JPH011236A - 選択的薄膜エッチング法及びそれに使用するガス混合物 - Google Patents

選択的薄膜エッチング法及びそれに使用するガス混合物

Info

Publication number
JPH011236A
JPH011236A JP63-67977A JP6797788A JPH011236A JP H011236 A JPH011236 A JP H011236A JP 6797788 A JP6797788 A JP 6797788A JP H011236 A JPH011236 A JP H011236A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
sif
plasma
silicon
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63-67977A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS641236A (en
JPH0719774B2 (ja
Inventor
ジョン　エス　ダンフィールド
ブラッドリー　ジェイ　テイラー
Original Assignee
アプライド　マテリアルズ　インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US07/028,242 external-priority patent/US4793897A/en
Application filed by アプライド　マテリアルズ　インコーポレーテッド filed Critical アプライド　マテリアルズ　インコーポレーテッド
Publication of JPS641236A publication Critical patent/JPS641236A/ja
Publication of JPH011236A publication Critical patent/JPH011236A/ja
Publication of JPH0719774B2 publication Critical patent/JPH0719774B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は二酸化ケイ素上に形成された膜例えば窒化ケイ
素の選択的な、好ましくは異方性のエツチングに関する
。とりわけ、本発明は下層二酸化ケイ素に対して高い選
択性で、制御された窒化ケイ素プロフィルおよび制御さ
れた二酸化ケイ素の減少または増加で異方的に窒化ケイ
素をエツチングする方法に関する。
複合体窒化ケイ素被覆二酸化ケイ素は集積回路において
多くの適用を有する。例えば窒化物被覆酸化物はフィー
ルド分離酸化物のＬＯＧＯ３形成中のＩＣ（集積回路）
ウェーハのフィールド領域の選択的露出のために酸化マ
スクとして使用できる。そのような適用において下層酸
化物は非常に薄いことができる。窒化ケイ素ＬＯＧＯＳ
マスクのパターニング中に、ホトレジストのようなりソ
ゲラフマスクをディメンション損失なく良好な分解能で
、上層ホトレジストマスクおよび下層の薄い酸化物のエ
ツチングなく　（すなわち、適当に高い選択性で）窒化
ケイ素中に正確に模写することが必要である。窒化物が
後に活性領域から除去されるとき、ホトレジストがＬＯ
ＧＯ３酸化の前に剥離されるのでホトレジストに対する
選択性は関係がない。しかし、薄い酸化物の劣化または
除去の防止はなお非常に重要である。
フルオロカーボンエツチング剤例えばＣＨ，ＦおよびＣ
Ｈ２Ｆ２並びにＳＦ、およびＮＦ、は窒化ケイ素のエツ
チングに使用された。フルオロカーボンエツチング剤は
酸化物上に付着し、従って、エツチング選択性を高める
不揮発性炭素含有有機重合体を形成することができる。
しかし、炭素は粒子を形成し、従って、殊に比較的少な
い非常に小さい粒子に対しても鋭敏であるＬＳＩ（大規
模集積）およびＶＬＳＩ　　（超大規模集積）回路に対
する好ましくないダーティプロセスを生ずる。さらに、
有機重合体層はりアクタ−内にときどき無差別に付着す
ることができ、リアクターの比較的頻繁な洗浄を必要と
する。
発明の概要 本発明の主目的は薄膜例えば二酸化ケイ素下層上に形成
された窒化ケイ素を選択的にエツチングすることである
。
関連目的は窒化ケイ素被覆二酸化ケイ素の選択的異方性
エツチングを、生ずる制御された異方性窒化物エッチプ
ロフィルおよび下層酸化物に対する制御された選択性（
増加または減少）で達成する方法を提供することである
。
他の関連目的はホトレジストマスクに対する制御された
選択性もまた達成する方法を提供することである。
上記および他の目的は窒化ケイ素をエツチングし酸化物
を選択的に付着してそれによりフッ素層による酸化物下
層の固有のエツチングを相殺する５ＩＦ４および０□基
反応物ガス流を用いて達成される。我々の知る限り、Ｓ
ｉＦ、および０２は二酸化ケイ素の付着に用いられたが
、しかし薄膜例えば窒化物のエツチングおよびそのよう
な膜の下層上の制御付着を有するエツチングに使用され
なかつた・ １観点において、我々の方法は酸化ケイ素下層上に形成
された窒化ケイ素層を含む物体の窒化ケイ素層成分を、
酸化ケイ素下層に対して制御された選択性で、選択的に
（および異方的に）エツチングするために適合され、物
体をＳｉ　Ｆ　ａおよび酸素の反応物ガス流から形成さ
れたプラズマにさらすことを含む。
他の関連観点において、我々の方法は酸化ケイ素下層上
に窒化ケイ素の層を含む物体の窒化ケイ素層成分を、酸
化ケイ素下層に対して制御された高い選択性で、窒化ケ
イ素上に形成されたホトレジストエッチマスクを用いて
プラズマエツチング室中でエツチングする方法であり、
マスクした物体をエツチング室中に配置し、ホトレジス
トに対しおよび酸化物下層に対し高い選択性で窒化ケイ
素をエツチングするＮＦｌ、ＳｉＦ４および０２を含む
選ばれた反応性ガス混合物を室中へ連通ずることを含む
。
発明の詳細な説明 （１）全工程 本発明は窒化ケイ素を、有機ホトレジストマスクに対す
る高い選択性および酸化物に対する制御された選択性を
伴なって制御された異方性でエツチングするために酸素
含有フッ素化ガス化学を真空プラズマリアクター中に用
いる。この制御された窒化ケイ素エツチングは簡単な１
段階法であり、それは反復性を高め、物質コストを低下
し、運転員制御を増強する。さらに、酸化物下層に対す
る高い選択性はプロセス収量を高め、他の適用に対する
プロセスの適応を一層容易にする。
好ましい反応性ガス化学はＯ，／ＳｉＦ、　、より特定
的にはＮＦ、１０□／ＳｉＦ４を含む。ＳｉＦ４は選択
性窒化物エツチング剤である（反応Ａ参照）ＮＦ３は主
室化物エツチング剤であることができる（反応Ｂ参照）
。０２は５ｉＦｉからのケイ素と結合して酸化物下層上
に酸化ケイ素含有付着物を選択的に形成し、従って酸化
物層に対する選択性を高める（反応Ａ参照）。例えば、
典型的には窒化ケイ素含有ウェーハの数の増加は窒化物
エッチ速度を低下するが、しかしＮＦ３流量の増加は窒
化物エッチ速度を高めることにより、従って他のパラメ
ーターが一定に保たれる場合でも増加したウェーハ数に
対して補償する。ＮＦ３の添加はプロセスの使用可能範
囲、すなわちプロセスウィンドウを増大する。
（２）プロセス傾向（傾向線） 本発明の適合性および利点は３主ガス反応物ＮＦ３　、
ｏｚおよび５ｔＦａの流量および流量比の変更によりホ
トレジストエッチマスクに対するエツチング選択性に適
合させ、並びに酸化ケイ素含有化合物の付着速度の制御
およびそれによる処理中の酸化物の減少または（増加）
を制御するため。に選んだプロセスガスが使用される能
力により示される。これらの結果は標準の不変りアクタ
−１０（第１図）を用いて達成される。選ばれるプロセ
スガスの効果は次に総括される。
ＳｉＦ４、ＮＦ、および０２に対して適用できる平衡反
応は： 反応Ａ　：ＳｉＦ４＋Ｑ２＃５ｉＯｚ　＋４１’反応Ｂ
　：　２　Ｎ　Ｆ　３　＃Ｎｚ　＋　６亡である。反応
Ａは、ＳｉＯ□が析出しフッ素が窒化物エツチング剤で
あるので選択性機構を支配する。
示されるように、反応Ｂにおいてフッ素が窒化物エッチ
速度を高める。
窒化物エッチ速度は主窒化物エツチング剤として使用さ
れるＳｉＦ４の流量に正比例する。
前記のように、また第２図および第３図に示されるよう
に、ＮＦ、の流量の増加は窒化物エッチ速度および酸化
物減少の両方を高める。
酸化物エッチ速度はウェーハ上のホトレジストのカバレ
ージにより影響される。殊に酸化物エッチ速度は一定プ
ロセス条件においてホトレジストにより覆われたウェー
ハの面積に逆比例する。ホトレジストカバレージの減少
／増加はエツチング中の酸化物減少を増大／低下する。
ホトレジストは５ｉｎＸの形成および付着を減速または
禁止する酸素ゲッターとして作用し、それは酸化物減少
または増加、および選択性における鍵因子である。
しかし、後記のように、大面積ホトレジストカバレージ
を必要とするＩＣ設計および関連窒化物エツチング段階
を酸素流量の増加により補償することができる。
前記のように、酸化物エッチ／付着速度は全ガス流中の
酸素の割合の変更により影響され、制御される。実際に
、第４図および第５図に示されるように、窒化物エッチ
速度および酸化物エッチ速度はともに金塊の酸素割合に
逆比例する。しかし、酸化物および窒化物エッチ速度の
応答は酸素流量が増加すると異なり、これが選択性機構
を利用する能力に関与する。さらにＮＦ、の添加は選択
性機構の制御に寄与する。
さらに第４図を参照すると、他のガスに関する酸素の流
量の減少／増加もまた酸化物上のＳｉｎ、、典型的には
ＳｉＯ□、の選択的付着を減少／増加し、従って、エツ
チング中の酸化物の減少を低下／増大する。反応Ａ参照
。酸素の流量の増加は酸化物に対する無限選択性（零エ
ッチ速度）を与え、実際に減少よりはむしろ純酸化物付
着または増加を与えるように十分に酸化ケイ素付着速度
を高めることができる。事実上酸素流量比の変更は連続
体の速度から、すなわちスペクトルの一端における高エ
ッチ速度から零エッチ／付着に、付着まで酸化物エッチ
／付着を選ぶことを可能にする。さらに、我々の酸化物
エッチ／付着速度に対するホトレジストカバレージおよ
び酸化物流の異なる効果の理解が、低酸化物エッチ速度
および異なるホトレジストカバレージに対する高い選択
性を０２流量の調整により得ることを可能にした。すな
わち、大面積ホトレジストカバレージを酸素流の増加に
より補償することができる。
ＳｉＦ４はエツチング剤である（窒化物エッチ速度はＳ
ｉ　Ｆ　４流に比例する）。さらに、ＳｉＦ４流の酸化
物エッチ／付着に対する効果は、酸化物（殊に５ｉＯｚ
）エッチ速度がＳｉＦ４流に逆比例する点で、酸素流の
効果に類似する。Ｓｉ　Ｆ　４の流量の減少／増加は酸
化物減少を増大／低下する。
（３）実施例および適用 後表はＡＭＥ８１１０低圧イオン補助プラズマリアクタ
ーを用いる二酸化ケイ素上の窒化ケイ素のエツチングに
対するパラメーターの最適値並びに好ましいおよび有用
な値の範囲の総括である。
このリアクターはアプライド・マテリアルズ社（Ａｐｐ
ｌｉｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、　Ｉｎｃ、５ａｎｔａ
　Ｃ１ａｒａＣａｌｉｆｏｒｎｉａ　）から人手できる
。ＡＭＥ８１１０およびより一般的に８１００系列の低
圧反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）モードプラズマエ
ツチングリアクターは第１図に系１０として略示される
。
ＲＩＥ系１０は円筒形反応室１１および例示的に２４個
（７）ウェーハ、１フアセツトに４個、を保持し、ＲＦ
電源１３に連結された六角形カソード１２を含む。排出
口１４は反応室１１の内部と真空ポンプとの間を連通ず
る。反応室１１の壁および基底板１６は系の接地アノー
ドを形成する。ガス源１７からの反応性ガスの供給は人
口１８および室の上部のガス分配環２０への導管装置１
９を通して室１１の内部へ連通される。
リアククー系１０の形状は不対称である。すなわちアノ
ード対カソード比は２：１より多少大きくアノード表面
１１に比しカソード表面１２の高いエネルギー衝撃を生
ずる。そのような設計は低い出力密度および良好なエッ
チ均一性を与え、室壁からの汚染を低下し、エッチ異方
性の達成を容易にする。さらに、カソード構造配置は全
２４ウエーハをプロセス中に垂直に配向させて粒子に対
するウェーハの露出を最小化する。
そのようなＲＩＥモード系において、高方向性の機械的
イオン衝撃エッチ成分が一層等方性の化学成分を支配し
、系のエツチング特性に対し高い異方性を与える。従っ
て、ＲＩＥモード系は高密度小特徴サイズＩＣ適用例え
ばＬＳＩおよびＶＬＳ　Ｉ回路のエツチング製造段階に
好ましい。
しかし、ＡＭＥ８１１０エツチング装置および８１００
系列エツチング装置の使用は例示にすぎないと考えるべ
きである。プロセスはまたアプライド・マテリアルズ社
（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、Ｉｎｃ、。
５ａｎｔａ　Ｃ１ａｒ４、Ｃａ１ｉｆｏｒｎｉａ）から
入手できる８３００系列エツチング装置で良好に使用さ
れた。より一般的に、この方法は主に化学的に駆動され
、従って前記ガスを取扱うことができるプラズマ状態エ
ツチング系のすべてに適用されよう。
３表が酸化物下層を損傷することなく窒化ケイ素を工・
ンチソグするためのプロセスパラメーターの次第に特定
的な有用な範囲を示す。すなわち表１は表２および表３
中に反映されるデータに基く有用な結果を与えることが
期待されるパラメーターの範囲を示す。さらに、この方
法は化学的に駆動されるので、任意のプラズマ型系、例
えば表に示されるよりも広い範囲の圧力に対する適用性
を有する。表２はより狭く、従って高い窒化ケイ素エッ
チ速度、ホトレジストに対する高い選択性および酸化物
下層に対する高い選択性の一層最適の組合せを与えるプ
ロセスパラメーター範囲の一層特定的な組を示す。表３
は高い窒化物エッチ速度、ホトレジストに対する適当な
選択性および酸化物下層に対する非常に高い選択性の組
合せを２４個の６インチウェーハ全負荷に対して与える
点て現在好ましいプロセスパラメーターの特定的に狭い
組を示す。
全ガス量、ｓｃｃｍ　　　　　　１０−４００　　　５
０−１００　　　７８ＮＦ、　　　　　　　　　　　　
　０−１００　　　　　０−５０　　　　　１３ＳｉＦ
４０　１００　　　　１０　５０　　　　　３００□　
　　　　　　　　　　　　０−１００　　　　１０−５
０　　　　　１５！Ｉｅ　　　　　　　　　　　　　　
　０−１０ｏ　　　　　２０−５０　　　　　２０室圧
力、ｍＴ　　　　　　　　１０　１５０　　　２０−５
０　　　　３０滞留時間（秒）　　　　　　０．５−３
０　　　　５−１５　　　　〜９全電力設定８１００（
Ｗ）　　　１００−１５００　　１００−７００　　　
６００出力密度（Ｗ／ｃ＋ａ）、　　　０．０５−０．
８０　　０．０５　０．１７　　　０．１５下層に対す
る選択性： 複合体（１１＞３　：　１　　　　　＞５　：　１　　
　１５　：　１複合体（２）　　　　　　　　　＞５　
：　１　　　　　＞１０　：　１　　　２５　：　１（
１）：熱ＬＰＣＶＤ窒化物／熱酸化物（２）；プラズマ
窒化物／熱酸化物 一般に表は自明である。群として、および示したように
、それらには厚さ８０〜１０００オングストロームの熱
成長二酸化ケイ素層上に形成された厚さ約１０００〜３
０００オングストロームの熱ＬＰＧＶＤ窒化ケイ素また
はプラズマ窒化物（低圧化学蒸着）の層の、厚さ０．６
〜１．５ミクロンのＡＺ１４７０有機ホトレジストマス
クを用いたエツチングが含まれる。
簡単に記載すると、典型的なエツチング法にはホトレジ
ストマスク／窒化物／酸化物複合体を含む１個またはそ
れ以上のウェーハを８１１０エツチ系内のノアセント上
に配置し、標準洗浄、シーズニング、キャリブレーショ
ン段階後、ガスを示した流量で所与滞留時間適用し、所
与室圧力および電力設定を用いることが含まれる。
示したように結果は全く良好である。ホトレジストに対
する選択性は広い、最適および好ましい全負荷範囲に対
してλＯ：５３：１および１：１である。熱ＬＰＧＶＤ
窒化物に関連する熱酸化物下層に対する選択性は３範囲
に対しそれぞれ〉３：１、〉５：１および約１５＝１で
ある。また熱酸化物下層に対する選択性はプラズマ窒化
物に対しそれぞれ〉５：１、＞１０：１および約２５：
１である。我々の方法は優れた線幅制御および垂直窒化
物プロフィルを与え、線幅減を最小化し、ＬＯＣＯ３熱
酸化中の鳥のくちばし侵入（ｂｉｒｄ’５ｂｅａｋ　ｅ
ｎｃｒｏｃｈｍｅｎｔ）を最小化し、ＭＯＳデバイスに
対する良好なチャネル幅精細度を可能にする。
全体の均一性は、従来技術の高選択性対酸化物プロセス
で８１１０を用いる先行実験に対する±１０％に比べて
±４％である。さらに、高い選択性および優れた均一性
のために、残留熱酸化物の均一性は従来技術法により与
えられたよりも一層良好である。
表２および表３に示されるように、ＮＦ３、Ｏ２および
５ｉＦａの適当な流化は酸化物に対する高い選択性の達
成および制御に非常に重要である。また、圧力範囲は異
方性および臨界ディメンションの制御および維持のため
に非常に重要である。
ＡＭＥ８１１０リアクター中の圧力の実質的な増加は臨
界ディメンション制御およびおそらくエッチ速度の均一
性を低下するであろうことが予想される。
表に示されるように、均一性の改良のために不活性ガス
例えばヘリウムをＮＦ３　／５ｉＦ４１０ｚ反応物ガス
組成に加えることができる。さらに、不活性ガス例えば
ヘリウムまたはアルゴンをスパフタリングの目的に制御
量で加えることができる。
さらに、過去の経験はＳＦ、をＮＦ、の代りに、すなわ
ちＮＦ３と（不揮発性硫黄が表面上に形成できることを
除き）同様に機能させるために用いることができること
を示す。また系列Ｃｎ）Ｉ、Ｐ、Ｘ、により示されるフ
レオン含有ガスをホトレジストに対する選択性を高める
ために加えることができる。
ＣＯまたはＣｏｇを酸素の代りに用いることができる（
しかし、不利な副作用例えば有機付着物の形成を防ぐた
めに賢明な選択が必要である）。最後に、しかし網羅的
でなく、窒素含有ガス例えばＮ２自体、ＮＯ□またはＮ
　２０の置換はエツチングまたは付着の間にケイ素、窒
化ケイ素、二酸化ケイ素、ポリシリコンあるいは金属導
体例えばアルミニウムまたはタングステン上に窒化ケイ
素および（または）オキシ窒化ケイ素の付着を生ずるこ
とができる。
一般に前記方法は、下層またはマスキング酸化ケイ素に
対する高い選択性が必要である場合にフッ素化学による
揮発性生成物を形成する膜のエツチングに容易に適用で
きる。従って、５ｉＦ４１０□、Ｎ　Ｆ　：ｌ　／Ｓｔ
　Ｆ　ａ　／　Ｏ□およびＮ　Ｆ　：ｌ　／Ｓｉ　Ｆ　
ａ　／　Ｏ□／ｌｉｅを用いる窒化ケイ素のエツチング
に加えて、該方法は二酸化ケイ素下層上に形成されたド
ープしたまたはドープしないポリシリコンの両方の選択
的エツチングにＮ　Ｆ　３　／Ｓｉ　Ｆ　ａ　／　Ｏ□
／Ｃ，Ｈ，Ｆ、Ｘ、反応性ガスを用い；二酸化ケイ素下
層上のタングステンの選択的エツチングにＮＦ。
／５ｉＦａ１０ｚ／ＣｎＨ，ＦｘＸｚ反応性ガスを用い
；並びに下層二酸化ケイ素および（または）二酸化ケイ
素マスクに対する高い選択性で、ドープしたおよびドー
プしない両車結晶ケイ素の選択的エツチングにＮ　Ｆ　
３　／　Ｓｉ　Ｆ　４　／　Ｏ□を用いて容易に適応で
きる。そのような適用の１つは単結晶ケイ素のトレンチ
エツチングである。また、付着およびエッチバンクを用
いるポリシリコンまたはアルミニウム線上のプラズマ二
酸化ケイ素のプレーナ付着に方法を拡大することができ
よう。二酸化ケイ素のプレーナ付着はデバイスパッシベ
ーションに対して使用できる。ＡＭＥ８１００およびＡ
ＭＥ８３００反応性イオンエッチ系のバッチ現場多段階
法の能力は１メガビツトおよび大埋込みキャパシタ設計
の製造のために本発明に十分に適用できよう。他の適用
には多段階制御法を用いるプロフィル制御に対する有機
物質（例えばホトレジストおよびポリイミド）の等方性
除去が含まれる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本方法を実施するための適当なプラズマエツチ
ング系の略示であり、 第２図〜第５図は酸化物および窒化物のエッチ速度に対
する種々のガスの効果を示す傾向線を示し、第２図は窒
化物エッチ速度対Ｎ　Ｆ　ｚ流、第３図は酸化物エッチ
速度対ＮＦ３流、第４図は窒化物エッチ速度対０２流、
第５図は酸化物エッチ速度対０２流のグラフである。 １０・・・プラズマエツチングリアクター、１１・・・
反応室、１２・・・カソード、１３・・・ＲＦ電源、１
７・・・ガス源、２０・・・分配環。 ７１ｒ物工ツチ速度（人／分） ＝１ 手続補正書（方式） 特許庁長官　吉　１）文　毅　殿 １、事件の表示　　　昭和６３年特許願第６７９７７号
２、発明の名称　　　選択的薄膜エツチング法３、補正
をする者 事件との関係　　出願人 ４、代理人 住　所　東京都千代田区丸の内３丁目３番１号電話（代
）２１１−８７４１ 氏　名　（５９９５）弁理士　中　村　　　　稔　こ！
’、−＋１−・願書に最初に添付した明細書及び図面の
浄書（内容に変更なし）

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）酸化ケイ素下層上に窒化ケイ素層を含む物体の窒
    化ケイ素層であってその上に形成されたホトレジストマ
    スクを有する窒化物層を、酸化ケイ素下層に対する制御
    された選択性で選択的にエッチングする方法であって、
    物体をＳｉＦ＿４、酸素およびＮＦ＿３のガス流から形
    成されたプラズマにさらすことを含む方法。
  2. （２）反応物ガス流がさらにホトレジストに対する選択
    性を高めるためにフレオン含有ガスを含む、請求項（１
    ）記載の方法。
  3. （３）反応物ガス流がさらにアルゴンおよびヘリウムの
    ようなガスから選ばれる不活性ガスを含む、請求項（１
    ）記載の方法。
  4. （４）ホトレジスト、酸化ケイ素に対する高い選択性で
    窒化ケイ素を選択的にエッチングするガス混合物であっ
    て、ＳｉＦ＿４、酸素およびＮＦ＿３を含むガス混合物
    。
  5. （５）さらにホトレジストに対する選択性を高めるため
    にフレオン含有ガスを含む、請求項（４）記載のガス混
    合物。
  6. （６）下層酸化物層またはマスキング酸化物層に比して
    高い選択性で膜をエッチングする方法であって、膜をエ
    ッチングし、同時に下層またはマスク上に前記プラズマ
    の前記エッチング剤成分による下層またはマスクの固有
    のエッチングを相殺するために選ばれた速さで酸化ケイ
    素化合物を付着するケイ素含有およびフッ素含有エッチ
    ング剤形成ガスおよび酸素含有ガスから形成されたプラ
    ズマに膜をさらすことを含む方法。
  7. （７）薄膜が窒化ケイ素であり、反応物ガス流がＳｉＦ
    ＿４および酸素を含む、請求項（６）記載の方法。
  8. （８）窒化ケイ素層がその上に形成されたホトレジスト
    マスクを有し、反応物ガス流がさらにＮＦ＿３を含む、
    請求項（７）記載の方法。
  9. （９）反応物ガス流がさらにアルゴンおよびヘリウムか
    ら選ばれる不活性ガスを含む、請求項（７）または（８
    ）記載の方法。
  10. （１０）酸化ケイ素下層上に窒化ケイ素の層を含む物体
    の窒化ケイ素層成分を、窒化ケイ素上に形成されたホト
    レジストエッチマスクを用い、プラズマエッチング室中
    で酸化ケイ素下層に対する制御された選択性で選択的に
    エッチングする方法であって、 マスクした物体をエッチング室内に配置し、前記室中へ
    、ＮＦ＿３、ＳｉＦ＿４およびＯ＿２を含む反応性ガス
    混合物を連通し、反応性ガス混合物を付勢してホトレジ
    ストおよび酸化物下層に対する高選択性で窒化ケイ素を
    エッチングするプラズマを形成する、 ことを含む方法。
  11. （１１）さらにアルゴンおよびヘリウムから選ばれる不
    活性ガスを含む、請求項（１０）記載の方法。
  12. （１２）反応物ガス流がＮＦ＿３／ＳｉＦ＿４／Ｏ＿２
    ／Ｈｅを≦１００／≦１００／≦１００／≦１００の流
    量比で含む、請求項（１０）または（１１）記載の方法
    。
  13. （１３）反応物ガス流がＮＦ＿３／ＳｉＦ＿４／Ｏ＿２
    ／Ｈｅを≦／５０／１０〜１５／１０〜５０／２０〜５
    ０の流量比で含む、請求項（１０）または（１１）記載
    の方法。
  14. （１４）反応物ガス流がＮＦ＿３／ＳｉＦ＿４／Ｏ＿２
    ／Ｈｅを約１３／３０／１５／２０の流量比で含む、請
    求項（１０）または（１１）記載の方法。
  15. （１５）二酸化ケイ素の膜に対して高選択性でケイ素お
    よび窒化ケイ素から選ばれる膜を選択的にエッチングす
    るプラズマ法であって、膜をエッチングし、同時に酸化
    物層上にプラズマのエッチング剤成分による酸化物層の
    エッチングを相殺するために選ばれた速さで酸化ケイ素
    を付着する（ｉ）ＳｉＦ＿４；（ｉｉ）ＮＦ＿３、およ
    びＳＦ＿６から選ばれるフッ素化ガス；および（ｉｉｉ
    ）酸素、ＣＯおよびＣＯ＿２から選ばれる酸素化ガスを
    含むガス混合物から形成されたプラズマに膜をさらすこ
    とを含むプラズマ法。
  16. （１６）反応物ガス混合物がさらにアルゴンおよびヘリ
    ウムから選ばれるガスを含む、請求項（１５）記載のプ
    ラズマ法。
  17. （１７）反応物ガス混合物がさらにＮＦ＿４、ＳｉＦ＿
    ４、酸素およびヘリウムを含む、請求項（１６）記載の
    方法。
  18. （１８）反応物ガス混合物がさらにホトレジストに対す
    る選択性を高めるためにフレオン含有ガスを含む、請求
    項（１５）または（１７）記載のプラズマ法。
  19. （１９）二酸化ケイ素に対して高い選択性でケイ素また
    は窒化ケイ素をエッチングするガス混合物であって、（
    ｉ）ＳｉＦ＿４；（ｉｉ）ＮＦ＿３およびＳＦ＿６から
    選ばれるフッ素化ガス；および（ｉｉｉ）酸素、ＣＯお
    よびＣＯ＿２から選ばれる酸素化ガスを含むガス混合物
    。
  20. （２０）さらに（ｉｖ）アルゴンおよびヘリウムから選
    ばれるガスを含む、請求項（１９）記載のガス混合物。
  21. （２１）混合物がＮＦ＿３、ＳｉＦ＿４、酸素およびヘ
    リウムを含む、請求項（１９）記載のガス混合物。
  22. （２２）さらに（ｖ）ホトレジストに対する選択性を高
    めるためにフレオン含有ガスを含む、請求項（１９）ま
    たは（２０）記載のガス混合物。
  23. （２３）酸化ケイ素に対して高い選択性でタングステン
    含有膜およびポリシリコン膜から選ばれる膜を選択的に
    エッチングするプラズマであって、（１）ＳｉＦ＿４；
    （ｉｉ）ＮＦ＿３およびＳＦ＿６から選ばれるフッ素化
    ガス；（ｉｉｉ）酸素、ＣＯおよびＣＯ＿２から選ばれ
    る酸素化ガス；および（ｉｖ）フレオン含有ガスを含む
    ガス流から形成されるプラズマに膜をさらすことを含む
    プラズマ。
  24. （２４）酸化ケイ素に対して高い選択性でタングステン
    含有層およびポリシリコン含有層を選択的にエッチング
    するガス混合物であって、（ｉ）ＳｉＦ＿４；（ｉｉ）
    ＮＦ＿３およびＳＦ＿６から選ばれるフッ素化ガス；（
    ｉｉｉ）酸素、ＣＯおよびＣＯ＿２から選ばれる酸素化
    ガスニおよび（ｉｖ）フレオン含有ガスを含むガス混合
    物。
  25. （２５）ＮＦ＿３、ＳｉＦ＿４、酸素およびフレオン含
    有ガスを含む、請求項（２４）記載のガス混合物。
  26. （２６）窒化ケイ素の層および酸化ケイ素の層を含む物
    体の窒化ケイ素層成分をリアクター室内で選択的にエッ
    チングする方法であって、窒化ケイ素をエッチングし、
    同時に酸化ケイ素層の上に酸化ケイ素を付着させて酸化
    ケイ素層のエッチングを抑制するために酸素流量がＳｉ
    Ｆ＿４流量の少くとも１５％である酸素およびＳｉＦ＿
    ４のガス流から形成されるプラズマをリアクター内に発
    生させることを含む方法。
  27. （２７）Ｏ＿２／ＳｉＦ＿４流量比が約５０％である、
    請求項（２６）記載の方法。
  28. （２８）Ｏ＿２／ＳｉＦ＿４流量比が純酸化物付着を与
    えるために約１／１より大きい、請求項（２６）または
    （２７）記載の方法。
  29. （２９）ガスがさらに酸化物に対する窒化物のエッチン
    グ選択性を高めるためにＮＦ＿３を含む、請求項（２５
    ）または（２６）記載の方法。
  30. （３０）窒化物層がホトレジストでマスクされ、ガス流
    がさらにホトレジストおよび酸化物に関して窒化ケイ素
    のエッチング選択性を高めるためにＮＦ＿３を含む、請
    求項（２５）または（２６）記載の方法。
JP63067977A 1987-03-20 1988-03-22 選択的薄膜エッチング法及びそれに使用するガス混合物 Expired - Lifetime JPH0719774B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/028,242 US4793897A (en) 1987-03-20 1987-03-20 Selective thin film etch process
US28242 1987-03-20

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPS641236A JPS641236A (en) 1989-01-05
JPH011236A true JPH011236A (ja) 1989-01-05
JPH0719774B2 JPH0719774B2 (ja) 1995-03-06

Family

ID=21842348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63067977A Expired - Lifetime JPH0719774B2 (ja) 1987-03-20 1988-03-22 選択的薄膜エッチング法及びそれに使用するガス混合物

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4793897A (ja)
EP (1) EP0283306B1 (ja)
JP (1) JPH0719774B2 (ja)
AT (1) ATE158110T1 (ja)
DE (1) DE3856022T2 (ja)

Families Citing this family (239)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0383335A (ja) * 1989-08-28 1991-04-09 Hitachi Ltd エッチング方法
US6068784A (en) * 1989-10-03 2000-05-30 Applied Materials, Inc. Process used in an RF coupled plasma reactor
US5188704A (en) * 1989-10-20 1993-02-23 International Business Machines Corporation Selective silicon nitride plasma etching
KR910010516A (ko) * 1989-11-15 1991-06-29 아오이 죠이치 반도체 메모리장치
US5000771A (en) * 1989-12-29 1991-03-19 At&T Bell Laboratories Method for manufacturing an article comprising a refractory dielectric body
US4978420A (en) * 1990-01-03 1990-12-18 Hewlett-Packard Company Single chamber via etch through a dual-layer dielectric
US20020004309A1 (en) * 1990-07-31 2002-01-10 Kenneth S. Collins Processes used in an inductively coupled plasma reactor
US6444137B1 (en) 1990-07-31 2002-09-03 Applied Materials, Inc. Method for processing substrates using gaseous silicon scavenger
US6251792B1 (en) 1990-07-31 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Plasma etch processes
US5356515A (en) * 1990-10-19 1994-10-18 Tokyo Electron Limited Dry etching method
US5279705A (en) * 1990-11-28 1994-01-18 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Gaseous process for selectively removing silicon nitride film
US5474650A (en) * 1991-04-04 1995-12-12 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for dry etching
US5318667A (en) * 1991-04-04 1994-06-07 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for dry etching
JPH05267249A (ja) * 1992-03-18 1993-10-15 Hitachi Ltd ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
US6008133A (en) * 1991-04-04 1999-12-28 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for dry etching
US5888414A (en) * 1991-06-27 1999-03-30 Applied Materials, Inc. Plasma reactor and processes using RF inductive coupling and scavenger temperature control
US6488807B1 (en) 1991-06-27 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode
US6077384A (en) * 1994-08-11 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode
US6238588B1 (en) 1991-06-27 2001-05-29 Applied Materials, Inc. High pressure high non-reactive diluent gas content high plasma ion density plasma oxide etch process
US6171974B1 (en) * 1991-06-27 2001-01-09 Applied Materials, Inc. High selectivity oxide etch process for integrated circuit structures
US6024826A (en) * 1996-05-13 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material
US5477975A (en) * 1993-10-15 1995-12-26 Applied Materials Inc Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces
US6063233A (en) * 1991-06-27 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
US5772832A (en) * 1991-06-27 1998-06-30 Applied Materials, Inc Process for etching oxides in an electromagnetically coupled planar plasma apparatus
US6036877A (en) 1991-06-27 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material
US6090303A (en) * 1991-06-27 2000-07-18 Applied Materials, Inc. Process for etching oxides in an electromagnetically coupled planar plasma apparatus
US6514376B1 (en) 1991-06-27 2003-02-04 Applied Materials Inc. Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
US6074512A (en) * 1991-06-27 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners
US6165311A (en) 1991-06-27 2000-12-26 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna
US6518195B1 (en) 1991-06-27 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes
US5217567A (en) * 1992-02-27 1993-06-08 International Business Machines Corporation Selective etching process for boron nitride films
KR100281345B1 (ko) 1992-12-01 2001-03-02 조셉 제이. 스위니 전자기 결합성 플래너 플라즈마 장치에서의 산화물 에칭 공정
US5338395A (en) * 1993-03-10 1994-08-16 Micron Semiconductor, Inc. Method for enhancing etch uniformity useful in etching submicron nitride features
US5700580A (en) * 1993-07-09 1997-12-23 Micron Technology, Inc. Highly selective nitride spacer etch
US5387312A (en) * 1993-07-09 1995-02-07 Micron Semiconductor, Inc. High selective nitride etch
KR100366910B1 (ko) * 1994-04-05 2003-03-04 소니 가부시끼 가이샤 반도체장치의제조방법
US6039851A (en) * 1995-03-22 2000-03-21 Micron Technology, Inc. Reactive sputter faceting of silicon dioxide to enhance gap fill of spaces between metal lines
TW279240B (en) 1995-08-30 1996-06-21 Applied Materials Inc Parallel-plate icp source/rf bias electrode head
US5983828A (en) * 1995-10-13 1999-11-16 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate
US6253704B1 (en) 1995-10-13 2001-07-03 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate
US6794301B2 (en) 1995-10-13 2004-09-21 Mattson Technology, Inc. Pulsed plasma processing of semiconductor substrates
US6036878A (en) * 1996-02-02 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Low density high frequency process for a parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna
US6054013A (en) 1996-02-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density
US5854136A (en) * 1996-03-25 1998-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Three-step nitride etching process for better critical dimension and better vertical sidewall profile
US6440221B2 (en) 1996-05-13 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Process chamber having improved temperature control
TW409152B (en) 1996-06-13 2000-10-21 Samsung Electronic Etching gas composition for ferroelectric capacitor electrode film and method for etching a transition metal thin film
US5922622A (en) * 1996-09-03 1999-07-13 Vanguard International Semiconductor Corporation Pattern formation of silicon nitride
US5877090A (en) * 1997-06-03 1999-03-02 Applied Materials, Inc. Selective plasma etching of silicon nitride in presence of silicon or silicon oxides using mixture of NH3 or SF6 and HBR and N2
US6132551A (en) * 1997-09-20 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Inductive RF plasma reactor with overhead coil and conductive laminated RF window beneath the overhead coil
JPH11111686A (ja) * 1997-10-01 1999-04-23 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 低ガス圧プラズマエッチング方法
US6239011B1 (en) * 1998-06-03 2001-05-29 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of self-aligned contact hole etching by fluorine-containing discharges
WO1999067817A1 (en) 1998-06-22 1999-12-29 Applied Materials, Inc. Silicon trench etching using silicon-containing precursors to reduce or avoid mask erosion
US6069087A (en) * 1998-08-25 2000-05-30 Micron Technology, Inc. Highly selective dry etching process
KR100278996B1 (ko) * 1998-12-18 2001-02-01 김영환 반도체장치의 콘택 형성방법
US6589437B1 (en) 1999-03-05 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Active species control with time-modulated plasma
US20020003126A1 (en) * 1999-04-13 2002-01-10 Ajay Kumar Method of etching silicon nitride
KR100381961B1 (ko) 1999-04-26 2003-04-26 삼성전자주식회사 반도체 기판 상에 질화된 계면을 형성하는 방법
US6368974B1 (en) * 1999-08-02 2002-04-09 United Microelectronics Corp. Shrinking equal effect critical dimension of mask by in situ polymer deposition and etching
US6270634B1 (en) 1999-10-29 2001-08-07 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching at a high etch rate
US6401652B1 (en) 2000-05-04 2002-06-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor inductive coil antenna with flat surface facing the plasma
JP2004087738A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Tokyo Electron Ltd Ｓｉエッチング方法
JP2004273532A (ja) * 2003-03-05 2004-09-30 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング方法
KR100640958B1 (ko) * 2004-12-30 2006-11-02 동부일렉트로닉스 주식회사 보호막을 이용한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
US7442649B2 (en) * 2005-03-29 2008-10-28 Lam Research Corporation Etch with photoresist mask
US7323410B2 (en) * 2005-08-08 2008-01-29 International Business Machines Corporation Dry etchback of interconnect contacts
US20080124937A1 (en) * 2006-08-16 2008-05-29 Songlin Xu Selective etching method and apparatus
CN102024696B (zh) * 2009-09-11 2012-08-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 开口及其形成方法
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
JP5932599B2 (ja) * 2011-10-31 2016-06-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング方法
TWI497586B (zh) * 2011-10-31 2015-08-21 日立全球先端科技股份有限公司 Plasma etching method
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
CN103779203B (zh) * 2012-10-17 2016-11-02 株式会社日立高新技术 等离子蚀刻方法
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
JP6097192B2 (ja) * 2013-04-19 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9355862B2 (en) 2014-09-24 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Fluorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9911620B2 (en) * 2015-02-23 2018-03-06 Lam Research Corporation Method for achieving ultra-high selectivity while etching silicon nitride
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9576815B2 (en) * 2015-04-17 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Gas-phase silicon nitride selective etch
US10957561B2 (en) 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10192751B2 (en) * 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
CN108352316B (zh) * 2015-11-10 2023-03-24 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 蚀刻反应物及使用其的无等离子体的氧化物蚀刻方法
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10147588B2 (en) 2016-02-12 2018-12-04 Lam Research Corporation System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
JP7008918B2 (ja) * 2016-05-29 2022-01-25 東京エレクトロン株式会社 選択的窒化シリコンエッチングの方法
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
JP6725176B2 (ja) * 2016-10-31 2020-07-15 株式会社日立ハイテク プラズマエッチング方法
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
JP6796519B2 (ja) * 2017-03-10 2020-12-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US11469079B2 (en) * 2017-03-14 2022-10-11 Lam Research Corporation Ultrahigh selective nitride etch to form FinFET devices
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
JP7176860B6 (ja) 2017-05-17 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
KR102182298B1 (ko) 2017-11-21 2020-11-25 램 리써치 코포레이션 하단 링 및 중간 에지 링
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
KR20210111872A (ko) 2018-08-13 2021-09-13 램 리써치 코포레이션 에지 링 포지셔닝 및 센터링 피처들을 포함하는 플라즈마 시스 튜닝을 위한 교체가능한 에지 링 어셈블리 및/또는 접을 수 있는 에지 링 어셈블리
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
KR102419373B1 (ko) 2019-04-19 2022-07-12 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 방법
US12444579B2 (en) 2020-03-23 2025-10-14 Lam Research Corporation Mid-ring erosion compensation in substrate processing systems
KR20240056579A (ko) 2021-09-16 2024-04-30 피피지 인더스트리즈 오하이오 인코포레이티드 펄스형 적외선 방사선의 적용에 의한 코팅 조성물의 경화
KR20250061751A (ko) 2022-09-16 2025-05-08 피피지 인더스트리즈 오하이오 인코포레이티드 수분산성 폴리이소시아네이트를 포함하는 용매형 코팅 조성물
WO2025089073A1 (ja) * 2023-10-23 2025-05-01 東京エレクトロン株式会社 コンディショニング方法、およびプラズマ処理システム
WO2025096376A1 (en) 2023-11-02 2025-05-08 Ppg Industries Ohio, Inc. Milky white

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4303467A (en) * 1977-11-11 1981-12-01 Branson International Plasma Corporation Process and gas for treatment of semiconductor devices
US4264409A (en) * 1980-03-17 1981-04-28 International Business Machines Corporation Contamination-free selective reactive ion etching or polycrystalline silicon against silicon dioxide
US4422897A (en) * 1982-05-25 1983-12-27 Massachusetts Institute Of Technology Process for selectively etching silicon
US4431477A (en) * 1983-07-05 1984-02-14 Matheson Gas Products, Inc. Plasma etching with nitrous oxide and fluoro compound gas mixture
JPS6020516A (ja) * 1983-07-14 1985-02-01 Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki 窒化シリコン膜のドライエツチング方法
JPS6175529A (ja) * 1984-09-21 1986-04-17 Toshiba Corp ドライエツチング方法及び装置
US4668365A (en) * 1984-10-25 1987-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition
US4568410A (en) * 1984-12-20 1986-02-04 Motorola, Inc. Selective plasma etching of silicon nitride in the presence of silicon oxide
EP0565212A2 (en) * 1986-12-19 1993-10-13 Applied Materials, Inc. Iodine etch process for silicon and silicides

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH011236A (ja) 選択的薄膜エッチング法及びそれに使用するガス混合物
US4793897A (en) Selective thin film etch process
US11495461B2 (en) Film stack for lithography applications
US6939808B2 (en) Undoped and fluorinated amorphous carbon film as pattern mask for metal etch
US6759286B2 (en) Method of fabricating a gate structure of a field effect transistor using a hard mask
US6461974B1 (en) High temperature tungsten etching process
US6013582A (en) Method for etching silicon oxynitride and inorganic antireflection coatings
US6291356B1 (en) Method for etching silicon oxynitride and dielectric antireflection coatings
US4613400A (en) In-situ photoresist capping process for plasma etching
US6541164B1 (en) Method for etching an anti-reflective coating
CN101312126B (zh) 形成非晶碳膜的方法和使用该方法制造半导体装置的方法
US6911399B2 (en) Method of controlling critical dimension microloading of photoresist trimming process by selective sidewall polymer deposition
CN100524645C (zh) 含硅介电材料的蚀刻方法
US20090081879A1 (en) Method for manufacturing semiconductor device
US20070199922A1 (en) Etch methods to form anisotropic features for high aspect ratio applications
US5354421A (en) Dry etching method
US20050048789A1 (en) Method for plasma etching a dielectric layer
US6103632A (en) In situ Etching of inorganic dielectric anti-reflective coating from a substrate
US7361607B2 (en) Method for multi-layer resist plasma etch
US5217567A (en) Selective etching process for boron nitride films
KR20220119139A (ko) 반도체 애플리케이션들에 대해 재료 층을 에칭하기 위한 방법들
EP0820093A1 (en) Etching organic antireflective coating from a substrate
US6620575B2 (en) Construction of built-up structures on the surface of patterned masking used for polysilicon etch
US7067429B2 (en) Processing method of forming MRAM circuitry
US6651678B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device