JPH01125019A - 高電圧回路用半導体スイッチ素子の故障検出方法 - Google Patents

高電圧回路用半導体スイッチ素子の故障検出方法

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JPH01125019A
JPH01125019A JP28281187A JP28281187A JPH01125019A JP H01125019 A JPH01125019 A JP H01125019A JP 28281187 A JP28281187 A JP 28281187A JP 28281187 A JP28281187 A JP 28281187A JP H01125019 A JPH01125019 A JP H01125019A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] この発明は、半導体スイッチ素子の逆並列回路を多数直
列接続し、高電圧の交流回路に接続して使用する場合の
、高電圧回路用半導体スイッチ素子の故障検出方法に関
する。
C従来の技術〕 高電圧の交流回路に接続する進相コンデンサの容量を変
更することで、この交流回路の遅れ無効電力を補償でき
ることは周知であり、このような進相コンデンサを用い
た静止形無動電力補償装置は、進み無効電力を補償する
ことはできないが、可動部分がなくて保守点検が容易で
あることから多用されている。
この進相コンデンサを高電圧の交流回路に接続し、ある
いは切離しを行うために、逆並列接続された半導体スイ
ッチ素子を多数直列接続したものを使用するのであるが
、これら多数の半導体スイッチ素子のうちの1個でも異
常になると、この静止形無動電力補償装置の運転に支障
を生じることから、どの素子がどのような異常を生じた
かを、素早く、かつ確実に検出する必要がある。
第4図は逆並列接続された半導体スイッチ素子の故障検
出の従来例を示した回路図であるが、多数の逆並列接続
回路のうちの1組分のみをあられしている。
この第4図において、半導体スイッチ素子としてのサイ
リスタ2Aと2Bとを相互に逆並列接続することで逆並
列ユニットを形成させているが、この逆並列ユニットに
は、スナバ抵抗3Rとスナバコンデンサ3Cとでなるス
ナバ回路が並列に接続されている。さらにこの逆並列ユ
ニットの両端に電圧が印加されたか否かを検出する電圧
検出器10、ならびに過大な電圧の印加を検出する過電
圧検出器20 とが設備されている。
電圧検出器10は、サイリスク2A、2Bの両端に電圧
が印加されたことを検出し、その信号を電気・光信号変
換器11で光信号に変換し、これをライトガイド12を
介して大地電位側に設けた光・電気信号変換器13に送
って再び電気信号に変換したのち、図示していない故障
監視回路にこれを入力させて、交流回路の1サイクルの
うちに1度も電圧印加信号が到来しなければ、このサイ
リスタを故障と判定する。
また過電圧検出器20は、サイリスタ2A、2Bの両端
に印加される電圧が過大であることを検出すると、この
過電圧が順方向電圧となっている掻性のサイリスクのゲ
ートに自己点弧パルスを与えてこれを導通させるととも
に、この自己点弧信号を電気・光信号変換器21へ送出
するので、この電気・光信号変換器21で変換された光
信号は、ライトガイド22を介して大地電位側にある光
・電気信号変換器23へ送られ、ここで再び電気信号に
戻されてから、図示していない前述の故障監視回路へ入
力させ、自己点弧を検出している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述の第4図に示すように、高電圧の交流回路に接続さ
れている1組の逆並列ユニットの異常を大地電位側で監
視するためには、電気・光信号変換器と光・電気信号変
換器および絶縁材料を用いているライトガイドがそれぞ
れ2&lll必要となる。
それ故、交流回路の電圧が高くなるなどにより、サイリ
スタの使用数が増大した場合には、故障監視のために使
用するこれら信号変換器やライトガイドの数が増加し、
高価な装置となる欠点を有する。
そこでこの発明の目的は、高電圧交流回路に接続されて
いる半導体スイッチ素子の逆並列接続ユニットから検出
される異常信号を、従来よりも少ない信号変換器やライ
トガイドで大地電位側へ送るようにして、故障監視のた
めの費用を低減することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために、この発明の故障検出方法
は、2個の半導体スイッチ素子を相互に逆並列接続して
得られる逆並列ユニットの複数を直列接続して高電圧の
交流回路に接続し、前記各逆並列ユニットごとに、当該
逆並列ユニットの両端に過大な電圧が印加されれば順方
向となる極性の半導体スイッチ素子を自己点弧させると
ともに、この自己点弧信号を大地電位側へ送出し、かつ
、この逆並列ユニットの両端に電圧が印加されたときは
電圧印加信号を大地電位側へ送出して各半導体スイッチ
素子の異常を監視する方法において、前記自己点弧信号
と電圧印加信号との論理和を各逆並列ユニットごとに演
算し、その演算結果を返送信号として大地電位側に絶縁
して送出し、大地電位側において、この返送信号を各逆
並列ユニットごとに順電圧側素子の電圧印加信号、順電
圧側素子の自己点弧信号、逆電圧側素子の電圧印加信号
および逆電圧側素子の自己点弧信号に分離して検出する
ものとし、この返送信号の分離方法は、順電圧側素子が
消弧した時点で立上る所定パルス幅の第1パルス信号と
、この第1パルス信号の立下り時点から前記交流高電圧
の零点通過時点までをパルス幅とする第2パルス信号と
、逆電圧側素子が消弧した時点で立上る所定パルス幅の
第3パルス信号と、この第3パルス信号の立下り時点か
ら前記交流高電圧の零点通過時点までをパルス幅とする
第4パルス信号とを発生させ、これら第1゜第2.第3
または第4パルス信号と前記返送信号との論理積を別個
に演算し、これらの論理積演算結果を別個にメモリ回路
に記憶させ、前記第2パルス信号または第4パルス信号
の立下り時点で発生するラッチ信号に従って、前記各メ
モリ回路の内容を別個のラッチ回路に移すとともに、前
記メモリ回路をリセットさせるものとする。
〔作用] この発明は、逆並列接続されている半導体スイッチ素子
の電圧印加信号と自己点弧信号とを論理和演算して1本
の信号線で返送し、大地電位にある受信側では、この返
送信号をタイミングにより区別する論理回路により振り
分け、所定期間内に該当する返送信号があられれた場合
には、これをメモリ回路に記憶させ、このメモリ回路の
内容を一定の同期信号によりラッチして故障監視に利用
することで、返送信号を伝送する信号線と、この信号線
の両端にある信号変換器の数を、従来方法に比して半減
させるようにしている。
〔実施例] 第1図は本発明の実施例を示す回路図であるが、第4図
で既述の従来例回路の場合と同様に多数の直列接続され
た逆並列ユニットのうちの1組分のみを図示している。
この第1図において、2個の半導体スイッチ素子として
のサイリスタ2Aと2Bとを相互に逆並列接続して逆並
列ユニットを構成し、この逆並列ユニットを高電圧の交
流回路に接続して使用するのであるが、スナバ抵抗3R
とスナバコンデンサ3Cとでなるスナバ回路をこの逆並
列ユニットに並列接続していること、電圧検出器10 
と過電圧検出器20 とがこの逆並列ユニットの両端に
印加される電圧を監視して、電圧検出器10は電圧印加
信号を、また過電圧検出器20は過大な電圧が印加され
たときに、この過電圧が順方向となる極性のサイリスク
に自己点弧パルスを与えて導通させるとともに自己点弧
信号を、それぞれ出力するようになっていることは、第
4図において既述の従来例回路の場合と同様である。
本発明においては、電圧検出器10の出力回路にダイオ
ード15を、また過電圧検出器20の出力回路にダイオ
ード25@それぞれ設け、これら両ダイオード15 と
25 とにより百出力信号の論理和を得ているので、電
圧印加信号と自己点弧信号とを大地電位側に伝送するに
あたっては、1本のライトガイド4Bと、これの両端に
電気・光信号変換器4Aと、光・電気信号変換器4Cと
をそれぞれ1組用意すればよいことになる。このように
して1&lIの伝送回路で大地電位側へ送られてきた信
号は、返送信号分離回路5によりその信号を分離する。
第2図は第1図に示す実施例回路に使用する返送信号分
離回路の例をあられした回路図であって、1組の逆並列
ユニットに対して、論理積回路とメモリ回路ならびにラ
ッチ回路をそれぞれ4&11用意することで、返送信号
を、順電圧側サイリスクの電圧印加信号と自己点弧信号
、および逆電圧側サイリスタの電圧印加信号と自己点弧
信号とに分離するのであるが、そのために、各逆並列ユ
ニノトに共通の第1.第2.第3.第4パルス信号と、
第1.第2リセツト信号、ならびに第1.第2ラツチ信
号とを発生させている。
サイリスタで構成された逆並列ユニットがN組の場合の
返送信号分離回路がこの第2図に示されていて、第1の
逆並列ユニットから返送されてくる1号返送信号に対し
て、符号511〜514なる4組の論理積回路と、符号
611〜614なる4組のメモリ回路、および符号71
1〜714 なる4&Ilのラッチ回路で信号の分離を
行う、同様にしてN番目の逆並列ユニットから返送され
てくるN号返送信号に対しては、符号5N1〜5N4な
る論理積回路と、符号6N1〜6N4なるメモリ回路、
および符号7N1〜7N4なるラッチ回路を用意する。
ここで第1パルス信号は、順電圧側サイリスクが消弧し
た時点で立上るTIなるパルス幅のパルス信号であるが
、このTIなるパルス幅は、直列接続されている他のサ
イリスタの消弧遅れ時間のばらつきや、信号の伝達遅れ
時間などを考慮して定めている。また第2パルス信号は
、この第1パルス信号の立下り時点を立上り時点とし、
かつ高電圧交流回路の電圧が最初の零点を通過する時点
までをパルス幅としているパルス信号である。また第3
パルス信号は、逆電圧側サイリスクが消弧した時点で立
上るTIなるパルス幅のパルス信号であり、第4パルス
信号は、この第3パルス信号の立下り時点から次の交流
回路電圧が零点を通過する時点までをパルス幅とするパ
ルス信号である。
第1ラツチ信号は前述の第2パルス信号の立下り時点に
生じる短時間のパルス信号であり、この第1ラツチ信号
に引き続いて短時間のパルス信号が第1リセツト信号と
して出力されるが、これと同様に前述の第4パルス信号
の立下り時点で第2ラツチ信号が、さらに引き続いて第
2リセツト信号が出力されるようになっている。
第2図に示す返送信号分離回路では、4個の論理積回路
に第1〜第4パルス信号をそれぞれ別個に入力させると
ともに共通の返送信号を入力させることで、この返送信
号が分離されてそれぞれのメモリ回路に記憶されるので
あるが、このメモリ回路の内容は、故障演算開始のタイ
ミングでそれぞれ次段のラッチ回路ヘラッチされ、その
直後に発生するリセット信号によりメモリ回路がリセッ
トされ、次のサイクルでの各返送信号の記憶ができるよ
うに回路を構成している。
第3図は第2図に示す返送信号分離回路へ与えられる分
離用として既述の各種信号をあられしたタイムチャート
であって、第3図(イ)は高電圧交流回路の電圧と同期
した同期信号を、第3図(ロ)はサイリスタ印加電圧を
、第3図(ハ)は電流を、第3図(ニ)、(ホ)、(へ
)、())はそれぞれ第1から第4までのパルス信号を
、第3図(チ)は第1ラツチ信号を、第3図(す)は第
1リセツト信号を、第3図(ヌ)は第2ラツチ信号を、
第3図(ル)は第2リセツト信号を、それぞれがあられ
している、なおT1は第1および第3パルス信号のパル
ス幅であり、T2は第2および第4パルス信号のパルス
幅をあられしている。
この第3図に示す信号により、逆並列ユニットから返送
されてくる信号は、前述したように順電圧側サイリスク
の電圧印加信号と自己点弧信号、および逆電圧側サイリ
スクの電圧印加信号と自己点弧信号とに分離されるので
、これら分離された信号を、図示していない故障監視回
路へ送ることにより、高電圧交流回路に接続されている
多数のサイリスクのうちの、どの位置にあるサイリスク
にどのような異常を生じたかを、直ちに識別することが
できる。
なお、第2図および第3図においては、メモリ回路の内
容をラッチ回路へ送ったのちにこのメモリ回路をリセッ
トするために、順電圧側用として第1ラツチ信号と第1
リセツト信号を、また逆電圧側用として第2ラツチ信号
と第2リセツト信号とを使用しているが、第1ラツチ信
号と第2ラツチ信号のいずれかと、第1リセツト信号と
第2リセツト信号のいずれかとにより、順電圧側と逆電
圧側両方のサイリスタからの返送データをともにラッチ
し、あるいはリセットできることは勿論である。
〔発明の効果〕
この発明によれば、半導体スイッチ素子の逆並列接続ユ
ニットを多数直列接続し、これを交流高電圧回路に接続
して使用する場合に、各逆並列ユニットごとの電圧印加
信号と自己点弧信号とをまとめて、1組の信号伝送路で
大地電位側に返送し、この返送信号の内容をそのタイミ
ングにより区分できる論理回路により信号分離を行って
、各サイリスクごとの異常を常時監視できる回路構成に
していることから、高電位側から大地電位側へ信号を伝
送するために使用する高価なライトガイド、電気・光信
号変換手段、および光・電気信号変換手段の使用数量を
、従来のものにくらべて半減できることになるので、故
障監視用の費用を大幅に低減できる効果を発揮するので
あるが、交流回路の電圧が高く、かつ容量が増大するに
つれて、この交流回路に接続して使用する半導体スイッ
チ素子の使用個数は急激に増大することになり、故障監
視に要する費用の低減効果も著しく増大することとなる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す回路図、第2図は第1図
に示す実施例回路に使用する返送信号分離回路の例をあ
られした回路図、第3閏は第2図に示す返送信号分離回
路へ与えられる分離用各種信号をあられしたタイムチャ
ートであり、第4図は逆並列接続された半導体スイッチ
素子の故障検出の従来例を示した回路図である。 2A、2B・・・半導体スイッチ素子としてのサイリス
タ、3C・・・スナバコンデンサ、3R・・・スナバ抵
抗、4 A、 11.21・・・電気・光信号変換器、
4B。 12)22・・・ライトガイド、4 C,13,23・
・・光・電気信号変換器、5・・・返送信号分離回路、
10・・・電圧検出器、15.25・・・ダイオード、
20・・・過電圧検出器、511〜514.5N1〜5
N4・・・論理積回路、611〜614.6N1〜6N
4・・・メモリ回路、711〜714゜7N1〜7N4
・・・ラッチ回路。 P                      に−
L 3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)2個の半導体スイッチ素子を相互に逆並列接続して
    得られる逆並列ユニットの複数を直列接続して高電圧の
    交流回路に接続し、前記各逆並列ユニットごとに、当該
    逆並列ユニットの両端に過大な電圧が印加されれば順方
    向となる極性の半導体スイッチ素子を自己点弧させると
    ともに、この自己点弧信号を大地電位側へ送出し、かつ
    、この逆並列ユニットの両端に電圧が印加されたときは
    電圧印加信号を大地電位側へ送出して各半導体スイッチ
    素子の異常を監視する方法において、前記自己点弧信号
    と電圧印加信号との論理和を各逆並列ユニットごとに演
    算し、その演算結果を返送信号として大地電位側に絶縁
    して送出し、大地電位側において、この返送信号を各逆
    並列ユニットごとに順電圧側素子の電圧印加信号、順電
    圧側素子の自己点弧信号、逆電圧側素子の電圧印加信号
    および逆電圧側素子の自己点弧信号に分離して検出する
    ことを特徴とする高電圧回路用半導体スイッチ素子の故
    障検出方法。 2)特許請求の範囲第1項記載の故障検出方法において
    、前記返送信号の分離方法は、順電圧側素子が消弧した
    時点で立上る所定パルス幅の第1パルス信号と、この第
    1パルス信号の立下り時点から前記交流高電圧の零点通
    過時点までをパルス幅とする第2パルス信号と、逆電圧
    側素子が消弧した時点で立上る所定パルス幅の第3パル
    ス信号と、この第3パルス信号の立下り時点から前記交
    流高電圧の零点通過時点までをパルス幅とする第4パル
    ス信号とを発生させ、これら第1、第2、第3または第
    4パルス信号と前記返送信号との論理積を別個に演算し
    、これらの論理積演算結果を別個にメモリ回路に記憶さ
    せ、前記第2パルス信号または第4パルス信号の立下り
    時点で発生するラッチ信号に従って、前記各メモリ回路
    の内容を別個のラッチ回路に移すとともに、前記メモリ
    回路をリセットさせることを特徴とする高電圧回路用半
    導体スイッチ素子の故障検出方法。
JP62282811A 1987-11-09 1987-11-09 高電圧回路用半導体スイッチ素子の故障検出方法 Expired - Lifetime JPH0783544B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5329415A (en) * 1991-04-26 1994-07-12 Aida Engineering Ltd. Clutch-brake drive control for press machine
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