JPH01124724A - 赤外線ディテクタ - Google Patents

赤外線ディテクタ

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Publication number
JPH01124724A
JPH01124724A JP62160938A JP16093887A JPH01124724A JP H01124724 A JPH01124724 A JP H01124724A JP 62160938 A JP62160938 A JP 62160938A JP 16093887 A JP16093887 A JP 16093887A JP H01124724 A JPH01124724 A JP H01124724A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type
alloy
thermoelectric element
cooling body
infrared detector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62160938A
Other languages
English (en)
Inventor
Takuji Okumura
卓司 奥村
Masao Yamashita
山下 昌夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
Priority to JP62160938A priority Critical patent/JPH01124724A/ja
Publication of JPH01124724A publication Critical patent/JPH01124724A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details
    • G01J5/06Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity
    • G01J5/061Arrangements for eliminating effects of disturbing radiation; Arrangements for compensating changes in sensitivity by controlling the temperature of the apparatus or parts thereof, e.g. using cooling means or thermostats
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00
    • H10N19/101Multiple thermocouples connected in a cascade arrangement

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、資源探査、医療用サーモグラフ、公害用ガス
検知器、夜間監視装置などに使用される赤外線ディテク
タに関するものである。
〔従来の技術〕
従来のこの種の赤外線ディテクタとして、Bi−Te合
金を有する熱電素子のペルチェ効果を利用した冷却体に
より赤外検出素子を冷却するようにしたものがあった。
また冷却体に液体ヘリウムや液体窒素を用いたものや、
コンプレッサ付ガスヘリウムポンプ、ガスボンベ付ジュ
ールトムソンポンプを具備したものがあった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前記熱電素子のペルチェ効果を利用したものでは冷却温
度が一105℃程度であって冷却温度不足になっていた
し、液体ヘリウム、液体窒素を用いたものやコンプレッ
サ付ガスヘリウムポンプ、ガスボンベ付ジュールトムソ
ンポンプを具備したものは大型で重量があり、連続運転
が不可能であった。
〔発明の目的〕
本発明は上記の事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところは、冷却温度が十分にあって感度が良
好であり且つ低騒音で連続運転が可能でありしかも軽量
でコンパクトな赤外線ディテクタを提供することにある
〔問題点を解決するための手段及び作用〕上記の目的を
達成するために本発明は、p型とn型のB 1−Te合
金を組合せた熱電素子とp型とn型のBi−3b合金を
組合せた熱電素子とを備えた冷却体を用いて赤外検出素
子を冷却するようにした。
〔実 施 例〕
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
本発明に係る赤外線ディテクタは、p型とn型のBi−
Te合金を組合わせた熱電素子1とp型とn型のBi−
3b合金を組合わせた熱電素子2を用いて一196℃ま
で冷却可能な冷却体3を構成しこの冷却体3を赤外検出
素子4の冷却に用いて成るものである。
p型とn型のBt−Te合金とn型のBi−5b合金は
ゾーンメルティング法あるいはブリッジマン法で作製す
る。
ブリッジマン法の場合を例にとる。B s s Te等
粉末を秤量し混合する。この試料をバイレックスなどの
容器5に入れ、内部をAr雰囲気にし封をする(第2図
(1)参照)。次に高温で熔融しその後冷却し結晶化さ
せる(第2図(2)、(3)参照)。
このようにして得られたBi−Te合金のインゴット6
を切り出しn型Bi−Te合金より成る脚部材7とn型
Bi−Te合金より成る脚部材8を作製する。
またn型Bi−Sb合金より成る脚部材15も上記の脚
部材7と同様にして作製する。
n型Bi−5b合金は本出願人が先に提唱した低温用熱
電材料およびその製造方法(特願昭81−35337号
)に開示した技術を用いる。
すなわち、n型Bi−3b合金は、溶融状態にあるBi
−5b系合金を非平衡相になり得る冷却速度で凝固させ
ることにより得られる。
具体的には、第6図に示すような装置において、溶湯溜
9にBi−Sb系合金10を装填し、高周波コイル11
で加熱し、Bi−3b系合金10を溶融状態とする。一
方、金属製のロール12(φ200mm、巾20關程度
)を500〜4000 r pmで回転させ、溶湯溜9
より溶湯をロール12に噴出させて冷却凝固させる。
なお、急冷ロール法を用いなくとも、平衡凝固より多量
のp型ドーパントを添加できる急速凝固の方法(例えば
急冷粉末)でn型Bi−Sb合金を作製することは可能
であろう。
また、上記急冷ロール法においては、製造条件をロール
回転数500〜4000rpm、ガス噴射圧0.5〜4
 kg / cdの範囲に設定しない・と、良質な急冷
膜が得られないので、好ましくは上記範囲に設定する。
このようにして制作したn型Bi−3b合金のインゴッ
トを切り出し脚部材13を作製する。
そして、n型Bi−Te合金より成る脚部材7とn型B
i−Te合金より成る脚部材8とを銅板14を用いて互
いに接続して熱電素子1を作製し、またn型Bi−Sb
合金より成る脚部材15とn型Bi−5b合金より成る
脚部材15とを銅板16を用いて互いに接続して熱電素
子2を作製する。
そして、前記熱電素子1を下位に熱電素子2を上位にお
いてそれぞれ複数段にセラミックス基板17を用いて多
段カスケードにし、上下の関係の熱雷索子1,2の銅板
14.16間をノ\ンダ等18で接続して冷却体3が構
成されている。そして、この冷却体3の頂部に赤外線検
出索子4が取付けである。
冷却体3における熱電素子1,2に電流を流すことによ
ってペルチェ効果を生じさせて一196℃までの冷却が
可能になる。
この冷却体3を用いて赤外検出素子4を冷却する。
〔発明の効果〕
以上詳述したように本発明に係る赤外線ディテクタは、
p型とn型のB i −T e合金を組合せた熱電素子
とp型とn型のBi−5b合金を組合せた熱電素子とを
備えた冷却体を用いて赤外検出素子を冷却するようにし
たことを特徴とするものである。
このように冷却体に、p型とn型のBi−Te合金を組
合せた熱雷素子とp型とn型のBi−5b合金を組合せ
た熱雷素子とを備えたから、この冷却体は一196℃ま
で冷却することができる。
したがって、冷却温度が十分にあって感度が良好であり
且つ低騒音で連続運転が可能でありしかも軽量でコンパ
クトな赤外線ディテクタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明一実施例の構成説明図、第2図(1)、
(2)、(3)、(4)は熱電素子の脚部材の作製工程
の説明図、第3図は熱電素子の配線説明図、第4図は熱
電素子カスケードの一部省略した斜視図、第5図は同平
面図、第6図は急冷ロール法におけるp型Bi−3b合
金の作製装置の構成説明図である。 1.2は熱電素子、3は冷却体、4は赤外検出素子。 出願人  株式会社 小 松 製 作 所代理人  弁
理士  米 原 正 章

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. p型とn型のBi−Te合金を組合せた熱電素子とp型
    とn型のBi−Sb合金を組合せた熱電素子とを備えた
    冷却体を用いて赤外検出素子を冷却するようにしたこと
    を特徴とする赤外線ディテクタ。
JP62160938A 1987-06-30 1987-06-30 赤外線ディテクタ Pending JPH01124724A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62160938A JPH01124724A (ja) 1987-06-30 1987-06-30 赤外線ディテクタ

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JP62160938A JPH01124724A (ja) 1987-06-30 1987-06-30 赤外線ディテクタ

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JPH01124724A true JPH01124724A (ja) 1989-05-17

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ID=15725475

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62160938A Pending JPH01124724A (ja) 1987-06-30 1987-06-30 赤外線ディテクタ

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JP (1) JPH01124724A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5430322A (en) * 1992-09-08 1995-07-04 Agency Of Industrial Science And Technology Thermoelectric element sheet in which thermoelectric semiconductors are mounted between films
US7205675B2 (en) * 2003-01-29 2007-04-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-fabricated device with thermoelectric device and method of making

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5430322A (en) * 1992-09-08 1995-07-04 Agency Of Industrial Science And Technology Thermoelectric element sheet in which thermoelectric semiconductors are mounted between films
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