JPH01122260A - カラーラインセンサ - Google Patents
カラーラインセンサInfo
- Publication number
- JPH01122260A JPH01122260A JP62279179A JP27917987A JPH01122260A JP H01122260 A JPH01122260 A JP H01122260A JP 62279179 A JP62279179 A JP 62279179A JP 27917987 A JP27917987 A JP 27917987A JP H01122260 A JPH01122260 A JP H01122260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color
- signal
- selection
- line
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/46—Colour picture communication systems
- H04N1/48—Picture signal generators
- H04N1/486—Picture signal generators with separate detectors, each detector being used for one specific colour component
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/701—Line sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/182—Colour image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、カラーラインセンサに関し、例えばカラー
コピー用のカラーラインセンサに利用して有効な技術に
関するものである。
コピー用のカラーラインセンサに利用して有効な技術に
関するものである。
カラー用−次元（ライン）センサの例として、昭和６０
年電子通信学会全国大会１−２３２がある。このカラー
ラインセンサは、ガラスキャップ上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ
）及び青（Ｂ）のカラーフィルタをつけて、３つのライ
ンセンサを一体的に封止するものである。
年電子通信学会全国大会１−２３２がある。このカラー
ラインセンサは、ガラスキャップ上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ
）及び青（Ｂ）のカラーフィルタをつけて、３つのライ
ンセンサを一体的に封止するものである。
上記のようなカラーラインセンサでは、３つのラインセ
ンサを並べて配置し、それぞれにＲ，Ｇ及びＢのカラー
フィルタを設けるものであるため、縦方向のピッチが大
きくなり高解像度が得られないという重大な欠陥がある
。また、３つのラインセンサの組み合わせから構成され
るため、その組み立て工程が必要になる。そえ故、量産
性がなくコスト高が免れない。さらに、３つのラインセ
ンサを同期して動作させる必要があるため、駆動回路が
複雑になるとともに、３つのラインセンサの素子特性の
バラツキがそのまま出力信号に現れてしまうという問題
もある。
ンサを並べて配置し、それぞれにＲ，Ｇ及びＢのカラー
フィルタを設けるものであるため、縦方向のピッチが大
きくなり高解像度が得られないという重大な欠陥がある
。また、３つのラインセンサの組み合わせから構成され
るため、その組み立て工程が必要になる。そえ故、量産
性がなくコスト高が免れない。さらに、３つのラインセ
ンサを同期して動作させる必要があるため、駆動回路が
複雑になるとともに、３つのラインセンサの素子特性の
バラツキがそのまま出力信号に現れてしまうという問題
もある。
そこで、カラーラインセンサを１チツプの半導体集積回
路に構成することを考えた。このようにすれば、光電変
換素子を高密度に配置できるため、高解像度を得ること
ができる。
路に構成することを考えた。このようにすれば、光電変
換素子を高密度に配置できるため、高解像度を得ること
ができる。
しかしながら、上記光電変換素子を高密度に配置した場
合、次のような問題が生じることが本願発明者の研究に
よって明らかにされる。すなわち、光電変換素子は、分
光感度の改善や過剰電荷の混入を防ぐ等のために、半導
体基板上に形成されたウェル領域に形成される。この場
合、異なる行（色）の画素信号の読み出しのとき、ウェ
ル領域を介して読み出し信号が他の行にクロストークし
てしまい、Ｓ（信号）／Ｎ（雑音）を悪化させてしまう
。
合、次のような問題が生じることが本願発明者の研究に
よって明らかにされる。すなわち、光電変換素子は、分
光感度の改善や過剰電荷の混入を防ぐ等のために、半導
体基板上に形成されたウェル領域に形成される。この場
合、異なる行（色）の画素信号の読み出しのとき、ウェ
ル領域を介して読み出し信号が他の行にクロストークし
てしまい、Ｓ（信号）／Ｎ（雑音）を悪化させてしまう
。
この発明の目的は、高解像度で高Ｓ／Ｎを実現した１チ
ツプの半導体集積回路によるカラーラインセンサを提供
することにある。
ツプの半導体集積回路によるカラーラインセンサを提供
することにある。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は
、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、横方向に延長され、縦方向に並んで配置され
る赤、緑及び青のカラーフィルタに対応された光電変換
素子をそれぞれ独立したウェル領域に設ける。
る赤、緑及び青のカラーフィルタに対応された光電変換
素子をそれぞれ独立したウェル領域に設ける。
上記した手段によれば、ウェル領域間相互の電気的な分
離によって、クロストークが防止できるから高Ｓ／Ｎを
実現できる。
離によって、クロストークが防止できるから高Ｓ／Ｎを
実現できる。
（実施例１）
第１図には、この発明が適用されるカラーラインセンサ
の一実施例の要部回路図が示されている。
の一実施例の要部回路図が示されている。
同図の各回路素子及び回路ブロックは、公知の半導体集
積回路の製造技術によって、特に制限されないが、単結
晶シリコンのような１つの半導体基板上において形成さ
れる。
積回路の製造技術によって、特に制限されないが、単結
晶シリコンのような１つの半導体基板上において形成さ
れる。
特に制限されないが、この実施例では、光電変換素子（
フォトダイオード）は、代表として例示的に示されてい
るＤＩないしＤ３、Ｄ４ないしＤ６及びＤ７ないしＤ９
のように横方向に３行に並べられて配置される。言い換
えるならば、各行は横方向に延長され、３つの行が縦方
向に並べられる。
フォトダイオード）は、代表として例示的に示されてい
るＤＩないしＤ３、Ｄ４ないしＤ６及びＤ７ないしＤ９
のように横方向に３行に並べられて配置される。言い換
えるならば、各行は横方向に延長され、３つの行が縦方
向に並べられる。
この実施例では、カラーラインセンサを構成するため、
上記各行にはそれぞれ図示しないが赤、青及び緑のカラ
ーフィルタが設けられる。特に制限されないが、上記の
ような順序で、カラーフィルタを配置した理由は、タン
グステン電球等の人工的な光源にあっては、青の成分が
赤や緑の成分に対して小さいことから、青フィルタを中
央に配置して、レンズの集光特性を利用して、その補償
を行うようにするものである。すなわち、レンズを用い
た場合、その中央部が最も光量が大きくされるから、人
工光源による青成分の補償を行うことができる。これに
よって、赤、青及び緑の各色感度の均一にするものであ
る。
上記各行にはそれぞれ図示しないが赤、青及び緑のカラ
ーフィルタが設けられる。特に制限されないが、上記の
ような順序で、カラーフィルタを配置した理由は、タン
グステン電球等の人工的な光源にあっては、青の成分が
赤や緑の成分に対して小さいことから、青フィルタを中
央に配置して、レンズの集光特性を利用して、その補償
を行うようにするものである。すなわち、レンズを用い
た場合、その中央部が最も光量が大きくされるから、人
工光源による青成分の補償を行うことができる。これに
よって、赤、青及び緑の各色感度の均一にするものであ
る。
そして、高解像度を得るために、第１行目のフォトダイ
オードＤＩないしＤ３は、スイッチＭＯ３ＦＥＴ （絶
縁ゲート形電界効果トランジスタ）ＱｌないしＱ３を介
して縦方向に延びるピクセル（以下、画素という）信号
線ＰＳＯないしＰＳｎに結合される。上記各スイッチＭ
Ｏ３ＦＥＴＱＩないしＱ３のゲートは、上記のように横
方向に赤フィルタが設けられることから、券選択ｖＡＲ
Ｌに共通に結合される。第２行目のフォトダイオードＤ
４ないしＤ６は、スイッチＭＯ３ＦＥＴＱ４ないしＱ６
を介して上記縦方向に延びる画素信号線ＰＳＯないしＰ
Ｓｎに結合される。上記各スイッチＭＯ３ＦＥＴＱ４な
いしＱ６のゲートは、上記のように横方向に青フィルタ
ＢＦが設けられることから、前選択線ＢＬに共通に結合
される。第３行目のフォトダイオードＤフないしＤ９は
、スイッチＭＯ３ＦＥＴＱ７ないしＱ９を介して上記縦
方向に延びる画素信号線ｐｓｏないしＰＳｎに結合され
る。上記各スイッチＭＯ３ＦＥＴＱ７ないしＱ９のゲー
トは、上記のように横方向に緑フィルタＧＦが設けられ
ることから、緑選仮線ＧＬに共通に結合される。上記券
選択線ＲＬ、前選択線ＢＬ及び緑選仮線ＧＬは、色（カ
ラー）選択回路Ｃ３Ｌにより時系列的に形成される色選
択信号が供給される。
オードＤＩないしＤ３は、スイッチＭＯ３ＦＥＴ （絶
縁ゲート形電界効果トランジスタ）ＱｌないしＱ３を介
して縦方向に延びるピクセル（以下、画素という）信号
線ＰＳＯないしＰＳｎに結合される。上記各スイッチＭ
Ｏ３ＦＥＴＱＩないしＱ３のゲートは、上記のように横
方向に赤フィルタが設けられることから、券選択ｖＡＲ
Ｌに共通に結合される。第２行目のフォトダイオードＤ
４ないしＤ６は、スイッチＭＯ３ＦＥＴＱ４ないしＱ６
を介して上記縦方向に延びる画素信号線ＰＳＯないしＰ
Ｓｎに結合される。上記各スイッチＭＯ３ＦＥＴＱ４な
いしＱ６のゲートは、上記のように横方向に青フィルタ
ＢＦが設けられることから、前選択線ＢＬに共通に結合
される。第３行目のフォトダイオードＤフないしＤ９は
、スイッチＭＯ３ＦＥＴＱ７ないしＱ９を介して上記縦
方向に延びる画素信号線ｐｓｏないしＰＳｎに結合され
る。上記各スイッチＭＯ３ＦＥＴＱ７ないしＱ９のゲー
トは、上記のように横方向に緑フィルタＧＦが設けられ
ることから、緑選仮線ＧＬに共通に結合される。上記券
選択線ＲＬ、前選択線ＢＬ及び緑選仮線ＧＬは、色（カ
ラー）選択回路Ｃ３Ｌにより時系列的に形成される色選
択信号が供給される。
この実施例では、上記のように各行から色信号を出力さ
せる構成を採るものであり、例えば赤色信号の読み出し
のときに、隣接する非選択にされる青や緑に、その読み
出し信号がクロストークしてしまうのを防止するために
、各行毎に各素子は、同図に点線で示すように独立した
ウェル領域ＷＬ１、ＷＬ２及びＷＬ３にそれぞれ形成さ
れる。この場合、上記フォトダイオードＤｉ−Ｄ３、Ｄ
４〜Ｄ６及びＤ７〜Ｄ９にそれぞれ対応したスイッチＭ
Ｏ３ＦＥＴＱＩ−Ｑ３、Ｑ４〜Ｑ６及びＱ７〜Ｑ９は、
上記各ウェル領域ＷＬＩ、ＷＬ２及びＷＬ３に形成され
る。これによって、例えば赤のカラーフィルタが設けら
れた第１行目の読み出しのとき、その読み出し信号が第
２行や第３行目の青及び緑の色信号を形成している非選
択状態のフォトダイオードにクロストークすることが防
止できる。
せる構成を採るものであり、例えば赤色信号の読み出し
のときに、隣接する非選択にされる青や緑に、その読み
出し信号がクロストークしてしまうのを防止するために
、各行毎に各素子は、同図に点線で示すように独立した
ウェル領域ＷＬ１、ＷＬ２及びＷＬ３にそれぞれ形成さ
れる。この場合、上記フォトダイオードＤｉ−Ｄ３、Ｄ
４〜Ｄ６及びＤ７〜Ｄ９にそれぞれ対応したスイッチＭ
Ｏ３ＦＥＴＱＩ−Ｑ３、Ｑ４〜Ｑ６及びＱ７〜Ｑ９は、
上記各ウェル領域ＷＬＩ、ＷＬ２及びＷＬ３に形成され
る。これによって、例えば赤のカラーフィルタが設けら
れた第１行目の読み出しのとき、その読み出し信号が第
２行や第３行目の青及び緑の色信号を形成している非選
択状態のフォトダイオードにクロストークすることが防
止できる。
この構成に代え、各ウェルＷＬＩ〜ＷＬ３は、それぞれ
の相互に比較的大きな距離を持って形成する必要がある
。それ故、上記スイッチＭＯ３ＦＥＴは、上記各ウェル
領域の間の半導体基板に形成するものとしてもよい。こ
の構成においても、フォトダイオードが形成されるウェ
ル領域は、スイッチＭＯＳ Ｆ ＥＴが形成される基板
との間が電気的に分離されていることから、上記読み出
し信号が非選択状態にされる他の行のフォトダイオード
側にクロストークすることはない。
の相互に比較的大きな距離を持って形成する必要がある
。それ故、上記スイッチＭＯ３ＦＥＴは、上記各ウェル
領域の間の半導体基板に形成するものとしてもよい。こ
の構成においても、フォトダイオードが形成されるウェ
ル領域は、スイッチＭＯＳ Ｆ ＥＴが形成される基板
との間が電気的に分離されていることから、上記読み出
し信号が非選択状態にされる他の行のフォトダイオード
側にクロストークすることはない。
上記各画素信号線ＰＳＯないしＰＳｎは、スイッチＭＯ
３ＦＥＴＱＩＯないしＱ１２を介して横方向に延びるコ
モン信号線ＣＰＳに選択的に結合される。このコモン信
号線ＣＰＳから読み出し信号Ｓｏｕ ｔが出力される。
３ＦＥＴＱＩＯないしＱ１２を介して横方向に延びるコ
モン信号線ＣＰＳに選択的に結合される。このコモン信
号線ＣＰＳから読み出し信号Ｓｏｕ ｔが出力される。
上記各スイッチＭＯ３ＦＥＴＱＩＯないしＱ１２のゲー
トには、画素選択線ＰＬＯないしＰＬｎに結合される。
トには、画素選択線ＰＬＯないしＰＬｎに結合される。
上記画素選択線ＰＬＯないしＰＬｎは、画素選択回路Ｐ
ＳＬにより時系列的に形成される画素選択信号が供給さ
れる。
ＳＬにより時系列的に形成される画素選択信号が供給さ
れる。
上記画素選択回路ＰＳＬは、その具体的回路は図示しな
いけれども、例えばダイナミック型シフトレジスタによ
り構成される。色選択回路Ｃ３Ｌは、読み出し用のクロ
ックパルスを受けて、予め決められた順序で上記フォト
ダイオードの読み出しを行うように動作する上記同様な
ダイナミック型シフトレジスタを用いろものであっても
よいが、３つのうちの１つの色選択信号を形成するもの
であるから、外部から色指定信号を供給するものとし、
それを受けて上記各色選択線を駆動する回路としてもよ
い。
いけれども、例えばダイナミック型シフトレジスタによ
り構成される。色選択回路Ｃ３Ｌは、読み出し用のクロ
ックパルスを受けて、予め決められた順序で上記フォト
ダイオードの読み出しを行うように動作する上記同様な
ダイナミック型シフトレジスタを用いろものであっても
よいが、３つのうちの１つの色選択信号を形成するもの
であるから、外部から色指定信号を供給するものとし、
それを受けて上記各色選択線を駆動する回路としてもよ
い。
以上の構成においては、１つの半導体集積回路内にカラ
ー画素信号を形成するフォトダイオードを形成するもの
であり、それぞれにより形成されるカラー信号をスイッ
チＭＯＳ Ｆ ＥＴを介して取り出す方式を採るもので
あるため、上記のように独立したウェル領域に形成する
ものとしても、同一半導体集積回路に構成されるから、
そのピッチを小さく設定できる。これによって、高解像
度を持つカラー画像信号を得ることができる。また、上
記のように各行をそれぞれ独立したウェル領域に形成す
るものであるため、読み出し信号が非選択状態の他の行
のフォトダイオードにクロストークすることが防止でき
る。これによって、高Ｓ／Ｎのカラー画素信号を得るこ
とができる。さらに、上記のようにスイッチＭＯ３ＦＥ
Ｔを介してフォトダイオードの信号を取り出すものであ
るため、色選択回路Ｃ３Ｌや画素選択回路ｐｓｒ、の動
作電圧を約５ｖのような単一電源により動作させること
ができる。これによって、上記読み出しクロックパルス
やその制御信号をＴＴＬ（トランジスタ・トランジスタ
・ロジック）回路により形成されたものを直接用いるこ
とができる。
ー画素信号を形成するフォトダイオードを形成するもの
であり、それぞれにより形成されるカラー信号をスイッ
チＭＯＳ Ｆ ＥＴを介して取り出す方式を採るもので
あるため、上記のように独立したウェル領域に形成する
ものとしても、同一半導体集積回路に構成されるから、
そのピッチを小さく設定できる。これによって、高解像
度を持つカラー画像信号を得ることができる。また、上
記のように各行をそれぞれ独立したウェル領域に形成す
るものであるため、読み出し信号が非選択状態の他の行
のフォトダイオードにクロストークすることが防止でき
る。これによって、高Ｓ／Ｎのカラー画素信号を得るこ
とができる。さらに、上記のようにスイッチＭＯ３ＦＥ
Ｔを介してフォトダイオードの信号を取り出すものであ
るため、色選択回路Ｃ３Ｌや画素選択回路ｐｓｒ、の動
作電圧を約５ｖのような単一電源により動作させること
ができる。これによって、上記読み出しクロックパルス
やその制御信号をＴＴＬ（トランジスタ・トランジスタ
・ロジック）回路により形成されたものを直接用いるこ
とができる。
第２図には、上記カラーラインセンサの動作の一例を示
すタイミング図が示されている。
すタイミング図が示されている。
特に制限されないが、この実施例では、赤、青及び緑の
順序でカラー信号が出力される。
順序でカラー信号が出力される。
そのため、画素選択回路ＰＳＬの動作により画素選択信
号ＰＬＯがハイレベルにされることによってスイッチＭ
Ｏ３ＦＥＴＱＩ Ｏがオン状態にされる第１列目の信号
線ＰＳＯの選択期間において、色選択回路ＣＳ Ｌは、
券選択′！５ＲＩ７、前選択線ＢＬ及び線選択線ＧＬの
順序で時系列的に色選択信号を形成する。すなわち、上
記第１列目の信号線選択期間（ＰＩ、０がハイレベルの
期間）において、券選択８ｉＲＬがハイレベルにされる
と、スイッチＭＯＳ Ｆ ＥＴＱ １ないしＱ３がオン
状態にされるが、信号線ＰＳＯのみがコモン信号線ＣＰ
Ｓに結合されているため、フォトダイオードＤ１の信号
が出力信号３ｏｕｔとして読み出される０次に、上記券
選択線ＲＬに代えて前選択線ＢＬがハイレベルにされる
と、スイッチＭＯ３ＦＥＴＱ４ないしＱ６がオン状態に
されるが、上記同様に信号線ＰＳＯのみがコモン信号線
ＣＰＳに結合されているため、フォトダイオードＤ４の
信号が出力信号５ｏｕｔとして読み出される。最後に、
上記前選択線Ｂ Ｌに代えて線選択線ＧＬがハイレベル
にされると、スイッチＭＯ３ＦＥＴＱ？ないしＱ９がオ
ン状態にされるが、上記同様に信号線ＰＳＯのみがコモ
ン信号線ＣＰＳに結合されているため、フォトダイオー
ドＤ７の信号が出力信号５ｏｕｔとして読み出される。
号ＰＬＯがハイレベルにされることによってスイッチＭ
Ｏ３ＦＥＴＱＩ Ｏがオン状態にされる第１列目の信号
線ＰＳＯの選択期間において、色選択回路ＣＳ Ｌは、
券選択′！５ＲＩ７、前選択線ＢＬ及び線選択線ＧＬの
順序で時系列的に色選択信号を形成する。すなわち、上
記第１列目の信号線選択期間（ＰＩ、０がハイレベルの
期間）において、券選択８ｉＲＬがハイレベルにされる
と、スイッチＭＯＳ Ｆ ＥＴＱ １ないしＱ３がオン
状態にされるが、信号線ＰＳＯのみがコモン信号線ＣＰ
Ｓに結合されているため、フォトダイオードＤ１の信号
が出力信号３ｏｕｔとして読み出される０次に、上記券
選択線ＲＬに代えて前選択線ＢＬがハイレベルにされる
と、スイッチＭＯ３ＦＥＴＱ４ないしＱ６がオン状態に
されるが、上記同様に信号線ＰＳＯのみがコモン信号線
ＣＰＳに結合されているため、フォトダイオードＤ４の
信号が出力信号５ｏｕｔとして読み出される。最後に、
上記前選択線Ｂ Ｌに代えて線選択線ＧＬがハイレベル
にされると、スイッチＭＯ３ＦＥＴＱ？ないしＱ９がオ
ン状態にされるが、上記同様に信号線ＰＳＯのみがコモ
ン信号線ＣＰＳに結合されているため、フォトダイオー
ドＤ７の信号が出力信号５ｏｕｔとして読み出される。
上記のように１つの画素に対応した赤、青及び緑の各色
信号の読み出しが終了すると、画素選択回路ＰＳＬは、
画素選択線ＰＬＯに変えて次の列の画素選択線ＰＬＩを
ハイレベルの選択状態にする。上記画素選択信号ＰＬＩ
がハイレベルにされることによってスイッチＭＯ３ＦＦ
、ＴＱＩＩがオン状態にされて第２列目の信号線ＰＳ１
がコモン信号１，１ ｃ ｐ ｓに結合される。この信
号４ｉＰＳ１の選択期間において、色選択回路Ｃ３Ｌは
、上記同様に色選択線ＲＬ、前選択線ＢＬ及び線選択線
ＧＬの順序で時系列的に色選択信号を形成する。これに
よって、第２列目のＲ，Ｂ及びＧからなるカラー画素信
号が時系列的に出力される。以下、第ｎ列まで、上記同
様な順序での選択動作が行われるものである。
信号の読み出しが終了すると、画素選択回路ＰＳＬは、
画素選択線ＰＬＯに変えて次の列の画素選択線ＰＬＩを
ハイレベルの選択状態にする。上記画素選択信号ＰＬＩ
がハイレベルにされることによってスイッチＭＯ３ＦＦ
、ＴＱＩＩがオン状態にされて第２列目の信号線ＰＳ１
がコモン信号１，１ ｃ ｐ ｓに結合される。この信
号４ｉＰＳ１の選択期間において、色選択回路Ｃ３Ｌは
、上記同様に色選択線ＲＬ、前選択線ＢＬ及び線選択線
ＧＬの順序で時系列的に色選択信号を形成する。これに
よって、第２列目のＲ，Ｂ及びＧからなるカラー画素信
号が時系列的に出力される。以下、第ｎ列まで、上記同
様な順序での選択動作が行われるものである。
このような読み出し方式では、１つのカラー画素に対応
した三原色からなるカラー信号が時系列的に出力される
ため、その信号を合成して１つのカラー画素を得ること
が便利となる。
した三原色からなるカラー信号が時系列的に出力される
ため、その信号を合成して１つのカラー画素を得ること
が便利となる。
上記のような読み出し順序に代えて、券選択線ＲＬをハ
イレベルにした状態で、画素選択線ＰＬＯないしＰＬｎ
を時系列的にハイレベルにして、赤色の信号を時系列的
に読み出す。次に、券選択線ＲＬに代えて前選択線ＢＬ
をハイレベルにした状態で、上記同様に画素選択線ＰＴ
、ＯないしＰＬｎを時系列的にハイレベルにして、青色
の信号を時系列的に読み出す。最後に、上記前選択′４
１ＡＢＬに代えて線選択線ＧＬをハイレベルにした状態
で、上記同様に画素選択線ＰＬＯないしＰＬｎを時系列
的にハイレベルにして、緑色の信号を時系列的に読み出
すものとしてもよい。このような読み出し方式では、静
電方式のカラープリンタのように静電ヘッドと現像器を
横方向に移動させて、帯電、現像及び定着を色別に繰り
返すものに適したものとなる。
イレベルにした状態で、画素選択線ＰＬＯないしＰＬｎ
を時系列的にハイレベルにして、赤色の信号を時系列的
に読み出す。次に、券選択線ＲＬに代えて前選択線ＢＬ
をハイレベルにした状態で、上記同様に画素選択線ＰＴ
、ＯないしＰＬｎを時系列的にハイレベルにして、青色
の信号を時系列的に読み出す。最後に、上記前選択′４
１ＡＢＬに代えて線選択線ＧＬをハイレベルにした状態
で、上記同様に画素選択線ＰＬＯないしＰＬｎを時系列
的にハイレベルにして、緑色の信号を時系列的に読み出
すものとしてもよい。このような読み出し方式では、静
電方式のカラープリンタのように静電ヘッドと現像器を
横方向に移動させて、帯電、現像及び定着を色別に繰り
返すものに適したものとなる。
なお、上記色の出力順序は、色選択回路Ｃ３Ｌの選択信
号の出力順序に応じて任意に設定することができるもの
である。
号の出力順序に応じて任意に設定することができるもの
である。
この実施例では、上記のように人工光源を用いた場合、
青のカラーフィルタが３行に並んだ画素列の中央に配置
される。これによって、それに照射される光スポットは
、レンズによる光集束作用によって中央部分が明るくな
る。言い換えるならば、上記ラインセンサの受光部に照
射される光スポットは、その中央部分が最も光量が多く
、中央から離れて周辺にむかうにしたがって光量が減少
する傾向を持つ。これによって、中央に配置される青色
め光電変換素子に対する光量が多くなり、周辺に配置さ
れる赤色や緑色の光電変換素子に照射される光量が相対
的に小さくなる。これによって、赤、青及び緑の感度を
揃えることができるから、上記各行をウェル領域に形成
して読み出すことによるクロストークの防止と相俟つ°
ζ高鮮明度の３原色カラー信号を得ることができる。言
い換えるならば、高Ｓ／Ｎ比を持つカラー信号を得るこ
とができるものとなる。
青のカラーフィルタが３行に並んだ画素列の中央に配置
される。これによって、それに照射される光スポットは
、レンズによる光集束作用によって中央部分が明るくな
る。言い換えるならば、上記ラインセンサの受光部に照
射される光スポットは、その中央部分が最も光量が多く
、中央から離れて周辺にむかうにしたがって光量が減少
する傾向を持つ。これによって、中央に配置される青色
め光電変換素子に対する光量が多くなり、周辺に配置さ
れる赤色や緑色の光電変換素子に照射される光量が相対
的に小さくなる。これによって、赤、青及び緑の感度を
揃えることができるから、上記各行をウェル領域に形成
して読み出すことによるクロストークの防止と相俟つ°
ζ高鮮明度の３原色カラー信号を得ることができる。言
い換えるならば、高Ｓ／Ｎ比を持つカラー信号を得るこ
とができるものとなる。
（実施例２）
第３図には、この発明に係るカラーラインセンサの他の
一実施例の要部回路図が示されている。
一実施例の要部回路図が示されている。
この実施例では、１つのフォトセンサーに対して２つの
スイッチＭＯ３ＦＥＴが設けられる。すなわち、代表と
して例示的に示されたフォトダイオードＤＩには、上記
同様な券選択ｖＡＲＬにゲートが結合されたスイッチＭ
Ｏ３ＦＥＴＱＩと、画素選択線ＰＬＯにゲートが結合さ
れたスイッチＭＯ３Ｆ ＥＴＱ １° とが設けられる
。これらのスイッチＭＯ３ＦＥＴＱＩ、Ｑｌ’ を通し
た信号は、横方向に延長される画素信号線ｐｓｏ’ に
結合される。すなわち、各行毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及
び青（Ｂ）に対応して画素信号線ｐｓｏ”、 ＰＳｌ
”及びＰＳ２°がそれぞれ設けられる。それ故、上記画
素信号線ＰＳＯ’ 、Ｐｓｉｏ及びＰＳ２゜は、各色Ｒ
，Ｇ及びＢにそれぞれ対応した画素信号線とされる。こ
の実施例では、カラーフィルタは、第１行が赤、第２行
が緑、第３行目が青がそれぞれ設けられる。
スイッチＭＯ３ＦＥＴが設けられる。すなわち、代表と
して例示的に示されたフォトダイオードＤＩには、上記
同様な券選択ｖＡＲＬにゲートが結合されたスイッチＭ
Ｏ３ＦＥＴＱＩと、画素選択線ＰＬＯにゲートが結合さ
れたスイッチＭＯ３Ｆ ＥＴＱ １° とが設けられる
。これらのスイッチＭＯ３ＦＥＴＱＩ、Ｑｌ’ を通し
た信号は、横方向に延長される画素信号線ｐｓｏ’ に
結合される。すなわち、各行毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及
び青（Ｂ）に対応して画素信号線ｐｓｏ”、 ＰＳｌ
”及びＰＳ２°がそれぞれ設けられる。それ故、上記画
素信号線ＰＳＯ’ 、Ｐｓｉｏ及びＰＳ２゜は、各色Ｒ
，Ｇ及びＢにそれぞれ対応した画素信号線とされる。こ
の実施例では、カラーフィルタは、第１行が赤、第２行
が緑、第３行目が青がそれぞれ設けられる。
上記各画素信号線ＰＳＯ’ 、ＰＳＩｏ及びｐｓ２°は
、上記色選択線ＲＬ、ＧＬ及びＢＬにゲートが結合され
たスイッチＭＯＳ Ｆ ＥＴを介してコモン信号ｂｙ
ｃ ｐ ｓに結合される。この実施例では、上記コモン
信号線ｃｐｓは、上記画素信号線ｐｓＯ’、Ｐｓｉ°及
びＰＳ２’ が横方向に延長されることに対応して縦方
向に延長される。
、上記色選択線ＲＬ、ＧＬ及びＢＬにゲートが結合され
たスイッチＭＯＳ Ｆ ＥＴを介してコモン信号ｂｙ
ｃ ｐ ｓに結合される。この実施例では、上記コモン
信号線ｃｐｓは、上記画素信号線ｐｓＯ’、Ｐｓｉ°及
びＰＳ２’ が横方向に延長されることに対応して縦方
向に延長される。
この実施例においても、上記同様に各行毎に独立したウ
ェル領域ＷＬＩ〜ＷＬ３が設けられる。
ェル領域ＷＬＩ〜ＷＬ３が設けられる。
また、その選択動作は、上記色選択回路Ｃ３Ｌと画素選
択回路ＰＳＬとでそれぞれ形成される色選択信号と画素
選択信号とによってオン状態にされるスイッチＭＯＳ
Ｆ ＥＴの組み合わせに応じて、１つのフォトダイオー
ドが選ばれることによって行われる。それ故、上記第２
図のタイミング図に示したように１つの画素線をハイレ
ベルにした状態で、色選択線を時系列的にハイレベルに
することによって、Ｒ，Ｇ及びＢからなるカラー画素別
に時系列的に出力されることも、１つの色選択線をハイ
レベルにした状態で、画素選択線を時系列的にハイレベ
ルにすることによって、ＲｌＧ及びＢの色別に時系列的
に出力させることもできるものである。
択回路ＰＳＬとでそれぞれ形成される色選択信号と画素
選択信号とによってオン状態にされるスイッチＭＯＳ
Ｆ ＥＴの組み合わせに応じて、１つのフォトダイオー
ドが選ばれることによって行われる。それ故、上記第２
図のタイミング図に示したように１つの画素線をハイレ
ベルにした状態で、色選択線を時系列的にハイレベルに
することによって、Ｒ，Ｇ及びＢからなるカラー画素別
に時系列的に出力されることも、１つの色選択線をハイ
レベルにした状態で、画素選択線を時系列的にハイレベ
ルにすることによって、ＲｌＧ及びＢの色別に時系列的
に出力させることもできるものである。
（実施例３）
第４図には、上記カラーラインセンサを用いたカラーコ
ピー装置の一実施例のブロック図が示されている。
ピー装置の一実施例のブロック図が示されている。
上記構成のカラーラインセンサＣＬＳの出力信号は、ア
ナログ／ディジタル（以下、手にＡ／Ｄと称する）変換
回路ＡＤＣに入力される。この人／Ｄ変換回路の出力信
号は、フレームメモリＦＭに供給される。特に制限され
ないが、フレームメモリＦＭとしては、被複写体の１画
面分に相当するカラー画素信号を記憶する記憶容量を持
つようにされる。このフレームメモリＦＭの記憶容量は
カラープリンタの動作が高速なら少なくすることも可能
である。例えば、カラーラインセンサＣＬＳの１ライン
分の読み出し時間とプリント時間が同じくできるなら、
２ライン分の記憶容量により実現できる。すなわち、２
ライン分の記憶容量のうち、２ライン分の記憶エリアの
うち一方のエリアにカラーラインセンサＣＬＳからの読
み出し信号を書き込み間に、既に記憶れた他方のエリア
のカラー画素情報によりカラープリント動作を行わせれ
ばよい。
ナログ／ディジタル（以下、手にＡ／Ｄと称する）変換
回路ＡＤＣに入力される。この人／Ｄ変換回路の出力信
号は、フレームメモリＦＭに供給される。特に制限され
ないが、フレームメモリＦＭとしては、被複写体の１画
面分に相当するカラー画素信号を記憶する記憶容量を持
つようにされる。このフレームメモリＦＭの記憶容量は
カラープリンタの動作が高速なら少なくすることも可能
である。例えば、カラーラインセンサＣＬＳの１ライン
分の読み出し時間とプリント時間が同じくできるなら、
２ライン分の記憶容量により実現できる。すなわち、２
ライン分の記憶容量のうち、２ライン分の記憶エリアの
うち一方のエリアにカラーラインセンサＣＬＳからの読
み出し信号を書き込み間に、既に記憶れた他方のエリア
のカラー画素情報によりカラープリント動作を行わせれ
ばよい。
上記フレームメモリＦＭに記憶されたカラー画素信号は
、信号処理（プロセス）回路ＰＣに供給され、ここでカ
ラープリンタのプリント方式に適合したカラー信号処理
が行われる。例えば、カラープリント方式としては、昇
華型、静電型やイングジェット型等が知られている。
、信号処理（プロセス）回路ＰＣに供給され、ここでカ
ラープリンタのプリント方式に適合したカラー信号処理
が行われる。例えば、カラープリント方式としては、昇
華型、静電型やイングジェット型等が知られている。
この実施例においては、特に制限されないが、上記カラ
ーラインセンサＣＬＳは、上記色別の読み出しが行われ
る。上記のように縦方向に３行に並んでＲ，Ｇ及びＢの
カラーフィルタ（カラーフォトダイオード）が配置され
ることから、例えば赤（Ｒ）の信号を時系列的に読み出
した後に、緑（Ｇ）の信号を読み出すとき、被複写体は
それに対応して微小移動（ｄＹ）させられる。このこと
は、上記縁（Ｇ）の読み出しの後に青（Ｂ）を読み出す
ときも同様である。このように、１つのカラー信号の読
み出しのときに、被複写体を微小移動（ｄ Ｙ）させろ
機構を設けることによって、より高い色解像度を実現す
るものである。
ーラインセンサＣＬＳは、上記色別の読み出しが行われ
る。上記のように縦方向に３行に並んでＲ，Ｇ及びＢの
カラーフィルタ（カラーフォトダイオード）が配置され
ることから、例えば赤（Ｒ）の信号を時系列的に読み出
した後に、緑（Ｇ）の信号を読み出すとき、被複写体は
それに対応して微小移動（ｄＹ）させられる。このこと
は、上記縁（Ｇ）の読み出しの後に青（Ｂ）を読み出す
ときも同様である。このように、１つのカラー信号の読
み出しのときに、被複写体を微小移動（ｄ Ｙ）させろ
機構を設けることによって、より高い色解像度を実現す
るものである。
上記の実施例から得られる作用効果は、下記の通りであ
る。すなわち、 ＋ｌ）横方向に延長され、縦方向に並んで配置される赤
、緑及び青のカラーフィルタに対応された光電変換素子
をそれぞれ独立したウェル領域に設ける。
る。すなわち、 ＋ｌ）横方向に延長され、縦方向に並んで配置される赤
、緑及び青のカラーフィルタに対応された光電変換素子
をそれぞれ独立したウェル領域に設ける。
これにより、ウェル領域間相互の電気的な分離によって
、色信号間のクロストークの発生が防止できるから高Ｓ
／Ｎを実現できるという効果が得られる。
、色信号間のクロストークの発生が防止できるから高Ｓ
／Ｎを実現できるという効果が得られる。
（２）赤、緑及び青のカラーフィルタのうち、人工的な
光源の各色に対応した光量が最も低い青フィルタを中央
に配置することにより、レンズ機構を通してラインセン
サの受光部に照射される光スポットは、その中央が最も
明るくなるため、上記光量不足を補うことができる。こ
れによって、上記（１）の効果と相俟って高鮮明度（高
Ｓ／Ｎ）のカラー画像信号を得ることができるという効
果が得られる。
光源の各色に対応した光量が最も低い青フィルタを中央
に配置することにより、レンズ機構を通してラインセン
サの受光部に照射される光スポットは、その中央が最も
明るくなるため、上記光量不足を補うことができる。こ
れによって、上記（１）の効果と相俟って高鮮明度（高
Ｓ／Ｎ）のカラー画像信号を得ることができるという効
果が得られる。
（２）横方向に並んで配置されカラーフィルタに対応し
て複数の光電変換素子を設け、画素選択走査回路と色選
択回路とによりそれぞれ形成された選択信号を受けるス
イッチ素子を介して上記光電変換素子により形成された
光電変換信号を時系列的に出力させることにより、カラ
ー信号を形成る光電変換素子のピッチを小さくできから
、高解像のカラー画素信号を得ることができるという効
果が得られる。
て複数の光電変換素子を設け、画素選択走査回路と色選
択回路とによりそれぞれ形成された選択信号を受けるス
イッチ素子を介して上記光電変換素子により形成された
光電変換信号を時系列的に出力させることにより、カラ
ー信号を形成る光電変換素子のピッチを小さくできから
、高解像のカラー画素信号を得ることができるという効
果が得られる。
（３）上記（２）により、光電変換素子からの信号をス
イッチＭＯ３ＦＥＴを介して出力させる方式を採るもの
であるため、その動作電圧を５ｖの単一電源化を図るこ
とができる。これによって、ＴＴＬレベルの信号による
直接駆動が可能になり、装置の簡素化と小型化が可能に
なるという効果が得られる。
イッチＭＯ３ＦＥＴを介して出力させる方式を採るもの
であるため、その動作電圧を５ｖの単一電源化を図るこ
とができる。これによって、ＴＴＬレベルの信号による
直接駆動が可能になり、装置の簡素化と小型化が可能に
なるという効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、上記のような
カラーフィルタＲＦ、ＢＦ及びＯＦが並べられて配置さ
れた光電変換素子からの信号を読み出し手段としては、
前記実施例のようにスイッチＭＯＳ Ｆ ＥＴを用いる
ものの他、例えばＣＣＤ （光電変換素子）シフトレジ
スタを用いるものであってもよい。この場合、複数の画
素からなる行間にＣＯＤシフトレジスタが配置させる必
要があるため、縦方向の解像度が多少犠牲になる。しか
しながら、前記公知技術のように３つのラインセンサを
構成する半導体チップを並べる場合に比べて溝かに解像
度を高くすることができるものである。
体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、上記のような
カラーフィルタＲＦ、ＢＦ及びＯＦが並べられて配置さ
れた光電変換素子からの信号を読み出し手段としては、
前記実施例のようにスイッチＭＯＳ Ｆ ＥＴを用いる
ものの他、例えばＣＣＤ （光電変換素子）シフトレジ
スタを用いるものであってもよい。この場合、複数の画
素からなる行間にＣＯＤシフトレジスタが配置させる必
要があるため、縦方向の解像度が多少犠牲になる。しか
しながら、前記公知技術のように３つのラインセンサを
構成する半導体チップを並べる場合に比べて溝かに解像
度を高くすることができるものである。
この発明は、カラーラインセンサとして広く利用できる
ものである。
ものである。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、横方向に延長され、縦方向に並んで配置さ
れる赤、緑及び青のカラーフィルタに対応された光電変
換素子をそれぞれ独立したウェル領域に設ける。これに
より、ウェル領域間相互の電気的な分画によって、色信
号間のクロストークの発生が防止できるから高Ｓ 、／
Ｎを実現できる。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、横方向に延長され、縦方向に並んで配置さ
れる赤、緑及び青のカラーフィルタに対応された光電変
換素子をそれぞれ独立したウェル領域に設ける。これに
より、ウェル領域間相互の電気的な分画によって、色信
号間のクロストークの発生が防止できるから高Ｓ 、／
Ｎを実現できる。
第１図は、この発明に係るカラーラインセンサの一実施
例を示す要部回路図、 第２図は、その読み出し動作の一例を説明するだめのタ
イミング図、 第３図は、この発明に係るカラーラインセンサの他の一
実施例を示す要部回路図、 第４図は、この発明に係るカラーラインセンサが用いら
れるカラーコピーＷ１の一実施例を示す要部ブロック図
である。 Ｃ３Ｌ・・カラー（色）選択回路、ＰＳＬ・・画素（ピ
クセル）選択回路、ＲＬ・・券選択線、Ｇ Ｌ・・緑選
仮線、ＢＬ・・前選択線、ＰＬＯ〜ＰＬｎ・・画素（ピ
クセル）選択線、ＷＬＩ〜ＷＬ３・−ウェル領域、ＰＳ
Ｏ−ＰＳｎ、ＰＳＯ’〜ＰＳ２’ ・・画素（ピクセ
ル）信号線、ＣＰＳ・・コモン信号線、ＣＬＳ・・カラ
ーラインセンサ、ＡＤＣ・・Ａ／Ｄ変換回路、ＦＭ−・
フレームメモリ、ＰＣ・・信号処理（プロセス）回路第
１図 第２図 ＬＩ Ｌｎ ｊ
例を示す要部回路図、 第２図は、その読み出し動作の一例を説明するだめのタ
イミング図、 第３図は、この発明に係るカラーラインセンサの他の一
実施例を示す要部回路図、 第４図は、この発明に係るカラーラインセンサが用いら
れるカラーコピーＷ１の一実施例を示す要部ブロック図
である。 Ｃ３Ｌ・・カラー（色）選択回路、ＰＳＬ・・画素（ピ
クセル）選択回路、ＲＬ・・券選択線、Ｇ Ｌ・・緑選
仮線、ＢＬ・・前選択線、ＰＬＯ〜ＰＬｎ・・画素（ピ
クセル）選択線、ＷＬＩ〜ＷＬ３・−ウェル領域、ＰＳ
Ｏ−ＰＳｎ、ＰＳＯ’〜ＰＳ２’ ・・画素（ピクセ
ル）信号線、ＣＰＳ・・コモン信号線、ＣＬＳ・・カラ
ーラインセンサ、ＡＤＣ・・Ａ／Ｄ変換回路、ＦＭ−・
フレームメモリ、ＰＣ・・信号処理（プロセス）回路第
１図 第２図 ＬＩ Ｌｎ ｊ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、横方向に並んで延長され、縦方向に並んで配置され
カラーフィルタに対応して設けられた複数の光電変換素
子と、上記光電変換素子の信号を時系列的に出力させる
読み出し回路とを含み、上記カラーフィルタに対応して
設けられる複数の光電変換素子をそれぞれ独立したウェ
ル領域に形成することを特徴とするカラーラインセンサ
。 ２、上記光電変換素子は、赤、緑及び青のカラーフィル
タに対応して縦方向に並んで３行に配置されるものであ
り、それぞれの光電変換信号はスイッチ素子を介して時
系列的に読み出されるものであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のカラーラインセンサ。 ３、上記スイッチ素子には、色選択回路と画素選択回路
によりそれぞれ形成される選択信号が供給されるもので
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は２項記
載のカラーラインセンサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62279179A JP2723890B2 (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | カラーラインセンサ |
| US07/265,768 US4972255A (en) | 1987-11-06 | 1988-11-01 | Color line sensor having photodiode arrays which are respectively formed in different well regions of a substrate |
| KR1019880014520A KR920003259B1 (ko) | 1987-11-06 | 1988-11-04 | 칼라라인센서 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62279179A JP2723890B2 (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | カラーラインセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01122260A true JPH01122260A (ja) | 1989-05-15 |
| JP2723890B2 JP2723890B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=17607545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62279179A Expired - Fee Related JP2723890B2 (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | カラーラインセンサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4972255A (ja) |
| JP (1) | JP2723890B2 (ja) |
| KR (1) | KR920003259B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164165A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Canon Inc | センサ駆動装置 |
| JP2002134726A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-10 | Hynix Semiconductor Inc | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 |
| JP2007129763A (ja) * | 2007-01-09 | 2007-05-24 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
| US7787038B2 (en) | 2002-10-04 | 2010-08-31 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device and driving method therefor |
| JP2013247182A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Canon Inc | 光電変換装置 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262850A (en) * | 1988-09-20 | 1993-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting device having reduced line sensor space |
| US5365352A (en) * | 1991-03-15 | 1994-11-15 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image reading apparatus having color image sensor in which a plurality of CCD arrays are formed integrally on one chip |
| US5148268A (en) * | 1991-04-26 | 1992-09-15 | Xerox Corporation | Multiplexing arrangement for controlling data produced by a color images sensor array |
| EP0800308B1 (en) * | 1991-07-10 | 1999-09-15 | Sony Corporation | Solid state color imaging device |
| US5119183A (en) * | 1991-08-09 | 1992-06-02 | Xerox Corporation | Color scan array with addressing circuitry |
| KR940002974B1 (ko) * | 1991-11-06 | 1994-04-09 | 주식회사 금성사 | 컬러 콘택트 이미지 센서 |
| USH1740H (en) * | 1992-07-01 | 1998-07-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Synchronized rotating prism and CCD electrical readout color camera |
| US5317127A (en) * | 1992-08-28 | 1994-05-31 | Pitney Bowes Inc. | Apparatus including air blowing and infrared light means for drying ink on a sheet |
| JPH09326907A (ja) * | 1996-06-03 | 1997-12-16 | Canon Inc | 画像読取装置 |
| US6690076B1 (en) * | 1999-03-10 | 2004-02-10 | Micron Technology, Inc. | Stitched circuits larger than the maximum reticle size in sub-micron process |
| TW200934978A (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-16 | J Touch Corp | Illumination device with energy-conversion module |
| KR101814603B1 (ko) * | 2011-06-16 | 2018-01-05 | 삼성전자주식회사 | 픽셀 소자, 및 이를 포함하는 방사성 측정 모듈과 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62176356A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-03 | Seiko Instr & Electronics Ltd | カラ−イメ−ジセンサ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4763189A (en) * | 1984-08-31 | 1988-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Color image sensor with three line sensors on different layers separated by electrically-insulating layers |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP62279179A patent/JP2723890B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-11-01 US US07/265,768 patent/US4972255A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-04 KR KR1019880014520A patent/KR920003259B1/ko not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62176356A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-03 | Seiko Instr & Electronics Ltd | カラ−イメ−ジセンサ |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164165A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-28 | Canon Inc | センサ駆動装置 |
| JP2002134726A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-10 | Hynix Semiconductor Inc | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 |
| US7787038B2 (en) | 2002-10-04 | 2010-08-31 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device and driving method therefor |
| JP2007129763A (ja) * | 2007-01-09 | 2007-05-24 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
| JP2013247182A (ja) * | 2012-05-24 | 2013-12-09 | Canon Inc | 光電変換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890008635A (ko) | 1989-07-12 |
| JP2723890B2 (ja) | 1998-03-09 |
| KR920003259B1 (ko) | 1992-04-25 |
| US4972255A (en) | 1990-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2723890B2 (ja) | カラーラインセンサ | |
| KR102908282B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| US6927434B2 (en) | Providing current to compensate for spurious current while receiving signals through a line | |
| CA1139874A (en) | Solid-state colour imaging device | |
| CN101467443A (zh) | 图像传感器以及显示器 | |
| CN114979519A (zh) | 图像传感器 | |
| KR102921321B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| JPH05167777A (ja) | カラーセンサーアレイ多重化配列 | |
| CN109585475A (zh) | 半导体装置和器械 | |
| KR900000331B1 (ko) | 비데오 카메라장치 | |
| US4413283A (en) | Solid-state imaging device | |
| US12471400B2 (en) | Image sensor | |
| KR102656526B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| CN120835628A (zh) | 图像传感器 | |
| KR20230109969A (ko) | 이미지 센서 | |
| KR20230078460A (ko) | 이미지 센서 및 이미지 센서의 자동 초점 동작 방법 | |
| US12101554B2 (en) | Method and apparatus for performing autofocusing using summed signals | |
| JPH01122258A (ja) | カラーラインセンサ | |
| JPS6170869A (ja) | 固体撮像装置および固体光センサ装置 | |
| US12375822B2 (en) | Method of binning image sensor, and image sensor performing the same | |
| JPH01122261A (ja) | カラーラインセンサ | |
| JPH02268062A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2699895B2 (ja) | イメージセンサの駆動方法 | |
| JPH11317911A (ja) | 集積作像チップ | |
| CN121218051A (zh) | 读取图像像素的方法、图像传感器及成像系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |