JPH01120084A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH01120084A JPH01120084A JP62277602A JP27760287A JPH01120084A JP H01120084 A JPH01120084 A JP H01120084A JP 62277602 A JP62277602 A JP 62277602A JP 27760287 A JP27760287 A JP 27760287A JP H01120084 A JPH01120084 A JP H01120084A
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- JP
- Japan
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- layer
- conductivity type
- crystal growth
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、情報の光通信あるいは光消去・記録・再生な
どに用いることのできる単一横モード短波長半導体レー
ザの製造方法に関する。
どに用いることのできる単一横モード短波長半導体レー
ザの製造方法に関する。
従来の技術
近年、ディジタル拳オーディオ会ディスク、光デイヌク
ファイル、レーザプリンター等の情報処理装置用光源と
して、例えば第３図に示すような構造の０．８μｒ４ｉ
ＡＩ Ｇ ａ Ａ ｓ系半導体レーザが実用化されて
いる。一方、さらに高性能化を目指すためＡ７ＧａＩｎ
Ｐ 系半導体レーザやＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ Ｓ系量子
井戸型半導体レーザに代表される０、８７１ｍ〜０．７
７１ｍ帯短波長短波長半導ザが強く要望されている。
ファイル、レーザプリンター等の情報処理装置用光源と
して、例えば第３図に示すような構造の０．８μｒ４ｉ
ＡＩ Ｇ ａ Ａ ｓ系半導体レーザが実用化されて
いる。一方、さらに高性能化を目指すためＡ７ＧａＩｎ
Ｐ 系半導体レーザやＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ Ｓ系量子
井戸型半導体レーザに代表される０、８７１ｍ〜０．７
７１ｍ帯短波長短波長半導ザが強く要望されている。
以下、第３図の従来の横モードを制御した０、８７１ｍ
帯ｊＪＧａＡｓ 系半導体レーザについて説明する。
帯ｊＪＧａＡｓ 系半導体レーザについて説明する。
１は凹溝２を設けたｎ−ＧａＡｓ基板、１２はｎ−Ａｌ
ｙＧａ１．、Ａｓクラッド層、１３はノンドープＡ ｌ
ｙ Ｇ ａ １−ｙ Ａ ｓ活性層（ｙ’＜ｙ）、１
４はｐ −Ａ ｌ ｙ Ｇ ａ １−ｙ Ａ ｓクラッ
ド層、８はｎ−ＧａＡｓキャップ層、９はＺｎ拡散層、
１０．１１はそれぞれ” ｒ Ｐ側電極である。以上の
ような構造は液相成長法（以下、ＬＰＥ法）により形成
され、ｎ−ＡｌｙＧａ １−、Ａｓり２ラド層１２上面
において平坦化されている。この構造において、電流は
Ｚｎ拡散層９によりロ溝１２内しか流れず、凹溝１２上
の活性層が発光することになる。レーザ発振した光の一
部はクラッド層にしみ出し、ｎ −ＧａＡｓ基板１の凹
溝外部で吸収され、その結果、横方向に実効的な屈折率
差がつき、光は閉じ込められることにな）横モード制御
が行われていた。
ｙＧａ１．、Ａｓクラッド層、１３はノンドープＡ ｌ
ｙ Ｇ ａ １−ｙ Ａ ｓ活性層（ｙ’＜ｙ）、１
４はｐ −Ａ ｌ ｙ Ｇ ａ １−ｙ Ａ ｓクラッ
ド層、８はｎ−ＧａＡｓキャップ層、９はＺｎ拡散層、
１０．１１はそれぞれ” ｒ Ｐ側電極である。以上の
ような構造は液相成長法（以下、ＬＰＥ法）により形成
され、ｎ−ＡｌｙＧａ １−、Ａｓり２ラド層１２上面
において平坦化されている。この構造において、電流は
Ｚｎ拡散層９によりロ溝１２内しか流れず、凹溝１２上
の活性層が発光することになる。レーザ発振した光の一
部はクラッド層にしみ出し、ｎ −ＧａＡｓ基板１の凹
溝外部で吸収され、その結果、横方向に実効的な屈折率
差がつき、光は閉じ込められることにな）横モード制御
が行われていた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、更に短波長の半導体レーザ例えばＡＩＧ
ａＩｎＰ系半導体レー系中導体レーザ ａ Ａ ｓ系量
子井戸型半導体レーザにこの構造を適用する場合、他の
材料系に比べて結晶成長するうえで種々の制約があシ、
形成困難であった。
ａＩｎＰ系半導体レー系中導体レーザ ａ Ａ ｓ系量
子井戸型半導体レーザにこの構造を適用する場合、他の
材料系に比べて結晶成長するうえで種々の制約があシ、
形成困難であった。
つまシ前者は熱力学的制限から、後者は膜厚の制御性の
観点から従来一般に用いられているＬＰＥ法では形成困
難である。また、熱非平衡状態下での成長法である有機
金属気相成長法（以下、ＭｏｖＰＥ法）や分子線成長法
（以下、ＭＢＥ法）は溝埋め成長しにくい等の欠点があ
シ、例えば、第３図のようなＬＰＥ法でしばしば行われ
るような、基板に溝を形成し、この溝が埋まるようにダ
ブルへテロ構造を積層し、溝の両側での基板による光吸
収により実効的な光ガイドを形成するタイプの半導体レ
ーザには適用しにくい。
観点から従来一般に用いられているＬＰＥ法では形成困
難である。また、熱非平衡状態下での成長法である有機
金属気相成長法（以下、ＭｏｖＰＥ法）や分子線成長法
（以下、ＭＢＥ法）は溝埋め成長しにくい等の欠点があ
シ、例えば、第３図のようなＬＰＥ法でしばしば行われ
るような、基板に溝を形成し、この溝が埋まるようにダ
ブルへテロ構造を積層し、溝の両側での基板による光吸
収により実効的な光ガイドを形成するタイプの半導体レ
ーザには適用しにくい。
そこで、本発明の目的は、上記の問題点を除去し、横モ
ードの単一性に優れた短波長レーザの製造方法を提供す
ることにある。
ードの単一性に優れた短波長レーザの製造方法を提供す
ることにある。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するための本発明の技術的手段はＬＰ
Ｅ法によりあらかじめ凹溝を設けたＧ ａ Ａ ｓ基板
上に活性層となる材料より禁制帯幅が大きく屈折率の小
さい第１のＡｌ工Ｇ ａ １− ＸＡ ｓクラッド層金
その上面で平坦になるよう形成し、さらにそのＡ〜Ｇ
ａ ｉ −ｙＡ ｓ 層が酸化されないようＧ ａ
ｚＩ ｎ １−ｚＰ酸化防止層（ｚ −０，５）を形成
、しかる後にＭＯＶＰＥ法もしくはＭＢＥ法により第２
のクラッド層を含む所定のダブルへテロ構造を積層する
ものである。この場合、第１のＡｌＧａＡｓ クラッ
ド層は凹溝部で少なくとも第２のクラッド層との積層に
より活性層への光閉じ込め全行い、門構外部ではＧ ａ
Ａ ｓ基板が光吸収層として働くのに十分な厚さに選
定する。
Ｅ法によりあらかじめ凹溝を設けたＧ ａ Ａ ｓ基板
上に活性層となる材料より禁制帯幅が大きく屈折率の小
さい第１のＡｌ工Ｇ ａ １− ＸＡ ｓクラッド層金
その上面で平坦になるよう形成し、さらにそのＡ〜Ｇ
ａ ｉ −ｙＡ ｓ 層が酸化されないようＧ ａ
ｚＩ ｎ １−ｚＰ酸化防止層（ｚ −０，５）を形成
、しかる後にＭＯＶＰＥ法もしくはＭＢＥ法により第２
のクラッド層を含む所定のダブルへテロ構造を積層する
ものである。この場合、第１のＡｌＧａＡｓ クラッ
ド層は凹溝部で少なくとも第２のクラッド層との積層に
より活性層への光閉じ込め全行い、門構外部ではＧ ａ
Ａ ｓ基板が光吸収層として働くのに十分な厚さに選
定する。
作 用
本発明においては、短波長半導体レーザの横モードを制
御するため、溝埋め成長が可能なＬＰＥ法により凹溝上
に表面が平坦になるよう第１のＡ１１ｘＧａ １−ｘＡ
ｓ クラッド層とその表面酸化防止のためＧ ａ ２
Ｉ ｎ １−ｚＰ層を成長する工程と、その上にＭＯＶ
ＰＥ法もしくはＭＢＥ法により第２のクラッド層を含む
ダブルへテロ構造を再成長する工程によ多構成されたも
のであ夛、第１のＡｌ工Ｇａ１−ｘＡＩＩ クラッド層
のＡＩＡａ組成比組成比色くても再成長界面および再成
長層の結晶性を損うことはなく、しかも基板側のクラッ
ド層は凹溝部で第１および第２のクラッド層の積層によ
り十分光閉じ込めが行われ、凹溝外部でＧ ａ Ａ ｓ
基板が光吸収層として働くようにしたことによって単−
横モードの短波長レーザを実現することができる。
御するため、溝埋め成長が可能なＬＰＥ法により凹溝上
に表面が平坦になるよう第１のＡ１１ｘＧａ １−ｘＡ
ｓ クラッド層とその表面酸化防止のためＧ ａ ２
Ｉ ｎ １−ｚＰ層を成長する工程と、その上にＭＯＶ
ＰＥ法もしくはＭＢＥ法により第２のクラッド層を含む
ダブルへテロ構造を再成長する工程によ多構成されたも
のであ夛、第１のＡｌ工Ｇａ１−ｘＡＩＩ クラッド層
のＡＩＡａ組成比組成比色くても再成長界面および再成
長層の結晶性を損うことはなく、しかも基板側のクラッ
ド層は凹溝部で第１および第２のクラッド層の積層によ
り十分光閉じ込めが行われ、凹溝外部でＧ ａ Ａ ｓ
基板が光吸収層として働くようにしたことによって単−
横モードの短波長レーザを実現することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明を実施した場合の概略断面図、第２図は
主要な製造過程を示す工程図である。
主要な製造過程を示す工程図である。
まず、第２図Ａに示すようにｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板
１上には通常のフォトリングラフィ及び化学エツチング
によりロ溝２を形成する。凹溝の深さと幅はそれぞれ１
、＃ｍ 、 ５ Ｉｔｍである。次に第２図Ｂに示す
ようにＬＰＥ法により第１のクラッド層としてｎ Ａ
ｌｏ、７ Ｇ ａ ｏ、 ５Ａ ８層３．酸化防止層と
してｎ Ｇ ａ ｏ、 ｓ Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ｐ ４
を順次成長させる。この時、ｎ−Ａｌｏ、７Ｇａ、Ａｓ
層３は表面が平坦であシ、その膜厚は凹溝２部で１．２
７１ｍ、凹溝２外部で０．２ Ｉｔ ｍ 。
１上には通常のフォトリングラフィ及び化学エツチング
によりロ溝２を形成する。凹溝の深さと幅はそれぞれ１
、＃ｍ 、 ５ Ｉｔｍである。次に第２図Ｂに示す
ようにＬＰＥ法により第１のクラッド層としてｎ Ａ
ｌｏ、７ Ｇ ａ ｏ、 ５Ａ ８層３．酸化防止層と
してｎ Ｇ ａ ｏ、 ｓ Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ｐ ４
を順次成長させる。この時、ｎ−Ａｌｏ、７Ｇａ、Ａｓ
層３は表面が平坦であシ、その膜厚は凹溝２部で１．２
７１ｍ、凹溝２外部で０．２ Ｉｔ ｍ 。
ｎ −Ｇ ａ ｏ、 ｓ Ｉ ｎ ｏ、 ｓ Ｐ層４の
膜厚は５０Ａである。
膜厚は５０Ａである。
ＬＰＥ法゛による第１の結晶成長工程の後ただちにＭＯ
ＶＰＥ法によりＰＨ３雰囲気中で１０分間のサーマルク
リーニングに続き第２のクラッド層としてｎ Ａｌｌ
ｌ］、２ Ｇ ａ ｏ、 ！、 Ｉ ｎ ｏ、５Ｐ層５
．活性層としてノンドープＧ ａ ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ
、ｓ Ｐ層６．さらに逆導電型のクラッド層としてｐ＃
ｏ、２Ｇａｏ、３Ｉｎ。、５Ｐ 層７゜キャップ層とし
てｎ−ＧａＡｓ 層８を順次成長させる。この時、再成
長界面は良好であシ、再成長層の結晶性には何ら問題は
ない。
ＶＰＥ法によりＰＨ３雰囲気中で１０分間のサーマルク
リーニングに続き第２のクラッド層としてｎ Ａｌｌ
ｌ］、２ Ｇ ａ ｏ、 ！、 Ｉ ｎ ｏ、５Ｐ層５
．活性層としてノンドープＧ ａ ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ
、ｓ Ｐ層６．さらに逆導電型のクラッド層としてｐ＃
ｏ、２Ｇａｏ、３Ｉｎ。、５Ｐ 層７゜キャップ層とし
てｎ−ＧａＡｓ 層８を順次成長させる。この時、再成
長界面は良好であシ、再成長層の結晶性には何ら問題は
ない。
それぞれの層の膜厚は０．１７１ｍ 、 ０．１７１ｍ
、 １１ｔｒｎ 、 １／１ｍである。
、 １１ｔｒｎ 、 １／１ｍである。
この表面上よυ選択的に亜鉛（Ｚｎ）を拡散し、Ｚｎ拡
散層９がｐ−Ａｌｏ、２Ｇａ ｏ、３Ｉｎ ０．５”層
６に達するようにする。次いでｎ側電極１ｏ及びｐ側電
極１１を被着させ、その後、へき開マウント、パッケー
ジングを行う。
散層９がｐ−Ａｌｏ、２Ｇａ ｏ、３Ｉｎ ０．５”層
６に達するようにする。次いでｎ側電極１ｏ及びｐ側電
極１１を被着させ、その後、へき開マウント、パッケー
ジングを行う。
ＭＯＶＰＥ法で形成した活性層Ｇ ａ ｏ、ｓ Ｉ ｎ
ｏ、ｓ Ｐ層６の禁制帯幅は１．８５ｅ、Ｖであシ、
第１のＡ７１０．７ Ｇａ ｃＬｓＡｓクラッド層３お
よび第２のＡｌｏ、２（ｊａ Ｏ，３Ｉ ｎ ｏ、ｓ
Ｐクラッド層５の禁制帯幅はともに２．１ ｅＶ 以
上あシ上記の膜厚において十分に光の閉じ込めが達成さ
れている。Ｇａ（、，５１ｎ。、５Ｐ酸化防止層４は十
分薄く、しかもＬＰＥ法により形成されたもので禁制帯
幅は１．９ｅＶ あり光吸収はおこらず、特性上はとん
ど問題とならない。
ｏ、ｓ Ｐ層６の禁制帯幅は１．８５ｅ、Ｖであシ、
第１のＡ７１０．７ Ｇａ ｃＬｓＡｓクラッド層３お
よび第２のＡｌｏ、２（ｊａ Ｏ，３Ｉ ｎ ｏ、ｓ
Ｐクラッド層５の禁制帯幅はともに２．１ ｅＶ 以
上あシ上記の膜厚において十分に光の閉じ込めが達成さ
れている。Ｇａ（、，５１ｎ。、５Ｐ酸化防止層４は十
分薄く、しかもＬＰＥ法により形成されたもので禁制帯
幅は１．９ｅＶ あり光吸収はおこらず、特性上はとん
ど問題とならない。
尚、以上の説明において第２の結晶成長工程でＡｌＧａ
ＩｎＰ系ダブルへテロ構造を形成する場合について示し
たが、Ａ ７３ Ｇ ａ Ａ ｓ 系でもよく、更には
量子井戸構造の活性層であっても適用されるのは言うま
でもない。
ＩｎＰ系ダブルへテロ構造を形成する場合について示し
たが、Ａ ７３ Ｇ ａ Ａ ｓ 系でもよく、更には
量子井戸構造の活性層であっても適用されるのは言うま
でもない。
また、本発明はｐ−ＧａＡｓ基板上に上記実施例とは反
対の導電型の各層を形成する場合や更にＧ ａ Ａ ｓ
基板上には凹溝部で貫通された反対導電型電流狭窄層が
設けられていても良い。
対の導電型の各層を形成する場合や更にＧ ａ Ａ ｓ
基板上には凹溝部で貫通された反対導電型電流狭窄層が
設けられていても良い。
発明の効果
上述したように本発明によれば、凹溝ケ利用した単一横
モードの短波長半導体レーザが容易に得られ、実用上効
果は犬である。
モードの短波長半導体レーザが容易に得られ、実用上効
果は犬である。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザの断面図、第
２図は実施例の半導体レーザの製造工程全工程順に示し
た断面図、第３図は従来による横モードを制御した半導
体レーザの断面図である。 １・・・・・・−ｎ−ＧａＡｓ基板、２・・・・・・凹
溝、３・・・・・・第１のｎ −Ａｌｌ 、Ｇａ 、
−ｘＡｓ層クラッド層、４・・印・ｎ Ｇａｏ、ｓＩｎ
。、５醸化防止層、６・・・・・・第２のｎ−Ａ１０．
２Ｇ”０．３”０．５Ｐクラツド層、６・・自・・ノン
ドープＧ ａ ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐ活性層、７
・・・・・・ｐ−Ａｌ１ ｏ、２Ｇａ Ｏ，ｓ Ｉ
ｎ ｏ、ｓ Ｐクラッド層、８・・・・・・ｎ −Ｇ
ａ Ａ ｓキャンプ層、９・・・・・・Ｚｎ拡散層、１
ｏ・・・・・・ｎ側電極、１１・・・・・・ｐ側電極、
１２・・・・・・ｎ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡＡｌラッド層
、１３・・・・・・ノンドープＡ ｌ ｙＧ ａ １
弓Ａ ｓ活性層、１４・・・・・・ｐ−ＡｌＧａｌＧａ
八ツクラッ ド層人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／
−−−ｎ −Ｑ−ａ−Ａｓ基才反 ？−凹糞 ３−一一第 ／ Ｑ ｎ−ＡＪｌｔｙ７Ｇａ−ｏ３Ａｓ
クラッド層４− 几−らｏ、ｓｌル０５β醗化訪止層Ｓ
−’＠ ２のｎ−−Ａｌ６．２ （７ａ、ａ、、３１ｎ
ｎｓβクラフト１６−−−ノンドーブＣｒｃＬｏ、ｓ
Ｌ？Ｌａ、ｓＦ ’／古性、屑７−−− Ｆ−Ａ１．ｏ
、ｚ （ｒｒａ３１ｆＬａ、ｓβクラット贋β′−ｎ−
Ｑａ−Ａｓ千タップ層 ９−・−２７拡散１ ／ −＝ ｎ−ｃｒａＡｓ基板 ２−一一回溝 ３−−− 第１ ｔｙ＞ ｒｔ−ＡＬｏ、７（：ｒａ、
ｏ、ａハＳ７う・・ノド眉４−几−眞σ５１ｘθ５Ｆ酸
化坊止贋 ｓ−１２／１ｙｔ−ハフ０．２Ｑａ−ｏ、３ｋｏ、ｓＰ
クラツド贋６− ノンドープＣｔａ−ｏ、ｓ ＩｆＬｏ
、ｓＰ ５ｔｓａ層／２−−−ルーバＬｙ（ｔαｔ−ｙ
Ａｓクラッド層１３− ノンドープＡＬｙ’眞ｌ−グ
丸石樺１／４−−− Ｐ−ＡＪ−７ｃｒａ−ｔ−ＩＡｓ
７ ラッド１第 ３ 図
２図は実施例の半導体レーザの製造工程全工程順に示し
た断面図、第３図は従来による横モードを制御した半導
体レーザの断面図である。 １・・・・・・−ｎ−ＧａＡｓ基板、２・・・・・・凹
溝、３・・・・・・第１のｎ −Ａｌｌ 、Ｇａ 、
−ｘＡｓ層クラッド層、４・・印・ｎ Ｇａｏ、ｓＩｎ
。、５醸化防止層、６・・・・・・第２のｎ−Ａ１０．
２Ｇ”０．３”０．５Ｐクラツド層、６・・自・・ノン
ドープＧ ａ ｏ、ｓ Ｉ ｎ ｏ、ｓ Ｐ活性層、７
・・・・・・ｐ−Ａｌ１ ｏ、２Ｇａ Ｏ，ｓ Ｉ
ｎ ｏ、ｓ Ｐクラッド層、８・・・・・・ｎ −Ｇ
ａ Ａ ｓキャンプ層、９・・・・・・Ｚｎ拡散層、１
ｏ・・・・・・ｎ側電極、１１・・・・・・ｐ側電極、
１２・・・・・・ｎ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡＡｌラッド層
、１３・・・・・・ノンドープＡ ｌ ｙＧ ａ １
弓Ａ ｓ活性層、１４・・・・・・ｐ−ＡｌＧａｌＧａ
八ツクラッ ド層人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／
−−−ｎ −Ｑ−ａ−Ａｓ基才反 ？−凹糞 ３−一一第 ／ Ｑ ｎ−ＡＪｌｔｙ７Ｇａ−ｏ３Ａｓ
クラッド層４− 几−らｏ、ｓｌル０５β醗化訪止層Ｓ
−’＠ ２のｎ−−Ａｌ６．２ （７ａ、ａ、、３１ｎ
ｎｓβクラフト１６−−−ノンドーブＣｒｃＬｏ、ｓ
Ｌ？Ｌａ、ｓＦ ’／古性、屑７−−− Ｆ−Ａ１．ｏ
、ｚ （ｒｒａ３１ｆＬａ、ｓβクラット贋β′−ｎ−
Ｑａ−Ａｓ千タップ層 ９−・−２７拡散１ ／ −＝ ｎ−ｃｒａＡｓ基板 ２−一一回溝 ３−−− 第１ ｔｙ＞ ｒｔ−ＡＬｏ、７（：ｒａ、
ｏ、ａハＳ７う・・ノド眉４−几−眞σ５１ｘθ５Ｆ酸
化坊止贋 ｓ−１２／１ｙｔ−ハフ０．２Ｑａ−ｏ、３ｋｏ、ｓＰ
クラツド贋６− ノンドープＣｔａ−ｏ、ｓ ＩｆＬｏ
、ｓＰ ５ｔｓａ層／２−−−ルーバＬｙ（ｔαｔ−ｙ
Ａｓクラッド層１３− ノンドープＡＬｙ’眞ｌ−グ
丸石樺１／４−−− Ｐ−ＡＪ−７ｃｒａ−ｔ−ＩＡｓ
７ ラッド１第 ３ 図
Claims (2)
- （１）少なくとも溝を有する第１導電型ＧａＡｓ基板上
に液相成長法により前記溝を埋めかつ平坦な上面を有す
るような、活性層よりも禁制帯幅が大きく屈折率が小さ
い第１導電型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層からなる
第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層上に第１導
電型Ｇａ＿ｚＩｎ＿１＿−＿ｚＰ酸化防止層（ｚ〜０．
５）を順次形成する第１の結晶成長工程と、前記Ｇａ＿
ｚＩｎ＿１＿−＿ｚＰ酸化防止層上に少なくとも第１導
電型の第２のクラッド層、活性層、及び第２導電型のク
ラッド層とを順次形成する第２の結晶成長工程を含む半
導体レーザの製造方法。 - （２）第２の結晶成長工程が有機金属気相成長法もしく
は分子線成長法などの熱非平衡状態での結晶成長法によ
り形成される特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277602A JPH01120084A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277602A JPH01120084A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120084A true JPH01120084A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17585719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62277602A Pending JPH01120084A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120084A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02305486A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP62277602A patent/JPH01120084A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02305486A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置の製造方法 |
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