JPH01124948A - 集束イオンビーム注入装置 - Google Patents
集束イオンビーム注入装置Info
- Publication number
- JPH01124948A JPH01124948A JP62284823A JP28482387A JPH01124948A JP H01124948 A JPH01124948 A JP H01124948A JP 62284823 A JP62284823 A JP 62284823A JP 28482387 A JP28482387 A JP 28482387A JP H01124948 A JPH01124948 A JP H01124948A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- signal
- focused ion
- lens
- deflection
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、集束イオンビーム注入装置に関し、更に詳し
くは、ビーム照射点における焦点の動的補正を可能とし
た集束イオンビーム注入装置に関する。
くは、ビーム照射点における焦点の動的補正を可能とし
た集束イオンビーム注入装置に関する。
（従来の技術）
液体金属イオン源を用いた集束イオンビーム装置は、そ
のイオン源から、Ｇａ、Ｊｎを始めＳ；。
のイオン源から、Ｇａ、Ｊｎを始めＳ；。
Ｂｅ、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、２口等の金属イオンを得ることが
できる。それらの金属イオンは、Ｓｉ或いは■−ｖ族半
導体基板（、サブストレイトという）に対して、Ｐ型、
Ｎ型の不純物となる。そこで、イオン源から出射された
これらのイオンをサブストレート（以下単に材料という
）に注入することができればマスクレスのイオン注入が
可能となる。
できる。それらの金属イオンは、Ｓｉ或いは■−ｖ族半
導体基板（、サブストレイトという）に対して、Ｐ型、
Ｎ型の不純物となる。そこで、イオン源から出射された
これらのイオンをサブストレート（以下単に材料という
）に注入することができればマスクレスのイオン注入が
可能となる。
このような集束イオンビーム（ＦＩＢ）技術を用いたイ
オン注入装置を集束イオンビーム注入装置という。
オン注入装置を集束イオンビーム注入装置という。
この種の不純物となるイオンを加速して単結晶Ｓｉウェ
ハ等に打込上場合、ビームをウェハ而に垂直（＜１１０
＞方向能）に照射すると、イオンは原子と衝突せずに奥
深く打込まれる。第６図はイオン注入の様子を示す図で
ある。ウェハ１内には原子２が図に示すように規則正し
く並んでいる。
ハ等に打込上場合、ビームをウェハ而に垂直（＜１１０
＞方向能）に照射すると、イオンは原子と衝突せずに奥
深く打込まれる。第６図はイオン注入の様子を示す図で
ある。ウェハ１内には原子２が図に示すように規則正し
く並んでいる。
この状態でイオンビームＢ１をウェハ１面に垂直に照射
すると図に示すようにイオンは原子と衝突しないで奥深
く打込まれる。このような現象はチャネル効果と呼ばれ
る。
すると図に示すようにイオンは原子と衝突しないで奥深
く打込まれる。このような現象はチャネル効果と呼ばれ
る。
特に深いイオン打込みを意識的に行う場合を除き、この
チャネル効果を防止するためにイオンビームを図に示す
ようにウェハ１面に対して斜めに傾けたビームＢ２とな
してウェハ１而に照射する。
チャネル効果を防止するためにイオンビームを図に示す
ようにウェハ１面に対して斜めに傾けたビームＢ２とな
してウェハ１而に照射する。
ここで、０はイオンビームＢ２が光軸Ｋに対して垂直な
面となす傾き角である。傾き角θとしては７°程度が用
いられる。このようなイオンビームの斜め照射を行うと
イオンは図に示すようにウェハ１の表面近くの原子２と
衝突して表面近くにとどまる。
面となす傾き角である。傾き角θとしては７°程度が用
いられる。このようなイオンビームの斜め照射を行うと
イオンは図に示すようにウェハ１の表面近くの原子２と
衝突して表面近くにとどまる。
第７図はこのようなイオンビームの斜め照射機構をもつ
集束イオンビーム装置の構成概念図である。イオン源（
図示せず）から出射したイオンビーム［３ｉは走査用（
スキャン用）偏向器１１でＸ。
集束イオンビーム装置の構成概念図である。イオン源（
図示せず）から出射したイオンビーム［３ｉは走査用（
スキャン用）偏向器１１でＸ。
Ｖ各方向に２次元の偏向を受けて対物レンズ１２に入る
。対物レンズ１２は電子レンズで構成されており、通過
するイオンビームＢ１を収束する。
。対物レンズ１２は電子レンズで構成されており、通過
するイオンビームＢ１を収束する。
対物レンズ１２を通過したイオンビームＢｉは、上下２
段の斜め照射用偏向器１３．１４により斜め照射用の偏
向を受け、ウェハ１に斜め照射を行う。この場合におい
て、斜め照射用偏向器を１３゜１４と２段構成にしてい
るのは、偏向による色収差を補正するためである。
段の斜め照射用偏向器１３．１４により斜め照射用の偏
向を受け、ウェハ１に斜め照射を行う。この場合におい
て、斜め照射用偏向器を１３゜１４と２段構成にしてい
るのは、偏向による色収差を補正するためである。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、このような斜め照射機構をもつ集束イオンビ
ーム注入装置では、光軸に対して７°傾けたイオンビー
ムＢｉをウェハ１に照射する。従って、その照射部では
第８図に示すように走査用偏向器１１のもつ平面（Ｘ−
Ｙ而）と、ウェハ１のもつ平面（ｘ−ｙ面）が異なる。
ーム注入装置では、光軸に対して７°傾けたイオンビー
ムＢｉをウェハ１に照射する。従って、その照射部では
第８図に示すように走査用偏向器１１のもつ平面（Ｘ−
Ｙ而）と、ウェハ１のもつ平面（ｘ−ｙ面）が異なる。
従って、傾き角θによってビームが照射される点の高さ
が異なってくるため、イオンビームの焦点がずれてしま
う。今、図に示すように偏向幅が１ｍｍ四方であるもの
とすると、その両端ではＸ−Ｙ面と実際に描画されるｘ
−ｙ面との高さの差Δｈ−６１μｍとなる。これにより
、イオンビーム３ｉは約０．１２μｍ程度焦点がぼけて
しまう（但°シ、ビーム開き角＝ ｌ ｌ１ｒａｄの時
）。
が異なってくるため、イオンビームの焦点がずれてしま
う。今、図に示すように偏向幅が１ｍｍ四方であるもの
とすると、その両端ではＸ−Ｙ面と実際に描画されるｘ
−ｙ面との高さの差Δｈ−６１μｍとなる。これにより
、イオンビーム３ｉは約０．１２μｍ程度焦点がぼけて
しまう（但°シ、ビーム開き角＝ ｌ ｌ１ｒａｄの時
）。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであって、
その目的は、走査用偏向器のもつ描画面と材料のもつ描
画面との差に基づく高さの差を補正して材料面に常に焦
点の合ったビーム描画を行うことができる集束イオンビ
ーム注入装置を実現することにある。
その目的は、走査用偏向器のもつ描画面と材料のもつ描
画面との差に基づく高さの差を補正して材料面に常に焦
点の合ったビーム描画を行うことができる集束イオンビ
ーム注入装置を実現することにある。
（問題点を解決するための手段）
前記した問題点を解決する本発明は、斜め照射機構をも
つ集束イオンビーム注入装置において、図形走査用の偏
向信号（Ｖｘ 、 ｖｙ ）を受けてＫｘ ＋ ｙ な
るダイナミック焦点補正信号（但し、Ｋは補正係＠）を
得る演算回路を設けたことを特徴とするものである。
つ集束イオンビーム注入装置において、図形走査用の偏
向信号（Ｖｘ 、 ｖｙ ）を受けてＫｘ ＋ ｙ な
るダイナミック焦点補正信号（但し、Ｋは補正係＠）を
得る演算回路を設けたことを特徴とするものである。
（作用）
図形走査用の偏向信号（Ｖｘ 、 Ｖｙ ）からダイナ
ミック焦点補正信号を得るためのハードの演算回路を設
ける。これにより、ビーム照射点における焦点の動的補
正を高速で行うことが可能となる。
ミック焦点補正信号を得るためのハードの演算回路を設
ける。これにより、ビーム照射点における焦点の動的補
正を高速で行うことが可能となる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例について詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。
図において、２１は対・物レンズ（主レンズ）、２２ａ
、２２ｂは２次元方向にイオンビームを走査する走査用
偏向器、２３ａ 、２３ｂはそれぞれ走査用偏向器２２
ａ、２２ｂを駆動する偏向アンプ、２４は対物レンズ２
１の上部に配されビーム焦点補正用のサブレンズ、２５
は該サブレンズ２４を駆動するアンプである。
、２２ｂは２次元方向にイオンビームを走査する走査用
偏向器、２３ａ 、２３ｂはそれぞれ走査用偏向器２２
ａ、２２ｂを駆動する偏向アンプ、２４は対物レンズ２
１の上部に配されビーム焦点補正用のサブレンズ、２５
は該サブレンズ２４を駆動するアンプである。
２６ａ、２６ｂは斜め照射用偏向器、２７ａ。
２７ｂはそれぞれ斜め照射用偏向器２６ａ、２６ｂを駆
動するアンプ、２８はイオンビームＢｉが斜め照射され
る材料である。２９はパターンデータ及び斜め照射用信
号を出力するＣＰＵ、３０はパターンデータ及び斜め照
射用信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換器である
。３１は該Ｄ／Ａ変換器３０の出力を受けて偏向アンプ
２３ａ。
動するアンプ、２８はイオンビームＢｉが斜め照射され
る材料である。２９はパターンデータ及び斜め照射用信
号を出力するＣＰＵ、３０はパターンデータ及び斜め照
射用信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換器である
。３１は該Ｄ／Ａ変換器３０の出力を受けて偏向アンプ
２３ａ。
２３ｂにパターンデータに基づく走査用信号を、演算回
路２２に偏向アンプ入力信号と斜め照射用信号を与える
分配器である。
路２２に偏向アンプ入力信号と斜め照射用信号を与える
分配器である。
演算回路３２はハード回路で構成されており、偏向アン
プ入力信号と斜め照射用信号を受けてイオンビームＢｉ
の焦点補正のためのダイナミック焦点補正信号を出力し
、アンプ２５に印加される。
プ入力信号と斜め照射用信号を受けてイオンビームＢｉ
の焦点補正のためのダイナミック焦点補正信号を出力し
、アンプ２５に印加される。
３３は斜め照射用信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａ
変換器、３４は該Ｄ／Ａ変換器３３の出力を受けてアン
プ２７ａ、２７ｂにそれぞれ斜め照射用信号を与える分
配器である。このように構成された装置の動作を説明す
れば、以下の通りである。
変換器、３４は該Ｄ／Ａ変換器３３の出力を受けてアン
プ２７ａ、２７ｂにそれぞれ斜め照射用信号を与える分
配器である。このように構成された装置の動作を説明す
れば、以下の通りである。
ＣＰＬＪ２９から出力された描画パターンデータは、Ｄ
／Ａ変換器３０によりアナログ信号に変換される。この
アナログ描画信号は分配器３１を介して偏向アンプ２３
ａ 、２３ｂに入る。これら偏向アンプ２３ａ 、２３
ｂは、入力信号に応じて走査用偏向器２２ａ、２２ｂを
駆動し、これによりイオンビームＢｉは２次元方向に偏
向を受ける。
／Ａ変換器３０によりアナログ信号に変換される。この
アナログ描画信号は分配器３１を介して偏向アンプ２３
ａ 、２３ｂに入る。これら偏向アンプ２３ａ 、２３
ｂは、入力信号に応じて走査用偏向器２２ａ、２２ｂを
駆動し、これによりイオンビームＢｉは２次元方向に偏
向を受ける。
この偏向を受けたイオンビーム３ｉは対物レンズ２１に
入って収束される。
入って収束される。
一方、ＣＰＵ２９からは光軸に対してビームを所定角傾
けて照射するための斜め照射用信号も併せて出力され、
Ｄ／Ａ変換器３０．３３に入っている。この内、Ｄ／Ａ
変換器３３に入った分はアナログ信号に変換された後、
分配器３４に入る。
けて照射するための斜め照射用信号も併せて出力され、
Ｄ／Ａ変換器３０．３３に入っている。この内、Ｄ／Ａ
変換器３３に入った分はアナログ信号に変換された後、
分配器３４に入る。
分配器３４からは、それぞれ２段偏向用のアンプ２７ａ
、２７ｂに斜め照射用信号が印加され、アンプ２７ａ、
２７ｂは入力信号に応じて対応する斜め照射用偏向器２
６ａ 、２６ｂを駆動する。これにより、対物レンズ２
１により収束されたイオンビームＢｉは光軸に対して角
θ（例えば７°）だけ傾いて、材料２８を照射する。従
って、材料２８に対するイオン注入がチャネル効果を排
した状態で行われる。
、２７ｂに斜め照射用信号が印加され、アンプ２７ａ、
２７ｂは入力信号に応じて対応する斜め照射用偏向器２
６ａ 、２６ｂを駆動する。これにより、対物レンズ２
１により収束されたイオンビームＢｉは光軸に対して角
θ（例えば７°）だけ傾いて、材料２８を照射する。従
って、材料２８に対するイオン注入がチャネル効果を排
した状態で行われる。
このような斜め照射を行うと走査用偏向器２２８．２２
ｂのＸ−Ｙ面と、実際の材料のｘ−ｙ面とが相異して、
焦点ぼけが生じることは第８図について説明した。本発
明では、この照射位置における２つの平面の高さの差Δ
ｈに基づく動的焦点補正をサブレンズ２４によって行っ
ている。
ｂのＸ−Ｙ面と、実際の材料のｘ−ｙ面とが相異して、
焦点ぼけが生じることは第８図について説明した。本発
明では、この照射位置における２つの平面の高さの差Δ
ｈに基づく動的焦点補正をサブレンズ２４によって行っ
ている。
第２図は、サブレンズ２４の特性を示す図である。ここ
で、用いるサブレンズは第３図に示すような電極構造を
もっているものとする。第３図において、斜線で示した
部分は電極である。第２図において、横軸はレンズ電圧
（ＫＶ） 、縦軸は焦点距離ΔＺ（＋Ｕ＋）である。レ
ンズ電圧０〜１０Ｋｖ間を単純に直線（図中のＸ中間を
直線で結んだもの）で近似すると、このサブレンズの感
度は２μａ＋／Ｖとなる。つまり、１■のレンズ電圧で
焦点位置が２μ−変化することになる。従って、７°傾
けた場合のΔ２の最大値は第８図の場合的６０μｍであ
るから、焦点補正に必要なレンズ電圧は約３０Ｖとなる
。尚、第２図の特性は略直線状となっているので、直線
近似しても誤差は殆ど無視できる。
で、用いるサブレンズは第３図に示すような電極構造を
もっているものとする。第３図において、斜線で示した
部分は電極である。第２図において、横軸はレンズ電圧
（ＫＶ） 、縦軸は焦点距離ΔＺ（＋Ｕ＋）である。レ
ンズ電圧０〜１０Ｋｖ間を単純に直線（図中のＸ中間を
直線で結んだもの）で近似すると、このサブレンズの感
度は２μａ＋／Ｖとなる。つまり、１■のレンズ電圧で
焦点位置が２μ−変化することになる。従って、７°傾
けた場合のΔ２の最大値は第８図の場合的６０μｍであ
るから、焦点補正に必要なレンズ電圧は約３０Ｖとなる
。尚、第２図の特性は略直線状となっているので、直線
近似しても誤差は殆ど無視できる。
そこで、第１図に示す実施例においては、演算回路３２
が分配器３１から図形走査用の偏向信号と斜め照射用信
号を受けて、焦点を補正するためのダイナミック焦点補
正信号を演算により求め、アンプ２５に出力する。アン
プ２５は入力信号に応じてサブレンズ２４を駆動し、こ
れにより走査用偏向器２２ａ、２２ｂのＸ−Ｙ面と材料
２８のｘ−ｙ面との相異に基づく高さの差Δｈに対する
動的焦点補正を行う。この結果、斜め照射の場合でも材
料２８上に焦点の合ったイオンビームＢｉを照射するこ
とができる。
が分配器３１から図形走査用の偏向信号と斜め照射用信
号を受けて、焦点を補正するためのダイナミック焦点補
正信号を演算により求め、アンプ２５に出力する。アン
プ２５は入力信号に応じてサブレンズ２４を駆動し、こ
れにより走査用偏向器２２ａ、２２ｂのＸ−Ｙ面と材料
２８のｘ−ｙ面との相異に基づく高さの差Δｈに対する
動的焦点補正を行う。この結果、斜め照射の場合でも材
料２８上に焦点の合ったイオンビームＢｉを照射するこ
とができる。
演算回路３２に入力される図形走査用信号は、Ｘ方向の
信号ｖ×とｙ方向の信号Ｖｙよりなり、理論的には
× ＋ ｙ の値がビーム偏向された距離に比例する値
となる。又、ビームを７゜傾けた場合のフィールド内偏
向（１１ＩＩ１１四方）距離ΔＸと、２つの面の高さの
差Δｈの関係は第４図に示すようなものとなる（第８図
参照）。この図からビームの偏向による高さの差Δｈも
直線近似が可能となる。
信号ｖ×とｙ方向の信号Ｖｙよりなり、理論的には
× ＋ ｙ の値がビーム偏向された距離に比例する値
となる。又、ビームを７゜傾けた場合のフィールド内偏
向（１１ＩＩ１１四方）距離ΔＸと、２つの面の高さの
差Δｈの関係は第４図に示すようなものとなる（第８図
参照）。この図からビームの偏向による高さの差Δｈも
直線近似が可能となる。
ここで、ｘ、ｙ各方向の偏向信号ＶＸ 、ｖｙに基づく
偏向距離ｄは次式で表わされる。
偏向距離ｄは次式で表わされる。
ｄ ＝Ｋｔ Ｃｖ７７”箇Ｔ「７ −（１）
Ｋ１ ＋係数 一方、ダイナミック焦点補正に基づく焦点補正量ΔＺは
、アンプ２５の出力をＶｊとして次式で表わされる。
Ｋ１ ＋係数 一方、ダイナミック焦点補正に基づく焦点補正量ΔＺは
、アンプ２５の出力をＶｊとして次式で表わされる。
ΔＺ −Ｋ ２ ・■オ ・・・
（２）Ｋ２１係数 一方、偏向距離ｄに基づく高さの差Δｈは次式で表わさ
れる。
（２）Ｋ２１係数 一方、偏向距離ｄに基づく高さの差Δｈは次式で表わさ
れる。
Δｈ＝Ｋｘ ・ｄ ・・・（３）
Ｋ３；係数 ビームの焦点が合うための条件はΔ２＝Δｈであるので
、（１）〜（３）式より次式が成立する。
Ｋ３；係数 ビームの焦点が合うための条件はΔ２＝Δｈであるので
、（１）〜（３）式より次式が成立する。
Ｋ２・ｖ１＝に１・Ｋ３ｒ■ｒτ＋Ｖｙ’・・・（４）
これから、アンプ２５の出力■オを求めると、以下のよ
うになる。
うになる。
ＶＪ−（Ｋｌ ・Ｋｘ／Ｋｚ） ｘ ＋
ｙＴ＝Ｋ ｘ ＋ｖｙＴ −ｒ
ｓ＞Ｋ；補正係数（＝Ｋｔ ・Ｋｌ ／に２ ）以上よ
り、演算回路３２に（５）式をハード的に演算させるこ
とにより、偏向距離ｄに応じた動的焦点補正が可能とな
る。本発明によれば、動的焦点補正Ｉをハード的に求め
ているので、ソフトウェアを用いた動的補正に比べてコ
ストが低く、且つ高速の自動焦点補正が可能となる。更
に、本発明によれば、傾き角θ（最大７°）に応じて演
算の係数をハード的に自動で変えてやることにより、す
べての傾き角θに対応することができる。
ｙＴ＝Ｋ ｘ ＋ｖｙＴ −ｒ
ｓ＞Ｋ；補正係数（＝Ｋｔ ・Ｋｌ ／に２ ）以上よ
り、演算回路３２に（５）式をハード的に演算させるこ
とにより、偏向距離ｄに応じた動的焦点補正が可能とな
る。本発明によれば、動的焦点補正Ｉをハード的に求め
ているので、ソフトウェアを用いた動的補正に比べてコ
ストが低く、且つ高速の自動焦点補正が可能となる。更
に、本発明によれば、傾き角θ（最大７°）に応じて演
算の係数をハード的に自動で変えてやることにより、す
べての傾き角θに対応することができる。
上述の実施例では、対物レンズ２１の外部に設けられた
サブレンズ２４に補正信号を送ってダイナミック焦点補
正を行う場合について説明した。
サブレンズ２４に補正信号を送ってダイナミック焦点補
正を行う場合について説明した。
しかしながら、本発明はこれに限るものではない。
例えば、第５図に示すように、１個の対物レンズ２１（
第１図参照）を用いて、その中心電極の印加電圧をコン
トロールするようにしてもよい。図に示すように、レン
ズ高圧電源４０内の最大５０ＫＶを発生する電圧電源４
１の高圧側に、浮いた高速アンプ（例えば最大出力５０
Ｖ）４２を直列に接続する。そして、演算回路３２（第
１図参照）の出力を光信号に変換して、光ファイバ４３
で高速アンプ４２に伝える。高速アンプ４２は演算回路
３２の制御出力によりその出力を変化させて対物レンズ
２１の中心電極２１ｂに与える。この結果、対物レンズ
２１の収束量を変化させて、材料への焦点位置を動的に
変化させる。これにより、イオンビームの材料上への自
動焦点調節が可能となる。
第１図参照）を用いて、その中心電極の印加電圧をコン
トロールするようにしてもよい。図に示すように、レン
ズ高圧電源４０内の最大５０ＫＶを発生する電圧電源４
１の高圧側に、浮いた高速アンプ（例えば最大出力５０
Ｖ）４２を直列に接続する。そして、演算回路３２（第
１図参照）の出力を光信号に変換して、光ファイバ４３
で高速アンプ４２に伝える。高速アンプ４２は演算回路
３２の制御出力によりその出力を変化させて対物レンズ
２１の中心電極２１ｂに与える。この結果、対物レンズ
２１の収束量を変化させて、材料への焦点位置を動的に
変化させる。これにより、イオンビームの材料上への自
動焦点調節が可能となる。
（発明の効果）
゛以上詳細に説明したように、本発明によれば、図形走
査用の偏向信号（ＶＸ 、 ｖｙ ＞からダイナミック
焦点補正信号を１ｑるためのハードの演算回路を設ける
ことにより、走査用偏向器のもつ描画面と材料のもつ描
画面との差に基づく高さの差を補正して材料面に常に焦
点の合ったビーム描画を行うことができるようにした集
束イオンビーム注入装置を実現することができる。
査用の偏向信号（ＶＸ 、 ｖｙ ＞からダイナミック
焦点補正信号を１ｑるためのハードの演算回路を設ける
ことにより、走査用偏向器のもつ描画面と材料のもつ描
画面との差に基づく高さの差を補正して材料面に常に焦
点の合ったビーム描画を行うことができるようにした集
束イオンビーム注入装置を実現することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図はサブ
レンズの特性を示す図、第３図はサブレンズの電極構造
を示す図、第４図はフィールド内偏向距離と２つの面の
高さの差の関係を示す図、第５図は本発明の他の実施例
の要部構成図、第６図はイオン注入の様子を示す図、第
７図は斜め照射機構をもつ集束イオンビーム装置の構成
概念図、第８図は走査用偏向器に基づ＜Ｘ−Ｙ面と材料
のもつｘ−ｙ面との関係を示す図である。 ２１・・・対物レンズ ２１３．２１ｂ、２１Ｃ−・・対物レンズ電極２２ａ、
２２ｂ・・・走査用偏向器 ２３ａ 、２３ｂ・・・偏向アンプ ２４・・・サブレンズ ２５．２７ａ 、２７ｂ ・７ンプ ２６ａ、２６ｂ・・・斜め照射用偏向器２８・・・材料
２９・・・ＣＰＵ３０．３３・・・Ｄ／
Ａ変換器 ３１．３４・・・分配器 ３２・・・演算回路４０
・・・レンズ高圧電源 ４１・・・高圧電源４２・・
・高速アンプ ４３・・・光フアイバ特許出願人
日 本 電 子 株 式 会 礼式
理 人 弁 理 士 井 島
藤 治外１名 第２図 第３図 鋼６に 第７図
レンズの特性を示す図、第３図はサブレンズの電極構造
を示す図、第４図はフィールド内偏向距離と２つの面の
高さの差の関係を示す図、第５図は本発明の他の実施例
の要部構成図、第６図はイオン注入の様子を示す図、第
７図は斜め照射機構をもつ集束イオンビーム装置の構成
概念図、第８図は走査用偏向器に基づ＜Ｘ−Ｙ面と材料
のもつｘ−ｙ面との関係を示す図である。 ２１・・・対物レンズ ２１３．２１ｂ、２１Ｃ−・・対物レンズ電極２２ａ、
２２ｂ・・・走査用偏向器 ２３ａ 、２３ｂ・・・偏向アンプ ２４・・・サブレンズ ２５．２７ａ 、２７ｂ ・７ンプ ２６ａ、２６ｂ・・・斜め照射用偏向器２８・・・材料
２９・・・ＣＰＵ３０．３３・・・Ｄ／
Ａ変換器 ３１．３４・・・分配器 ３２・・・演算回路４０
・・・レンズ高圧電源 ４１・・・高圧電源４２・・
・高速アンプ ４３・・・光フアイバ特許出願人
日 本 電 子 株 式 会 礼式
理 人 弁 理 士 井 島
藤 治外１名 第２図 第３図 鋼６に 第７図
Claims (3)
- （１）斜め照射機構をもつ集束イオンビーム注入装置に
おいて、図形走査用の偏向信号（Ｖｘ、Ｖｙ）を受けて
Ｋ√（Ｖｘ＾２Ｖｙ＾２）なるダイナミック焦点補正信
号（但し、Ｋは補正係数）を得る演算回路を設けたこと
を特徴とする集束イオンビーム注入装置。 - （２）前記ダイナミック焦点補正信号で主レンズ外部に
設けられた焦点補正用のサブレンズを駆動するようにし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の集束イ
オンビーム注入装置。 - （３）前記ダイナミック焦点補正信号で主レンズに接続
された高速アンプを駆動するようにしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の集束イオンビーム注入装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62284823A JPH01124948A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 集束イオンビーム注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62284823A JPH01124948A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 集束イオンビーム注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01124948A true JPH01124948A (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=17683470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62284823A Pending JPH01124948A (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | 集束イオンビーム注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01124948A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006049817A3 (en) * | 2004-10-18 | 2006-08-03 | Axcelis Tech Inc | Systems and methods for ion beam focusing |
| JP2008503067A (ja) * | 2004-06-10 | 2008-01-31 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | 改良したイオン注入均一化のためのイオンビーム走査システム及び方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS585954A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Hitachi Ltd | 動的焦点補正装置 |
| JPS59171443A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線照射装置 |
| JPS61240553A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Jeol Ltd | イオンビ−ム描画装置 |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP62284823A patent/JPH01124948A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS585954A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Hitachi Ltd | 動的焦点補正装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008503067A (ja) * | 2004-06-10 | 2008-01-31 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | 改良したイオン注入均一化のためのイオンビーム走査システム及び方法 |
| WO2006049817A3 (en) * | 2004-10-18 | 2006-08-03 | Axcelis Tech Inc | Systems and methods for ion beam focusing |
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