルフタレート、トリアリルイソシアヌレ
ートなどのアリル基を2個以上含む化合物や、エチレン
グリコールジアクリレート、テトラエチレングリコール
ジアクリレートなどのアクリロイルを2個以上含む化合
物や、ポリエチレングリコールジメタクリレートなどの
メタクリロイル基を2個以上含む化合物がある。
前記電子線照射線量は、被照射体の形状、太きさ、厚さ
、更には架橋剤の有無やその種類、添加量などによって
異なるが、通常6〜100Mradが適当である。これ
が3Mrad未満では線量が少なすぎるし、100Mr
adをこえて照射しても、それ以上の効果は期待出来ず
、逆に電子線照射装置の容量増大を招いたり、照射時間
を長くする必要があり、不経済である。
なお、この明細書において架橋度とは、次のように定義
したものをいう。すなわち、試料をオルソクロロフェノ
ール(120°C)に6時間浸漬し、そのあと不溶解分
をろ紙によりろ過してからろ紙量上の残渣に含まれる溶
剤(オルソクロロフェノール)が、100’cx0.0
1mH,9で恒量になるまで乾燥し、その後不溶解物の
重量を測定する。そして、浸漬前の初期型iW1と不溶
解物の重量W2とから(W2/TIV1) x 100
(%)によってゲル分率を求め、このゲル分率をもって
架橋度とした。
(実施例) 以下この発明の一実施例を第1図に基すいて説明する。
1は樹脂成形品である被照射物で、搬送装置2をもって
照射室6内に搬入され、電子照射装置4により電子線が
照射される。そして、被照射物1は、照射直後ガラス転
移点以上で融点以下の温度に保持されたシリコーン油な
どの油5が充填された油槽6内に所望時間浸漬され、搬
出用の搬送袋!!!7により照射室6外に搬出されて架
橋処理を終える。
(実験例1) ポリエチレンテレフタレート樹脂に架橋剤としてトリア
リルイソシアヌレートを396 (wt )添加し、射
出成形により第2図に示すスライドスイッチのスライド
片(供試品A、B)を作った。
これら供試品A、 Bに、750KV、 30mA O
)’it子線照射装置を用いて電子線を40 Mr a
d照射し、供試品Aは照射直後に100°Cのシリコー
ン油中に5分間浸漬した。又供試品Bは、照射後室温中
に放置した。
これら供試品A、 Hの架橋度を測定した結果、供試品
Aは75(%)、供試品Bは4096であった。
なお、ポリエチレンテレフタレート樹脂のガラス転位点
は82℃、融点は220℃である。
(実験例2) 6−ナイロン樹脂に架橋剤としてトリアリルイソシアヌ
レートを1%(wt)添加し、射出成形により第2図に
示すスライドスイッチのスライド片(供試品C,D)を
作った。
これら供試品C2Dニ、750KV、 30mAノ1を
子線照射装置を用いて電子線をIMrad照射し、供試
品Cは照射直後に100°Cのシリコーン油中に5分間
浸漬した。又供試品りは、照射後室温中に放置した。
これら供試品C,Dの架橋度を測定した結果、供試品C
は92 (%) 、供試品りは56%であった。
なお、6−ナイロンのガラス転位点は70 ’C、融点
は215°Cである。
(実験例6) ポリブチレンテレフタレート樹脂に架橋剤としてトリア
リルイソシアヌレートを6%(wt)添加し、射出成形
により第2図に示すスライドスイッチのスライド片(供
試品E、F)を作った。
これら供試品E、Fに、750KV、30mAの電子線
照射装置を用いて電子線を40Mrad照射し、供試品
Eは照射直後に100℃のシリコーン油中に10分間浸
漬した。又供試品Fは、照射後室温中に放置した。
これら供試品E、Fの架橋度を測定した結果、供試品E
は75(%)、供試品Fは40%であった。
なお、ポリブチレンテレフタレート樹脂のガラス転位点
は76°C,llll点は205°Cである。
(発明の効果) 以上詳述したようにこの発明によれば、きわめて簡単に
樹脂成形品の架橋度を向上することができ、その耐熱性
を十分高めることができる、
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を説明するための概略構成
図である。第2図は実験例1〜6に使用した供試品A〜
Fを示す図で、(イ)は正面図、(ロ)は側面図である
。 1:樹脂成形品(被照射物)、4:電子線照射装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 樹脂成形品に電子線を照射直後に、ガラス転移点以上で
    融点以下の温度に保持することを特徴とする樹脂成形品
    の架橋方法。
JP27446387A 1987-10-29 1987-10-29 樹脂成形品の架橋方法 Pending JPH01115934A (ja)

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