JPH01124757A - 膜評価方法 - Google Patents
膜評価方法Info
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- JPH01124757A JPH01124757A JP28221887A JP28221887A JPH01124757A JP H01124757 A JPH01124757 A JP H01124757A JP 28221887 A JP28221887 A JP 28221887A JP 28221887 A JP28221887 A JP 28221887A JP H01124757 A JPH01124757 A JP H01124757A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は膜の評価方法に関し、特にイオン感応部上に形
成された膜の評価をウェハ状態で行うことのできる膜評
価方法に関するものである。
成された膜の評価をウェハ状態で行うことのできる膜評
価方法に関するものである。
［従来の技術］
イオンセン１ノのイオン感応部に膜（無機膜、有機膜あ
るいは酵素膜等のいわゆる機能性膜）を形成し、このイ
オンセンサを用いて膜の特性評価を行う場合、従来はイ
オンセンサをチップごとに切断し、リード線等をつけて
測定可能な形に成形した後、１個ずつ膜の特性評価を行
ったり、あるいはウェハ上のイオンセンサの膜部のみに
水滴を落とし、プローバーを用いて膜の特性評価を行っ
ていた。
るいは酵素膜等のいわゆる機能性膜）を形成し、このイ
オンセンサを用いて膜の特性評価を行う場合、従来はイ
オンセンサをチップごとに切断し、リード線等をつけて
測定可能な形に成形した後、１個ずつ膜の特性評価を行
ったり、あるいはウェハ上のイオンセンサの膜部のみに
水滴を落とし、プローバーを用いて膜の特性評価を行っ
ていた。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、以上述べた方法では、膜の特性評価に多
大な時間を要し、また切断してしまったイオンセンサを
再刊用することができなかった。
大な時間を要し、また切断してしまったイオンセンサを
再刊用することができなかった。
即ら、−度測定した膜をイオン感応部から剥離し、別の
種類あるいは組成の膜を形成し、この膜の評価を行うこ
とができなかった。
種類あるいは組成の膜を形成し、この膜の評価を行うこ
とができなかった。
本発明の目的は、このような従来の欠点を克服せしめて
迅速に膜評価を行うことができ、かつ測定に供したイオ
ンセン１ノを再利用することのできる新規な膜評価方法
を提供することにある。
迅速に膜評価を行うことができ、かつ測定に供したイオ
ンセン１ノを再利用することのできる新規な膜評価方法
を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、少なくとも１個のイオンセン９として作動す
る素子を膜評価用ウェハ上に形成すると共に、該素子の
外部との電気的接続部を該ウェハの一端に位置せしめ、
ウェハ状態で該素子のイオン感応部に形成された膜の評
価を行うことを特徴とする膜評価方法である。
る素子を膜評価用ウェハ上に形成すると共に、該素子の
外部との電気的接続部を該ウェハの一端に位置せしめ、
ウェハ状態で該素子のイオン感応部に形成された膜の評
価を行うことを特徴とする膜評価方法である。
［作用］
本発明においては、素子の外部との電気的接続部がウェ
ハの一端に位置しているので、この一端のみを液体から
出した状態で素子の特性評価を行うことができる。即ち
、素子を切断することなく、ウェハ状態での評価が可能
になる。従って、膜の形成、剥離を繰返すことによって
、１つのウェハで何回もの膜の評価が可能である。
ハの一端に位置しているので、この一端のみを液体から
出した状態で素子の特性評価を行うことができる。即ち
、素子を切断することなく、ウェハ状態での評価が可能
になる。従って、膜の形成、剥離を繰返すことによって
、１つのウェハで何回もの膜の評価が可能である。
［実施例］
次に第１図および第２図を参照して本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第１図は本発明の一実施例に用いられる膜評価用ウェハ
の概略平面図で、υファイア基板２１上に島状に形成さ
れたシリコンによって１４個のイオン感受性電界効果型
トランジスタ（ＩＳＦＥＴ＞２２が形成されている。こ
のｌ５ＦＥＴのイオン感応部には酵素膜（グルコースオ
キシダーゼ膜＞２５ｈ＜形成され、ウェハの一端には各
ｌ５ＦＥＴ２２のソース２３・ドレイン２４電極が集め
られている。従って、このソース２３・ドレイン２４電
極部だけを液体から出しておきさえすれば、ｌ５ＦＥＴ
２２によって、酵素ｌ！２５の特性評価が可能になり、
各チップ毎に切断する必要がない。
の概略平面図で、υファイア基板２１上に島状に形成さ
れたシリコンによって１４個のイオン感受性電界効果型
トランジスタ（ＩＳＦＥＴ＞２２が形成されている。こ
のｌ５ＦＥＴのイオン感応部には酵素膜（グルコースオ
キシダーゼ膜＞２５ｈ＜形成され、ウェハの一端には各
ｌ５ＦＥＴ２２のソース２３・ドレイン２４電極が集め
られている。従って、このソース２３・ドレイン２４電
極部だけを液体から出しておきさえすれば、ｌ５ＦＥＴ
２２によって、酵素ｌ！２５の特性評価が可能になり、
各チップ毎に切断する必要がない。
次に、第１図のように調製したウェハを第２図に示すよ
うにして測定した。評価用ウェハ３１は直接コネクタ３
２により、イオンセンνのアンプ３３に接続されている
。ビーカー３４に緩衝液３５を満たし、参照電極３６、
攪拌子３７、マグネヂツクスターラ−３８を用い、この
緩衝液３５中にグルコース溶液３９を添加して、酵素膜
（グルコースオキシダーゼ膜）２５の評価を行った。
うにして測定した。評価用ウェハ３１は直接コネクタ３
２により、イオンセンνのアンプ３３に接続されている
。ビーカー３４に緩衝液３５を満たし、参照電極３６、
攪拌子３７、マグネヂツクスターラ−３８を用い、この
緩衝液３５中にグルコース溶液３９を添加して、酵素膜
（グルコースオキシダーゼ膜）２５の評価を行った。
測定に供した酵素膜２５は硝酸中で煮沸、剥離した後、
また新たに酵素膜を形成し、その評価を行うことができ
た。
また新たに酵素膜を形成し、その評価を行うことができ
た。
以上のようにして膜の評価を容易に行うことができ、ま
た、測定後の膜は剥離して別の膜を形成することによっ
て再度、膜評価を行うことができた。
た、測定後の膜は剥離して別の膜を形成することによっ
て再度、膜評価を行うことができた。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば膜評価用ウェハを
用いることにより、イオンセンサ°を切断することなく
、ウェハ状態で迅速に膜の評価を行うことができる。ま
た、膜の形成・剥離を繰返すことによって、何回もの膜
評価が可能になる。
用いることにより、イオンセンサ°を切断することなく
、ウェハ状態で迅速に膜の評価を行うことができる。ま
た、膜の形成・剥離を繰返すことによって、何回もの膜
評価が可能になる。
第１図は本発明の一実施例に用いられる膜評価用ウェハ
の概略平面図、第２図は測定方法を示す説明図である。 ２１・・・サファイア基板 ２２・・・ｌ５ＦＥＴ２
３・・・ソース ２４・・・ドレイン２５・
・・酵素膜 ３１・・・評価用ウェハ３２・
・・コネクタ ３３・・・アンプ３４・・・ビ
ーカー ３５・・・緩衝液３６・・・参照電極
３７・・・攪拌子３８・・・マグネチツクス
ターラー ３９・・・グルコース溶液
の概略平面図、第２図は測定方法を示す説明図である。 ２１・・・サファイア基板 ２２・・・ｌ５ＦＥＴ２
３・・・ソース ２４・・・ドレイン２５・
・・酵素膜 ３１・・・評価用ウェハ３２・
・・コネクタ ３３・・・アンプ３４・・・ビ
ーカー ３５・・・緩衝液３６・・・参照電極
３７・・・攪拌子３８・・・マグネチツクス
ターラー ３９・・・グルコース溶液
Claims (3)
- （１）少なくとも１個のイオンセンサとして作動する素
子を膜評価用ウェハ上に形成すると共に、該素子の外部
との電気的接続部を該ウェハの一端に位置せしめ、ウェ
ハ状態で該素子のイオン感応部に形成させた膜の評価を
行うことを特徴とする膜評価方法。 - （２）素子がイオン感受性電界効果型トランジスタであ
る特許請求の範囲第１項記載の膜評価方法。 - （３）膜が酵素膜である特許請求の範囲第１項または第
２項記載の膜評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28221887A JPH01124757A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 膜評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28221887A JPH01124757A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 膜評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01124757A true JPH01124757A (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=17649596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28221887A Pending JPH01124757A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 膜評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01124757A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658810A (en) * | 1994-04-04 | 1997-08-19 | Motorola | Method of making a sensor for determining a ratio of materials in a mixture |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62282217A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Tokyo Keiki Co Ltd | 路面凹凸計測装置 |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP28221887A patent/JPH01124757A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62282217A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Tokyo Keiki Co Ltd | 路面凹凸計測装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658810A (en) * | 1994-04-04 | 1997-08-19 | Motorola | Method of making a sensor for determining a ratio of materials in a mixture |
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