JPH01119206U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01119206U JPH01119206U JP1988013842U JP1384288U JPH01119206U JP H01119206 U JPH01119206 U JP H01119206U JP 1988013842 U JP1988013842 U JP 1988013842U JP 1384288 U JP1384288 U JP 1384288U JP H01119206 U JPH01119206 U JP H01119206U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coupling capacitor
- semiconductor
- high frequency
- amplification element
- amplifies
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
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Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
第１図〜第３図は各々この考案の第１〜第３の
実施例の構成を示す回路図、第４図は従来の高周
波増幅回路の構成を示す回路図、第５図はインタ
ーモジユレーシヨンを説明するための図、第６図
は第１の実施例の変形例を示す回路図である。 ２……結合コンデンサ、３……ＦＥＴ、２１，
３２，４２，４４……抵抗、２２，３３，４３，
５１……可変容量ダイオード。
実施例の構成を示す回路図、第４図は従来の高周
波増幅回路の構成を示す回路図、第５図はインタ
ーモジユレーシヨンを説明するための図、第６図
は第１の実施例の変形例を示す回路図である。 ２……結合コンデンサ、３……ＦＥＴ、２１，
３２，４２，４４……抵抗、２２，３３，４３，
５１……可変容量ダイオード。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (a) 結合コンデンサと、 (b) この結合コンデンサを介して入力される高
周波信号を増幅する半導体増幅素子と、 (c) 前記結合コンデンサの、半導体増幅素子側
のリードと接地との間に介挿された可変容量ダイ
オードと、 (d) 前記半導体増幅素子の出力信号のレベルの
大／小に応じて前記可変容量ダイオードの容量を
大／小に制御する制御手段と、 を具備してなる高周波増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988013842U JPH01119206U (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988013842U JPH01119206U (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01119206U true JPH01119206U (ja) | 1989-08-11 |
Family
ID=31224503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988013842U Pending JPH01119206U (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01119206U (ja) |
-
1988
- 1988-02-04 JP JP1988013842U patent/JPH01119206U/ja active Pending